JP2006279707A - Amplification apparatus - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an amplification apparatus that has fixed characteristics even over a wide environmental temperature range. <P>SOLUTION: The amplification apparatus comprising: a Doherty amplifier comprises: a carrier amplifier that amplifies an input signal and a peak amplifier that amplifies only a peak component of the input signal; a temperature detector for detecting the ambient temperature; and a controller that adjusts bias points of the carrier amplifier and the peak amplifier and controls each of the components, wherein the controller receives temperature information obtained by detecting the ambient temperature by means of the temperature detector and adjusts the bias points of the carrier amplifier and the peak amplifier in accordance with the received temperature information. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば移動体通信システムなどの無線通信システムに備えられる基地局装置や中継増幅装置などに増幅器に関するものである。特に装置の効率化をもたらすドハティ増幅器に関するものである。   The present invention relates to an amplifier for a base station apparatus or a relay amplification apparatus provided in a wireless communication system such as a mobile communication system. In particular, the present invention relates to a Doherty amplifier that increases the efficiency of the apparatus.

ここで、無線通信システムとしては、例えば、携帯電話システムや簡易型携帯電話システム（ＰＨＳ：PersonＡl HＡndy Phone System）、それらのインフラを利用したデータ通信システムなどの種々なシステムが用いられてもよい。   Here, as the wireless communication system, for example, various systems such as a mobile phone system, a simple mobile phone system (PHS), and a data communication system using those infrastructures may be used.

また、通信方式としては、例えば、ＣＤＭＡ（Ｃode Division Multiple ＡＣＣess）方式
やＷ（Wide ＢＡnd）-ＣＤＭＡ方式やＴＤＭＡ(Time Division Multiple ＡＣＣess)方式やＦＤＭＡ(FrequenＣy Division Multiple ＡＣＣess)方式などの種々な方式が用いられてもよい。 As communication methods, for example, various methods such as a CDMA (Code Division Multiple ACCess) method, a W (Wide BAnd) -CDMA method, a TDMA (Time Division Multiple ACCess) method, and an FDMA (Frequen Cy Division Multiple ACCess) method are available. May be used.

ここで、本発明に係る増幅装置などの構成としては、必ずしも、以上に示したものに限られず、種々な構成が用いられてもよい。なお、本発明は、例えば本発明に係る処理を実行する方法或いは方式や、このような方法や方式を実現するためのプログラムなどとして提供することも可能である。   Here, the configuration of the amplification device and the like according to the present invention is not necessarily limited to the above-described configuration, and various configurations may be used. The present invention can also be provided as, for example, a method or method for executing processing according to the present invention, a program for realizing such a method or method, and the like.

また、本発明の適用分野としては、必ずしも以上に示したものに限られず、本発明は、種々な分野に適用することが可能なものである。   The application field of the present invention is not necessarily limited to the above-described fields, and the present invention can be applied to various fields.

近年無線通信分野において、携帯電話等の携帯端末に代表されるように装置の小型化が求められているが、基地局等においても同様であり、それに伴い全体の消費電力に影響する電力増幅器の高効率化が要求されている。特に基地局においては高周波増幅器、アンテナ間のケーブル損失の低減から近傍に設置する場合も多く、そのため高周波増幅器の小型化が計られ、さらに消費電力につながる高効率化が強く求められている。 In recent years, in the field of wireless communications, downsizing of devices has been demanded as represented by mobile terminals such as mobile phones, but the same applies to base stations and the like. High efficiency is required. In particular, base stations are often installed in the vicinity because of a reduction in cable loss between the high-frequency amplifier and the antenna. Therefore, downsizing of the high-frequency amplifier is required, and further high efficiency leading to power consumption is strongly demanded.

