JP2006308798A

JP2006308798A - Liquid crystal display apparatus

Info

Publication number: JP2006308798A
Application number: JP2005130181A
Authority: JP
Inventors: Kenji Nakamura; 健志仲村; Yoshihiro Okada; 美広岡田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2005-04-27
Filing date: 2005-04-27
Publication date: 2006-11-09

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display apparatus in which a line capacitance can be easily decreased, and to provide an electronic appliance equipped with the apparatus. SOLUTION: The liquid crystal display apparatus includes an active matrix substrate 100a, a counter substrate 100b, and a liquid crystal layer 13 disposed between these substrates. Between the active matrix substrate 100a and the counter substrate 100b, the counter substrate 100b having an alignment regulating structure 21 has a dielectric structure 30 made of the same dielectric material as the alignment regulating structure 21, between a signal line 18 and a counter electrode 12. The dielectric constant of the dielectric material constituting the dielectric structure 30 is lower than the dielectric constant of the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、画素ごとにスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix liquid crystal display device including a switching element for each pixel.

近年、液晶テレビの普及が進み、それに伴って液晶テレビの急速な大型化が進んでいる。一般的な液晶テレビには、画素ごとにスイッチング素子として薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」と称される）を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置が用いられている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高いコントラスト比および優れた応答特性を有し、高性能であるので、液晶テレビをはじめとする種々の電子機器に好適に用いられる。 In recent years, the spread of liquid crystal televisions has progressed, and accordingly, the size of liquid crystal televisions has rapidly increased. A general liquid crystal television uses an active matrix type liquid crystal display device provided with a thin film transistor (referred to as “TFT”) as a switching element for each pixel. An active matrix liquid crystal display device has a high contrast ratio, excellent response characteristics, and high performance, so that the active matrix liquid crystal display device is suitably used for various electronic devices such as a liquid crystal television.

図１３（ａ）および（ｂ）に、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置６００の構造を示す。液晶表示装置６００は、アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）６００ａと、ＴＦＴ基板６００ａに対向する対向基板６００ｂと、これらの間に設けられた液晶層６１３とを有している。 13A and 13B show the structure of a conventional active matrix liquid crystal display device 600. FIG. The liquid crystal display device 600 includes an active matrix substrate (TFT substrate) 600a, a counter substrate 600b facing the TFT substrate 600a, and a liquid crystal layer 613 provided therebetween.

ＴＦＴ基板６００ａは、透明基板６１５上に形成されたゲート配線（走査配線とも呼ばれる）６１６と、ゲート配線６１６に直交するソース配線（信号配線とも呼ばれる）６１８と、画素ごとに設けられたＴＦＴ６１４と、ＴＦＴ６１４に電気的に接続された画素電極６１２とを有している。一方、対向基板６００ｂは、透明基板６２４上に形成された対向電極６１１を有している。 The TFT substrate 600a includes a gate wiring (also called a scanning wiring) 616 formed on the transparent substrate 615, a source wiring (also called a signal wiring) 618 orthogonal to the gate wiring 616, a TFT 614 provided for each pixel, The pixel electrode 612 is electrically connected to the TFT 614. On the other hand, the counter substrate 600 b includes a counter electrode 611 formed on the transparent substrate 624.

ゲート配線６１６からＴＦＴ６１４に供給される走査信号によってＴＦＴ６１４が所定の期間オン状態とされ、それに同期してソース配線６１８からＴＦＴ６１４に表示信号が供給されることによって、各画素への表示信号の書き込みが行われる。書き込まれた表示信号は、ＴＦＴ６１４がオフ状態となった後も保持されるので、アクティブマトリクス型の液晶表示装置６００では高コントラスト比の表示が実現される。 The TFT 614 is turned on for a predetermined period by the scanning signal supplied from the gate wiring 616 to the TFT 614, and the display signal is supplied from the source wiring 618 to the TFT 614 in synchronization therewith, whereby writing of the display signal to each pixel is performed. Done. Since the written display signal is held even after the TFT 614 is turned off, the active matrix liquid crystal display device 600 realizes display with a high contrast ratio.

しかしながら、液晶表示装置が大型化すると、配線抵抗や配線にぶら下がる容量（単に「配線容量」とも呼ばれる）が増加するので、信号の遅延が著しくなり、ＴＦＴの駆動が困難になってしまう。また、１／２の周期でデータの書き換えを行う倍速駆動や、走査線数を増やしたＨＤＴＶ方式に対応することはさらに困難になる。 However, when the size of the liquid crystal display device is increased, the wiring resistance and the capacitance hanging on the wiring (also referred to simply as “wiring capacitance”) increase, so that the signal delay becomes significant and the driving of the TFT becomes difficult. In addition, it becomes more difficult to cope with double speed driving in which data is rewritten at a half cycle and HDTV system with an increased number of scanning lines.

ソース配線の容量は、主に、ソース配線と画素電極との間に形成されるソース−画素間容量と、ソース配線と対向電極との間に形成されるソース−対向間容量と、ゲート配線とソース配線との交差部に形成されるゲート−ソースクロス部容量である。 The capacitance of the source wiring mainly includes a source-pixel capacitance formed between the source wiring and the pixel electrode, a source-facing capacitance formed between the source wiring and the counter electrode, and a gate wiring. It is a gate-source cross section capacitance formed at the intersection with the source wiring.

特許文献１には、ソース−対向間容量が低減された液晶表示装置が開示されている。図１４（ａ）および（ｂ）に、特許文献１に開示されている液晶表示装置７００を示す。 Patent Document 1 discloses a liquid crystal display device with a reduced source-to-facing capacitance. 14A and 14B show a liquid crystal display device 700 disclosed in Patent Document 1. FIG.

液晶表示装置７００は、ゲート配線７１６、ソース配線７１８、ＴＦＴ７１４および画素電極７１２を有するＴＦＴ基板７００ａと、画素電極７１２に対向する対向電極７１１を有する対向基板７００ｂと、これらの間に設けられた液晶層７１３とを備えている。 The liquid crystal display device 700 includes a TFT substrate 700a having a gate wiring 716, a source wiring 718, a TFT 714, and a pixel electrode 712, a counter substrate 700b having a counter electrode 711 facing the pixel electrode 712, and a liquid crystal provided therebetween. Layer 713.

液晶表示装置７００では、画素電極７１２の下に透明な膜７０２が設けられているので、画素電極７１２と対向電極７１１との間隔を一定に保持したまま、ソース配線７１８と対向電極７１１との間隔を広くすることができ、そのため、ソース−対向間容量を低減することができる。
特開平４−１２５５２３号公報 In the liquid crystal display device 700, since the transparent film 702 is provided under the pixel electrode 712, the distance between the source wiring 718 and the counter electrode 711 is kept constant while the distance between the pixel electrode 712 and the counter electrode 711 is kept constant. Therefore, the source-facing capacitance can be reduced.
JP-A-4-125523

しかしながら、特許文献１に開示されているように、画素電極７１２の下に余分な膜７０２を形成することは、製造工程の増加や製造コストの増加を招いてしまう。 However, as disclosed in Patent Document 1, forming an extra film 702 under the pixel electrode 712 causes an increase in manufacturing steps and an increase in manufacturing cost.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡便に配線容量を低減することが可能な液晶表示装置およびそれを備えた電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of easily reducing the wiring capacity and an electronic apparatus including the same.

本発明による液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に表示信号電圧を供給する信号配線とを有するアクティブマトリクス基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記液晶層に含まれる液晶分子に対して配向規制力を発現する側面を有する配向規制構造体を有し、前記配向規制構造体を有する前記少なくとも一方の基板は、前記配向規制構造体と同一の誘電体材料から形成された誘電体構造体を前記信号配線と前記対向電極との間に有し、前記誘電体材料の誘電率は、前記液晶層を構成する液晶材料の誘電率よりも低く、そのことによって上記目的が達成される。 A liquid crystal display device according to the present invention includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a switching element connected to each of the plurality of pixel electrodes, and a signal line for supplying a display signal voltage to the switching element. A liquid crystal display device comprising: an active matrix substrate; a counter substrate having a counter electrode opposite to the plurality of pixel electrodes; and a liquid crystal layer provided between the active matrix substrate and the counter substrate. At least one of the matrix substrate and the counter substrate has an alignment regulating structure having a side surface that exerts alignment regulating force on the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer, and has the alignment regulating structure. The at least one substrate includes a dielectric structure formed of the same dielectric material as the alignment regulating structure. Has between the wiring and the counter electrode, the dielectric constant of the dielectric material, the lower than the dielectric constant of the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer, the above-mentioned object can be achieved by it.

