JP2006250858A - 面精度測定方法、干渉計、面精度測定装置、投影光学系の製造方法 - Google Patents
面精度測定方法、干渉計、面精度測定装置、投影光学系の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】本発明は、ピント合わせ誤差や結像収差の影響を受けることなく微細なうねり成分まで高精度に測定することのできる面精度測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の面精度測定方法は、被検面(22a)で生じた反射光からなる被検光束(LW)と所定形状の波面を有した参照光束(LR)とが成す干渉縞を検出器(16)で検出し、被検面(22a)のうねり成分の量を求める面精度測定方法において、検出器(16)に入射する被検光束(LW)を、被検面(22a)のうねり成分に起因して被検面(22a)で回折反射した±1次回折光束の一方と、被検面(22a)で正反射した0次回折光束との2光束に制限するフィルタ(F)を用いる。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の面精度測定方法は、被検面(22a)で生じた反射光からなる被検光束(LW)と所定形状の波面を有した参照光束(LR)とが成す干渉縞を検出器(16)で検出し、被検面(22a)のうねり成分の量を求める面精度測定方法において、検出器(16)に入射する被検光束(LW)を、被検面(22a)のうねり成分に起因して被検面(22a)で回折反射した±1次回折光束の一方と、被検面(22a)で正反射した0次回折光束との2光束に制限するフィルタ(F)を用いる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、レンズやミラーなどの光学素子の面精度誤差を測定する面精度測定方法及び面精度測定装置に関する。また、本発明は、その面精度測定方法に適用される干渉計に関する。また、本発明は、その面精度測定方法を利用した投影光学系の製造方法に関する。
半導体回路の回路パターンの細密化に伴い、その製造装置である投影露光装置の投影光学系に対しては、フレアを発生させにくい性能が求められるようになった。特に、EUVL(EUVL:Extreme UltraViolet Lithography)用の投影光学系など、高性能なものほどフレア低減の必要性が高い。
このフレアの原因は、投影光学系内のレンズやミラーの面精度誤差、特に、空間周波数の高い微細なうねり成分にある。なお、「うねり成分」は、面精度誤差の正弦波状の成分を指す。全ての面精度誤差は、空間周波数の異なる様々なうねり成分の重ね合わせとみなせる。
このフレアの原因は、投影光学系内のレンズやミラーの面精度誤差、特に、空間周波数の高い微細なうねり成分にある。なお、「うねり成分」は、面精度誤差の正弦波状の成分を指す。全ての面精度誤差は、空間周波数の異なる様々なうねり成分の重ね合わせとみなせる。
このフレアを抑えるためには、レンズやミラーの面精度を高精度に測定し、かつ的確に評価しなければならない。
ここで、レンズやミラーの面精度測定には、光の波長のレベルで測定が可能な干渉計(特許文献1などを参照)が適していると考えられる。また、レンズやミラーの面精度の評価には、うねり成分の量を空間周波数毎に表す「パワーススペクトル密度(PSD)」が有効と考えられる。
特開2001−330409号公報(従来の技術)
ここで、レンズやミラーの面精度測定には、光の波長のレベルで測定が可能な干渉計(特許文献1などを参照)が適していると考えられる。また、レンズやミラーの面精度の評価には、うねり成分の量を空間周波数毎に表す「パワーススペクトル密度(PSD)」が有効と考えられる。
しかし、干渉計を用いて微細なうねり成分まで測定しようとすると、干渉計内の検出器と被検面との間のピント合わせ誤差や、干渉計内の光学系の結像収差が大きく影響し、高精度化するのは困難であることがわかった。
そこで本発明は、ピント合わせ誤差や結像収差の影響を受けることなく微細なうねり成分まで高精度に測定することのできる面精度測定方法を提供することを目的とする。
そこで本発明は、ピント合わせ誤差や結像収差の影響を受けることなく微細なうねり成分まで高精度に測定することのできる面精度測定方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、その面精度測定方法を実施するのに適した干渉計を提供することを目的とする。
また、本発明は、その面精度測定方法を実施するのに適した面精度測定装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、高性能な投影光学系を製造することのできる投影光学系の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、その面精度測定方法を実施するのに適した面精度測定装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、高性能な投影光学系を製造することのできる投影光学系の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の面精度測定方法は、被検面で生じた反射光からなる被検光束と所定形状の波面を有した参照光束とが成す干渉縞を検出器で検出し、前記被検面のうねり成分の量を求める面精度測定方法において、前記検出器に入射する前記被検光束を、前記うねり成分に起因して前記被検面で回折反射した±1次回折光束の一方と、前記被検面で正反射した0次回折光束との2光束に制限することを特徴とする。
また、本発明の面精度測定方法においては、前記検出器に入射する前記被検光束を前記2光束に制限する制限手段を用いてもよい。
また、本発明の面精度測定方法において、前記制限手段は、前記被検光束の光路における前記被検面のフーリエ変換面に挿入されたフィルタであることが好ましい。
また、本発明の面精度測定方法において、前記フィルタは、測定対象となる特定の前記うねり成分に起因する回折光束の強度と、それ以外の前記うねり成分に起因する回折光束の強度とのバランスを、前者が相対的に強まるように調節する機能を有してもよい。
また、本発明の面精度測定方法において、前記制限手段は、前記被検光束の光路における前記被検面のフーリエ変換面に挿入されたフィルタであることが好ましい。
また、本発明の面精度測定方法において、前記フィルタは、測定対象となる特定の前記うねり成分に起因する回折光束の強度と、それ以外の前記うねり成分に起因する回折光束の強度とのバランスを、前者が相対的に強まるように調節する機能を有してもよい。
また、本発明の面精度測定方法において、前記フィルタの挿入箇所は、前記被検光束の光路のうち、前記参照光束との非共通光路における前記フーリエ変換面であってもよい。
また、本発明の面精度測定方法において、測定対象となる前記うねり成分の空間周波数帯域に応じて前記制限手段を切り替えてもよい。
