JP2006270635A - 基板バイアス回路、固体撮像装置およびカメラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の基板バイアス回路は、基板バイアス電圧を半導体基板に印加するボルテージフォロワトランジスタと、前記ボルテージフォロワトランジスタの出力端にダイオードを介して接続され、抵抗値可変の接地抵抗体とを備える。前記接地抵抗体は、第1の接地抵抗体R1と、前記第1の接地抵抗体R1に並列接続された抵抗回路とを備え、前記抵抗回路は、第1の接地抵抗体R1よりも小さな抵抗値の第2の抵抗体R2と、前記第2の抵抗体に直列接続されたスイッチSWとを備える。
【選択図】図2
Description
ここで、前記駆動部は、電子シャッターによるドレインへの電荷の排出終了時から前記遮光手段が閉じるまでを露光期間として撮像するモードにおいて、第1バイアス変調を行うと同時に、前記接地抵抗体の抵抗値を第1の抵抗値から第1の抵抗値よりも小さい第2の抵抗値に変更し、前記第1バイアス変調は、電子シャッター終了直後に基板バイアス電圧を第1バイアス電圧から第1バイアス電圧よりも低電圧の第2バイアス電圧に変更することであるとしてもよい。
本実施の形態における固体撮像装置の構成は、実施の形態1とほぼ同様であるが、駆動部4が、基板バイアス変調として第2バイアス変調を行う点が異なっている。同じ点は説明を省略して、以下異なる点を中心に説明する。
本実施の形態における固体撮像装置の構成は、実施の形態2とほぼ同様であるが、駆動部4が、基板バイアス変調として別の第2バイアス変調を行う点が異なっている。同じ点は説明を省略して、以下異なる点を中心に説明する。本実施の形態での第2バイアス変調は、基板バイアス電圧を第2バイアス電圧よりも高い第3バイアス電圧に変更することである。
2 レンズ
3 メカニカルシャッター3
4 駆動部4
5 信号処理部5
10 固体撮像素子10
20 基板バイアス発生回路20
Q1 エミッターフォロワトランジスタQ1
Q2 スイッチトランジスタQ2
Q3 スイッチトランジスタQ3
D1 ダイオードD1
C キャパシタC
R1 第1接地抵抗R1
R2 第2接地抵抗R2
SW スイッチSW
R3 抵抗R3
R4 抵抗R4
Claims (14)
- フォトダイオードで発生した過剰電荷をドレインに排出するオーバーフロードレイン構造を採りフォトダイオードに蓄積された電荷をドレインに排出する電子シャッター機能を有する固体撮像素子と、フォトダイオードへの光の入射を制御する遮光手段とを有する固体撮像装置を対象とし、オーバーフロードレイン構造でのオーバーフローバリアの高さを規定する基板バイアス電圧を、前記固体撮像素子が形成された半導体基板に印加する基板バイアス回路であって、
前記基板バイアス電圧を前記半導体基板に印加するボルテージフォロワトランジスタと、
前記ボルテージフォロワトランジスタの出力端にダイオードを介して接続される抵抗値可変の接地抵抗体とを備えることを特徴とする基板バイアス回路。 - 前記接地抵抗体は、第1の接地抵抗体と、前記第1の接地抵抗体に並列接続された抵抗回路とを備え、
前記抵抗回路は、第1の接地抵抗体よりも小さな抵抗値の第2の抵抗体と、前記第2の抵抗体に直列接続されたスイッチとを備える
ことを特徴とする請求項1記載の基板バイアス回路。 - 前記基板バイアス回路は、電子シャッターによるドレインへの電荷の排出終了時から前記遮光手段が閉じるまでを露光期間として撮像するモードにおいて、第1バイアス変調を行い、
前記第1バイアス変調は、電子シャッター終了直後に基板バイアス電圧を第1バイアス電圧から第1バイアス電圧よりも低電圧の第2バイアス電圧に変更することであり、
前記接地抵抗体は、前記第1バイアス変調と同時に第1の抵抗値から第1の抵抗値よりも小さい第2の抵抗値に変化する
ことを特徴とする請求項1記載の基板バイアス回路。 - 前記基板バイアス回路は、電子シャッターによるドレインへの電荷の排出終了時から前記遮光手段が閉じるまでを露光期間として撮像する撮像モードにおいて、第1バイアス変調を指示する制御信号に従って第1バイアス変調を行い、
前記第1バイアス変調は、電子シャッター終了直後に基板バイアス電圧を第1バイアス電圧から第1バイアス電圧よりも低電圧の第2バイアス電圧に変更することであり、
