JP2006286251A - Surge absorber - Google Patents
Surge absorber Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006286251A JP2006286251A JP2005101354A JP2005101354A JP2006286251A JP 2006286251 A JP2006286251 A JP 2006286251A JP 2005101354 A JP2005101354 A JP 2005101354A JP 2005101354 A JP2005101354 A JP 2005101354A JP 2006286251 A JP2006286251 A JP 2006286251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge absorber
- main discharge
- pair
- glass
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、サージから様々な機器を保護し、事故を未然に防ぐのに使用するサージアブソーバに関する。 The present invention relates to a surge absorber used to protect various devices from surges and prevent accidents.
電話機、ファクシミリ、モデムなどの通信機器用の電子機器が通信線との接続する部分、電源線、アンテナあるいはCRT駆動回路など、雷サージや静電気などの異常電流(サージ電流)や異常電圧(サージ電圧)による電撃を受けやすい部分には、異常電圧によって電子機器やこの機器を搭載するプリント基板の熱的損傷または発火などによる破壊を防止するために、サージアブソーバが接続されている。 Abnormal currents (surge currents) and abnormal voltages (surge voltages) such as lightning surges, static electricity, etc., such as parts where electronic devices for communication equipment such as telephones, facsimiles and modems are connected to communication lines, power lines, antennas or CRT drive circuits A surge absorber is connected to a portion that is easily subjected to electric shock due to the electrical shock in order to prevent destruction due to abnormal damage due to thermal damage or ignition of an electronic device or a printed circuit board on which the device is mounted.
従来、例えばマイクロギャップを有するサージ吸収素子を用いたサージアブソーバが提案されている。このサージアブソーバは、導電性被膜で被覆した円柱状のセラミックス部材の周面に、いわゆるマイクロギャップが形成され、セラミックス部材の両端に一対のキャップ電極を有するサージ吸収素子が封止ガスと共にガラス管内に収容され、円筒状のガラス管の両端にリード線を有する封止電極が高温加熱で封止された放電型サージアブソーバである(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, for example, a surge absorber using a surge absorbing element having a micro gap has been proposed. In this surge absorber, a so-called microgap is formed on the peripheral surface of a cylindrical ceramic member coated with a conductive film, and a surge absorbing element having a pair of cap electrodes at both ends of the ceramic member is placed in a glass tube together with a sealing gas. It is a discharge type surge absorber in which sealed electrodes having lead wires at both ends of a cylindrical glass tube are sealed by high-temperature heating (see, for example, Patent Document 1).
また、機器の小型化に伴い、表面実装化が進んでいる。上記サージアブソーバに適応した例としては、面実装型(メルフ型)として、封止電極にリード線がなく、実装するときには封止電極と基板側とをハンダ付けで接続して固定するものがある(例えば、特許文献2参照)。
このサージアブソーバ200は、図18に示すように、一面に中央の放電ギャップ201を介して導電性被膜202が分割形成された板状セラミックス203と、この板状セラミックス203の両端に配置された一対の封止電極205と、これら封止電極205を両端に配して板状セラミックス203を封止ガス206と共に封止する筒型セラミックス207とを備えている。
この封止電極205は、端子電極部材208と、この端子電極部材208と電気的に接続して導電性被膜202に接触する板バネ導体209とによって構成されている。
As shown in FIG. 18, the surge absorber 200 includes a plate-like ceramic 203 in which a
The sealing
しかしながら、上記従来のサージアブソーバには、以下の課題が残されている。すなわち、上記従来のサージアブソーバでは、封止ガスがアルゴン、クリプトン、キセノンのうちの少なくとも1種を含有すると、製造条件によっては異常電流や異常電圧を加えた後における放電開始電圧が安定せず、サージアブソーバの放電開始電圧の精度を維持することが困難である。 However, the following problems remain in the conventional surge absorber. That is, in the conventional surge absorber, when the sealing gas contains at least one of argon, krypton, and xenon, the discharge start voltage after applying an abnormal current or abnormal voltage is not stable depending on manufacturing conditions, It is difficult to maintain the accuracy of the discharge start voltage of the surge absorber.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、繰り返しサージを印加しても、安定した放電開始電圧を有するサージアブソーバを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a surge absorber having a stable discharge start voltage even when a surge is repeatedly applied.
本発明者らは、封止ガスがアルゴン、クリプトン、キセノンのうちの少なくとも1種を含有するサージアブソーバの放電開始電圧が不安定となる原因を研究した結果、異常電流や異常電圧によって封止ガスの圧力が変動することにより、放電開始電圧が不安定となることが判明した。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
The present inventors have studied the cause of the unstable discharge start voltage of a surge absorber containing at least one of argon, krypton, and xenon. It has been found that the discharge start voltage becomes unstable due to the fluctuation of the pressure of.
Therefore, the present invention has been obtained from the above findings, and the following configuration has been adopted in order to solve the above problems.
すなわち、本発明にかかるサージアブソーバは、放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された絶縁性部材と、該絶縁性部材を介して対向配置されて前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、該一対の主放電電極部材の間に配置されて前記絶縁性部材をアルゴン、クリプトン、キセノンのうちの少なくとも1種を含有する封止ガスと共に封入する絶縁性管とを備えるサージアブソーバにおいて、前記絶縁性管の内部に、ガラス部材が封入され、前記封止ガスの圧力が、前記放電ギャップでの放電開始電圧が最小となる圧力よりも高いことを特徴とする。 That is, the surge absorber according to the present invention includes an insulating member in which a conductive film is divided and formed through a discharge gap, and a pair of main discharges that are arranged to face each other through the insulating member and contact the conductive film. Surge absorber comprising: an electrode member; and an insulating tube disposed between the pair of main discharge electrode members and sealing the insulating member together with a sealing gas containing at least one of argon, krypton, and xenon In the method, a glass member is enclosed in the insulating tube, and the pressure of the sealing gas is higher than a pressure at which a discharge start voltage in the discharge gap is minimized.
