JP2006278005A

JP2006278005A - Organic el device, its manufacturing method and electronic apparatus

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Publication number: JP2006278005A
Application number: JP2005091758A
Authority: JP
Inventors: Norihito Ishii; 礼仁石井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-03-28
Filing date: 2005-03-28
Publication date: 2006-10-12

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device excelling in luminescence stability without causing luminance irregularity; to provide its manufacturing method; and to provide an electronic apparatus. <P>SOLUTION: This manufacturing method of this organic EL device includes a step of heating an organic layer containing a crystalline organic material at a temperature higher than a melting point of the crystalline organic material and thereafter cooling it. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機電子デバイス全般を対象とし、特に有機ＥＬ装置およびその製造方法、ならびに電子機器に関する。 The present invention is directed to organic electronic devices in general, and particularly relates to an organic EL device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.

有機ＥＬ装置は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を生じる発光装置であり、陽極および陰極と、この陽極と陰極との間に配置された、有機材料を含む有機層とを含む。この有機層としては、光を放出する発光層に加えて、陽極バッファ層となる正孔輸送／注入層や、陰極バッファ層となる電子輸送／注入層が挙げられる。一般に、有機ＥＬ装置は、陽極および陰極からそれぞれ注入された電子と正孔とが発光層内で再結合し、励起したエネルギーが光として放出される。 An organic EL device is a light emitting device that generates light by electroluminescence (EL), and includes an anode and a cathode, and an organic layer containing an organic material, disposed between the anode and the cathode. Examples of the organic layer include a hole transport / injection layer serving as an anode buffer layer and an electron transport / injection layer serving as a cathode buffer layer in addition to a light emitting layer that emits light. Generally, in an organic EL device, electrons and holes injected from an anode and a cathode are recombined in a light emitting layer, and excited energy is emitted as light.

有機ＥＬ装置においては、有機層に含まれる有機材料を適宜選択することにより、発光色の制御が容易である。また、有機ＥＬ装置は、低電力で駆動する効率の良い自発光素子として、ディスプレイ市場で製品化が期待されている。 In the organic EL device, the emission color can be easily controlled by appropriately selecting an organic material contained in the organic layer. Further, organic EL devices are expected to be commercialized in the display market as efficient self-luminous elements that are driven with low power.

有機ＥＬ装置の特性に大きな影響を与える因子として、例えば、有機層表面の平滑性や、有機層が複数の層からなる場合における層同士の密着性が挙げられる。有機層表面の平滑性が低かったり、あるいは層同士の密着性が低かったりすると、発光の均一性が低下したり、電極と有機層との接触具合が悪くなったりする場合がある。 Examples of factors that greatly affect the characteristics of the organic EL device include the smoothness of the surface of the organic layer and the adhesion between layers when the organic layer is composed of a plurality of layers. If the smoothness of the surface of the organic layer is low or the adhesion between the layers is low, the uniformity of light emission may be reduced, or the contact condition between the electrode and the organic layer may be deteriorated.

中でも、有機層が結晶性有機材料を含む場合、有機層中に微結晶が存在することにより、輝度むらが生じたり、発光安定性が低下したりする場合がある。
特開２００３−２８２２４８号公報 In particular, when the organic layer includes a crystalline organic material, the presence of microcrystals in the organic layer may cause uneven brightness or decrease in light emission stability.
JP 2003-282248 A

本発明の目的は、輝度むらがなく、かつ発光安定性に優れた有機ＥＬ装置およびその製造方法、ならびに前記有機ＥＬ装置を含む電子機器を提供することである。 An object of the present invention is to provide an organic EL device having no luminance unevenness and excellent emission stability, a method for manufacturing the same, and an electronic apparatus including the organic EL device.

（１）本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、
結晶性有機材料を含む有機層を前記結晶性有機材料の融点より高い温度で加熱した後、冷却することを含む。 (1) The manufacturing method of the organic EL device of the present invention includes:
It includes heating the organic layer containing the crystalline organic material at a temperature higher than the melting point of the crystalline organic material and then cooling.

本発明において、「結晶性有機材料」とは、融点より高い温度で加熱した後、自然放置すると、少なくとも一部に結晶成分が生成する有機材料をいい、「自然放置」とは、冷却装置を使用せずに室温に放置することをいう。 In the present invention, the “crystalline organic material” refers to an organic material in which a crystalline component is generated at least partially when heated at a temperature higher than the melting point and then left to stand naturally, and “natural standing” refers to a cooling device. To stand at room temperature without using.

なお、本発明において、「Ａ」の上方に「Ｂ」を形成するとは、「Ａ」の上に直接「Ｂ」を形成する場合、もしくは「Ａ」の上に「Ａ」および「Ｂ」と異なる他の部材を介して「Ｂ」を形成する場合を含む。 In the present invention, “B” is formed above “A” when “B” is formed directly on “A”, or “A” and “B” are formed on “A”. This includes the case where “B” is formed via another different member.

本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、結晶成分を実質的に含まない前記有機層を得ることができる。これにより、輝度むらがなく、かつ発光安定性に優れた有機ＥＬ装置を得ることができる。本発明において、「有機層が結晶成分を実質的に含まない」ことは、例えば、後述するＴＭＤＳＣを用いた有機層について測定を行なった場合、融点を示す融解ピーク（例えば図１２でいう融解ピークＭ２）以外の融解ピークが検出されないこと、ならびに、融解ピーク（Ｍ２）より低温領域に結晶化ピーク（Ｃ１）（図１２参照）が検出されることにより、確認することができる。 According to the method for producing an organic EL device of the present invention, the organic layer substantially free of a crystal component can be obtained. Thereby, an organic EL device having no luminance unevenness and excellent light emission stability can be obtained. In the present invention, “the organic layer does not substantially contain a crystal component” means that, for example, when a measurement is performed on an organic layer using TMDSC described later, a melting peak indicating a melting point (for example, a melting peak in FIG. 12). It can be confirmed that no melting peak other than M2) is detected, and that a crystallization peak (C1) (see FIG. 12) is detected in a lower temperature region than the melting peak (M2).

なお、完全に結晶化したサンプルにおいては、融解ピークは１つしか検出されない（図１３参照）。これに対して、アモルファスを含むサンプルにおいては、低温領域において結晶化が起こり、かつ、結晶成分の融解が起こるため、融解ピーク（Ｍ２）および結晶化ピーク（Ｃ１）の両方が検出される（図１１参照）。また、微結晶を含むサンプルと比較して、アモルファスを含むサンプルでは、結晶化ピーク（Ｃ１）がより低温領域に存在する。 In the completely crystallized sample, only one melting peak is detected (see FIG. 13). On the other hand, in the sample containing amorphous, crystallization occurs in a low temperature region and melting of the crystal component occurs, so that both the melting peak (M2) and the crystallization peak (C1) are detected (FIG. 11). In addition, the crystallization peak (C1) is present in a lower temperature region in the sample containing amorphous than in the sample containing microcrystal.

ここで、上記本発明の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記有機層の冷却速度が５０℃／秒以上であることができる。 Here, in the manufacturing method of the organic EL device of the present invention, the cooling rate of the organic layer can be 50 ° C./second or more.

ここで、上記本発明の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記有機層の加熱を不活性ガス雰囲気下または減圧下で行なうことができる。ここで、「不活性ガス」とは、前記有機層と反応しないガスをいう。 Here, in the method for manufacturing an organic EL device of the present invention, the organic layer can be heated in an inert gas atmosphere or under reduced pressure. Here, “inert gas” refers to a gas that does not react with the organic layer.

ここで、上記本発明の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記有機層は、発光層、正孔輸送／注入層、および電子輸送／注入層のうち少なくとも１つであることができる。 Here, in the method for manufacturing an organic EL device of the present invention, the organic layer may be at least one of a light emitting layer, a hole transport / injection layer, and an electron transport / injection layer.

（２）本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、
第１基体の上方に第１電極を形成した後、前記第１基体および前記第１電極の上方に、第１結晶性有機材料を含む第１有機層を形成することにより、第１の部分を形成すること、
第２基体の上方に第２電極を形成した後、前記第２基体および前記第２電極の上方に、第２結晶性有機材料を含む第２有機層を形成することにより、第２の部分を形成すること、および
前記第１有機層および前記第２有機層を介して前記第１の部分と前記第２の部分とを接合させた状態で、前記第１結晶性有機材料の融点および前記第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度で前記第１および第２有機層を加熱した後、冷却すること、
を含む。 (2) The manufacturing method of the organic EL device of the present invention includes:
After forming the first electrode above the first substrate, a first organic layer containing a first crystalline organic material is formed above the first substrate and the first electrode, thereby forming the first portion. Forming,
After forming the second electrode above the second substrate, a second organic layer containing a second crystalline organic material is formed above the second substrate and the second electrode, whereby the second portion is formed. Forming the first crystalline organic material and the melting point of the first crystalline organic material and the second organic layer in a state where the first portion and the second portion are joined via the first organic layer and the second organic layer. Heating the first and second organic layers at a temperature higher than both of the melting points of the two crystalline organic materials and then cooling;
including.

