JP2006294421A - Manufacturing method for light emitting display panel - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a light emitting display panel capable of a low-voltage drive by reducing contact resistance between a negative electrode and a negative electrode lead part, and to provide a light emitting display panel which can be manufactured by the manufacturing method. <P>SOLUTION: In this manufacturing method for the light emitting display panel provided with a plurality of transparent electrodes provided on a substrate, a plurality of metal electrodes disposed facing the transparent electrodes, a luminous layer arranged between the transparent electrodes and the metal electrodes, and an electrode lead part connected with end parts of the metal electrodes in a lead connection part and in which an area where the transparent electrodes and the metal electrodes intersect is a light emitting area, an oxide film formed on a surface of the lead connection part is removed, then, the lead connection part is covered with the end parts of the metal electrodes for connecting the electrode lead parts with the end parts of the metal electrodes. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は発光ディスプレイパネルの製造方法に関し、特に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイパネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting display panel, and more particularly to a method for manufacturing an organic EL (electroluminescence) display panel.

図１に示されるように、従来のパッシブマトリックス型発光ディスプレイパネル、たとえばパッシブマトリックス型有機ＥＬディスプレイパネルは、ガラス基板１の上に、透明導電体（ＩＴＯ：インジウム・スズ酸化物）からなる複数の陽極２、有機ＥＬ材料等からなる発光層３、及び陽極２に対向するアルミニウムなどの金属材料からなる複数の陰極４を順次形成して構成されており、陰極４の各々の端部には陰極引き出し部５が引き出し接続部６において接続されている。発光層３（有機ＥＬ層）のうち、陽極２（透明電極）及び陰極４（金属電極）の交差する領域が発光領域であり、該発光領域を封入するために封止材１０の接着領域７が備えられている。   As shown in FIG. 1, a conventional passive matrix type light emitting display panel, for example, a passive matrix type organic EL display panel has a plurality of transparent conductors (ITO: indium tin oxide) on a glass substrate 1. An anode 2, a light emitting layer 3 made of an organic EL material, and the like, and a plurality of cathodes 4 made of a metal material such as aluminum facing the anode 2 are sequentially formed. The drawer portion 5 is connected at the drawer connection portion 6. Of the light emitting layer 3 (organic EL layer), a region where the anode 2 (transparent electrode) and the cathode 4 (metal electrode) intersect is a light emitting region, and an adhesive region 7 of the sealing material 10 is used to enclose the light emitting region. Is provided.

該ディスプレイパネルにおいては、ディスプレイの画素を形成するため、各電極、すなわち、陽極２や陰極４の分離を行う必要がある。陽極２はフォトリソグラフィー法により分離でき、基板上に複数の分離した陽極列を形成できる。次いで、図２に示すように、陽極の画素となる部分が露出するように、有機樹脂からなる層間絶縁膜８を、基板２の上に前記陽極列の伸長方向およびこれと直交する方向に、厚さ約１μｍ程度で基板全体にパターン形成する。さらに該パターン上、前記陽極列の伸長方向と直交する方向に有機樹脂からなる厚さ約４〜５μｍの隔壁を形成することにより、発光層３及び金属膜（陰極４）を蒸着法等で形成する際に、前記隔壁により、それらは自然と相互に分離される。このようにして、陽極列と直交した陰極列が形成され、陽極列と陰極列の交差する部分に発光画素を得ることができる。また、外部の駆動回路との接続端子にまで配線するために陰極引き出し部５が形成されるが、その配線パターンは陽極形成以前にフォトリソグラフィー法によって形成され、該陰極引き出し部の材料としては、モリブデン、ニッケル、クロム等の比較的安定な金属が用いられている。   In the display panel, it is necessary to separate each electrode, that is, the anode 2 and the cathode 4 in order to form display pixels. The anode 2 can be separated by photolithography, and a plurality of separated anode rows can be formed on the substrate. Next, as shown in FIG. 2, an interlayer insulating film 8 made of an organic resin is formed on the substrate 2 in the extending direction of the anode row and in a direction orthogonal to the anode so that a portion that becomes a pixel of the anode is exposed. A pattern is formed on the entire substrate with a thickness of about 1 μm. Further, on the pattern, a light-emitting layer 3 and a metal film (cathode 4) are formed by vapor deposition or the like by forming a partition wall of about 4 to 5 μm thick made of an organic resin in a direction perpendicular to the extending direction of the anode row. In doing so, they are naturally separated from each other by the partition walls. In this way, a cathode array orthogonal to the anode array is formed, and a light emitting pixel can be obtained at a portion where the anode array and the cathode array intersect. In addition, the cathode lead portion 5 is formed for wiring to a connection terminal with an external drive circuit, and the wiring pattern is formed by a photolithography method before the anode formation. A relatively stable metal such as molybdenum, nickel, or chromium is used.

また、上記のようなパッシブマトリックス型ディスプレイパネルの場合、特に大きな電流が流れる走査電極ラインとして、抵抗の低い陰極（たとえばアルミニウム）が選ばれる。   In the case of the passive matrix display panel as described above, a cathode having a low resistance (for example, aluminum) is selected as a scanning electrode line through which a large current flows.

特開２０００−２４３５５８号公報JP 2000-243558 A

パッシブマトリックス型発光ディスプレイパネル、特にパッシブマトリックス型有機ＥＬディスプレイパネルにおいては、さらなる低駆動電圧化、低消費電流化が望まれているが、そのためには電極の低抵抗化が必須である。しかしながら、上記のような従来のパッシブマトリックス型発光ディスプレイパネルにおいては、陰極２と前記陰極引き出し部５の接触抵抗を測定すると、薄膜金属単体の抵抗値である約１０^−５Ω・ｃｍよりも一桁以上高い抵抗値が得られ、パネルの電圧が設計値よりも１〜５ボルトも高くなっていることが判明した。 In passive matrix light-emitting display panels, in particular, passive matrix organic EL display panels, further lower driving voltage and lower current consumption are desired. To that end, it is essential to reduce the resistance of the electrodes. However, in the conventional passive matrix light emitting display panel as described above, when the contact resistance between the cathode 2 and the cathode lead-out portion 5 is measured, the resistance value of the thin film metal alone is about 10 ⁻⁵ Ω · cm. It has been found that resistance values higher than orders of magnitude are obtained, and the voltage of the panel is 1 to 5 volts higher than the design value.

本発明はかかる点に鑑み、陰極と前記陰極引き出し部の接触抵抗を低減し、低電圧駆動が可能な発光ディスプレイパネルの製造方法及び該製造方法により製造することができることを特徴とする発光ディスプレイパネルを提供することを目的とする。   In view of the above, the present invention reduces the contact resistance between the cathode and the cathode lead-out part, and can produce the light-emitting display panel that can be driven at a low voltage, and the light-emitting display panel can be produced by the method. The purpose is to provide.