Ｗ−ＣＤＭＡ等のデジタル変調方式を用いた通信においては、その原理上信号の復調を行うためには、増幅装置の平均出力電力に対して飽和電力を十分に大きくする、いわゆるバックオフを十分に取る必要がある。通常の増幅素子（以下ＦＥＴ）を用いた増幅器においてその効率は出力平均電力が飽和電力に近いほど高くなるためである。そのため、バックオフが大きいデジタル変調方式の増幅器の高効率化を図ることは困難であった。 In communication using a digital modulation system such as W-CDMA, in order to demodulate a signal in principle, a so-called back-off that sufficiently increases the saturation power with respect to the average output power of the amplifier is sufficient. I need to take it. This is because the efficiency of an amplifier using a normal amplifying element (hereinafter referred to as FET) increases as the output average power approaches saturation power. For this reason, it has been difficult to increase the efficiency of a digital modulation amplifier having a large back-off.

以上のように、デジタル変調方式において、効率の高い増幅器を提供することは非常に困難であるが、それを実現する方式としてドハティ増幅器が提供されている。ドハティ増幅器については、例えば特許文献１に記載されている。
特許１２７９４４号公報 （第２−３頁、第１図） As described above, in the digital modulation system, it is very difficult to provide an efficient amplifier, but a Doherty amplifier is provided as a system for realizing it. The Doherty amplifier is described in Patent Document 1, for example.
Japanese Patent No. 127944 (page 2-3, Fig. 1)

ドハティ増幅器の基本的構成を図１を用いて説明する。
図１において101は入力端子、102は電力分配器、103はＡ級、ＡＢ級またはＢ級にバイアスされたキャリアアンプ、104はキャリアアンプの入力整合回路、105はキャリアアンプの出力整合回路、106は1/4波長（λ/4）線路、107はλ/4線路、108はキャリアアンプよりも深くバイアスされＡＢ級、Ｂ級または、Ｃ級で動作するピークアンプ、109はピークアンプの入力整合回路、110はピークアンプの出力整合回路、111はドハティ合成点、112はドハティ合成点から負荷抵抗へのインピーダンス変換を行うλ/4線路、113は出力端子、114は増幅器の負荷抵抗である。 A basic configuration of the Doherty amplifier will be described with reference to FIG.
In FIG. 1, 101 is an input terminal, 102 is a power divider, 103 is a carrier amplifier biased to class A, class AB or class B, 104 is an input matching circuit of the carrier amplifier, 105 is an output matching circuit of the carrier amplifier, 106 Is a 1/4 wavelength (λ / 4) line, 107 is a λ / 4 line, 108 is a deeper bias than the carrier amplifier and operates in class AB, class B or class C, 109 is input matching of the peak amplifier 110, an output matching circuit of a peak amplifier, 111 a Doherty combining point, 112 a λ / 4 line for impedance conversion from the Doherty combining point to a load resistance, 113 an output terminal, and 114 a load resistance of the amplifier.

本構成において、入力レベルが低い場合には、ピークアンプ108がオフとなり、キャリアアンプ103のみが動作する。そのため、ピークアンプ出力側のインピーダンスは非常に高く見えるためにオープン状態とみなすことができ、図2のように接続していると考えられる。このときキャリアアンプ103から見た出力インピーダンスは、負荷に接続されたλ/4ライントランス112と、キャリアアンプ接続されたλ/4ライン106によって2Zoに見える。したがってこのときの本構成の増幅器の出力電力は、キャリアアンプの出力電圧をVoＣとするとVoＣ2/2Zoとなる。通常FETは、その出力電圧によって動作効率が決まりこれが高いほど効率が良くなっていく。したがって入力レベルが低い図2の状態においては、負荷インピーダンスZoが接続された状態のFETと比較して、1/2の出力電力において同じ効率を得ることができる。   In this configuration, when the input level is low, the peak amplifier 108 is turned off and only the carrier amplifier 103 operates. Therefore, the impedance on the output side of the peak amplifier looks very high, so it can be regarded as an open state, and it is considered that they are connected as shown in FIG. At this time, the output impedance viewed from the carrier amplifier 103 appears to be 2Zo by the λ / 4 line transformer 112 connected to the load and the λ / 4 line 106 connected to the carrier amplifier. Therefore, the output power of the amplifier of this configuration at this time is VoC 2 / 2Zo when the output voltage of the carrier amplifier is VoC. Normally, the operation efficiency of FET is determined by its output voltage, and the higher this is, the better the efficiency. Therefore, in the state of FIG. 2 where the input level is low, the same efficiency can be obtained at 1/2 output power as compared with the FET in the state where the load impedance Zo is connected.

