JP2006301321A - Liquid crystal display device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、TFT素子を備えた液晶表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device including a TFT element and a manufacturing method thereof.
従来の画素スイッチング用の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFT)素子を備えた液晶表示装置としては、図14に示すものがある。同図に示された液晶表示装置Xは、TFT基板91Aに支持されたTFT素子Tを備えている。TFT素子Tは、半導体層92、ゲート電極93、ソース電極94およびドレイン電極95を有している。半導体層92のうちゲート電極93の図中下方に位置する部分は、チャネル領域92aとされている。液晶表示装置Xが使用される際には、照明装置(図示略)からの光が、TFT基板91A、対向基板91B、液晶層99および画素電極98などを透過して、装置外へと出射される。この光がチャネル領域92aに入射すると、チャネル領域92aにおいて光電変換効果により光電流が発生する。この光電流は、フリッカを生じさせるなど、画質を低下させる原因となる。液晶表示装置Xにおいては、半導体層92下方の遮光対策として、下側遮光膜97Aが設けられている。また、半導体層92上方の遮光対策として、シールド層などからなる上側遮光膜97Bが設けられている。
A conventional liquid crystal display device provided with a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) element for pixel switching is shown in FIG. The liquid crystal display device X shown in the figure includes a TFT element T supported on a
しかしながら、TFT基板91A上には絶縁層96など複数の透光性を有する膜が広がっている。このため、TFT素子Tからその側方に遠ざかった位置において、上記照明装置からの光が絶縁層96に入射することがある。絶縁層96に入射した光は、屈折および反射を繰り返して、チャネル領域92aに入射するおそれがある。このような光に対しては、下側遮光膜97Aおよび上側遮光膜97Bは、遮光効果を果たさない。このため、半導体層92のチャネル領域92aにおいて光電流が発生することとなり、液晶表示装置Xの画質が低下するという問題があった。
However, a plurality of light-transmitting films such as the
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、漏光による光電流の発生を防止し、画質を向上させることが可能な液晶表示装置、およびその製造方法を提供することをその課題とする。 The present invention has been conceived under the above circumstances, and provides a liquid crystal display device capable of preventing generation of photocurrent due to light leakage and improving image quality, and a method for manufacturing the same. Is the subject.
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。 In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.
本発明の第1の側面によって提供される液晶表示装置は、一対の基板と、上記一対の基板に挟まれた液晶層と、上記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、上記複数の画素電極に対応するように上記一方の基板上に配置されており、かつ各々が半導体層を有する複数のTFT素子と、を備える液晶表示装置であって、各々が上記一方の基板の面内方向において上記各半導体層の四方を囲う複数の第1透明絶縁層と、上記一方の基板の面内方向において上記複数の第1透明絶縁層の四方を囲う第2透明絶縁層と、をさらに備えており、かつ、上記第1透明絶縁層は、その屈折率が上記第2透明絶縁層の屈折率よりも小さいことを特徴としている。 The liquid crystal display device provided by the first aspect of the present invention includes a pair of substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates, and a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on one of the pair of substrates. And a plurality of TFT elements disposed on the one substrate so as to correspond to the plurality of pixel electrodes, and each having a semiconductor layer, each of the one liquid crystal display device A plurality of first transparent insulating layers surrounding four sides of each of the semiconductor layers in an in-plane direction of the substrate; a second transparent insulating layer surrounding four sides of the plurality of first transparent insulating layers in an in-plane direction of the one substrate; And the first transparent insulating layer is characterized in that the refractive index thereof is smaller than the refractive index of the second transparent insulating layer.