前記の高い抵抗値の原因を探るため、陰極引き出し部における陰極との接触部を分析したところ、これは陰極引き出し部の金属膜が、その後のパターン形成・プロセス、前処理プロセスにおいて酸化され、その表面に約５〜１０ｎｍの厚さの酸化膜が形成されており、これが前記の高い抵抗値の原因になっていることが分かってきた。   In order to investigate the cause of the high resistance value, the contact portion of the cathode lead portion with the cathode was analyzed. As a result, the metal film of the cathode lead portion was oxidized in the subsequent pattern formation / process and pretreatment process. It has been found that an oxide film having a thickness of about 5 to 10 nm is formed on the surface, which causes the high resistance value.

この点、特許文献１には、耐久性が高く寿命の長い発光ディスプレイパネルを提供する目的で、陰極引き出し部にモリブデン、ニッケル、タングステン、クロム、金、パラジウム、白金等の高耐食性金属を用いることが開示されている。しかし、金、パラジウム、白金等は貴金属でありコストの増大を招くという問題点がある。他方、モリブデン、ニッケル、タングステン、クロムでも表面が全く酸化されないわけではなく、数ｎｍの酸化膜でも陰極電極のアルミニウムに影響を与えることが分かってきた。   In this regard, Patent Document 1 uses a highly corrosion-resistant metal such as molybdenum, nickel, tungsten, chromium, gold, palladium, or platinum in the cathode lead portion for the purpose of providing a light-emitting display panel that is durable and has a long life. Is disclosed. However, gold, palladium, platinum and the like are noble metals, and there is a problem that the cost increases. On the other hand, it has been found that molybdenum, nickel, tungsten and chromium do not oxidize the surface at all, and even an oxide film of several nm affects the aluminum of the cathode electrode.

そこで、本発明では、電極引き出し部のうち、金属電極の端部との接続部位となる引き出し接続部の表面に形成された酸化膜を除去した後、該接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする。   Therefore, in the present invention, after removing the oxide film formed on the surface of the lead-out connection portion, which is a connection site with the end portion of the metal electrode, of the electrode lead-out portion, the connection portion is connected to the end portion of the metal electrode. By covering, the electrode lead portion is connected to the end portion of the metal electrode.

本発明によれば、陰極と前記陰極引き出し部の接触抵抗を低減することができるため、発光ディスプレイの駆動電圧のより一層の低下が可能となる。   According to the present invention, since the contact resistance between the cathode and the cathode lead-out portion can be reduced, the driving voltage of the light emitting display can be further reduced.

本発明は、基板上に設けられた複数の透明電極、該透明電極に対向配置された複数の金属電極、該透明電極と該金属電極の間に配置された発光層、および引き出し接続部において該金属電極の端部と接続された電極引き出し部とを備え、該透明電極と該金属電極が交差する領域が発光領域となる発光ディスプレイパネルを製造する方法において、
該引き出し接続部表面に形成される酸化膜を除去した後、該接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする発光ディスプレイパネルの製造方法を提供する。 The present invention provides a plurality of transparent electrodes provided on a substrate, a plurality of metal electrodes disposed opposite to the transparent electrodes, a light emitting layer disposed between the transparent electrodes and the metal electrodes, and a lead connection portion. In a method of manufacturing a light emitting display panel comprising an electrode lead portion connected to an end portion of a metal electrode, and a region where the transparent electrode and the metal electrode intersect is a light emitting region,
After removing the oxide film formed on the surface of the lead connection portion, the electrode lead portion is connected to the end portion of the metal electrode by covering the connection portion with the end portion of the metal electrode. to provide a method of manufacturing a light emitting display panel.

該引き出し接続部表面を深さ１０ｎｍ以上にまで除去した後、または該引き出し接続部表面を除去して貫通孔として形成することにより、酸化膜を好適に除去することができる。   After removing the surface of the lead connection part to a depth of 10 nm or more, or removing the surface of the lead connection part to form a through hole, the oxide film can be suitably removed.

図２及び図３には、後述する実施例１及び２において本発明の製造方法により製造される発光ディスプレイパネルの断面構造の具体例を示している。本発明の製造方法においては、たとえば、以下のような工程を順に経ることにより製造することができる。
（１）基板１の上に電極引き出し部５及び複数の透明電極２を形成する工程。
（２）透明電極２の画素となる部分が露出するよう層間絶縁膜８を形成する工程。
（３）該透明電極２と後に形成される金属電極４との間に相当する部位に発光層３を形成させる工程。
（４）レーザービーム等の手段により、電極引き出し部５のうち、後に形成される金属電極４の端部との接続部位となる引き出し接続部９の表面上の酸化膜を除去する工程。
（５）少なくとも発光層３及び引き出し接続部９が被覆されるように金属電極４を形成する工程。
（６）封止材１０により、発光領域を封入する工程。 2 and 3 show specific examples of the cross-sectional structure of the light-emitting display panel manufactured by the manufacturing method of the present invention in Examples 1 and 2 to be described later. In the manufacturing method of this invention, it can manufacture by passing through the following processes in order, for example.
(1) A step of forming the electrode lead portion 5 and the plurality of transparent electrodes 2 on the substrate 1.
(2) A step of forming the interlayer insulating film 8 so that the portion of the transparent electrode 2 to be a pixel is exposed.
(3) The process of forming the light emitting layer 3 in the site | part corresponded between this transparent electrode 2 and the metal electrode 4 formed later.
(4) A step of removing an oxide film on the surface of the lead-out connection portion 9 which becomes a connection portion with the end portion of the metal electrode 4 to be formed later in the electrode lead-out portion 5 by means of a laser beam or the like.
(5) A step of forming the metal electrode 4 so that at least the light emitting layer 3 and the lead-out connection portion 9 are covered.
(6) A step of encapsulating the light emitting region with the encapsulant 10.

本発明の特徴は、金属電極４の端部と電極引き出し部５とを接続する前に、電極引き出し部５のうちの引き出し接続部９の表面の酸化膜を除去することにより、接触抵抗を低減することにあり、各工程及びその順序については、本発明の効果を損なわない範囲で当業者に公知の任意の方法を採ることができる。   The feature of the present invention is that the contact resistance is reduced by removing the oxide film on the surface of the lead connection portion 9 of the electrode lead portion 5 before connecting the end portion of the metal electrode 4 and the electrode lead portion 5. Therefore, for each step and its order, any method known to those skilled in the art can be adopted without departing from the effect of the present invention.

