JP2006318842A - Luminous device and luminous display panel - Google Patents

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Manabu Takei
学 武居
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To control deterioration of visibility due to reflection of a daylight in an electrode inside an element. <P>SOLUTION: Each pixel of an EL display panel 1 is provided with an organic EL element L laminated in an order of a pixel electrode 3, a hole transport film 4, a luminous layer 5, and an opposite electrode 6. The pixel electrode 3 and the opposite electrode 6 are translucent. The opposite electrode 6 is a common electrode for all the pixels and the whole surface is covered with a film and is laminated with a retro-reflection material 7. The retro-reflection material 7 has a characteristic of retro-reflecting light incoming from a side of the luminous film 5. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス現象を用いた発光装置及び発光ディスプレイパネルに関する。   The present invention relates to a light-emitting device and a light-emitting display panel using an electroluminescence phenomenon.

エレクトロルミネッセンス素子は基板上に下部電極、発光層、上部電極の順に積層したものであり、特に有機エレクトロルミネッセンス素子では、発光層が有機化合物で構成され、発光層内で電子及び正孔が再結合して発光する。   An electroluminescent element is a laminate of a lower electrode, a light emitting layer, and an upper electrode in this order on a substrate. In particular, in an organic electroluminescent element, the light emitting layer is composed of an organic compound, and electrons and holes are recombined in the light emitting layer. And emits light.

また、エレクトロルミネッセンス素子を画素として用いた発光型ディスプレイパネルの研究・開発が盛んに行われている。ここで視認者の背面からディスプレイパネルの方向に進行する外光は視認者によって遮られるためディスプレイパネルに入射されることはないが、視認者によって遮られない角度でディスプレイパネルに入射した外光はその一部が視認者に向かって反射することになるので、表示が視認者にとって視認しづらくなってしまっていた。このため、特許文献１に示すように、ディスプレイパネル内に入射した外光をディスプレイパネルの裏面に配置した太陽電池パネルが吸収することによってコントラストの低下を防止することになっている。
特開２００４−２７１９６３号公報 In addition, research and development of light-emitting display panels using electroluminescent elements as pixels have been actively conducted. Here, external light traveling in the direction of the display panel from the back of the viewer is not incident on the display panel because it is blocked by the viewer, but external light incident on the display panel at an angle not blocked by the viewer is Since some of the light is reflected toward the viewer, the display is difficult for the viewer to see. For this reason, as shown in Patent Document 1, the solar cell panel arranged on the back surface of the display panel absorbs external light that has entered the display panel, thereby preventing a decrease in contrast.
JP 2004-271963 A

しかし、このような構造では外光による反射を抑えることができるが、発光素子の光までも吸収してしまって発光素子の出射効率が低くなってしまい、結果として視認性を十分に向上することが困難であった。   However, with such a structure, reflection by external light can be suppressed, but the light from the light emitting element is absorbed and the emission efficiency of the light emitting element is lowered, and as a result, the visibility is sufficiently improved. It was difficult.

そこで、本発明は、上記問題点を解決しようとしてなされたものであり、素子内部の光の指向を制御して視認性を向上させることを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to improve the visibility by controlling the direction of light inside the element.

以上の課題を解決するために、本発明の発光装置は、互いに対向する２つの透光性電極の間に発光層が挟持され、前記２つの透光性電極のうち一方の透光性電極に関して前記発光層の反対側に再帰反射体が設けられていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a light emitting device according to the present invention includes a light emitting layer sandwiched between two light transmissive electrodes facing each other, and one of the two light transmissive electrodes is related to the light transmissive electrode. A retroreflector is provided on the opposite side of the light emitting layer.

好ましくは、前記再帰反射体が前記発光層の発光色と同じ色の光を再帰反射する特性を有する。   Preferably, the retroreflector has a characteristic of retroreflecting light having the same color as the emission color of the light emitting layer.

本発明によれば、発光装置の周囲からの外光のうち、視認者の背面から発光装置の方向に進行する外光は視認者の背面によって遮られるため発光装置に入射されることはなく、また視認者によって遮られない角度で発光装置に入射した外光は再帰反射体によって反転して戻っていくので、視認者に向かって反射することがない。このため、視認者の目には、発光装置での外光による反射光が到達しないため、視認性を向上することができる。そして、発光層にて発した光が再帰反射体にて再帰反射するので、発光層にて発した光が効率よく出射することができる。   According to the present invention, out of the external light from the periphery of the light emitting device, the external light traveling in the direction of the light emitting device from the back of the viewer is not incident on the light emitting device because it is blocked by the back of the viewer. In addition, since the external light incident on the light emitting device at an angle that is not blocked by the viewer is reversed by the retroreflector and returned, it is not reflected toward the viewer. For this reason, since the reflected light by the external light in a light-emitting device does not arrive at a viewer's eyes, visibility can be improved. Since the light emitted from the light emitting layer is retroreflected by the retroreflector, the light emitted from the light emitting layer can be emitted efficiently.

本発明の発光型ディスプレイパネルは、画素ごとに透光性の画素電極が設けられ、該画素電極に対向した透光性の対向電極と前記画素電極との間に発光層が挟持され、前記対向電極と前記画素電極のうちの一方の電極に関して前記発光層の反対側に再帰反射体が設けられていることを特徴とする。   In the light-emitting display panel of the present invention, a light-transmitting pixel electrode is provided for each pixel, a light-emitting layer is interposed between the light-transmitting counter electrode facing the pixel electrode and the pixel electrode, and the counter electrode A retroreflector is provided on the opposite side of the light emitting layer with respect to one of the electrode and the pixel electrode.

また、前記再帰反射体が前記発光層の発光色と同じ色の光を再帰反射する特性を有することが好ましい。
また、前記再帰反射体が前記発光層の発光波長域の半値幅よりも狭い半値幅の着色層を有することが好ましい。 The retroreflector preferably has a characteristic of retroreflecting light having the same color as the light emission color of the light emitting layer.
Moreover, it is preferable that the retroreflector has a colored layer having a half-value width narrower than the half-value width of the emission wavelength region of the light-emitting layer.

本発明によれば、ディスプレイパネルの周囲からの外光のうち、視認者の背面からディスプレイパネルの方向に進行する外光は視認者の背面によって遮られるためディスプレイパネルに入射されることはなく、また視認者によって遮られない角度でディスプレイパネルに入射した外光は再帰反射体によって反転して戻っていくので、視認者に向かって反射することがない。このため、視認者の目には、ディスプレイパネルでの外光による反射光が到達しないため、視認性を向上することができる。そして、発光層にて発した光が再帰反射体にて再帰反射するので、発光層にて発した光が効率よく出射することができる。   According to the present invention, out of the external light from the periphery of the display panel, the external light traveling in the direction of the display panel from the back of the viewer is blocked by the back of the viewer and is not incident on the display panel. In addition, the external light incident on the display panel at an angle that is not blocked by the viewer is reversed and returned by the retroreflector, and thus is not reflected toward the viewer. For this reason, since the reflected light by the external light in a display panel does not arrive at a viewer's eyes, visibility can be improved. Since the light emitted from the light emitting layer is retroreflected by the retroreflector, the light emitted from the light emitting layer can be emitted efficiently.

本発明によれば、外部から内部に入射した外光が再帰反射体にて視認者を避けるように再帰反射して出射し、発光層が発光した光は再帰反射体にて再帰反射して効率的に出射されるので、視認性が向上する。   According to the present invention, external light incident on the inside from the outside is retroreflected and emitted by the retroreflector so as to avoid the viewer, and the light emitted from the light emitting layer is retroreflected by the retroreflector and is efficient. Therefore, the visibility is improved.

以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. However, although various technically preferable limitations for implementing the present invention are given to the embodiments described below, the scope of the invention is not limited to the following embodiments and illustrated examples.

〔第１の実施の形態〕
図１は、発光装置１０１の概略断面図である。
この発光装置１０１は、絶縁性の透明基板１０２と、透明基板１０２の一方の面に成膜された下部電極１０３と、下部電極１０３に積層された正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４に積層された発光層１０５と、発光層１０５に積層されるとともに正孔輸送層１０４及び発光層１０５を挟んで下部電極１０３に対向した上部電極１０６と、上部電極１０６に積層された再帰反射体１０７と、下部電極１０３、正孔輸送層１０４、発光層１０５及び上部電極１０６の積層体を被覆した封止膜１０８とを備える。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device 101.
The light emitting device 101 includes an insulating transparent substrate 102, a lower electrode 103 formed on one surface of the transparent substrate 102, a hole transport layer 104 stacked on the lower electrode 103, and a hole transport layer 104. A light emitting layer 105 laminated on the light emitting layer 105, an upper electrode 106 laminated on the light emitting layer 105 and facing the lower electrode 103 with the hole transport layer 104 and the light emitting layer 105 interposed therebetween, and a retroreflector laminated on the upper electrode 106 107, and a sealing film 108 covering a laminate of the lower electrode 103, the hole transport layer 104, the light emitting layer 105, and the upper electrode 106.