本発明の干渉計は、被検面で生じた反射光からなる被検光束と所定形状の波面を有した参照光束とが成す干渉縞を検出器で検出する干渉計において、前記検出器に入射する前記被検光束を、前記被検面のうねり成分に起因して前記被検面で回折反射した±1次回折光束の一方と、前記被検面で正反射した0次回折光束との2光束に制限する制限手段を備えたことを特徴とする。
また、本発明の面精度測定方法において、測定対象となる前記うねり成分の空間周波数帯域に応じて前記制限手段を切り替えてもよい。
本発明の干渉計は、被検面で生じた反射光からなる被検光束と所定形状の波面を有した参照光束とが成す干渉縞を検出器で検出する干渉計において、前記検出器に入射する前記被検光束を、前記被検面のうねり成分に起因して前記被検面で回折反射した±1次回折光束の一方と、前記被検面で正反射した0次回折光束との2光束に制限する制限手段を備えたことを特徴とする。
また、本発明の干渉計において、前記制限手段は、不必要な光をカットするフィルタ手段であることが好ましい。
また、本発明の干渉計において、前記フィルタ手段は、前記被検光束の光路における前記被検面のフーリエ変換面に挿入されたフィルタからることが好ましい。
また、本発明の干渉計において、前記フィルタは、測定対象となる特定の前記うねり成分に起因する回折光束の強度と、それ以外の前記うねり成分に起因する回折光束の強度とのバランスを、前者が相対的に強まるように調節する機能を有していてもよい。
また、本発明の干渉計において、前記フィルタ手段は、前記被検光束の光路における前記被検面のフーリエ変換面に挿入されたフィルタからることが好ましい。
また、本発明の干渉計において、前記フィルタは、測定対象となる特定の前記うねり成分に起因する回折光束の強度と、それ以外の前記うねり成分に起因する回折光束の強度とのバランスを、前者が相対的に強まるように調節する機能を有していてもよい。
また、本発明の干渉計において、前記フィルタの挿入箇所は、前記被検光束の光路のうち、前記参照光束との非共通光路における前記フーリエ変換面であってもよい。
また、本発明の干渉計において、前記制限手段は、測定対象となる前記うねり成分の空間周波数帯域に応じて切り替え可能に構成されてもよい。
また、本発明の面精度測定装置は、本発明の何れかの干渉計と、前記検出器の出力に基づき前記うねり成分の量を求める手段と、前記うねり成分の量を示す情報を表示する手段とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の干渉計において、前記制限手段は、測定対象となる前記うねり成分の空間周波数帯域に応じて切り替え可能に構成されてもよい。
また、本発明の面精度測定装置は、本発明の何れかの干渉計と、前記検出器の出力に基づき前記うねり成分の量を求める手段と、前記うねり成分の量を示す情報を表示する手段とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の投影光学系の製造方法は、投影光学系を構成する少なくとも1つの光学面のうねり成分を、請求項1〜請求項6の何れか一項に記載の面精度測定方法により測定する手順と、前記測定の結果に応じて前記光学面を加工する手順とを含むことを特徴とする。
また、本発明の投影光学系の製造方法において、前記投影光学系は、露光波長が50nm以下のEUVL用の投影光学系であってもよい。
また、本発明の投影光学系の製造方法において、前記投影光学系は、露光波長が50nm以下のEUVL用の投影光学系であってもよい。
本発明によれば、ピント合わせ誤差や結像収差の影響を受けることなく微細なうねり成分まで高精度に測定することのできる面精度測定方法が実現する。
また、本発明によれば、その面精度測定方法を実施するのに適した干渉計が実現する。
また、本発明によれば、その面精度測定方法を実施するのに適した面精度測定装置が実現する。
また、本発明によれば、その面精度測定方法を実施するのに適した干渉計が実現する。
また、本発明によれば、その面精度測定方法を実施するのに適した面精度測定装置が実現する。
また、本発明によれば、高性能な投影光学系を製造することのできる投影光学系の製造方法が実現する。
[第1実施形態]
以下、図1、図2、図3、図4、図5を参照して本発明の第1実施形態を説明する。
本実施形態は、面精度測定装置及びそれを用いた面精度測定方法の実施形態である。
図1は、本測定装置の構成図である。
図1に示すように、本測定装置には、図1に示すように、レーザ光源11、ビームエキスパンダ12、偏光ビームスプリッタ13、1/4波長板14、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)、二次元画像検出器16などが備えられる。これらのレーザ光源11、ビームエキスパンダ12、偏光ビームスプリッタ13、1/4波長板14、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15bからなる。)、及び二次元画像検出器16からなる光学系が、干渉計である。
以下、図1、図2、図3、図4、図5を参照して本発明の第1実施形態を説明する。
本実施形態は、面精度測定装置及びそれを用いた面精度測定方法の実施形態である。
図1は、本測定装置の構成図である。
図1に示すように、本測定装置には、図1に示すように、レーザ光源11、ビームエキスパンダ12、偏光ビームスプリッタ13、1/4波長板14、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)、二次元画像検出器16などが備えられる。これらのレーザ光源11、ビームエキスパンダ12、偏光ビームスプリッタ13、1/4波長板14、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15bからなる。)、及び二次元画像検出器16からなる光学系が、干渉計である。
この干渉計の所定位置には、フィゾーレンズ21及び被検物22が所定の位置関係で配置される。因みに、被検物22の被検面22aが図1に示すとおり凹面であるときには、被検面22aとフィゾーレンズ21の最終面(参照面21a)とが、フィゾーレンズ21の集光点を挟んで正対する。
この干渉計において、レーザ光源11からの射出光束は、直線偏光しており、その偏光面の方向は最適化されている。この光束は、ビームエキスパンダ12を介してその径を適当なサイズに変換させてから偏光ビームスプリッタ13に入射する。光束は、その偏光面の方向に応じて偏光ビームスプリッタ13を反射又は透過(図1では反射)して所定方向に進み、1/4波長板14を経てフィゾーレンズ21に入射する。入射した光束の一部がフィゾーレンズ21を透過して被検物22に向かい、他の一部がフィゾーレンズ21の参照面21aにて反射し光路を戻る。このフィゾーレンズ21は、入射光束を被検面22aに対し略垂直に略同位相で入射する光束に変換するよう設計されている。
