JP2006308908A - Duv light source device and laser machining apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はDUV(Deep Ultra-Violet)光源装置、及びそれを用いたレーザ加工装置に関するものである。 The present invention relates to a DUV (Deep Ultra-Violet) light source device and a laser processing apparatus using the same.
レーザ光は近年において種々の用途に用いられており、例えば、金属の切断や加工を行ったり、半導体製造装置におけるフォトリソグラフィー装置の光源として用いられたり、各種測定装置に用いられたり、外科、眼科、歯科等の手術および治療装置に用いられたりしている。 In recent years, laser light has been used for various applications, for example, cutting and processing metal, used as a light source of a photolithography apparatus in a semiconductor manufacturing apparatus, used in various measuring apparatuses, surgery, ophthalmology. It is used for surgery and treatment equipment such as dentistry.
このようなレーザ光源として固体レーザ(本明細書においては、半導体レーザ(ダイオードレーザを含む概念として使用する)を用いる場合、固体レーザから放出されるレーザ光の波長は、可視領域から赤外領域であり、例えば検査装置に使用するには、波長が長すぎて向いていない。そこで、このような固体レーザから放出される長波長の光を、非線形光学結晶を用いることにより短波長の紫外光(例えば8倍波)に変換して用いる方法が開発され、例えば特開2001−353176号公報(特許文献1)に記載されている。このような目的に用いられる非線形光学素子としては、BBO結晶、LBO結晶、CLBO結晶等が知られている。 When a solid-state laser (in this specification, a semiconductor laser (used as a concept including a diode laser) is used as such a laser light source, the wavelength of laser light emitted from the solid-state laser is in the visible region to the infrared region. For example, the wavelength is too long to be used in an inspection apparatus, so that long-wavelength light emitted from such a solid-state laser is converted into short-wavelength ultraviolet light (by using a nonlinear optical crystal). For example, a non-linear optical element used for such a purpose is a BBO crystal, which has been developed as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-353176 (Patent Document 1). LBO crystals, CLBO crystals and the like are known.
又、公知技術ではないが、本発明者らは、特許文献1に記載される波長変換光学系よりも簡単な構成で同じ目的を達成できる波長変換光学系を発明し、特願2005−2534号として特許出願している(「先願発明」という)。その第1の発明は、基本波より第1の2倍波を発生させ、この2倍波と前記基本波から3倍波を発生させ、この3倍波と前記2倍波より5倍波を発生させ、この5倍波と前記2倍波より7倍波を発生させ、この7倍波と前記基本波より8倍波を発生させるものであり、その第2の発明は、第1の基本波より2倍波を発生させ、この2倍波と前記基本波から3倍波を発生させ、この3倍波と前記2倍波より5倍波を発生させると共に、第2の基本波より第2の基本波を発生させ、前記5倍波と前記第2の基本波より7倍波を発生させ、この7倍波と前記第2の基本波より8倍波を発生させるものである。 Although not a known technique, the present inventors have invented a wavelength conversion optical system that can achieve the same object with a simpler configuration than the wavelength conversion optical system described in Patent Document 1, and Japanese Patent Application No. 2005-2534. As a patent application (referred to as “prior invention”). The first invention generates a first second harmonic wave from the fundamental wave, generates a third harmonic wave from the second harmonic wave and the fundamental wave, and generates a fifth harmonic wave from the third harmonic wave and the second harmonic wave. And generating a seventh harmonic wave from the fifth harmonic wave and the second harmonic wave, and generating an eighth harmonic wave from the seventh harmonic wave and the fundamental wave, and the second invention is the first basic wave A second harmonic is generated from the second wave, a third harmonic is generated from the second harmonic and the fundamental wave, a fifth harmonic is generated from the third harmonic and the second harmonic, and a second harmonic wave is generated from the second fundamental wave. 2 fundamental waves are generated, a 7th harmonic wave is generated from the 5th harmonic wave and the second fundamental wave, and an 8th harmonic wave is generated from the 7th harmonic wave and the second fundamental wave.
