JP2006245283A - 画像検出読取装置 - Google Patents

画像検出読取装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006245283A
JP2006245283A JP2005058846A JP2005058846A JP2006245283A JP 2006245283 A JP2006245283 A JP 2006245283A JP 2005058846 A JP2005058846 A JP 2005058846A JP 2005058846 A JP2005058846 A JP 2005058846A JP 2006245283 A JP2006245283 A JP 2006245283A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reading
light source
linear
image
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005058846A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Yamaguchi
晃 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2005058846A priority Critical patent/JP2006245283A/ja
Priority to US11/366,550 priority patent/US7414256B2/en
Publication of JP2006245283A publication Critical patent/JP2006245283A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/147Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/153Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】 固体検出器、この固体検出器に読取光を照射するための面状光源、この面状光源を制御するための光源制御手段等を備えた画像検出読取装置において、検出信号のS/Nを向上させるとともに、画像信号の取得を高速化する。
【解決手段】
読取光で走査されることにより、静電潜像に応じた電流を発生する放射線固体検出器20、放射線固体検出器20を読取光で走査するための面状光源30、面状光源30を制御するための光源制御手段50等から構成された画像検出読取装置において、放射線固体検出器20のストライプ電極を、エレメント25aの長さ方向において中心で2つに分割して2つの読取領域A1、A2に区画し、エレメント25aの抵抗成分および隣接するエレメント25a間の容量成分を小さくするとともに、光源制御手段50により、読取領域A1、A2に対して同時並列的に走査を行わせるように面状光源30を制御する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、前記静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器、夫々が読取光を発する線状光源を平行に多数並べてなる面状光源、線状光源を順次切り替えて駆動することにより走査を行わせる光源制御手段等を備えた画像検出読取装置に関するものである。
今日、医療診断等を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して得た電荷を潜像電荷として蓄電部に一旦蓄積し、該蓄積した潜像電荷を放射線画像情報を表す電気信号に変換して出力する放射線固体検出器(以下単に検出器ともいう)を使用する放射線画像記録読取装置が各種提案されている。このような装置に用いる放射線固体検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面から、検出器に読取光(読取用の電磁波)を照射して読み出す光読出方式のものがある。
本出願人は、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立を図ることができる光読出方式の放射線固体検出器として、特許文献1、特許文献2において、記録用の放射線あるいは該放射線の励起により発せられる光(以下記録光という)に対して透過性を有する第1導電層、記録光を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第1導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第2導電層を、この順に積層して成り、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に、画像情報を担持する潜像電荷(静電潜像)を蓄積する検出器を提案している。
そして、上記特許文献2においては、特に、読取光に対して透過性を有する第2導電層の電極を多数の読取光に対して透過性を有する電荷検出用線状電極からなるストライプ電極とすると共に、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数の補助線状電極を、前記電荷検出用線状電極と交互にかつ互いに平行となるように、第2導電層内に設けた検出器を提案している。
このように、多数の補助線状電極からなるサブストライプ電極を第2導電層内に設けることにより、蓄電部とサブストライプ電極との間に新たなコンデンサが形成され、記録光によって蓄電部に蓄積された潜像電荷と逆極性の輸送電荷を、読取りの際の電荷再配列によってこのサブストライプ電極にも帯電させることが可能となる。これにより、読取用光導電層を介してストライプ電極と蓄電部との間で形成されるコンデンサに配分される前記輸送電荷の量を、このサブストライプ電極を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、結果として検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させると共に、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立をも図ることができるようになっている。