この発明によれば、外部から侵入したサージなどの異常電流や異常電圧が、放電ギャップでの放電をトリガとし、一対の主放電電極部材の対向する面である主放電面間で主放電が行われることで吸収される。この際、封止ガスがアルゴン、クリプトン、キセノンのうちの少なくとも1種を含有していると、異常電流や異常電圧を加えることによって封止ガスの圧力が変動し、これにより放電開始電圧の変動が発生する。この封止ガスの圧力に起因する放電開始電圧の変動は、放電ギャップでの放電開始電圧が最小となる圧力よりも高い方が、低い方と比較して小さい。そこで、封止ガスの圧力を放電開始電圧が最小となるときの圧力よりも高い圧力で封入することによって、放電開始電圧の変動を小さくすることができる。
また、絶縁性部材を封止ガスと共に絶縁性管内に封止する封止工程や主放電時に、ガラス部材が加熱溶融し、主放電面が溶融したガラス部材で被覆され、この際、ガラス部材が酸化剤として機能することで、主放電面が主放電面の金属成分で形成された酸化物層で被覆される。ここで、封止ガスの圧力を放電開始電圧が最小となるときの圧力よりも高い圧力で封入しているので、主放電時に陰極に衝突するイオン数が増大するが、主放電面がガラス部材あるいは酸化物層によって被覆されているため、主放電時に主放電面の金属成分が飛散して放電ギャップや絶縁性管の内壁などに付着することを抑制する。
さらに、主放電によって主放電面を被覆しているガラス部材あるいはガラス部材によって形成された酸化物層が損傷した場合であっても、加熱溶融した他の部分のガラス部材が損傷した箇所を被覆する。
したがって、繰り返しサージによる異常電流や異常電圧を加えても、放電開始電圧が安定すると共に主放電面の金属成分の飛散が抑制されることで、高精度、長寿命化されたサージアブソーバとすることが可能となる。
According to the present invention, an abnormal current such as a surge or an abnormal voltage entering from the outside is triggered by a discharge in the discharge gap, and a main discharge is performed between the main discharge surfaces that are opposed surfaces of the pair of main discharge electrode members. Absorbed. At this time, if the sealing gas contains at least one of argon, krypton, and xenon, the pressure of the sealing gas fluctuates by applying an abnormal current or abnormal voltage, thereby varying the discharge start voltage. Occurs. The variation in the discharge start voltage due to the pressure of the sealing gas is smaller when the pressure is higher than the pressure at which the discharge start voltage at the discharge gap is minimum compared with the lower one. Therefore, by encapsulating the sealing gas at a pressure higher than the pressure at which the discharge start voltage is minimized, fluctuations in the discharge start voltage can be reduced.
In addition, during the sealing step of sealing the insulating member in the insulating tube together with the sealing gas or during the main discharge, the glass member is heated and melted, and the main discharge surface is covered with the molten glass member. By functioning as an oxidant, the main discharge surface is covered with an oxide layer formed of a metal component of the main discharge surface. Here, since the pressure of the sealing gas is sealed at a pressure higher than the pressure at which the discharge start voltage is minimized, the number of ions that collide with the cathode during main discharge increases, but the main discharge surface is a glass member. Or since it is coat | covered with the oxide layer, it suppresses that the metal component of a main discharge surface disperses at the time of main discharge, and adheres to a discharge gap, the inner wall of an insulating tube, etc.
Further, even if the glass member covering the main discharge surface by the main discharge or the oxide layer formed by the glass member is damaged, the portion where the glass member of the other part heated and melted is damaged is covered. .
Therefore, even if an abnormal current or voltage due to repeated surges is applied, the discharge start voltage is stabilized and the scattering of metal components on the main discharge surface is suppressed, resulting in a highly accurate and long-life surge absorber. Is possible.
また、本発明にかかるサージアブソーバは、前記ガラス部材が、前記絶縁性管の内壁を被覆していることが好ましい。
この発明によれば、封止工程及び主放電時に、絶縁性管の内壁を被覆しているガラス部材が加熱溶融して、主放電面を被覆する。また、ガラス部材が酸化剤として機能することで、主放電面が主放電面の金属成分で形成された酸化物層で被覆される。
In the surge absorber according to the present invention, it is preferable that the glass member covers an inner wall of the insulating tube.
According to this invention, during the sealing step and main discharge, the glass member covering the inner wall of the insulating tube is heated and melted to cover the main discharge surface. Further, since the glass member functions as an oxidant, the main discharge surface is covered with an oxide layer formed of a metal component of the main discharge surface.
また、本発明にかかるサージアブソーバは、前記ガラス部材が、前記一対の主放電電極部材の対向する面である主放電面を被覆していることが好ましい。
この発明によれば、主放電時に主放電面の金属成分が飛散して放電ギャップや絶縁性管の内壁などに付着することを抑制する。また、主放電によってガラス部材が損傷しても、加熱溶融した他の部分のガラス部材が被覆剤や酸化剤として機能することで、主放電時に主放電面の金属成分が飛散することを抑制する。
In the surge absorber according to the present invention, it is preferable that the glass member covers a main discharge surface which is a surface of the pair of main discharge electrode members facing each other.
According to the present invention, the metal component on the main discharge surface is prevented from scattering and adhering to the discharge gap, the inner wall of the insulating tube, or the like during the main discharge. Moreover, even if the glass member is damaged by the main discharge, the glass member of the other part that is heated and melted functions as a coating agent or an oxidant, thereby suppressing the metal component on the main discharge surface from being scattered during the main discharge. .
また、本発明にかかるサージアブソーバは、前記ガラス部材が、一方の前記一対の主放電電極部材から他方の該一対の主放電電極部材にわたって装填されていることが好ましい。
この発明によれば、封止工程及び主放電時に、加熱溶融したガラス部材が被覆剤や酸化剤として機能し、主放電時に主放電面の金属成分が飛散することを抑制する。また、絶縁性管の内部に、一対の主放電電極部材の一方から他方にわたってガラス部材を装填することで、放電開始電圧を高く設定することができる。
In the surge absorber according to the present invention, the glass member is preferably loaded from one pair of main discharge electrode members to the other pair of main discharge electrode members.
According to this invention, the glass member that has been heated and melted functions as a coating agent or an oxidizing agent during the sealing step and the main discharge, and the metal component on the main discharge surface is prevented from being scattered during the main discharge. Moreover, the discharge start voltage can be set high by loading a glass member from one side of the pair of main discharge electrode members to the other inside the insulating tube.
また、本発明にかかるサージアブソーバは、前記ガラス部材が、粒状であることが好ましい。
また、本発明にかかるサージアブソーバは、前記ガラス部材が、発泡ガラスであることが好ましい。
この発明によれば、粒状のガラス部材あるいは発泡ガラスを絶縁性管の内部に装填し、被覆剤や酸化剤として機能させる。
In the surge absorber according to the present invention, the glass member is preferably granular.
In the surge absorber according to the present invention, the glass member is preferably foamed glass.
According to this invention, a granular glass member or foamed glass is loaded inside the insulating tube and functions as a coating agent or an oxidizing agent.
また、本発明にかかるサージアブソーバは、前記封止ガスの圧力が、前記放電開始電圧が最小となる圧力よりも1×104Pa以上高いことが好ましい。
この発明によれば、異常電流や異常電圧を加える前後の封止ガスの圧力変動が1×103〜1×104Pa程度であるため、封止ガスの圧力を放電開始電圧が最小となる圧力よりも1×104Pa以上高くすることで、繰り返し放電を行っても十分に安定した放電開始電圧を有する。
In the surge absorber according to the present invention, the pressure of the sealing gas is preferably 1 × 10 4 Pa or more higher than the pressure at which the discharge start voltage is minimized.
