JP2006294848A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】第1の電極膜と強誘電体膜あるいは高誘電率膜と第2の電極膜とからなる積層構造体のドライエッチング方法において、反応生成物の付着・堆積のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第1、第2の電極膜である貴金属をエッチングする場合にはArガスの流量比率を多くしてスパッタエッチング効果を強めると共に、バイアス電源の周波数を低周波にしてイオンの入射をより強くし、低ガス圧にし、強誘電体膜、高誘電率膜はCF4ガスの流量比率を多くして反応性を促進させることにより反応エッチング効果を強め、低ガス圧化、エッチングガス大流量化により反応生成物の付着・堆積を防止する方法とする。
【選択図】図1
【解決手段】第1、第2の電極膜である貴金属をエッチングする場合にはArガスの流量比率を多くしてスパッタエッチング効果を強めると共に、バイアス電源の周波数を低周波にしてイオンの入射をより強くし、低ガス圧にし、強誘電体膜、高誘電率膜はCF4ガスの流量比率を多くして反応性を促進させることにより反応エッチング効果を強め、低ガス圧化、エッチングガス大流量化により反応生成物の付着・堆積を防止する方法とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電素子、焦電素子、薄膜コンデンサ等に用いられる強誘電体膜、高誘電率膜を微細加工するためのドライエッチング方法に関するものである。
従来この種のエッチング方法としては、ウエットエッチング、Arを用いたイオンミリング、塩素ガスを用いた化学的ドライエッチング等で、同じ条件によりエッチングを実施していた。
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1〜4が知られている。
特許第2503662号公報
特開平04−273435号公報
特開平04−323822号公報
特開平05−029262号公報
しかしながら、貴金属は化学的に安定なため、ウエットエッチングではエッチング液が王水等限られたエッチング液しか使用できない。また、貴金属をエッチングするエッチング液では強誘電体膜、および高誘電率膜に損傷を与えてしまうため、同時にウエットエッチングするのは困難である。また、Arの不活性ガスを用いたイオンミリングではエッチング速度が遅く、また、エッチングされた物質がレジストの側壁およびエッチングされた側壁に再付着し、レジスト剥離工程においても溶解または剥離されず壁上に残るため、ショートや断線が起こるという課題がある。
また、ハロゲン系ガスを用いた貴金属のドライエッチングでは、貴金属との反応生成物の蒸気圧が低く、エッチング側壁およびレジスト膜側壁に反応生成物が付着する。また、貴金属のエッチング速度が遅く、有機系レジストのエッチング速度が速いという性質がある。いわゆる選択比が低く、積層構造となっている厚い被エッチング体を全層にわたってエッチングできないという課題があった。
図3(a)〜(d)はこのような問題点を説明するための製造工程図であり、被エッチング体7には基板1の上に第1の電極膜2、その上に強誘電体膜3あるいは高誘電率膜4が形成され、さらにその上に第2の電極膜5が形成された積層体をなしており、その上に所定のパターンを形成するためのレジスト膜6が形成された構成となっている。
例えば、従来のArガスによるイオンミリング、またはArガスだけによるドライエッチング、およびハロゲン系ガスだけによるドライエッチングを行った場合、図3に示すようにレジスト側壁、エッチング面の側壁に側壁付着物8が堆積するというものであった。
本発明は、前記課題を解決しようとするものであり、被エッチング体の側壁およびレジスト側壁への堆積物の付着がなく、積層構造体であっても形状再現性の良いエッチングを行うことが可能なドライエッチング方法を提供することを目的とするものである。
前記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
本発明の請求項1に記載の発明は、特に、第2の電極膜をエッチングする工程と、強誘電体膜または高誘電率膜をエッチングする工程と、第1の電極膜をエッチングする工程とで、エッチングプロセス条件を順次変更して各層で異なるプロセス条件でエッチングするようにした方法のものであり、これにより、エッチング生成された不揮発性の物質がエッチング側壁、およびレジスト側壁に堆積物が付着せずに全層エッチングできるという作用効果を有する。
本発明の請求項2に記載の発明は、特に、ハロゲンガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用い、大流量のガスを流し、かつそのときのガス圧が低くなるように制御し、さらにバイアス電力の周波数が高周波であるというものであり、これにより、エッチング生成された不揮発性の物質がエッチング側壁、およびレジスト側壁に堆積物が付着せずに全層エッチングできるという作用効果を有する。