さらに、特許文献3においては、上記の固体検出器、夫々が読取光を発する線状光源を平行に多数並べてなる面状光源、線状光源を順次切り替えて駆動することにより走査を行わせる光源制御手段等を備えた画像検出読取装置が開示されている。
特開2000−105297号公報 特開2000−284056号公報 特開2000−162726号公報
ところで、上記固体検出器のストライプ電極を構成する線状電極は、長さが数10cm程度、幅が数10μm程度のものが想定されているが、このように長くて細い線状電極には抵抗成分が多く存在することになり、固体検出器から読み出される画像信号のS/Nを低下させてしまう。また隣接する線状電極同士の間隔も数10μm程度と狭いため、容量成分も多く存在することになり、これによっても固体検出器から読み出される画像信号のS/Nを低下させてしまう。
また、このような固体検出器から画像信号を取得する場合に、特許文献3において線状電極の長さ方向と直交する方向に延びる複数の線状光源を順次駆動し、線状光源から照射される読取光により固体検出器の走査を行うことによって画像信号を取得する態様が開示されているが、線状電極の長さは上述したように数10cm程度と長く、この間を線状電極を順次駆動して走査を行うと時間がかかるという問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、前記静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器、夫々が読取光を発する線状光源を平行に多数並べてなる面状光源、線状光源を順次切り替えて駆動することにより走査を行わせる光源制御手段等を備えた画像検出読取装置において、検出信号のS/Nを向上させるとともに、画像信号の取得を高速化した画像検出読取装置を提供することを目的とするものである。
本発明による画像検出読取装置は、画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器と、電流を検出する電流検出手段と、夫々が読取光を発する線状光源を平行に多数並べてなる面状光源と、線状光源を順次切り替えて駆動することにより走査を行わせる光源制御手段とを備え、固体検出器が、静電潜像に応じた電流を出力するための線状電極を平行に多数並べてなるストライプ電極を備え、線状光源が、線状電極の長さ方向に直交する方向に延びるように配設された画像検出読取装置において、ストライプ電極が、線状電極の長さ方向において複数に分割されて複数の読取領域に区画されたものであり、読取領域毎に電流検出手段が接続され、光源制御手段が、ストライプ電極の複数の読取領域に対して同時並列的に走査を行わせるように線状光源を制御するものであることを特徴とするものである。
ここで「固体検出器」とは、被写体の画像情報を担持する放射線を検出して被写体に関する放射線画像を表す画像信号を出力する検出器であって、入射した放射線を直接または一旦光に変換した後に電荷に変換し、この電荷を外部に出力させることにより、被写体に関する放射線画像を表す画像信号を得ることができるものである。
この固体検出器には種々の方式のものがあり、例えば、放射線を電荷に変換する電荷生成プロセスの面からは、放射線が照射されることにより蛍光体から発せられた蛍光を光導電層で検出して得た信号電荷を蓄電部に一旦蓄積し、蓄積電荷を画像信号(電気信号)に変換して出力する光変換方式の固体検出器、あるいは、放射線が照射されることにより光導電層内で発生した信号電荷を電荷収集電極で集めて蓄電部に一旦蓄積し、蓄積電荷を電気信号に変換して出力する直接変換方式の固体検出器等、あるいは、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面からは、読取光(読取用の電磁波)を検出器に照射して読み出す光読出方式のもの等、さらには、前記直接変換方式と光読出方式を組み合わせた本願出願人による上記特許文献2において提案している改良型直接変換方式のもの等がある。
また「同時並列的に走査を行わせる」とは、例えばストライプ電極が3つ以上の複数の読取領域に区画された場合に、全ての読取領域に対して同時並列的に走査を行わせる場合に限らず、2つ以上の複数の読取領域に対して同時並列的に走査を行わせる場合も含むものである。
本発明による画像検出読取装置によれば、画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器と、電流を検出する電流検出手段と、夫々が読取光を発する線状光源を平行に多数並べてなる面状光源と、線状光源を順次切り替えて駆動することにより走査を行わせる光源制御手段とを備え、固体検出器が、静電潜像に応じた電流を出力するための線状電極を平行に多数並べてなるストライプ電極を備え、線状光源が、線状電極の長さ方向に直交する方向に延びるように配設された画像検出読取装置において、ストライプ電極を、線状電極の長さ方向において複数に分割して複数の読取領域に区画したことにより、分割しない場合と比べ線状電極の長さを相対的に短くすることができるため、線状電極の抵抗成分を小さくすることができるとともに、隣接する線状電極間で発生する容量成分も小さくすることができるため、固体検出器から読み出される画像信号のS/Nを向上させることができる。さらに、光源制御手段を、ストライプ電極の複数の読取領域に対して同時並列的に走査を行わせるように線状光源を制御するものとしたことにより、画像信号の取得を高速化することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は本発明の一実施の形態による画像検出読取装置の放射線固体検出器および面状光源を示す図であり、(A)は斜視図、(B)は(A)におけるX―Z断面図、(C)は(A)におけるX−Y断面図である。また、図2は上記画像検出読取装置の概略構成図である。なお、図2においては放射線固体検出器および面状光源についてはそれぞれ線状電極および線状光源のみ示している。
この画像検出読取装置は、読取光で走査されることにより、静電潜像に応じた電流を発生する放射線固体検出器20と、この放射線固体検出器20を読取光で走査するための面状光源30と、放射線固体検出器20から出力される電流を検出する電流検出手段40と、面状光源30を制御するための光源制御手段50とから構成されている。