透明基板１０２は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラス、ＰＭＭＡ（ポリメタクリ酸メチル）、ポリカーボネート、その他の樹脂等の透明な材料で板状又はシート状に形成されたものである。   The transparent substrate 102 is formed of a transparent material such as borosilicate glass, quartz glass, other glass, PMMA (polymethyl methacrylate), polycarbonate, or other resin in a plate shape or a sheet shape.

下部電極１０３がアノードとして機能し、上部電極１０６がカソードとして機能し、下部電極１０３の仕事関数は上部電極１０６の仕事関数よりも高い。また、どちらの電極１０３，１０６も可視光を透過する性質を有する透明電極である。   The lower electrode 103 functions as an anode, the upper electrode 106 functions as a cathode, and the work function of the lower electrode 103 is higher than the work function of the upper electrode 106. Further, both the electrodes 103 and 106 are transparent electrodes having a property of transmitting visible light.

例えば、下部電極１０３が、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）等の透明導電体を有する。上部電極１０６は、上述した下部電極１０３の透明導電体の層と、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金の電子注入層と、を備えている。電子注入層は、可視光を透過する程度の１nm〜１５nmの厚さで成膜され、透明導電体の層は、５０nm〜１００nmの厚さに成膜されている。 For example, the lower electrode 103 may be tin-doped indium oxide (ITO), zinc-doped indium oxide, indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), or cadmium-tin oxide (CTO). Transparent conductors such as The upper electrode 106 includes the above-described transparent conductor layer of the lower electrode 103 and a single or alloy electron injection layer containing at least one of indium, magnesium, calcium, lithium, barium, and rare earth metals. The electron injection layer is formed to a thickness of 1 nm to 15 nm so as to transmit visible light, and the transparent conductor layer is formed to a thickness of 50 nm to 100 nm.

正孔輸送層１０４は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）を有する。
発光層１０５は、ポリパラフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料を有している。 The hole transport layer 104 includes PEDOT (polythiophene) which is a conductive polymer and PSS (polystyrene sulfonic acid) which is a dopant.
The light emitting layer 105 includes a polyparaphenylene vinylene light emitting material or a polyfluorene light emitting material.

なお、下部電極１０３と上部電極１０６との間の層は、上記のようなものに限定されない。例えば、下部電極１０３から正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されていても良いし、下部電極１０３から発光層、電子輸送層の順に積層されていても良いし、下部電極１０３と上部電極１０６との間に発光層の一層のみが介在していても良い。   Note that the layer between the lower electrode 103 and the upper electrode 106 is not limited to the above. For example, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer may be stacked in this order from the lower electrode 103, or the light emitting layer and the electron transport layer may be stacked in this order. Only one layer of the light emitting layer may be interposed between the upper electrode 106 and the upper electrode 106.

下部電極１０３がカソードであり且つ上部電極１０６がアノードである場合には、下部電極１０３と上部電極１０６との間の層の積層順が上述の場合の逆になる。例えば、下部電極１０３がカソードであり且つ上部電極１０６がアノードである場合には、下部電極１０３から発光層１０５、正孔輸送層１０４の積層順になる。   When the lower electrode 103 is a cathode and the upper electrode 106 is an anode, the stacking order of the layers between the lower electrode 103 and the upper electrode 106 is the reverse of the above case. For example, in the case where the lower electrode 103 is a cathode and the upper electrode 106 is an anode, the light emitting layer 105 and the hole transport layer 104 are stacked in the order of lamination from the lower electrode 103.

再帰反射体１０７は、発光層１０５側から入射した光を再帰反射させる性質を有する。ここで、再帰反射とは、出射角のほぼ全体にわたって入射光の光路に沿った方向に反射光が戻る反射をいう。   The retroreflector 107 has a property of retroreflecting light incident from the light emitting layer 105 side. Here, retroreflection refers to reflection in which reflected light returns in a direction along the optical path of incident light over almost the entire emission angle.

再帰反射体１０７において再帰反射する光の波長域は、可視光波長域全域、つまり発光層１０５で発する光の波長域を含むことが望ましい。例えば、発光層１０５が赤色に発光するのであれば、再帰反射体１０７ではこの赤の波長の光を略１８０゜反転した方向に沿うように反射するようにし、発光層１０５が緑色に発光するのであれば、再帰反射体１０７ではこの緑の波長の光を略１８０゜反転した方向に沿うように反射するようにし、発光層１０５が青色に発光するのであれば、再帰反射体１０７ではこの青の波長の光を略１８０゜反転した方向に沿うように反射するようにする。同様に再帰反射体１０７に入射された外光のうちの可視光は、進行方向を略１８０゜反転した方向に沿うように反射されることになる。   The wavelength range of light retroreflected by the retroreflector 107 preferably includes the entire wavelength range of visible light, that is, the wavelength range of light emitted from the light emitting layer 105. For example, if the light emitting layer 105 emits red light, the retroreflector 107 reflects this red wavelength light along a direction inverted by approximately 180 °, and the light emitting layer 105 emits green light. If present, the retroreflector 107 reflects the light having the green wavelength along the direction inverted by about 180 °. If the light emitting layer 105 emits blue light, the retroreflector 107 reflects the blue light. The light of the wavelength is reflected so as to follow the direction inverted by about 180 °. Similarly, the visible light out of the external light incident on the retroreflector 107 is reflected along a direction obtained by reversing the traveling direction by approximately 180 °.

再帰反射体１０７は、図２〜図１２のいずれかのように構成されている。   The retroreflector 107 is configured as shown in any of FIGS.

図２の場合には、再帰反射体１０７は、透明な樹脂からなるフィルム１１１と、支持層１１３及びその支持層１１３からフィルム１１１に向けて突出してフィルム１１１に連結した連結壁１１４からなる樹脂のバインダ層１１５と、バインダ層１１５に埋設された複数の透明ビーズ１１２と、透明ビーズ１１２の上半球に成膜された反射層１１６とを有する。反射層１１６は内表面が光反射性で略半球形状になっている。連結壁１１４の厚みによってフィルム１１１と支持層１１３との間に密封室１１７が形成され、この密封室１１７には空気といった気体や透明液体等の透明部材が封入されている。透明ビーズ１１２の下半球が密封室１１７内にて露出し、透明ビーズ１１２の上半球が支持層１１３に埋設されている。透明ビーズ１１２の屈折率が密封室１１７内の透明部材の屈折率以上であり、透明ビーズ１１２がレンズとして機能する。ここで、発光層１０５で発する光のうち、上部電極１０６に向かう成分は、例えば矢印方向Ａのよう進行して反射層１１６で反射されて、矢印方向Ａを略１８０゜反転した矢印方向Ｂに進行する光となり、元来た光路をたどって上部電極１０６，発光層１０５，正孔輸送層１０４，下部電極１０３，透明基板１０２を透過して、外部に出射する。この光は、発光層１０５で発する光のうち、矢印方向Ｃに沿って出射する光と相まって出射されるため、視野角に限らず出射される光量が増大する。同様に外光のうち、上部電極１０６に向かう成分は、例えば矢印方向Ａ’に進行して透明基板１０２，下部電極１０３，正孔輸送層１０４，発光層１０５，上部電極１０６を経由して反射層１１６で反射されて、矢印方向Ａ’を略１８０゜反転した矢印方向Ｂ’に進行する光となり、元来た光路をたどって上部電極１０６，発光層１０５，正孔輸送層１０４，下部電極１０３，透明基板１０２を透過して、外部に出射する。   In the case of FIG. 2, the retroreflector 107 includes a film 111 made of a transparent resin, a support layer 113, and a connection wall 114 that protrudes from the support layer 113 toward the film 111 and is connected to the film 111. It has a binder layer 115, a plurality of transparent beads 112 embedded in the binder layer 115, and a reflective layer 116 formed on the upper hemisphere of the transparent beads 112. The inner surface of the reflective layer 116 is light reflective and has a substantially hemispherical shape. A sealing chamber 117 is formed between the film 111 and the support layer 113 depending on the thickness of the connecting wall 114, and a transparent member such as a gas such as air or a transparent liquid is enclosed in the sealing chamber 117. The lower hemisphere of the transparent bead 112 is exposed in the sealed chamber 117, and the upper hemisphere of the transparent bead 112 is embedded in the support layer 113. The refractive index of the transparent bead 112 is equal to or higher than the refractive index of the transparent member in the sealed chamber 117, and the transparent bead 112 functions as a lens. Here, of the light emitted from the light emitting layer 105, the component directed to the upper electrode 106 travels in the arrow direction A and is reflected by the reflective layer 116, for example, in the arrow direction B obtained by inverting the arrow direction A by approximately 180 °. The light travels, follows the original optical path, passes through the upper electrode 106, the light emitting layer 105, the hole transport layer 104, the lower electrode 103, and the transparent substrate 102, and is emitted to the outside. This light is emitted in combination with the light emitted along the arrow direction C among the light emitted from the light emitting layer 105, so that the amount of emitted light is not limited to the viewing angle. Similarly, the component of the external light that travels toward the upper electrode 106 travels in the arrow direction A ′, for example, and is reflected via the transparent substrate 102, the lower electrode 103, the hole transport layer 104, the light emitting layer 105, and the upper electrode 106. The light is reflected by the layer 116 and travels in the arrow direction B ′ obtained by reversing the arrow direction A ′ by approximately 180 °, and follows the original optical path, and the upper electrode 106, the light emitting layer 105, the hole transport layer 104, and the lower electrode. 103, the light passes through the transparent substrate 102 and is emitted to the outside.