入力電圧が徐々に高くなると、次第にピークアンプ108も動作を始めるようになる。このときピークアンプ108によって出力電力の供給がなされると同時に、キャリアアンプ108の負荷インピーダンスの2RoからRoへの低下をもたらす為、キャリアアンプ108は高い効率を維持したままその出力電力を増大させる。 As the input voltage gradually increases, the peak amplifier 108 gradually starts to operate. At this time, the output power is supplied by the peak amplifier 108, and at the same time, the load impedance of the carrier amplifier 108 is reduced from 2Ro to Ro. Therefore, the carrier amplifier 108 increases its output power while maintaining high efficiency.

入力電力が十分に高いレベルにおいては、キャリアアンプ103・ピークアンプ108ともに動作していると考えられるため、図1のように整合しているものと考えられる。このときキャリアアンプ・ピークアンプともに出力はZoに整合するようになりドハティ増幅器としての出力電力は通常の2合成の増幅器と同様に2×Vo2/Zoとなる。このようにして、ドハティアンプは従来のＡ級、ＡＢ級といったアンプと比較して、入力レベルの低いいわゆるバックオフの大きな状態での効率の上昇が可能となった。 When the input power is at a sufficiently high level, it is considered that both the carrier amplifier 103 and the peak amplifier 108 are operating, and therefore it is considered that they are matched as shown in FIG. At this time, the output of both the carrier amplifier and the peak amplifier is matched to Zo, and the output power as the Doherty amplifier is 2 × Vo2 / Zo as in the case of the normal two-combining amplifier. In this way, the Doherty amplifier can increase the efficiency in a so-called back-off state where the input level is low compared to conventional class A and class AB amplifiers.

以上説明したように、ドハティ増幅器はバックオフの大きい動作点において高効率となる特徴をもっているが、実際の携帯電話基地局等に適用する場合、設置場所の環境条件に合わせて、増幅器が十分に広い温度範囲で動作することが必要となる。ドハティ増幅器はその原理上、Ｂ級あるいはＣ級の低いバイアス点に設定された増幅器を有するため、一般的にその歪特性はＡクラスあるいはＡＢクラスの増幅器と比較して悪くなっており、また、その温度依存性も大きくなっている。 As described above, the Doherty amplifier is characterized by high efficiency at an operating point with a large back-off. However, when applied to an actual mobile phone base station, etc., the amplifier is adequately adapted to the environmental conditions of the installation site. It is necessary to operate in a wide temperature range. Since the Doherty amplifier has, in principle, an amplifier set at a low bias point of class B or C, its distortion characteristic is generally worse than that of an A class or AB class amplifier, The temperature dependence is also increasing.

図３には、LDMOS-FETを用いた260Ｗ出力ドハティ増幅器に関して、キャリアアンプおよびピークアンプのゲートバイアス点をそれぞれ一定電圧にて動作した場合の、ゲイン・パワー付加効率（ＰＡＥ）、Ｃdma2000変調波のスペクトラムエミッションの出力特性を、温度をパラメータとして示す。図３から、ドハティ増幅器のゲートバイアスを固定とした場合、これらの特性の温度変化が大きいことがわかる。結果、上述したように、歪特性が悪くなる。   Fig. 3 shows gain / power added efficiency (PAE) and Cdma2000 modulation wave when the gate bias points of the carrier amplifier and peak amplifier are operated at a constant voltage for a 260 W output Doherty amplifier using LDMOS-FET. The output characteristics of spectrum emission are shown using temperature as a parameter. FIG. 3 shows that the temperature change of these characteristics is large when the gate bias of the Doherty amplifier is fixed. As a result, as described above, the distortion characteristics are deteriorated.