放射線固体検出器20および面状光源30は不図示のガラス基板上に積層された構造となっている。
放射線固体検出器20は、放射線画像情報を静電潜像として記録し、読取用の電磁波(以下読取光という)で走査されることにより、前記静電潜像に応じた電流を発生するものであり、被写体を透過したX線等の記録用の放射線(以下記録光という)に対して透過性を有する第一導電層21、記録光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する記録用光導電層22、第一導電層21に帯電される潜像極性電荷(例えば負電荷)に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜像極性電荷と逆極性の輸送極性電荷(前例においては正電荷)に対しては略導電体として作用する電荷輸送層23、読取光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する読取用光導電層24、読取光に対して透過性を有する第二導電層25をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層22と電荷輸送層23との界面に蓄電部が形成される。
第一導電層21および第二導電層25はそれぞれ電極をなすものであり、第一導電層21の電極は2次元状に平坦な平板電極とされ、第二導電層25の電極は図中斜線で示すように多数のエレメント(線状電極)25aが画素ピッチでストライプ状に配されたストライプ電極とされている(例えば上記特許文献1記載の静電記録体を参照)。図2に示すように、第二導電層25のストライプ電極は、エレメント25aの長さ方向において中心で2つに分割されて2つの読取領域A1、A2に区画されている。各エレメント25aは放射線固体検出器20の端部において各々電流検出手段40に接続されている。なお、エレメント25aの配列方向が主走査方向、エレメント25aの長さ方向が副走査方向に対応する。
読取用光導電層24としては、近紫外から青の領域の波長(300〜550nm)の電磁波に対して高い感度を有し、赤の領域の波長(700nm以上)の電磁波に対して低い感度を有するもの、具体的には、a−Se,PbI2,Bi12(Ge,Si)O20,ペリレンビスイミド(R=n−プロピル),ペリレンビスイミド(R=n−ネオペンチル)のうち少なくとも1つを主成分とする光導電性物質が好適である。本実施の形態ではa−Seを使用する。
また、面状光源30はEL発光体であって、導電層31と、EL層32と、導電層33とからなる。放射線固体検出器20の第二導電層25と導電層33との間には絶縁層34が設けられる。導電層31は、放射線画像検出部20のエレメント25aと交差(本例では略直交)するように多数のエレメント(線状電極)31aが画素ピッチでストライプ状に配されたストライプ電極とされている。これにより、エレメント31a(図中斜線部)によるライン状の光源が面状に多数配列するように構成される。各エレメント31aは光源制御手段50に接続されている。また、各エレメント31aはEL層32からのEL光に対して透明なもので形成されている。導電層33は平板電極となっており、EL層32から発せられるEL光を全反射するもので形成されている。
上述のように、読取用光導電層24としては近紫外から青の領域の波長(300〜550nm)の電磁波に対して高い感度を有し、赤の領域の波長(700nm以上)の電磁波に対して低い感度を有するものとしているため、面状光源30(EL発光体)として550nm以下の近紫外から青の領域の波長の光を出力するものを利用する。
光源制御手段50は、エレメント31aとそれに対向する導電層33との間に、エレメント31a個別に、或いは複数または全てのエレメント31aを同時に、所定の電圧を印加するものであり、エレメント31aを順次切り替えながら夫々のエレメント31aと導電層33との間に所定の直流電圧を印加する。この直流電圧の印加によりエレメント31aと導電層33とに挟まれたEL層32からEL光が発せられる。エレメント31aはライン状になっているから、エレメント31aを透過したEL光はライン状の読取光として利用される。すなわち面状光源30としては、ライン状の微小光源を面状に配列したもの等価となり、エレメント31aを順次切り替えてEL発光させることにより、読取光で放射線固体検出器20を電気的に走査することになる。
本実施の形態の画像検出読取装置においては、放射線固体検出器20のストライプ電極を、エレメント25aの長さ方向において中心で2つに分割して2つの読取領域A1、A2に区画している。そのため、読取光による走査を行う際に、光源制御手段50を、読取領域A1、A2に対して同時並列的に走査を行わせるように、各領域A1、A2に対応するエレメント31aを同時に順次切り替えてEL発光させるように面状光源30を制御するものとすることにより、画像信号の取得を高速化することができる。
さらに、放射線固体検出器20のストライプ電極を、エレメント25aの長さ方向において中心で2つに分割しているため、分割しない場合と比べエレメント25aの長さを相対的に短くすることができるため、エレメント25aの抵抗成分を小さくすることができるとともに、隣接するエレメント25a間で発生する容量成分も小さくすることができるため、放射線固体検出器20から読み出される画像信号のS/Nを向上させることもできる。
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではなく、例えば、放射線固体検出器のストライプ電極は3つ以上の読取領域に区画してもよい。
また、放射線固体検出器は、上記特許文献2に記載されているような、第2導電層内に読取効率を向上させるためのサブストライプ電極を備えたものとしてもよい。なお、この場合にはサブストライプ電極もストライプ電極と同様に分割する必要がある。
本発明の一実施の形態による画像検出読取装置の放射線固体検出器および面状光源の斜視図および断面図 上記画像検出読取装置の概略構成図
符号の説明
20 放射線固体検出器
21 第一導電層
22 記録用光導電層
23 電荷輸送層
24 読取用光導電層
25 第二導電層
25a エレメント
30 面状光源
31 導電層
31a エレメント
32 EL層
33 導電層
34 絶縁層
40 電流検出手段
50 光源制御手段