これらの波長変換回路は、半導体製造装置におけるフォトリソグラフィー装置用に開発されたものを基本としているので、8倍波の波長は193nm(すなわち基本波の波長は1547nm)とされている。 Since these wavelength conversion circuits are based on those developed for a photolithography apparatus in a semiconductor manufacturing apparatus, the wavelength of the eighth harmonic is 193 nm (that is, the wavelength of the fundamental wave is 1547 nm).
しかしながら、8倍波の波長を193nmとする場合、2倍波の波長は774nm、5倍波の波長は309nmとなる。一般にこれらの2倍波と5倍波から7倍波を形成する波長変換素子としては、CLBO(CsLiB6O10)結晶が使用されるが、この波長変換素子による波長変換はCPM(Critical Phase Matching)モードで行われるため、ウォークオフが発生して出射ビームの形状が悪くなるので、次に行われる8倍波の形成において、変換効率が悪くなったり、形状修正のためのシリンドリカルレンズを設ける必要がある等の問題点があった。 However, when the wavelength of the eighth harmonic is 193 nm, the wavelength of the second harmonic is 774 nm, and the wavelength of the fifth harmonic is 309 nm. In general, a CLBO (CsLiB 6 O 10 ) crystal is used as a wavelength conversion element for forming these second and fifth harmonics to a seventh harmonic. ) Mode, a walk-off occurs and the shape of the emitted beam is deteriorated. Therefore, in the next formation of the eighth harmonic wave, conversion efficiency is deteriorated or a cylindrical lens for correcting the shape is required. There was a problem such as.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、7倍波の形状修正が不要で、8倍波形成の際の変換効率が高いDUV光源装置、及びそれを用いたレーザ加工装置を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a DUV light source device that does not require modification of the shape of the seventh harmonic wave and has high conversion efficiency when forming an eighth harmonic wave, and a laser processing device using the same. The task is to do.
前記課題を達成するための第1の手段は、レーザ光源から発生する基本波より、波長変換素子を使用して2倍波と5倍波をそれぞれ発生させ、これら2倍波と5倍波をCLBO結晶を用いた波長変換素子に入射させて7倍波を発生させ、発生した7倍波と前記基本波を波長変換素子に入射させて8倍波を発生させるDUV光源装置であって、前記2倍波と5倍波の波長が、前記CLBO結晶を用いた波長変換素子において、NCPM(Non-critical Phase Matching)モードの波長変換を行う波長に選択されていることを特徴とするDUV光源装置である。 A first means for achieving the above object is to generate a second harmonic and a fifth harmonic using a wavelength conversion element from a fundamental wave generated from a laser light source, respectively. A DUV light source apparatus for generating a seventh harmonic by making it incident on a wavelength conversion element using a CLBO crystal, and generating an eighth harmonic by making the generated seventh harmonic and the fundamental wave incident on the wavelength conversion element, The DUV light source device, wherein the wavelength of the second harmonic and the fifth harmonic are selected as wavelengths for wavelength conversion in a non-critical phase matching (NCPM) mode in the wavelength conversion element using the CLBO crystal. It is.
露光装置の場合、確立された光学系を設計変更無く使用するために、DUV光源装置の出力波長は厳密に193nmである必要があるが、レーザ加工装置の場合には、この波長が多少ずれても、光学系を独自に設計することができ、特に問題はない。本手段においては、このことに着目し、2倍波と5倍波の波長を、CLBO結晶を用いた波長変換素子において、NCPMモードの波長変換を行う波長としている。NCPMモードの波長変換においいては、ウォークオフが発生しないので、ビームの変形が無く、よって、8倍波形成のための波長変換素子における変換効率を上げることができる。また、シリンドリカルレンズを用いた形状修正を行う必要もない。なお、CLBO結晶においてNCPMモードの波長変換を行わせるためのCLBO結晶の条件設定(結晶方位方向等)は、入射する光の波長が決まれば、当業者の常識の範囲で決定することができる。 In the case of an exposure apparatus, the output wavelength of the DUV light source apparatus must be strictly 193 nm in order to use the established optical system without changing the design. In the case of a laser processing apparatus, this wavelength is slightly shifted. However, the optical system can be designed independently, and there is no particular problem. In this means, paying attention to this, the wavelengths of the 2nd harmonic and the 5th harmonic are set as wavelengths for performing wavelength conversion in the NCPM mode in the wavelength conversion element using the CLBO crystal. In the wavelength conversion in the NCPM mode, no walk-off occurs, so that there is no deformation of the beam. Therefore, the conversion efficiency in the wavelength conversion element for forming the eighth harmonic can be increased. Further, it is not necessary to perform shape correction using a cylindrical lens. Note that the CLBO crystal condition setting (crystal orientation direction, etc.) for performing wavelength conversion in the NCPM mode in the CLBO crystal can be determined within the range of common knowledge of those skilled in the art if the wavelength of incident light is determined.