本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、結晶成分を実質的に含まない前記第１および第２有機層を得ることができる。これにより、輝度むらがなく、かつ発光安定性に優れた有機ＥＬ装置を得ることができる。 According to the method for manufacturing an organic EL device of the present invention, the first and second organic layers substantially free of crystal components can be obtained. Thereby, an organic EL device having no luminance unevenness and excellent light emission stability can be obtained.

（３）本発明の有機ＥＬ装置は、
第１および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、結晶性有機材料を含む有機層と、
を含み、
前記有機層は結晶成分を実質的に含まないことができる。 (3) The organic EL device of the present invention
First and second electrodes;
An organic layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a crystalline organic material;
Including
The organic layer can be substantially free of crystalline components.

本発明の有機ＥＬ装置によれば、前記有機層が結晶成分を実質的に含まないことにより、輝度むらがなく、かつ発光安定性に優れている。 According to the organic EL device of the present invention, since the organic layer does not substantially contain a crystal component, there is no luminance unevenness and excellent light emission stability.

（４）本発明の有機ＥＬ装置は、
第１および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、結晶性有機材料を含む有機層と、
を含み、
前記有機層は、前記結晶性有機材料の融点より高い温度で加熱した後、冷却することにより得られる。 (4) The organic EL device of the present invention is
First and second electrodes;
An organic layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a crystalline organic material;
Including
The organic layer is obtained by heating at a temperature higher than the melting point of the crystalline organic material and then cooling.

本発明の有機ＥＬ装置によれば、結晶成分を実質的に含まない前記有機層を得ることができる。これにより、本発明の有機ＥＬ装置は、輝度むらがなく、かつ発光安定性に優れている。 According to the organic EL device of the present invention, the organic layer substantially free of a crystal component can be obtained. Thereby, the organic EL device of the present invention has no luminance unevenness and is excellent in light emission stability.

（５）本発明の有機ＥＬ装置は、
第１基体と、
前記第１基体の上方に配置された第１電極と、
前記第１基体および前記第１電極の上方に配置され、第１結晶性有機材料を含む第１有機層と、
前記第１有機層上に配置された第２有機層と、
前記第２有機層の上方に配置された第２電極と、
前記第２電極および前記第２有機層の上方に配置され、第２結晶性有機材料を含む第２基体と、
を含み、
前記第１および第２有機層は結晶成分を実質的に含まない。 (5) The organic EL device of the present invention
A first substrate;
A first electrode disposed above the first substrate;
A first organic layer disposed above the first substrate and the first electrode and comprising a first crystalline organic material;
A second organic layer disposed on the first organic layer;
A second electrode disposed above the second organic layer;
A second substrate disposed above the second electrode and the second organic layer and comprising a second crystalline organic material;
Including
The first and second organic layers are substantially free of crystalline components.

本発明の有機ＥＬ装置によれば、結晶成分を実質的に含まない前記有機層を含むことにより、輝度むらがなく、かつ発光安定性に優れている。 According to the organic EL device of the present invention, by including the organic layer substantially free of a crystal component, there is no luminance unevenness and excellent light emission stability.

ここで、上記本発明の有機ＥＬ装置において、前記第１および第２有機層は、前記第１結晶性有機材料の融点および前記第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度で加熱した後、冷却することにより得られる。 Here, in the organic EL device of the present invention, the first and second organic layers are heated at a temperature higher than both the melting point of the first crystalline organic material and the melting point of the second crystalline organic material. Obtained by cooling.

（６）本発明の電子機器は、上記本発明の有機ＥＬ装置を含む。 (6) The electronic apparatus of the present invention includes the organic EL device of the present invention.

以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

１．有機ＥＬ装置
図１は、本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置１００を模式的に示す斜視図である。図２は、本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置１００を模式的に示す平面図である。図２においては、有機ＥＬ装置１００のうち第１電極（陽極）２０および第２電極（陰極）２２の平面構造のみを示している。なお、本実施の形態においては、第１電極が陽極２０であり、第２電極が陰極２２である場合について説明するが、本発明の有機ＥＬ装置において、第１電極が陰極であり、第２電極が陽極であってもよい。 1. Organic EL Device FIG. 1 is a perspective view schematically showing an organic EL device 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view schematically showing the organic EL device 100 of one embodiment of the present invention. In FIG. 2, only the planar structure of the first electrode (anode) 20 and the second electrode (cathode) 22 in the organic EL device 100 is shown. In the present embodiment, the case where the first electrode is the anode 20 and the second electrode is the cathode 22 will be described. However, in the organic EL device of the present invention, the first electrode is the cathode and the second electrode is the second electrode. The electrode may be an anode.

有機ＥＬ装置１００は、第１および第２電極２０，２２と、有機層（第１および第２有機層）３０，４０とを含む。有機ＥＬ装置１００は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、またはＢ（青）の光を発光することができる。有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、両電極間に電圧（例えば１０Ｖ以下の電圧）を印加することにより、第１および第２基体１０，１２の両側から光を良好に取り出すことができる。 The organic EL device 100 includes first and second electrodes 20 and 22 and organic layers (first and second organic layers) 30 and 40. The organic EL device 100 can emit R (red), G (green), or B (blue) light. As shown in FIG. 1, the organic EL device 100 can satisfactorily extract light from both sides of the first and second substrates 10 and 12 by applying a voltage (for example, a voltage of 10 V or less) between both electrodes. it can.

より具体的には、有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、第１基体１０と、第１電極２０と、第１有機層３０と、第２有機層４０と、第２電極２２と、第２基体１２とを含むことができる。第１電極２０は、第１基体１０の上方に配置されている。第１有機層３０は、第１基体１０および第１電極２０の上方に配置され、第１結晶性有機材料を含む。第２有機層４０は、第１有機層３０上に配置され、第２結晶性有機材料を含む。第２電極２２は、第２有機層４０の上方に配置されている。第２基体１２は、第２電極２２および第２有機層４０の上方に配置されている。 More specifically, as shown in FIG. 1, the organic EL device 100 includes a first base 10, a first electrode 20, a first organic layer 30, a second organic layer 40, and a second electrode 22. The second substrate 12 can be included. The first electrode 20 is disposed above the first base 10. The first organic layer 30 is disposed above the first base 10 and the first electrode 20 and includes a first crystalline organic material. The second organic layer 40 is disposed on the first organic layer 30 and includes a second crystalline organic material. The second electrode 22 is disposed above the second organic layer 40. The second substrate 12 is disposed above the second electrode 22 and the second organic layer 40.

１．１．有機層
有機層３０，４０は結晶成分を実質的に含まない。有機層３０，４０はいずれも、第１電極２０と第２電極２２との間に配置されている。第１有機層３０は（第１）結晶性有機材料を含み、第２有機層４０は（第２）結晶性有機材料を含む。有機層は、結晶性有機材料の融点より高い温度で加熱した後、冷却することにより得られる。より具体的には、有機層３０，４０は、前記第１結晶性有機材料の融点および前記第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度に加熱した後、冷却することにより得ることが好ましい。 1.1. Organic Layer The organic layers 30 and 40 are substantially free of crystal components. The organic layers 30 and 40 are both disposed between the first electrode 20 and the second electrode 22. The first organic layer 30 includes a (first) crystalline organic material, and the second organic layer 40 includes a (second) crystalline organic material. The organic layer is obtained by heating at a temperature higher than the melting point of the crystalline organic material and then cooling. More specifically, the organic layers 30 and 40 are preferably obtained by heating after cooling to a temperature higher than both the melting point of the first crystalline organic material and the melting point of the second crystalline organic material. .

なお、本実施の形態においては、有機ＥＬ装置１００が有機層３０，４０を含む例について示したが、有機ＥＬ装置１００が発光装置として機能するためには、発光機能を有する有機層（発光層）を少なくとも含んでいればよい。 In the present embodiment, an example in which the organic EL device 100 includes the organic layers 30 and 40 has been described. However, in order for the organic EL device 100 to function as a light emitting device, an organic layer having a light emitting function (light emitting layer). ) At least.

有機ＥＬ装置１００は、発光層に注入された正孔と電子とが結合することにより、光を発生する。本実施の形態の有機ＥＬ装置１００においては、有機層３０が正孔輸送／注入層であり、有機層４０が発光機能を有する発光層であることができる。または、有機層３０が発光機能を有する発光層であり、有機層４０が電子輸送／注入層であることができる。あるいは、有機層３０が正孔輸送／注入層であり、有機層４０が発光層と電子輸送／注入層との積層体であってもよい。または、有機層３０が正孔輸送／注入層と発光機能を有する発光層との積層体であり、有機層４０が電子輸送／注入層であってもよい。有機層３０（有機層４０）が複数の層からなる場合、第１（第２）結晶性有機材料とは、結晶性有機材料を含むすべての層に含まれる結晶性有機材料をいう。 The organic EL device 100 generates light by combining holes and electrons injected into the light emitting layer. In the organic EL device 100 of the present embodiment, the organic layer 30 can be a hole transport / injection layer, and the organic layer 40 can be a light emitting layer having a light emitting function. Alternatively, the organic layer 30 may be a light emitting layer having a light emitting function, and the organic layer 40 may be an electron transport / injection layer. Alternatively, the organic layer 30 may be a hole transport / injection layer, and the organic layer 40 may be a laminate of a light emitting layer and an electron transport / injection layer. Alternatively, the organic layer 30 may be a laminate of a hole transport / injection layer and a light emitting layer having a light emitting function, and the organic layer 40 may be an electron transport / injection layer. When the organic layer 30 (organic layer 40) is composed of a plurality of layers, the first (second) crystalline organic material refers to a crystalline organic material included in all layers including the crystalline organic material.

