JP2006310482A - Aluminium surface corrosion preventing method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology of guaranteeing properties of aluminium while preventing a corrosion of an aluminium surface. <P>SOLUTION: The aluminium corrosion preventing method contains the step of treating the aluminium surface with vapor, thereby forming an aluminium oxide film on the surface. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、アルミニウム担持物、例えば、ウエハー上に作成されたデバイス内にある配線接続前（ボンディング）前のアルミニウムパッド等、アルミニウム表面が露出している部分の腐食防止技術に関する。   The present invention relates to a technique for preventing corrosion of a portion where an aluminum surface is exposed, such as an aluminum carrier, for example, an aluminum pad before bonding (bonding) in a device formed on a wafer.

半導体装置における外部接続用のパッドは、接続されるボンディングワイヤやバンプ等の電気的接続の安定性を得るため、また高抵抗化を避けるため等、適当な材料を選択する必要がある。ここで、当該パッドの一材料としてアルミニウムが使用されているが、両性金属であるアルミニウムは、もともと酸とアルカリによる腐食を受けやすく、特にアルカリ条件下では黒色化し易いという欠点がある。しかも、前記用途の場合には、パッドの穴形成時に用いられるＣＦ_４等のフッ素系のエッチングガスの残留物が大気中の水分と反応し、この腐食の進行を早めるという問題が存在する。
特開平５−２４７６７４号公報 It is necessary to select an appropriate material for the pad for external connection in the semiconductor device in order to obtain stability of electrical connection such as a bonding wire and a bump to be connected and to avoid high resistance. Here, aluminum is used as one material of the pad. Aluminum, which is an amphoteric metal, is originally susceptible to corrosion by acids and alkalis, and has a drawback that it tends to be blackened particularly under alkaline conditions. Moreover, in the case of the above-mentioned use, there is a problem that the residue of fluorine-based etching gas such as CF ₄ used at the time of forming the hole in the pad reacts with moisture in the atmosphere to accelerate the progress of this corrosion.
Japanese Patent Laid-Open No. 5-247664

他方、近年では、半導体装置の製造に関して分業化が進行した結果、ボンディング実施業者が、ボンディング前のアルミニウムパッドを有するチップを製造する業者と相違するようになってきている。このような状況下、当該チップのアルミニウムパッドが変色している場合、製品性能自体にはそれほど影響が無いにも関わらず、ボンディング実施業者から返品されてしまうという事態を招いており、チップ製造業者は、歩留まりの悪化に伴う製造コストの急騰という深刻な状況に陥っている。   On the other hand, in recent years, as a result of the division of labor relating to the manufacture of semiconductor devices, bonding companies have become different from companies that manufacture chips having aluminum pads before bonding. Under such circumstances, if the aluminum pad of the chip is discolored, it is likely that the chip manufacturer will return the product even though there is no significant impact on the product performance itself. Has fallen into a serious situation where production costs have soared as yields have deteriorated.

そこで、本発明は、アルミニウムの性質を担保しつつ、アルミニウム表面の腐食を防止する技術を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the technique which prevents the corrosion of the aluminum surface, ensuring the property of aluminum.

本発明者は、上記課題の下で鋭意研究した結果、以下の発明（１）〜（９）に到達した。   As a result of earnest research under the above-mentioned problems, the present inventors have reached the following inventions (1) to (9).

即ち、本発明（１）は、水蒸気でアルミニウム表面を処理することにより該表面にアルミニウム酸化被膜を形成させる工程を含むことを特徴とするアルミニウム腐食防止方法である。   That is, this invention (1) is an aluminum corrosion prevention method characterized by including the process of forming an aluminum oxide film in the surface by processing the aluminum surface with water vapor | steam.

本発明（２）は、前記水蒸気に酸化剤を添加する、前記発明（１）の方法である。   This invention (2) is the method of the said invention (1) which adds an oxidizing agent to the said water vapor.

本発明（３）は、前記酸化剤がＨ_２Ｏ_２である、前記発明（２）の方法である。 The present invention (3), the oxidizing agent is _H 2 _{O 2,} a method of the invention (2).