前記課題を解決するための第2の手段は、前記第1の手段であって、前記8倍波を発生させるために使用される基本波が、前記CLBO結晶を用いた波長変換素子を通過したものであることを特徴とするものである。 The second means for solving the problem is the first means, wherein the fundamental wave used to generate the eighth harmonic wave has passed through the wavelength conversion element using the CLBO crystal. It is characterized by being.
8倍波を形成するためには、8倍波形成用波長変換素子に、7倍波と、7倍波と別の光路を通った基本波を入射させて合成する方法があるが、7倍波形成用の2倍波や5倍波中に含まれている基本波をそのまま使用すると、光学的機器構成が簡単になる。従来においては、このような場合、7倍波のウォークオフによって、基本波と7倍波の光軸が平行にずれ、変換効率が低下していた。よって、7倍波形成用の2倍波や5倍波中に含まれている基本波をそのまま8倍波形成に使用する場合においては、前記第1の手段の効果が特に著しくなる。 In order to form an 8th harmonic wave, there is a method of combining a 7th harmonic wave and a fundamental wave that has passed through another optical path into an 8th harmonic wave forming wavelength conversion element and combining them. If the fundamental wave included in the 2nd harmonic or 5th harmonic for wave formation is used as it is, the optical device configuration is simplified. Conventionally, in such a case, the fundamental wave and the optical axis of the seventh harmonic wave are shifted in parallel by the walk-off of the seventh harmonic wave, and the conversion efficiency is lowered. Therefore, when the fundamental wave included in the second harmonic wave or fifth harmonic wave for forming the seventh harmonic wave is used as it is for the eighth harmonic wave formation, the effect of the first means becomes particularly remarkable.
前記課題を解決するための第3の手段は、前記第1の手段又は第2の手段であって、前記基本波の波長が1532nmであることを特徴とするものである。 A third means for solving the above-mentioned problem is the first means or the second means, wherein the wavelength of the fundamental wave is 1532 nm.
波長が1532nmであるレーザ光は、半導体レーザ等を使用することによって容易に発生させることができ、このときの2倍波の波長は766nm、5倍波の波長は306nmであって、この波長においてはCLBO結晶を使用したとき、容易にNCPMモードによる波長変換を起こすことができる。最終的な出力である8倍波の波長は192nmであり、従来加工装置に使用されていた193nmのレーザ光とほとんど同じであって、加工に使用する場合、この差はほとんど問題にならない。 A laser beam having a wavelength of 1532 nm can be easily generated by using a semiconductor laser or the like. At this time, the wavelength of the second harmonic is 766 nm, and the wavelength of the fifth harmonic is 306 nm. When a CLBO crystal is used, wavelength conversion by the NCPM mode can be easily caused. The final output wavelength of the 8th harmonic wave is 192 nm, which is almost the same as the 193 nm laser beam used in the conventional processing apparatus, and this difference is hardly a problem when used for processing.