このような従来のドハティ増幅器に対して各種歪補償を適用する際にも、図３（ａ）のゲインや図３（ｃ）、（ｄ）に示すスペクトラムエミッションの温度変化がシステム構成上の問題となる。たとえば図4に示すフィードフォワード装置200を構成する際に、ドハティ増幅器を用いた1stループ201のレベル調整器205や位相調整器206の構成や制御を、温度検出部216により検出した温度の変化に対して考慮する必要があり、さらに歪補償用エラーアンプ213は、ドハティ増幅器を適用したメインアンプ207の温度変化による歪み増加量を考慮して、これを打ち消すことのできる大きな出力電力が必要となる。
本発明はこれらの状況を鑑み、広い環境温度範囲においても一定の特性が得られる増幅装置を提供することにある。 Even when various types of distortion compensation are applied to such a conventional Doherty amplifier, the gain in FIG. 3A and the temperature change in spectrum emission shown in FIGS. 3C and 3D are problems in the system configuration. It becomes. For example, when configuring the feedforward apparatus 200 shown in FIG. 4, the configuration and control of the level adjuster 205 and the phase adjuster 206 of the 1st loop 201 using the Doherty amplifier are changed to the temperature change detected by the temperature detection unit 216. In addition, the distortion compensating error amplifier 213 needs a large output power that can cancel out the distortion increase amount due to the temperature change of the main amplifier 207 to which the Doherty amplifier is applied. .
In view of these circumstances, an object of the present invention is to provide an amplifying device capable of obtaining a certain characteristic even in a wide environmental temperature range.

本発明は上述した課題を達成するために、入力信号を増幅するキャリア増幅部及び入力信号のピーク成分のみを増幅するピーク増幅部から構成されるドハティ増幅器と、周囲の温度を検出する温度検出部と、キャリア増幅部及びピーク増幅器のバイアス点を調整し、かつ各構成を制御する制御部とからなる増幅装置であって、制御部は、温度検出部により周囲温度を検出された温度情報を受け、受けた温度情報に応じてキャリア増幅部及びピーク増幅部のバイアス点を調整することを特徴とする増幅装置を提供する。 In order to achieve the above-described problems, the present invention provides a Doherty amplifier including a carrier amplifier that amplifies an input signal and a peak amplifier that amplifies only the peak component of the input signal, and a temperature detector that detects an ambient temperature. And a control unit that adjusts the bias points of the carrier amplifier and the peak amplifier and controls each component, and the control unit receives temperature information in which the ambient temperature is detected by the temperature detection unit. An amplifying apparatus is provided that adjusts the bias points of the carrier amplifying unit and the peak amplifying unit according to the received temperature information.

また、入力信号を増幅するキャリア増幅部及び入力信号のピーク成分のみを増幅するピーク増幅部から構成されるドハティ増幅器と、周囲の温度を検出する温度検出部と、キャリア増幅部のバイアス点を調整し、かつ各構成を制御する制御部とからなる増幅装置であって、制御部は、温度検出部により周囲温度を検出された温度情報を受け、受けた温度情報に応じてキャリア増幅部のバイアス点を調整することを特徴とする増幅装置を提供する。 Also, the Doherty amplifier is composed of a carrier amplifier that amplifies the input signal and a peak amplifier that amplifies only the peak component of the input signal, a temperature detector that detects the ambient temperature, and the bias point of the carrier amplifier is adjusted. And a control unit that controls each component, the control unit receiving temperature information in which the ambient temperature is detected by the temperature detection unit, and biasing the carrier amplification unit according to the received temperature information An amplifying device characterized by adjusting a point is provided.

さらに、入力信号を増幅するキャリア増幅部及び入力信号のピーク成分のみを増幅するピーク増幅部から構成されるドハティ増幅器と、周囲の温度を検出する温度検出部と、ピーク増幅部のバイアス点を調整し、かつ各構成を制御する制御部とからなる増幅装置であって、制御部は、温度検出部により周囲温度を検出された温度情報を受け、受けた温度情報に応じてピーク増幅部のバイアス点を調整することを特徴とする増幅装置を提供する。 In addition, the Doherty amplifier is composed of a carrier amplifier that amplifies the input signal and a peak amplifier that amplifies only the peak component of the input signal, a temperature detector that detects the ambient temperature, and the bias point of the peak amplifier is adjusted. And a control unit that controls each component, wherein the control unit receives temperature information in which the ambient temperature is detected by the temperature detection unit, and biases the peak amplification unit according to the received temperature information. An amplifying device characterized by adjusting a point is provided.