本発明（４）は、前記アルミニウム表面が、電子部品に備えられたアルミニウムパッドである、前記発明（１）〜（３）のいずれかひとつの方法である。   The present invention (4) is the method according to any one of the inventions (1) to (3), wherein the aluminum surface is an aluminum pad provided in an electronic component.

本発明（５）は、アルミニウム担持物において、該アルミニウムの表面には、水蒸気処理によるアルミニウム酸化被膜が形成されていることを特徴とするアルミニウム担持物である。   The present invention (5) is an aluminum carrier characterized in that an aluminum oxide film is formed on the surface of the aluminum by steam treatment.

本発明（６）は、前記水蒸気には酸化剤が添加されている、前記発明（５）のアルミニウム担持物である。   The present invention (6) is the aluminum carrier of the invention (5), wherein an oxidant is added to the water vapor.

本発明（７）は、前記酸化剤がＨ_２Ｏ_２である、前記発明（６）のアルミニウム担持物である。 The present invention (7) is the aluminum carrier of the invention (6), wherein the oxidizing agent is H ₂ O ₂ .

本発明（８）は、前記アルミニウム被膜は、エリプソ膜厚が３５〜３９Åであり赤外線透過率（９４０cm^−１）が７０％以下である、前記発明（５）〜（７）のいずれか一つのアルミニウム担持物である。 In the invention (8), any one of the inventions (5) to (7), wherein the aluminum film has an ellipsoidal film thickness of 35 to 39 mm and an infrared transmittance (940 cm ⁻¹ ) of 70% or less. It is an aluminum carrier.

本発明（９）は、前記アルミニウム担持物が、アルミニウムパッドを有する電子部品である、前記発明（５）〜（８）のいずれか一つのアルミニウム担持物である。   The present invention (9) is the aluminum support according to any one of the inventions (5) to (8), wherein the aluminum support is an electronic component having an aluminum pad.

ここで、「電子部品」とは、シリコンやセラミックウエハー等の半導体材料、液晶パネル、半導体パッケージ、プリント配線基板、ＩＣリード、水晶振動子等を挙げることができる。「アルミニウム担持物」とは、一部又は全部がアルミニウムで構成されている物体であれば特に限定されず、例えば、アルミニウムパッドを有するデバイスを挙げることができる。「赤外線透過率」とは、Ａｌ_２Ｏ_３の吸収波長（９４０ｃｍ^−１）における透過率（ＦＴＩＲ−ＡＴＲで測定）を意味する。 Here, examples of the “electronic component” include semiconductor materials such as silicon and ceramic wafers, liquid crystal panels, semiconductor packages, printed wiring boards, IC leads, crystal resonators, and the like. The “aluminum carrier” is not particularly limited as long as it is an object partly or entirely made of aluminum, and examples thereof include a device having an aluminum pad. “Infrared transmittance” means the transmittance (measured by FTIR-ATR) at the absorption wavelength (940 cm ⁻¹ ) of Al ₂ O ₃ .

本発明によれば、水蒸気を使用することにより、通常よりも遥かに緻密度が高く適度な厚さの酸化膜が形成される結果、アルミニウムの腐食を防止することができる。また、Ｏ_２プラズマ酸化法と異なり、例えば、デバイス内のアルミニウムパッドに酸化膜を形成させる際に、デバイス表面にあるポリイミド樹脂等をエッチングしないという効果も奏する。 According to the present invention, corrosion of aluminum can be prevented as a result of forming an oxide film having a much higher density than usual and an appropriate thickness by using water vapor. Further, unlike the O ₂ plasma oxidation method, for example, when an oxide film is formed on an aluminum pad in the device, there is an effect that polyimide resin or the like on the device surface is not etched.

以下、本発明の最良形態について説明する。まず、腐食防止処理が施されるアルミニウム担持物におけるアルミニウムは、どのグレードでもよく、例えば、デバイスに使用されるアルミニウムパッドの場合、銅を０．５％以下含有するアルミニウムや、珪素を１％以下含有し銅を０．５％含有するアルミニウムを挙げることができる。   The best mode of the present invention will be described below. First, the aluminum in the aluminum carrier to be subjected to corrosion prevention treatment may be of any grade. For example, in the case of an aluminum pad used in a device, aluminum containing copper of 0.5% or less, or silicon of 1% or less An aluminum containing 0.5% copper may be mentioned.