前記スイッチは、前記制御信号によりオンする
ことを特徴とする請求項2記載の基板バイアス回路。 - 前記基板バイアス回路は、さらに、前記撮像モードの終了時に前記基板バイアス電圧を第2バイアス電圧から第1バイアス電圧に変更し、これと同時に前記スイッチをオフにする
ことを特徴とする請求項4記載の基板バイアス回路。 - フォトダイオードで発生した過剰電荷をドレインに排出するオーバーフロードレイン構造を採りフォトダイオードに蓄積された電荷をドレインに排出する電子シャッター機能を有する固体撮像素子と、フォトダイオードへの光の入射を制御する遮光手段と、オーバーフロードレイン構造でのオーバーフローバリアの高さを規定する基板バイアス電圧を、前記固体撮像素子が形成された半導体基板に印加する基板バイアス回路と、基板バイアス電圧を変調する駆動部とを備える固体撮像装置であって、
前記基板バイアス回路は、
前記基板バイアス電圧を前記半導体基板に印加するボルテージフォロワトランジスタと、
前記ボルテージフォロワトランジスタの出力端にダイオードを介して接続される抵抗値可変の接地抵抗体とを備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記接地抵抗体は、第1の接地抵抗体と、前記第1の接地抵抗体に並列接続された抵抗回路とを備え、
前記抵抗回路は、第1の接地抵抗体よりも小さな抵抗値の第2の抵抗体と、前記第2の抵抗体に直列接続されたスイッチとを備える
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、電子シャッターによるドレインへの電荷の排出終了時から前記遮光手段が閉じるまでを露光期間として撮像するモードにおいて、第1バイアス変調を行うと同時に、前記接地抵抗体の抵抗値を第1の抵抗値から第1の抵抗値よりも小さい第2の抵抗値に変更し、
前記第1バイアス変調は、電子シャッター終了直後に基板バイアス電圧を第1バイアス電圧から第1バイアス電圧よりも低電圧の第2バイアス電圧に変更することである
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、電子シャッターによるドレインへの電荷の排出終了時から前記遮光手段が閉じるまでを露光期間として撮像する撮像モードにおいて、第1バイアス変調を指示する制御信号を用いて前記スイッチをオンにする
前記第1バイアス変調は、電子シャッター終了直後に基板バイアス電圧を第1バイアス電圧から第1バイアス電圧よりも低電圧の第2バイアス電圧に変更することである
ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、さらに、前記撮像モードの終了時に前記基板バイアス電圧を第2バイアス電圧から第1バイアス電圧に変更し、これと同時に前記スイッチをオフにする
ことを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置。 - 前記第1バイアス電圧は、前記オーバーフロバリアの高さを読み出しゲートにおける障壁よりも低く設定する電圧であり、
前記第2バイアス電圧は、前記オーバーフロバリアの高さを読み出しゲートにおける障壁よりも高く設定する電圧である
ことを特徴とする請求項8から10の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、さらに、露光期間の終了後でかつ垂直CCDの電荷掃き出し前に第2バイアス変調を行い、
前記第2バイアス変調は、基板バイアス電圧を第2バイアス電圧よりも高い第3バイアス電圧に変更することである
ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、さらに、露光期間の終了後でかつ垂直CCDの電荷掃き出し前に第2バイアス変調を行い、
前記第2バイアス変調は、第2バイアス電圧に飽和信号制御用パルスを重畳させることによりオーバフローバリアを一時的に低くすることである
ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。 - 請求項6から13の何れかに記載の固体撮像装置を備えることを特徴とするカメラ。
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