図３の場合には、再帰反射体１０７は、樹脂等の透明な材料からなるバインダ層１２１と、下半球がバインダ層１２１に埋設されるとともにガラス等からなる微小な複数の透明ビーズ１２２と、透明ビーズ１２２を被覆して透明ビーズ１２２に沿った形状となした焦点層１２３と、焦点層１２３を被覆した反射層１２４と、反射層１２４を被覆した接着剤層１２５とを有する。反射層１２４は内表面が光反射性で略半球形状になっている。バインダ層１２１の屈折率が透明ビーズ１２２の屈折率以上であり、透明ビーズ１２２がレンズとして機能する。焦点層１２３の厚みによって透明ビーズ１１２によるレンズの焦点位置が反射層１２４になる。反射層１２４は、内表面がアルミニウムといった反射率の高い金属を気相成長法（スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法）により成長させることにより成膜したものである。図２と同様に、発光層１０５で発する光のうち、上部電極１０６に向かう成分は、例えば矢印方向Ａのように進行して再帰反射体１０７で反射して矢印方向Ｂに進行し、外光のうち、上部電極１０６に向かう成分は、例えば矢印方向Ａ’のように進行して再帰反射体１０７で反射して矢印方向Ｂ’に進行する。   In the case of FIG. 3, the retroreflector 107 includes a binder layer 121 made of a transparent material such as a resin, a plurality of minute transparent beads 122 made of glass or the like while the lower hemisphere is embedded in the binder layer 121, and It has a focal layer 123 covered with the transparent beads 122 and shaped along the transparent beads 122, a reflective layer 124 coated with the focal layer 123, and an adhesive layer 125 coated with the reflective layer 124. The inner surface of the reflective layer 124 is light-reflective and has a substantially hemispherical shape. The refractive index of the binder layer 121 is equal to or higher than the refractive index of the transparent beads 122, and the transparent beads 122 function as a lens. Depending on the thickness of the focal layer 123, the focal position of the lens by the transparent beads 112 becomes the reflective layer. The reflective layer 124 is formed by growing a metal having a high reflectance such as aluminum on the inner surface by vapor phase growth (sputtering, CVD, PVD). As in FIG. 2, the component of the light emitted from the light emitting layer 105 toward the upper electrode 106 travels in the arrow direction A, for example, is reflected by the retroreflector 107 and travels in the arrow direction B. Among them, the component toward the upper electrode 106 proceeds in the direction of the arrow A ′, for example, is reflected by the retroreflector 107 and proceeds in the direction of the arrow B ′.

図４の場合には、再帰反射体１０７は、透明な樹脂からなるフィルム１３１と、フィルム１３１に積層された内部全反射型プリズムフィルム１３２と、支持層１３３及びその支持層１３３から内部全反射型プリズムフィルム１３２に向けて突出して内部全反射型プリズムフィルム１３２に連結した連結壁１３４からなる樹脂のバインダ層１３５とを有する。連結壁１３４の厚みによって内部全反射型プリズムフィルム１３２と支持層１３３との間に密封室１３７が形成され、この密封室１３７には空気といった気体が封入されている。内部全反射型プリズムフィルム１３２のバインダ層１３５側の面には、複数のプリズム１３８が形成されている。プリズム１３８は円錐、三角錐、四角錐といった錐体状である。プリズムフィルム１３２の屈折率は密封室１３７内の気体の屈折率よりも十分高く、プリズムフィルム１３２内部からプリズム１３８の表面に入射した光が全反射する。このとき、プリズム１３８と密封室１３７との界面では、図２と同様に、発光層１０５で発する光のうち例えば矢印方向Ａのように上部電極１０６に向かう成分が反射して矢印方向Ｂに進行し、外光のうち例えば矢印方向Ａ’のように上部電極１０６に向かう成分が反射して矢印方向Ｂ’に進行する。   In the case of FIG. 4, the retroreflector 107 includes a film 131 made of a transparent resin, an internal total reflection prism film 132 laminated on the film 131, a support layer 133 and an internal total reflection type from the support layer 133. A resin binder layer 135 made of a connecting wall 134 protruding toward the prism film 132 and connected to the internal total reflection type prism film 132 is provided. A sealed chamber 137 is formed between the internal total reflection prism film 132 and the support layer 133 depending on the thickness of the connecting wall 134, and a gas such as air is sealed in the sealed chamber 137. A plurality of prisms 138 are formed on the surface of the internal total reflection type prism film 132 on the binder layer 135 side. The prism 138 has a cone shape such as a cone, a triangular pyramid, and a quadrangular pyramid. The refractive index of the prism film 132 is sufficiently higher than the refractive index of the gas in the sealed chamber 137, and the light incident on the surface of the prism 138 from the inside of the prism film 132 is totally reflected. At this time, at the interface between the prism 138 and the sealed chamber 137, as in FIG. 2, the component emitted toward the upper electrode 106, such as the arrow direction A, of the light emitted from the light emitting layer 105 is reflected and proceeds in the arrow direction B. Then, for example, a component of the external light that travels toward the upper electrode 106 as indicated by the arrow direction A ′ is reflected and proceeds in the arrow direction B ′.

図５の場合には、再帰反射体１０７は、上部電極１０６上に配列された複数のプリズム１４１と、これらプリズム１４１を被覆した透明な樹脂のバインダ層１４２とを有する。プリズム１４１は円錐、三角錐、四角錐といった錐体状であり、底面が上部電極１０６側となる。プリズム１４１の屈折率はバインダ層１４２の屈折率よりも高く、プリズム１４１内部からプリズム１４１の表面に入射した光が全反射する。このとき、プリズム１４１とバインダ層１４２との界面では、図２と同様に、発光層１０５で発する光のうち例えば矢印方向Ａのように上部電極１０６に向かう成分が反射して矢印方向Ｂに進行し、外光のうち例えば矢印方向Ａ’のように上部電極１０６に向かう成分が反射して矢印方向Ｂ’に進行する。   In the case of FIG. 5, the retroreflector 107 includes a plurality of prisms 141 arranged on the upper electrode 106, and a transparent resin binder layer 142 covering the prisms 141. The prism 141 has a cone shape such as a cone, a triangular pyramid, and a quadrangular pyramid, and the bottom surface is on the upper electrode 106 side. The refractive index of the prism 141 is higher than the refractive index of the binder layer 142, and light incident on the surface of the prism 141 from the inside of the prism 141 is totally reflected. At this time, at the interface between the prism 141 and the binder layer 142, the component of the light emitted from the light emitting layer 105 toward the upper electrode 106 is reflected, for example, in the arrow direction A, and proceeds in the arrow direction B, as in FIG. Then, the component of the external light that is directed to the upper electrode 106 as in the arrow direction A ′ is reflected and proceeds in the arrow direction B ′.

図６の場合には、再帰反射体１０７は、樹脂等の透明な材料からなるバインダ層１５１と、下半球がバインダ層１５１に埋設されるとともにガラス等からなる微小な複数の透明ビーズ１５２と、透明ビーズ１５２の上半球を被覆した反射層１５３と、反射層１５３を介して透明ビーズ１５２を被覆した接着剤層１５４とを有している。バインダ層１５１の屈折率が透明ビーズ１５２の屈折率よりも高く、透明ビーズ１５２がレンズとして機能する。反射層１５３は内表面が光反射性で略半球形状になっている。反射層１５３は、透明ビーズ１５２の表面にアルミニウムといった反射率の高い金属を気相成長法（スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法）により成長させることにより成膜したものである。
図２と同様に、発光層１０５で発する光のうち、上部電極１０６に向かう成分は、例えば矢印方向Ａのように進行して反射層１５３で反射して矢印方向Ｂに進行し、外光のうち、上部電極１０６に向かう成分は、例えば矢印方向Ａ’のように進行して反射層１５３で反射して矢印方向Ｂ’に進行する。 In the case of FIG. 6, the retroreflector 107 includes a binder layer 151 made of a transparent material such as a resin, a plurality of minute transparent beads 152 made of glass or the like with the lower hemisphere embedded in the binder layer 151, and A reflective layer 153 covering the upper hemisphere of the transparent bead 152 and an adhesive layer 154 covering the transparent bead 152 via the reflective layer 153 are provided. The refractive index of the binder layer 151 is higher than the refractive index of the transparent beads 152, and the transparent beads 152 function as a lens. The inner surface of the reflective layer 153 is light reflective and has a substantially hemispherical shape. The reflective layer 153 is formed by growing a highly reflective metal such as aluminum on the surface of the transparent bead 152 by vapor phase growth (sputtering, CVD, PVD).
As in FIG. 2, the component of the light emitted from the light emitting layer 105 toward the upper electrode 106 travels in the direction of the arrow A, is reflected by the reflective layer 153, travels in the direction of the arrow B, and the outside light Of these components, the component traveling toward the upper electrode 106 proceeds in the direction of the arrow A ′, for example, is reflected by the reflective layer 153 and proceeds in the direction of the arrow B ′.