According to this invention, since the pressure fluctuation of the sealing gas before and after applying the abnormal current or abnormal voltage is about 1 × 10 3 to 1 × 10 4 Pa, the discharge start voltage is minimized with respect to the pressure of the sealing gas. By making the pressure higher than the pressure by 1 × 10 4 Pa or more, a sufficiently stable discharge starting voltage is obtained even when repeated discharge is performed.
また、本発明にかかるサージアブソーバは、前記絶縁性管が、非ガラス系のセラミックス材料によって形成されていることが好ましい。
この発明によれば、絶縁性管をガラス材料よりも強度の高いセラミックス材料によって形成することで、ガラス材料と比較して大きなサージ耐量を付与させることができる。
In the surge absorber according to the present invention, the insulating tube is preferably made of a non-glass ceramic material.
According to this invention, it is possible to give a large surge resistance compared to a glass material by forming the insulating tube with a ceramic material having a strength higher than that of the glass material.
本発明のサージアブソーバによれば、異常電流や異常電圧による封止ガスの圧力変化による放電開始電圧の変動が小さいので、繰り返し放電を行っても放電開始電圧を安定する。また、封止ガスを高い圧力で封入することによって主放電時に陰極に衝突するイオン数が増大しても、主放電面の金属成分が飛散して放電ギャップや絶縁性管の内壁などに付着することを抑制する。したがって、高精度、長寿命化されたサージアブソーバとすることが可能となる。 According to the surge absorber of the present invention, since the fluctuation of the discharge start voltage due to the pressure change of the sealing gas due to the abnormal current or abnormal voltage is small, the discharge start voltage is stabilized even when repeated discharge is performed. Even if the number of ions that collide with the cathode during main discharge increases by sealing the sealing gas at a high pressure, the metal components on the main discharge surface scatter and adhere to the discharge gap or the inner wall of the insulating tube. To suppress that. Therefore, it is possible to obtain a surge absorber with high accuracy and long life.
以下、本発明にかかるサージアブソーバの第1の実施形態を、図1から図3を参照しながら説明する。
本実施形態によるサージアブソーバ1は、図1に示すように、いわゆるマイクロギャップを使用した放電型サージアブソーバであって、周面に中央の放電ギャップ2を介して導電性被膜3が分割形成された円柱状セラミックス(絶縁性部材)4と、この円柱状セラミックス4の両端に対向配置されて導電性被膜3に接触する一対の主放電電極部材5と、一対の主放電電極部材5を両端に配して、円柱状セラミックス4及び円筒状ガラス部材6を内部に所望の電気特性を得るために組成などを調整された封止ガス7と共に封入する筒型セラミックス(絶縁性管)8とを備えている。
Hereinafter, a first embodiment of a surge absorber according to the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the surge absorber 1 according to the present embodiment is a discharge type surge absorber using a so-called micro gap, and the
円柱状セラミックス4は、ムライト焼結体などのセラミックス材料からなり、表面に導電性被膜3として物理蒸着(PVD)法、化学蒸着(CVD)法の薄膜形成技術によるTiN(窒化チタン)が形成されている。
放電ギャップ2は、レーザカット、ダイシング、エッチングなどの加工によって0.01から1.5mmの幅で1から100本形成されるが、本実施形態では、110μmのものを1本形成している。
The cylindrical ceramic 4 is made of a ceramic material such as a mullite sintered body, and TiN (titanium nitride) is formed on the surface as a
1 to 100
一対の主放電電極部材5は、Fe(鉄)、Ni(ニッケル)、及びCo(コバルト)の合金であるコバール(KOVAR:登録商標)で構成されている。
この一対の主放電電極部材5は、図2に示すように、それぞれ筒型セラミックス8の端面とロウ材9で接着される長方形状の周縁部5Aと、筒型セラミックス8の内側かつ軸方向に突出すると共に円柱状セラミックス4を支持する突出支持部10とを備え、突出支持部10に囲まれて円柱状セラミックス4の端部に対向する位置には中央領域5Bが形成されている。
突出支持部10は、径方向内側面と円柱状セラミックス4の端部とを圧入または嵌合させやすいように、径方向内側面がわずかにテーパ形状を有することが望ましい。また、突出支持部10の先端の互いに対向する面が主放電面10Aとされている。
The pair of main
As shown in FIG. 2, the pair of main
It is desirable that the protruding
円筒状ガラス部材6は、SiO2(酸化ケイ素)を含有しており、一対の主放電電極部材5の主放電面10Aの間に配置されている。なお、この円筒状ガラス部材6は、主放電電極部材5及び筒型セラミックス8によって形成された放電空間の圧力に影響を及ぼすことがないように構成されている。
封止ガス7は、Ar(アルゴン)によって構成されており、その圧力は放電開始電圧が最小となるときよりも高い圧力である、3.1×104Paで封入されている。ここで、放電開始電圧が最小となる封止ガスの圧力の導出方法については、後述する。
筒型セラミックス8は、例えばAl2O3(アルミナ)などの非ガラス系の絶縁性セラミックスからなり、断面長方形を有し、両端面外縁が周縁部5Aの外周寸法とほぼ一致している。
The
The sealing
The
次に、以上の構成からなるサージアブソーバ1の製造方法について説明する。
まず、一対の主放電電極部材5を抜き打ち加工によって所望の形状に一体成形する。
続いて、筒型セラミックス8の両端面に、ロウ材9とのぬれ性を向上させるために、例えば、Mo(モリブデン)−W(タングステン)層とNi層とを各1層ずつ備えるメタライズ層を形成する。
そして、一方の主放電電極部材5の中央領域5B上に、円柱状セラミックス4を載置して径方向内側面と円柱状セラミックス4の端面とを接触させる。また、円筒状ガラス部材6を主放電面10A上に載置する。その後、周縁部5Aと筒型セラミックス8の端面との間にロウ材9を挟んだ状態で、筒型セラミックス8を他方の主放電電極部材5の周縁部5A上に載置する。
さらに、円柱状セラミックス4の上方が中央領域5Bと対向するように主放電電極部材5を載置して径方向内側面と主放電電極部材5とを接触させる。そして、周縁部5Aと筒型セラミックス8の端面との間にロウ材9を挟んだ状態とする。
Next, a method for manufacturing the surge absorber 1 having the above configuration will be described.