以下、本発明につき、より詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

１．基板１
基板１は、透明基板そのものでもよく、透明基板上に色変調部を設けた色変換フィルタを有するものであってもよい。あるいはまた、必要に応じて、それらを透明性の有機樹脂で被覆したものを基板１として用いてもよい。透明基板は、可視光（波長４００〜７００ｎｍ）に対して透明であり、積層される層の形成に用いられる条件（溶媒、温度等）に耐えるものであるべきであり、および寸法安定性に優れていることが好ましい。好ましい透明基板は、ガラス基板、およびポリオレフィン、アクリル樹脂（ポリメチルメタクリレートを含む）、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレートを含む）、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などの樹脂で形成された剛直性の樹脂基板を含む。あるいはまた、ポリオレフィン、アクリル樹脂（ポリメチルメタクリレートを含む）、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレートを含む）、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などから形成される可撓性フィルムを、基板として用いてもよい。 1. Substrate 1
The substrate 1 may be a transparent substrate itself, or may have a color conversion filter in which a color modulation unit is provided on the transparent substrate. Alternatively, if necessary, a substrate 1 that is coated with a transparent organic resin may be used. The transparent substrate should be transparent to visible light (wavelength 400 to 700 nm), should withstand the conditions (solvent, temperature, etc.) used to form the layer to be laminated, and has excellent dimensional stability. it is preferred that. Preferred transparent substrates include glass substrates and rigid resin substrates formed of resins such as polyolefins, acrylic resins (including polymethyl methacrylate), polyester resins (including polyethylene terephthalate), polycarbonate resins, or polyimide resins. . Alternatively, a flexible film formed from polyolefin, acrylic resin (including polymethyl methacrylate), polyester resin (including polyethylene terephthalate), polycarbonate resin, polyimide resin, or the like may be used as the substrate.

透明基板上に設けられる色変調部は、カラーフィルタ層、色変換層、またはカラーフィルタ層と色変換層との積層体から構成することができる。カラーフィルタ層は、所望される波長域の光のみを透過させる層である。また、色変換層との積層構成を採る場合、色変換層にて波長分布変換された光の色純度を向上させることにカラーフィルタ層は有効である。カラーフィルタ層は、たとえば、市販の液晶用カラーフィルタ材料（富士フイルムアーチ製カラーモザイクなど）を用いて形成することができる。   The color modulation section provided on the transparent substrate can be composed of a color filter layer, a color conversion layer, or a laminate of the color filter layer and the color conversion layer. The color filter layer is a layer that transmits only light in a desired wavelength range. In the case of adopting a laminated structure with the color conversion layer, the color filter layer is effective in improving the color purity of the light subjected to wavelength distribution conversion in the color conversion layer. The color filter layer can be formed using, for example, a commercially available color filter material for liquid crystal (such as a color mosaic manufactured by Fuji Film Arch).

色変換層は、色変換色素とマトリクス樹脂からなる層である。色変換色素は、入射光の波長分布変換を行って、異なる波長域の光を放射する色素であり、好ましくは有機発光層からの近紫外光または青色〜青緑色の光の波長分布変換を行って、所望の波長域の光（たとえば、青色、緑色または赤色）を放射する色素である。色変換色素としては、赤色光を放射するローダミン系色素、シアニン系色素など；緑色光を放射するクマリン系色素、ナフタルイミド系色素など；青色光を放射するクマリン系色素など、当該技術で知られている任意のものを用いることができる。   The color conversion layer is a layer made of a color conversion dye and a matrix resin. The color conversion dye is a dye that converts the wavelength distribution of incident light and emits light in different wavelength ranges, and preferably converts the wavelength distribution of near-ultraviolet light or blue to blue-green light from the organic light emitting layer. Thus, it is a pigment that emits light in a desired wavelength band (for example, blue, green, or red). Color conversion dyes are known in the art, such as rhodamine dyes and cyanine dyes that emit red light; coumarin dyes and naphthalimide dyes that emit green light; and coumarin dyes that emit blue light. Any thing that can be used.

１つの透明基板に、複数種の色変調部、たとえば有機発光層からの光を吸収して赤色光を放射する赤色変調部、緑色光を放射する緑色変調部、青色光を放射する青色変調部などを設けてもよい。複数種の色変調部をマトリクス状に配置することによってフルカラー表示を可能にする構成を採ってもよい。   A plurality of types of color modulation units, for example, a red modulation unit that absorbs light from an organic light emitting layer and emits red light, a green modulation unit that emits green light, and a blue modulation unit that emits blue light on one transparent substrate Etc. may be provided. A configuration that enables full color display by arranging a plurality of types of color modulation units in a matrix may be employed.

色変調部は、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法などを用いて各層の材料を塗布し、続いてフォトリソグラフ法などを用いてパターン形成することができる。必要に応じて、電極形成表面の平坦化を行うための平坦化層（種々の有機樹脂を用いて形成することができる）などを色変調部を覆うように形成して、基板（色変調部が設けられている色変換フィルタ）を有機樹脂で被覆されたものとしてもよい。   The color modulation portion can be formed by applying a material of each layer using a spin coat method, a roll coat method, a cast method, a dip coat method, or the like, and then forming a pattern using a photolithographic method or the like. If necessary, a flattening layer (which can be formed using various organic resins) for flattening the electrode formation surface is formed so as to cover the color modulation unit, and the substrate (color modulation unit) The color conversion filter provided with the above may be coated with an organic resin.

あるいはまた、前記基板と、次に説明する透明電極との間に（すなわち透明基板表面上に、または存在する場合には色変調部を覆うように）、酸素および／または水分などを遮断する機能の一部を負担する基板パッシベーション層（ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ、ＡｌＯ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＴａＯ_ｘ、ＺｎＯ_ｘなどの絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物などを用いて形成することができる）を形成してもよい。通常の場合、基板パッシベーション層は０．１〜１μｍの膜厚を有して形成される。 Alternatively, a function of blocking oxygen and / or moisture between the substrate and the transparent electrode described below (that is, on the surface of the transparent substrate or so as to cover the color modulation portion if present). Insulating inorganic oxides such as SiO _x , SiN _x , SiN _x O _y , AlO _x , TiO _x , TaO _x , ZnO _x , inorganic nitride, inorganic oxynitride, etc. May also be formed using the Usually, the substrate passivation layer is formed with a thickness of 0.1 to 1 μm.

２．透明電極２
透明電極２は、前記基板１上に形成されるが、これは前記透明基板そのものの上に形成されるものでもよいし、前記透明基板／色変換フィルター上に形成するものでもよい。また、通常、前記基板上において、複数の部分電極から構成される。透明電極２は、たとえばスパッタ法を用いてＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）などの導電性金属酸化物を基板１上に堆積させることによって形成できる。透明電極２は、波長４００〜８００ｎｍの光に対して好ましくは５０％以上、より好ましくは８５％以上の透過率を有する。透明電極２は、通常５０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１００〜３００ｎｍの範囲内の厚さを有する。 2. Transparent electrode 2
The transparent electrode 2 is formed on the substrate 1, but it may be formed on the transparent substrate itself or may be formed on the transparent substrate / color conversion filter. In general, the substrate is composed of a plurality of partial electrodes. The transparent electrode 2 is made of, for example, a conductive metal oxide such as SnO ₂ , In ₂ O ₃ , ITO, indium / zinc oxide (IZO), aluminum-doped zinc oxide (ZnO: Al) on the substrate 1 by sputtering. It can be formed by depositing. The transparent electrode 2 has a transmittance of preferably 50% or more, more preferably 85% or more with respect to light having a wavelength of 400 to 800 nm. The transparent electrode 2 has a thickness in the range of usually 50 nm or more, preferably 50 nm to 1 μm, more preferably 100 to 300 nm.