図７の場合には、再帰反射体１０７は、入射された可視光のうち例えば、赤色、緑色、青色の波長域の光のみを透過する着色層１６５と、上部電極１０６と着色層１６５との間で着色層１６５を保護する保護膜１６６と、着色層１６５上に設けられた樹脂等の透明な材料からなるバインダ層１６１と、下半球がバインダ層１６１に埋設されるとともにガラス等からなる微小な複数の透明ビーズ１６２と、透明ビーズ１６２の形状に合わせて透明ビーズ１６２の上半球を被覆した反射層１６３と、反射層１６３を被覆したバインダ層１６４と、を有している。バインダ層１６１の屈折率が透明ビーズ１６２の屈折率よりも高く、透明ビーズ１６２がレンズとして機能する。着色層１６５は、カラーフィルタとして機能し、発光層１０５で発した色の光の波長域が広範囲であっても、例えば発光ピーク波長が緑色であるが青色や赤色の波長域も一部含んでいても、青色や赤色の波長域の光を吸収して緑色の波長域の光のみ透過する。このため、発光層１０５で発した色の光は、一度着色層１６５を透過して色純度が高くなってから反射層１６３で反射し再び着色層１６５を透過して、透明基板１０２から出射する。このように着色層１６５は、発光層１０５の発光色と同じ色に着色された層であり、色純度を向上するために、図７の再帰反射体１０７の着色層１６５を透過する光の波長半値幅（当該光のピーク強度（輝度）の半分以上の強度（輝度）の波長域の上限波長と下限波長の差）は発光層１０５の波長半値幅よりも狭いことが好ましい。   In the case of FIG. 7, the retroreflector 107 includes, for example, a colored layer 165 that transmits only light in the wavelength range of red, green, and blue among incident visible light, and the upper electrode 106 and the colored layer 165. A protective film 166 for protecting the colored layer 165 between them, a binder layer 161 made of a transparent material such as a resin provided on the colored layer 165, and a microscopic material made of glass or the like while the lower hemisphere is embedded in the binder layer 161 A plurality of transparent beads 162, a reflective layer 163 that covers the upper hemisphere of the transparent beads 162 in accordance with the shape of the transparent beads 162, and a binder layer 164 that covers the reflective layer 163. The refractive index of the binder layer 161 is higher than the refractive index of the transparent bead 162, and the transparent bead 162 functions as a lens. The colored layer 165 functions as a color filter, and even if the wavelength range of the light emitted from the light emitting layer 105 is wide, for example, the emission peak wavelength is green, but also includes some of the blue and red wavelength ranges. Even in this case, light in the blue or red wavelength range is absorbed and only light in the green wavelength range is transmitted. For this reason, the light of the color emitted from the light emitting layer 105 is once transmitted through the colored layer 165 to be high in color purity, then reflected by the reflective layer 163, transmitted through the colored layer 165 again, and emitted from the transparent substrate 102. . Thus, the colored layer 165 is a layer colored in the same color as the emission color of the light emitting layer 105, and the wavelength of light transmitted through the colored layer 165 of the retroreflector 107 in FIG. 7 in order to improve color purity. The full width at half maximum (difference between the upper limit wavelength and the lower limit wavelength of the wavelength range of the intensity (luminance) that is half or more of the peak intensity (luminance) of the light) is preferably narrower than the half width of the light emitting layer 105.

図８の場合には、再帰反射体１０７は、樹脂等の透明な材料からなるバインダ層１７１と、下半球がバインダ層１７１に埋設されるとともにガラス等からなる微小な複数の透明ビーズ１７２と、透明ビーズ１７２の上半球を被覆し、一部の光を反射し残りの光を透過する半透過反射層１７４と、半透過反射層１７４を被覆し、半透過反射層１７４を透過した可視光のうち例えば、赤色、緑色、青色の波長域の光のみを透過する着色層１７５と、着色層１７５からの光を反射する反射層１７６と、を備えている。このような再帰反射体１０７も図２と同様の効果を示す。   In the case of FIG. 8, the retroreflector 107 includes a binder layer 171 made of a transparent material such as a resin, a plurality of minute transparent beads 172 made of glass or the like with the lower hemisphere embedded in the binder layer 171, Covering the upper hemisphere of the transparent bead 172, reflecting a part of the light and transmitting the remaining light, a semi-transmissive reflective layer 174, a semi-transmissive reflective layer 174, and the visible light transmitted through the semi-transmissive reflective layer 174 Among these, for example, a colored layer 175 that transmits only light in the red, green, and blue wavelength ranges, and a reflective layer 176 that reflects light from the colored layer 175 are provided. Such a retroreflector 107 also exhibits the same effect as in FIG.

図９の場合には、再帰反射体１０７は、樹脂等の透明な材料からなるバインダ層１８１と、下半球がバインダ層１８１に埋設されるとともにガラス等からなる微小な複数の透明ビーズ１８２と、透明ビーズ１８２の上半球を被覆し例えば、赤色、緑色、青色の波長域の光のみを透過する着色層１８３と、着色層１８３からの光を反射する反射層１８４と、反射層１８４を覆うバインダ層１８５と、を備えている。このような再帰反射体１０７も図２と同様の効果を示す。なお着色層１８３は、入射された光を着色層１８３と同様に着色するとともに反射する着色反射層でもよい。   In the case of FIG. 9, the retroreflector 107 includes a binder layer 181 made of a transparent material such as a resin, a plurality of small transparent beads 182 made of glass or the like while the lower hemisphere is embedded in the binder layer 181; For example, a colored layer 183 that covers the upper hemisphere of the transparent bead 182 and transmits only light in the wavelength range of red, green, and blue, a reflective layer 184 that reflects light from the colored layer 183, and a binder that covers the reflective layer 184 Layer 185. Such a retroreflector 107 also exhibits the same effect as in FIG. The colored layer 183 may be a colored reflective layer that colors and reflects incident light in the same manner as the colored layer 183.

図１０の場合には、再帰反射体１０７は、樹脂等の透明な材料からなるバインダ層１９１と、下半球がバインダ層１９１に埋設されるとともにガラス等からなる微小な複数の透明ビーズ１９２と、透明ビーズ１９２の上半球を被覆し例えば、赤色、緑色、青色の波長域の光のみを透過する着色層１９３と、着色層１９３からの光の一部を反射し残りの光を透過する半透過反射層１９４と、半透過反射層１９４からの光を着色層１８３と同様に着色するとともに反射する着色反射層１９５と、着色反射層１９５で反射しきれなかった光を反射する反射層１９６と、反射層１９６を覆うバインダ層１９７と、を備えている。このような再帰反射体１０７も図２と同様の効果を示す。なお着色層１９３は、入射された光を着色層１９３と同様に着色するとともに反射する着色反射層でもよい。   In the case of FIG. 10, the retroreflector 107 includes a binder layer 191 made of a transparent material such as a resin, a plurality of minute transparent beads 192 made of glass or the like while the lower hemisphere is embedded in the binder layer 191, For example, a colored layer 193 that covers the upper hemisphere of the transparent bead 192 and transmits only light in the red, green, and blue wavelength regions, and a semi-transmissive that reflects part of the light from the colored layer 193 and transmits the remaining light. A reflective layer 194, a colored reflective layer 195 that colors and reflects light from the semi-transmissive reflective layer 194 in the same manner as the colored layer 183, a reflective layer 196 that reflects light that could not be reflected by the colored reflective layer 195, A binder layer 197 that covers the reflective layer 196. Such a retroreflector 107 also exhibits the same effect as in FIG. The colored layer 193 may be a colored reflective layer that colors and reflects incident light in the same manner as the colored layer 193.

図１１の場合には、再帰反射体１０７は、例えば、赤色、緑色、青色の波長域の光のみを透過する着色層２０１と、下半球が着色層２０１に埋設されるとともにガラス等からなる微小な複数の透明ビーズ２０２と、透明ビーズ２０２の上半球を被覆し、透明ビーズ２０２からの光を反射する反射層２０３と、反射層２０３を覆うバインダ層２０４と、を備えている。このような再帰反射体１０７も図２と同様の効果を示す。なお着色層２０１は、入射された光を着色層２０１と同様に着色するとともに反射する着色反射層でもよい。   In the case of FIG. 11, the retroreflector 107 includes, for example, a colored layer 201 that transmits only light in the red, green, and blue wavelength regions, and a minute layer made of glass or the like with the lower hemisphere embedded in the colored layer 201. A plurality of transparent beads 202, a reflective layer 203 that covers the upper hemisphere of the transparent beads 202 and reflects light from the transparent beads 202, and a binder layer 204 that covers the reflective layer 203. Such a retroreflector 107 also exhibits the same effect as in FIG. The colored layer 201 may be a colored reflective layer that colors and reflects incident light in the same manner as the colored layer 201.