First, the pair of main
Subsequently, in order to improve the wettability with the
Then, the
Further, the main
上述のように仮組した状態で十分に真空引きを行った後、所定圧力に調整された封止ガス雰囲気としてロウ材9が溶融するまで加熱し、ロウ材9の溶融により円柱状セラミックス4を封止し、その後急速に冷却を行う。以上のようにして、サージアブソーバ1を製造する。
このようにして製造したサージアブソーバ1を、例えば、図3に示すように、プリント基板などの基板B上に筒型セラミックス8の一側面である実装面8Aを基板B上に載置し、基板Bと一対の主放電電極部材5の外面とをハンダSによって接着固定して使用する。
After sufficiently evacuating in the temporarily assembled state as described above, the
As shown in FIG. 3, for example, the surge absorber 1 manufactured in this way is mounted on a substrate B, which is one side surface of the
次に、放電開始電圧が最小となる封止ガスの圧力の導出方法について説明する。
まず、図4に示すように、サージアブソーバ1の筒型セラミックス8に貫通孔8bを形成し、内部に封止ガス7と同様の組成を有するガスが充填されたベルジャー15内に配置する。なお、ベルジャー15の外部から一対の主放電電極部材5に放電開始電圧を計測できるようにテスト波形を印加することが可能であるように構成されている。また、ベルジャー15内のガスを排気したり、封止ガス7と同様の組成を有するガスを導入したりすることで、ベルジャー15内部のガス圧力及びガス組成を変更できるように構成されている。
そして、一対の主放電電極部材5に対して放電開始電圧を計測するテスト波形を印加して、各ガス組成及び圧力における放電開始電圧を計測することによって、放電開始電圧が最小となる封止ガスの圧力を導出する。その後、この導出結果を基に、封止ガス7のガス圧力を設定する。
本実施形態では、図5の点P1に示すように封止ガスの圧力が1.2×104Paとなるときに放電開始電圧が最小となった。また、異常電流や異常電圧に起因する封止ガスの圧力変動が1×103〜1×104Pa程度となった。したがって、封止ガス7の圧力を、図5の点P2に示す3.1×104Paとしている。
Next, a method for deriving the pressure of the sealing gas that minimizes the discharge start voltage will be described.
First, as shown in FIG. 4, a through
Then, by applying a test waveform for measuring the discharge start voltage to the pair of main
In the present embodiment, the discharge start voltage is minimized when the pressure of the sealing gas is 1.2 × 10 4 Pa as indicated by a point P1 in FIG. Moreover, the pressure fluctuation of the sealing gas resulting from abnormal current or abnormal voltage was about 1 × 10 3 to 1 × 10 4 Pa. Therefore, the pressure of the sealing
このように構成されたサージアブソーバ1によれば、封止ガス7の圧力を2.2×104Pa以上とすることで、封止ガス7がArによって構成されても、放電による封止ガス7の圧力変化に起因する放電開始電圧の変動を小さくすることができる。したがって、繰り返しサージによる異常電流や異常電圧を加えても、放電開始電圧が安定する。
また、封止工程や主放電時において加熱溶融した円筒状ガラス部材6が被覆剤として機能することで主放電面10Aがガラス部材で被覆されると共に、円筒状ガラス部材6が酸化剤として機能することで主放電面10Aが主放電面10Aの金属成分で形成された酸化物層で被覆される。これにより、封止ガス7の圧力を高くしたことで主放電時に陰極に衝突するイオン数が増大しても、主放電時に主放電面10Aの金属成分が飛散して放電ギャップ2や筒型セラミックス8の内壁などに付着することを抑制できる。さらに、主放電によって主放電面10Aを被覆しているガラス部材が損傷した場合であっても、加熱溶融した他の部分の円筒状ガラス部材6によって損傷した箇所が被覆される。
したがって、高精度、長寿命化されたサージアブソーバ1とすることが可能となる。
According to the surge absorber 1 configured in this way, by setting the pressure of the sealing
Moreover, while the
Therefore, the surge absorber 1 with high accuracy and long life can be obtained.
また、高温領域で化学的安定性に優れる高価な金属を主放電電極部材5として使用する必要がないため、本発明では主放電電極部材5に安価な金属材料を用いることができる。
また、筒型セラミックス8として非ガラス系のセラミックス材料を用いることで、ガラス材料を用いることと比較して、より大きなサージ耐量を付与させることができる。
In addition, since it is not necessary to use an expensive metal having excellent chemical stability in a high temperature region as the main
In addition, by using a non-glass-based ceramic material as the
次に、第2の実施形態について、図6を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第1の実施形態と同様であり、上述の第1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図6においては、図1と同一構成要素に同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here has the same basic configuration as the first embodiment described above, and is obtained by adding another element to the first embodiment described above. Therefore, in FIG. 6, the same components as those in FIG.
第2の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、第1の実施形態では円筒状ガラス部材6が一対の主放電面10Aの間に配置されているが、第2の実施形態におけるサージアブソーバ20は、筒型セラミックス8の内壁がSiO2を含有するガラス被膜(ガラス部材)26によって被覆されている点である。
The difference between the second embodiment and the first embodiment is that the
このように構成されたサージアブソーバ20においても、上述した第1の実施形態におけるサージアブソーバ1と同様の作用、効果を有する。
The
次に、第3の実施形態について、図7を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第1の実施形態と同様であり、上述の第1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図7においては、図1と同一構成要素に同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a third embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here has the same basic configuration as the first embodiment described above, and is obtained by adding another element to the first embodiment described above. Therefore, in FIG. 7, the same components as those in FIG.
第3の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、第1の実施形態では円筒状ガラス部材6が一対の主放電面10Aの間に配置されているが、第3の実施形態におけるサージアブソーバ30は、主放電面10Aの表面を、SiO2を含有するガラス被膜(ガラス部材)36が被覆している点である。
このガラス被膜36は、物理蒸着(PVD)法や印刷・焼成法などによって形成されている。
The difference between the third embodiment and the first embodiment is that the
The
このように構成されたサージアブソーバ30においても、上述した第1の実施形態におけるサージアブソーバ1と同様の作用、効果を有する。
The
次に、第4の実施形態について、図8を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第1の実施形態と同様であり、上述の第1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図8においては、図1と同一構成要素に同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here has the same basic configuration as the first embodiment described above, and is obtained by adding another element to the first embodiment described above. Therefore, in FIG. 8, the same components as those in FIG.
第4の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、第1の実施形態では円筒状ガラス部材6が一対の主放電面10Aの間に配置されているが、第4の実施形態におけるサージアブソーバ40は、主放電電極部材5及び筒型セラミックス8によって形成される放電空間内であって、一対の主放電電極部材5の一方から他方にわたって、SiO2を含有する粒状ガラス部材46が装填されている点である。
The difference between the fourth embodiment and the first embodiment is that, in the first embodiment, the
このように構成されたサージアブソーバ40においても、上述した第1の実施形態におけるサージアブソーバ1と同様の作用、効果を有するが、粒状ガラス部材46が一対の主放電電極部材5の一方から他方にわたって装填されていることで、放電開始電圧を高く設定することができる。
The
次に、第5の実施形態について、図9を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第1の実施形態と同様であり、上述の第1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図9においては、図1と同一構成要素に同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here has the same basic configuration as the first embodiment described above, and is obtained by adding another element to the first embodiment described above. Therefore, in FIG. 9, the same components as those in FIG.