ある好適な実施形態において、前記アクティブマトリクス基板が前記誘電体構造体を有する。 In a preferred embodiment, the active matrix substrate has the dielectric structure.

ある好適な実施形態において、前記対向基板が前記誘電体構造体を有する。 In a preferred embodiment, the counter substrate includes the dielectric structure.

ある好適な実施形態において、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の両方が前記誘電体構造体を有する。 In a preferred embodiment, both the active matrix substrate and the counter substrate have the dielectric structure.

ある好適な実施形態において、前記誘電体構造体は、その延設方向が前記配向規制構造体の延設方向と交差するように配置されている。 In a preferred embodiment, the dielectric structure is arranged such that the extending direction thereof intersects with the extending direction of the orientation regulating structure.

ある好適な実施形態において、前記誘電体構造体は、その延設方向が前記信号配線の延設方向と略平行になるように配置されている。 In a preferred embodiment, the dielectric structure is arranged so that an extending direction thereof is substantially parallel to an extending direction of the signal wiring.

ある好適な実施形態において、前記液晶層を介して互いに対向するように配置された一対の偏光板を有し、前記一対の偏光板の透過軸は互いに略直交し、前記配向規制構造体は、その延設方向が前記一対の偏光板の透過軸と略４５°を成すように配置されている。 In a preferred embodiment, the liquid crystal layer has a pair of polarizing plates arranged to face each other, the transmission axes of the pair of polarizing plates are substantially orthogonal to each other, and the alignment control structure is The extending direction is arranged so as to form approximately 45 ° with the transmission axis of the pair of polarizing plates.

ある好適な実施形態において、前記誘電体構造体は、その延設方向が前記一対の偏光板のうちの一方の透過軸と略平行であり、且つ、他方の透過軸と略直交するように配置されている。 In a preferred embodiment, the dielectric structure is disposed such that an extending direction thereof is substantially parallel to one transmission axis of the pair of polarizing plates and substantially orthogonal to the other transmission axis. Has been.

ある好適な実施形態において、前記アクティブマトリクス基板は、前記信号配線と前記液晶層との間に設けられた層間絶縁膜を有する。 In a preferred embodiment, the active matrix substrate has an interlayer insulating film provided between the signal wiring and the liquid crystal layer.

ある好適な実施形態において、前記アクティブマトリクス基板は、前記信号配線に略平行に延びるシールド電極を有する。 In a preferred embodiment, the active matrix substrate has a shield electrode extending substantially parallel to the signal wiring.

本発明による電子機器は、上記の構成を有する液晶表示装置を備えており、そのことによって上記目的が達成される。 The electronic apparatus according to the present invention includes the liquid crystal display device having the above-described configuration, thereby achieving the above object.

ある好適な実施形態において、本発明による電子機器は、テレビジョン放送を受信する回路をさらに備える。 In a preferred embodiment, the electronic device according to the present invention further comprises a circuit for receiving a television broadcast.

本発明による液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板および対向基板のうちの少なくとも一方の基板が、誘電体構造体を信号配線と対向電極との間に有しており、この誘電体構造体を構成する誘電体材料の誘電率は、液晶層を構成する液晶材料の誘電率よりも低い。そのため、信号配線と対向電極との間に形成される容量が低減される。誘電体構造体は、配向規制構造体と同一の誘電体材料から形成されているので、誘電体構造体を設けることによる製造工程の増加や製造コストの増加はない。従って、本発明によると、簡便に配線容量を低減することができる。 In the liquid crystal display device according to the present invention, at least one of the active matrix substrate and the counter substrate has a dielectric structure between the signal wiring and the counter electrode, and constitutes the dielectric structure. The dielectric constant of the dielectric material is lower than the dielectric constant of the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer. For this reason, the capacitance formed between the signal wiring and the counter electrode is reduced. Since the dielectric structure is made of the same dielectric material as the orientation regulating structure, there is no increase in manufacturing steps or manufacturing costs due to the provision of the dielectric structure. Therefore, according to the present invention, the wiring capacity can be easily reduced.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。以下では、配向分割垂直配向型液晶表示装置の１つであるＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）型液晶表示装置を例として本発明を説明する。ＭＶＡ型液晶表示装置は、一対の電極間に設けられた垂直配向型液晶層を用いてノーマリーブラック（ＮＢ）モードで表示を行う液晶表示装置であり、リブ（凸部）などの配向規制構造体を備え、それぞれの画素において電圧印加時に液晶分子が複数の異なる方向に倒れる（傾斜する）ように構成されている。ただし、本発明はＭＶＡ型液晶表示装置に限定されず、配向規制構造体を備えた液晶表示装置全般に広く用いられる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Hereinafter, the present invention will be described by taking an MVA (Multi-domain Vertical Alignment) type liquid crystal display device which is one of the alignment division vertical alignment type liquid crystal display devices as an example. The MVA type liquid crystal display device is a liquid crystal display device that performs display in a normally black (NB) mode using a vertical alignment type liquid crystal layer provided between a pair of electrodes, and has an alignment regulation structure such as a rib (convex portion). A liquid crystal molecule is tilted (inclined) in a plurality of different directions when a voltage is applied to each pixel. However, the present invention is not limited to the MVA type liquid crystal display device, and is widely used for all liquid crystal display devices having an alignment regulating structure.

まず、ＭＶＡ型液晶表示装置の基本的な構成を図１（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。 First, a basic configuration of the MVA liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b).

図１（ａ）に示す液晶表示装置１０Ａは、第１電極１１と、第１電極１１に対向する第２電極１２と、第１電極１１と第２電極１２との間に設けられた垂直配向型液晶層１３とを有する複数の画素を備える。垂直配向型液晶層１３は、誘電異方性が負の液晶分子を含み、これらの液晶分子は、電圧無印加時には、第１電極１１および第２電極１２の面に略垂直（例えば８７°以上９０°以下）に配向している。典型的には、第１電極１１および第２電極１２のそれぞれの液晶層１３側の表面に垂直配向膜（不図示）が設けられている。 A liquid crystal display device 10A shown in FIG. 1A includes a first electrode 11, a second electrode 12 facing the first electrode 11, and a vertical alignment provided between the first electrode 11 and the second electrode 12. A plurality of pixels having a liquid crystal layer 13. The vertical alignment type liquid crystal layer 13 includes liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy, and these liquid crystal molecules are substantially perpendicular to the surfaces of the first electrode 11 and the second electrode 12 (for example, 87 ° or more) when no voltage is applied. 90 ° or less). Typically, a vertical alignment film (not shown) is provided on the surface of each of the first electrode 11 and the second electrode 12 on the liquid crystal layer 13 side.

第１電極１１上にはリブ２１が設けられており、第２電極１２にはスリット２２が設けられている。リブ２１とスリット２２との間に規定される液晶領域においては、液晶分子１３ａは、リブ２１およびスリット２２からの配向規制力を受け、第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されると、図中に矢印で示した方向に倒れる（傾斜する）。すなわち、それぞれの液晶領域において液晶分子１３ａは一様な方向に倒れるので、それぞれの液晶領域はドメインとみなすことができる。 Ribs 21 are provided on the first electrode 11, and slits 22 are provided on the second electrode 12. In the liquid crystal region defined between the rib 21 and the slit 22, the liquid crystal molecules 13 a receive an alignment regulating force from the rib 21 and the slit 22, and a voltage is applied between the first electrode 11 and the second electrode 12. When applied, it falls (tilts) in the direction indicated by the arrow in the figure. That is, since the liquid crystal molecules 13a are tilted in a uniform direction in each liquid crystal region, each liquid crystal region can be regarded as a domain.