図１２の場合には、再帰反射体１０７は、例えば、赤色、緑色、青色の波長域の光のみを透過する着色層２１１と、下半球が着色層２１１に埋設されるとともにガラス等からなる微小な複数の透明ビーズ２１２と、透明ビーズ２１２の上半球を被覆し例えば、赤色、緑色、青色の波長域の光のみを透過する着色層２１３と、着色層２１３を被覆し着色層２１３からの光の一部を反射し残りの光を透過する半透過反射層２１４と、半透過反射層２１４からの光を着色層２１３と同様に着色するとともに反射する着色反射層２１５と、着色反射層２１５で反射しきれなかった光を反射する反射層２１６と、反射層２１６を覆うバインダ層２１７と、を備えている。このような再帰反射体１０７も図２と同様の効果を示す。なお着色層２１１は、入射された光を着色層２１１と同様に着色するとともに反射する着色反射層でもよく、着色層２１３は、入射された光を着色層２１３と同様に着色するとともに反射する着色反射層でもよい。   In the case of FIG. 12, the retroreflector 107 includes, for example, a colored layer 211 that transmits only light in the red, green, and blue wavelength ranges, and a minute hemisphere embedded in the colored layer 211 and made of glass or the like. A plurality of transparent beads 212, a colored layer 213 that covers only the upper hemisphere of the transparent beads 212, and transmits only light in the wavelength range of red, green, and blue, for example, and the light from the colored layer 213 that covers the colored layer 213 A semi-transmissive reflective layer 214 that reflects part of the light and transmits the remaining light, a colored reflective layer 215 that colors and reflects the light from the semi-transmissive reflective layer 214 in the same manner as the colored layer 213, and the colored reflective layer 215 A reflection layer 216 that reflects light that could not be reflected is provided, and a binder layer 217 that covers the reflection layer 216. Such a retroreflector 107 also exhibits the same effect as in FIG. The colored layer 211 may be a colored reflective layer that colors and reflects incident light in the same manner as the colored layer 211. The colored layer 213 colors and reflects incident light in the same manner as the colored layer 213. It may be a reflective layer.

なお、上部電極１０６の上に図２〜図１２のような再帰反射体１０７を２層以上積層しても良い。   Two or more retroreflectors 107 as shown in FIGS. 2 to 12 may be laminated on the upper electrode 106.

この発光装置１０１は下部電極１０３と上部電極１０６との間に電圧が印加されると発光層１０５において発光する。発光層１０５にて発した光のうち、前方に放射した光は正孔輸送層１０４、下部電極１０３、透明基板１０２を透過して、外部に出射する。また、発光層１０５から後方、つまり上部電極１０６に向かった光は再帰反射体１０７において再帰反射し、再帰反射した光は上部電極１０６、発光層１０５、正孔輸送層１０４、下部電極１０３、透明基板１０２を透過して、外部に出射する。発光層１０５から発した光が再帰反射することによって、発光装置１０１の輝度を高めることができる。   The light emitting device 101 emits light in the light emitting layer 105 when a voltage is applied between the lower electrode 103 and the upper electrode 106. Of the light emitted from the light emitting layer 105, the light emitted forward passes through the hole transport layer 104, the lower electrode 103, and the transparent substrate 102 and is emitted to the outside. Further, the light traveling backward from the light emitting layer 105, that is, toward the upper electrode 106 is retroreflected by the retroreflector 107, and the retroreflected light is reflected by the upper electrode 106, the light emitting layer 105, the hole transport layer 104, the lower electrode 103, and the transparent electrode. The light passes through the substrate 102 and is emitted to the outside. The light emitted from the light emitting layer 105 is retroreflected, whereby the luminance of the light emitting device 101 can be increased.

発光装置１０１の周囲からの外光のうち、視認者の背面から発光装置１０１の方向に進行する外光は視認者の背面によって遮られるため発光装置１０１に入射されることはなく、また視認者によって遮られない角度で発光装置１０１に入射した外光は再帰反射体１０７によって略１８０゜反転して戻っていくので、視認者に向かって反射することがない。このため、視認者の目には、発光装置１０１での外光による反射光が到達しないため、発光していない場合或いは低い輝度で発光している場合も外光の反射防止によって視認でき、発光層１０５が発光した時と発光していない時のコントラスト比が高くなる。特に、発光装置１０１を屋外等の外光が強い環境下で用いたとき、視認性が著しく向上する。   Of the external light from the periphery of the light emitting device 101, the external light traveling in the direction of the light emitting device 101 from the back of the viewer is blocked by the back of the viewer and is not incident on the light emitting device 101. Since the external light incident on the light emitting device 101 at an angle not blocked by the light is reversed by about 180 ° by the retroreflector 107 and returned, it is not reflected toward the viewer. For this reason, since the reflected light due to the external light from the light emitting device 101 does not reach the viewer's eyes, the light can be visually recognized by preventing reflection of the external light even when the light is not emitted or when the light is emitted with low luminance. The contrast ratio when the layer 105 emits light and when it does not emit light is increased. In particular, when the light emitting device 101 is used in an environment with strong external light such as outdoors, the visibility is remarkably improved.

〔変形例〕
図１３は変形例の発光装置１０１Ａの断面図である。図２に示された発光装置１０１と発光装置１０１Ａとの間で互いに対応する部分は同一に設けられ、互いに対応する部分に同一の符号を付す。 [Modification]
FIG. 13 is a cross-sectional view of a light emitting device 101A according to a modification. Portions corresponding to each other between the light emitting device 101 and the light emitting device 101A shown in FIG. 2 are provided in the same manner, and the portions corresponding to each other are denoted by the same reference numerals.

この発光装置１０１Ａにおいては、透明基板１０２の出射面に集光層１０９が積層されている。この集光層１０９は、透明基板１０２から集光層１０９に入射した光を法線方向に集光するよう出射する集光性をもつ。図１４は集光層１０９の断面図であるが、集光層１０９は、透明基板１０２上に配列された複数のプリズム３７１と、これらプリズム３７１を被覆した透明な樹脂のバインダ層３７２とからなる。プリズム３７１は円錐、三角錐、四角錐といった錐体状であり、底面が透明基板１０２側となる。このような集光層１０９を設けることで、出射する光の正面指向性が高まり、発光装置１０１Ａを正面から見た場合、発光層１０５が発光した時と発光していない時のコントラスト比が高くなる。また再帰反射体１０７の代わりに、図１４に示す集光層１０９を上下反転させた構造を代用してもよい。   In the light emitting device 101 </ b> A, a condensing layer 109 is laminated on the emission surface of the transparent substrate 102. The light condensing layer 109 has a light condensing property for emitting light incident on the light condensing layer 109 from the transparent substrate 102 so as to condense in the normal direction. FIG. 14 is a cross-sectional view of the light condensing layer 109, and the light condensing layer 109 includes a plurality of prisms 371 arranged on the transparent substrate 102 and a transparent resin binder layer 372 covering the prisms 371. . The prism 371 has a cone shape such as a cone, a triangular pyramid, or a quadrangular pyramid, and the bottom surface is on the transparent substrate 102 side. By providing such a condensing layer 109, the front directivity of the emitted light is increased, and when the light emitting device 101A is viewed from the front, the contrast ratio when the light emitting layer 105 emits light and when it does not emit light is high. Become. Instead of the retroreflector 107, a structure in which the condensing layer 109 shown in FIG.

また、発光装置１０１、発光装置１０１Ａでは再帰反射体１０７を上部電極１０６に積層することによってボトムエミッション型の発光装置としたが、発光層の光が上部電極１０６を透過して表示するトップエミッションの場合、上部電極１０６に再帰反射体１０７を積層せずに、下部電極１０３と透明基板１０２との間に再帰反射体を積層すれば同様の効果を得ることができる。この場合、封止膜１０８を透明な材料とする。   In the light emitting device 101 and the light emitting device 101A, the retroreflector 107 is laminated on the upper electrode 106 to form a bottom emission type light emitting device. However, the top emission type in which light from the light emitting layer is transmitted through the upper electrode 106 and displayed. In this case, the same effect can be obtained by stacking the retroreflector between the lower electrode 103 and the transparent substrate 102 without stacking the retroreflector 107 on the upper electrode 106. In this case, the sealing film 108 is made of a transparent material.

〔第２の実施の形態〕
本発明をディスプレイパネルに適用した実施形態について説明する。図１５は、アクティブマトリクス型のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイパネル１の断面図であり、図１６は、ＥＬディスプレイパネル１の透過回路図である。 [Second Embodiment]
An embodiment in which the present invention is applied to a display panel will be described. FIG. 15 is a cross-sectional view of an active matrix type electroluminescence (EL) display panel 1, and FIG. 16 is a transmission circuit diagram of the EL display panel 1.