このような構成によれば、上記第1透明絶縁層および上記第2透明絶縁層の屈折率から定まる全反射角よりも大きい入射角で上記第1透明絶縁層へと入射してくる光を全反射させることが可能である。これにより、上記半導体層に光が入射することを抑制できる。したがって、上記TFT素子を適切に機能させることが可能であり、上記液晶表示装置の画質を向上させることができる。 According to such a configuration, all the light incident on the first transparent insulating layer is incident at an incident angle larger than the total reflection angle determined from the refractive indexes of the first transparent insulating layer and the second transparent insulating layer. It can be reflected. Thereby, it can suppress that light injects into the said semiconductor layer. Therefore, the TFT element can function properly, and the image quality of the liquid crystal display device can be improved.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1透明絶縁層は、SiO2からなり、上記第2透明絶縁層は、Al2O3からなる。このような構成によれば、上記第1透明絶縁層および上記第2透明絶縁層の屈折率の差を比較的大きくすることが可能である。これにより、上記第1透明絶縁層と上記第2透明絶縁層との間の全反射角を小さくすることが可能であり、より多くの光を全反射させることができる。 In a preferred embodiment of the present invention, the first transparent insulating layer is made of SiO 2 and the second transparent insulating layer is made of Al 2 O 3 . According to such a configuration, the difference in refractive index between the first transparent insulating layer and the second transparent insulating layer can be made relatively large. As a result, the total reflection angle between the first transparent insulating layer and the second transparent insulating layer can be reduced, and more light can be totally reflected.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1透明絶縁層のうち、上記一方の基板の面内方向において上記第2透明絶縁層と接する起立面は、表面粗さRaが100〜300Åとされている。このような構成によれば、上記起立面を透過する光を散乱させることが可能であり、比較的光度が高い光が上記半導体層に入射することを回避できる。 In a preferred embodiment of the present invention, of the first transparent insulating layer, an upstanding surface in contact with the second transparent insulating layer in the in-plane direction of the one substrate has a surface roughness Ra of 100 to 300 mm. ing. According to such a structure, it is possible to scatter the light which permeate | transmits the said standing surface, and it can avoid that the light with comparatively high luminous intensity injects into the said semiconductor layer.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1透明絶縁層のうち、上記一方の基板の面内方向において上記第2透明絶縁層と接する起立面は、上記一方の基板の厚さ方向に対して傾斜している。このような構成によれば、ある特定の方向から向かってくる光を選択的に全反射させることが可能である。 In a preferred embodiment of the present invention, of the first transparent insulating layer, an upstanding surface in contact with the second transparent insulating layer in an in-plane direction of the one substrate is in a thickness direction of the one substrate. Is inclined. According to such a configuration, light coming from a specific direction can be selectively totally reflected.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1透明絶縁層は、上記一方の基板の面内方向において上記複数の画素電極を避けた位置に配置されている。このような構成によれば、上記起立面は、上記画素電極と上記半導体層との間に位置することとなる。このため、上記画素電極が配置された領域から上記第2透明絶縁層に入射した光を上記起立面により全反射させることが可能である。したがって、上記半導体層に入射する光量を少なくするのに好適である。 In a preferred embodiment of the present invention, the first transparent insulating layer is disposed at a position avoiding the plurality of pixel electrodes in the in-plane direction of the one substrate. According to such a configuration, the rising surface is located between the pixel electrode and the semiconductor layer. For this reason, light incident on the second transparent insulating layer from the region where the pixel electrode is disposed can be totally reflected by the standing surface. Therefore, it is suitable for reducing the amount of light incident on the semiconductor layer.
本発明の第2の側面によって提供される液晶表示装置の製造方法は、TFT素子を構成する半導体層を基板上に形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法であって、上記半導体層を形成する工程の後に、上記基板の面内方向において上記半導体層の四方を囲うように第1透明絶縁層を形成する工程と、上記基板の面内方向において上記第1透明絶縁層の四方を囲うように第2透明絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴としている。このような構成によれば、本発明の第1の側面に係る液晶表示装置を適切に製造することができる。 A method for manufacturing a liquid crystal display device provided by the second aspect of the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal display device including a step of forming a semiconductor layer constituting a TFT element on a substrate, wherein the semiconductor layer is formed. A step of forming a first transparent insulating layer so as to surround the four sides of the semiconductor layer in the in-plane direction of the substrate; and a method of surrounding the four sides of the first transparent insulating layer in the in-plane direction of the substrate. And a step of forming a second transparent insulating layer. According to such a configuration, the liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention can be appropriately manufactured.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1透明絶縁層を形成する工程は、プラズマ、イオン、または原子の照射処理を含む。このような構成によれば、上記第1透明絶縁層を凹凸状の表面を有するものとして形成するのに適している。 In a preferred embodiment of the present invention, the step of forming the first transparent insulating layer includes an irradiation treatment with plasma, ions, or atoms. Such a configuration is suitable for forming the first transparent insulating layer having an uneven surface.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1透明絶縁層を形成する工程は、正珪酸四エチルとO3とを用いたCVD法による成膜処理を含む。このような構成によっても、上記第1透明絶縁層を凹凸状の表面を有するものとして形成することができる。 In a preferred embodiment of the present invention, the step of forming the first transparent insulating layer includes a film forming process by a CVD method using tetraethyl orthosilicate and O 3 . Also with such a configuration, the first transparent insulating layer can be formed to have an uneven surface.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記正珪酸四エチルとO3とを用いたCVD法による成膜処理においては、O3濃度を3〜6%とする。このような構成によれば、上記第1透明絶縁層の表面を表面粗さRaが100〜300Å程度の凹凸状とすることができる。 In a preferred embodiment of the present invention, the O 3 concentration is set to 3 to 6% in the film forming process by the CVD method using the above tetraethyl silicate and O 3 . According to such a configuration, the surface of the first transparent insulating layer can be made uneven with a surface roughness Ra of about 100 to 300 mm.