本発明によれば、周囲環境温度の変化に対して、キャリアアンプおよびピークアンプのバイアス点を個別に調整することにより、広い温度範囲においても一定の特性を得ることができる。特にキャリアアンプについてRF無入力状態でのドレイン電流を常温時と同一とし、ピークアンプについて規定出力時のドレイン電流が常温時と同一となる様にバイアス点を調整することにより、広い温度範囲で一定の効率・歪み特性をもつことができる。
さらに、フィードフォワード増幅装置において、高効率、低歪の特徴を持ち、広い温度範囲にわたって一定の特性で動作を行うことができる。 According to the present invention, constant characteristics can be obtained even in a wide temperature range by individually adjusting the bias points of the carrier amplifier and the peak amplifier with respect to changes in the ambient temperature. In particular, the carrier amplifier has the same drain current in the RF non-input state at room temperature, and the peak amplifier has the same drain current at the specified output at the specified output, and the bias point is adjusted so that it is constant over a wide temperature range. Efficiency and distortion characteristics.
Furthermore, the feedforward amplification device has characteristics of high efficiency and low distortion, and can operate with constant characteristics over a wide temperature range.

以下、本発明の実施例について図５、図６、図７を参照しつつ説明する。図５、図７において図３及び図４と同符号のものは同様の構成であり、説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 5, 6, and 7. 5 and 7, the components having the same reference numerals as those in FIGS. 3 and 4 have the same configuration, and a description thereof will be omitted.

図５は図１のドハティ増幅器に新たにキャリアアンプゲート端子115、ピークアンプゲート端子116を設けている。また、図７は図４のフィードフォワード増幅装置に対して、メインアンプのバイアス点を調整するために制御部と接続している点で異なる。   In FIG. 5, a carrier amplifier gate terminal 115 and a peak amplifier gate terminal 116 are newly provided in the Doherty amplifier of FIG. FIG. 7 differs from the feedforward amplification device of FIG. 4 in that it is connected to a control unit in order to adjust the bias point of the main amplifier.

ドハティ増幅器におけるキャリアゲートバイアス電圧とピークバイアス電圧を周囲環境温度に応じて各々独立に変動させることにより、ドハティ増幅器の特性を一定に保ったまま動作温度範囲を広くすることが可能となる。一例として、そのキャリアアンプのバイアス点を周囲環境温度変化に対してRF無入力時のドレイン電流が一定となるように制御し、かつピークアンプのバイアス点を規定出力時（たとえば飽和出力からのバックオフ10dB時）に常温時と同等のピークアンプドレイン電流となるように制御する。 By independently varying the carrier gate bias voltage and the peak bias voltage in the Doherty amplifier according to the ambient environment temperature, it is possible to widen the operating temperature range while keeping the characteristics of the Doherty amplifier constant. As an example, the bias point of the carrier amplifier is controlled so that the drain current when there is no RF input is constant with respect to ambient temperature changes, and the bias point of the peak amplifier is set at the specified output (for example, back-up from the saturated output). Control is performed so that the peak amplifier drain current is equivalent to that at room temperature at off (10dB).