図１６に示すように、ＥＬディスプレイパネル１においては、複数の走査線Ｘ及び複数の供給線Ｚが互いに平行となって水平方向に延在し、複数の信号線Ｙが互いに平行となって垂直方向に延在している。走査線Ｘと信号線Ｙが互いに絶縁され、走査線Ｘと信号線Ｙが平面視して互いに直交している。同様に、供給線Ｚと信号線Ｙが互いに絶縁され、供給線Ｚと信号線Ｙが平面視して互いに直交している。また、１ドットにつき１ユニットの画素回路Ｐが設けられている。これら画素回路Ｐがマトリクス状に配列され、各画素回路Ｐが走査線Ｘと信号線Ｙとの交差部において走査線Ｘ、信号線Ｙ及び供給線Ｚに接続されている。また、１ドットにつき１つのエレクトロルミネッセンス素子Ｌが設けられ、エレクトロルミネッセンス素子Ｌが画素回路Ｐに接続されている。   As shown in FIG. 16, in the EL display panel 1, a plurality of scanning lines X and a plurality of supply lines Z are parallel to each other and extend in the horizontal direction, and a plurality of signal lines Y are parallel to each other and vertically. Extends in the direction. The scanning line X and the signal line Y are insulated from each other, and the scanning line X and the signal line Y are orthogonal to each other in plan view. Similarly, the supply line Z and the signal line Y are insulated from each other, and the supply line Z and the signal line Y are orthogonal to each other in plan view. Further, one unit of pixel circuit P is provided for each dot. These pixel circuits P are arranged in a matrix, and each pixel circuit P is connected to the scanning line X, the signal line Y, and the supply line Z at the intersection of the scanning line X and the signal line Y. In addition, one electroluminescence element L is provided for each dot, and the electroluminescence element L is connected to the pixel circuit P.

画素回路Ｐは信号線Ｙの階調信号及び走査線Ｘの走査信号に基づき、供給線Ｚからエレクトロルミネッセンス素子Ｌに電流を流すものであり、これによりエレクトロルミネッセンス素子Ｌが走査信号に応じたタイミングで、また階調信号に応じた強度で発光する。画素回路Ｐは、複数の薄膜トランジスタと、キャパシタとから構成されている。   The pixel circuit P is configured to pass a current from the supply line Z to the electroluminescence element L based on the gradation signal of the signal line Y and the scanning signal of the scanning line X, whereby the timing of the electroluminescence element L according to the scanning signal. In addition, light is emitted with an intensity corresponding to the gradation signal. The pixel circuit P includes a plurality of thin film transistors and a capacitor.

図１５は、このＥＬディスプレイパネル１の３ドットの断面図である。図１５においては、１ドットの画素回路Ｐのうち１つの薄膜トランジスタ２１がチャネル長方向に平行な断面で破断された状態で示されている。他の薄膜トランジスタも薄膜トランジスタ２１と同一の積層構造を有し、薄膜トランジスタ２１と他の薄膜トランジスタは何れも気相成長法（スパッタリング、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等）、フォトリソグラフィー法、エッチング法によって同時にパターニングされるので、薄膜トランジスタ２１について特に説明し、他の薄膜トランジスタについての説明は省略する。   FIG. 15 is a cross-sectional view of 3 dots of the EL display panel 1. In FIG. 15, one thin film transistor 21 in the pixel circuit P of one dot is shown in a state where it is broken at a cross section parallel to the channel length direction. Other thin film transistors also have the same stacked structure as the thin film transistor 21, and both the thin film transistors 21 and the other thin film transistors are simultaneously patterned by vapor deposition (sputtering, CVD, PVD, etc.), photolithography, and etching. Therefore, the thin film transistor 21 will be particularly described, and description of other thin film transistors will be omitted.

薄膜トランジスタ２１は絶縁性の透明基板２上に設けられている。具体的には、薄膜トランジスタ２１は、透明基板２上に形成されたゲート２１ｇと、ゲート絶縁膜３１を挟んでゲート２１ｇに対向した半導体膜２１ｃと、半導体膜２１ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２１ｐと、半導体膜２１ｃの両端部上において互いに離間するよう形成され、チャネル保護膜２１ｐに一部重なった不純物半導体膜２１ａ，２１ｂと、不純物半導体膜２１ａ上に形成されたドレイン２１ｄと、不純物半導体膜２１ｂ上に形成されたソース２１ｓとを具備する。   The thin film transistor 21 is provided on the insulating transparent substrate 2. Specifically, the thin film transistor 21 includes a gate 21g formed on the transparent substrate 2, a semiconductor film 21c facing the gate 21g with the gate insulating film 31 interposed therebetween, and a channel formed on the central portion of the semiconductor film 21c. A protective film 21p, impurity semiconductor films 21a and 21b that are formed on both ends of the semiconductor film 21c so as to be separated from each other and partially overlap the channel protective film 21p, and a drain 21d that is formed on the impurity semiconductor film 21a; A source 21s formed on the impurity semiconductor film 21b.

透明基板２は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラス、ＰＭＭＡ（ポリメタクリ酸メチル）、ポリカーボネート、その他の樹脂等の透明な材料で板状又はシート状に形成されたものである。   The transparent substrate 2 is formed in a plate shape or a sheet shape with a transparent material such as borosilicate glass, quartz glass, other glass, PMMA (polymethyl methacrylate), polycarbonate, and other resins.

ゲート絶縁膜３１は、ＳｉＯ2又はＳｉＮからなり、光を透過するよう透明である。走査線Ｘ及び供給線Ｚは図１５の断面に対して平行に設けられているので、図１５には示されていないが走査線Ｘ及び供給線Ｚはゲート絶縁膜３１によって被覆されている。 The gate insulating film 31 is made of SiO 2 or SiN and is transparent so as to transmit light. Since the scanning line X and the supply line Z are provided in parallel with the cross section of FIG.

信号線Ｙはゲート絶縁膜３１上に形成され、画素電極３もゲート絶縁膜３１上に形成されている。画素電極３は画素ごとに設けられ、これら画素電極３がマトリクス状に配列されている。各画素において画素電極３が薄膜トランジスタ２１のソース２１ｓに接続されている。   The signal line Y is formed on the gate insulating film 31, and the pixel electrode 3 is also formed on the gate insulating film 31. The pixel electrode 3 is provided for each pixel, and the pixel electrodes 3 are arranged in a matrix. In each pixel, the pixel electrode 3 is connected to the source 21 s of the thin film transistor 21.

信号線Ｙ及び薄膜トランジスタ２１は保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２は信号線Ｙ及び走査線Ｘに沿うように網目状にパターニングされ、保護絶縁膜３２の開口部において画素電極３が露出している。   The signal line Y and the thin film transistor 21 are covered with a protective insulating film 32. The protective insulating film 32 is patterned in a mesh pattern along the signal lines Y and the scanning lines X, and the pixel electrodes 3 are exposed in the openings of the protective insulating film 32.

画素電極３には正孔輸送層４が積層され、正孔輸送層４には発光層５が積層され、発光層５には対向電極６が積層され、対向電極６には再帰反射体７が積層され、再帰反射体７を覆うように全面に封止膜８が積層されている。ここで、図１６における有機ＥＬ素子Ｌは、図１５の画素電極３，制孔輸送層４，発光層５，対向電極６の順に積層された積層体である。   A hole transport layer 4 is stacked on the pixel electrode 3, a light emitting layer 5 is stacked on the hole transport layer 4, a counter electrode 6 is stacked on the light emitting layer 5, and a retroreflector 7 is mounted on the counter electrode 6. A sealing film 8 is laminated on the entire surface so as to cover the retroreflector 7. Here, the organic EL element L in FIG. 16 is a laminated body in which the pixel electrode 3, the pore-transporting layer 4, the light emitting layer 5, and the counter electrode 6 in FIG.

画素電極３がアノードとして機能し、画素電極３に対向する対向電極６がカソードとして機能し、画素電極３の仕事関数は対向電極６の仕事関数よりも高い。また、どちらの電極３，６も可視光を透過する性質を有する透明電極である。   The pixel electrode 3 functions as an anode, the counter electrode 6 facing the pixel electrode 3 functions as a cathode, and the work function of the pixel electrode 3 is higher than the work function of the counter electrode 6. Further, both the electrodes 3 and 6 are transparent electrodes having a property of transmitting visible light.

例えば、画素電極３が、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）等の透明導電体を有する。対向電極６は、上述した画素電極３の透明導電体の層と、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金の電子注入層と、を備えている。電子注入層は、可視光を透過する程度の１nm〜１５nmの厚さで成膜され、透明導電体の層は、５０nm〜１００nmの厚さに成膜されている。 For example, the pixel electrode 3 may be tin-doped indium oxide (ITO), zinc-doped indium oxide, indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), or cadmium-tin oxide (CTO). Transparent conductors such as The counter electrode 6 includes the transparent conductor layer of the pixel electrode 3 described above and a single or alloy electron injection layer containing at least one of indium, magnesium, calcium, lithium, barium, and rare earth metals. The electron injection layer is formed to a thickness of 1 nm to 15 nm so as to transmit visible light, and the transparent conductor layer is formed to a thickness of 50 nm to 100 nm.

正孔輸送層４は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）を有している。
発光層５は、ポリパラフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料を有している。図１５の中で左の画素の発光層５が赤であり、中央の画素の発光層５が緑であり、右の画素の発光層５が青である。このような赤、緑、青の配列が繰り返されるよう多数あることによって、ＥＬディスプレイパネル１がカラーディスプレイパネルとなる。なお、ＥＬディスプレイパネル１が単色のディスプレイパネルである場合、どの画素の発光層５も同じ色に発光する。 The hole transport layer 4 has PEDOT (polythiophene) which is a conductive polymer and PSS (polystyrene sulfonic acid) which is a dopant.
The light emitting layer 5 has a polyparaphenylene vinylene light emitting material or a polyfluorene light emitting material. In FIG. 15, the light emitting layer 5 of the left pixel is red, the light emitting layer 5 of the center pixel is green, and the light emitting layer 5 of the right pixel is blue. The EL display panel 1 becomes a color display panel because there are many such red, green, and blue arrangements repeated. When the EL display panel 1 is a single color display panel, the light emitting layer 5 of any pixel emits the same color.