第5の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、第1の実施形態では主放電電極部材5の突出支持部10によって円柱状セラミックス4が支持された構成であるのに対して、第3の実施形態におけるサージアブソーバ50は、主放電電極部材51が第1の実施形態における主放電電極部材5と同様の形状である端子電極部材52とキャップ電極53とを有しており、円柱状セラミックス4がキャップ電極53を介して端子電極部材52に設けられた突出支持部54に支持されている点である。
The difference between the fifth embodiment and the first embodiment is that the
一対のキャップ電極53は、円柱状セラミックス4よりも硬度が低く、塑性変形できる、例えばステンレスなどの金属からなり、外周部が端子電極部材52の突出支持部54の先端よりも軸方向内方に延びて断面略U字状に形成され、互いに対向する面が主放電面53Aとされている。
The pair of
次に、以上の構成からなるサージアブソーバ50の製造方法について説明する。
まず、一対の端子電極部材52に対し焼鈍処理を施した後、抜き打ち加工によって一体成形する。
その後、一対のキャップ電極53を円柱状セラミックス4の両端に係合させ、第1の実施形態と同様の方法でサージアブソーバ50を製造する。
Next, a method for manufacturing the
First, after annealing the pair of
Thereafter, the pair of
このように構成されたサージアブソーバ50は、上述した第1の実施形態におけるサージアブソーバ1と同様の作用、効果を有するが、円柱状セラミックス4よりも硬度の低いキャップ電極53が円柱状セラミックス4と突出支持部54との両面に密着して良好な接触面が得られる。これにより、十分なオーミックコンタクトを得ることができ、サージアブソーバ50の放電開始電圧などの電気特性がより安定する。
The
なお、本実施形態において、上述した第2の実施形態と同様に、筒型セラミックス8の内壁をガラス被膜26で被覆した構成としてもよく、上述した第3の実施形態と同様に、主放電面53Aをガラス被膜36で被覆した構成としてもよく、上述した第4の実施形態と同様に、一対のキャップ電極53間に粒状ガラス部材46を装填した構成としてもよい。
In addition, in this embodiment, it is good also as a structure which coat | covered the inner wall of the
次に、第6の実施形態について、図10を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第1の実施形態と同様であり、上述の第1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図10においては、図1と同一構成要素に同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a sixth embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here has the same basic configuration as the first embodiment described above, and is obtained by adding another element to the first embodiment described above. Accordingly, in FIG. 10, the same components as those in FIG.
第6の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、第1の実施形態では主放電電極部材5が一体的に形成された突出支持部10を有しているのに対して、第3の実施形態におけるサージアブソーバ60では、図10(a)に示すように、主放電電極部材61が平板状となっている点である。
The difference between the sixth embodiment and the first embodiment is that, in the first embodiment, the main
そして、この一対の主放電電極部材61の互いに対向する内面には、ロウ材63が塗布されている。
このロウ材63は、図10(b)に示すように、一対の主放電電極部材61と円柱状セラミックス4との接触面に形成された間隙64を埋める充填部65と、円柱状セラミックス4の両端で円柱状セラミックス4の外周面を保持する保持部66とを備えている。なお、この間隙64は、一対の主放電電極部材61と円柱状セラミックス4とに寸法精度、傷、加工時の変形などによって発生した凹凸によって形成されたものである。
保持部66は、主放電電極部材61と円柱状セラミックス4とを接触させた際に、ロウ材63が円柱状セラミックス4の外周面を覆うように盛り上がることによって形成されている。
なお、この保持部66の盛り上がり高さhは、主放電電極部材61の端面から盛り上がり最上部までの寸法であり、この最上部が主放電部となるために、所定の寿命特性によって規定されている。
A
As shown in FIG. 10B, the
The holding
The raised height h of the holding
次に、以上の構成からなるサージアブソーバ60の製造方法について説明する。
まず、主放電電極部材61の一面に保持部66を形成するのに十分な量のロウ材63を塗布し、主放電電極部材61の中央領域上に、円柱状セラミックス4を載置して主放電電極部材61と円柱状セラミックス4とを接触させる。また、円筒状ガラス部材6をロウ材63上に載置する。そして、筒型セラミックス8の端面を載置する。
さらに、筒型セラミックス8のもう一方の端面にロウ材63が塗布されたもう一方の主放電電極部材61を載置することで仮組みの状態とする。
Next, a method for manufacturing the
First, a sufficient amount of brazing
Further, the other main
続いて、封止工程について説明する。上述のように仮組みした状態の素子を所定圧力に調整された封止ガス雰囲気中で加熱処理することで、ロウ材63が溶融し、主放電電極部材61と円柱状セラミックス4とが密着する。このとき、溶融によりロウ材63の充填部65が、円柱状セラミックス4と主放電電極部材61との間に存在する間隙64を埋める。また、ロウ材63の表面張力により形成された保持部66が、円柱状セラミックス4の両端部を埋め込むようにして保持する。
その後、上述した第1の実施形態と同様に冷却工程を行ってサージアブソーバ60を製造する。
Next, the sealing process will be described. By heating the element in the temporarily assembled state as described above in a sealing gas atmosphere adjusted to a predetermined pressure, the
Thereafter, the
このサージアブソーバ60は、上述した第1の実施形態におけるサージアブソーバ1と同様の作用、効果を有するが、寸法精度、傷、加工時の変形などによって主放電電極部材61と円柱状セラミックス4との接触面に形成された間隙64をロウ材63で埋めることにより、主放電電極部材61と円柱状セラミックス4との接触面積が増大する。これにより、十分なオーミックコンタクトを得ることができ、サージアブソーバ60の放電開始電圧などの電気特性が安定する。
The
なお、本実施形態において、上述した第2の実施形態と同様に、筒型セラミックス8の内壁をガラス被膜26で被覆した構成としてもよく、上述した第4の実施形態と同様に、筒型セラミックス8内に粒状ガラス部材46を装填した構成としてもよい。
In the present embodiment, as in the second embodiment described above, the inner wall of the
また、ロウ材63と同じ部材によって保持部66及び充填部65を形成していたが、充填部65がロウ材63とは異なる材料によって形成されていてもよく、例えば活性銀ロウのように円柱状セラミックス4と主放電電極部材61とを接着可能である導電性の接着剤であってもよい。このようにすることで、円柱状セラミックス4と主放電電極部材61とが接着し、主放電電極部材61と導電性被膜3とのより十分なオーミックコンタクトを得ることができる。したがって、サージアブソーバ60の放電開始電圧などの電気特性が安定する。
また、保持部66も充填部65と同様にロウ材63とは異なる材料で形成されてもよく、例えばロウ材63や活性銀ロウに対してぬれにくいガラス材を用いてもよい。このようにすることで、円柱状セラミックス4がより確実に主放電電極部材61の中央付近またはその周辺部に固定される。
Further, although the holding
Also, the holding
次に、第7の実施形態について、図11を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第6の実施形態と同様であり、上述の第6の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図11においては、図10と同一構成要素に同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a seventh embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here is similar in basic configuration to the above-described sixth embodiment, and is obtained by adding another element to the above-described sixth embodiment. Therefore, in FIG. 11, the same components as those in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