透明電極２を構成する複数の部分電極のそれぞれは、たとえば、第１の方向に延びるストライプ形状であることができる。そして、第１の方向と交差する（好ましくは直交する）第２の方向に延びる複数のストライプ状電極として、後に説明する金属電極４をさらに形成することによって、パッシブマトリクス駆動を行うことができるように構成できる。   Each of the plurality of partial electrodes constituting the transparent electrode 2 may have a stripe shape extending in the first direction, for example. Then, passive matrix driving can be performed by further forming metal electrodes 4 to be described later as a plurality of striped electrodes extending in a second direction intersecting (preferably orthogonally intersecting) the first direction. Can be configured.

３．金属電極４
金属電極４は、通常、後述する発光層３の上に形成されるが、複数の部分電極からなり、高反射率の金属、アモルファス合金、微結晶性合金を用いて形成されることが好ましい。高反射率の金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなどを含む。高反射率のアモルファス合金は、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰおよびＣｒＢなどを含む。高反射率の微結晶性合金は、ＮｉＡｌなどを含む。金属電極４を陰極として用いる場合、金属電極４と後述する発光層３との界面に、後述するバッファ層を設けて発光層３に対する電子注入の効率を向上させてもよい。 3. Metal electrode 4
The metal electrode 4 is usually formed on the light-emitting layer 3 to be described later, but it is preferably composed of a plurality of partial electrodes and using a highly reflective metal, amorphous alloy, or microcrystalline alloy. High reflectivity metals include Al, Ag, Mo, W, Ni, Cr, and the like. High reflectivity amorphous alloys include NiP, NiB, CrP, CrB, and the like. The highly reflective microcrystalline alloy includes NiAl and the like. When the metal electrode 4 is used as a cathode, a buffer layer described later may be provided at the interface between the metal electrode 4 and the light emitting layer 3 described later to improve the efficiency of electron injection into the light emitting layer 3.

金属電極４は、用いる材料に依存して、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーションなどの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。所望の形状を与えるマスクを用いて複数の部分電極からなる金属電極４を形成してもよいし、あるいは、逆テーパー状の断面形状を有する分離隔壁を用いて複数の部分電極からなる金属電極４を形成してもよい。   The metal electrode 4 can be formed using any means known in the art such as vapor deposition (resistance heating or electron beam heating), sputtering, ion plating, laser ablation, etc., depending on the material used. . The metal electrode 4 composed of a plurality of partial electrodes may be formed using a mask that gives a desired shape, or the metal electrode 4 composed of a plurality of partial electrodes using a separation partition having an inversely tapered cross-sectional shape. May be formed.

金属電極４を構成する複数の部分電極のそれぞれは、たとえば、第２の方向に延びるストライプ形状であることができる。ここで、透明電極２に関する第１の方向と、前述の第２の方向とは交差していることが好ましく、直交していることがより好ましい。そのような構成を採ることによって、透明電極２を構成する部分電極の１つと、金属電極４を構成する部分電極の１つとに電界を印加することによって、それら部分電極の交差する部位の発光層を発光させる、パッシブマトリクス駆動を行うことができる。   Each of the plurality of partial electrodes constituting the metal electrode 4 may have a stripe shape extending in the second direction, for example. Here, the first direction related to the transparent electrode 2 and the above-described second direction are preferably crossed, more preferably orthogonal. By adopting such a configuration, by applying an electric field to one of the partial electrodes constituting the transparent electrode 2 and one of the partial electrodes constituting the metal electrode 4, a light emitting layer at a portion where the partial electrodes intersect with each other Can be driven by passive matrix driving.

４．発光層３
発光層３は、通常、前記透明電極２と前記金属電極４の間に形成される。発光層としては、硫化亜鉛などの無機物を用いる無機ＥＬ層、発光体に芳香環化合物などの有機物を用いる有機ＥＬ層等が挙げられるが、カラー化が容易で、無機ＥＬよりはるかに低電圧の直流電流で動作する等の特徴を有する有機ＥＬ層を用いることが好ましい。 4). The light-emitting layer 3
The light emitting layer 3 is usually formed between the transparent electrode 2 and the metal electrode 4. Examples of the light emitting layer include an inorganic EL layer using an inorganic material such as zinc sulfide, an organic EL layer using an organic material such as an aromatic ring compound as a light emitter, and the like. It is preferable to use an organic EL layer having characteristics such as operating with a direct current.

有機ＥＬ層は、有機発光層を少なくとも含み、必要に応じて正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および／または電子注入層を含む。これらの各層は、それぞれにおいて所望される特性を実現するのに充分な膜厚を有して形成される。たとえば、下記のような層構成からなるものが採用される。
（１）有機発光層
（２）正孔注入層／有機発光層
（３）有機発光層／電子注入層
（４）正孔注入層／有機発光層／電子注入層
（５）正孔輸送層／有機発光層／電子注入層
（６）正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（７）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層
（８）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（９）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
（上記の構成において、陽極として機能する電極が左側に接続され、陰極として機能する電極が右側に接続される） The organic EL layer includes at least an organic light emitting layer, and includes a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and / or an electron injection layer as necessary. Each of these layers is formed to have a film thickness sufficient to realize desired characteristics in each layer. For example, what consists of the following layer structures is employ | adopted.
(1) Organic light emitting layer (2) Hole injection layer / organic light emitting layer (3) Organic light emitting layer / electron injection layer (4) Hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer (5) Hole transport layer / Organic light emitting layer / electron injection layer (6) Hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer (7) Hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer (8) Hole injection layer / Hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer (9) Hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer (in the above configuration, the electrode functioning as the anode is on the left side) Connected and the electrode functioning as the cathode is connected to the right side)

有機発光層の材料としては、任意の公知の材料を用いることができる。たとえば、青色から青緑色の発光を得るためには、例えば縮合芳香環化合物、環集合化合物、金属錯体（［トリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム］（Ａｌｑ_３）のようなアルミニウム錯体など）、スチリルベンゼン系化合物[４，４’−ビス（ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）など]、ポルフィリン系化合物、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、芳香族ジメチリジン系化合物などの材料が好ましく使用される。あるいはまた、ホスト化合物にドーパントを添加することによって、種々の波長域の光を発する有機発光層を形成してもよい。ホスト化合物としては、ジスチリルアリーレン系化合物（たとえば出光興産製ＩＤＥ−１２０など）、Ｎ，Ｎ’−ジトリル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルビフェニルアミン（ＴＰＤ）、Ａｌｑ_３等を用いることができる。ドーパントとしては、ペリレン（青紫色）、クマリン６（青色）、キナクリドン系化合物（青緑色〜緑色）、ルブレン（黄色）、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、赤色）、白金オクタエチルポルフィリン錯体（ＰｔＯＥＰ、赤色）などを用いることができる。 Any known material can be used as the material of the organic light emitting layer. For example, in order to obtain light emission from blue to blue-green, for example, a condensed aromatic ring compound, a ring assembly compound, a metal complex (such as an aluminum complex such as [tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum] (Alq ₃ )), Styrylbenzene compounds [4,4′-bis (diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi), etc.], porphyrin compounds, benzothiazole, benzimidazole, benzoxazole, and other fluorescent brighteners, aromatic dimethylidines Materials such as compounds are preferably used. Or you may form the organic light emitting layer which emits the light of a various wavelength range by adding a dopant to a host compound. As the host compound, a distyrylarylene compound (for example, IDE-120 manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.), N, N′-ditolyl-N, N′-diphenylbiphenylamine (TPD), Alq ₃ or the like can be used. As dopants, perylene (blue purple), coumarin 6 (blue), quinacridone compounds (blue green to green), rubrene (yellow), 4-dicyanomethylene-2- (p-dimethylaminostyryl) -6-methyl- 4H-pyran (DCM, red), platinum octaethylporphyrin complex (PtOEP, red), or the like can be used.

正孔注入層の材料としては、フタロシアニン類（Ｐｃ類、ＣｕＰｃなどを含む）またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。正孔輸送層は、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料を用いて形成することができる。用いることができる材料は、好ましくは、ＴＰＤ、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、１，３，５−トリス｛４−［メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル｝ベンゼン（ＭＴＤＡＰＢ、ｏ−，ｍ−，ｐ−）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）などを含む。   As a material for the hole injection layer, phthalocyanines (including Pc, CuPc, etc.) or indanthrene compounds can be used. The hole transport layer can be formed using a material having a triarylamine partial structure, a carbazole partial structure, or an oxadiazole partial structure. The material that can be used is preferably TPD, N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) benzidine (α-NPD), 1,3,5-tris { 4- [methylphenyl (phenyl) amino] phenyl} benzene (MTDAPB, o-, m-, p-), 4,4 ', 4 "-tris [N-3-methylphenyl-N-phenylamino] triphenyl Amine (m-MTDATA) and the like.

電子輸送層の材料としては、Ａｌｑ_３のようなアルミニウム錯体；２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサチアゾール（ＰＢＤ）、１，３，５−トリス［５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサチアゾール−２−イル］ベンゼン（ＴＰＯＢ）のようなオキサジアゾール誘導体；トリアゾール（ＴＡＺ）その他トリアゾール誘導体；以下に示す構造式（Ｉ）の基本骨格を有するトリアジン誘導体；フェニルキノキサリン類；５，５’−ビス（ジメシチルボリル）−２，２’−ビチオフェン（ＢＭＢ−２Ｔ）のようなチオフェン誘導体などを用いることができる。電子注入層の材料としては、Ａｌｑ_３のようなアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムのキノリノール錯体などを用いることができる。 As the material for the electron transport layer, aluminum complexes such as Alq ₃ ; 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxathiazole (PBD), 1, Oxadiazole derivatives such as 3,5-tris [5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxathiazol-2-yl] benzene (TPOB); triazole (TAZ) and other triazole derivatives; the use of such thiophene derivatives such as 5,5'-bis (dimesitylboryl) -2,2'-bithiophene (BMB-2T); triazine derivatives having a basic skeleton of formula (I) shown below; phenylquinoxalines acids can. As the material for the electron injection layer, an aluminum complex such as Alq ₃ or an aluminum quinolinol complex doped with an alkali metal or an alkaline earth metal can be used.

また、任意選択的に、有機ＥＬ層と陰極として用いる電極との界面に、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはそれらを含む合金、アルカリ金属フッ化物などの電子注入性材料の薄膜（膜厚１０ｎｍ以下）で形成されるバッファ層を設けて、電子注入効率を高めてもよい。   Optionally, a thin film (thickness of 10 nm or less) of an electron injecting material such as an alkali metal, an alkaline earth metal, an alloy containing them, or an alkali metal fluoride is formed at the interface between the organic EL layer and the electrode used as the cathode. ) May be provided to increase the electron injection efficiency.

有機ＥＬ層を構成するそれぞれの層および任意選択的には、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。   Each layer constituting the organic EL layer, and optionally, any means known in the art such as vapor deposition (resistance heating or electron beam heating) can be used.

５．電極引き出し部５
電極引き出し部５は、該電極引き出し部５のうちの引き出し接続部６において金属電極４の端部と接続されるものであり、外部の駆動回路との接続端子の役割を果たす。 5). Electrode lead part 5
The electrode lead-out portion 5 is connected to the end portion of the metal electrode 4 at the lead-out connection portion 6 of the electrode lead-out portion 5, and serves as a connection terminal with an external drive circuit.

本発明においては、該引き出し接続部６の表面に形成されている酸化膜を除去した後、該接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部５を該金属電極４の端部と接続する。これにより、金属電極と電極引き出し部の間の接触抵抗を低減することができるため、発光ディスプレイの駆動電圧のより一層の低下が可能となる。   In the present invention, after removing the oxide film formed on the surface of the lead connection portion 6, the electrode lead portion 5 is covered with the metal electrode 4 by covering the connection portion with the end of the metal electrode. Connect to the end of the. Thereby, since the contact resistance between a metal electrode and an electrode drawer | drawing-out part can be reduced, the fall of the drive voltage of a light emission display is attained further.

該電極引き出し部の材料としては、モリブデン、ニッケル、タングステン、若しくはクロムからなる群から選択される単体またはそれらを含む合金であることが、電極引き出しにおける電気抵抗を低下させる点で好ましく、特にモリブデンが酸化されにくく、融点が比較的低い点で好ましい。また、該電極引き出し部は、蒸着法あるいはスパッタ法により形成することができ、その厚みは、電気的接触性の観点から、好ましくは１００ｎｍ〜１０μｍ、より好ましくは２００ｎｍ〜１μｍである。   The material of the electrode lead portion is preferably a simple substance selected from the group consisting of molybdenum, nickel, tungsten, or chromium or an alloy containing them, particularly in terms of reducing the electric resistance in the electrode lead, and molybdenum is particularly preferable. It is preferable in that it is hardly oxidized and has a relatively low melting point. The electrode lead-out portion can be formed by a vapor deposition method or a sputtering method, and the thickness is preferably 100 nm to 10 μm, more preferably 200 nm to 1 μm, from the viewpoint of electrical contact.