有機層３０が正孔輸送／注入層を含む場合、正孔輸送／注入層に使用される正孔輸送材料としては、特に限定されないが、例えばＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸）や、トリフェニルアミン骨格を有する高分子材料が挙げられる。トリフェニルアミン骨格を有する高分子材料としては、以下に示される化合物１（商品名：「ＡＤＳ２５４ＢＥ」，ＡＤＳ社製）を採用することができる。

When the organic layer 30 includes a hole transport / injection layer, the hole transport material used for the hole transport / injection layer is not particularly limited. For example, PEDOT-PSS (polyethylenedioxythiophene-polystyrene sulfonic acid) And a polymer material having a triphenylamine skeleton. As a polymer material having a triphenylamine skeleton, the following compound 1 (trade name: “ADS254BE”, manufactured by ADS) can be employed.

有機層３０，４０が発光層を含む場合、該発光層に使用可能な有機発光材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子材料に有機発光材料をドープしたものを使用することができる。ドープする物質としては、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等が挙げられる。 When the organic layers 30 and 40 include a light emitting layer, examples of the organic light emitting material that can be used for the light emitting layer include polyvinyl carbazole, polyfluorene polymer derivatives, (poly) paraphenylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, and polythiophene derivatives. Perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, or the above polymer materials doped with an organic light emitting material can be used. Examples of the substance to be doped include rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, and quinacridone.

さらに、有機層３０，４０が発光層を含む場合、該発光層に使用可能な赤色発光材料としては、例えばＭＥＨ−ＰＰＶ（poly Methoxy（2-ethyl）hexyloxy paraphenylene vinylene）を、青色発光材料としては、例えばポリジオクチルフルオレンを、緑色発光材料としては例えばＰＰＶ（poly（para-phenylene vinylene））を用いることができる。 Further, when the organic layers 30 and 40 include a light emitting layer, as a red light emitting material usable for the light emitting layer, for example, MEH-PPV (poly Methoxy (2-ethyl) hexyloxy paraphenylene vinylene) is used, and as a blue light emitting material, For example, polydioctylfluorene can be used, and PPV (poly (para-phenylene vinylene)) can be used as the green light emitting material.

有機層４０が電子輸送／注入層を含む場合、電子輸送／注入層に使用される電子輸送／注入材料としては、例えば、アルカリ金属のハロゲン化物を用いることができる。 When the organic layer 40 includes an electron transport / injection layer, for example, an alkali metal halide can be used as the electron transport / injection material used for the electron transport / injection layer.

これらの有機材料は、本発明の有機層に含まれる結晶性有機材料として用いることができ、融点より高い温度で加熱した後、自然放冷すると、少なくとも一部に結晶成分が生成する可能性があるものである。 These organic materials can be used as the crystalline organic material contained in the organic layer of the present invention. When heated at a temperature higher than the melting point and then allowed to cool naturally, there is a possibility that a crystalline component is generated at least partially. There is something.

１．２．第１基体および第２基体
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、第１および第２基体１０，１２の両方から光を取り出す構成を有することができる。この場合、第１および第２基体１０，１２としては、光透過性（透明または半透明）の基体が採用され、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック，プラスチックフィルム）等からなる基体が用いられる。 1.2. First Base and Second Base As shown in FIG. 1, the organic EL device 100 can have a configuration for extracting light from both the first and second bases 10 and 12. In this case, as the first and second substrates 10 and 12, a light-transmitting (transparent or translucent) substrate is employed, and for example, a substrate made of glass, quartz, resin (plastic, plastic film), or the like is used. .

なお、有機ＥＬ装置１００が、第１および第２基体１０，１２のうちいずれか一方から光を取り出す構成を有する場合、第１および第２基体１０，１２のうち光を取り出さない側の基体は、光透過性の基体および光透過性を有さない基体のいずれも用いることができる。光透過性を有さない基体としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、あるいは熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。 When the organic EL device 100 has a configuration in which light is extracted from one of the first and second substrates 10 and 12, the substrate on the side of the first and second substrates 10 and 12 that does not extract light is Any of a light-transmitting substrate and a substrate having no light-transmitting property can be used. Examples of the non-light-transmitting substrate include ceramics such as alumina, a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation, a thermosetting resin, and a thermoplastic resin.

１．３．第１および第２電極
本実施の形態の有機ＥＬ装置１００においては、第１および第２電極２０，２２は、図２に示すように、互いに直交する方向に延びているが、第１および第２電極２０，２２の平面構造はこれに限定されるわけではない。 1.3. First and Second Electrodes In the organic EL device 100 of the present embodiment, the first and second electrodes 20 and 22 extend in directions orthogonal to each other as shown in FIG. The planar structure of the two electrodes 20 and 22 is not limited to this.

本実施の形態の有機ＥＬ装置１００においては、第１電極２０および第２電極２２がいずれも、光透過性の導電材料（例えば、透明導電材料）によって形成されている。透明導電材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いることができるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス材料（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標），（出光興産（株）製）等を用いることができる。なお、有機ＥＬ装置１００の光の取り出し方向によっては、第１および第２電極２０，２２が光透過性を有さない導電材料で形成されていてもよい。 In the organic EL device 100 of the present embodiment, both the first electrode 20 and the second electrode 22 are formed of a light transmissive conductive material (for example, a transparent conductive material). As the transparent conductive material, ITO (Indium Tin Oxide) can be used. In addition, for example, an indium oxide / zinc oxide-based amorphous material (Indium Zinc Oxide: IZO / registered trademark) , (Idemitsu Kosan Co., Ltd.), etc. can be used. Note that, depending on the light extraction direction of the organic EL device 100, the first and second electrodes 20 and 22 may be formed of a conductive material that does not have optical transparency.

２．有機ＥＬ装置の製造方法
次に、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１００の製造方法の一例を、図３〜図９を参照して説明する。 2. Method for Manufacturing Organic EL Device Next, an example of a method for manufacturing the organic EL device 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

２．１．第１の部分１１０の形成
まず、図３に示すように、公知の手法によって、第１基体１０の全面を覆うように、第１電極２０となる透明導電層（図示せず）を形成する。透明導電層は例えば、真空蒸着法やスパッタリング法により形成することができる。次に、この透明導電層をパターニングすることにより、光透過性の第１電極２０を形成する。 2.1. Formation of First Part 110 First, as shown in FIG. 3, a transparent conductive layer (not shown) to be the first electrode 20 is formed by a known technique so as to cover the entire surface of the first base 10. The transparent conductive layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method or a sputtering method. Next, the transparent electroconductive layer is patterned to form a light transmissive first electrode 20.

次いで、液相プロセスによって、第１基体１０および第１電極２０の上方に、第１結晶性有機材料を含む第１有機層３０を形成する。より具体的には、第１結晶性有機材料を溶媒に溶解または分散させた液を調製し、この液を第１基体１０および第１電極２０の上に塗布することにより、第１有機層３０を形成する。第１有機層３０は上述したように、正孔輸送／注入層、発光層、または正孔輸送／注入層と発光層との積層体であることができる。 Next, the first organic layer 30 containing the first crystalline organic material is formed above the first substrate 10 and the first electrode 20 by a liquid phase process. More specifically, a liquid in which the first crystalline organic material is dissolved or dispersed in a solvent is prepared, and this liquid is applied onto the first substrate 10 and the first electrode 20, whereby the first organic layer 30. Form. As described above, the first organic layer 30 may be a hole transport / injection layer, a light emitting layer, or a laminate of a hole transport / injection layer and a light emitting layer.

ここで、液相プロセスとは、成膜したい材料を溶解もしくは分散させることで液状体とし、この液状体を用いてスピンコート法、ディップ法、または液滴吐出法（インクジェット法）等により、薄膜を作製する方法である。スピンコート法やディップ法は全面塗布に適しているのに対し、液滴吐出法は任意の箇所に薄膜をパターニングすることができる。 Here, the liquid phase process is a liquid material obtained by dissolving or dispersing a material to be formed into a film, and using this liquid material, a thin film is formed by a spin coating method, a dip method, a droplet discharge method (inkjet method), or the like. It is a method of producing. While the spin coating method and the dip method are suitable for the entire surface coating, the droplet discharge method can pattern a thin film at an arbitrary position.

また、この液相プロセスは、以下に述べる第２有機層４０の成膜工程においても同様に適用することができる。この液相プロセスによれば、数ｎｍ〜数百ｎｍの薄膜を作製することができる。 Moreover, this liquid phase process can be similarly applied to the film forming step of the second organic layer 40 described below. According to this liquid phase process, a thin film of several nm to several hundred nm can be produced.