これらのバイアス点の制御は、例えば、温度センサ216により現在の温度を検知し、これを制御部２１７で判断し、キャリアアンプ・ピークアンプのそれぞれに対してあらかじめメモリ上に記憶された各周囲環境温度に対する適切なバイアス電圧値を読み込み、これをキャリアアンプ・ピークアンプのゲート電圧として出力することによって可能となる。このとき、例えば温度とゲート電圧の関係をテーブルとして登録し、制御を行ってもよい。
あるいは簡単に抵抗とサーミスタを用いて、各温度のバイアス電圧が所望の値となるようにしてもよく、その形態には特にこだわらない。 These bias points are controlled by, for example, detecting the current temperature by the temperature sensor 216, determining this by the control unit 217, and each ambient environment stored in advance in the memory for each of the carrier amplifier and the peak amplifier. This is possible by reading an appropriate bias voltage value with respect to temperature and outputting it as the gate voltage of the carrier amplifier / peak amplifier. At this time, for example, the relationship between the temperature and the gate voltage may be registered as a table to perform control.
Alternatively, a bias voltage at each temperature may be set to a desired value by simply using a resistor and a thermistor, and the form is not particularly limited.

図6には前記ドハティ回路について、上記例示したバイアス制御を施した場合、すなわちキャリアアンプのバイアス点を、周囲環境温度変化に対してバイアス電流が一定となるように図5に示すドハティアンプのキャリアアンプゲート端子115の電圧を制御し、かつピークアンプのバイアス点を、ドハティ増幅器の規定出力時において一定のピークアンプドレイン電流となるようにピークアンプゲートバイアスゲート端子116の電圧を制御した場合の、ゲイン・cdma2000変調波のスペクトラムエミッション・効率の出力特性を、温度をパラメータとしたグラフを示す。 FIG. 6 shows the Doherty amplifier carrier shown in FIG. 5 when the above-described bias control is performed on the Doherty circuit, that is, the bias point of the carrier amplifier is such that the bias current is constant with respect to the ambient temperature change. When controlling the voltage of the amplifier gate terminal 115 and controlling the voltage of the peak amplifier gate bias gate terminal 116 so that the bias point of the peak amplifier becomes a constant peak amplifier drain current at the specified output of the Doherty amplifier, The graph shows the output characteristics of gain, cdma2000 modulation wave spectrum emission, and efficiency with temperature as a parameter.

図５（ａ）より、上記バイアス制御を行った本発明のドハティ増幅器のゲイン特性は、周囲環境温度に対しての出力レベルの変動はほぼ線形となり、また各周囲環境温度における出力電力の変化に対するゲインの変動量は一定に保たれていることがわかる。増幅器システムを考えた場合、ドハティ増幅器と直列にアッテネータを接続しこれを制御することで、システム全体のゲインを広い温度範囲にわたって一定とすることが可能となる。例として、温度変化にリニアに変動するように電圧制御可能な電子アッテネータの使用あるいは抵抗とサーミスタを用いたπ型アッテネータ等を用いて容易に実現可能であることが推察できる。また、図５（ｂ）より本発明のドハティ増幅器は広い範囲にて一定の高い効率が得られていることがわかる。また、図５（ｃ）、（ｄ）よりスペクトラムエミッションおよび効率については、温度変化がある場合においても一定に保たれていることがわかる。
したがって、本発明のドハティ増幅器は従来のドハティ増幅器と比較して広い温度範囲にわたって一定の特性を得ることが可能となることが了解できる。 From FIG. 5 (a), the gain characteristics of the Doherty amplifier of the present invention that has been subjected to the above bias control are such that the fluctuation of the output level with respect to the ambient temperature is almost linear, and the change in the output power at each ambient temperature. It can be seen that the amount of gain variation is kept constant. When considering an amplifier system, it is possible to make the gain of the entire system constant over a wide temperature range by connecting and controlling an attenuator in series with the Doherty amplifier. As an example, it can be inferred that this can be easily realized by using an electronic attenuator that can be voltage-controlled so as to vary linearly with a temperature change, or a π-type attenuator using a resistor and a thermistor. FIG. 5B shows that the Doherty amplifier of the present invention has a constant high efficiency over a wide range. 5C and 5D show that the spectrum emission and efficiency are kept constant even when there is a temperature change.
Therefore, it can be understood that the Doherty amplifier of the present invention can obtain a certain characteristic over a wide temperature range as compared with the conventional Doherty amplifier.