前記課題を解決するための第4の手段は、第1のレーザ光源から発生する第1の基本波より、波長変換素子を使用して前記第1の基本波の2倍波を発生させ、第2のレーザ光源から発生する第2の基本波より、波長変換素子を使用して前記第2の基本波の5倍波を発生させ、これら2倍波と5倍波をCLBO結晶を用いた波長変換素子に入射させて、これらの2倍波の周波数と5倍波の周波数の和の周波数を有する第1の波長の光を発生させ、この第1の波長の光と、前記第1の基本波又は第2の基本波のいずれかを波長変換素子に入射させて、この波長変換素子に入射する光の周波数の和の周波数を有する第2の波長の光を発生させるDUV光源装置であって、前記2倍波と5倍波の波長が、前記CLBO結晶を用いた波長変換素子において、NCPM(Non-critical Phase Matching)モードの波長変換を行う波長に選択されていることを特徴とするDUV光源装置である。 According to a fourth means for solving the above-mentioned problem, a second harmonic wave of the first fundamental wave is generated from the first fundamental wave generated from the first laser light source by using a wavelength conversion element. The second fundamental wave generated from the second laser light source is used to generate a fifth harmonic wave of the second fundamental wave using a wavelength conversion element, and the second harmonic wave and the fifth harmonic wave are wavelengths using a CLBO crystal. The light is incident on the conversion element to generate light having a first wavelength having the sum of the frequency of the second harmonic and the frequency of the fifth harmonic, and the light having the first wavelength and the first basic light. A DUV light source device that causes either a wave or a second fundamental wave to be incident on a wavelength conversion element and generates light having a second wavelength having a frequency that is the sum of the frequencies of light incident on the wavelength conversion element. In the wavelength conversion element using the CLBO crystal, the wavelengths of the second harmonic and the fifth harmonic are A DUV light source device characterized in that it is selected to a wavelength to perform the wavelength conversion of the NCPM (Non-critical Phase Matching) mode.
本手段においては、2つの基本波発生用のレーザ光源を用意し、第1のレーザ光源から発生する第1の基本波の2倍波と、第2のレーザ光源から発生する第2の基本波の5倍波とをCLBO結晶を用いた波長変換素子に入射させて、これらの2倍波の周波数と5倍波の周波数の和の周波数を有する第1の波長の光を発生させている。そして、第1の波長の光を形成する波長変換をNCPMモードで行わせるようにしている。その作用効果は、前記第1の手段と同じであるが、2つの異なる基本波発生用のレーザ光源を使用しているので、NCPMモードでの波長変換を行うことができる入射光の波長の選択に自由度が生まれ、光学的回路の設計が容易となる。 In this means, two laser light sources for generating a fundamental wave are prepared, a second harmonic wave of the first fundamental wave generated from the first laser light source and a second fundamental wave generated from the second laser light source. Is incident on a wavelength conversion element using a CLBO crystal to generate light having a first wavelength having the sum of the frequency of the second harmonic and the frequency of the fifth harmonic. The wavelength conversion for forming the light of the first wavelength is performed in the NCPM mode. The function and effect are the same as those of the first means, but since two different fundamental wave generation laser light sources are used, wavelength selection of incident light capable of performing wavelength conversion in the NCPM mode is possible. The degree of freedom is born and the design of the optical circuit becomes easy.
前記課題を解決するための第5の手段は、前記第4の手段であって、前記第2の波長の光を発生させるために使用される基本波が、前記CLBO結晶を用いた波長変換素子を通過したものであることを特徴とするものである。 A fifth means for solving the above-mentioned problem is the fourth means, wherein the fundamental wave used for generating the light of the second wavelength is a wavelength conversion element using the CLBO crystal. It is a thing characterized by passing.
本手段は、前記第2の手段と同様の作用効果を奏する。 This means has the same effect as the second means.
前記課題を解決するための第6の手段は、前記第1の手段から第5の手段のいずれかのDUV光源装置を光源として使用していることを特徴とするレーザ加工装置である。 A sixth means for solving the above problem is a laser processing apparatus using the DUV light source device of any one of the first to fifth means as a light source.
本手段においては、加工用の光源として前記第1の手段から第5の手段のいずれかのDUV光源装置を使用しているので、高出力の光源を有するものとすることができる。なお、「加工」とは、通常概念される機械加工の他、分子の連鎖を切断することによる切断、蒸散による切断、ショックによる破断等を含むものであり、特に、タンパク質や、高分子化合物、生体の加工に有効である。 In this means, since the DUV light source device of any one of the first means to the fifth means is used as a processing light source, a high-output light source can be provided. In addition, “processing” includes, in addition to the usually conceptual machining, cutting by breaking a chain of molecules, cutting by transpiration, breaking by shock, etc., in particular, proteins, polymer compounds, Effective for biological processing.