本発明の請求項3に記載の発明は、特に、ドライエッチングガスとしてCF4ガスとArガスの混合ガスをエッチングガスとして使用するというものであり、これにより、CF4ガスによる化学的エッチング効果と、Arガスによるスパッタエッチング効果で、エッチングガスの混合比率を最適化することにより高速でエッチングしても側壁に堆積物が付着し難いという作用効果を有する。
本発明の請求項4に記載の発明は、特に、ドライエッチングガスとしてSF6ガスとArガスの混合ガスをエッチングガスとして使用するというものであり、これにより、SF6ガスによる化学的エッチング効果と、Arガスによるスパッタエッチング効果で、エッチングガスの混合比率を最適化することにより高速でエッチングしても側壁に堆積物が付着し難いという作用効果を有する。
本発明の請求項5に記載の発明は、特に、強誘電体膜が鉛を含む酸化物であるというものであり、これにより、圧電素子等の電気特性の優れた素子が作成できるという作用効果を有する。
本発明の請求項6に記載の発明は、特に、高誘電率膜がBaStTiO(BST)またはSrTiO3(STO)のいずれかからなるというものであり、これにより、薄膜コンデンサ等の比誘電率の高い素子が作成できるという作用効果を有する。
本発明の請求項7に記載の発明は、特に、貴金属を含む膜の第1の電極膜の材料が、Pt、Au、Pd、Irおよびそれらの化合物のうち少なくとも一つの材料を有するというものであり、これにより、シリコン、強誘電体膜あるいは高誘電率膜に対して相互拡散がなく、シリコンまたはシリコン酸化膜との密着性が良好になるという作用効果を有する。
本発明の請求項8に記載の発明は、特に、貴金属を含む膜の第2の電極膜の材料が、Pt、Au、Pd、Irおよびそれらの化合物のうち少なくとも一つの材料を有するというものであり、これにより、シリコン、強誘電体膜あるいは高誘電率膜に対して相互拡散がなく、シリコンまたはシリコン酸化膜との密着性が良好になるという作用効果を有する。
本発明の請求項9に記載の発明は、特に、エッチングプロセス条件で変更するパラメータが、プラズマ発生電力、ハロゲンガスの流量、不活性ガスの流量、ハロゲンガスと不活性ガスの混合比率、バイアス電力の周波数、エッチング処理時のガス圧のうち少なくとも一つの条件であるというものであり、これにより、第1の電極膜、第2の電極膜、強誘電体膜あるいは高誘電率膜の全層のエッチングを行ってもエッチング側壁およびレジスト側壁への堆積物の付着がなく、形状再現性の良いドライエッチングができるという作用効果を有する。
本発明のドライエッチング方法は、積層構造体の被エッチング体を各層のエッチング時にエッチングプロセス条件であるプラズマ発生電力、ハロゲンガスの流量、不活性ガスの流量、ハロゲンガスと不活性ガスの混合比率、バイアス電力の周波数、エッチング処理時のガス圧等の条件を各層に応じて順次変更して各層で異なる条件でエッチングするようにした方法により、高速でエッチングしてもエッチング側壁およびレジスト側壁への堆積物の付着がなく、形状再現性の良いドライエッチングができるという効果を有する。
(実施の形態)
以下、実施の形態を用いて、本発明の特に全請求項に記載の発明について図面を参照しながら説明する。
以下、実施の形態を用いて、本発明の特に全請求項に記載の発明について図面を参照しながら説明する。
なお、上記背景技術の項において説明したものと同じ構成の部材などについては、同じ符号を付与し詳細な説明は省略する。
図1(a)〜(d)は本発明の一実施の形態におけるエッチング工程を示す被エッチング体の断面図、図2は同実施の形態に用いる誘導結合型プラズマドライエッチング装置の概要を示した断面図である。
以下に図1、図2を用いて本実施の形態のドライエッチング方法を説明する。
まず、被エッチング体7をエッチングするための装置について図2を用いて説明する。処理室15にはエッチング処理に用いるハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給部12と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部13が設けられている。処理室15の内部を所定の圧力に排気する真空ポンプ9、10と、ガスを供給したときに所定のガス圧に保つためのオリフィスバルブ11が設けられている。この処理室15の内部には被エッチング体7を載置するために載置台14が設けられている。載置台14にはバイアス高周波電源21またはバイアス低周波電源22のいずれか一方が接続できるように切替スイッチ20が設けられている。また、処理室15の外部にはプラズマを発生させるためのアンテナ16と、マッチング回路17を介して高周波電源18が接続されている。