第１結晶性有機材料を溶解させる溶媒としては、キシレンを採用することが好ましい。なお、キシレン以外の溶媒を採用してもよく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。なお、上記液相プロセスにより得られた第１有機層３０から溶媒を除去することが好ましい。溶媒の除去は、減圧乾燥により行なうことがより好ましい。例えば、例えば図６に示されるチャンバ２００内で溶媒の除去を行なうことができる。 As a solvent for dissolving the first crystalline organic material, xylene is preferably employed. A solvent other than xylene may be employed, and for example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like can be used. In addition, it is preferable to remove a solvent from the 1st organic layer 30 obtained by the said liquid phase process. It is more preferable to remove the solvent by drying under reduced pressure. For example, the solvent can be removed in the chamber 200 shown in FIG. 6, for example.

以上の工程により、第１基体１０および第１電極２０の上方に第１有機層３０が配置された第１の部分１１０が得られる（図３参照）。 Through the above steps, the first portion 110 in which the first organic layer 30 is disposed above the first base 10 and the first electrode 20 is obtained (see FIG. 3).

２．２．第２の部分１２０の形成
次に、図４に示すように、公知の手法によって、第２基体１２の全面を覆うように、第２電極２２となる透明導電層（図示せず）を形成する。そして、この透明導電層をパターニングすることにより、光透過性の第２電極２２を形成する。第２電極２２は、上述の第１電極２０の形成方法と同じ方法によって形成することができる。 2.2. Formation of Second Part 120 Next, as shown in FIG. 4, a transparent conductive layer (not shown) to be the second electrode 22 is formed by a known method so as to cover the entire surface of the second base 12. . Then, by patterning this transparent conductive layer, the light transmissive second electrode 22 is formed. The second electrode 22 can be formed by the same method as the method for forming the first electrode 20 described above.

次いで、液相プロセスによって、第２基体１２および第２電極２２の上方に、第２結晶性有機材料を含む第２有機層４０を形成する。より具体的には、第２結晶性有機材料を溶媒に溶解または分散させてから、この溶媒を第２基体１２および第２電極２２の上に塗布することにより、第２有機層４０を形成する。第２有機層４０は、上述の第１有機層３０の形成方法と同じ方法によって形成することができる。第２有機層４０は上述したように、発光層、発光層と電子輸送／注入層との積層体、または電子輸送／注入層であることができる。 Next, a second organic layer 40 containing a second crystalline organic material is formed above the second substrate 12 and the second electrode 22 by a liquid phase process. More specifically, after the second crystalline organic material is dissolved or dispersed in a solvent, this solvent is applied onto the second substrate 12 and the second electrode 22 to form the second organic layer 40. . The second organic layer 40 can be formed by the same method as the method for forming the first organic layer 30 described above. As described above, the second organic layer 40 may be a light emitting layer, a laminate of a light emitting layer and an electron transport / injection layer, or an electron transport / injection layer.

第２結晶性有機材料を溶解させる溶媒としては、上述の第１結晶性有機材料を溶解させる溶媒として例示したものを用いることができる。なお、上述の第１有機層３０の場合と同様に、上記液相プロセスにより得られた第２有機層４０から溶媒を除去することが好ましい。溶媒の除去は、減圧乾燥により行なうことがより好ましい。 As the solvent for dissolving the second crystalline organic material, those exemplified as the solvent for dissolving the first crystalline organic material described above can be used. As in the case of the first organic layer 30 described above, it is preferable to remove the solvent from the second organic layer 40 obtained by the liquid phase process. It is more preferable to remove the solvent by drying under reduced pressure.

以上の工程により、第２基体１２および第２電極２２の上方に第２有機層４０が配置された第２の部分１２０が得られる（図４参照）。 Through the above steps, the second portion 120 in which the second organic layer 40 is disposed above the second base 12 and the second electrode 22 is obtained (see FIG. 4).

２．３．第１の部分と第２の部分との接合
次いで、図５に示すように、第１の部分１１０と第２の部分１２０とを張り合わせる。より具体的には、第１の部分１１０の第１有機層３０の表面３０ａと、第２の部分１２０の第２有機層４０の表面４０ａとを接合させた状態で、第１有機層３０に含まれる第１結晶性有機材料の融点および第２有機層４０に含まれる第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度で第１および第２有機層３０，４０を加熱した後、冷却する。 2.3. Next, as shown in FIG. 5, the first part 110 and the second part 120 are bonded together. More specifically, the first organic layer 30 is bonded to the surface 30a of the first organic layer 30 of the first portion 110 and the surface 40a of the second organic layer 40 of the second portion 120. The first and second organic layers 30 and 40 are heated at a temperature higher than both the melting point of the first crystalline organic material contained and the melting point of the second crystalline organic material contained in the second organic layer 40, and then cooled. .

ここで、図５に示すように、第１電極２０と第２電極２２とが互いに直交する方向に第１の部分１１０と第２の部分１２０とを張り合わせる。なお、第１の部分１１０と第２の部分１２０との接合体を持ち上げる治具としては、例えば図８（ａ）〜図８（ｄ）に示されるアーム２１０を用いることができる。 Here, as shown in FIG. 5, the first portion 110 and the second portion 120 are bonded together in a direction in which the first electrode 20 and the second electrode 22 are orthogonal to each other. In addition, as a jig | tool which lifts the conjugate | zygote of the 1st part 110 and the 2nd part 120, the arm 210 shown, for example by FIG. 8 (a)-FIG.8 (d) can be used.

有機層（第１および第２有機層）３０，４０の加熱は、例えば図７に示されるチャンバ２００内で行なうことができる。また、有機層（第１および第２有機層）３０，４０の冷却は、例えば図９に示されるチャンバ２２０内で行なうことができる。 The organic layers (first and second organic layers) 30 and 40 can be heated in, for example, the chamber 200 shown in FIG. Further, the cooling of the organic layers (first and second organic layers) 30 and 40 can be performed, for example, in a chamber 220 shown in FIG.

有機層（第１および第２有機層３０，４０）の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または減圧下で行なうことが好ましい。不活性ガスとしては、特に限定されないが、例えば、アルゴンガス、窒素ガス、ヘリウムガスが挙げられる。また、減圧条件は、例えば約５Ｔｏｒｒ以下であることが好ましく、０．１Ｔｏｒｒ以下であることがより好ましい。 The heat treatment of the organic layers (first and second organic layers 30 and 40) is preferably performed under an inert gas atmosphere or under reduced pressure. Although it does not specifically limit as an inert gas, For example, argon gas, nitrogen gas, and helium gas are mentioned. The reduced pressure condition is preferably about 5 Torr or less, and more preferably 0.1 Torr or less.

加熱温度は、第１結晶性有機材料の融点および第２結晶性有機材料の融点より高く、第１結晶性有機材料の分解温度または昇華温度より低く、かつ、第２結晶化有機材料の分解温度または昇華温度より低いことが望ましい。また、加熱時間は、前記第１および第２結晶性有機材料の種類や加熱温度に応じて適宜決定することができるが、３０分間以上であることが好ましく、通常１〜３時間である。 The heating temperature is higher than the melting points of the first crystalline organic material and the second crystalline organic material, lower than the decomposition temperature or sublimation temperature of the first crystalline organic material, and the decomposition temperature of the second crystallized organic material. Or it is desirable that it is lower than sublimation temperature. The heating time can be appropriately determined according to the types of the first and second crystalline organic materials and the heating temperature, but is preferably 30 minutes or longer, and is usually 1 to 3 hours.

冷却温度は０℃以下であることが好ましく、−１０℃以下であることがより好ましい。冷却温度が２０℃を超えると、微結晶が析出しやすくなることがある。 The cooling temperature is preferably 0 ° C. or lower, and more preferably −10 ° C. or lower. When the cooling temperature exceeds 20 ° C., microcrystals may easily precipitate.

有機層（第１および第２有機層３０，４０）の冷却は、冷却媒を用いて行なうことができる。冷却媒としては特に限定されないが、例えば、後述する冷却速度を達成できるように、冷却された不活性ガス（窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス）、または液体窒素を用いることができる。冷却媒として、冷却された不活性ガスまたは液体窒素を用いることにより、５０℃／秒以上の冷却速度を達成することができる。冷却速度が５０℃／秒未満であると、微結晶が析出しやすくなることがある。また、一般に有機層と反応しない点からも、冷却された不活性ガスまたは液体窒素を使用することが好ましい。特に、液体窒素を用いることにより、約−１９６℃まで有機層を冷却することができる。液体窒素を使用する場合、例えば、液体窒素中に有機層３０，４０を浸してもよいし、あるいは液体窒素を有機層３０，４０に噴霧してもよい。 The organic layers (first and second organic layers 30 and 40) can be cooled using a cooling medium. Although it does not specifically limit as a cooling medium, For example, the cooled inert gas (nitrogen gas, argon gas, helium gas), or liquid nitrogen can be used so that the cooling rate mentioned later may be achieved. By using a cooled inert gas or liquid nitrogen as the cooling medium, a cooling rate of 50 ° C./second or more can be achieved. If the cooling rate is less than 50 ° C./second, fine crystals may be easily precipitated. Moreover, it is preferable to use the cooled inert gas or liquid nitrogen also from the point which generally does not react with an organic layer. In particular, by using liquid nitrogen, the organic layer can be cooled to about -196 ° C. When liquid nitrogen is used, for example, the organic layers 30 and 40 may be immersed in the liquid nitrogen, or the liquid nitrogen may be sprayed onto the organic layers 30 and 40.

例えば、図９に示すように、加熱処理後、チャンバ２２０内を窒素で充填した後、第１の部分１１０と第２の部分１２０との接合体に対して、冷却装置（液体窒素ボンベ）２０４の噴霧口２０４ａから冷却媒（液体窒素）を噴霧することにより、第１および第２有機層３０，４０を冷却することができる。 For example, as shown in FIG. 9, after the heat treatment, the inside of the chamber 220 is filled with nitrogen, and then a cooling device (liquid nitrogen cylinder) 204 is attached to the joined body of the first portion 110 and the second portion 120. The first and second organic layers 30 and 40 can be cooled by spraying a cooling medium (liquid nitrogen) from the spray port 204a.

また、図９に示すように、第１の部分１１０と第２の部分１２０との接合体を冷却装置２０３上に配置することができる。この冷却装置２０３は冷却媒を含む。この冷却装置２０３上に前記接合体を配置することにより、有機層３０，４０を冷却することができる。 Further, as shown in FIG. 9, a joined body of the first portion 110 and the second portion 120 can be disposed on the cooling device 203. The cooling device 203 includes a cooling medium. By arranging the joined body on the cooling device 203, the organic layers 30 and 40 can be cooled.

また、有機層３０，４０の冷却速度が５０℃／秒にて前記冷却を行なうことが好ましい。冷却速度が５０℃／秒未満であると、有機層３０，４０中に結晶成分が生成することがある。また、冷却時間は、前記第１および第２結晶性有機材料の種類や冷却速度に応じて適宜決定することができるが、５分間以上であることが好ましく、通常１０〜３０分間である。 The cooling is preferably performed at a cooling rate of the organic layers 30 and 40 of 50 ° C./second. When the cooling rate is less than 50 ° C./second, a crystal component may be generated in the organic layers 30 and 40. The cooling time can be appropriately determined according to the types and cooling rates of the first and second crystalline organic materials, but is preferably 5 minutes or longer, and usually 10 to 30 minutes.

次いで、得られた接合体に配線を接続し、樹脂封止する（図示せず）。 Next, wiring is connected to the obtained bonded body and resin-sealed (not shown).

以上の工程によって、有機層３０の表面３０ａと有機層４０の表面４０ａとを張り合わせることにより、有機ＥＬ装置１００が得られる。 The organic EL device 100 is obtained by bonding the surface 30a of the organic layer 30 and the surface 40a of the organic layer 40 through the above steps.

３．有機ＥＬ装置およびその製造方法の作用効果
本実施の形態の有機ＥＬ装置１００によれば、結晶成分を実質的に含まない有機層（第１および第２有機層３０，４０）を含むことにより、輝度むらがなく、かつ発光安定性に優れている。 3. According to the organic EL device 100 of the present embodiment, the organic EL device and the manufacturing method thereof include organic layers (first and second organic layers 30 and 40) substantially free of crystal components. There is no uneven brightness and excellent light emission stability.

本実施の形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、結晶性有機材料の融点よりも高い温度で有機層を加熱した後、冷却することにより（より具体的には、前記第１結晶性有機材料の融点および前記第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度で第１および第２有機層３０，４０を加熱した後、冷却することにより）、結晶成分の生成を防止することができ、非晶質成分を形成することができる。これにより、輝度むらがなく、かつ発光安定性に優れた有機ＥＬ装置を簡便に製造することができる。 According to the method of manufacturing the organic EL device 100 of the present embodiment, the organic layer is heated at a temperature higher than the melting point of the crystalline organic material and then cooled (more specifically, the first crystalline property). Preventing the formation of crystalline components by heating and cooling the first and second organic layers 30, 40 at a temperature above both the melting point of the organic material and the melting point of the second crystalline organic material. And an amorphous component can be formed. Thereby, an organic EL device having no luminance unevenness and excellent in light emission stability can be easily produced.

また、結晶性有機材料の融点よりも高い温度で有機層を加熱することにより、有機層（第１および第２有機層３０，４０）の平坦化を行なうことができる。さらに、本実施の形態の製造方法において、第１有機層３０と第２有機層４０とを接合する場合、前記第１結晶性有機材料の融点および前記第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度で第１および第２有機層３０，４０を加熱することにより、第１有機層３０と第２有機層４０との密着性を高めることができる。 Further, the organic layer (first and second organic layers 30 and 40) can be planarized by heating the organic layer at a temperature higher than the melting point of the crystalline organic material. Further, in the manufacturing method of the present embodiment, when the first organic layer 30 and the second organic layer 40 are joined, both the melting point of the first crystalline organic material and the melting point of the second crystalline organic material are used. By heating the first and second organic layers 30 and 40 at a high temperature, the adhesion between the first organic layer 30 and the second organic layer 40 can be enhanced.

ところで、一般に、有機ＥＬ装置の製造において、有機層を形成した後、スパッタリング法や真空蒸着法等によって有機層上に電極を形成する場合、スパッタ粒子やプラズマが有機層にダメージを与えることがある。この有機層に加わるダメージにより、発光効率の低下や駆動電圧の上昇等、素子特性の劣化が生じることがある。また、スパッタ粒子やプラズマが有機層の表面に接触することにより、有機層の表面に微結晶が生成することがある。有機層におけるこのような微結晶の生成は、輝度むらや発光安定性の低下の要因となる。 By the way, generally in the manufacture of an organic EL device, when an electrode is formed on the organic layer by sputtering or vacuum deposition after forming the organic layer, sputtered particles or plasma may damage the organic layer. . Due to the damage applied to the organic layer, the device characteristics may be deteriorated such as a decrease in light emission efficiency and an increase in driving voltage. Further, when sputtered particles or plasma come into contact with the surface of the organic layer, microcrystals may be generated on the surface of the organic layer. Formation of such microcrystals in the organic layer becomes a cause of luminance unevenness and reduction in light emission stability.

これに対して、本実施の形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、電極（第１および第２電極２０，２２）を形成した後、有機層（第１および第２有機層３０，４０）を形成することにより、電極パターニング時に有機層にダメージが加わることがない。また、有機層の形成前に電極が形成されるため、スパッタ粒子やプラズマが有機層の表面に接触することがないため、有機層に微結晶が生成することがない。これにより、発光効率に優れ、低消費電力であり、かつ、輝度むらがなく発光安定性に優れた有機ＥＬ装置を製造することができる。 On the other hand, according to the manufacturing method of the organic EL device 100 of the present embodiment, after forming the electrodes (first and second electrodes 20, 22), the organic layers (first and second organic layers 30, 22) are formed. By forming 40), the organic layer is not damaged during electrode patterning. In addition, since the electrode is formed before the organic layer is formed, sputtered particles and plasma do not contact the surface of the organic layer, so that microcrystals are not generated in the organic layer. Thereby, an organic EL device having excellent light emission efficiency, low power consumption, no luminance unevenness, and excellent light emission stability can be manufactured.

４．電子機器
次に、本発明の電子機器の例を説明する。本発明の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置１を表示部として有するものであり、具体的には、例えば図１０に示すような携帯電話が挙げられる。 4). Electronic Device Next, an example of the electronic device of the present invention will be described. The electronic device of the present invention has the above-described organic EL device 1 as a display unit, and specifically includes, for example, a mobile phone as shown in FIG.

図１０において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は本発明の有機ＥＬ装置１００を用いた表示部を示している。図１０に示した携帯電話は、本発明の有機ＥＬ装置１００からなる表示部１００１を備えているので、表示特性に優れたものとなる。 In FIG. 10, reference numeral 1000 denotes a mobile phone body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the organic EL device 100 of the present invention. Since the mobile phone shown in FIG. 10 includes the display unit 1001 including the organic EL device 100 of the present invention, it has excellent display characteristics.

なお、本実施形態の電子機器としては、このような携帯電話以外にも、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置や、腕時計型電子機器、フラットパネルディスプレイ（例えばテレビ）などにも適用可能である。 In addition to such a mobile phone, the electronic device of the present embodiment can be applied to a portable information processing device such as a word processor or a personal computer, a wristwatch type electronic device, a flat panel display (for example, a television) or the like. is there.

５．実施例
以下、本発明の一実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。本実施例においては、有機層の加熱処理および冷却処理の有無によって、有機層中に結晶成分が生じるかどうかについて検証を行なった。 5. Examples Hereinafter, one example of the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following example. In this example, whether or not a crystal component is generated in the organic layer was verified depending on whether or not the organic layer was heated and cooled.