また、該引き出し接続部の酸化膜を除去する方法としては、フォトエッチング、ドライエッチング、レーザービームによる除去等を挙げることができるが、特にレーザービームにより行うことが、有機膜へのダメージロス、プロセスの簡便性の観点から好ましい。レーザービームとしては、ナノスケールの金属薄膜の微細加工ができるエキシマレーザーを用いることが好ましい。これらの方法を用いて、好ましくは１０ｎｍ以上の深さの窪みにまで除去することにより、引き出し接続部表面の酸化膜を除去する（実施例１参照）。あるいは引き出し接続部を完全に貫通させて得られる貫通孔とすることでも酸化膜を除去できる（実施例２参照）。また、該窪み及び該貫通孔の直径は、電気的接触性と配線パターン精度の関係から、好ましくは電極引き出し配線幅の８０％以下で、レーザーの直径以上であればよい。   In addition, examples of the method for removing the oxide film at the lead-out connection portion include photo etching, dry etching, removal by a laser beam, etc., but particularly by laser beam, damage loss to the organic film, process It is preferable from the viewpoint of simplicity. As the laser beam, it is preferable to use an excimer laser capable of finely processing a nanoscale metal thin film. Using these methods, the oxide film on the surface of the lead-out connecting portion is removed by removing the pit to a depth of preferably 10 nm or more (see Example 1). Alternatively, the oxide film can also be removed by forming a through-hole obtained by completely penetrating the drawer connecting portion (see Example 2). Also, the diameters of the recess and the through hole are preferably 80% or less of the electrode lead-out wiring width and the laser diameter or more from the relationship between electrical contact and wiring pattern accuracy.

酸化膜の除去工程からその次の金属電極の端部による被覆工程までの間、さらに酸化されることのないよう、できる限り無酸素条件下で行うことが好ましい。   It is preferable to carry out the process under an oxygen-free condition as much as possible so as not to be further oxidized from the oxide film removing step to the next coating step with the end of the metal electrode.

このようにして酸化膜を除去した後の引き出し接続部を、該金属電極の端部で被覆することにより、電極引き出し部を金属電極の端部と接続する。かかる被覆の方法としては、前記のように、用いる材料に依存して、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーションなどの当該技術において知られている任意の手段を用いることができるが、有機膜へのダメージ低減の観点から、特に蒸着法によるのが好ましい。   The lead connection portion after the oxide film is removed in this way is covered with the end portion of the metal electrode, whereby the electrode lead portion is connected to the end portion of the metal electrode. As the coating method, depending on the material used, any means known in the art such as vapor deposition (resistance heating or electron beam heating), sputtering, ion plating, laser ablation, etc. may be used. Although it can be used, the vapor deposition method is particularly preferable from the viewpoint of reducing damage to the organic film.

６．層間絶縁膜８
層間絶縁膜８は、透明電極２と金属電極４の間にあって、発光素子を形成しない部分（非発光素子部分）に施され、発光素子を形成する部分（発光素子部分または画素部分）を開口部とするように、基板全体にパターン形成される絶縁膜である。その厚みは、対向電極間の絶縁破壊やリーク電流等の防止の観点から、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．５〜３μｍである。この膜の上にさらに有機ＥＬ層及び金属電極を形成すると、パターン加工された開口部のみに通電可能となり、その部分のみに発光が得られる。 6). Interlayer insulating film 8
The interlayer insulating film 8 is provided between the transparent electrode 2 and the metal electrode 4 and is applied to a portion where a light emitting element is not formed (non-light emitting element portion), and a portion where the light emitting element is formed (light emitting element portion or pixel portion) is an opening. The insulating film is patterned on the entire substrate. The thickness is preferably 0.1 to 5 μm, more preferably 0.5 to 3 μm, from the viewpoint of preventing dielectric breakdown between the counter electrodes, leakage current, and the like. When an organic EL layer and a metal electrode are further formed on this film, it is possible to energize only the patterned opening, and light emission can be obtained only in that portion.

さらにこのようにパターン加工された層間絶縁膜８の上に、透明電極２を構成するライン上に交差するように、より好ましくは直交するように絶縁性隔壁を形成できる。この隔壁は好ましくは逆テーパ状に形成される。これにより、金属電極を基板面上に一様に形成するとき、この隔壁により金属電極は分断され、自然に各部分電極に分離される。該隔壁の厚みは、有機層や陰極の分離を確実に行う観点から、好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは２〜８μｍである。   Furthermore, an insulating partition can be formed on the interlayer insulating film 8 patterned in this manner so as to intersect with a line constituting the transparent electrode 2 and more preferably to be orthogonal. This partition is preferably formed in a reverse taper shape. As a result, when the metal electrode is uniformly formed on the substrate surface, the metal electrode is divided by the partition walls and is naturally separated into the partial electrodes. The thickness of the partition wall is preferably 0.5 to 10 μm, more preferably 2 to 8 μm from the viewpoint of reliably separating the organic layer and the cathode.

絶縁膜８を形成するのに好ましい材料は、無機物としては、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ、ＡｌＯ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＴａＯ_ｘ、ＺｎＯ_ｘなどの無機酸化物、無機窒化物および無機酸化窒化物、有機物としては、レジスト材料、ポリイミドなどの高分子材料である。 Preferred materials for forming the insulating film 8 include inorganic oxides such as SiO _x , SiN _x , SiN _x O _y , AlO _x , TiO _x , TaO _x , ZnO _x , inorganic nitride, and inorganic oxide. Nitride and organic materials are resist materials and polymer materials such as polyimide.

層間絶縁膜８は、無機物の場合、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーション、また、有機物の場合、スピンコート法、キャスト法などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。層間絶縁膜８のパターン加工には、フォトエッチング、ドライエッチング、リフトオフ法などの当該技術において知られている任意の手段を用いることができる。   The interlayer insulating film 8 is known in the art such as vapor deposition (resistance heating or electron beam heating), sputtering, ion plating, laser ablation in the case of an inorganic substance, and spin coating method, casting method or the like in the case of an organic substance. It can be formed using any means. For pattern processing of the interlayer insulating film 8, any means known in the art such as photo etching, dry etching, lift-off method can be used.

次に、隔膜形成工程は、前記層間絶縁膜８上にＳｉＯ_ｘなどの無機物、レジスト、ポリイミドなど有機物からなる隔壁材料層を成膜し、ドライエッチング法又はウエットエッチング法によって逆テーパ形状を形成する。逆テーパの角度は、金属電極の分離加工が可能である角度であることが望ましい。 Next, in the diaphragm forming step, a partition wall material layer made of an inorganic material such as SiO _x , an organic material such as resist or polyimide is formed on the interlayer insulating film 8, and a reverse taper shape is formed by a dry etching method or a wet etching method. . The angle of the reverse taper is preferably an angle at which the metal electrode can be separated.