次に、アルミニウム酸化被膜の形成条件を説明する。アルミニウム酸化被膜は、水蒸気でアルミニウム表面を処理することにより形成される。この際、使用する水蒸気は、例えば、対象となるアルミニウム担持物がデバイスのような電子部品の場合には、汚染防止の観点から、例えば超純水のような不純物の含有量の低い水を用いることが好適である。また、アルミニウム担持物を処理する際、吹付条件は特に限定されるものではないが、例えば、蒸気圧は０．１〜０．３MPs、吹付時間は２０〜４０秒である。   Next, conditions for forming the aluminum oxide film will be described. The aluminum oxide film is formed by treating the aluminum surface with water vapor. At this time, for example, when the target aluminum carrier is an electronic component such as a device, water having a low impurity content such as ultrapure water is used from the viewpoint of preventing contamination. Is preferred. Moreover, when processing an aluminum carrier, spraying conditions are not specifically limited, For example, a vapor pressure is 0.1-0.3MPs, and spraying time is 20-40 seconds.

ここで、形成されるアルミニウム酸化被膜の緻密度をより高めるためには、当該水蒸気に酸化剤を添加することがより好適である。この酸化剤は、特に限定されないが、例えば、Ｈ_２Ｏ_２やオゾン等を挙げることができる。例えば、Ｈ_２Ｏ_２を酸化剤として使用する場合には、濃度が５％以上であるＨ_２Ｏ_２水（純水ベース）を使用することが好適である。 Here, in order to further increase the density of the formed aluminum oxide film, it is more preferable to add an oxidizing agent to the water vapor. The oxidizing agent is not particularly limited, for example, a H ₂ O ₂ and ozone. For example, when H ₂ O ₂ is used as an oxidizing agent, it is preferable to use H ₂ O ₂ water (pure water base) having a concentration of 5% or more.

次に、水蒸気処理により形成されるアルミニウム酸化被膜について説明する。まず、この酸化被膜の厚さは、処理条件にも依存する（例えば、蒸気圧を上げたり処理時間を長くすると大きくなる）が、好適には３５〜３９Åである（より好適には３６〜３７ű１０％）。また、Ａｌ_２Ｏ_３の吸収波長（９４０ｃｍ^−１）における透過率（ＦＴＩＲ−ＡＴＲで測定）％は、前記厚さの範囲内において７０％以下であることが好適である（より好適には６０％±１％）。 Next, an aluminum oxide film formed by steam treatment will be described. First, the thickness of this oxide film depends on the processing conditions (for example, it increases when the vapor pressure is increased or the processing time is increased), but is preferably 35 to 39 mm (more preferably 36 to 37 mm). ± 10%). Further, the transmittance (measured by FTIR-ATR)% at the absorption wavelength (940 cm ⁻¹ ) of Al ₂ O ₃ is preferably 70% or less (more preferably 60%) within the thickness range. % ± 1%).

以下、実施例を参照しながら、本発明を更に具体的に説明する。まず、図１を参照しながら、水蒸気処理に使用される装置について説明する。まず、図１における１０〜１３は、水蒸気系である。当該系は、超純水を加熱して水蒸気を発生させるための蒸気発生器１０と、水蒸気の圧力を調整する圧力調整器１１と、バルブ１２と、当該水蒸気をノズル３０まで導くパイプ１３とから構成される。次に、図１における２０〜２４は、Ｈ_２Ｏ_２である酸化剤系である。当該系は、所定濃度のＨ_２Ｏ_２水（純水ベース）を収容するＨ_２Ｏ_２水収納容器２０と、当該収納容器２０にガス（Ｎ_２又はアルゴン等の不活性ガス）を吹き込むためのパイプ２１と、当該吹き込みガスの圧力を調整する圧力調整器２２と、当該収納容器２０のＨ_２Ｏ_２水をノズル３０まで導くパイプ２４とから構成される。尚、本実施例では、ガスとしてＮ_２を選択した。次に、図１における３０〜３３は、水蒸気や酸化剤をウエハーＷに吹付ける吹付系である。当該系は、ウエハーＷに対向した位置に開口部を設けたノズル３０と、ノズル３０の移動速度及び移動軌跡を制御する支持部材３１と、支持部材３１の移動をガイドするガイドレール３２と、当該支持部材３１のスキャン制御に係るモータードライバ３３とから構成される（尚、図示しないが、当該支持部材３１はステッピングモーターと連結している）。次に、図１における４０〜４２は、ウエハー回転駆動系である。当該系は、ウエハーＷを搭載するステージ４０と、当該ステージ４０を回転駆動させるためのサーボモーター４１と、当該モーター４１の回転駆動制御に係るモータードライバ４２とから構成される。尚、ノズル３０の駆動に係るモータードライバ３３とステージ４０の回転駆動に係るモータードライバ４２は、いずれもコントローラーＣにより制御される。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. First, an apparatus used for steam treatment will be described with reference to FIG. First, 10-13 in FIG. 1 is a water vapor system. The system includes a steam generator 10 for heating ultrapure water to generate water vapor, a pressure regulator 11 for adjusting the pressure of water vapor, a valve 12, and a pipe 13 for guiding the water vapor to a nozzle 30. Composed. Next, 20 to 24 in FIG. 1 are oxidant systems that are H ₂ O ₂ . The system is for H ₂ O ₂ water storage container 20 for storing H ₂ O ₂ water (pure water base) having a predetermined concentration and for blowing gas (inert gas such as N ₂ or argon) into the storage container 20. The pipe 21, the pressure regulator 22 that adjusts the pressure of the blown gas, and the pipe 24 that guides the H ₂ O ₂ water of the storage container 20 to the nozzle 30. In this example, N ₂ was selected as the gas. Next, reference numerals 30 to 33 in FIG. 1 denote a spray system for spraying water vapor or an oxidizing agent onto the wafer W. The system includes a nozzle 30 having an opening at a position facing the wafer W, a support member 31 that controls the movement speed and movement locus of the nozzle 30, a guide rail 32 that guides the movement of the support member 31, It is comprised from the motor driver 33 which concerns on the scan control of the supporting member 31 (In addition, although not shown in figure, the said supporting member 31 is connected with the stepping motor.). Next, reference numerals 40 to 42 in FIG. 1 denote a wafer rotation drive system. The system includes a stage 40 on which a wafer W is mounted, a servo motor 41 for rotationally driving the stage 40, and a motor driver 42 for rotational drive control of the motor 41. The motor driver 33 related to the driving of the nozzle 30 and the motor driver 42 related to the rotational driving of the stage 40 are both controlled by the controller C.

ここで、コントローラーＣは、ウエハーＷの処理面全域にわたって均一な蒸気吹き付け処理が行われるように、モータードライバ３３とモータードライバ４２を制御する。具体的には、ノズル３０とウェハーＷの相対（移動）速度を一定にしつつ、当該ノズル３０がウエハＷ上で螺旋状の軌跡（アルキメデスの螺旋式に従った軌跡）を描くように制御する。この際、当該ノズル３０は、回転させたウエハーＷ上へエッジから入りセンターを通り反対側のエッジへ抜けるように移動する。この装置を用いて、アルミニウムパッドを有するデバイスが形成されたウエハーに対して、以下の条件で水蒸気処理を施した。   Here, the controller C controls the motor driver 33 and the motor driver 42 so that the uniform steam spraying process is performed over the entire processing surface of the wafer W. Specifically, the nozzle 30 and the wafer W are controlled so that the relative (moving) speed is constant while the nozzle 30 draws a spiral trajectory (a trajectory according to Archimedes' spiral) on the wafer W. At this time, the nozzle 30 enters the rotated wafer W from the edge, moves through the center, and moves to the opposite edge. Using this apparatus, a water vapor treatment was performed on a wafer on which a device having an aluminum pad was formed under the following conditions.

条件
処理時間：３０秒
蒸気圧力：０．２Mps
ノズル−基板間ギャップ：３０mm
ノズルスキャン速度：３００mm/sec
H_２O_２／純水流量：０cm³/min（蒸気のみの場合）、２００cm³/min（H_２O_２添加の場合）
H_２O_２濃度（H_２O_２添加の場合）：５〜３０％ Condition Processing time: 30 seconds Steam pressure: 0.2Mps
Nozzle-substrate gap: 30 mm
Nozzle scan speed: 300mm / sec
H ₂ O ₂ / pure water flow rate: 0 cm ³ / min (when only steam is used), 200 cm ³ / min (when H ₂ O _{2 is} added)
H ₂ O ₂ concentration (when H ₂ O _{2 is} added): 5 to 30%

結果を図２及び図３に示す。まず、図２は、蒸気のみの処理を施した場合のエリプソ膜厚（Å）と、各種Ｈ_２Ｏ_２濃度（％）の蒸気処理を施した場合のエリプソ膜厚（Å）を示したものである。当該図から分かるように、蒸気のみの処理を施した場合及びＨ_２Ｏ_２濃度が５〜３０％の蒸気処理を施した場合、３５〜３９Åのエリプソ膜厚（アルミニウム酸化被膜）の形成が確認された。具体的には、蒸気のみの場合が３８．２６Å、Ｈ_２Ｏ_２濃度が５％の場合が３６．１３Å、Ｈ_２Ｏ_２濃度が１０％の場合が３６．８２Å、Ｈ_２Ｏ_２濃度が２０％の場合が３６．０５Å、Ｈ_２Ｏ_２濃度が３０％の場合が３５．９２Åであった。次に、図３は、Ｈ_２Ｏ_２濃度（％）とＡｌ_２Ｏ_３の吸収波長（９４０ｃｍ^−１）における透過率（ＦＴＩＲ−ＡＴＲで測定）との関係を示したものである。当該図から分かるように、蒸気のみの処理を施した場合及びＨ_２Ｏ_２濃度が５〜３０％の蒸気処理を施した場合のいずれも、Ａｌ_２Ｏ_３の吸収波長（９４０ｃｍ^−１）において、６５％以下の透過率であることが確認された。特に、Ｈ_２Ｏ_２濃度が５％の場合（透過率＝６３．８０％）以外は、厚さが通常形成される酸化膜と変わらないにも関わらず、透過率がいずれも６０％（±１％）以下という極めて低い数値を示した。具体的には、蒸気のみの場合が６０．２９％、Ｈ_２Ｏ_２濃度が１０％の場合が５９．２６％、Ｈ_２Ｏ_２濃度が２０％の場合が６０．５６Å、Ｈ_２Ｏ_２濃度が３０％の場合が５９．９７Åであった。 The results are shown in FIGS. First, FIG. 2 shows the ellipso film thickness (Å) when steam-only treatment is performed, and the ellipso film thickness (Å) when steam treatment of various H ₂ O ₂ concentrations (%) is performed. It is. As can be seen from the figure, the formation of an ellipso film thickness (aluminum oxide film) of 35 to 39 mm is confirmed when only steam treatment is performed and when steam treatment is performed with an H ₂ O ₂ concentration of 5 to 30%. It was done. Specifically, in the case of only steam, 38.26%, when the H ₂ O ₂ concentration is 5%, 36.13%, when the H ₂ O ₂ concentration is 10%, 36.82%, and the H ₂ O ₂ concentration is In the case of 20%, it was 36.05 mm and in the case where the H ₂ O ₂ concentration was 30%, it was 35.92 mm. Next, FIG. 3 shows the relationship between the H ₂ O ₂ concentration (%) and the transmittance (measured by FTIR-ATR) at the absorption wavelength (940 cm ⁻¹ ) of Al ₂ O ₃ . As can be seen from the figure, in the case where only the vapor treatment is performed and in the case where the vapor treatment with H ₂ O ₂ concentration of 5 to 30% is performed, the absorption wavelength of Al ₂ O ₃ (940 cm ⁻¹ ). The transmittance was confirmed to be 65% or less. In particular, except when the H ₂ O ₂ concentration is 5% (transmittance = 63.80%), the transmittance is 60% (± 1%) was very low. Specifically, in the case of only steam, 60.29%, H ₂ O ₂ concentration of 10% is 59.26%, H ₂ O ₂ concentration is 20%, 60.56Å, H ₂ O ₂ When the concentration was 30%, it was 59.97 mm.