リブ２１およびスリット２２（これらを総称して「配向規制手段」と呼ぶことがある。）は各画素内で、それぞれ帯状に設けられており、図１（ａ）および（ｂ）は帯状の配向規制手段の延設方向に直交する方向における断面図である。各配向規制手段の両側に液晶分子１３ａが倒れる方向が互いに１８０°異なる液晶領域（ドメイン）が形成される。 The ribs 21 and the slits 22 (which may be collectively referred to as “orientation regulating means”) are each provided in a strip shape within each pixel, and FIGS. 1A and 1B show the strip-like orientation. It is sectional drawing in the direction orthogonal to the extending direction of a control means. Liquid crystal regions (domains) in which the directions in which the liquid crystal molecules 13a are tilted are different from each other by 180 ° are formed on both sides of each alignment regulating means.

リブ２１は、その側面２１ａに略垂直に液晶分子１３ａを配向させることにより、液晶分子１３ａをリブ２１の延設方向に直交する方向に配向させるように作用する。スリット２２は、第１電極１１と第２電極１２との間に電位差が形成されたときに、スリット２２の端辺近傍の液晶層１３に斜め電界を生成し、スリット２２の延設方向に直交する方向に液晶分子１３ａを配向させるように作用する。リブ２１とスリット２２とは、一定の間隔をあけて互いに平行に配置されており、互いに隣接するリブ２１とスリット２２との間に液晶領域（ドメイン）が形成される。 The rib 21 functions to align the liquid crystal molecules 13 a in a direction perpendicular to the extending direction of the ribs 21 by aligning the liquid crystal molecules 13 a substantially perpendicular to the side surface 21 a. The slit 22 generates an oblique electric field in the liquid crystal layer 13 near the edge of the slit 22 when a potential difference is formed between the first electrode 11 and the second electrode 12, and is orthogonal to the extending direction of the slit 22. It acts to align the liquid crystal molecules 13a in the direction in which the liquid crystal molecules are aligned. The ribs 21 and the slits 22 are arranged in parallel to each other with a certain distance therebetween, and a liquid crystal region (domain) is formed between the ribs 21 and the slits 22 adjacent to each other.

図１（ｂ）に示す液晶表示装置１０Ｂは、配向規制手段としてリブ３１とリブ３２とを有している点において、図１（ａ）に示した液晶表示装置１０Ａと異なる。リブ３１とリブ３２とは、一定の間隔をあけて互いに平行に配置されており、リブ３１の側面３１ａおよびリブ３２の側面３２ａに液晶分子１３ａを略垂直に配向させるように作用することによって、これらの間に液晶領域（ドメイン）が形成される。 The liquid crystal display device 10B shown in FIG. 1B is different from the liquid crystal display device 10A shown in FIG. 1A in that it has ribs 31 and ribs 32 as orientation regulating means. The ribs 31 and the ribs 32 are arranged in parallel with each other at a predetermined interval, and act so as to align the liquid crystal molecules 13a substantially vertically on the side surfaces 31a of the ribs 31 and the side surfaces 32a of the ribs 32. A liquid crystal region (domain) is formed between them.

なお、本願明細書では、配向規制手段のうち、リブのように液晶分子に対して配向規制力を発現する側面を有する構造体を特に「配向規制構造体」と呼ぶ。図１（ａ）に示す液晶表示装置１０Ａは、一方の基板に配向規制構造体を有し、図１（ｂ）に示す液晶表示装置１０Ｂは、両方の基板に配向規制構造体を有している。配向規制構造体近傍に位置する液晶分子は、配向規制構造体の表面に略垂直に配向する。 In the specification of the present application, among the alignment regulating means, a structure having a side surface that expresses an alignment regulating force for liquid crystal molecules, such as a rib, is particularly referred to as an “alignment regulating structure”. The liquid crystal display device 10A shown in FIG. 1A has an alignment regulating structure on one substrate, and the liquid crystal display device 10B shown in FIG. 1B has an alignment regulating structure on both substrates. Yes. Liquid crystal molecules located in the vicinity of the alignment control structure are aligned substantially perpendicular to the surface of the alignment control structure.

また、第１電極１１および第２電極１２は、その一方がスイッチング素子に電気的に接続された画素電極であり、他方は画素電極に対向する対向電極である。以下、より具体的に本発明の実施形態を説明する。 One of the first electrode 11 and the second electrode 12 is a pixel electrode that is electrically connected to the switching element, and the other is a counter electrode that faces the pixel electrode. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described more specifically.

（実施形態１）
図２（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本実施形態における液晶表示装置１００Ａを説明する。図２（ａ）は液晶表示装置１００Ａの断面構造を模式的に示す部分断面図であり、図２（ｂ）は、液晶表示装置１００Ａの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。液晶表示装置１００は図１（ａ）に示した液晶表示装置１０Ａと同様の基本構成を有するので、共通する構成要素は共通の参照符号で示す。 (Embodiment 1)
The liquid crystal display device 100A in the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2A is a partial cross-sectional view schematically showing a cross-sectional structure of the liquid crystal display device 100A, and FIG. 2B is a plan view schematically showing one pixel of the liquid crystal display device 100A and its periphery. is there. Since the liquid crystal display device 100 has the same basic configuration as the liquid crystal display device 10A shown in FIG. 1A, common constituent elements are denoted by common reference numerals.

液晶表示装置１００Ａは、アクティブマトリクス基板（以下では「ＴＦＴ基板」と称する）１００ａと、ＴＦＴ基板１００ａに対向するように配置された対向基板（「カラーフィルタ基板」とも称される）１００ｂと、これらの間に設けられた垂直配向型の液晶層１３とを有している。 The liquid crystal display device 100A includes an active matrix substrate (hereinafter referred to as “TFT substrate”) 100a, a counter substrate (also referred to as “color filter substrate”) 100b disposed to face the TFT substrate 100a, And a vertical alignment type liquid crystal layer 13 provided therebetween.

ＴＦＴ基板１００ａは、マトリクス状に配列された複数の画素電極１２と、各画素電極１２に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４とを有している。 The TFT substrate 100 a includes a plurality of pixel electrodes 12 arranged in a matrix and a thin film transistor (TFT) 14 connected to each pixel electrode 12.

ＴＦＴ１４は、透明基板（例えばガラス基板）１５上に形成されたゲート配線（走査配線）１６から走査信号電圧を供給される。また、ＴＦＴ１４は、ゲート配線１６にゲート絶縁膜１７を介して交差するように形成されたソース配線（信号配線）１８から表示信号電圧を供給される。ソース配線１８を覆うようにパシベーション層１９が形成されており、このパシベーション層１９上に画素電極１２が形成されている。 The TFT 14 is supplied with a scanning signal voltage from a gate wiring (scanning wiring) 16 formed on a transparent substrate (for example, a glass substrate) 15. The TFT 14 is supplied with a display signal voltage from a source wiring (signal wiring) 18 formed so as to intersect the gate wiring 16 via a gate insulating film 17. A passivation layer 19 is formed so as to cover the source wiring 18, and the pixel electrode 12 is formed on the passivation layer 19.

画素電極１２にはスリット２２が形成されており、スリット２２を含む画素電極１２上のほぼ全面に垂直配向膜（不図示）が形成されている。スリット２２は、帯状であり、ゲート配線１６の延設方向やソース配線１８の延設方向に対して約４５°の角をなす方向に延設されている。 A slit 22 is formed in the pixel electrode 12, and a vertical alignment film (not shown) is formed on almost the entire surface of the pixel electrode 12 including the slit 22. The slit 22 has a band shape and extends in a direction that forms an angle of about 45 ° with respect to the extending direction of the gate wiring 16 and the extending direction of the source wiring 18.

本実施形態におけるＴＦＴ基板１００ａは、さらに、ゲート配線１６と同一の導電膜から形成された補助容量配線２０と、ソース配線１８と同一の導電膜から形成された補助容量電極２３とを有している。補助容量配線２０と、補助容量電極２３とは、ゲート絶縁膜１７を介して対向し、補助容量を構成している。 The TFT substrate 100 a in this embodiment further includes an auxiliary capacitance line 20 formed from the same conductive film as the gate line 16 and an auxiliary capacitance electrode 23 formed from the same conductive film as the source line 18. Yes. The auxiliary capacitance line 20 and the auxiliary capacitance electrode 23 are opposed to each other via the gate insulating film 17 to constitute an auxiliary capacitance.