ＶＧＡ規格（４００×ＲＧＢ×３００）のディスプレイの作製を行った。画素ピッチは１．０１６ｍｍである。ＲＧＢ副画素サイズは、０．１４８ｍｍ×０．０７４ｍｍ、副画素間隔は０．１３０ｍｍとし、画素サイズは０．０７４ｍｍ×０．０７４ｍｍ、画素間隔は０．３１２ｍｍとした。   A VGA standard (400 × RGB × 300) display was produced. The pixel pitch is 1.016 mm. The RGB subpixel size was 0.148 mm × 0.074 mm, the subpixel interval was 0.130 mm, the pixel size was 0.074 mm × 0.074 mm, and the pixel interval was 0.312 mm.

（有機ＥＬ素子基板の作製）
５００ｍｍ×５００ｍｍ×０．５０ｍｍのガラス基板１上に、上記画素構成の２０インチ表示部（４００×ＲＧＢ×３００）を形成した。その作製法を以下に示す。 (Preparation of Organic EL device substrate)
A 20-inch display unit (400 × RGB × 300) having the above-described pixel configuration was formed on a glass substrate 1 having a size of 500 mm × 500 mm × 0.50 mm. Showing a manufacturing method below.

まず、陰極引き出し部５及び陽極２の補助電極部として、抵抗率１．５×１０^−５[Ω・ｃｍ]のＭｏ上にレジスト剤ＯＦＲＰ−８００（商品名、東京応化製）を塗布した後、フォトリソグラフィー法にてパターン形成を行った。 First, after applying a resist OFRP-800 (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) on Mo having a resistivity of 1.5 × 10 ⁻⁵ [Ω · cm] as an auxiliary electrode part of the cathode lead part 5 and the anode 2. Then, pattern formation was performed by a photolithography method.

次いで、スパッタ法にて陽極として透明電極（ＩＴＯ）を全面製膜した。ＩＴＯ上にレジスト剤ＯＦＲＰ−８００（商品名、東京応化製）を塗布した後、フォトリソグラフィー法にてパターン形成を行い、幅０．２０４ｍｍ、間隙０．０４８ｍｍ、膜厚１００ｎｍのストライプパターンからなる陽極２を得た。   Next, a transparent electrode (ITO) was formed on the entire surface as an anode by sputtering. A resist agent OFRP-800 (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied onto ITO, and then a pattern is formed by a photolithography method to form an anode having a stripe pattern having a width of 0.204 mm, a gap of 0.048 mm, and a film thickness of 100 nm. 2 was obtained.

次いで、ポジ型フォトレジストＷＩＸ−２Ａ（商品名、日本ゼオン製）を用いて、前記副画素に対応する開口部を残して、基板面全面に厚さ１μｍの絶縁膜を形成した（陰極伸長方向に幅１４０μｍ、透明電極２に直交する方向に幅１３０μｍ）。絶縁膜端部の開口部端部に対する角度は、膜の密着性を確保するため鋭角となっている。   Next, using a positive photoresist WIX-2A (trade name, manufactured by ZEON CORPORATION), an insulating film having a thickness of 1 μm was formed on the entire surface of the substrate, leaving an opening corresponding to the sub-pixel (cathode extension direction). 140 μm wide and 130 μm wide in the direction perpendicular to the transparent electrode 2). The angle of the end portion of the insulating film with respect to the end portion of the opening is an acute angle in order to ensure the adhesion of the film.

また、本実施例では、絶縁膜８としてポジ型フォトレジストを用いたが、他にアクリレート等のフォトレジストや、ポリイミド材料等を用いることができる。絶縁膜８の膜厚は、パネル駆動時に印加される電圧から算出される絶縁耐圧を持つ必要があり、本実施例でに用いたポジ型フォトレジストでは、およそ８００ｎｍ以上の膜厚で形成することにより、十分な絶縁耐圧を持つことができた。   In this embodiment, a positive photoresist is used as the insulating film 8, but a photoresist such as acrylate, a polyimide material, or the like can also be used. The film thickness of the insulating film 8 needs to have a withstand voltage calculated from the voltage applied at the time of driving the panel, and the positive photoresist used in this embodiment is formed with a film thickness of about 800 nm or more. Therefore, it was possible to have a sufficient withstand voltage.

次いで、ネガ型フォトレジストＺＰＮ１１００（商品名、日本ゼオン製）を用いて、ＩＴＯ電極のストライプパターンと直交して、隣り合う画素と画素の真中に、厚さ４μｍの隔壁を形成した。隔壁の幅は、画素間隙間隔以下、好ましくは画素間隙間隔より５０μｍ以下であり、１００μｍ以上であればよい。本実施例では、逆テーパ状であり、その上部幅２３０μｍ、底部幅１３０μｍであり、ピッチは１．０１６μｍである。隔壁の端部は陰極伸長方向に垂直に伸びる隔壁によって連結されているようにした。   Next, using a negative photoresist ZPN1100 (trade name, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.), a partition wall having a thickness of 4 μm was formed in the middle of the pixel and adjacent pixels perpendicular to the stripe pattern of the ITO electrode. The width of the partition wall is not more than the pixel gap interval, preferably not more than 50 μm from the pixel gap interval, and may be 100 μm or more. In this embodiment, it has an inverse taper shape, its top width is 230 μm, bottom width is 130 μm, and the pitch is 1.016 μm. The ends of the barrier ribs were connected by barrier ribs extending perpendicular to the cathode extension direction.

次いで、前記陽極２を形成した基板を抵抗過熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を真空を破らずに順次、成膜した。成膜に際しては、真空槽内圧を１×１０^−４Ｐａにまで減圧した。正孔注入層は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍの厚みに積層した。正孔輸送層は、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、ゲストは、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）とした。電子注入層は、アルミキレート［Ａｌｑ_３：トリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム］を２０ｎｍの厚みで積層した。 Next, the substrate on which the anode 2 was formed was mounted in a resistance overheating vapor deposition apparatus, and a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron injection layer were sequentially formed without breaking the vacuum. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 ⁻⁴ Pa. As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) was laminated to a thickness of 100 nm. The hole transport layer is 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi), and the guest is 4,4′-bis [2- {4- (N, N-diphenylamino) phenyl. } Vinyl] biphenyl (DPAVBi). The electron injection layer was formed by laminating aluminum chelate [Alq ₃ : tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum] with a thickness of 20 nm.

この後に、ＫｒＦエキシマレーザーを、レーザースポット径５０μｍ、レーザー出力７０ｍＪ／パルス〜４５０ｍＪ／パルスの条件で用いて、陰極パッド部のＭｏ膜に深さ１０ｎｍの窪み９を形成した。   Thereafter, a KrF excimer laser was used under the conditions of a laser spot diameter of 50 μm and a laser output of 70 mJ / pulse to 450 mJ / pulse to form a recess 9 having a depth of 10 nm in the Mo film of the cathode pad portion.