なお、本発明では図2に示すような誘導結合型プラズマドライエッチング装置を使用して説明するが、誘導結合型プラズマドライエッチング装置で発生するような高真空下で高密度プラズマを発生することができるECR型プラズマエッチング装置やヘリコン波型プラズマエッチング装置を用いても実施可能である。
次に、被エッチング体7について説明する。
基板1に第1の電極膜2がスパッタ等で形成されている。第1の電極膜2の材質としては基板1と密着性がよく、この第1の電極膜2の上に形成される強誘電体膜3あるいは高誘電率膜4への相互拡散のない貴金属が適している。本実施の形態ではこの貴金属膜をPtとした場合について説明する。密着性向上のため基板1の面にTiを10nm形成してからPtを300〜500nm形成する。
強誘電体膜3は2〜4μmの厚さになるようにスパッタで形成した。高誘電率膜4は薄膜コンデンサ等に用いるため数100nmとした。ここで、膜厚が厚くドライエッチングとしては困難な強誘電体膜3について説明する。
さらにこの上に第2の電極膜5が形成されている。第2の電極膜5の材質としては強誘電体膜3と密着性がよく、また相互拡散のない貴金属、およびワイヤボンディング等、外部接続が容易な材料が適している。本実施の形態ではこの材料をPtと異なるAuとした場合について説明する。また、強誘電体膜3とAuとの密着性向上のため、強誘電体膜3の上にTiを10nm形成した後、Auを200nm形成した。さらに、ドライエッチング加工用のマスクとして有機系のレジスト膜6をスピンコータで10μmの厚みにコーティングし、フォトリソ工程を経て所定のパターン形状を形成した。
つまり本実施の形態では、基板1の上に、第1の電極膜Ti、Pt、強誘電体膜、第2の電極膜Ti、Auという積層構造体となっている。この積層構造体を総称して被エッチング体7と称する。また、エッチングする膜厚が全体で4〜5μmにもなる。
この被エッチング体7をプラズマドライエッチング装置の処理室15内の載置台14に設置する。次に、オリフィスバルブ11を全開にして処理室15を高真空、例えば10-3Paに排気した後、オリフィスバルブ11を絞り、処理室15内にエッチングガスとしてCF4ガスをハロゲンガス供給部12から20sccm供給し、Arガスを不活性ガス供給部13から80sccm供給する。このとき処理室15のガス圧を0.2Paとなるようにオリフィスバルブ11を制御する。
次に、載置台14にはバイアス低周波電源22より500kHzの周波数で400Wの電力で印加すると共に高周波電源18より13.56MHzの高周波を500Wの電力で印加し、処理室15内にプラズマを発生させる。当該プラズマによりレジスト膜6に覆われていない第2の電極膜5のAuがエッチングされる。このとき、レジスト膜6も同時にエッチングされる。このときAuの膜に対するエッチングプロセス条件が最適でないと、上記図3(b)に示すように側壁付着物8が堆積するが、エッチングプロセス条件が最適な場合には図1(b)に示すようなマスク形状に沿ったエッチングが可能となる。
エッチングが進行して、第2の電極膜5がエッチング完了し、強誘電体膜3が露出した時点を発光分光モニター(図示せず)で検出し、次の層の膜、つまり強誘電体膜3のエッチングプロセス条件に切り替える。強誘電体膜3をエッチングする条件としては、CF4ガスを20sccmから80sccmに変更し、Arガスを80sccmから20sccmに変更、バイアス電源22をバイアス電源21に接続できるようスイッチ20で切り替え、13.56MHzの周波数で400Wの電力を印加、高周波電源18を1000Wに出力をアップした。前記同様、このとき強誘電体膜3に対するエッチングプロセス条件が最適でないと、上記図3(c)に示すように側壁付着物8が堆積するが、エッチングプロセス条件が最適な場合には図1(c)に示すようなマスク形状に沿ったエッチングが可能となる。前層と同様にエッチングが進行して強誘電体膜3のエッチングが完了し、第1の電極膜2が露出した時点を同様に発光分光モニターで検出し、次の層の膜、つまり第1の電極膜2のPtをエッチングする条件に切り替える。
第1の電極膜2のPtをエッチングする条件としては、CF4ガスを80sccmから20sccmに変更、Arガスを20sccmから80sccmに変更、バイアス電源を21からバイアス電源22に切り替え、500kHzで400W印加した。また、高周波電源18の出力は1000Wのままとした。以上のような条件でエッチングが進行し、第1の電極膜2がエッチング完了して基板1のSiが露出し、Ptが検出されなくなったことを発光分光モニターで検出するとすべての層のエッチングが完了となる。前記同様、このときPt膜に対するエッチングプロセス条件が最適でないと、上記図3(d)に示すように側壁付着物8が堆積するが、エッチングプロセス条件が最適な場合には図1(d)に示すようなマスク形状に沿ったエッチングが可能となる。