図６に本発明のドハティ増幅器をフィードフォワード方式歪補償増幅装置に適用した場合の構成図を示す。本発明のドハティ増幅器によれば、温度変化に対してゲインのみが線形的に変動するのであるから、これを用いたフィードフォワード方式の増幅器を構成する為には、1ｓｔキャンセルループ中に、従来のレベル調整器205と位相調整器206からなるベクトル調整器の他に、温度補償用のレベル調整器218を持つだけでよい。これは、前述したように、温度変化にリニアに変動するように電圧制御可能な電子アッテネータの使用あるいは抵抗とサーミスタを用いたπ型アッテネータ等を用いて容易に実現可能である。また、この温度補償用のレベル調整器218は、従来のレベル調整器205の動作範囲を広くすることで単一の部品とすることも可能であり、このようにすれば、従来のフィードフォワード回路に対してなんら変化を加えることなく、容易にフィードフォワード回路が構成できる。また本発明のドハティ増幅器はスペクトラムエミッション（歪）の温度に対する変化がほとんどない為、歪消去用のエラーアンプに関しては従来のものからなんら変化を加える必要がない。 FIG. 6 shows a configuration diagram when the Doherty amplifier of the present invention is applied to a feedforward type distortion compensation amplification apparatus. According to the Doherty amplifier of the present invention, only the gain fluctuates linearly with respect to the temperature change. Therefore, in order to construct a feed forward type amplifier using this, the conventional 1 In addition to the vector adjuster composed of the level adjuster 205 and the phase adjuster 206, it is only necessary to have a level adjuster 218 for temperature compensation. As described above, this can be easily realized by using an electronic attenuator capable of voltage control so as to vary linearly with a temperature change or using a π-type attenuator using a resistor and a thermistor. In addition, the level adjuster 218 for temperature compensation can be formed as a single component by widening the operating range of the conventional level adjuster 205. In this way, the conventional feedforward circuit Therefore, a feedforward circuit can be easily configured without any change. In addition, since the Doherty amplifier according to the present invention has almost no change in the temperature of spectrum emission (distortion) with respect to the temperature, it is not necessary to add any change to the error amplifier for eliminating distortion from the conventional one.

したがって、本発明のドハティ増幅器を使用することにより、高効率、低歪の特徴を持つドハティフィードフォワード増幅器を、従来のフィードフォワード増幅器の構成からほとんど変更することなく構成可能であり、さらに本ドハティフィードフォワード増幅器は、広い温度範囲にわたって一定の特性で動作させることが可能となる。 Therefore, by using the Doherty amplifier of the present invention, it is possible to configure a Doherty feedforward amplifier having features of high efficiency and low distortion with almost no change from the configuration of the conventional feedforward amplifier. The forward amplifier can be operated with a constant characteristic over a wide temperature range.

ドハティ増幅器の説明図Illustration of Doherty amplifier ドハティ増幅器の説明図。Explanatory drawing of a Doherty amplifier. 特性図Characteristics chart 特性図Characteristics chart 特性図Characteristics chart 特性図Characteristics chart 従来のフィードフォワード増幅装置Conventional feed-forward amplifier 本発明のドハティ増幅器Doherty amplifier of the present invention 本発明の特性図Characteristics of the present invention 本発明の特性図Characteristics of the present invention 本発明の特性図Characteristics of the present invention 本発明の特性図Characteristics of the present invention 本発明のドハティ増幅器を採用したフィードフォワード増幅装置Feed forward amplifier employing the Doherty amplifier of the present invention