第7の実施形態と第6の実施形態との異なる点は、第6の実施形態では平板状の主放電電極部材61のみによって構成されているのに対して、第7の実施形態におけるサージアブソーバ70では、図11(a)に示すように、主放電電極部材71が平板状の端子電極部材72とキャップ電極53とで構成されている点である。
The difference between the seventh embodiment and the sixth embodiment is that, in the sixth embodiment, only the flat main
ロウ材63は、図11(b)に示すように、一対の端子電極部材72とキャップ電極53との接触面に形成された間隙64を埋める充填部65と、キャップ電極53の両端でキャップ電極53の外周面を保持する保持部66とを備えている。
なお、保持部66の高さhは、キャップ電極53の高さよりも低く形成されている。これにより、キャップ電極53の互いに対向する面が、主放電面53Aとなる。
As shown in FIG. 11B, the
Note that the height h of the holding
次に、以上の構成からなるサージアブソーバ70の製造方法について説明する。
まず、上述した第2の実施形態と同様に一対のキャップ電極53を形成し、円柱状セラミックス4の両端に係合させる。
その後、一対のキャップ電極53を円柱状セラミックス4の両端に係合させ、第5の実施形態と同様の方法でサージアブソーバ70を製造する。
Next, a method for manufacturing the
First, a pair of
Thereafter, the pair of
このサージアブソーバ70は、上述した第6の実施形態におけるサージアブソーバ60と同様の作用、効果を有するが、円柱状セラミックス4よりも硬度の低いキャップ電極53が円柱状セラミックス4と保持部66との両面に密着して良好な接触面が得られる。これにより、十分なオーミックコンタクトを得ることができ、サージアブソーバ60の放電開始電圧などの電気特性がより安定する。
なお、本実施形態において、上述した第6の実施形態と同様に、充填部65がロウ材63とは異なる材料によって形成されていてもよく、例えば活性銀ロウのようにキャップ電極53と端子電極部材72とを接着可能である導電性の接着剤であってもよい。
さらに、保持部66も充填部65と同様にロウ材63とは異なる材料で形成されてもよく、例えばロウ材63や活性銀ロウに対してぬれにくいガラス材を用いてもよい
The
In the present embodiment, similarly to the above-described sixth embodiment, the filling
Further, the holding
なお、本実施形態において、上述した第2の実施形態と同様に、筒型セラミックス8の内壁をガラス被膜26で被覆した構成としてもよく、上述した第3の実施形態と同様に、主放電面53Aをガラス被膜36で被覆した構成としてもよく、上述した第4の実施形態と同様に、一対のキャップ電極53間に粒状ガラス部材46を装填した構成としてもよい。
In addition, in this embodiment, it is good also as a structure which coat | covered the inner wall of the
次に、第8の実施形態について、図12を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第1の実施形態と同様であり、上述の第1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図12においては、図1と同一構成要素に同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, an eighth embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here has the same basic configuration as the first embodiment described above, and is obtained by adding another element to the first embodiment described above. Therefore, in FIG. 12, the same components as those in FIG.
第8の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、第1の実施形態では主放電電極部材5が一体的に形成された突出支持部10を有し、円柱状セラミックス4をこの突出支持部10に圧入または嵌合させているのに対して、第8の実施形態におけるサージアブソーバ80は、主放電電極部材81が端子電極部材72と、突出支持部材82とで構成されている点である。
The difference between the eighth embodiment and the first embodiment is that in the first embodiment, the main
突出支持部材82は、ほぼ有底円筒形状を有しており、底面82Aの中央に開口82Bが形成されている。この開口82Bの開口径は、円柱状セラミックス4よりもやや小さく形成されている。そして、円柱状セラミックス4を開口82Bに挿通して底面82Aを軸方向外方に向かって弾性的に屈曲させることで、突出支持部材82と導電性被膜3との良好なオーミックコンタクトが得られるように構成されている。
なお、この一対の突出支持部材82の互いに対向する面である底面82Aが主放電面となっている。
The protruding
A
このサージアブソーバ80は、上述した第1の実施形態におけるサージアブソーバ1と同様の作用、効果を有する。
なお、本実施形態において、上述した第2の実施形態と同様に、筒型セラミックス8の内壁をガラス被膜26で被覆した構成としてもよく、上述した第3の実施形態と同様に、底面82Aをガラス被膜36で被覆した構成としてもよく、上述した第4の実施形態と同様に、一対の底面82A間に粒状ガラス部材46を装填した構成としてもよい。
The
In the present embodiment, similar to the second embodiment described above, the inner wall of the
次に、第9の実施形態について、図13を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第1の実施形態と同様であり、上述の第1の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図13においては、図1と同一構成要素に同一符号をし、その説明を省略する。
Next, a ninth embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here has the same basic configuration as the first embodiment described above, and is obtained by adding another element to the first embodiment described above. Therefore, in FIG. 13, the same components as those in FIG.
第9の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、第1の実施形態では第1の実施形態では基板上に載置される面実装型のサージアブソーバであるのに対して、第9の実施形態におけるサージアブソーバ90はリード線を備えたサージアブソーバとなっている点である。
すなわち、サージアブソーバ90は、導電性被膜3が分割形成された円柱状セラミックス4と、この円柱状セラミックス4の両端に配置された主放電電極部材91と、この主放電電極部材91と共に円柱状セラミックス4を封止するガラス管92とを備えている。
The difference between the ninth embodiment and the first embodiment is that, in the first embodiment, the surface mount type surge absorber placed on the substrate in the first embodiment is different from the first embodiment. The
That is, the
主放電電極部材91は、キャップ電極95と、キャップ電極95の後端から延出するリード線96とを備えている。
この一対のキャップ電極95の互いに対向する面が主放電面95Aとなっている。
ガラス管92は、円柱状セラミックス4及び一対のキャップ電極95を覆うように配置され、両端からリード線96が突出している。
The main
The opposing surfaces of the pair of
The
このように構成されたサージアブソーバ90は、上述した第1の実施形態におけるサージアブソーバ1と同様に、繰り返しサージを印加しても、安定した放電開始電圧を有する。
なお、本実施形態において、上述した第3の実施形態と同様に、主放電面95Aをガラス被膜36で被覆した構成としてもよく、上述した第4の実施形態と同様に、一対の主放電面95A間に粒状ガラス部材46を装填した構成としてもよい。
The
In the present embodiment, the
次に、第10の実施形態について、図14を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第9の実施形態と同様であり、上述の第9の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図14においては、図13と同一構成要素に同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a tenth embodiment will be described with reference to FIG.