本発明によれば、7倍波の形状修正が不要で、8倍波形成の際の変換効率が高いDUV光源装置、及びそれを用いたレーザ加工装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a DUV light source device that does not require modification of the shape of the seventh harmonic wave and has high conversion efficiency in the formation of the eighth harmonic wave, and a laser processing apparatus using the same.
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態であるレーザ装置の光学系の概要を示す図である。図1、図2、図3においては、楕円形で示されるのはコリメータレンズや集光レンズであり、その説明を省略する。又、P偏光を矢印で、S偏光を○中に点のある印で示し、基本波をω、ω’、それぞれのn倍波をnω、nω’で示す。 Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an outline of the optical system of the laser apparatus according to the first embodiment of the present invention. 1, 2, and 3, a collimator lens and a condenser lens are indicated by ellipses, and the description thereof is omitted. Further, P-polarized light is indicated by an arrow, S-polarized light is indicated by a dot in the circle, fundamental waves are indicated by ω and ω ′, and respective n-th harmonic waves are indicated by nω and nω ′.
図1に示すように、EDFA増幅器1で増幅された波長1532nmのP偏光の基本波は、偏光ビームスプリッタ24でS偏光とP偏光に2分割される。そのうちP偏光の基本波は、第1の2倍波形成光学素子(PPLN結晶)3に入射し、第1の2倍波形成光学素子3からは、基本波と共にP偏光の2倍波が発生する。この基本波と2倍波を、3倍波形成光学素子(LBO結晶)4に入射させる。3倍波形成光学素子4からは、基本波と2倍波と共に、S偏光の3倍波が発生する。なお、2倍波形成光学素子3としては、PPLN結晶に限らず、BBO結晶、LBO結晶、CBO結晶、CLBO結晶、AANP結晶等を用いることもできる。
As shown in FIG. 1, the P-polarized fundamental wave having a wavelength of 1532 nm amplified by the EDFA amplifier 1 is divided into two by the
これらの光を、2波長波長板5を通すことにより、2倍波だけをS偏光に変換する。そして、共にS偏光となった2倍波と3倍波を、5倍波形成光学素子(LBO結晶)6に入射させる。5倍波形成光学素子6からは、2倍波と3倍波と共にP偏光の5倍波(波長306nm)が発生する。なお、P偏光の基本波はそのまま5倍波形成光学素子6を透過する。
By passing these lights through the two-
5倍波形成光学素子6から発生する5倍波は、ウォークオフのため、断面が楕円形の形状をしており、そのままでは集光性が悪くて、次の波長変換には使用できない。よって、シリンドリカルレンズ7、8により、この楕円形の断面形状を整形する。なお、5倍波形成光学素子6としては、BBO結晶、CBO結晶を用いることもできる。
The fifth harmonic wave generated from the fifth harmonic wave forming
一方、偏光ビームスプリッタ24で反射されたS偏光の基本波は、ミラーを介して第2の2倍波形成光学素子(LBO結晶)9に入射し、第2の2倍波形成光学素子9からは、基本波と共にP偏光の2倍波(波長766nm)が発生する。なお、LBO結晶の代わりにPPLN結晶を使用してもよい。この基本波と2倍波を、前述のP偏光の5倍波と、ダイクロイックミラー10により合成する。この例では、ダイクロイックミラー10は、基本波と2倍波を反射し、5倍波を透過できるようなものとなっている。この光の合成には、バルク型光学素子を用いることが可能であり、例えば、色分解・合成ミラー(ダイクロイックミラー)を用いることが可能である。
On the other hand, the fundamental wave of S-polarized light reflected by the
合成されたS偏光の基本波、P偏光の2倍波、P偏光の5倍波は、7倍波形成光学素子(CLBO結晶)11に入射し、7倍波形成光学素子11からは、これらの光と共に、S偏光の7倍波(波長219nm)が発生する。7倍波形成光学素子11では、NCPMモードにより波長変換が行われ、ウォークオフが発生しないようにされている。これらの光は、8倍波形成光学素子(CLBO結晶)12に入射し、ここでS偏光の基本波とS偏光の7倍波が合成されてP偏光の8倍波(波長192nm)が発生する。もし、8倍波のみを8倍波形成光学素子12から放出される他の波長の光から分離したい場合は、ダイクロイックミラーや偏光ビームスプリッタ、プリズムを使用することにより、これらを分離すればよい。