画素電極３と対向電極６との間の層は、上記のようなものに限定されない。例えば、画素電極３から正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されていても良いし、画素電極３から発光層、電子輸送層の順に積層されていても良いし、画素電極３と対向電極６との間に発光層の一層のみが介在していても良い。画素電極３がカソードであり且つ対向電極６がアノードである場合には、画素電極３と対向電極６との間の層の積層順が上述の場合の逆になる。例えば、画素電極３がカソードであり且つ上部電極１０６がアノードである場合には、画素電極３から発光層５，正孔輸送層４の順に積層される。   The layer between the pixel electrode 3 and the counter electrode 6 is not limited to the above. For example, the pixel electrode 3 may be stacked in the order of the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer, or the pixel electrode 3 may be stacked in the order of the light emitting layer and the electron transport layer. Only one layer of the light emitting layer may be interposed between the electrode and the counter electrode 6. When the pixel electrode 3 is a cathode and the counter electrode 6 is an anode, the stacking order of the layers between the pixel electrode 3 and the counter electrode 6 is the reverse of the above case. For example, when the pixel electrode 3 is a cathode and the upper electrode 106 is an anode, the pixel electrode 3, the light emitting layer 5, and the hole transport layer 4 are laminated in this order.

画素電極３、正孔輸送層４及び発光層５は画素ごとに独立して形成されているが、対向電極６は全ての画素に共通するようべた一面に成膜され、保護絶縁膜３２も対向電極６によって被覆されている。   The pixel electrode 3, the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 are formed independently for each pixel, but the counter electrode 6 is formed on the entire surface so as to be common to all the pixels, and the protective insulating film 32 is also opposed. Covered by the electrode 6.

対向電極６には、発光層５側から入射した光を再帰反射させる再帰反射体７が積層されている。再帰反射体７は、図２〜図１２のいずれかの再帰反射体１０７と同様に構成されている。   The counter electrode 6 is laminated with a retroreflector 7 that retroreflects light incident from the light emitting layer 5 side. The retroreflector 7 is configured in the same manner as the retroreflector 107 in any of FIGS.

再帰反射体７は、赤の発光層５の上の部分は赤の波長をピークに光を略１８０゜反転した方向に沿うよう反射し、緑の発光層５の上では緑の波長をピークに光を略１８０゜反転した方向に沿うよう反射し、青の発光層５の上では青の波長をピークに光を略１８０゜反転した方向に沿うよう反射すると、ＥＬディスプレイパネル１から出射する光の色純度がより高くなる。例えば、再帰反射体７が図７のように構成されている場合、着色層１６５を発光層５の発光色に適合させれば良い。なお、再帰反射体７の波長半値幅は対向する発光層５の波長半値幅よりも狭いことが好ましい。   The retroreflector 7 reflects the portion above the red light emitting layer 5 along the direction in which the light is inverted by about 180 ° with the red wavelength as a peak, and the green wavelength is peaked on the green light emitting layer 5. Light reflected from the EL display panel 1 is reflected when the light is reflected along the direction inverted by about 180 ° and reflected on the blue light emitting layer 5 along the direction where the light is inverted by about 180 ° with the blue wavelength as a peak. The color purity of becomes higher. For example, when the retroreflector 7 is configured as shown in FIG. 7, the colored layer 165 may be adapted to the emission color of the light emitting layer 5. In addition, it is preferable that the wavelength half value width of the retroreflector 7 is narrower than the wavelength half value width of the light emitting layer 5 which opposes.

なお、再帰反射体７は、どの部分でも分光反射特性がほぼ均一であっても良い。つまり、再帰反射体７は、赤の発光層５の上の部分でも、緑の発光層５の上の部分でも、青の発光層５の上の部分でも、同じ分光反射特性を有していても良い。この場合、再帰反射体７は、可視光のどの波長でもほぼ等しい反射率を有していることが好ましい。このように設定すれば、再帰反射体７に入射された外光のうちの可視光が、進行方向を略１８０゜反転した方向に沿うように反射されることになって、視認者にはほとんど視認されず、各発光層５の光の再帰反射によって視認者に色純度よく視認することができる。   The retroreflector 7 may have a substantially uniform spectral reflection characteristic at any part. That is, the retroreflector 7 has the same spectral reflection characteristics in the portion above the red light emitting layer 5, the portion above the green light emitting layer 5, and the portion above the blue light emitting layer 5. Also good. In this case, it is preferable that the retroreflector 7 has substantially the same reflectance at any wavelength of visible light. With this setting, visible light out of the external light incident on the retroreflector 7 is reflected along a direction that is approximately 180 ° reverse to the traveling direction. It is not visually recognized but can be visually recognized with high color purity by the viewer by the retroreflection of the light of each light emitting layer 5.

なお、対向電極６の上に再帰反射体７を２層以上積層しても良い。   Two or more retroreflectors 7 may be stacked on the counter electrode 6.

このＥＬディスプレイパネル１においては、所走査線Ｘ、信号線Ｙ、供給線Ｚの信号によって画素回路Ｐが動作し、画素回路Ｐの動作により有機ＥＬ素子Ｌが発光層１０５にて発光する。また、発光層１０５からの発光のうち、例えば矢印方向Ａのように対向電極６に向かった光は、再帰反射体７において再帰反射し、再帰反射した光は矢印方向Ａを１８０゜反転した矢印方向Ｂに沿って進行し、対向電極６，発光層５，正孔輸送層４，画素電極３，ゲート絶縁膜３１，透明基板２を透過して、外部に出射する。発光層５から発した光が再帰反射することによって、画素の発光輝度を高めることができる。発光層１０５からの発光のうち対向電極６に向かった光は視認者の位置にかかわらず放射状の光束となるので、その光束がほぼ１８０゜反転して反射されることになる。   In this EL display panel 1, the pixel circuit P is operated by signals of the scanning line X, the signal line Y, and the supply line Z, and the organic EL element L emits light in the light emitting layer 105 by the operation of the pixel circuit P. Of the light emitted from the light emitting layer 105, for example, the light directed toward the counter electrode 6 as indicated by the arrow direction A is retroreflected by the retroreflector 7, and the retroreflected light is an arrow obtained by inverting the arrow direction A by 180 °. Proceeding along the direction B, the light passes through the counter electrode 6, the light emitting layer 5, the hole transport layer 4, the pixel electrode 3, the gate insulating film 31, and the transparent substrate 2, and is emitted to the outside. The light emitted from the light emitting layer 5 is retroreflected, whereby the light emission luminance of the pixel can be increased. Of the light emitted from the light emitting layer 105, the light directed to the counter electrode 6 becomes a radial light beam regardless of the position of the viewer, and the light beam is reflected by being inverted by approximately 180 °.

例えば矢印方向Ａ’のように視認者によって遮られることなく、透明基板２に入射した外光が再帰反射体７によって矢印方向Ａ’を１８０゜反転した矢印方向Ｂ’に沿うように再帰反射するので、その外光が視認者に向かって反射することはない。そのため、視認者がＥＬディスプレイパネル１を見た場合、視認者には、再帰反射体７で反射された発光層１０５の発光が視認可能となり、外光の反射がほとんど視認されない。したがって発光層５が発光した時と発光していない時のコントラスト比が高くなる。そのため、ＥＬディスプレイパネル１を屋外で用いたとき、ＥＬディスプレイパネル１の視認性が向上する。   For example, outside light incident on the transparent substrate 2 is retroreflected along the arrow direction B ′ obtained by inverting the arrow direction A ′ by 180 ° by the retroreflector 7 without being blocked by the viewer as in the arrow direction A ′. Therefore, the external light is not reflected toward the viewer. Therefore, when the viewer looks at the EL display panel 1, the viewer can visually recognize the light emission of the light emitting layer 105 reflected by the retroreflector 7, and the reflection of external light is hardly visually recognized. Therefore, the contrast ratio between when the light emitting layer 5 emits light and when it does not emit light is increased. Therefore, when the EL display panel 1 is used outdoors, the visibility of the EL display panel 1 is improved.

また、再帰反射体７は、赤の発光層５の上の部分は赤の波長をピークに光を反射し、緑の発光層５の上では緑の波長をピークに光を反射し、青の発光層５の上では青の波長をピークに光を反射すれば、出射する光の色純度が高まる。   The retroreflector 7 reflects light with a red wavelength peak at the upper part of the red light emitting layer 5, and reflects light with a green wavelength peak on the green light emitting layer 5. If light is reflected on the light emitting layer 5 with a blue wavelength as a peak, the color purity of the emitted light is increased.