Claims (1)

  1. 画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、前記静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器と、前記電流を検出する電流検出手段と、夫々が読取光を発する線状光源を平行に多数並べてなる面状光源と、前記線状光源を順次切り替えて駆動することにより前記走査を行わせる光源制御手段とを備え、前記固体検出器が、前記静電潜像に応じた電流を出力するための線状電極を平行に多数並べてなるストライプ電極を備え、前記線状光源が、前記線状電極の長さ方向に直交する方向に延びるように配設された画像検出読取装置において、
    前記ストライプ電極が、前記線状電極の長さ方向において複数に分割されて複数の読取領域に区画されたものであり、
    該読取領域毎に前記電流検出手段が接続され、
    前記光源制御手段が、前記ストライプ電極の複数の読取領域に対して同時並列的に前記走査を行わせるように前記線状光源を制御するものであることを特徴とする画像検出読取装置。
JP2005058846A 2005-03-03 2005-03-03 画像検出読取装置 Withdrawn JP2006245283A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005058846A JP2006245283A (ja) 2005-03-03 2005-03-03 画像検出読取装置
US11/366,550 US7414256B2 (en) 2005-03-03 2006-03-03 Image detection and readout apparatus having multiple readout regions

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005058846A JP2006245283A (ja) 2005-03-03 2005-03-03 画像検出読取装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006245283A true JP2006245283A (ja) 2006-09-14

Family

ID=36943239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005058846A Withdrawn JP2006245283A (ja) 2005-03-03 2005-03-03 画像検出読取装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7414256B2 (ja)
JP (1) JP2006245283A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013057598A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Rigaku Corp 半導体ストリップ検出器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005306722A (ja) * 2004-03-24 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線撮像パネルを構成する光導電層の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0898421A3 (en) * 1997-08-19 2001-12-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electrostatic recording member, electrostatic latent image recording apparatus, and electrostatic latent image read-out apparatus
JP4267136B2 (ja) * 1998-09-25 2009-05-27 富士フイルム株式会社 放射線画像検出読取装置
JP4040201B2 (ja) * 1999-03-30 2008-01-30 富士フイルム株式会社 放射線固体検出器、並びにそれを用いた放射線画像記録/読取方法および装置
JP2001292983A (ja) * 2000-04-14 2001-10-23 Fuji Photo Film Co Ltd 画像撮像装置
JP2004342691A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像検出器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013057598A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Rigaku Corp 半導体ストリップ検出器

Also Published As

Publication number Publication date
US20060197009A1 (en) 2006-09-07
US7414256B2 (en) 2008-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101410736B1 (ko) 면 광원 일체형의 다층 구조를 가지는 디지털 엑스-선 영상 검출기
JP4690106B2 (ja) 放射線画像情報検出方法および放射線画像情報検出装置
US20060065865A1 (en) Image readout apparatus
JP2006245283A (ja) 画像検出読取装置
EP1077493A2 (en) Image detector, fabricaton method thereof, image recorder and image reader comprising such image detector
JPH01253679A (ja) 放射線撮像素子
US7297973B2 (en) Breast image obtaining method and apparatus
JP2004184679A (ja) 放射線検出用カセッテ
JP2001292983A (ja) 画像撮像装置
KR101338013B1 (ko) 광 스위칭 방식을 이용하여 스캐닝하기 위한 디지털 엑스―선 영상 검출기
JP3827876B2 (ja) 放射線画像データ取得方法および装置並びに放射線固体検出器
US20010048085A1 (en) Image information read-out apparatus
US20040051063A1 (en) Image information recording/reading method and apparatus
JP4050129B2 (ja) 画像読取方法および装置
US7358518B2 (en) Radiation image detector and radiation image detecting system
KR20030031927A (ko) 패시브 매트릭스 형태의 엑스레이 검출기
US7439517B2 (en) Residual charge erasing method for solid state radiation detectors and radiation image recording/readout apparatus
JP4408216B2 (ja) ライン光源および画像情報読取装置
JP2007316408A (ja) 放射線画像記録読取装置
JP2008180846A (ja) 放射線画像記録読取装置
JP3945643B2 (ja) 画像読取方法および装置
KR100425379B1 (ko) 디지털 방사선 검출장치 및 방사선 검출방법
KR20030031925A (ko) 스캐닝식 디지털 방사선 영상 검출기판
JP3983963B2 (ja) 画像検出器およびその製造方法、並びに画像記録/読取方法および装置
JP2007201218A (ja) 放射線画像検出器、放射線画像記録装置および放射線画像読取装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061208

A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080513