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
図1および図2は、本発明の第1の側面に係る液晶表示装置の第1実施形態を示している。図1に示すように、液晶表示装置A1は、TFT基板1A、対向基板1B、TFT素子T、配向膜6A,6B、液晶層7および画素電極34を備えており、複数の画素(図示略)がマトリクス状に配置された構成とされている。なお、図2においては、説明の便宜のため対向基板1B、配向膜6A,6B、液晶層7などは、省略されている。
1 and 2 show a first embodiment of a liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device A1 includes a
TFT基板1Aは、透明性を有しており、たとえばガラス製である。TFT基板1Aには、複数のTFT素子Tがマトリクス状に配置されている。
The
TFT素子Tは、半導体層2、ゲート絶縁膜51、ゲート電極31、ソース電極32およびドレイン電極33などから構成されている。TFT素子Tは、液晶層7のうち上記複数の画素のそれぞれに対応する部分の偏光状態を切り替える、いわゆるスイッチングのために用いられるものである。
The TFT element T includes the
半導体層2は、チャネル領域21、ソース領域22、およびドレイン領域23を有しており、TFT基板1A上に形成されている。半導体層2は、多結晶シリコン(以下、poly-Si)により形成されている。チャネル領域21は、ゲート電極31からの電界によりいわゆるチャネルが形成される領域である。ソース領域22およびドレイン領域23は、それぞれソース電極32およびドレイン電極33と接合されている。なお、半導体層2は、poly-Siに代えてアモルファスシリコン(a-Si)により形成しても良い。図1および図2に示すように、半導体層2は、第1透明絶縁層4Aにより覆われている。
The
第1透明絶縁層4Aは、半導体層2、ゲート電極31、ソース電極32およびドレイン電極33などを絶縁するためのものである。第1透明絶縁層4Aは、透明な絶縁体からなり、本実施形態においては、たとえばSiO2により形成されている。図2に示すように、第1透明絶縁層4Aは、平面視において、画素電極34を避けた領域に配置されており、画素電極34とは重なっていない。第1透明絶縁層4Aには、起立面4Aaが形成されている。この起立面4Aaは、TFT基板1Aの面内方向において、半導体層2の四方を囲っている。図1に示すように、起立面4Aaおよび図中上面は、表面粗さRaが100〜300Å程度の凹凸状とされている。第1透明絶縁層4Aは、起立面4Aaと接する第2透明絶縁層4Bにより囲われている。
The first
第2透明絶縁層4Bは、TFT基板1Aのうち半導体層2および第1透明絶縁層4Aにより覆われた部分以外の領域を覆っている。第2透明絶縁層4Bは、透明な絶縁体からなり、本実施形態においては、たとえばAl2O3により形成されている。
The second transparent insulating
ゲート電極31は、チャネル領域21に作用させる電界を発生させるためのものであり、たとえば、アルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属により形成されている。このゲート電極31が高電位または低電位の状態とされることにより、上記画素に対するスイッチングがなされる。図2に示すように、ゲート電極31は、ゲート配線37と繋がっている。ゲート配線37は、図中左右方向に延びており、ゲート配線37に沿って配列された複数のTFT素子Tに対してゲート電圧を供給する。図1に示すように、ゲート電極31の周囲には、半導体層2との段差を解消するための部分絶縁膜52が形成されている。