この干渉計において、レーザ光源11からの射出光束は、直線偏光しており、その偏光面の方向は最適化されている。この光束は、ビームエキスパンダ12を介してその径を適当なサイズに変換させてから偏光ビームスプリッタ13に入射する。光束は、その偏光面の方向に応じて偏光ビームスプリッタ13を反射又は透過(図1では反射)して所定方向に進み、1/4波長板14を経てフィゾーレンズ21に入射する。入射した光束の一部がフィゾーレンズ21を透過して被検物22に向かい、他の一部がフィゾーレンズ21の参照面21aにて反射し光路を戻る。このフィゾーレンズ21は、入射光束を被検面22aに対し略垂直に略同位相で入射する光束に変換するよう設計されている。
被検物22に向かった光束は、被検物22の被検面22aにて反射し、被検面22aの面精度誤差に応じた波面の被検光束LWとなってフィゾーレンズ21、1/4波長板14を経て偏光ビームスプリッタ13に入射する。
フィゾーレンズ21の参照面21aにて反射した光束は、参照面21aの面精度誤差に応じた波面の参照光束LRとなって1/4波長板14を経て偏光ビームスプリッタ13に入射する。
フィゾーレンズ21の参照面21aにて反射した光束は、参照面21aの面精度誤差に応じた波面の参照光束LRとなって1/4波長板14を経て偏光ビームスプリッタ13に入射する。
偏光ビームスプリッタ13に入射した被検光束LW及び参照光束LRは、1/4波長板14を往復することでそれぞれ偏光面を90°回転させているので、その回転した偏光面の方向に応じて偏光ビームスプリッタ13を透過又は反射(図1では透過)してビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)に向かう。
ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)に入射した被検光束LW及び参照光束LRは、その径を適当なサイズに変換させてから二次元画像検出器16の撮像面16aに入射する。
ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)に入射した被検光束LW及び参照光束LRは、その径を適当なサイズに変換させてから二次元画像検出器16の撮像面16aに入射する。
このビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)は、光束の径を変換する役割の他に、被検面22aの像を撮像面16a上に結像する役割もある。よって、撮像面16aは被検面22aの共役面となる。この撮像面16a上の各位置が、被検面22a上の各位置と正確に対応するよう、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)のディストーションは、十分に小さく抑えられている。
ここで、本測定装置では、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)内の集光位置(被検面22aのフーリエ変換面である。)に、フィルタFが挿入されている。よって、このフィルタFを透過した被検光束LW及び参照光束LRのみが、撮像面16a上に干渉縞を形成する。この干渉縞の位相分布には、被検光束LWの波面と参照光束LRの波面との差異、つまり、参照面21aを基準とした被検面22aの面精度誤差が反映される。
二次元画像検出器16は、この干渉縞を検出して画像データを取得する。この画像データは、本測定装置に備えられた制御回路30を介してコンピュータ31に送出される。
コンピュータ31は、受け取った画像データを解析し、被検面22aの面精度誤差のうち、測定対象帯域内の各うねり成分の量を求める。この解析には、公知の解析方法(最小自乗法、フーリエ変換法など)が適用される。コンピュータ31は、各うねり成分の量を空間周波数毎に表す「パワースペクトル密度(PSD)」を求め、それをディスプレイ32に表示する。
コンピュータ31は、受け取った画像データを解析し、被検面22aの面精度誤差のうち、測定対象帯域内の各うねり成分の量を求める。この解析には、公知の解析方法(最小自乗法、フーリエ変換法など)が適用される。コンピュータ31は、各うねり成分の量を空間周波数毎に表す「パワースペクトル密度(PSD)」を求め、それをディスプレイ32に表示する。
図2は、被検面22aにて生じる被検光束LWを説明する図である。
図2(a)に模式的に示すように、被検光束LWには、被検面22aで正反射した0次回折光(実線)の他に、回折反射した±1次回折光(点線)も含まれる。
これらの±1次回折光及び0次回折光は、図2(a)の下部に示すように、被検面22aのフーリエ変換面s上では、それぞれの回折角度に応じた距離だけ光軸から離れた位置に入射する。これは、被検面22aのどの位置で生じた回折光についても同様に当てはまる。
図2(a)に模式的に示すように、被検光束LWには、被検面22aで正反射した0次回折光(実線)の他に、回折反射した±1次回折光(点線)も含まれる。
これらの±1次回折光及び0次回折光は、図2(a)の下部に示すように、被検面22aのフーリエ変換面s上では、それぞれの回折角度に応じた距離だけ光軸から離れた位置に入射する。これは、被検面22aのどの位置で生じた回折光についても同様に当てはまる。
よって、フーリエ変換面sの光軸上には、0次回折光によるスペクトル(0次スペクトル)が形成され、フーリエ変換面sの光軸から離れた位置には、±1次回折光によるスペクトル(±1次スペクトル)が形成される。このうち、+1次スペクトルの形成位置と−1次スペクトルの形成位置とは、光軸に関し対称である。
また、図2(a),(b),(c)に比較して示すように、±1次回折光の回折角度は、被検面22aのうねり成分の空間周波数(粗さ)に依存する。
また、図2(a),(b),(c)に比較して示すように、±1次回折光の回折角度は、被検面22aのうねり成分の空間周波数(粗さ)に依存する。
よって、図2(a),(b),(c)の各々の下部に示すように、微細なうねり成分に起因する±1次スペクトルは、フーリエ変換面sの光軸から遠い位置に形成され、中程度のうねり成分に起因する±1次スペクトルは、フーリエ変換面sの光軸からあまり遠くない位置に形成され、粗いうねり成分に起因する±1次回折光は、フーリエ変換面sの光軸に近い位置に形成される。
上述したとおり、本測定装置のフィルタFの挿入箇所は、このようなスペクトルの形成されるフーリエ変換面である(図1参照)。
図3は、フィルタFを光軸方向から見た図である。図3に示すように、フィルタFの光軸近傍の領域に、入射光を透過する開口部Hが設けられ、それ以外の広い領域は、入射光をカットする遮光部H’となっている。
図3は、フィルタFを光軸方向から見た図である。図3に示すように、フィルタFの光軸近傍の領域に、入射光を透過する開口部Hが設けられ、それ以外の広い領域は、入射光をカットする遮光部H’となっている。
開口部Hは、光軸を中心とした半径r1の半円形の領域と、光軸を中心とした半径r2の円形領域との和からなる。
半径r1の円周は、本測定装置の測定対象帯域内の最高周波数のうねり成分に起因する+1次スペクトル又は−1次スペクトルの形成位置である。
半径r2の円周は、本測定装置の測定対象帯域内の最低周波数のうねり成分に起因する+1次スペクトル又は−1次スペクトルの形成位置である。