The combined fundamental wave of S-polarized light, second harmonic wave of P-polarized light, and fifth harmonic wave of P-polarized light are incident on the seventh harmonic wave forming optical element (CLBO crystal) 11, and the seventh harmonic wave forming optical element 11 A 7th harmonic wave (wavelength: 219 nm) of S-polarized light is generated along with the light. In the seventh harmonic wave forming
この例においては、7倍波形成光学素子11で、NCPMモードにより波長変換が行われ、ウォークオフが発生しないようにされているので、7倍波形成光学素子11から出力される7倍波の形状は円形に近く、かつ、やはり形状が円形に近い基本波との中心もほぼ一致している。よって、8倍波形成光学素子12に、ほぼ同一光軸、かつ円形に近い形状で入射するので、8倍波形成光学素子12における変換効率を高くすることができる。
In this example, wavelength conversion is performed in the NCPM mode in the seventh harmonic wave forming
図2は、本発明の第2の実施の形態であるレーザ装置の光学系の概要を示す図である。
この光学系の構成は、3倍波形成光学素子4までは、基本波(波長1532nm)をP偏光とS偏光に分割していない点を除いて第1の実施の形態と同じである。
FIG. 2 is a diagram showing an outline of the optical system of the laser apparatus according to the second embodiment of the present invention.
The configuration of this optical system is the same as that of the first embodiment except that the fundamental wave (wavelength 1532 nm) is not divided into P-polarized light and S-polarized light up to the third harmonic wave forming optical element 4.
3倍波形成光学素子4から射出された光は、3波長波長板25を通すことにより、基本波だけがS偏光に変換され、2倍波はP偏光のまま、3倍波はS偏光のままとなる。これらの光を5倍波形成光学素子6に入射させる。この場合は、5倍波形成光学素子としてCLBO結晶を用いている。
The light emitted from the third harmonic wave forming optical element 4 passes through the three-
5倍波形成光学素子6から射出される光のうち、基本波はS偏光、2倍波はP偏光、3倍波はS偏光、5倍波はP偏光となっている。これらの光はシリンドリカルレンズ7、8により、形状を円形に整形されて7倍波形成光学素子(CLBO結晶)11に入射し、2倍波と5倍波が合成されて、S偏光の7倍波が発生する。そして、この7倍波とS偏光の基本波が8倍波形成光学素子(CLBO結晶)12で合成されて8倍波が発生する。
Of the light emitted from the fifth harmonic wave forming
この例においても、7倍波形成光学素子11で、NCPMモードにより波長変換が行われ、ウォークオフが発生しないようにされているので、7倍波形成光学素子11から出力される7倍波の形状は円形に近く、かつ、やはり形状が円形に近い基本波との中心もほぼ一致している。よって、8倍波形成光学素子12に、ほぼ同一光軸、かつ円形に近い形状で入射するので、8倍波形成光学素子12における変換効率を高くすることができる。
Also in this example, since the wavelength conversion is performed in the NCPM mode in the seventh harmonic wave forming
図3は、本発明の第3の実施の形態であるレーザ装置の光学系の概要を示す図である。
この光学系においては、周波数ωの第1の基本波は、第1のEDFA増幅器1で増幅された後、第1の2倍波形成光学素子(PPLN結晶)3に入射し、第1の実施の形態と同様な過程を経て、5倍波(周波数5ω)が形成されて、ダイクロイックミラー10に導かれる。
FIG. 3 is a diagram showing an outline of an optical system of a laser apparatus according to the third embodiment of the present invention.