The
ゲート絶縁膜51は、ゲート電極31などと半導体層2とを絶縁するためのものであり、たとえばSiO2やSi3N4などにより形成されている。また、半導体層2に対して酸化処理を施すことによっても、ゲート絶縁膜51を形成することができる。
The
ソース電極32は、ソース配線38と繋がっており、たとえばゲート電極31と同様にアルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属により形成されている。ソース配線38は、図2に示すように、図中上下方向に延びており、ソース配線38に沿って配列された複数のTFT素子Tに対して信号電圧を供給する。
The
ドレイン電極33は、TFT素子Tから画素電極34に信号電圧を供給するためのものであり、たとえばアルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属により形成されている。ドレイン電極33と画素電極34とは、中継電極36を介して導通している。ソース配線38および中継電極36は、絶縁体からなる保護膜53により覆われている。
The
画素電極34は、液晶層7の偏光状態を切り替えるために信号電圧を印加するためのものであり、Indium Tin Oxide(以下、ITO)からなる透明電極として形成されている。この画素電極34には、TFT素子Tのスイッチング機能により、その画素の表示状態に応じた信号電圧がドレイン電極33および中継電極36を介して供給される。
The
保護膜53の図中上面には、配向膜6Aが形成されている。配向膜6Aは、液晶層7の液晶材料71に混入された液晶分子を一方向に並べるためのものであり、ラビング処理などの配光処理が施されている。配向膜6Aは、たとえばポリイミド樹脂を用いて薄膜として形成されている。
An
対向基板1Bは、図1に示すように、TFT基板1Aと対向するように設けられており、たとえばガラス製である。対向基板1Bの下面には、共通電極35および配向膜6Bが形成されている。
As shown in FIG. 1, the
共通電極35は、たとえばITOからなる透明電極であり、対向基板1Bの図中下面を覆っている。各画素電極34と、共通電極35のうち各画素電極34と正対する部分とが対となって、液晶層7の偏光状態を切り替えるための電圧印加がなされる。
The
配向膜6Bは、配向膜6Aと同様に、液晶層7の液晶材料71に混入された液晶分子を一方向に並べるためのものである。配向膜6Bは、たとえばポリイミド樹脂を用いて薄膜として形成されており、ラビング処理などの配向処理が施されている。
Similar to the
液晶層7は、TFT基板1Aおよび対向基板1B間の領域のうちシール材料(図示略)により密閉された空間に、ネマチック液晶などの液晶を含む液晶材料71が充填されたものである。液晶層7の所定部分の偏光状態が、表示される画像に応じて変更されることにより、この液晶層7を透過する光の強度が調整される。これにより、液晶表示装置A1の画像表示が実現される。
The
次に、液晶表示装置A1の製造方法について、図面を参照しつつ以下に説明する。 Next, the manufacturing method of liquid crystal display device A1 is demonstrated below, referring drawings.