半径r1の円周は、本測定装置の測定対象帯域内の最高周波数のうねり成分に起因する+1次スペクトル又は−1次スペクトルの形成位置である。
半径r2の円周は、本測定装置の測定対象帯域内の最低周波数のうねり成分に起因する+1次スペクトル又は−1次スペクトルの形成位置である。
したがって、開口部Hは、本測定装置の測定対象帯域内のうねり成分に起因する±1次スペクトルの一方と0次スペクトルとをカバーする。また、遮光部H’は、本測定装置の測定対象帯域内のうねり成分に起因する±1次スペクトルの他方をカバーする。
図4は、フィルタFの作用を説明する概念図である。図4において図1に示した要素と同じ符号を付与したものは、その要素の概念である。また、図4中の符号Aは、被検面22AとフィルタFとの間に配置される光学系の概念である。また、図4では、被検面22aと撮像面16aとの結像関係をわかりやすくするため、被検面22a上の或る点Oで生じた或る2種類の被検光束LA,LBを、それらの光路を単純化して示した。
図4は、フィルタFの作用を説明する概念図である。図4において図1に示した要素と同じ符号を付与したものは、その要素の概念である。また、図4中の符号Aは、被検面22AとフィルタFとの間に配置される光学系の概念である。また、図4では、被検面22aと撮像面16aとの結像関係をわかりやすくするため、被検面22a上の或る点Oで生じた或る2種類の被検光束LA,LBを、それらの光路を単純化して示した。
被検光束LAは、本測定装置の測定対象帯域内の或るうねり成分に起因して生じた反射光(0次回折光及び±1次回折光)である。また、被検光束LBは、本測定装置の測定対象帯域内の別のうねり成分に起因して生じた反射光(0次回折光及び±1次回折光)である。
被検光束LAの0次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの開口部Hを通過して、レンズ15bを介して撮像面16aに到達する。
被検光束LAの0次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの開口部Hを通過して、レンズ15bを介して撮像面16aに到達する。
被検光束LAの+1次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの開口部Hを通過して、レンズ15bを介して撮像面16aに到達する。
被検光束LAの−1次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの遮光部H’においてカットされるので、撮像面16aには到達しない。
被検光束LBの0次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの開口部Hを通過して、レンズ15bを介して撮像面16aに到達する。
被検光束LAの−1次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの遮光部H’においてカットされるので、撮像面16aには到達しない。
被検光束LBの0次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの開口部Hを通過して、レンズ15bを介して撮像面16aに到達する。
被検光束LBの−1次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの開口部Hを通過して、レンズ15bを介して撮像面16aに到達する。
被検光束LBの+1次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの遮光部H’においてカットされるので、撮像面16aには到達しない。
つまり、被検光束LB,LAのうち、撮像面16aに到達するのは、±1次回折光の一方と0次回折光との2光束のみである。
被検光束LBの+1次回折光は、光学系Aを通過した後、フィルタFの遮光部H’においてカットされるので、撮像面16aには到達しない。
つまり、被検光束LB,LAのうち、撮像面16aに到達するのは、±1次回折光の一方と0次回折光との2光束のみである。
以上のことは、+1次回折光と−1次回折光との定義を反対にしたとしても、測定対象帯域内のうねり成分に起因する被検光束である限りは、同様に当てはまる。
したがって、撮像面16a上に形成される被検面22aの像(=撮像面16aに入射する被検光束LWの振幅分布)は、±1次回折光の一方からなる光束と、0次回折光束との2光束干渉によって形成される。
したがって、撮像面16a上に形成される被検面22aの像(=撮像面16aに入射する被検光束LWの振幅分布)は、±1次回折光の一方からなる光束と、0次回折光束との2光束干渉によって形成される。
図5は、撮像面16a上に形成される被検面22aの像を説明する図である。図5(a)は、従来例(フィルタF無し)の撮像面16aに入射する3光束の概念図であり、図5(b)は、本実施形態(フィルタF有り)の撮像面16aに入射する2光束の概念図である。
図5(a)に示すように、従来例では3光束干渉が生じるので、従来例の被検面22aの像の位相分布Φは、図5(a’)に示すように、+1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束(=干渉光束の位相分布)Φ0+1と、−1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束(=干渉光束の位相分布)Φ0-1との重ね合わせで表される。
図5(a)に示すように、従来例では3光束干渉が生じるので、従来例の被検面22aの像の位相分布Φは、図5(a’)に示すように、+1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束(=干渉光束の位相分布)Φ0+1と、−1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束(=干渉光束の位相分布)Φ0-1との重ね合わせで表される。
一方、図5(b)に示すように、本実施形態では2光束干渉が生じるので、本実施形態の被検面22aの像の位相分布Φは、図5(b’)に示すように、±1次回折光束の一方と0次回折光束とによる干渉光束(=干渉光束の位相分布)Φ01のみで表される。よって、本実施形態の被検面22aの像の位相分布Φの振幅は、従来例の被検面22aの像の位相分布Φの最大振幅の半分である。
しかしながら、仮に、撮像面16aと被検面22aとの間にピント合わせ誤差が生じると、+1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束Φ0+1と、−1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束Φ0-1との位相関係がずれる。また、被検面16aと被検面22aとの間の光学系の結像収差によっても、その位相関係がずれることがある。