The embodiment described here is similar in basic configuration to the above-described ninth embodiment, and is obtained by adding another element to the above-described ninth embodiment. Therefore, in FIG. 14, the same components as those in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
第10の実施形態と第9の実施形態との異なる点は、第9の実施形態では導電性被膜3が分割形成された円柱状セラミックス4の両端にキャップ電極95が配置されているのに対して、第10の実施形態におけるサージアブソーバ100は、一面上に放電ギャップ101を介して導電性被膜102が分割形成された板状セラミックス(絶縁性部材)103の両端に、この板状セラミックス103を挟持する主放電電極部材104が配置されている点である。
The difference between the tenth embodiment and the ninth embodiment is that, in the ninth embodiment,
主放電電極部材104は、導電性被膜102に接触すると共に板状セラミックス103を挟持するクリップ電極105と、クリップ電極105の後端に設けられたリード線96とを備えている。
クリップ電極105の互いに対向する面が主放電面105Aとなっている。そして、このクリップ電極105が、板状セラミックス103を挟持することによって、導電性被膜102とクリップ電極105との良好なオーミックコンタクトが得られるように構成されている。
The main
The opposing surfaces of the
このように構成されたサージアブソーバ100は、上述した第9の実施形態におけるサージアブソーバ90と同様の作用、効果を有する。
なお、本実施形態において、上述した第2の実施形態と同様に、上述した第3の実施形態と同様に、主放電面105Aをガラス被膜36で被覆した構成としてもよく、上述した第4の実施形態と同様に、一対の主放電面105A間に粒状ガラス部材46を装填した構成としてもよい。
The
In the present embodiment, similarly to the second embodiment described above, the
次に、本発明にかかるサージアブソーバを、実施例により具体的に説明する。
上述した第7の実施形態におけるサージアブソーバ70と、Ar封止ガスの圧力が放電ギャップでの放電開始電圧が最小となる圧力とほぼ同一である従来のサージアブソーバとを、それぞれ基板などに実装して使用した際の寿命を比較した。
具体的には、実施例として、図15に示すような8/20−50Aのサージ電流を繰り返しサージアブソーバに所定回数印加して、そのときのギャップ間での放電開始電圧(V)を測定した。この結果を、図16に示す。
Next, the surge absorber according to the present invention will be specifically described with reference to examples.
The above-described
Specifically, as an example, a surge current of 8 / 20-50A as shown in FIG. 15 was repeatedly applied to the surge absorber a predetermined number of times, and the discharge start voltage (V) between the gaps at that time was measured. . The result is shown in FIG.
従来のサージアブソーバは、サージ電流が繰り返し印加されると、Ar封止ガスのガス圧力が変動することで放電開始電圧が上昇し、また、主放電電極部材の金属電極の金属成分が多く飛散する。これにより、放電ギャップにおいて、これら金属成分が比較的短時間で堆積するため、ギャップ間の放電開始電圧が低下し、寿命に至る。
一方、本発明にかかるサージアブソーバ70は、サージ電流が繰り返し印加されても、封止ガスの圧力変動が少ないために、放電開始電圧が安定する。また、封止工程や主放電時において加熱溶融した円筒状ガラス部材が被覆剤として機能することで、主放電面がガラス部材で被覆される。さらに、円筒状ガラス部材が酸化剤として機能することで、主放電面が主放電面の金属成分で形成された酸化物層で被覆される。これにより、主放電電極部材の電極成分の飛散が抑制されて、放電ギャップにおける金属成分の堆積があまりないために、ギャップ間の放電開始電圧が安定していることがわかる。
In a conventional surge absorber, when a surge current is repeatedly applied, the discharge start voltage rises due to fluctuations in the gas pressure of the Ar sealing gas, and a large amount of metal components of the metal electrode of the main discharge electrode member scatters. . As a result, these metal components are deposited in the discharge gap in a relatively short time, so that the discharge start voltage between the gaps is lowered and the life is reached.
On the other hand, in the
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、図17に示すように、一対の主放電面209Aの間に板状ガラス部材151を配置し、放電開始電圧が最小となるときよりも高い圧力で封止ガスを封入したサージアブソーバ150であってもよい。このような構成であっても、上述と同様の作用、効果を有する。ここで、上述した第2の実施形態と同様に、筒型セラミックス207の内壁をガラス被膜26で被覆した構成としてもよく、上述した第3の実施形態と同様に、主放電面209Aをガラス被膜36で被覆した構成としてもよく、上述した第4の実施形態と同様に、一対の主放電面209A間に粒状ガラス部材46を装填した構成としてもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, as shown in FIG. 17, a
また、封止ガスは、Ar、Kr(クリプトン)、Xe(キセノン)のうちの少なくとも1種を含有していればよく、所望の電気特性を得るために、これらを混合することによって組成などを調整してもよい。ここで、封止ガスとして、上記3種のうちの少なくとも1種に、例えば、N2(窒素)、Ne(ネオン)、He(ヘリウム)、H2(水素)、SF6、CF4、C2F6、C3F8、CO2(二酸化炭素)など、及びこれらの混合ガスを混合したものであってもよい。また、封止ガスの圧力は、上述した導出方法によって求めた放電開始電圧が最小となる封止ガスの圧力よりも高い圧力によって封入されていればよい。ここで、封止ガスの圧力の最大値は、絶縁性管の強度によって変化する。 Further, the sealing gas only needs to contain at least one of Ar, Kr (krypton), and Xe (xenon). In order to obtain desired electrical characteristics, the composition and the like can be adjusted by mixing them. You may adjust. Here, as the sealing gas, for example, at least one of the above three types includes, for example, N 2 (nitrogen), Ne (neon), He (helium), H 2 (hydrogen), SF 6 , CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , CO 2 (carbon dioxide), etc., and a mixture of these may be used. Moreover, the sealing gas pressure should just be enclosed with the pressure higher than the pressure of the sealing gas in which the discharge start voltage calculated | required by the derivation method mentioned above becomes the minimum. Here, the maximum value of the pressure of the sealing gas varies depending on the strength of the insulating tube.