まず、図3に示すようにガラス製のTFT基板1Aを準備し、このTFT基板1A上に半導体層2を形成する。半導体層2の形成は、たとえばCVD法によりpoly-Siの膜を成膜し、この膜に対してフォトリソグラフィを用いたパターニングを施すことにより行う。
First, as shown in FIG. 3, a
半導体層2を形成した後は、図4に示すように、半導体層2を覆うようにゲート絶縁膜51を形成する。このゲート絶縁膜51の形成は、たとえばCVD法またはスパッタリング法によりSiO2やSi3N4などの膜を形成した後にパターニングを施すことにより行う。
After the
次いで、図5に示すように、ゲート絶縁膜51上に、ゲート電極31を形成する。ゲート電極31の形成は、スパッタリング法などによりアルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属薄膜を成膜した後にパターニングを施すことにより行う。また、半導体層2およびゲート電極31に生じた段差の平滑化を目的として、部分絶縁膜52を形成する。部分絶縁膜52の形成は、半導体層2およびゲート電極31などを含むTFT基板1Aの略全面を覆うようにSiO2の膜を成膜した後にエッチバック処理を施すことにより行う。この後に、いわゆるインプランテーション処理を施すことにより、半導体層2にソース領域22およびドレイン領域23とチャネル領域21とを形成する。
Next, as shown in FIG. 5, the
ゲート電極31を形成した後は、図6に示すように透明絶縁層40Aを形成する。透明絶縁層40Aの形成は、SiO2を用いたCVD法またはスパッタリング法により半導体層2およびゲート電極31を覆うようにSiO2の膜を成膜した後にパターニングを施すことにより行う。この工程においては、透明絶縁層40Aを図1および図2に示す第1透明絶縁層4Aよりも若干大きいサイズとしておく。
After forming the
次いで、透明絶縁層40Aに対して、スパッタリング処理を施すことにより、図7に示す第1透明絶縁層4Aを形成する。このスパッタリング処理においては、プラズマ、イオンおよび原子などの微小粒子Pを、透明絶縁層40Aの図中上面および図中側面に対して衝突させる。この際に生じる衝撃力により、透明絶縁層40Aの表層部分が削られる。この結果、表面が凹凸状とされた第1透明絶縁層4Aを容易に形成することができる。このスパッタリング処理においては、第1透明絶縁層4Aの起立面4Aaおよび図中上面の表面粗さRaを100〜300Å程度とする。
Next, the first transparent insulating
第1透明絶縁層4Aを形成した後は、図8に示すように第2透明絶縁層4Bを形成する。第2透明絶縁層4Bの形成は、たとえばCVD法またはスパッタリング法を用いて第1透明絶縁層4AおよびTFT基板1Aを覆うようにAl2O3の膜を成膜した後に、たとえばエッチングを用いて不要な部分を除去することにより行う。
After the formation of the first transparent insulating
次いで、図9に示すようにソース電極32およびドレイン電極33を形成する。ソース電極32およびドレイン電極33を形成するには、まず、第1透明絶縁層4Aおよびゲート絶縁膜51に2つのコンタクトホール4Abを形成する。これらのコンタクトホール4Abは、半導体層2のソース領域22およびドレイン領域23にそれぞれ達する深さとしておく。次に、第1透明絶縁層4Aを覆うようにアルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属膜を成膜した後にパターニングを施すことによりソース電極32およびドレイン電極33を形成する。このソース電極32およびドレイン電極33の形成において、中継電極36やソース配線38を同時に形成しても良い。
Next, as shown in FIG. 9, the
この後は、従来技術などと同様の既知の工程により、図1に示す液晶表示装置A1を完成させる。たとえば、ソース電極32、ドレイン電極33および中継電極36を覆うように保護膜53を形成し、その上に画素電極34をパターン形成する。そして、ポリイミド樹脂などを用いて配向膜6Aを形成する。一方、対向基板1Bに共通電極35および配向膜6Bを積層させる。TFT基板1Aおよび対向基板1Bを対向させ、これらの間の空間をシール部材(図示略)により区画し、その区画領域内に液晶材料71を充填して密封することにより液晶層7を形成する。そして、適宜、制御IC(図示略)や接続端子部(図示略)を設けることにより、液晶表示装置A1が得られる。
Thereafter, the liquid crystal display device A1 shown in FIG. 1 is completed by a known process similar to the prior art. For example, the
次に、液晶表示装置A1の作用について説明する。 Next, the operation of the liquid crystal display device A1 will be described.