従来例では、+1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束Φ0+1と、−1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束Φ0-1との位相関係がずれると、図5(a’)に矢印で示すとおり、被検面22aの像の位相分布Φの振幅が変化する。そして、位相関係のずれ量がπに近づくに従って、図5(a’)に点線で示すように、被検面22aの像の位相分布Φの振幅は減衰して、ゼロに近づく。
従来例では、+1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束Φ0+1と、−1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束Φ0-1との位相関係がずれると、図5(a’)に矢印で示すとおり、被検面22aの像の位相分布Φの振幅が変化する。そして、位相関係のずれ量がπに近づくに従って、図5(a’)に点線で示すように、被検面22aの像の位相分布Φの振幅は減衰して、ゼロに近づく。
一方、本実施形態では、+1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束と、−1次回折光束と0次回折光束とによる干渉光束との位相関係がずれると、図5(b’)に矢印で示すとおり、干渉光束Φ01の位相がずれるので、被検面22aの像の位相分布Φの位相もずれるが、図5(b’)に点線で示すように、被検面22aの像の位相分布Φの振幅は、何ら変化しない。
以上の結果、従来例では、ピント合わせ誤差又は結像収差が生じていると、撮像面16a上の干渉縞の位相分布に、被検面22aの特定のうねり成分が反映されないことがあった。それに対し、本実施形態では、仮にピント合わせ誤差又は結像収差が生じていたとしても、撮像面16a上の干渉縞の位相分布に、被検面22aの測定対象帯域内のうねり成分が確実に反映される。
本測定装置のコンピュータ31は、このような干渉縞の画像データを解析し、被検面22aの測定対象帯域内の各うねり成分の量を求める。また、求めた各うねり成分の量に基づき、コンピュータ31は、「パワースペクトル密度(PSD)」を算出し、それをディスプレイ32に表示する。
但し、本測定装置では、3光束干渉の代わりに2光束干渉を利用するので、被検面22aの像の位相分布Φの振幅が1/2倍になり、うねり成分の量が実際の量の1/2倍に計上される。そこで、本測定装置のコンピュータ31は、計上されたうねり成分の量を、2倍化する処理も行う。
但し、本測定装置では、3光束干渉の代わりに2光束干渉を利用するので、被検面22aの像の位相分布Φの振幅が1/2倍になり、うねり成分の量が実際の量の1/2倍に計上される。そこで、本測定装置のコンピュータ31は、計上されたうねり成分の量を、2倍化する処理も行う。
以上、本測定装置では、たとえピント合わせ誤差や結像収差が生じていたとしても、フィルタFの作用により、干渉縞の位相分布に被検面22aの測定対象帯域内のうねり成分が確実に反映されることになる。したがって、本測定装置によれば、微細なうねり成分まで高精度に測定することができる。
ここで、本測定装置の具体的効果を、従来の干渉計(特許文献1)と比較して説明する。比較に当たり、以下の条件を想定した。
ここで、本測定装置の具体的効果を、従来の干渉計(特許文献1)と比較して説明する。比較に当たり、以下の条件を想定した。
・測定対象領域:被検面22a上の径φ=1mmの領域,
・検出ピッチ:測定対象領域全域につき撮像面16aの500画素分,
・光源波長λ:633nm(レーザ光源11にHeNeレーザを使用),
・測定対象帯域(測定対象となるうねり成分の光学的周期)P:4μm,
・測定対象振幅(測定対象となるうねり成分の振幅):1,
・検出振幅A:0.8以上,
この条件の測定で必要なピント合わせ精度(被検面22aと撮像面16aとの間のピント合わせ精度)は、従来の干渉計では5μm以下であるのに対し、本測定装置ではこのピント合わせ精度は不必要となる。
・検出ピッチ:測定対象領域全域につき撮像面16aの500画素分,
・光源波長λ:633nm(レーザ光源11にHeNeレーザを使用),
・測定対象帯域(測定対象となるうねり成分の光学的周期)P:4μm,
・測定対象振幅(測定対象となるうねり成分の振幅):1,
・検出振幅A:0.8以上,
この条件の測定で必要なピント合わせ精度(被検面22aと撮像面16aとの間のピント合わせ精度)は、従来の干渉計では5μm以下であるのに対し、本測定装置ではこのピント合わせ精度は不必要となる。
その理由は、以下のとおりである。
先ず、従来の干渉計では、3光束干渉を利用するので、検出振幅Aは、ピント合わせ誤差に依存し、ピント合わせ誤差s、光源波長λ、うねり成分の光学的周期Pによって以下の式(1)で表される。
A=cos[π・λ・s/P2] ・・・(1)
この式(1)に、上述した条件A=0.8,P=4μmを代入すると、s=5μmが得られる。このため、従来の干渉計で必要なピント合わせ精度は、5μm以下であることがわかる。
先ず、従来の干渉計では、3光束干渉を利用するので、検出振幅Aは、ピント合わせ誤差に依存し、ピント合わせ誤差s、光源波長λ、うねり成分の光学的周期Pによって以下の式(1)で表される。
A=cos[π・λ・s/P2] ・・・(1)
この式(1)に、上述した条件A=0.8,P=4μmを代入すると、s=5μmが得られる。このため、従来の干渉計で必要なピント合わせ精度は、5μm以下であることがわかる。
一方、本測定装置では、2光束干渉を利用するので、式(1)が当てはまらず、検出振幅Aは、ピント合わせ誤差sには何ら依存しない。このため、本測定装置ではピント合わせ精度に対する制約は無い。
(変形例)
なお、本測定装置において、測定対象帯域が狭く、かつ比較的高周波数である場合には、測定対象帯域外の粗いうねり成分に起因する余分な±1次回折光をカットするために、図3に示すようなフィルタFに代えて、図6に示すようなフィルタFを用いてもよい。
(変形例)
なお、本測定装置において、測定対象帯域が狭く、かつ比較的高周波数である場合には、測定対象帯域外の粗いうねり成分に起因する余分な±1次回折光をカットするために、図3に示すようなフィルタFに代えて、図6に示すようなフィルタFを用いてもよい。
図6に示すフィルタFの開口部Hは、光軸を中心とした半径r1〜r2の半円弧状の領域と、光軸を中心とした半径r3の円形領域とからなる。
半径r1の円周は、本測定装置の測定対象帯域内の最高周波数のうねり成分に起因する+1次スペクトル又は−1次スペクトルの形成位置である。
半径r2の円周は、本測定装置の測定対象帯域内の最低周波数のうねり成分に起因する+1次スペクトル又は−1次スペクトルの形成位置である。
半径r1の円周は、本測定装置の測定対象帯域内の最高周波数のうねり成分に起因する+1次スペクトル又は−1次スペクトルの形成位置である。
半径r2の円周は、本測定装置の測定対象帯域内の最低周波数のうねり成分に起因する+1次スペクトル又は−1次スペクトルの形成位置である。
半径r3の円形領域は、本測定装置の0次スペクトルの形成領域である。