この後、メタルマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＡｌ層からなる電極４を真空を破らずに形成した。   Thereafter, an electrode 4 made of an Al layer having a thickness of 200 nm was formed using a metal mask without breaking the vacuum.

得られた２０インチディスプレイは、１５Ｖの駆動電圧を印加することにより、１００〜３００ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光した。 The obtained 20-inch display emitted light with a luminance of 100 to 300 cd / m ² by applying a driving voltage of 15V.

実施例１において、ＫｒＦエキシマレーザーを、レーザースポット径５０μｍ、レーザー出力１００ｍＪ／パルス〜４５０ｍＪ／パルスの条件で用いて、陰極パッド部のＭｏ膜に、径７０μｍで深さ１００ｎｍの貫通孔を形成した。   In Example 1, a KrF excimer laser was used under the conditions of a laser spot diameter of 50 μm and a laser output of 100 mJ / pulse to 450 mJ / pulse, and a through-hole having a diameter of 70 μm and a depth of 100 nm was formed in the Mo film of the cathode pad portion. .

得られた２０インチディスプレイは、１６Ｖの駆動電圧を印加することにより、１５０〜３００ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光した。 The obtained 20-inch display emitted light with a luminance of 150 to 300 cd / m ² by applying a driving voltage of 16V.

（比較例）
陰極パッド部のＭｏ膜の表面の酸化膜を除去しないで（窪みあるいは貫通孔を形成しないで）、陰極をその上に堆積した２０インチディスプレイでは、１５０ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光させるには、２０Ｖ以上の電圧を印加する必要があった。 (Comparative example)
In a 20-inch display having a cathode deposited thereon without removing the oxide film on the surface of the Mo film in the cathode pad portion (without forming a recess or a through hole), to emit light with a luminance of 150 cd / m ² , It was necessary to apply a voltage of 20 V or higher.

本発明の発光ディスプレイパネルの製造方法は、低駆動電圧化、低消費電流化が望まれているパッシブマトリックス型発光ディスプレイパネル、特にパッシブマトリックス型有機ＥＬディスプレイパネルの製造のために好適に用いることができる。   The method for manufacturing a light emitting display panel of the present invention is preferably used for manufacturing a passive matrix type light emitting display panel, particularly a passive matrix type organic EL display panel, for which low driving voltage and low current consumption are desired. it can.

陰極引き出し部を有する典型的な発光ディスプレイの平面図を示す。1 shows a plan view of a typical light emitting display having a cathode lead. 従来の発光ディスプレイ構造端部における断面構造を示す。The cross-sectional structure in the edge part of the conventional light emission display structure is shown. 本発明の発光ディスプレイ構造端部における断面構造の一例を示す（実施例１）。(Example 1) which shows an example of the cross-sectional structure in the light emission display structure edge part of this invention. 本発明の発光ディスプレイ構造端部における断面構造の一例を示す（実施例２）。An example of the cross-sectional structure in the edge part of the light emission display structure of this invention is shown (Example 2).

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板
２ 透明電極
３ 発光層
４ 金属電極
５ 電極引き出し部
６ 引き出し接続部
７ 封止材の接着領域
８ 層間絶縁膜
９ 引き出し接続部に形成された窪み孔ないし貫通孔
１０ 封止材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Transparent electrode 3 Light emitting layer 4 Metal electrode 5 Electrode extraction part 6 Drawer connection part 7 Adhesion area | region of sealing material 8 Interlayer insulating film 9 Recessed hole or through-hole formed in extraction connection part 10 Sealing material

Claims (5)

基板上に設けられた複数の透明電極、該透明電極に対向配置された複数の金属電極、該透明電極と該金属電極の間に配置された発光層、および引き出し接続部において該金属電極の端部と接続された電極引き出し部とを備え、該透明電極と該金属電極が交差する領域が発光領域となる発光ディスプレイパネルを製造する方法において、
該引き出し接続部表面に形成される酸化膜を除去した後、該引き出し接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする発光ディスプレイパネルの製造方法。 A plurality of transparent electrodes provided on the substrate; a plurality of metal electrodes disposed opposite to the transparent electrodes; a light emitting layer disposed between the transparent electrodes and the metal electrode; and an end of the metal electrode in the lead-out connecting portion In a method for manufacturing a light emitting display panel comprising an electrode lead portion connected to a portion, and a region where the transparent electrode and the metal electrode intersect is a light emitting region,
After the oxide film formed on the surface of the lead connection portion is removed, the electrode lead portion is connected to the end portion of the metal electrode by covering the lead connection portion with the end portion of the metal electrode. A method for manufacturing a light-emitting display panel. 基板上に設けられた複数の透明電極、該透明電極に対向配置された複数の金属電極、該透明電極と該金属電極の間に配置された発光層、および引き出し接続部において該金属電極の端部と接続された電極引き出し部とを備え、該透明電極と該金属電極が交差する領域が発光領域となる発光ディスプレイパネルを製造する方法において、
該引き出し接続部表面を深さ１０ｎｍ以上にまで除去した後、または該引き出し接続部表面を除去して貫通孔として形成した後、該引き出し接続部を該金属電極の端部で被覆することにより、該電極引き出し部を該金属電極の端部と接続することを特徴とする発光ディスプレイパネルの製造方法。 A plurality of transparent electrodes provided on the substrate; a plurality of metal electrodes disposed opposite to the transparent electrodes; a light emitting layer disposed between the transparent electrodes and the metal electrode; and an end of the metal electrode in the lead-out connecting portion In a method for manufacturing a light emitting display panel comprising an electrode lead portion connected to a portion, and a region where the transparent electrode and the metal electrode intersect is a light emitting region,
After removing the surface of the lead connection part to a depth of 10 nm or more, or after removing the surface of the lead connection part and forming it as a through-hole, by covering the lead connection part with the end of the metal electrode, A method of manufacturing a light-emitting display panel, wherein the electrode lead portion is connected to an end portion of the metal electrode. 前記引き出し接続部表面の除去を、レーザービームにより行うことを特徴とする請求項１または２に記載の発光ディスプレイパネルの製造方法。   3. The method of manufacturing a light emitting display panel according to claim 1, wherein the surface of the lead-out connection portion is removed by a laser beam. 前記電極引き出し部が、モリブデン、ニッケル、タングステン、若しくはクロムからなる群から選択される単体またはそれらを含む合金であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の発光ディスプレイパネルの製造方法。   4. The method for manufacturing a light-emitting display panel according to claim 1, wherein the electrode lead-out portion is a simple substance selected from the group consisting of molybdenum, nickel, tungsten, or chromium, or an alloy containing them. 前記発光層が、有機エレクトロルミネッセンス材料からなることを特徴とする請求項１乃至４に記載の発光ディスプレイパネルの製造方法。
The method for manufacturing a light-emitting display panel according to claim 1, wherein the light-emitting layer is made of an organic electroluminescent material.

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