本実施形態によれば、第1透明絶縁層4Aと第2透明絶縁層4Bとは、互いの屈折率が異なっており、第1透明絶縁層4Aの屈折率の方が、第2透明絶縁層4Bの屈折率よりも小さい。第2透明絶縁層4Bから第1透明絶縁層4Aへと光が入射する場合、第1透明絶縁層4Aおよび第2透明絶縁層4Bの屈折率から定まる全反射角よりも大きい入射角では、第1透明絶縁層4Aには光は進入できない。このような光は、起立面4Aaにより全反射される。本実施形態においては、SiO2からなる第1透明絶縁層4Aの屈折率が1.54程度であり、Al2O3からなる第2透明絶縁層の屈折率が1.77程度であることから、全反射角は、約60°である。すなわち、起立面4Aaの各部に対して、全反射角である約60°よりも大きな角度で入射する光を、反射させることができる。これにより、半導体層2に入射する光量を少なくすることができる。したがって、半導体層2のチャネル領域21における光電流の発生を抑制することが可能であり、フリッカなどに起因する画質の低下を防止することができる
According to the present embodiment, the first transparent insulating
また、起立面4Aaが凹凸状とされていることにより、起立面4Aaから第1透明絶縁層4Aへと進入する光を散乱させることができる。これにより、第1透明絶縁層4Aに進入した光の指向性を弱めることが可能である。第1透明絶縁層4Aに進入した光の指向性が弱いほど、進入した光のうち半導体層2のチャネル領域21に到達する光を少なくするのに有利である。したがって、半導体層2のチャネル領域21における光電流の抑制に適している。特に、起立面4Aaの表面粗さRaが100〜300Å程度であれば、入射光を散乱させるのに好適である。
In addition, since the rising surface 4Aa is uneven, light entering from the rising surface 4Aa to the first transparent insulating
さらに、画素電極34が形成された領域は、いわゆる画素となる領域であり、透過光量が多い領域である。本実施形態においては、第1透明絶縁層4Aは、画素電極34を避けた領域に配置されている。このため、起立面4Aaは、画素電極34と半導体層2との間に位置する。画素電極34を透過した光の一部が、第2透明絶縁層4B中を半導体層2へと進行してきても、この光を起立面4Aaにより全反射したり、散乱したりすることが可能である。したがって、半導体層2のチャネル領域21に入射する光を少なくするのに好適である。
Furthermore, the region where the
図10〜図12は、液晶表示装置A1の製造方法の他の例を示している。この製造方法においては、第1透明絶縁層4Aを形成する工程が、図3〜図9を参照して説明した製造方法と異なる。
10 to 12 show another example of the manufacturing method of the liquid crystal display device A1. In this manufacturing method, the step of forming the first transparent insulating
図10は、半導体層2およびゲート電極31を覆うように透明絶縁層40Aを形成した状態を示している。この製造方法においては、透明絶縁層40Aを図1および図2に示す第1透明絶縁層4Aよりも小さいサイズとしておく。
FIG. 10 shows a state in which the transparent insulating
次いで、図11に示すように、透明絶縁層40Aを覆うようにSiO2の成膜を行う。この成膜は、正珪酸四エチルとO3とを用いたCVD法により行う。一般的なCVD法と異なり、正珪酸四エチルとO3とを用いれば、表面が凹凸状の透明絶縁層40A’を形成することができる。この際、O3濃度としては、3〜6%程度とすることが好ましい。この条件によれば、透明絶縁層40A’の表面粗さRaを100〜300Å程度とすることが可能である。
Next, as shown in FIG. 11, a SiO 2 film is formed so as to cover the transparent insulating
透明絶縁層40A’を形成した後は、この透明絶縁層40A’に対してパターニングを施すことにより、図12に示す第1透明絶縁層4Aを形成する。この後は、図8および図9を参照して説明した製造方法と同じ過程を経ることにより、図1に示す液晶表示装置A1が得られる。このような製造方法によっても、液晶表示装置A1を適切に製造可能である。
After forming the transparent insulating
図13は、本発明の第1の側面に係る液晶表示装置の第2実施形態を示している。本実施形態の液晶表示装置A2は、第1透明絶縁層4Aの起立面4Aaが、上述した第1実施形態とは異なっている。
FIG. 13 shows a second embodiment of the liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention. In the liquid crystal display device A2 of the present embodiment, the upstanding surface 4Aa of the first transparent insulating
本実施形態においては、起立面4Aaは、TFT基板1Aの厚さ方向に対して傾いており、図中上方を向いている。また、起立面4Aaは、凹凸状とはされておらず、比較的平滑な面とされている。このような起立面4Aaは、図6に示した透明絶縁層40Aを形成するためのパターニングにおいて、たとえばエッチング処理の条件を制御することにより、任意の傾斜角を有するものとして形成することができる。
In the present embodiment, the standing surface 4Aa is inclined with respect to the thickness direction of the
このような実施形態によれば、第2透明絶縁層4Bを進行してきた光のうち、特に図中下方から起立面4Aaへと入射する光を全反射するのに適している。すなわち、TFT素子Tあるいは液晶表示装置A2の構造に起因して、ある特定の方向から第1透明絶縁層4Aへと光が向かってくる場合がある。たとえば、第1透明絶縁層4Aに対して図中下方から多くの光が進行してくることが判明した場合には、本実施形態のように、起立面4Aaが図中上方を向くように第1透明絶縁層4Aを形成すればよい。一方、本実施形態とは異なり、第1透明絶縁層4Aに対して図中上方から多くの光が進行してくる場合には、起立面4Aaを図中下下方を向く傾斜面とすればよい。このように、起立面4Aaを平滑な傾斜面とすることにより、特定の方向から進行してくる光を全反射させることが可能である。