また、本測定装置においては、フィルタFの開口部Hのパターニングを容易にするために、図3に示すようなフィルタFに代えて、図7に示すようなフィルタFを用いてもよい。
図7に示すフィルタFの開口部Hは、図3における開口部Hの全体を過不足無くカバーするような概略半円形の開口部である。
また、本測定装置においては、フィルタFの開口部Hのパターニングを容易にするために、図3に示すようなフィルタFに代えて、図7に示すようなフィルタFを用いてもよい。
図7に示すフィルタFの開口部Hは、図3における開口部Hの全体を過不足無くカバーするような概略半円形の開口部である。
また、本測定装置においては、測定対象帯域内のうねり成分の測定精度を向上させるため、図3に示すようなフィルタFに代えて、図8に示すようなフィルタFを用いてもよい。
図8に示すフィルタFにおいては、中心部の円形領域H”の透過率が意図的に下げられている。その透過率は、例えば10%に設定される。
図8に示すフィルタFにおいては、中心部の円形領域H”の透過率が意図的に下げられている。その透過率は、例えば10%に設定される。
透過率が10%に設定されたこの円形領域H”は、0次スペクトルの強度を1/10倍に抑えると共に、測定対象帯域外の粗いうねり成分に起因する±1次スペクトルの強度を1/10倍に抑える。
つまり、フィルタFは、測定対象帯域内のうねり成分に起因する回折光束の強度と、測定対象帯域外の粗いうねり成分に起因する回折光束の強度とのバランスを、前者が相対的に10倍に強まるように調節する機能を持つ。
つまり、フィルタFは、測定対象帯域内のうねり成分に起因する回折光束の強度と、測定対象帯域外の粗いうねり成分に起因する回折光束の強度とのバランスを、前者が相対的に10倍に強まるように調節する機能を持つ。
このようなフィルタFを用いると、撮像面16a上の干渉縞には、測定対象帯域内のうねり成分が相対的に√10倍に増幅されて反映される(なお、「√10」は10の平方根)。二次元画像検出器16が取得した画像データにおいては、その増幅分だけ、測定対象帯域内のうねり成分のSN比が高まる。
また、本測定装置においては、複数種類のフィルタを予め用意すると共に、光路に挿入されるフィルタを、それら複数種類のフィルタの間で切り替える切り替え機構を備えてもよい。
また、本測定装置においては、複数種類のフィルタを予め用意すると共に、光路に挿入されるフィルタを、それら複数種類のフィルタの間で切り替える切り替え機構を備えてもよい。
図9には、複数種類のフィルタF1,F2,・・を切り替え可能に支持するターレットからなる切り替え機構15を示した。
複数種類のフィルタF1,F2,・・は、例えば、図10に示すような、開口部のパターンが互いに異なる4種類のフィルタF1,F2,F3,F4である。
例えば、測定対象帯域を変更するときには、フィルタF1,F2の間で切り替えると有効である。フィルタF1,F2は、何れも図3に示したタイプのフィルタFであって、半径r2,r1の組み合わせが、フィルタF1,F2の間で異なる。
複数種類のフィルタF1,F2,・・は、例えば、図10に示すような、開口部のパターンが互いに異なる4種類のフィルタF1,F2,F3,F4である。
例えば、測定対象帯域を変更するときには、フィルタF1,F2の間で切り替えると有効である。フィルタF1,F2は、何れも図3に示したタイプのフィルタFであって、半径r2,r1の組み合わせが、フィルタF1,F2の間で異なる。
また、低周波数のうねり成分しか測定しないときには、フィルタF3を使用すると有効である。フィルタF3の開口部は、円形であり、その径は、図3に示した径r1よりも小さい。
また、測定対象帯域が狭く、かつ比較的高周波数であるときには、フィルタF4を使用すると有効である。フィルタF4は、図6に示したタイプのフィルタである。
また、測定対象帯域が狭く、かつ比較的高周波数であるときには、フィルタF4を使用すると有効である。フィルタF4は、図6に示したタイプのフィルタである。
なお、このようにフィルタFを切り替える切り替え機構には、ターレットの他、スライド機構などの他の機構を適用することもできる。
また、本測定装置においては、フィルタFの挿入箇所が、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)内の集光位置とされたが、図11中に白抜き矢印で示す位置、すなわちフィゾーレンズ21の集光位置であってもよい。フィゾーレンズ21の集光位置も、被検面22aのフーリエ変換面なので、同様の効果を得ることができる。
また、本測定装置においては、フィルタFの挿入箇所が、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)内の集光位置とされたが、図11中に白抜き矢印で示す位置、すなわちフィゾーレンズ21の集光位置であってもよい。フィゾーレンズ21の集光位置も、被検面22aのフーリエ変換面なので、同様の効果を得ることができる。
また、本測定装置の干渉計には、公知の位相シフト干渉法など、公知の測定方法や公知の解析方法を組み合わせることができる。因みに、位相シフト干渉法を組み合わせる場合、干渉縞の位相を変調するための機構(例えば、被検物22又はフィゾーレンズ21を光軸方向に移動させるピエゾ素子等)が備えられる。
なお、本測定装置の干渉計は、フィゾー型干渉計であるが、トワイマングリーン型やマッハツェンダー型など、他のタイプの干渉計にも適用できる。また、本実施形態は、凹の被検面22aだけでなく、凸の被検面の測定にも同様に適用できる。
なお、本測定装置の干渉計は、フィゾー型干渉計であるが、トワイマングリーン型やマッハツェンダー型など、他のタイプの干渉計にも適用できる。また、本実施形態は、凹の被検面22aだけでなく、凸の被検面の測定にも同様に適用できる。
[第2実施形態]
以下、図12を参照して本発明の第2実施形態を説明する。
本実施形態は、面精度測定装置の実施形態である。ここでは、第1実施形態の測定装置との相違点のみ説明する。相違点は、測定装置内の干渉計にある。
図12は、本測定装置の干渉計部分の構成図である。なお、図12において、図1に示す要素と同じものには同一の符号を付した。
以下、図12を参照して本発明の第2実施形態を説明する。
本実施形態は、面精度測定装置の実施形態である。ここでは、第1実施形態の測定装置との相違点のみ説明する。相違点は、測定装置内の干渉計にある。
図12は、本測定装置の干渉計部分の構成図である。なお、図12において、図1に示す要素と同じものには同一の符号を付した。
図12に示すように、本測定装置の干渉計においては、偏光ビームスプリッタ13と二次元画像検出器16との間の光路がハーフミラーHMによって2つに分岐され、かつ、再統合される。分岐された2つの光路のそれぞれには、ビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)が挿入される。なお、図12において、Mで示すのは、光路を折り曲げるためのミラーである。