対向基板１００ｂは、透明基板（例えばガラス基板）２４上に形成された対向電極１１を有している。対向電極１１上にはリブ（凸部）２１が形成されている。リブ２１上を含む対向電極１１の液晶層１３側表面全体に垂直配向膜（不図示）が形成されている。リブ２１は、帯状であり、画素電極１２のスリット２２に対して略平行に延設されている。スリット２２は、隣接するリブ２１の間隔を略二等分するように配置されている。 The counter substrate 100 b has the counter electrode 11 formed on a transparent substrate (for example, a glass substrate) 24. Ribs (convex portions) 21 are formed on the counter electrode 11. A vertical alignment film (not shown) is formed on the entire surface of the counter electrode 11 including the rib 21 on the liquid crystal layer 13 side. The rib 21 has a strip shape and extends substantially parallel to the slit 22 of the pixel electrode 12. The slits 22 are disposed so as to divide the interval between the adjacent ribs 21 into substantially equal parts.

互いに平行に延設された帯状のリブ２１とスリット２２との間に、帯状の液晶領域が規定される。それぞれの液晶領域は、その両側のリブ２１およびスリット２２によって配向方向が規制されており、リブ２１およびスリット２２のそれぞれの両側に、液晶分子１３ａの倒れる方向が互いに１８０°異なるドメインが形成される。液晶表示装置１００Ａでは、リブ２１およびスリット２２は互いに９０°異なる２つの方向に沿って延設されており、各画素には、液晶分子１３ａの配向方向が９０°異なる４種類のドメインが形成される。なお、リブ２１およびスリット２２の配置は、ここで例示したものに限定されない。 A band-shaped liquid crystal region is defined between the band-shaped rib 21 and the slit 22 extending in parallel with each other. The alignment direction of each liquid crystal region is regulated by the ribs 21 and the slits 22 on both sides thereof, and domains on which the liquid crystal molecules 13a are tilted 180 degrees different from each other are formed on both sides of the ribs 21 and the slits 22. . In the liquid crystal display device 100A, the ribs 21 and the slits 22 extend along two directions different from each other by 90 °, and four types of domains in which the alignment directions of the liquid crystal molecules 13a are different by 90 ° are formed in each pixel. The The arrangement of the ribs 21 and the slits 22 is not limited to that exemplified here.

また、ＴＦＴ基板１００ａおよび対向基板１００ｂの両側に配置される一対の偏光板（不図示）は、透過軸が互いに略直交（クロスニコル状態）するように配置される。９０°ずつ配向方向が異なる４種類の液晶領域の全てに対して、それぞれの配向方向と偏光板の透過軸とが４５°を成すように配置すれば、液晶領域によるリタデーションの変化を最も効率的に利用することができる。そのため、偏光板の透過軸がリブ２１およびスリット２２の延設方向と略４５°を成すように配置することが好ましい。また、テレビのように、観察方向を表示面に対して水平に移動することが多い表示装置においては、一対の偏光板の一方の透過軸を表示面に対して水平方向に配置することが、表示品位の視野角依存性を抑制するために好ましい。 A pair of polarizing plates (not shown) arranged on both sides of the TFT substrate 100a and the counter substrate 100b are arranged so that the transmission axes are substantially orthogonal to each other (crossed Nicols state). If all of the four types of liquid crystal regions with different orientation directions of 90 ° are arranged so that their orientation directions and the transmission axis of the polarizing plate form 45 °, the change in retardation due to the liquid crystal regions is most efficient. Can be used. Therefore, it is preferable to arrange the polarizing plate so that the transmission axis forms approximately 45 ° with the extending direction of the rib 21 and the slit 22. Further, in a display device that often moves the observation direction horizontally with respect to the display surface, such as a television, it is possible to arrange one transmission axis of the pair of polarizing plates in the horizontal direction with respect to the display surface, This is preferable in order to suppress the viewing angle dependency of display quality.

上述したように、本実施形態における液晶表示装置１００Ａは、配向規制手段としてリブ２１とスリット２２とを有しており、これらの配向規制手段によって、それぞれの画素において電圧印加時に液晶分子が複数の異なる方向に倒れる（傾斜する）。そのため、良好な視野角特性が得られる。 As described above, the liquid crystal display device 100A according to the present embodiment includes the ribs 21 and the slits 22 as the alignment regulating means, and a plurality of liquid crystal molecules are applied to each pixel when a voltage is applied. Fall down (tilt) in different directions. Therefore, good viewing angle characteristics can be obtained.

また、本実施形態における液晶表示装置１００Ａでは、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、リブ２１と同一の誘電体材料から形成された誘電体構造体３０が対向基板１００ｂ上に設けられている。誘電体構造体３０は、ソース配線１８に重なるように対向電極１１上に配置されており、ソース配線１８と対向電極１１との間に位置している。また、誘電体構造体３０の延設方向は、ソース配線１８の延設方向と略平行である。つまり、誘電体構造体３０の延設方向は、リブ２１の延設方向と交差し、一対の偏光板のうちの一方の透過軸と略平行（つまり他方の透過軸と略直交する）である。 Further, in the liquid crystal display device 100A in the present embodiment, as shown in FIGS. 2A and 2B, a dielectric structure 30 formed of the same dielectric material as the rib 21 is provided on the counter substrate 100b. It has been. The dielectric structure 30 is disposed on the counter electrode 11 so as to overlap the source line 18, and is located between the source line 18 and the counter electrode 11. The extending direction of the dielectric structure 30 is substantially parallel to the extending direction of the source wiring 18. That is, the extending direction of the dielectric structure 30 intersects with the extending direction of the rib 21 and is substantially parallel to one transmission axis of the pair of polarizing plates (that is, substantially orthogonal to the other transmission axis). .

誘電体構造体３０（およびリブ２１）を構成する誘電体材料の誘電率は、液晶層１３を構成する液晶材料の誘電率よりも低い。本実施形態では、液晶材料の誘電率が５．７、パシベーション層１９の誘電率が６．９であるのに対して、誘電体材料の誘電率は、３．４である。なお、本願明細書では、特にことわらない限り、「液晶材料の誘電率」は、液晶分子の短軸方向に沿って規定される誘電率と、長軸方向に沿って規定される誘電率のうち、高い方の誘電率を指すものとする。本実施形態における液晶層１３は、負の誘電異方性を有する液晶材料から構成されているので、液晶分子の短軸方向に沿って規定される誘電率が、長軸方向に沿って規定される誘電率よりも高い。 The dielectric constant of the dielectric material constituting the dielectric structure 30 (and the rib 21) is lower than the dielectric constant of the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer 13. In this embodiment, the dielectric constant of the liquid crystal material is 5.7 and the dielectric constant of the passivation layer 19 is 6.9, whereas the dielectric constant of the dielectric material is 3.4. In the present specification, unless otherwise specified, the “dielectric constant of a liquid crystal material” means a dielectric constant defined along the minor axis direction of liquid crystal molecules and a dielectric constant defined along the major axis direction. Of these, the higher dielectric constant is used. Since the liquid crystal layer 13 in the present embodiment is made of a liquid crystal material having negative dielectric anisotropy, the dielectric constant defined along the minor axis direction of the liquid crystal molecules is defined along the major axis direction. Higher than the dielectric constant.

このように、液晶表示装置１００Ａでは、リブ２１を有する対向基板１００ｂが、誘電体構造体３０をソース配線１８と対向電極１１との間に有しており、この誘電体構造体３０を構成する誘電体材料の誘電率は、液晶層１３を構成する液晶材料の誘電率よりも低い。そのため、ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量が低減される。また、この誘電体構造体３０は、リブ２１と同一の誘電体材料から形成されており、同一の工程で形成されるので、誘電体構造体３０を設けることによる製造工程の増加や製造コストの増加はない。 As described above, in the liquid crystal display device 100 A, the counter substrate 100 b having the ribs 21 has the dielectric structure 30 between the source wiring 18 and the counter electrode 11, and constitutes the dielectric structure 30. The dielectric constant of the dielectric material is lower than the dielectric constant of the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer 13. For this reason, the capacitance formed between the source wiring 18 and the counter electrode 11 is reduced. Further, the dielectric structure 30 is formed of the same dielectric material as the rib 21 and is formed in the same process. Therefore, the increase in the manufacturing process and the manufacturing cost by providing the dielectric structure 30 are reduced. There is no increase.

ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量を十分に低減するためには、誘電体材料の誘電率と液晶材料の誘電率との差が１．５以上であることが好ましく、２．０以上であることがさらに好ましい。 In order to sufficiently reduce the capacitance formed between the source wiring 18 and the counter electrode 11, the difference between the dielectric constant of the dielectric material and the dielectric constant of the liquid crystal material is preferably 1.5 or more, More preferably, it is 2.0 or more.

なお、本実施形態におけるＴＦＴ基板１００Ａは、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ソース配線１８に略平行に延びるシールド電極２５を有する。本実施形態におけるシールド電極２５は、ゲート配線１６および補助容量配線２０と同一の導電膜をパターニングすることによって形成されている。このシールド電極２５は、補助容量配線２０から分岐するように形成されており、補助容量配線２０と同じ電位を与えられる。以下、シールド電極２５を設けない場合に発生し得る問題と、シールド電極２５を設けることによって得られる利点を説明する。 Note that the TFT substrate 100A in the present embodiment has a shield electrode 25 extending substantially parallel to the source wiring 18, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). The shield electrode 25 in the present embodiment is formed by patterning the same conductive film as the gate line 16 and the auxiliary capacity line 20. The shield electrode 25 is formed so as to branch from the auxiliary capacitance line 20 and is given the same potential as the auxiliary capacitance line 20. Hereinafter, problems that may occur when the shield electrode 25 is not provided and advantages obtained by providing the shield electrode 25 will be described.

シールド電極２５が存在しない場合、画素電極１２とソース配線１８との間で静電容量が形成されてしまう。画素内の電気力線に着目して説明すると、電気力線は、画素電極１２と対向電極１１とを結ぶように形成されるだけでなく、画素電極１２とソース配線１８とを結ぶようにも形成される。そのため、１フレーム内で一定に保たれるべき画素電極１２の電位が、ソース配線１８の電位の影響を受けて変動してしまう。 When the shield electrode 25 does not exist, an electrostatic capacity is formed between the pixel electrode 12 and the source wiring 18. Description will be made by focusing on the electric lines of force in the pixel. The electric lines of force are not only formed so as to connect the pixel electrode 12 and the counter electrode 11 but also connect the pixel electrode 12 and the source wiring 18. It is formed. For this reason, the potential of the pixel electrode 12 that should be kept constant within one frame varies due to the influence of the potential of the source wiring 18.

これに対し、シールド電極２５を設けると、画素電極１２からソース配線１８に向かう電気力線を、シールド電極２５に導くことが可能になり、画素電極１２とソース配線１８との間での容量の形成を妨げることができる。そのため、画素電極１２の電位がソース配線１８の電位の影響を受けて変動することを抑制することができる。つまり、シールド電極２５は、画素電極１２を、ソース配線１８によって生成される電場から遮蔽する機能を有している。 On the other hand, when the shield electrode 25 is provided, it is possible to guide the electric lines of force from the pixel electrode 12 to the source line 18 to the shield electrode 25, and the capacitance between the pixel electrode 12 and the source line 18 is reduced. Can prevent formation. Therefore, it is possible to suppress the potential of the pixel electrode 12 from fluctuating due to the influence of the potential of the source wiring 18. That is, the shield electrode 25 has a function of shielding the pixel electrode 12 from an electric field generated by the source wiring 18.

なお、従来の液晶表示装置においてシールド電極を設けた場合、画素電極とソース配線との間に形成される容量を低減させることができるものの、ソース配線と対向電極との間に形成される容量が増加してしまう。 Note that when a shield electrode is provided in a conventional liquid crystal display device, the capacitance formed between the pixel electrode and the source line can be reduced, but the capacitance formed between the source line and the counter electrode is small. It will increase.

これに対し、本実施形態の液晶表示装置１００Ａでは、たとえシールド電極２５を設けることによって配線容量が増大しても、その分を上述した誘電体構造体３０によって十分に低減することができる。 On the other hand, in the liquid crystal display device 100A of this embodiment, even if the wiring capacitance is increased by providing the shield electrode 25, the amount can be sufficiently reduced by the dielectric structure 30 described above.

本実施形態では、対向電極が図１（ａ）中に示す第１電極１１に相当し、画素電極が図１（ａ）中に示す第２電極１２に相当する場合を例示したが、これとは逆に、画素電極が第１電極１１に相当し、対向電極が第２電極１２に相当してもよい。つまり、図３（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置１００Ｂのように、ＴＦＴ基板１００ａ上にリブ２１を設け、対向基板１００ｂの対向電極１２にスリット２２を設けてもよい。この場合、配向規制構造体であるリブ２１が設けられているＴＦＴ基板１００ａに誘電体構造体３０を設ければ、製造工程の増加や製造コストの増加を伴うことなく、簡便に配線容量を向上することができる。 In the present embodiment, the counter electrode corresponds to the first electrode 11 illustrated in FIG. 1A and the pixel electrode corresponds to the second electrode 12 illustrated in FIG. 1A. Conversely, the pixel electrode may correspond to the first electrode 11, and the counter electrode may correspond to the second electrode 12. That is, like the liquid crystal display device 100B shown in FIGS. 3A and 3B, the ribs 21 may be provided on the TFT substrate 100a, and the slits 22 may be provided in the counter electrode 12 of the counter substrate 100b. In this case, if the dielectric structure 30 is provided on the TFT substrate 100a provided with the ribs 21 which are orientation regulating structures, the wiring capacity can be easily improved without increasing the manufacturing process and the manufacturing cost. can do.

また、図１（ｂ）に示した基本構成を採用してもよい。つまり、図４（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置１００Ｃのように、ＴＦＴ基板１００ａの画素電極１２上にリブ３２を設けるとともに、対向基板１００ｂの対向電極１１上にもリブ３１を設けてもよい。その場合、図示しているように、ＴＦＴ基板１００ａおよび対向基板１００ｂの両方に誘電体構造体３０を設けることができるので、ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量をさらに低減することができる。 Moreover, you may employ | adopt the basic composition shown in FIG.1 (b). That is, as in the liquid crystal display device 100C shown in FIGS. 4A and 4B, the rib 32 is provided on the pixel electrode 12 of the TFT substrate 100a, and the rib 31 is also provided on the counter electrode 11 of the counter substrate 100b. May be. In that case, since the dielectric structure 30 can be provided on both the TFT substrate 100a and the counter substrate 100b as shown in the drawing, the capacitance formed between the source wiring 18 and the counter electrode 11 is further reduced. can do.

なお、誘電体構造体３０は、その延設方向がリブ２１、３１、３２やスリット２２の延設方向とは異なっているので、リブ２１、３１、３２やスリット２２による配向規制力とは異なる方向に液晶分子を倒す配向規制力を有する。誘電体構造体３０の配向規制力による表示への悪影響を抑制する観点からは、誘電体構造体３０を、ＴＦＴ基板１００ａや対向基板１００ｂの遮光層に重なるように配置することが好ましい。 Since the extending direction of the dielectric structure 30 is different from the extending direction of the ribs 21, 31, 32 and the slit 22, the dielectric structure 30 is different from the alignment regulating force by the ribs 21, 31, 32 and the slit 22. It has an alignment regulating force that tilts liquid crystal molecules in the direction. From the viewpoint of suppressing the adverse effect on the display due to the alignment regulating force of the dielectric structure 30, it is preferable to dispose the dielectric structure 30 so as to overlap the light shielding layers of the TFT substrate 100a and the counter substrate 100b.