〔変形例〕
図１７は変形例のＥＬディスプレイパネル１Ａの断面図である。図１５に示されたＥＬディスプレイパネル１とＥＬディスプレイパネル１Ａとの間で互いに対応する部分は同一に設けられ、互いに対応する部分に同一の符号を付す。 [Modification]
FIG. 17 is a cross-sectional view of a modified EL display panel 1A. The portions corresponding to each other between the EL display panel 1 and the EL display panel 1A shown in FIG. 15 are provided in the same manner, and the portions corresponding to each other are denoted by the same reference numerals.

ＥＬディスプレイパネル１Ａにおいては、透明基板２の出射面に集光層９が積層されている。この集光層９は、透明基板２から集光層９に入射した光を法線方向に集光するよう出射する集光性をもつ。この集光層９は、図１４に示された集光層１０９と同様に構成されている。   In the EL display panel 1 </ b> A, a condensing layer 9 is laminated on the exit surface of the transparent substrate 2. The condensing layer 9 has a light condensing property to emit light incident on the condensing layer 9 from the transparent substrate 2 so as to condense the light in the normal direction. The condensing layer 9 is configured in the same manner as the condensing layer 109 shown in FIG.

図１８は変形例のＥＬディスプレイパネル１Ｂの断面図である。図１５に示されたＥＬディスプレイパネル１とＥＬディスプレイパネル１Ａとの間で互いに対応する部分は同一に設けられ、互いに対応する部分に同一の符号を付す。   FIG. 18 is a cross-sectional view of a modified EL display panel 1B. The portions corresponding to each other between the EL display panel 1 and the EL display panel 1A shown in FIG. 15 are provided in the same manner, and the portions corresponding to each other are denoted by the same reference numerals.

ＥＬディスプレイパネル１Ｂにおいては、透明基板２の出射面にカラーフィルタ２０が積層されている。カラーフィルタ２０の赤色部２０Ｒ，緑色部２０Ｇ，青色部２０Ｂはそれぞれ同じ色の発光色の画素に対向している。例えば、図１７の中で左の画素の発光層５が赤であり、中央の画素の発光層５が緑であり、右の画素の発光層５が青である場合、左の画素の発光層５に赤色部２０Ｒが対向し、中央の画素の発光層５に緑色部２０Ｇが対向し、右の画素の発光層５に青色部２０Ｂが対向している。   In the EL display panel 1 </ b> B, the color filter 20 is laminated on the emission surface of the transparent substrate 2. The red portion 20R, the green portion 20G, and the blue portion 20B of the color filter 20 are opposed to the pixels of the same luminescent color. For example, in FIG. 17, when the light emitting layer 5 of the left pixel is red, the light emitting layer 5 of the center pixel is green, and the light emitting layer 5 of the right pixel is blue, the light emitting layer of the left pixel 5, the red portion 20R faces, the green portion 20G faces the light emitting layer 5 of the center pixel, and the blue portion 20B faces the light emitting layer 5 of the right pixel.

また、ＥＬディスプレイパネル１では再帰反射体７を対向電極６に積層することによってボトムエミッション型のディスプレイパネルとしたが、対向電極６側に再帰反射体７を積層せずに、画素電極３とゲート絶縁膜３１との間に再帰反射体を積層することによってトップエミッション型のディスプレイパネルとしても良い。この場合、封止膜８を透明な材料とする。   The EL display panel 1 is a bottom emission type display panel by laminating the retroreflector 7 on the counter electrode 6. However, the pixel electrode 3 and the gate are not laminated on the counter electrode 6 side. A top emission display panel may be formed by stacking a retroreflector between the insulating film 31 and the insulating film 31. In this case, the sealing film 8 is made of a transparent material.

また、上記実施形態では、アクティブマトリクス方式のＥＬディスプレイパネル１について主に説明したが、パッシブ方式のＥＬディスプレイパネルに本発明を適用しても良い。例えば、互いに平行なライン状の複数の第一透光性電極を透明基板上に配列し、複数の第二透光性電極を平面視して第一透光性電極に対して直交するよう第一透光性電極の上に配列し、第一透光性電極と第二透光性電極との各交差部に発光層を含む有機ＥＬ層を形成し、これら第二透光性電極を全体を被覆するよう再帰反射体又は黒色層を積層する。従って、各交差部で第一透光性電極の一部が画素電極となり、第二透光性電極の一部が対向電極となり、画素電極と対向電極との間に発光層が挟持され、対向電極に再帰反射体又は黒色層が積層されている。そして、再帰反射体の場合には、発光層側から第二透光性電極（対向電極）を透過して再帰反射体に入射した光（発光層にて発した光に限らず、外光も）が再帰反射し、黒色層の場合には、発光層側から第二透光性電極を透過して黒色層に入射した光（発光層にて発した光に限らず、外光も）が吸収される。   In the above embodiment, the active matrix EL display panel 1 has been mainly described. However, the present invention may be applied to a passive EL display panel. For example, a plurality of first light transmissive electrodes that are parallel to each other are arranged on a transparent substrate, and a plurality of second light transmissive electrodes are viewed in plan view so as to be orthogonal to the first light transmissive electrodes. An organic EL layer including a light emitting layer is formed on each crossing portion of the first translucent electrode and the second translucent electrode, and the second translucent electrode is entirely formed. A retroreflector or a black layer is laminated to cover the film. Therefore, at each intersection, a part of the first translucent electrode becomes a pixel electrode, a part of the second translucent electrode becomes a counter electrode, and a light emitting layer is sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode, A retroreflector or a black layer is laminated on the electrode. In the case of a retroreflector, light that has passed through the second translucent electrode (counter electrode) from the light emitting layer side and entered the retroreflector (not only light emitted from the light emitting layer, but also external light) ) Retroreflected, and in the case of a black layer, light (not limited to light emitted from the light emitting layer but also external light) that has passed through the second light-transmissive electrode from the light emitting layer side and entered the black layer Absorbed.

発光装置１０１の断面図である。1 is a cross-sectional view of a light emitting device 101. FIG. 再帰反射体１０７の一例を示した断面図である。5 is a cross-sectional view showing an example of a retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 再帰反射体１０７の別の一例を示した断面図である。6 is a cross-sectional view showing another example of the retroreflector 107. FIG. 発光装置１０１Ａの断面図である。It is sectional drawing of 101 A of light-emitting devices. 集光層１０９の一例を示した断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a light collecting layer 109. ＥＬディスプレイパネル１の断面図である。2 is a cross-sectional view of an EL display panel 1. FIG. ＥＬディスプレイパネル１の等価回路図である。2 is an equivalent circuit diagram of the EL display panel 1. FIG. ＥＬディスプレイパネル１Ａの断面図である。It is sectional drawing of EL display panel 1A. ＥＬディスプレイパネル１Ｂの断面図である。It is sectional drawing of EL display panel 1B.

符号の説明Explanation of symbols

１，１Ｂ，１a ＥＬディスプレイパネル
３ 画素電極
４，１０４ 正孔輸送層
５，１０５ 発光層
６ 透光性電極
７，１０７ 再帰反射体
１０１，１０１Ａ 発光装置
１０３ 下部電極
１０６ 上部電極 1, 1B, 1a EL display panel 3 Pixel electrode 4, 104 Hole transport layer 5, 105 Light emitting layer 6 Translucent electrode 7, 107 Retroreflector 101, 101A Light emitting device 103 Lower electrode 106 Upper electrode

Claims (5)

互いに対向する２つの透光性電極の間に発光層が挟持され、前記２つの透光性電極のうち一方の透光性電極に関して前記発光層の反対側に再帰反射体が設けられていることを特徴とする発光装置。   A light emitting layer is sandwiched between two light transmitting electrodes facing each other, and a retroreflector is provided on the opposite side of the light emitting layer with respect to one of the two light transmitting electrodes. A light emitting device characterized by the above. 前記再帰反射体が前記発光層の発光色と同じ色の光を再帰反射する特性を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the retroreflector has a characteristic of retroreflecting light having the same color as the light emission color of the light emitting layer. 画素ごとに透光性の画素電極が設けられ、該画素電極に対向した透光性の対向電極と前記画素電極との間に発光層が挟持され、前記対向電極と前記画素電極のうちの一方の電極に関して前記発光層の反対側に再帰反射体が設けられていることを特徴とする発光型ディスプレイパネル。   A translucent pixel electrode is provided for each pixel, a light emitting layer is sandwiched between the translucent counter electrode facing the pixel electrode and the pixel electrode, and one of the counter electrode and the pixel electrode A light-emitting display panel, wherein a retroreflector is provided on the opposite side of the light-emitting layer with respect to the electrode. 前記再帰反射体が前記発光層の発光色と同じ色の光を再帰反射する特性を有することを特徴とする請求項３に記載の発光型ディスプレイパネル。   4. The light emitting display panel according to claim 3, wherein the retroreflector has a characteristic of retroreflecting light having the same color as the light emission color of the light emitting layer. 前記再帰反射体が前記発光層の発光波長域の半値幅よりも狭い半値幅の着色層を有することを特徴とする請求項３または４に記載の発光型ディスプレイパネル。   5. The light-emitting display panel according to claim 3, wherein the retroreflector has a colored layer having a half-value width that is narrower than a half-value width of an emission wavelength region of the light-emitting layer.
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