５．１．ＴＭＤＳＣ
本実施例においては、ＴＭＤＳＣ（温度変調示差走査熱量測定計）を用いて、有機層中の結晶成分の有無の確認を行なった。 5.1. TMDSC
In this example, the presence or absence of a crystal component in the organic layer was confirmed using a TMDSC (temperature modulation differential scanning calorimeter).

ＴＭＤＳＣは、直線的な昇温を行なうＤＳＣ（示差走査熱量測定計）とは異なり、加熱および冷却を短時間で周期的に繰り返しながら昇温していく測定方法を採用した測定装置である。ＴＭＤＳＣによれば、下記式（１）で表されるように、「リバーシングヒートフロー」（昇温速度依存性成分）と、「ノンリバーシングヒートフロー」（温度依存性成分）との２つの成分を別々に検出することができる。 Unlike a DSC (differential scanning calorimeter) that performs linear temperature rise, TMDSC is a measuring device that employs a measurement method in which the temperature is raised while repeating heating and cooling periodically in a short time. According to TMDSC, as represented by the following formula (1), there are two types of “reversing heat flow” (temperature increase rate-dependent component) and “non-reversing heat flow” (temperature-dependent component). The components can be detected separately.

（式１）

式（１）において、「ｄＨ／ｄｔ」は総熱量（トータルヒートフロー）を示し、「Ｃｐ」はサンプルの比熱、「ｄＴ／ｄｔ」はサンプルの昇温速度、「Ｆ（Ｔ，ｔ）」は温度および時間依存性のカイネティックプロセスにおける熱量を示す。 (Formula 1)

In equation (1), “dH / dt” indicates the total heat (total heat flow), “Cp” indicates the specific heat of the sample, “dT / dt” indicates the rate of temperature rise of the sample, and “F (T, t)” Indicates the amount of heat in a temperature and time dependent kinetic process.

すなわち、「リバーシングヒートフロー」（昇温速度依存性成分）は、式（１）において「Ｃｐ＊ｄＴ／ｄｔ」で表される成分であり、「ノンリバーシングヒートフロー」（温度依存性成分）は、式（１）において「Ｆ（Ｔ，ｔ）」で表される成分である。また、昇温速度依存性成分は、温度を下げると元の性質に戻る成分であり、温度依存性成分は、温度を下げると元の性質に戻らない成分である。 That is, the “reversing heat flow” (temperature increase rate dependent component) is a component represented by “Cp * dT / dt” in the equation (1), and the “non-reversing heat flow” (temperature dependent component) ) Is a component represented by “F (T, t)” in the formula (1). Further, the temperature rise rate dependent component is a component that returns to its original properties when the temperature is lowered, and the temperature dependent component is a component that does not return to its original properties when the temperature is lowered.

ＴＭＤＳＣを用いることにより、昇温速度依存性成分中に含まれる成分（例えば、ガラス転移温度（Ｔｇ）、融点（Ｔｍ））と、温度依存性成分中に含まれる成分（例えば、結晶化点）とをそれぞれ明確に検出することができる。例えば、図１２に示す結晶性有機材料（Ｆ８）のＴＭＤＳＣ測定結果において、結晶化点は、結晶化ピークＣ１の頂点であり、融点は、融解ピークＭ２の頂点である。また、融解ピークＭ１は微結晶成分（成膜時に生成した微結晶成分）の融解ピークであり、融解ピークＭ２は測定中に生成した結晶成分の融解ピークである。 By using TMDSC, components (eg, glass transition temperature (Tg), melting point (Tm)) contained in the temperature rising rate-dependent component and components (eg, crystallization point) contained in the temperature-dependent component. Can be detected clearly. For example, in the TMDSC measurement result of the crystalline organic material (F8) shown in FIG. 12, the crystallization point is the top of the crystallization peak C1, and the melting point is the top of the melting peak M2. The melting peak M1 is a melting peak of a microcrystalline component (microcrystalline component generated during film formation), and the melting peak M2 is a melting peak of a crystalline component generated during measurement.

５．２．実施例１および比較例１，２
本実施例においては、平均昇温速度５℃／分、モデュレイション周期（加熱と冷却との周期）６０秒、モデュレイション振幅（最大温度と最低温度との差）±０．７９６℃にて、ＴＭＤＳＣを用いた測定を行なった。ＴＭＤＳＣは、商品名「Ｑ１０００」（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製）を使用した。 5.2. Example 1 and Comparative Examples 1 and 2
In this example, the average heating rate is 5 ° C./min, the modulation cycle (cycle between heating and cooling) is 60 seconds, and the modulation amplitude (difference between the maximum temperature and the minimum temperature) is ± 0.796 ° C. Then, measurement using TMDSC was performed. TMDSC used the trade name “Q1000” (manufactured by TA Instruments Japan Co., Ltd.).

Ｆ８（poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)，アメリカンダイソースインク（American Dye Source, Inc.）製）を結晶性有機材料として用いて、有機層（発光層）を作製し、この有機層を測定対象とした。 Using F8 (poly (9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl), manufactured by American Dye Source, Inc.) as a crystalline organic material, an organic layer (light emitting layer) is prepared. This organic layer was used as a measurement target.

まず、Ｆ８をキシレンに溶解させて、Ｆ８の濃度が３０ｇ／Ｌになるように調製して、Ｆ８のキシレン溶液を得た。次に、このキシレン溶液２ｍＬをパスツールピペットで吸い取り、ガラス基板上に滴下した。ここで、溶媒（キシレン）の急激な揮発により気化熱が奪われ、有機層中のポリマー構造に変化が生じるのを避けるため、ガラス基板をシャーレ中に置き、蓋をして冷暗所にて大気中（２５℃）で乾燥させた。次に、有機層中に残存する溶媒を完全に除去するため、約５Ｔｏｒｒの減圧下で減圧乾燥機を用いた乾燥を行ない、「サンプルＡ」（比較例１）を得た。 First, F8 was dissolved in xylene to prepare an F8 concentration of 30 g / L to obtain a F8 xylene solution. Next, 2 mL of this xylene solution was sucked with a Pasteur pipette and dropped onto a glass substrate. Here, in order to avoid the loss of heat of vaporization due to the rapid volatilization of the solvent (xylene) and the change in the polymer structure in the organic layer, the glass substrate is placed in a petri dish and covered with a lid in the air in a cool and dark place. Dry at (25 ° C.). Next, in order to completely remove the solvent remaining in the organic layer, drying was performed using a vacuum dryer under a reduced pressure of about 5 Torr to obtain “Sample A” (Comparative Example 1).

次に、サンプルＡを加熱した後、冷却を行なうことにより、「サンプルＢ」を得た。より具体的には、サンプルＡを図９に示される装置にて、約５Ｔｏｒｒの減圧下で１８０℃にて２時間加熱を行なった後、直ちに発泡スチロール製容器に溜めた液体窒素中に入れることによる冷却を行ない、「サンプルＢ」（実施例１）を得た。 Next, the sample A was heated and then cooled to obtain “sample B”. More specifically, after the sample A was heated for 2 hours at 180 ° C. under a reduced pressure of about 5 Torr with the apparatus shown in FIG. 9, it was immediately put into liquid nitrogen stored in a polystyrene foam container. Cooling was performed to obtain “Sample B” (Example 1).

一方、サンプルＢを得た方法と同じ条件にて加熱を行なった後、約５Ｔｏｒｒの減圧下で室温まで自然放冷することにより、「サンプルＣ」（比較例２）を得た。 On the other hand, after heating under the same conditions as the method for obtaining Sample B, the sample was naturally allowed to cool to room temperature under a reduced pressure of about 5 Torr to obtain “Sample C” (Comparative Example 2).

上記工程により得られたサンプルＡ〜Ｃについて、ＴＭＤＳＣ測定を行なった。その結果をそれぞれ図１１〜図１３に示す。また、参考例として、溶融状態におけるＦ８のＴＭＤＳＣ測定結果を図１４に示す。図１１〜図１４においてはいずれも、「Ａ」は左側の目盛りで表される「リバーシングヒートフロー」（Ｗ／ｇ）（昇温速度依存性成分）を示し、「Ｂ」は右側の目盛りで表される「ノンリバーシングヒートフロー」（Ｗ／ｇ）（温度依存性成分）を示す。図１１〜図１３に示される融解ピークＭ２から、Ｆ８の融点は約１６０℃であることが推測された。なお、図１４から、Ｆ８の結晶化温度は１２０℃付近であることが推測された。 TMDSC measurement was performed on samples A to C obtained by the above process. The results are shown in FIGS. Further, as a reference example, FIG. 14 shows the TMDSC measurement result of F8 in the molten state. In each of FIGS. 11 to 14, “A” indicates “reversing heat flow” (W / g) (temperature increase rate-dependent component) represented by the left scale, and “B” indicates the right scale. “Non-reversing heat flow” (W / g) (temperature-dependent component) represented by From the melting peak M2 shown in FIGS. 11 to 13, it was estimated that the melting point of F8 was about 160 ° C. In addition, it was estimated from FIG. 14 that the crystallization temperature of F8 is around 120 ° C.