本実施形態における液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、配向規制構造体を形成する工程において、液晶材料の誘電率よりも低い誘電率を有する誘電体材料を用い、配向規制構造体と同時に誘電体構造体３０を形成する点以外は、公知のＭＶＡ型液晶表示装置の製造方法と同様にして製造することができる。 In the liquid crystal display devices 100A, 100B, and 100C in the present embodiment, a dielectric material having a dielectric constant lower than that of the liquid crystal material is used in the step of forming the alignment regulating structure, and the dielectric is simultaneously formed with the alignment regulating structure. It can be manufactured in the same manner as the manufacturing method of a known MVA type liquid crystal display device except that the structure 30 is formed.

以下、図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、液晶表示装置１００Ａの製造方法の一例を説明する。 Hereinafter, an example of a method for manufacturing the liquid crystal display device 100A will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (e) and FIGS. 6 (a) to 6 (c).

まず、透明基板（例えばガラス基板）１５上に金属膜をスパッタリング法を用いて堆積し、この金属膜をパターニングすることによって、図５（ａ）に示すように、シールド電極２５と、ゲート配線１６および補助容量配線２０（これらは不図示）とを形成する。 First, a metal film is deposited on a transparent substrate (for example, a glass substrate) 15 by using a sputtering method, and this metal film is patterned to obtain a shield electrode 25 and a gate wiring 16 as shown in FIG. In addition, an auxiliary capacitance wiring 20 (these are not shown) is formed.

次に、ＣＶＤ法を用いて絶縁膜（例えばＳｉＮｘ膜）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、ｎ⁺アモルファスシリコン（ｎ⁺ ａ−Ｓｉ）膜を連続して堆積した後にａ−Ｓｉ膜、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜をパターニングすることによって、図５（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１７と、真性半導体層および不純物添加半導体層（これらは不図示）とを形成する。 Next, after an insulating film (for example, SiNx film), an amorphous silicon (a-Si) film, and an n ⁺ amorphous silicon (n ⁺ a-Si) film are successively deposited by using the CVD method, an a-Si film, n By patterning the ⁺ a-Si film, as shown in FIG. 5B, a gate insulating film 17, an intrinsic semiconductor layer, and an impurity-added semiconductor layer (these are not shown) are formed.

続いて、スパッタリング法を用いて金属膜を堆積した後にこの金属膜をパターニングすることによって、図５（ｃ）に示すように、ソース配線１８と、補助容量電極２３、ソース電極およびドレイン電極（これらは不図示）とを形成する。 Subsequently, after depositing a metal film using a sputtering method, the metal film is patterned to obtain a source wiring 18, an auxiliary capacitance electrode 23, a source electrode and a drain electrode (these electrodes) as shown in FIG. (Not shown).

その後、ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、不純物添加半導体層の一部（チャネルとなる領域上に位置する部分）をドライエッチングにより除去する。なお、不純物添加半導体層を除去する際に、真性半導体層の表面も薄くエッチングされる。 Thereafter, using the source electrode and the drain electrode as a mask, a part of the impurity-added semiconductor layer (a part located on the region to be a channel) is removed by dry etching. Note that when the impurity-added semiconductor layer is removed, the surface of the intrinsic semiconductor layer is also thinly etched.

次に、図５（ｄ）に示すように、酸化膜をスパッタリング法により堆積することによってパシベーション層１９を形成し、その後、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパシベーション層の補助容量電極２３に重なる部分にコンタクトホールを形成する。 Next, as shown in FIG. 5D, a passivation layer 19 is formed by depositing an oxide film by a sputtering method, and then a contact hole is formed in a portion overlapping the auxiliary capacitance electrode 23 of the passivation layer by photolithography and etching. Form.

続いて、スパッタリング法を用いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる膜を形成し、この透明導電膜をパターニングすることによって、図５（ｅ）に示すように、画素電極１２を形成する。このとき、画素電極１２の一部に帯状のスリット２２が形成される。このようにして、ＴＦＴ基板１００ａが完成する。 Subsequently, a film made of a transparent conductive material such as ITO is formed by sputtering, and the transparent conductive film is patterned to form the pixel electrode 12 as shown in FIG. At this time, a strip-shaped slit 22 is formed in a part of the pixel electrode 12. In this way, the TFT substrate 100a is completed.

上述したＴＦＴ基板１００ａとは別途に、対向基板１００ｂを用意する。具体的には、まず、図６（ａ）に示すように、透明基板（例えばガラス基板）２４上に、スパッタリング法を用いてＩＴＯ等の透明導電材料を堆積することによって対向電極１１を形成する。 A counter substrate 100b is prepared separately from the TFT substrate 100a described above. Specifically, first, as shown in FIG. 6A, a counter electrode 11 is formed on a transparent substrate (for example, a glass substrate) 24 by depositing a transparent conductive material such as ITO using a sputtering method. .

次に、対向電極１１上に、誘電体材料を付与することによって誘電体膜を形成し、この誘電体膜をパターニングすることによって、リブ２１と、誘電体構造体３０とを形成する。誘電体材料としては、液晶層１３を構成する液晶材料の誘電率よりも低い誘電率を有する材料を用いる。誘電体材料としては、例えば、透明な樹脂材料が用いられる。このようにして、対向基板１００ｂが完成する。なお、ここでは図示しないが、典型的には、対向基板１００ｂには、カラーフィルタが設けられている。 Next, a dielectric film is formed on the counter electrode 11 by applying a dielectric material, and the rib 21 and the dielectric structure 30 are formed by patterning the dielectric film. As the dielectric material, a material having a dielectric constant lower than that of the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer 13 is used. As the dielectric material, for example, a transparent resin material is used. In this way, the counter substrate 100b is completed. Although not shown here, typically, the counter substrate 100b is provided with a color filter.

その後、ＴＦＴ基板１００ａと対向基板１００ｂとを貼り合せ、これらの間隙に液晶材料を注入・封止して液晶層１３を形成することによって、図６（ｃ）に示すように、液晶表示装置１００Ａが完成する。なお、ＴＦＴ基板１００ａと対向基板１００ｂとを貼り合わせる前に、両基板の液晶層１３側の表面には垂直配向膜が形成される。 Thereafter, the TFT substrate 100a and the counter substrate 100b are bonded together, and a liquid crystal material is injected and sealed in these gaps to form the liquid crystal layer 13, thereby forming the liquid crystal display device 100A as shown in FIG. Is completed. Note that before the TFT substrate 100a and the counter substrate 100b are bonded together, a vertical alignment film is formed on the surfaces of the two substrates on the liquid crystal layer 13 side.

（実施形態２）
図７、図８および図９を参照しながら、本実施形態における液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃを説明する。図７（ａ）、図８（ａ）および図９（ａ）は、液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃの断面構造を模式的に示す部分断面図であり、図７（ｂ）、図８（ｂ）および図９（ｂ）は、液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。 (Embodiment 2)
The liquid crystal display devices 200A, 200B, and 200C in this embodiment will be described with reference to FIGS. 7, 8, and 9. FIG. FIGS. 7A, 8A, and 9A are partial cross-sectional views schematically showing the cross-sectional structures of the liquid crystal display devices 200A, 200B, and 200C. FIG. 7B and FIG. FIG. 9B is a plan view schematically showing one pixel of the liquid crystal display devices 200A, 200B, and 200C and the periphery thereof.

液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００ＣのＴＦＴ基板２００ａは、シールド電極を有していない点と、パシベーション層１９上に形成された層間絶縁膜２６を有している点において、実施形態１における液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂおよび１００ＣのＴＦＴ基板１００ａとそれぞれ異なっている。 The TFT substrate 200a of the liquid crystal display devices 200A, 200B, and 200C does not have a shield electrode, and has an interlayer insulating film 26 formed on the passivation layer 19 in the liquid crystal display according to the first embodiment. It differs from the TFT substrate 100a of the devices 100A, 100B and 100C.

層間絶縁膜２６は、例えば透明な樹脂膜である。層間絶縁膜２６を設けることによって、図示するように、画素電極１２（１１）をゲート配線１６およびソース配線１８と部分的に重ねて配置することが可能となり、開口率を向上できるという利点が得られる。画素電極１２（１１）と、ゲート配線１６およびソース配線１８との間に形成される容量を低減する観点からは、層間絶縁膜２６を構成する材料の誘電率が低いことが好ましい。 The interlayer insulating film 26 is a transparent resin film, for example. By providing the interlayer insulating film 26, the pixel electrode 12 (11) can be partially overlapped with the gate wiring 16 and the source wiring 18 as shown in the figure, and an advantage that the aperture ratio can be improved is obtained. It is done. From the viewpoint of reducing the capacitance formed between the pixel electrode 12 (11) and the gate wiring 16 and the source wiring 18, it is preferable that the dielectric constant of the material forming the interlayer insulating film 26 is low.

本実施形態における液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃも、ＴＦＴ基板２００ａおよび対向基板２００ｂの少なくとも一方上に、リブ２１と同じ誘電体材料から形成された誘電体構造体３０を有している。そのため、ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量を簡便に低減することが可能になる。特に、図９（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置２００Ｃのように、ＴＦＴ基板２００ａおよび対向基板２００ｂの両方上に誘電体構造体３０を設けると、容量を低減する効果が高い。 The liquid crystal display devices 200 A, 200 B, and 200 C in this embodiment also have a dielectric structure 30 formed of the same dielectric material as the ribs 21 on at least one of the TFT substrate 200 a and the counter substrate 200 b. Therefore, it is possible to easily reduce the capacitance formed between the source wiring 18 and the counter electrode 11. In particular, when the dielectric structure 30 is provided on both the TFT substrate 200a and the counter substrate 200b as in the liquid crystal display device 200C shown in FIGS. 9A and 9B, the effect of reducing the capacitance is high.

誘電体構造体３０（およびリブ２１）を構成する誘電体材料の誘電率は、例えば、液晶材料の誘電率が５．７、パシベーション層１９の誘電率が６．９であるのに対して、３．４である。また、層間絶縁膜２６の誘電率は、例えば３．４である。 The dielectric constant of the dielectric material constituting the dielectric structure 30 (and the rib 21) is, for example, that the dielectric constant of the liquid crystal material is 5.7 and the dielectric constant of the passivation layer 19 is 6.9. 3.4. Further, the dielectric constant of the interlayer insulating film 26 is, for example, 3.4.

（実施形態３）
図１０、図１１および図１２を参照しながら、本実施形態における液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００Ｃを説明する。図１０（ａ）、図１１（ａ）および図１２（ａ）は、液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００Ｃの断面構造を模式的に示す部分断面図であり、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）および図１２（ｂ）は、液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。 (Embodiment 3)
The liquid crystal display devices 300A, 300B, and 300C in this embodiment will be described with reference to FIGS. 10, 11, and 12. FIG. FIG. 10A, FIG. 11A, and FIG. 12A are partial cross-sectional views schematically showing the cross-sectional structures of the liquid crystal display devices 300A, 300B, and 300C. FIG. 12B is a plan view schematically showing one pixel of the liquid crystal display devices 300A, 300B, and 300C and the periphery thereof.

液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００ＣのＴＦＴ基板３００ａは、パシベーション層１９上に形成された層間絶縁膜２６を有している点において、実施形態１における液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂおよび１００ＣのＴＦＴ基板１００ａとそれぞれ異なっている。また、液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００ＣのＴＦＴ基板３００ａは、シールド電極２５を有している点において、実施形態２における液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００ＣのＴＦＴ基板２００ａとそれぞれ異なっている。 The TFT substrate 300a of the liquid crystal display devices 300A, 300B, and 300C has an interlayer insulating film 26 formed on the passivation layer 19, and the TFT substrate 100a of the liquid crystal display devices 100A, 100B, and 100C in the first embodiment. And each is different. Further, the TFT substrate 300a of the liquid crystal display devices 300A, 300B, and 300C is different from the TFT substrate 200a of the liquid crystal display devices 200A, 200B, and 200C in the second embodiment in that the shield electrode 25 is provided.

層間絶縁膜２６は、例えば透明な樹脂膜である。層間絶縁膜２６を設けることによって、図示するように、画素電極１２（１１）をゲート配線１６と部分的に重ねて配置することが可能となり、開口率を向上できるという利点が得られる。画素電極１２（１１）と、ゲート配線１６との間に形成される容量を低減する観点からは、層間絶縁膜２６を構成する材料の誘電率が低いことが好ましい。 The interlayer insulating film 26 is a transparent resin film, for example. By providing the interlayer insulating film 26, as shown in the figure, the pixel electrode 12 (11) can be partially overlapped with the gate wiring 16, and the advantage that the aperture ratio can be improved is obtained. From the viewpoint of reducing the capacitance formed between the pixel electrode 12 (11) and the gate wiring 16, it is preferable that the dielectric constant of the material forming the interlayer insulating film 26 is low.

本実施形態における液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００Ｃも、ＴＦＴ基板３００ａおよび対向基板３００ｂの少なくとも一方上に、リブ２１と同じ誘電体材料から形成された誘電体構造体３０を有している。そのため、ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量を簡便に低減することが可能になる。特に、図１２（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置３００Ｃのように、ＴＦＴ基板３００ａおよび対向基板３００ｂの両方上に誘電体構造体３０を設けると、容量を低減する効果が高い。 The liquid crystal display devices 300 A, 300 B, and 300 C in this embodiment also have a dielectric structure 30 formed of the same dielectric material as the ribs 21 on at least one of the TFT substrate 300 a and the counter substrate 300 b. Therefore, it is possible to easily reduce the capacitance formed between the source wiring 18 and the counter electrode 11. In particular, when the dielectric structure 30 is provided on both the TFT substrate 300a and the counter substrate 300b as in the liquid crystal display device 300C shown in FIGS. 12A and 12B, the effect of reducing the capacitance is high.

本発明によれば、簡便に配線容量を低減することが可能な液晶表示装置が提供される。本発明は、ＭＶＡ型液晶表示装置などの、配向規制構造体を備えた液晶表示装置に広く用いられる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the liquid crystal display device which can reduce wiring capacity easily is provided. The present invention is widely used for a liquid crystal display device including an alignment regulating structure such as an MVA liquid crystal display device.

本発明による液晶表示装置は、種々の電子機器（例えばテレビジョン放送を受信する回路を備えた液晶テレビ）の表示部に好適に用いられ、特に、大型の電子機器の表示部に好適に用いられる。 The liquid crystal display device according to the present invention is preferably used for a display unit of various electronic devices (for example, a liquid crystal television provided with a circuit for receiving television broadcast), and particularly preferably used for a display unit of a large electronic device. .

（ａ）および（ｂ）は、ＭＶＡ型液晶表示装置の基本的な構成を説明するための模式的な断面図である。(A) And (b) is typical sectional drawing for demonstrating the fundamental structure of a MVA type | mold liquid crystal display device. （ａ）は、本発明の好適な実施形態における液晶表示装置１００Ａを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置１００Ａの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の２Ａ−２Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically liquid crystal display device 100A in suitable embodiment of this invention, (b) is a top view which shows typically 1 pixel of 100 A of liquid crystal display devices, and its periphery It is. (A) is sectional drawing which followed the 2A-2A 'line | wire in (b). （ａ）は、本発明の好適な実施形態における液晶表示装置１００Ｂを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置１００Ｂの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の３Ａ−３Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically the liquid crystal display device 100B in suitable embodiment of this invention, (b) is a top view which shows typically the 1 pixel of the liquid crystal display device 100B, and its periphery. It is. (A) is sectional drawing along the 3A-3A 'line | wire in (b). （ａ）は、本発明の好適な実施形態における液晶表示装置１００Ｃを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置１００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の４Ａ−４Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically the liquid crystal display device 100C in suitable embodiment of this invention, (b) is a top view which shows typically one pixel of the liquid crystal display device 100C, and its periphery. It is. (A) is sectional drawing along the 4A-4A 'line | wire in (b). （ａ）〜（ｅ）は、液晶表示装置１００Ａの製造工程を模式的に示す工程断面図である。(A)-(e) is process sectional drawing which shows typically the manufacturing process of 100 A of liquid crystal display devices. （ａ）〜（ｃ）は、液晶表示装置１００Ａの製造工程を模式的に示す工程断面図である。(A)-(c) is process sectional drawing which shows typically the manufacturing process of 100 A of liquid crystal display devices. （ａ）は、本発明の他の好適な実施形態における液晶表示装置２００Ａを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置２００Ａの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の７Ａ−７Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically liquid crystal display device 200A in other suitable embodiment of this invention, (b) shows typically one pixel and its periphery of liquid crystal display device 200A. It is a top view. (A) is sectional drawing along line 7A-7A 'in (b). （ａ）は、本発明の他の好適な実施形態における液晶表示装置２００Ｂを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置２００Ｂの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の８Ａ−８Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically the liquid crystal display device 200B in other suitable embodiment of this invention, (b) shows typically one pixel and its periphery of liquid crystal display device 200B. It is a top view. (A) is sectional drawing which followed the 8A-8A 'line in (b). （ａ）は、本発明の他の好適な実施形態における液晶表示装置２００Ｃを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置２００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の９Ａ−９Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically the liquid crystal display device 200C in other suitable embodiment of this invention, (b) shows typically one pixel of the liquid crystal display device 200C, and its periphery. It is a top view. (A) is sectional drawing which followed the 9A-9A 'line in (b). （ａ）は、本発明のさらに他の好適な実施形態における液晶表示装置３００Ａを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置３００Ａの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の１０Ａ−１０Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically liquid crystal display device 300A in further another suitable embodiment of this invention, (b) is one pixel of liquid crystal display device 300A, and its periphery typically FIG. (A) is sectional drawing along line 10A-10A 'in (b). （ａ）は、本発明のさらに他の好適な実施形態における液晶表示装置３００Ｂを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置３００Ｂの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の１１Ａ−１１Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically liquid crystal display device 300B in further another suitable embodiment of this invention, (b) is typically 1 pixel of liquid crystal display device 300B, and its periphery FIG. (A) is sectional drawing along the 11A-11A 'line in (b). （ａ）は、本発明のさらに他の好適な実施形態における液晶表示装置３００Ｃを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置３００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の１２Ａ−１２Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically the liquid crystal display device 300C in further another suitable embodiment of this invention, (b) is one pixel of the liquid crystal display device 300C, and its periphery typically FIG. (A) is sectional drawing along line 12A-12A 'in (b). （ａ）は、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置６００を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置６００の１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の１３Ａ−１３Ａ’線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing which shows the conventional active matrix type liquid crystal display device 600 typically, (b) is a top view which shows typically the 1 pixel of the liquid crystal display device 600, and its periphery. (A) is sectional drawing along line 13A-13A 'in (b). （ａ）は、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置７００を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置７００の１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。(A) is sectional drawing which shows the conventional active matrix type liquid crystal display device 700 typically, (b) is a top view which shows typically one pixel of the liquid crystal display device 700 and its periphery.

符号の説明Explanation of symbols

１０Ａ、１０ＢＭＶＡ型液晶表示装置
１１第１電極（画素電極または対向電極）
１２第２電極（画素電極または対向電極）
１３液晶層
１３ａ液晶分子
１４薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１５透明基板
１６ゲート配線（走査配線）
１７ゲート絶縁膜
１８ソース配線（信号配線）
１９パシベーション層
２０補助容量配線
２１リブ（配向規制構造体）
２２スリット
２３補助容量電極
２４透明基板
２５シールド電極
２６層間絶縁膜
３０誘電体構造体
３１、３２リブ（配向規制構造体）
１００ａ、２００ａ、３００ａＴＦＴ基板（アクティブマトリクス基板）
１００ｂ、２００ｂ、３００ｂ対向基板（カラーフィルタ基板）
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ液晶表示装置
２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ液晶表示装置
３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ液晶表示装置 10A, 10B MVA type liquid crystal display device 11 First electrode (pixel electrode or counter electrode)
12 Second electrode (pixel electrode or counter electrode)
13 Liquid crystal layer 13a Liquid crystal molecule 14 Thin film transistor (TFT)
15 Transparent substrate 16 Gate wiring (scanning wiring)
17 Gate insulating film 18 Source wiring (signal wiring)
19 Passivation layer 20 Auxiliary capacitance wiring 21 Rib (Orientation regulation structure)
22 Slit 23 Auxiliary Capacitance Electrode 24 Transparent Substrate 25 Shield Electrode 26 Interlayer Insulating Film 30 Dielectric Structure 31, 32 Rib (Orientation Restriction Structure)
100a, 200a, 300a TFT substrate (active matrix substrate)
100b, 200b, 300b Counter substrate (color filter substrate)
100A, 100B, 100C Liquid crystal display device 200A, 200B, 200C Liquid crystal display device 300A, 300B, 300C Liquid crystal display device

Claims

マトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に表示信号電圧を供給する信号配線とを有するアクティブマトリクス基板と、
前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記液晶層に含まれる液晶分子に対して配向規制力を発現する側面を有する配向規制構造体を有し、
前記配向規制構造体を有する前記少なくとも一方の基板は、前記配向規制構造体と同一の誘電体材料から形成された誘電体構造体を前記信号配線と前記対向電極との間に有し、前記誘電体材料の誘電率は、前記液晶層を構成する液晶材料の誘電率よりも低い液晶表示装置。 An active matrix substrate having a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a switching element connected to each of the plurality of pixel electrodes, and a signal wiring for supplying a display signal voltage to the switching elements;
A counter substrate having a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes;
A liquid crystal display device having a liquid crystal layer provided between the active matrix substrate and the counter substrate,
At least one of the active matrix substrate and the counter substrate has an alignment regulating structure having a side surface that expresses alignment regulating force with respect to liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer,
The at least one substrate having the alignment regulating structure has a dielectric structure formed of the same dielectric material as the alignment regulating structure between the signal wiring and the counter electrode, and the dielectric A liquid crystal display device in which a dielectric constant of a body material is lower than a dielectric constant of a liquid crystal material constituting the liquid crystal layer.

前記アクティブマトリクス基板が前記誘電体構造体を有する請求項１に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix substrate has the dielectric structure.

前記対向基板が前記誘電体構造体を有する請求項１に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the counter substrate includes the dielectric structure.

前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の両方が前記誘電体構造体を有する請求項１に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein both the active matrix substrate and the counter substrate have the dielectric structure.

前記誘電体構造体は、その延設方向が前記配向規制構造体の延設方向と交差するように配置されている請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。 5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the dielectric structure is disposed such that an extending direction thereof intersects with an extending direction of the alignment regulating structure.

前記誘電体構造体は、その延設方向が前記信号配線の延設方向と略平行になるように配置されている請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the dielectric structure is disposed so that an extending direction thereof is substantially parallel to an extending direction of the signal wiring.

前記液晶層を介して互いに対向するように配置された一対の偏光板を有し、前記一対の偏光板の透過軸は互いに略直交し、前記配向規制構造体は、その延設方向が前記一対の偏光板の透過軸と略４５°を成すように配置されている、請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置。 A pair of polarizing plates disposed so as to face each other with the liquid crystal layer interposed therebetween, and the transmission axes of the pair of polarizing plates are substantially orthogonal to each other, and the alignment regulating structure has an extending direction of the pair of polarizing plates The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is disposed so as to form approximately 45 ° with a transmission axis of the polarizing plate.

前記誘電体構造体は、その延設方向が前記一対の偏光板のうちの一方の透過軸と略平行であり、且つ、他方の透過軸と略直交するように配置されている請求項７に記載の液晶表示装置。 The dielectric structure is arranged so that an extending direction thereof is substantially parallel to one transmission axis of the pair of polarizing plates and substantially orthogonal to the other transmission axis. The liquid crystal display device described.

前記アクティブマトリクス基板は、前記信号配線と前記液晶層との間に設けられた層間絶縁膜を有する請求項１から８のいずれかに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix substrate includes an interlayer insulating film provided between the signal wiring and the liquid crystal layer.

前記アクティブマトリクス基板は、前記信号配線に略平行に延びるシールド電極を有する、請求項１から９のいずれかに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix substrate has a shield electrode extending substantially parallel to the signal wiring.

請求項１から１０のいずれかに記載の液晶表示装置を備える電子機器。 An electronic apparatus comprising the liquid crystal display device according to claim 1.

テレビジョン放送を受信する回路をさらに備える、請求項１１に記載の電子機器。 The electronic device according to claim 11, further comprising a circuit that receives a television broadcast.