一方の光路のビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)内の集光位置には、ピンホール板PHが挿入され、他方の光路のビーム径変換光学系(レンズ15a,15b)内の集光位置には、第1実施形態と同じフィルタFが挿入される。このフィルタFの挿入箇所は、被検面22aのフーリエ変換面である。
ピンホール板PHのピンホールの径は、0次スペクトルの形成領域の半分程度である。このピンホールの位置には、点回折光源が形成される。点回折光源から射出する光束の波面は理想球面波なので、本測定装置ではこの光束が参照光束LRとして用いられる。
ピンホール板PHのピンホールの径は、0次スペクトルの形成領域の半分程度である。このピンホールの位置には、点回折光源が形成される。点回折光源から射出する光束の波面は理想球面波なので、本測定装置ではこの光束が参照光束LRとして用いられる。
つまり、本測定装置では、ピンホール板PHにより生起した理想球面波からなる参照光束LRと、フィルタFを透過した被検光束LWとが、撮像面16a上に干渉縞を形成する。本測定装置では、その干渉縞から、参照光束LRの波面(理想球面)を基準とした被検面22aの面精度誤差が求められる。
以上、本測定装置においても、第1実施形態と同じフィルタFが第1実施形態と同じく被検面22aのフーリエ変換面に配置されるので、第1実施形態の測定装置と同様の効果を得ることができる。
以上、本測定装置においても、第1実施形態と同じフィルタFが第1実施形態と同じく被検面22aのフーリエ変換面に配置されるので、第1実施形態の測定装置と同様の効果を得ることができる。
[第3実施形態]
以下、図13、図14を参照して本発明の第4実施形態を説明する。
本実施形態は、投影光学系の製造方法の実施形態である。本実施形態で製造する投影光学系は、例えば、図13に示すようなEUVL用の投影露光装置に搭載される投影光学系PLである。
以下、図13、図14を参照して本発明の第4実施形態を説明する。
本実施形態は、投影光学系の製造方法の実施形態である。本実施形態で製造する投影光学系は、例えば、図13に示すようなEUVL用の投影露光装置に搭載される投影光学系PLである。
図13に示すように、EUVL用の投影露光装置には、照明光学系101、反射型のレチクルR、投影光学系PL、ウエハWが配置される。レチクルRは、レチクルステージ102によって支持され、ウエハWはウエハステージ106によって支持される。レチクルステージ102及びウエハステージ106は、駆動回路102c,106cによって駆動される。また、駆動回路102c,106cなどは、制御部109によって制御される。
照明光学系101の光源は、EUV光(極端紫外光)を出射する光源である。このため、投影光学系PLは、EUV光を反射することのできる特性の複数のミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6を順に配置した反射型の投影光学系である。また、照明光学系101の内部の光学面やレチクルRにも、EUV光を反射することのできる特性が付与されている。
図14は、投影光学系PLの製造方法の手順を示すフローチャートである。
本製造方法では、先ず、投影光学系PLの光学設計をする(ステップS101)。このステップS101において、投影光学系PL内のミラーミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6の各面形状が決定される。
次に、各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6を加工する(ステップS102)。
本製造方法では、先ず、投影光学系PLの光学設計をする(ステップS101)。このステップS101において、投影光学系PL内のミラーミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6の各面形状が決定される。
次に、各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6を加工する(ステップS102)。
次に、加工された各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6の面形状を測定しつつ、その面精度誤差が小さくなるまで加工を繰り返す(ステップS102,S103,S104)。
各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6の面精度誤差が或る程度小さくなると、ステップS103では、フレアの原因となり得る微細なうねり成分まで測定する。この測定に、第1実施形態又は第2実施形態の測定装置を利用する。測定装置のディスプレイ32には、面精度誤差のPSDが表示される。
各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6の面精度誤差が或る程度小さくなると、ステップS103では、フレアの原因となり得る微細なうねり成分まで測定する。この測定に、第1実施形態又は第2実施形態の測定装置を利用する。測定装置のディスプレイ32には、面精度誤差のPSDが表示される。
ステップS104では、そのPSDに基づき、各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6に、フレアの原因となる微細なうねり成分が残存しているか否かを判断する。
各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6のうち、その微細なうねり成分が残存していたものに対しては、その後のステップS102においてそのうねり成分を無くすための高精度な加工が施される。
各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6のうち、その微細なうねり成分が残存していたものに対しては、その後のステップS102においてそのうねり成分を無くすための高精度な加工が施される。
その後、全てのミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6からフレアの原因が取り除かれると(ステップS104OK)、それらミラーを完成させ、投影光学系PLを組み立てる(ステップS105)。
その後、投影光学系PLの波面収差を測定しつつ(ステップS106)、各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6の間隔調整や偏心調整などを行い(ステップS108)、波面収差が許容範囲内に収まった時点(ステップS107OK)で、投影光学系PLを完成させる。
その後、投影光学系PLの波面収差を測定しつつ(ステップS106)、各ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6の間隔調整や偏心調整などを行い(ステップS108)、波面収差が許容範囲内に収まった時点(ステップS107OK)で、投影光学系PLを完成させる。