図１１は、「サンプルＢ」（実施例１）のＴＭＤＳＣ測定結果を示す。図１１においては、Ｍ１で示される融解ピークが表れていない。すなわち、図１１においては、「ＭＮ」で示される領域にピークが存在しない。これにより、加熱後に冷却することにより得られた、Ｆ８からなる有機層には微結晶が存在しないことが確認された。 FIG. 11 shows the TMDSC measurement result of “Sample B” (Example 1). In FIG. 11, the melting peak indicated by M1 does not appear. That is, in FIG. 11, there is no peak in the region indicated by “MN”. This confirmed that there was no microcrystal in the organic layer made of F8 obtained by cooling after heating.

一方、図１２は、「サンプルＡ」（比較例１）のＴＭＤＳＣ測定結果を示す。図１２においては、融点を示す融解ピークＭ２のほかに、融解ピークＭ１が表れている。この融解ピークＭ１の存在は、微結晶成分が融解していることを示している。これにより、大気中で乾燥させて得られたＦ８からなる有機層には微結晶が存在することが確認された。 On the other hand, FIG. 12 shows the TMDSC measurement result of “Sample A” (Comparative Example 1). In FIG. 12, in addition to the melting peak M2 indicating the melting point, a melting peak M1 appears. The presence of the melting peak M1 indicates that the microcrystalline component is melted. Thereby, it was confirmed that microcrystals exist in the organic layer made of F8 obtained by drying in the air.

また、図１３は、「サンプルＣ」（比較例２）のＴＭＤＳＣ測定結果を示す。図１３においては、融点を示す融解ピークＭ２が表れ、Ｍ２以外の融解ピークが表れていないうえに、結晶化ピークＣ１が表れていない。すなわち、「リバーシングヒートフロー」（昇温速度依存性成分）および「ノンリバーシングヒートフロー」（温度依存性成分）の両方において、１５０℃付近までピークが現れていない。このことから、加熱後に自然放冷することにより得られた、Ｆ８からなる有機層は、ほぼ完全に結晶化していることが確認された。 FIG. 13 shows the TMDSC measurement result of “Sample C” (Comparative Example 2). In FIG. 13, a melting peak M2 indicating the melting point appears, no melting peak other than M2 appears, and no crystallization peak C1 appears. That is, no peak appears up to around 150 ° C. in both “reversing heat flow” (temperature rising rate dependent component) and “non-reversing heat flow” (temperature dependent component). From this, it was confirmed that the organic layer made of F8 obtained by naturally cooling after heating was almost completely crystallized.

以上により、実施例１によれば、結晶性有機材料を含む有機層を前記結晶性有機材料の融点より高い温度で加熱した後冷却することにより、微結晶の生成を防止することができることが確認された。 As described above, according to Example 1, it is confirmed that the formation of microcrystals can be prevented by heating and cooling the organic layer containing the crystalline organic material at a temperature higher than the melting point of the crystalline organic material. It was done.

５．３．実施例２
実施例１で使用したＦ８（第２結晶性有機材料）から第２有機層４０を形成し、ＡＤＳ２５４ＢＥ（第１結晶性有機材料）から第１有機層３０を形成して、図１および図２に示される有機ＥＬ装置１００を作製した。 5.3. Example 2
The second organic layer 40 is formed from F8 (second crystalline organic material) used in Example 1, and the first organic layer 30 is formed from ADS254BE (first crystalline organic material). The organic EL device 100 shown in FIG.

まず、Ｆ８の濃度が１０ｇ／Ｌとなるように、Ｆ８のキシレン溶液を調製した。 First, the xylene solution of F8 was prepared so that the density | concentration of F8 might be 10 g / L.

次に、ガラス基板からなる第１基体１０上に、ＩＴＯからなる第１電極（陽極）２０を形成し、この第１基体１０を純水洗浄した後、ＵＶ照射を行なった。次いで、第１結晶性有機材料（正孔輸送／注入材料）である。ＡＤＳ２５４ＢＥ（Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]）を１０ｇ／Ｌとなるようにキシレン溶液を調製し、パスツールピペットで採取して、スピンコート法により約２０００ｒｐｍで第１基体１０上に前記材料を塗布することにより、ＡＤＳ２５４ＢＥ（第１結晶性有機材料）を含む第１有機層３０を形成した。本実施例において、第１有機層３０は正孔輸送／注入層として機能する。これにより、第１基体１０および第１電極２０上に形成された第１有機層３０を含む第１の部分１１０を形成した（図３参照）。 Next, a first electrode (anode) 20 made of ITO was formed on the first substrate 10 made of a glass substrate, and the first substrate 10 was washed with pure water and then irradiated with UV. Next, the first crystalline organic material (hole transport / injection material). Prepare a xylene solution of ADS254BE (Poly [N, N'-bis (4-butylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine]) at 10 g / L and collect with a Pasteur pipette. The first organic layer 30 containing ADS254BE (first crystalline organic material) was formed by applying the material onto the first substrate 10 by spin coating at about 2000 rpm. In this embodiment, the first organic layer 30 functions as a hole transport / injection layer. Thereby, the 1st part 110 containing the 1st organic layer 30 formed on the 1st base | substrate 10 and the 1st electrode 20 was formed (refer FIG. 3).

次いで、Ｆ８のキシレン溶液を同様の方法にてスピンコートにより塗布し、Ｆ８（第２結晶性有機材料）を含む第２有機層４０を形成した。本実施例において、第２有機層４０は発光層として機能する。これにより、第２基体１２および第２電極２２上に形成された第２有機層４０を含む第２の部分１２０を形成した（図４参照）。 Next, a xylene solution of F8 was applied by spin coating in the same manner to form a second organic layer 40 containing F8 (second crystalline organic material). In the present embodiment, the second organic layer 40 functions as a light emitting layer. Thereby, the 2nd part 120 containing the 2nd organic layer 40 formed on the 2nd base 12 and the 2nd electrode 22 was formed (refer to Drawing 4).

さらに、図６に示すチャンバ２００内で、第１の部分１１０および第２の部分１２０を減圧下で、第１結晶性有機材料の融点および第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度で加熱した。ここで、Ｆ８の融点は約１６０℃（図１４のピークＭ２参照）であり、ＡＤＳ２５４ＢＥの融点および熱分解温度はそれぞれ１７０℃および約２００℃であることから、第１の部分１１０および第２の部分１２０を１８０℃（Ｆ８の融点およびＡＤＳ２５４ＢＥの融点の両方より高い温度）にて３０分間加熱した。 Further, in the chamber 200 shown in FIG. 6, the first portion 110 and the second portion 120 are under reduced pressure at a temperature higher than both the melting point of the first crystalline organic material and the melting point of the second crystalline organic material. Heated. Here, the melting point of F8 is about 160 ° C. (see the peak M2 in FIG. 14), and the melting point and thermal decomposition temperature of ADS254BE are 170 ° C. and about 200 ° C., respectively. Portion 120 was heated at 180 ° C. (a temperature higher than both the melting point of F8 and the melting point of ADS254BE) for 30 minutes.

続いて、図７に示すように、窒素パージをしながらチャンバ２００を大気開放し、第１電極２０と第２電極２２とが互いに直交するような方向（図２参照）に、第１の部分１１０と第２の部分１２０とを重ね合わせた。なお、大気開放している間に第１および第２有機層３０，４０の温度がＦ８およびＡＤＳ２５４ＢＥの結晶化温度以下にならないようにチャンバ２００内の温度を調整した。より具体的には、図１４のＴＭＤＳＣ測定結果より、Ｆ８の結晶化温度は約１２０℃であり、約１４５℃より温度が下がるとＦ８の結晶化が開始すると予測されるため、第２有機層４０の温度が１５０℃以下にならないようにチャンバ２００内の温度を調整した。なお、第１の部分１１０および第２の部分１２０を加熱し、例えば液体窒素等に第１の部分１１０および第２の部分１２０を投入して冷却した後、第１の部分１１０と第２の部分１２０とを接合して、Ｆ８の融点およびＡＤＳ２５４ＢＥの融点の両方より高い温度に再度加熱を行なうことにより、第１有機層３０と第２有機層４０とを張り合わせてもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 7, the chamber 200 is opened to the atmosphere while purging with nitrogen, and the first portion 20 and the second electrode 22 are perpendicular to each other (see FIG. 2). 110 and the second portion 120 were overlapped. Note that the temperature in the chamber 200 was adjusted so that the temperature of the first and second organic layers 30 and 40 did not become lower than the crystallization temperature of F8 and ADS254BE while the atmosphere was open. More specifically, the TDSC measurement result of FIG. 14 indicates that the crystallization temperature of F8 is about 120 ° C., and that the crystallization of F8 is expected to start when the temperature falls below about 145 ° C. Therefore, the second organic layer The temperature in the chamber 200 was adjusted so that the temperature of 40 did not become 150 ° C. or lower. Note that the first portion 110 and the second portion 120 are heated, and after the first portion 110 and the second portion 120 are cooled in, for example, liquid nitrogen, the first portion 110 and the second portion 120 are cooled. The first organic layer 30 and the second organic layer 40 may be bonded together by joining the portion 120 and heating again to a temperature higher than both the melting point of F8 and the melting point of ADS254BE.