符号の説明Explanation of symbols

101・・・入力端子、102・・・電力分配器、103・・・キャリアアンプ
104・・・キャリアアンプ入力整合回路、105・・・キャリアアンプ出力整合回路
106、107、112…λ/4線路、108・・・ピークアンプ
109・・・ピークアンプ入力整合回路、110・・・ピークアンプ出力整合回路
111・・・ドハティ合成点、113・・・出力端子、114・・・負荷抵抗
115・・・キャリアアンプゲート端子、116・・・ピークアンプゲート端子
200・・・フィードフォワード装置、
201・・・1stキャンセルループ、202・・・2ndキャンセルループ
203・・・入力端子、204、209、214・・・ カプラ、205、211・・・レベル調整器
206、212 ・・・位相調整器、207・・・メインアンプ、208、210・・・遅延線
213・・・エラーアンプ、215・・・出力端子、
101 ... Input terminal, 102 ... Power distributor, 103 ... Carrier amplifier
104 ... Carrier amplifier input matching circuit, 105 ... Carrier amplifier output matching circuit
106, 107, 112 ... λ / 4 line, 108 ... Peak amplifier
109: Peak amplifier input matching circuit, 110: Peak amplifier output matching circuit
111 ... Doherty composite point, 113 ... Output terminal, 114 ... Load resistance
115: Carrier amplifier gate terminal, 116: Peak amplifier gate terminal
200: Feed forward device,
201 ... 1st cancellation loop, 202 ... 2nd cancellation loop
203 ... Input terminal, 204, 209, 214 ... Coupler, 205, 211 ... Level adjuster
206, 212 ... Phase adjuster, 207 ... Main amplifier, 208, 210 ... Delay line
213 ... Error amplifier, 215 ... Output terminal,

Claims (3)

入力信号を増幅するキャリア増幅部及び入力信号のピーク成分のみを増幅するピーク増幅部から構成されるドハティ増幅器と、
周囲の温度を検出する温度検出部と、
前記キャリア増幅部及び前記ピーク増幅器のバイアス点を調整し、かつ各構成を制御する制御部とからなる増幅装置であって、
前記制御部は、前記温度検出部により周囲温度を検出された温度情報を受け、前記受けた温度情報に応じてキャリア増幅部及びピーク増幅部のバイアス点を調整することを特徴とする増幅装置。
A Doherty amplifier comprising a carrier amplifier for amplifying an input signal and a peak amplifier for amplifying only the peak component of the input signal;
A temperature detector for detecting the ambient temperature;
An amplifying apparatus comprising a control unit that adjusts a bias point of the carrier amplifier and the peak amplifier and controls each configuration,
The control unit receives temperature information in which an ambient temperature is detected by the temperature detection unit, and adjusts bias points of a carrier amplification unit and a peak amplification unit according to the received temperature information.
入力信号を増幅するキャリア増幅部及び入力信号のピーク成分のみを増幅するピーク増幅部から構成されるドハティ増幅器と、
周囲の温度を検出する温度検出部と、
前記キャリア増幅部のバイアス点を調整し、かつ各構成を制御する制御部とからなる増幅装置であって、
前記制御部は、前記温度検出部により周囲温度を検出された温度情報を受け、前記受けた温度情報に応じてキャリア増幅部のバイアス点を調整することを特徴とする増幅装置。
A Doherty amplifier comprising a carrier amplifier for amplifying an input signal and a peak amplifier for amplifying only the peak component of the input signal;
A temperature detector for detecting the ambient temperature;
An amplifying apparatus comprising a control unit that adjusts a bias point of the carrier amplifying unit and controls each configuration,
The control unit receives temperature information in which an ambient temperature is detected by the temperature detection unit, and adjusts a bias point of a carrier amplification unit according to the received temperature information.
入力信号を増幅するキャリア増幅部及び入力信号のピーク成分のみを増幅するピーク増幅部から構成されるドハティ増幅器と、
周囲の温度を検出する温度検出部と、
前記ピーク増幅部のバイアス点を調整し、かつ各構成を制御する制御部とからなる増幅装置であって、
前記制御部は、前記温度検出部により周囲温度を検出された温度情報を受け、前記受けた温度情報に応じてピーク増幅部のバイアス点を調整することを特徴とする増幅装置。
A Doherty amplifier comprising a carrier amplifier for amplifying an input signal and a peak amplifier for amplifying only the peak component of the input signal;
A temperature detector for detecting the ambient temperature;
An amplifying apparatus comprising a control unit that adjusts a bias point of the peak amplifying unit and controls each configuration,
The control unit receives temperature information in which an ambient temperature is detected by the temperature detection unit, and adjusts a bias point of a peak amplification unit according to the received temperature information.

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