According to such an embodiment, it is suitable for total reflection of the light that has traveled through the second transparent insulating
上述した実施形態におけるTFT素子、その他の液晶表示装置各部の構造は、それらの一例でありこれらに限定されるものではない。本発明は、TFT素子の構成部材として光電変換効果が生じる半導体層を有するあらゆる液晶表示装置に適用することができる。 The structure of each part of the TFT element and other liquid crystal display devices in the above-described embodiments is an example thereof and is not limited thereto. The present invention can be applied to any liquid crystal display device having a semiconductor layer that produces a photoelectric conversion effect as a constituent member of a TFT element.
第1透明絶縁層および第2透明絶縁層の材質としては、SiO2およびAl2O3に限定されず、第1透明絶縁層の屈折率の方が第2透明絶縁層の屈折率よりも小さくなる組み合わせであればよい。 The material of the first transparent insulating layer and the second transparent insulating layer is not limited to SiO 2 and Al 2 O 3 , and the refractive index of the first transparent insulating layer is smaller than the refractive index of the second transparent insulating layer. Any combination can be used.
A1,A2 液晶表示装置
T TFT素子
1A TFT基板
1B 対向基板
2 半導体層
4A 第1透明絶縁層
4Aa 起立面
4B 第2透明絶縁層
6A,6B 配向膜
7 液晶層
21 チャネル領域
22 ソース領域
23 ドレイン領域
31 ゲート電極
32 ソース電極
33 ドレイン電極
34 画素電極
35 共通電極
36 中継電極
37 ソース配線
38 ゲート配線
51 ゲート絶縁膜
52 部分絶縁膜
53 保護膜
71 液晶材料
A1, A2 Liquid crystal display device
Claims (9)
上記一対の基板に挟まれた液晶層と、
上記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、
上記複数の画素電極に対応するように上記一方の基板上に配置されており、かつ各々が半導体層を有する複数のTFT素子と、を備える液晶表示装置であって、
各々が上記一方の基板の面内方向において上記各半導体層の四方を囲う複数の第1透明絶縁層と、
上記一方の基板の面内方向において上記複数の第1透明絶縁層の四方を囲う第2透明絶縁層と、をさらに備えており、かつ、
上記第1透明絶縁層は、その屈折率が上記第2透明絶縁層の屈折率よりも小さいことを特徴とする、液晶表示装置。 A pair of substrates;
A liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates,
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on one of the pair of substrates;
A plurality of TFT elements disposed on the one substrate so as to correspond to the plurality of pixel electrodes, and each having a semiconductor layer,
A plurality of first transparent insulating layers each surrounding four sides of each semiconductor layer in the in-plane direction of the one substrate;
A second transparent insulating layer surrounding four sides of the plurality of first transparent insulating layers in the in-plane direction of the one substrate, and
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first transparent insulating layer has a refractive index smaller than that of the second transparent insulating layer.
上記半導体層を形成する工程の後に、上記基板の面内方向において上記半導体層の四方を囲うように第1透明絶縁層を形成する工程と、
上記基板の面内方向において上記第1透明絶縁層の四方を囲うように第2透明絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。 A method for manufacturing a liquid crystal display device comprising a step of forming a semiconductor layer constituting a TFT element on a substrate,
After the step of forming the semiconductor layer, forming a first transparent insulating layer so as to surround four sides of the semiconductor layer in the in-plane direction of the substrate;
And a step of forming a second transparent insulating layer so as to surround four sides of the first transparent insulating layer in the in-plane direction of the substrate.
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