ここで前記のようなプロセス条件としたのは、エッチングされた生成物がエッチング側壁およびレジスト側壁への付着を防止するための最適条件であるからであり、これらの条件から外れると前述したように図3(b)、(c)、(d)に示すような側壁付着物8が堆積し、後工程で様々な不具合が発生する。
ここで、第2の電極膜5のAuのエッチング条件についてもう少し詳細に述べる。Auのドライエッチングの場合、Arガスだけを用いたAuのプラズマエッチング、あるいはハロゲンガスだけを用いたAuのプラズマエッチングでは、Auとの反応生成物の蒸気圧が低く、ガス化しにくいために側壁等に付着し易い。本実施の形態では反応生成物が被エッチング体7側に再付着し難いよう、まず低ガス圧下、例えば0.2Paでのエッチングができるようにした。つまり被エッチング体7上空の反応生成物や堆積物の分圧が下がることによりエッチングガスどうしの衝突頻度が減少し、その結果として堆積物が生成され難くなるためである。また、エッチング速度が速すぎると反応生成物どうしが衝突し、被エッチング体7側にも入射し易くなるため、高周波電源18の出力を少し下げ、プラズマ密度を弱めることによりエッチング速度をコントロールした。また、AuとCF4ガスとの反応生成物は蒸気圧が低く気化し難いが、圧力が下がると反応生成物や堆積物の沸点が下がるため蒸気化し易くなる。さらにCF4ガスが多くなるとレジストと反応してレジスト膜6のエッチング速度が増加し、その反応生成物が付着し易くなるため、CF4ガスよりArガスの流量を多くしている。なおかつバイアス電源の周波数を低周波にすることにより、イオンの入射を増加させて効率的にエッチングができる。
次に、強誘電体膜3のエッチング条件についてもう少し詳細に述べる。
強誘電体膜3は貴金属膜よりCF4ガスと反応し易い。そのためCF4ガス流量をArガス流量よりも多くし、スパッタエッチングより反応エッチングを優先させた。また、バイアス電源はイオンダメージの少ない高周波を用いた。ただし、その反応生成物は蒸気圧が低く、気化し難いため、Auの場合と同様に低ガス圧、例えば0.2Paでエッチングを行った。また、付着、堆積し易い反応生成物を付着、堆積し難い新しいエッチングガスと入れ替えるため、エッチングガスの総流量を100sccmと多量に導入できるようにした。これにより強誘電体膜3のエッチング反応生成物は蒸気圧が低いにも関わらず被エッチング体7に再付着し難くなる。
次に、第1の電極膜2のPtのエッチングについてもう少し詳細に述べる。
基本的には第2の電極膜5のAuの場合と同じような条件であるが、Ptの方がAuよりエッチング速度が遅い。従って、エッチング速度を上げるため高周波電源18の出力を上げてプラズマ密度をより大きくした。
以上のように、各材料に最適なエッチング条件で加工することにより数μmの積層された膜でも側壁に付着、堆積物がなく、形状の安定したドライエッチングができるようになるものである。
本発明にかかるドライエッチング方法は、積層構造体の被エッチング体を各層のエッチング時にエッチングプロセス条件であるプラズマ発生電力、ハロゲンガスの流量、不活性ガスの流量、ハロゲンガスと不活性ガスの混合比率、バイアス電力の周波数、エッチング処理時のガス圧等の条件を各層に応じて順次変更して各層で異なる条件でエッチングする方法により、高速でエッチングしてもエッチング側壁およびレジスト側壁への堆積物の付着がなく、形状再現性の良いドライエッチングができるという効果を有し、圧電素子、焦電素子、薄膜コンデンサ等に用いられる強誘電体膜、高誘電率膜を微細加工するためのドライエッチング方法などの用途として有用である。
1 基板
2 第1の電極膜
3 強誘電体膜
4 高誘電率膜
5 第2の電極膜
6 レジスト膜
7 被エッチング体
8 側壁付着物
9 真空ポンプ
10 真空ポンプ
11 オリフィスバルブ
12 ハロゲンガス供給部
13 不活性ガス供給部
14 載置台
15 処理室
16 アンテナ
17 マッチング回路
18 高周波電源
19 マッチング回路
20 切替スイッチ
21 バイアス高周波電源
22 バイアス低周波電源
2 第1の電極膜
3 強誘電体膜
4 高誘電率膜
5 第2の電極膜
6 レジスト膜
7 被エッチング体
8 側壁付着物
9 真空ポンプ
10 真空ポンプ
11 オリフィスバルブ
12 ハロゲンガス供給部
13 不活性ガス供給部
14 載置台
15 処理室
16 アンテナ
17 マッチング回路
18 高周波電源
19 マッチング回路
20 切替スイッチ
21 バイアス高周波電源
22 バイアス低周波電源
Claims (9)
- 基板の表面に貴金属を含む膜の第1の電極膜を有し、さらにその上に強誘電体膜を有し、さらにその上に貴金属を含む膜の第2の電極膜を有する積層構造体の被エッチング体のドライエッチング方法において、第2の電極膜をエッチングする工程と、強誘電体膜または高誘電率膜をエッチングする工程と、第1の電極膜をエッチングする工程とで、エッチングプロセス条件を順次変更して各層で異なるプロセス条件でエッチングするようにしたドライエッチング方法。
- エッチング処理ガスとしてハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスを用い、ハロゲンガスと不活性ガスの総流量が50SCCM以上、ガス圧が0.1〜0.7Paとし、被エッチング体に高周波電力または低周波電力のバイアス電力を印加するようにした請求項1に記載のドライエッチング方法。
- ハロゲンガスがCF4ガスであり、不活性ガスがArガスの混合ガスである請求項2に記載のドライエッチング方法。
- ハロゲンガスがSF6ガスであり、不活性ガスがArガスの混合ガスである請求項2に記載のドライエッチング方法。
- 強誘電体膜が鉛を含む酸化物からなる請求項1記載のドライエッチング方法。
- 高誘電率膜がBaStTiO(BST)またはSrTiO3(STO)のいずれかからなる請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 貴金属を含む膜の第1の電極膜の材料が、Pt、Au、Pd、Irおよびそれらの化合物のうち少なくとも一つの材料を有する請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 貴金属を含む膜の第2の電極膜の材料が、Pt、Au、Pd、Irおよびそれらの化合物のうち少なくとも一つの材料を有する請求項1に記載のドライエッチング方法。
- エッチングプロセス条件で変更するパラメータが、プラズマ発生電力、ハロゲンガスの流量、不活性ガスの流量、ハロゲンガスと不活性ガスの混合比率、バイアス電力の周波数、エッチング処理時のガス圧のうち少なくとも一つの条件で請求項1に記載のドライエッチング方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009212289A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
JP2012033693A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Hitachi Cable Ltd | 圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイス |
JP2012114156A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Ulvac Japan Ltd | 圧電素子の製造方法 |
JP2016065726A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-28 | 尾池工業株式会社 | バイオセンサ、及びその製造方法 |
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2005
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009212289A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
JP2012033693A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Hitachi Cable Ltd | 圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイス |
US9231185B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-01-05 | Sciocs Company Limited | Method for manufacturing a piezoelectric film wafer, piezoelectric film element, and piezoelectric film device |
JP2012114156A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Ulvac Japan Ltd | 圧電素子の製造方法 |
JP2016065726A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-28 | 尾池工業株式会社 | バイオセンサ、及びその製造方法 |
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