In this optical system, the first fundamental wave having the frequency ω is amplified by the first EDFA amplifier 1 and then incident on the first second harmonic wave forming optical element (PPLN crystal) 3 for the first implementation. A fifth harmonic (frequency 5ω) is formed through a process similar to that of the first embodiment and guided to the
一方、周波数ω’の第2の基本波は、第2のEDFA増幅器2で増幅され、ミラーMで反射された後、第2の2倍波形成光学素子(LBO結晶)9に入射し、第2の2倍波形成光学素子9からは、基本波(周波数ω’)と共にP偏光の2倍波(周波数2ω’)が発生する。なお、LBO結晶の代わりにPPLN結晶を使用してもよい。この基本波と2倍波を、前述のP偏光の5倍波(周波数5ω)と、ダイクロイックミラー10により合成する。この例では、ダイクロイックミラー10は、基本波(周波数ω’)と2倍波(周波数2ω’)を反射し、5倍波(周波数5ω)を透過できるようなものとなっている。この光の合成には、バルク型光学素子を用いることが可能であり、例えば、色分解・合成ミラー(ダイクロイックミラー)を用いることが可能である。
On the other hand, the second fundamental wave having the frequency ω ′ is amplified by the
合成されたS偏光の基本波(周波数ω’)、P偏光の2倍波(周波数2ω’)、P偏光の5倍波(周波数5ω)は、7倍波形成光学素子(CLBO結晶)11に入射し、7倍波形成光学素子11からは、これらの光と共に、S偏光の7倍波(周波数2ω’+5ω)が発生する。これらの光は、8倍波形成光学素子(CLBO結晶)12に入射し、ここでS偏光の基本波(周波数ω’)とS偏光の7倍波(周波数2ω’+5ω)が合成されてP偏光の8倍波(周波数3ω’+5ω)が発生する。
The synthesized S-polarized fundamental wave (frequency ω ′), P-polarized second harmonic (frequency 2ω ′), and P-polarized fifth harmonic (frequency 5ω) are applied to the seventh harmonic wave forming optical element (CLBO crystal) 11. Incident light and 7th harmonic wave forming
なお、第3の実施の形態においては、7倍波形成光学素子11、8倍波形成光学素子12は、厳密に言えば7倍波形成光学素子、8倍波形成光学素子ではなく、入力光の周波数の和の周波数を持った光を形成する波長変換光学素子であるが、通常、ωとω’は、非常に近い周波数に選定されるので、便宜上、7倍波形成光学素子、8倍波形成光学素子と呼んでいる。
In the third embodiment, the seventh harmonic wave forming
なお、以上示した3つの実施の形態においては、いずれにおいても、8倍波を形成するための基本波は、7倍波形成光学素子を通過したものを使用している。このような構成の光学素子においては、本発明の方法を用いると、基本波と7倍波の光軸がずれないという効果を有するが、特許文献1に記載されるような、形成された7倍波と、別光路を通った基本波とを同一光路に合成して8倍波形成光学素子に入射させるような場合でも、7倍波の形状成型用のシリンドリカルレンズが不要となるので、本発明は効果を有する。 In any of the above-described three embodiments, the fundamental wave for forming the eighth harmonic wave is one that has passed through the seventh harmonic wave-forming optical element. In the optical element having such a configuration, when the method of the present invention is used, there is an effect that the optical axes of the fundamental wave and the seventh harmonic wave do not deviate. Even when the harmonic wave and the fundamental wave that has passed through another optical path are combined in the same optical path and incident on the eighth harmonic wave forming optical element, a cylindrical lens for shaping the seventh harmonic wave shape is not necessary. The invention has an effect.
また、以上の実施の形態においては、各倍波を形成する偏光の種類を特定したが、各、実施例において、全てのP偏光をS偏光に、S偏光をP偏光に変えても、同様の効果が得られることは言うまでもない。また、1/2波長板を使用することによりP偏光をS偏光に、S偏光をP偏光に変えることは周知の事実であるので、各倍波形成光学素子の前後に、適宜1/2波長板を設ければ、あらゆる偏光の組み合わせについて、これらの実施の形態と同等の光学系を実現することができる。 In the above embodiment, the type of polarized light that forms each harmonic wave is specified. However, in each of the embodiments, all P-polarized light is changed to S-polarized light and S-polarized light is changed to P-polarized light. It goes without saying that the effect of can be obtained. In addition, since it is a well-known fact that P-polarized light is changed to S-polarized light and S-polarized light is changed to P-polarized light by using a half-wave plate, a half-wavelength is appropriately set before and after each harmonic wave forming optical element. If a plate is provided, an optical system equivalent to these embodiments can be realized for all combinations of polarized light.