また、導電性被膜は、Ag(銀)、Ag(銀)/Pd(パラジウム)合金、SnO2(酸化スズ)、Al(アルミニウム)、Ni(ニッケル)、Cu(銅)、Ti(チタン)、Ta(タンタル)、W(タングステン)、SiC(炭化シリコン)、BaAl(バリウム・アルミナ)、C(炭素)、Ag(銀)/Pt(白金)合金、TiO(酸化チタン)、TiC(炭化チタン)、TiCN(炭窒化チタン)などでもよい。
また、主放電電極部材は、CuやNi系の合金でもよい。
また、筒型セラミックス両端面のメタライズ層は、Ag(銀)、Cu(銅)、Au(金)でもよく、また、メタライズ層を用いず活性金属ロウ材だけで封止してもよい。
また、円筒状ガラス部材は、筒型セラミックスの内部に存在していれば、板状ガラス部材や他の形状であってもよく、また、SiO2を含有するものに限らず、結晶相のガラスを含有する部材であってもよい。
また、粒状ガラス部材を絶縁性管の内部に装填したが、発泡ガラスを装填しもよく、また、上述と同様に、SiO2を含有するものに限らず、結晶相のガラスを含有する部材であってもよい。
The conductive coating is composed of Ag (silver), Ag (silver) / Pd (palladium) alloy, SnO 2 (tin oxide), Al (aluminum), Ni (nickel), Cu (copper), Ti (titanium), Ta (tantalum), W (tungsten), SiC (silicon carbide), BaAl (barium / alumina), C (carbon), Ag (silver) / Pt (platinum) alloy, TiO (titanium oxide), TiC (titanium carbide) TiCN (titanium carbonitride) may be used.
The main discharge electrode member may be a Cu or Ni alloy.
Further, the metallized layers on both end faces of the cylindrical ceramic may be Ag (silver), Cu (copper), Au (gold), or may be sealed only with the active metal brazing material without using the metallized layer.
Further, the cylindrical glass member may be a plate-like glass member or other shapes as long as it exists inside the cylindrical ceramics, and is not limited to one containing SiO 2 , but a glass having a crystalline phase. It may be a member containing
Moreover, although the granular glass member was loaded in the inside of the insulating tube, it may be loaded with foamed glass. Similarly to the above, it is not limited to one containing SiO 2 but a member containing crystal phase glass. There may be.
1、20、30、40、50、60、70、80、90、100、150 サージアブソーバ
2、201 放電ギャップ
3、202 導電性被膜
4 円柱状セラミックス(絶縁性部材)
5、51、61、71、81、91、104 主放電電極部材
6 円筒状ガラス部材
7、206 封止ガス
8、207 円筒状セラミックス(絶縁性管)
10A、53A、95A、105A、209A 主放電面
26、36 ガラス被膜(ガラス部材)
46 粒状ガラス部材
82A 底面(主放電面)
92 ガラス管(絶縁性管)
103、203 板状セラミックス(絶縁性部材)
151 板状ガラス部材
205 封止電極(主放電電極部材)
1, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 150
5, 51, 61, 71, 81, 91, 104 Main
10A, 53A, 95A, 105A, 209A Main discharge surfaces 26, 36 Glass coating (glass member)
46
92 Glass tube (insulating tube)
103, 203 Plate-shaped ceramics (insulating member)
151
Claims (8)
前記絶縁性管の内部に、ガラス部材が封入され、
前記封止ガスの圧力が、前記放電ギャップでの放電開始電圧が最小となる圧力よりも高いことを特徴とするサージアブソーバ。 An insulating member in which a conductive coating is divided and formed through a discharge gap, a pair of main discharge electrode members that are arranged to face each other through the insulating member and are in contact with the conductive coating, and the pair of main discharge electrodes In a surge absorber comprising an insulating tube disposed between members and enclosing the insulating member together with a sealing gas containing at least one of argon, krypton, and xenon,
A glass member is enclosed inside the insulating tube,
A surge absorber, wherein the pressure of the sealing gas is higher than a pressure at which a discharge start voltage in the discharge gap is minimized.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005101354A JP2006286251A (en) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | Surge absorber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005101354A JP2006286251A (en) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | Surge absorber |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006286251A true JP2006286251A (en) | 2006-10-19 |
Family
ID=37407965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005101354A Pending JP2006286251A (en) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | Surge absorber |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006286251A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103872582A (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 上海明科电气有限公司 | Breakdown protector |
JP2015079756A (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | スマート エレクトロニクス インク | Surface mounting type fuse and structure including the same |
JP2016503560A (en) * | 2012-11-09 | 2016-02-04 | スマート エレクトロニクス インク | Surge absorber and manufacturing method thereof |
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005101354A patent/JP2006286251A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016503560A (en) * | 2012-11-09 | 2016-02-04 | スマート エレクトロニクス インク | Surge absorber and manufacturing method thereof |
US9735551B2 (en) | 2012-11-09 | 2017-08-15 | Smart Electronics Inc. | Surge absorber and manufacturing method thereof |
CN103872582A (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 上海明科电气有限公司 | Breakdown protector |
JP2015079756A (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | スマート エレクトロニクス インク | Surface mounting type fuse and structure including the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7570473B2 (en) | Surge absorber | |
US7937825B2 (en) | Method of forming a surge protector | |
US7719815B2 (en) | Surge absorber | |
CN101015101B (en) | Surge absorber | |
KR101054629B1 (en) | Surge Absorbers and Manufacturing Method Thereof | |
JP2006286251A (en) | Surge absorber | |
JP2007317542A (en) | Surge suppressor | |
JP2007317541A (en) | Surge suppressor | |
TW478229B (en) | Chip type surge absorbing device and its manufacturing method | |
JP2006049064A (en) | Surge absorber | |
JP4292935B2 (en) | Chip-type surge absorber and manufacturing method thereof | |
JP4363180B2 (en) | surge absorber | |
JP2006049065A (en) | Surge absorber | |
JP4720403B2 (en) | Surge absorber, method of manufacturing surge absorber, electronic component, and method of manufacturing electronic component | |
JP2006196294A (en) | Surge absorber | |
JP4407287B2 (en) | surge absorber | |
JP4265321B2 (en) | surge absorber | |
JP4123981B2 (en) | Chip-type surge absorber and manufacturing method thereof | |
JP2007188754A (en) | Process of manufacturing surge absorber | |
CN100566057C (en) | Surge absorber | |
JP2005078968A (en) | Surge absorber | |
JP2007329123A (en) | Surge absorber and its manufacturing method | |
JP2002260813A (en) | Surge absorber |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070330 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20090910 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |