JP2006294686A - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 80
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】分離予定ライン10aで区画されて表面10に複数のデバイスが形成されたウェーハ1の裏面11のうちデバイスに相当する部分にマスキング4を施して分離対応領域11aを露出させるレジスト膜被覆工程と、プラズマエッチングによって裏面11側から分離予定ライン10aをエッチングして分離溝を形成し、個々のデバイスに分割するエッチング工程とから構成され、レジスト膜被覆工程では、表面10側における分離溝の許容最大幅をW1とし、分離対応領域11aの幅をW2とし、ウェーハの厚みをTとした場合、(W1≦W2≦10W1)及び(0.1T≦W2)の関係を有するようにマスキングを施して分離対応領域11aを露出させ、エッチング工程では、分離対応領域11aから分離予定ラインをエッチングし、表面において分離対応領域11aの幅より狭い溝幅を有する分離溝を形成する。
【選択図】図4
Description
(1)ガス:SF6(76ml/分)+He(15ml/分)+O2(27ml/分)
(2)圧力:80[Pa]
(3)出力:2000[W]
(4)ガス供給時間:3[分]
0.1T≦W2・・・・・(関係式2)
(7.9≦20≦79)
となる。また、関係式2については、
5≦20
となり、いずれの関係も成立する。
10:表面
10a:分離予定ライン 10b:デバイス
11:裏面
11a:分離対応領域
12:分離溝
T:ウェーハの厚み
W1:分離溝の最大許容幅 W2:分離対応領域の幅
2:保護部材
3:液状樹脂
4:レジスト膜
t:レジスト膜の厚み
5:プラズマエッチング装置
51:ガス供給部 52:エッチング処理部 53…チャンバ
54:エッチングガス供給手段 55:チャックテーブル 56:軸受け
57:ガス流通孔 57a:噴出部 58:モータ 59:ボールネジ
60:昇降部 61:軸受け 62:吸引源 63:吸引路 64:冷却部
65:冷却路 66:開口部 67:シャッター 68:シリンダ 69:ピストン
70:ガス排出部 71:排気口 72:高周波電源
Claims (2)
- 分離予定ラインによって区画されて表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの裏面のうち該デバイスに相当する部分にマスキングを施して該分離予定ラインに対応する分離対応領域を露出させるレジスト膜被覆工程と、
プラズマエッチングによって該裏面側から該分離予定ラインをエッチングして分離溝を形成し、個々のデバイスに分割するエッチング工程と
から少なくとも構成されるウェーハの分割方法であって、
該レジスト膜被覆工程では、該表面側における分離溝の許容最大幅をW1とし、該分離対応領域の幅をW2とし、該ウェーハの厚みをTとした場合、
(W1≦W2≦10W1)及び(0.1T≦W2)
の関係を有するようにマスキングを施して該分離対応領域を露出させ、
該エッチング工程では、該分離対応領域から該分離予定ラインをエッチングし、該表面において該分離対応領域の幅より狭い溝幅を有する分離溝を形成する
ウェーハの分割方法。 - マスキングの厚みをtとした場合に、0.05T≦t≦2W2の関係が成立する請求項1に記載のウェーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005109825A JP4554419B2 (ja) | 2005-04-06 | 2005-04-06 | ウェーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005109825A JP4554419B2 (ja) | 2005-04-06 | 2005-04-06 | ウェーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006294686A true JP2006294686A (ja) | 2006-10-26 |
JP4554419B2 JP4554419B2 (ja) | 2010-09-29 |
Family
ID=37414964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005109825A Active JP4554419B2 (ja) | 2005-04-06 | 2005-04-06 | ウェーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4554419B2 (ja) |
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2005
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US11894271B2 (en) | 2020-07-22 | 2024-02-06 | Disco Corporation | Method of processing wafer |
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JP4554419B2 (ja) | 2010-09-29 |
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