次に、上記処理を施したアルミニウムパッドを有するデバイスが形成されたウエハーＷについて腐食試験を行った。腐食試験は、図４に示すように、水Ｈをはった密閉容器にウエハーＷを図のように配置し、この状態を５日間保つことにより行った。その後、ウエハーＷ上のアルミニウムパッド部分を写真撮影し、当該写真を画像解析｛ｐｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）を使用、２階調化、閾値を１６０に設定｝し、黒い部分のピクセルをカウントした。尚、当該試験は、上記処理を施したウエハー（水蒸気のみ、水蒸気＋Ｈ_２Ｏ_２濃度５〜２０％）と未処理のウエハーとについて行った。その結果を図５に示す。図５から明らかなように、未処理の場合には、パッド内の腐食した部分の面積が４％近かったのに対し、上記処理を施したウエハーは１〜２％と、初期状態に近い状態を維持することが確認された。 Next, a corrosion test was performed on the wafer W on which a device having an aluminum pad subjected to the above treatment was formed. As shown in FIG. 4, the corrosion test was performed by placing the wafer W in a sealed container with water H as shown in the figure and maintaining this state for 5 days. Thereafter, the aluminum pad portion on the wafer W was photographed, and the photograph was subjected to image analysis {photoshop (registered trademark), two gradations, threshold value set to 160}, and the black portion pixels were counted. Note that the test wafer subjected to the processing (steam only, steam ₊ H 2 _{O 2} concentration 5-20%) was performed on the wafer to the untreated. The result is shown in FIG. As is apparent from FIG. 5, the area of the corroded portion in the pad was close to 4% when not processed, whereas the wafer subjected to the above processing was 1% to 2%, which is close to the initial state. Was confirmed to be maintained.

図１は、実施例に係る水蒸気処理装置の概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of a steam treatment apparatus according to an embodiment. 図２は、実施例における、各種条件とエリプソ膜厚との関係を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between various conditions and the ellipso film thickness in the example. 図３は、実施例における、各種条件と透過率との関係を示した図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between various conditions and transmittance in the example. 図４は、実施例における、腐食試験の様子を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a state of the corrosion test in the example. 図５は、実施例における、腐食試験の結果を示した図である。FIG. 5 is a diagram showing the results of a corrosion test in the example.

Claims (9)

水蒸気でアルミニウム表面を処理することにより該表面にアルミニウム酸化被膜を形成させる工程を含むことを特徴とするアルミニウム腐食防止方法。   An aluminum corrosion prevention method comprising a step of forming an aluminum oxide film on a surface of the aluminum by treating the surface with water vapor. 前記水蒸気に酸化剤を添加する、請求項１記載の方法。   The method of claim 1, wherein an oxidizing agent is added to the water vapor. 前記酸化剤がＨ_２Ｏ_２である、請求項２記載の方法。 The method of claim ₂ , wherein the oxidant is H ₂ O ₂ . 前記アルミニウム表面が、電子部品に備えられたアルミニウムパッドである、請求項１〜３のいずれか一項記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the aluminum surface is an aluminum pad provided on an electronic component. アルミニウム担持物において、該アルミニウムの表面には、水蒸気処理によるアルミニウム酸化被膜が形成されていることを特徴とするアルミニウム担持物。   An aluminum carrier, characterized in that an aluminum oxide film formed by steam treatment is formed on the surface of the aluminum. 前記水蒸気には酸化剤が添加されている、請求項５記載のアルミニウム担持物。   The aluminum carrier according to claim 5, wherein an oxidizing agent is added to the water vapor. 前記酸化剤がＨ_２Ｏ_２である、請求項６記載のアルミニウム担持物。 The aluminum carrier according to claim 6, wherein the oxidizing agent is H ₂ O ₂ . 前記アルミニウム被膜は、エリプソ膜厚が３５〜３９Åであり赤外線透過率（９４０cm^−１）が７０％以下である、請求項５〜７のいずれか一項記載のアルミニウム担持物。 The aluminum carrier according to any one of claims 5 to 7, wherein the aluminum coating has an ellipsoidal film thickness of 35 to 39 mm and an infrared transmittance (940 cm ^-1 ) of 70% or less. 前記アルミニウム担持物が、アルミニウムパッドを有する電子部品である、請求項５〜８のいずれか一項記載のアルミニウム担持物。
The aluminum carrier according to claim 5, wherein the aluminum carrier is an electronic component having an aluminum pad.