図4は、本発明の実施の形態の1例であるレーザ加工装置(高分子結晶の加工装置)の概要図である。レーザ装置31から放出された紫外短パルスレーザ光は、集光光学系32を介して試料容器33中に入れられた高分子結晶35に集光照射される。試料容器33は、ステージ34に搭載され、光軸方向をz軸として、x−y−z直交座標系でx軸、y軸、z軸の3次元方向の移動が可能とされていると共に、z軸の周りに回転可能となっている。高分子結晶35の表面に集光照射されたレーザ光により、高分子結晶の加工が行われる。
FIG. 4 is a schematic diagram of a laser processing apparatus (polymer crystal processing apparatus) as an example of an embodiment of the present invention. The ultraviolet short pulse laser light emitted from the
ところで、高分子結晶である被加工物を加工する場合、レーザ光が被加工物の何処に照射されているかを確認する必要がある。しかし、レーザ光は、通常可視光でないことが多く、目視することができないので、光学顕微鏡と組み合わせて使用することが好ましい。 By the way, when processing a workpiece which is a polymer crystal, it is necessary to confirm where the laser beam is irradiated on the workpiece. However, since laser light is usually not visible light and cannot be visually observed, it is preferably used in combination with an optical microscope.
照明光源36からの可視光は、反射鏡37で反射され、試料容器33をケーラー照明する。高分子結晶35は、光学顕微鏡の対物レンズ38、接眼レンズ39を介して眼40により目視される。
Visible light from the
光学顕微鏡の光軸位置には、十字状のマークが形成されており、光軸位置が目視できるようになっている。そして、光学顕微鏡の焦点位置(合焦位置、すなわち目視したときピントが合う物面)は固定とされている。集光光学系32により集光されたレーザ光は、光学顕微鏡の光軸位置で、かつ光学顕微鏡の焦点位置に集光されるようになっている。よって、ステージ34上に被加工物を載置し、光学顕微鏡でその像を観察した場合、ピントが合っており、かつ十字マークの中心にある位置に、レーザ装置31からのレーザ光が集光されるようになっている。なお、レーザ装置31、集光光学系32、及び光学顕微鏡部の相対位置関係は固定されており、ステージ34のみがこれらの固定系に対して相対的に移動可能とされている。
A cross-shaped mark is formed at the optical axis position of the optical microscope so that the optical axis position can be visually observed. The focus position of the optical microscope (the in-focus position, that is, the object surface that is in focus when viewed) is fixed. The laser light condensed by the condensing
よって、加工を行いたい場所が光学顕微鏡の光軸位置でかつ合焦位置となるようにステージ34を移動させながら加工を行うことにより、所望の場所の加工、及ぴ所望の形状の加工を行うことができる。もし、自動的に加工を行わせたいのであれば、光学顕微鏡に自動焦点調整装置をつけてステージ34をその指令により駆動すると共に、ステージ34の予め定められた所定部分が光学顕微鏡の光軸になるように、ステージ34を駆動するようにすればよい。または、初めに基準となる位置を合わせた後、サーボ機構によりステージ34を2次元又は3次元に駆動するようにしてもよい。
Therefore, by processing while moving the
1…第1のEDFA増幅器、2…第2のEDFA増幅器、3…第1の2倍波発生光学素子、4…3倍波形成光学素子、5…2波長波長板、6…5倍波形成光学素子、7…シリンドリカルレンズ、8…シリンドリカルレンズ、9…第2の2倍波形成光学素子、10…ダイクロイックミラー、11…7倍波形成光学素子、12…8倍波形成光学素子、13…ダイクロイックミラー、14…ミラー、15…ダイクロイックミラー、16…シリンドリカルレンズ、17…シリンドリカルレンズ、18…ミラー、19…ダイクロイックミラー、20…レーザ装置、21…ダイクロイックプリズム、22…ダイクロイックミラー、23…分散補償用平行平板、24…偏光ビームスプリッタ、25…3波長波長板、31…レーザ装置、32…集光光学系、33…試料容器、34…ステージ、35…高分子結晶、36…照明光源、37…反射鏡、38…対物レンズ、39…接眼レンズ、40…眼
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st EDFA amplifier, 2 ... 2nd EDFA amplifier, 3 ... 1st 2nd wave generation optical element, 4 ... 3rd wave formation optical element, 5 ... 2 wavelength waveplate, 6 ... 5th wave formation
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