次いで、チャンバ２００内を再び減圧した後、第１有機層３０と第２有機層４０とを接合させた状態で、第１の部分１１０と第２の部分１２０との接合体を１８０℃（Ｆ８の融点およびＡＤＳ２５４ＢＥの融点の両方より高い温度）にて３０分間加熱した。その後、窒素パージしながらチャンバ２００を大気開放した後、図９に示すように、第１の部分１１０と第２の部分１２０との接合体を液体窒素にて５分間以上冷却した。得られた接合体に配線（図示せず）を接続し、樹脂（図示せず）で封止することにより、本実施例の有機ＥＬ装置１００を得た。 Next, after reducing the pressure in the chamber 200 again, the joined body of the first portion 110 and the second portion 120 is heated to 180 ° C. (F8) with the first organic layer 30 and the second organic layer 40 joined. And a temperature higher than the melting point of ADS254BE) for 30 minutes. Then, after the chamber 200 was opened to the atmosphere while purging with nitrogen, as shown in FIG. 9, the joined body of the first portion 110 and the second portion 120 was cooled with liquid nitrogen for 5 minutes or more. By connecting wiring (not shown) to the obtained joined body and sealing with resin (not shown), the organic EL device 100 of this example was obtained.

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。 As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail. However, those skilled in the art can easily understand that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. . Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention.

例えば、本実施の形態においては、本発明の有機層の製造方法について、有機ＥＬ装置の有機層を製造する場合を例にとり説明したが、有機半導体装置に使用される有機半導体層についても本発明の有機層の製造方法を適用することができる。 For example, in the present embodiment, the method for producing an organic layer of the present invention has been described by taking the case of producing an organic layer of an organic EL device as an example, but the present invention also applies to an organic semiconductor layer used in an organic semiconductor device. The organic layer manufacturing method can be applied.

本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the organic electroluminescent apparatus of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the organic electroluminescent apparatus of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置の一製造工程を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically one manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置の一製造工程を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically one manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置の一製造工程を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically one manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置の一製造工程を説明する図。The figure explaining one manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置の一製造工程を説明する図。The figure explaining one manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus of one Embodiment of this invention. （ａ）は図７の接合体の拡大図であり、（ｂ）は（ａ）のアーム２１０の拡大図であり、（ｃ）は（ａ）のアーム２１０の側面図であり、（ｄ）は（ａ）のアーム２１０の斜視図である。(A) is an enlarged view of the joined body of FIG. 7, (b) is an enlarged view of the arm 210 of (a), (c) is a side view of the arm 210 of (a), (d) FIG. 3A is a perspective view of an arm 210 in FIG. 本発明の一実施形態の有機ＥＬ装置の一製造工程を説明する図。The figure explaining one manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device of one Embodiment of this invention. 実施例１の有機層のＴＭＤＳＣ測定結果を示す図。The figure which shows the TMDSC measurement result of the organic layer of Example 1. FIG. 比較例１の有機層のＴＭＤＳＣ測定結果を示す図。The figure which shows the TMDSC measurement result of the organic layer of the comparative example 1. 比較例２の有機層のＴＭＤＳＣ測定結果を示す図。The figure which shows the TMDSC measurement result of the organic layer of the comparative example 2. 参考例である溶融状態の有機層のＴＭＤＳＣ測定結果を示す図。The figure which shows the TMDSC measurement result of the organic layer of the molten state which is a reference example.

符号の説明Explanation of symbols

１０，１２基体、２０第１電極、２２第２電極、３０第１有機層、３０ａ第１有機層の表面、４０第２有機層、４０ａ第２有機層の表面、１００有機ＥＬ装置、１１０第１基体、１２０第２基体、２００，２２０チャンバ、２０１，２０２ポンプ、２０３，２０４冷却装置、２０４ａ噴霧口、２１０アーム、１０００携帯電話本体、１００１表示部、Ｃ１結晶化ピーク、Ｍ１，Ｍ２融解ピーク、ＭＮ融解ピークの不存在、ＲＡ分子の再配列ピーク 10, 12 substrate, 20 first electrode, 22 second electrode, 30 first organic layer, 30a surface of first organic layer, 40 second organic layer, 40a surface of second organic layer, 100 organic EL device, 110 first 1 substrate, 120 2nd substrate, 200,220 chamber, 201,202 pump, 203,204 cooling device, 204a spray port, 210 arm, 1000 mobile phone body, 1001 display unit, C1 crystallization peak, M1, M2 melting peak Absence of MN melting peak, rearrangement peak of RA molecule

Claims

結晶性有機材料を含む有機層を前記結晶性有機材料の融点より高い温度で加熱した後、冷却することを含む、有機ＥＬ装置の製造方法。 A method for manufacturing an organic EL device, comprising: heating an organic layer containing a crystalline organic material at a temperature higher than a melting point of the crystalline organic material, and then cooling the organic layer.

請求項１において、
前記有機層の冷却速度が５０℃／秒以上である、有機ＥＬ装置の製造方法。 In claim 1,
The manufacturing method of the organic EL apparatus whose cooling rate of the said organic layer is 50 degrees C / sec or more.

請求項１または２において、
前記有機層の加熱を不活性ガス雰囲気下または減圧下で行なう、有機ＥＬ装置の製造方法。 In claim 1 or 2,
A method for manufacturing an organic EL device, wherein the organic layer is heated in an inert gas atmosphere or under reduced pressure.

請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記有機層は、発光層、正孔輸送／注入層、および電子輸送／注入層のうち少なくとも１つである、有機ＥＬ装置の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The method for manufacturing an organic EL device, wherein the organic layer is at least one of a light emitting layer, a hole transport / injection layer, and an electron transport / injection layer.

第１基体の上方に第１電極を形成した後、前記第１基体および前記第１電極の上方に、第１結晶性有機材料を含む第１有機層を形成することにより、第１の部分を形成すること、
第２基体の上方に第２電極を形成した後、前記第２基体および前記第２電極の上方に、第２結晶性有機材料を含む第２有機層を形成することにより、第２の部分を形成すること、および
前記第１有機層および前記第２有機層を介して前記第１の部分と前記第２の部分とを接合させた状態で、前記第１結晶性有機材料の融点および前記第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度で前記第１および第２有機層を加熱した後、冷却すること、
を含む、有機ＥＬ装置の製造方法。 After forming the first electrode above the first substrate, a first organic layer containing a first crystalline organic material is formed above the first substrate and the first electrode, thereby forming the first portion. Forming,
After forming the second electrode above the second substrate, a second organic layer containing a second crystalline organic material is formed above the second substrate and the second electrode, whereby the second portion is formed. Forming the first crystalline organic material and the melting point of the first crystalline organic material and the second organic layer in a state where the first portion and the second portion are joined via the first organic layer and the second organic layer. Heating the first and second organic layers at a temperature higher than both of the melting points of the two crystalline organic materials and then cooling;
A method for manufacturing an organic EL device.

第１および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、結晶性有機材料を含む有機層と、
を含み、
前記有機層は結晶成分を実質的に含まない、有機ＥＬ装置。 First and second electrodes;
An organic layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a crystalline organic material;
Including
An organic EL device in which the organic layer does not substantially contain a crystal component.

第１および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、結晶性有機材料を含む有機層と、
を含み、
前記有機層は、前記結晶性有機材料の融点より高い温度で加熱した後、冷却することにより得られた、有機ＥＬ装置。 First and second electrodes;
An organic layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a crystalline organic material;
Including
The organic layer is an organic EL device obtained by heating the organic layer at a temperature higher than the melting point of the crystalline organic material and then cooling.

第１基体と、
前記第１基体の上方に配置された第１電極と、
前記第１基体および前記第１電極の上方に配置され、第１結晶性有機材料を含む第１有機層と、
前記第１有機層上に配置された第２有機層と、
前記第２有機層の上方に配置された第２電極と、
前記第２電極および前記第２有機層の上方に配置され、第２結晶性有機材料を含む第２基体と、
を含み、
前記第１および第２有機層は結晶成分を実質的に含まない、有機ＥＬ装置。 A first substrate;
A first electrode disposed above the first substrate;
A first organic layer disposed above the first substrate and the first electrode and comprising a first crystalline organic material;
A second organic layer disposed on the first organic layer;
A second electrode disposed above the second organic layer;
A second substrate disposed above the second electrode and the second organic layer and comprising a second crystalline organic material;
Including
The first and second organic layers are organic EL devices substantially free of crystal components.

請求項８において、
前記第１および第２有機層は、前記第１結晶性有機材料の融点および前記第２結晶性有機材料の融点の両方より高い温度に加熱した後、冷却することにより得られた、有機ＥＬ装置。 In claim 8,
The organic EL device obtained by heating the first and second organic layers to a temperature higher than both the melting point of the first crystalline organic material and the melting point of the second crystalline organic material, and then cooling the organic EL device. .

請求項６ないし９のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を含む、電子機器。 An electronic apparatus comprising the organic EL device according to claim 6.