以上、本製造方法では、ミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6の面精度測定に第1実施形態又は第2実施形態の測定装置が適用される。この測定装置によれば、微細なうねり成分まで高精度に測定することができるので、フレアの原因が確実に取り除かれた、面精度の高いミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6が完成する。よって、これらのミラーPL1,PL2,PL3,PL4,PL5,PL6を組み立ててできる投影光学系PLは、フレアの生じない高性能な投影光学系PLとなる。
また、この投影光学系PLを備えた投影露光装置(図13参照)は、レチクルRのパターンをウエハWに高精度に転写できる高性能な投影露光装置となる。よって、その投影露光装置によれば、高性能なデバイスを製造することができる。
なお、本製造方法は、EUVL用の投影露光装置の反射型の投影光学系PLの製造に、第1実施形態又は第2実施形態の測定装置を利用したものであるが、屈折型の投影光学系、反射屈折型の投影光学系、EUVL用以外の投影光学系、投影露光装置以外の光学機器の結像光学系などの製造にも、この測定装置を利用することができる。因みに、第1実施形態又は第2実施形態の測定装置は、ミラーの表面の面精度測定だけでなく、レンズの表面の面精度測定にも利用できる。
なお、本製造方法は、EUVL用の投影露光装置の反射型の投影光学系PLの製造に、第1実施形態又は第2実施形態の測定装置を利用したものであるが、屈折型の投影光学系、反射屈折型の投影光学系、EUVL用以外の投影光学系、投影露光装置以外の光学機器の結像光学系などの製造にも、この測定装置を利用することができる。因みに、第1実施形態又は第2実施形態の測定装置は、ミラーの表面の面精度測定だけでなく、レンズの表面の面精度測定にも利用できる。
11 レーザ光源
12 ビームエキスパンダ
13 偏光ビームスプリッタ
14 1/4波長板
15a,15b レンズ(ビーム径変換光学系)
16 二次元画像検出器
16a 撮像面
22 被検物
22a 被検面
21 フィゾーレンズ
21a 参照面
30 制御回路
31 コンピュータ
32 ディスプレイ
F,F1,F2,F3,F4 フィルタ
s フーリエ変換面
LW,LA,LB 被検光束
LR 参照光束
H 開口部
H’ 遮光部
15 切り替え機構
12 ビームエキスパンダ
13 偏光ビームスプリッタ
14 1/4波長板
15a,15b レンズ(ビーム径変換光学系)
16 二次元画像検出器
16a 撮像面
22 被検物
22a 被検面
21 フィゾーレンズ
21a 参照面
30 制御回路
31 コンピュータ
32 ディスプレイ
F,F1,F2,F3,F4 フィルタ
s フーリエ変換面
LW,LA,LB 被検光束
LR 参照光束
H 開口部
H’ 遮光部
15 切り替え機構
Claims (15)
- 被検面で生じた反射光からなる被検光束と所定形状の波面を有した参照光束とが成す干渉縞を検出器で検出し、前記被検面のうねり成分の量を求める面精度測定方法において、
前記検出器に入射する前記被検光束を、前記うねり成分に起因して前記被検面で回折反射した±1次回折光束の一方と、前記被検面で正反射した0次回折光束との2光束に制限する
ことを特徴とする面精度測定方法。 - 請求項1に記載の面精度測定方法において、
前記検出器に入射する前記被検光束を前記2光束に制限する制限手段を用いる
ことを特徴とする面精度測定方法。 - 請求項2に記載の面精度測定方法において、
前記制限手段は、
前記被検光束の光路における前記被検面のフーリエ変換面に挿入されたフィルタである
ことを特徴とする面精度測定方法。 - 請求項3に記載の面精度測定方法において、
前記フィルタは、
測定対象となる特定の前記うねり成分に起因する回折光束の強度と、それ以外の前記うねり成分に起因する回折光束の強度とのバランスを、前者が相対的に強まるように調節する機能を有する
ことを特徴とする面精度測定方法。 - 請求項3又は請求項4に記載の面精度測定方法において、
前記フィルタの挿入箇所は、
前記被検光束の光路のうち、前記参照光束との非共通光路における前記フーリエ変換面である
ことを特徴とする面精度測定方法。 - 請求項2〜請求項5の何れか一項に記載の面精度測定方法において、
測定対象となる前記うねり成分の空間周波数帯域に応じて前記制限手段を切り替える
ことを特徴とする面精度測定方法。 - 被検面で生じた反射光からなる被検光束と所定形状の波面を有した参照光束とが成す干渉縞を検出器で検出する干渉計において、
前記検出器に入射する前記被検光束を、前記被検面のうねり成分に起因して前記被検面で回折反射した±1次回折光束の一方と、前記被検面で正反射した0次回折光束との2光束に制限する制限手段を備えた
ことを特徴とする干渉計。 - 請求項7に記載の干渉計において、
前記制限手段は、不必要な光をカットするフィルタ手段からなる
ことを特徴とする干渉計。 - 請求項8に記載の干渉計において、
前記フィルタ手段は、
前記被検光束の光路における前記被検面のフーリエ変換面に挿入されたフィルタからなる
ことを特徴とする干渉計。 - 請求項9に記載の干渉計において、
前記フィルタは、
測定対象となる特定の前記うねり成分に起因する回折光束の強度と、それ以外の前記うねり成分に起因する回折光束の強度とのバランスを、前者が相対的に強まるように調節する機能を有する
ことを特徴とする干渉計。 - 請求項9又は請求項10に記載の干渉計において、
前記フィルタの挿入箇所は、
前記被検光束の光路のうち、前記参照光束との非共通光路における前記フーリエ変換面である
ことを特徴とする干渉計。 - 請求項7〜請求項11の何れか一項に記載の干渉計において、
前記制限手段は、
測定対象となる前記うねり成分の空間周波数帯域に応じて切り替え可能に構成される
ことを特徴とする干渉計。 - 請求項7〜請求項12の何れか一項に記載の干渉計と、
前記検出器の出力に基づき前記うねり成分の量を求める手段と、
前記うねり成分の量を示す情報を表示する手段と
を備えたことを特徴とする面精度測定装置。 - 投影光学系を構成する少なくとも1つの光学面のうねり成分を、請求項1〜請求項6の何れか一項に記載の面精度測定方法により測定する手順と、
前記測定の結果に応じて前記光学面を加工する手順と
を含むことを特徴とする投影光学系の製造方法。 - 請求項14に記載の投影光学系の製造方法において、
前記投影光学系は、
露光波長が50nm以下のEUVL用の投影光学系である
ことを特徴とする投影光学系の製造方法。
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JP2005070785A JP2006250858A (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 面精度測定方法、干渉計、面精度測定装置、投影光学系の製造方法 |
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