JP2006237071A - 発光素子およびこれを用いた表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 発光光が電極やワイヤによって遮られることなく、より多くの発光光を発することのできる発光素子およびこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＬＥＤチップ１ａは、絶縁性基板１１ａ上のｎ型半導体層１２１ａは、その外周部の厚みが中央部と比較して薄くなるよう段差が設けられており、その中央部においてのみ発光層１２２ａ及びｐ型半導体層１２３ａが積層されている。ｎ型半導体層１２１ａの外周部上には、透光性の負極電極パッド１３ａが、ｐ型半導体層１２３ａの上面には、全体を覆うように透光性の正極電極パッド１４ａが積層され、各電極パッドは更に透明電極に接続する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、発光素子およびこれを用いた表示装置に関し、特に、発光光が電極やワイヤによって遮られることなく、より多くの発光光を発することのできる発光素子およびこれを用いた表示装置に関する。

近年、ＬＥＤ（Ｌight-Ｅmitting Ｄiode：発光ダイオード）素子の実用化が進み、様々な用途でＬＥＤが利用されている。ＬＥＤは、従来の光源である白熱灯や蛍光灯と比較して、省電力性、低発熱性、長寿命性、省スペース性等に優れており、近年の技術傾向に見られる製品の小型化や環境適合性に適した光源となる。

ＬＥＤチップの基本的な構造としては、大きく分けて２つのタイプがある。一方は、図９に示すような絶縁性の基板上に半導体層を積層させた構造（例えば、特許文献１参照）であって、正極負極の両電極が基板に対向する面上に配置されているものである。他方は、図１０に示すような導電性の基板上に半導体層を積層させた構造（例えば、特許文献２参照）であって、正極電極のみが基板に対向する面上に配置されているものである。

図９（ａ）においては、半導体チップ１００ａは、絶縁性基板１０１ａの上にｎ型半導体層１０２ａ、発光層１０３ａ、ｐ型半導体層１０４ａが積層されており、発光層１０３ａ及びｐ型半導体層１０４ａはその一部が欠切されてｎ型半導体層１０２ａの表面の一部が露呈している。その露呈した部分に負極電極１０５ａが、ｐ型半導体層１０４ａの表面には正極電極１０６ａがそれぞれ設けられている。

このような構造のＬＥＤチップ１００ａは、図９（ｂ）に示すように、基板１０７に設置され、負極電極１０５ａ及び正極電極１０６ａは、それぞれワイヤ１０８を介して配線パターン１０９に接続される。

また、図１０（ａ）においては、ＬＥＤチップ１００ｂは、導電性基板１０１ｂの上にｎ型半導体層１０２ｂ、発光層１０３ｂ、ｐ型半導体層１０４ｂが積層している。導電性基板１０１ｂのｎ型半導体層１０２ｂに対向する面側には負極電極パッド１０５ｂが、ｐ型半導体層１０４ｂの表面には正極電極１０６ｂがそれぞれ設けられている。

このような構造のＬＥＤチップ１００ｂは、図１０（ｂ）に示すように、基板１０７に設置され、負極電極パッド１０５ｂは直接、正極電極１０６ｂはワイヤ１０８を介して、それぞれ配線パターン１０９に接続される。

ＬＥＤチップに関しては、上記のような基本的な構造を有しつつ、更なる高性能化を目指して、様々な改良、開発がなされている。
また、図１０に示すタイプのＬＥＤチップを格子状に並べた状態で、２枚のガラス基板の間に挟み、両方のガラス基板上に形成された配線と電気的に接続された表示装置が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
特開平９−２９８３１３号公報 特開２００４−３１９４５号公報 特開平８−１８１０５号公報

しかしながら、図９及び図１０に見られるＬＥＤチップはいずれも、発光面となるＬＥＤチップ上面に電極やワイヤが位置するため、発光光の一部が遮られてしまう。更に、ＬＥＤチップの小型化が更に進行すると、発光面の面積は減少するにもかかわらず、電極やワイヤのサイズを比例して縮小することはできず、より小型化されたＬＥＤチップにおいては、相対的に電極やワイヤが大きくなってしまい、より多くの割合で発光光が遮られることとなる。また、上記したＬＥＤチップからなる表示装置では、ＬＥＤチップの発光両側がハンダを介してガラス基板上の配線と接続しているため、ハンダの部分で発光光が遮られてしまう。

従って、本発明の目的は、発光光が電極やワイヤによって遮られることなく、より多くの発光光を発することのできる発光素子およびこれを用いた表示装置を提供することにある。

本発明は、上記の目的を達成するため、絶縁性基板の一方の主面上に半導体層が形成された発光素子において、前記半導体層上に第１および第２の電極を有し、前記第１および前記第２の電極のうち、前記絶縁性基板に近い電極が前記絶縁性基板から遠い電極の外周を取り囲む形状であることを特徴とする発光素子を提供する。

また、本発明は、上記の目的を達成するため、導電性基板と、少なくとも前記導電性基板の一方の主面上に接する第１の導電層と、前記一方の主面から最も離れた層が前記第１の導電層と異なる導電型の第２の導電層を有する半導体層と、前記第２の導電層上に形成された第２の導電性電極を有することを特徴とする発光素子を提供する。

また、本発明は、上記の目的を達成するため、絶縁性基板の一方の主面上に半導体層が形成され、前記半導体層上に第１および第２の電極を有し、前記第１および前記第２の電極のうち、前記絶縁性基板に近い電極が前記絶縁性基板から遠い電極の外周を取り囲む形状の発光素子を光源とする表示装置を提供する。

本発明によれば、発光層より発せられた発光光が電極等に遮られることがないので、発光素子およびこれを用いた表示装置の発光効率を向上させることができる。

［ＬＥＤチップの構成］
図１は、本発明に係るＬＥＤチップであり、（ａ）は基板に絶縁性材料を使用した場合における上方平面図と断面図を、（ｂ）は基板に導電性材料を使用した場合における上方平面図と断面図を示している。

図１（ａ）においては、絶縁性基板１１ａ上に半導体層１２ａが設けられており、半導体層１２ａは、絶縁性基板１１ａ側から順に、ｎ型半導体層１２１ａ、発光層１２２ａ、ｐ型半導体層１２３ａが形成されている。更に、ｎ型半導体層１２１ａは、その外周部の厚みは中央部と比較して薄くなるよう段差が設けられており、その中央部に発光層１２２ａが積層されている。ｎ型半導体層１２１ａの外周部上には、負極電極パッド１３ａが設けられている。また、ｐ型半導体層１２３ａの上面には、全体を覆うように正極電極パッド１４ａが積層されている。

絶縁性基板１１ａは、半導体層生成の際の下地基板として、及び半導体層１２ａの強度維持のために用いられ、具体的にはサファイア基板が用いられる。

半導体層１２ａは、電圧の印加により目的の色の光を発光するものであり、ｎ型半導体層１２１ａ、発光層１２２ａ及びｐ型半導体層１２３ａが積層されることにより成る。

負極電極パッド１３ａは、ｎ型半導体層１２１ａに対して電気的な接続を行うために用いられる。ｎ型半導体層１２１ａの外周部に沿って設けることにより、１点による接続よりも断線のおそれが少なく、また、ｎ型半導体層１２１ａ全体に均一に電流が行き渡ることになり、電流拡散量が増加することで抵抗損失が減少し、発光効率を増加することができる。

正極電極パッド１４ａは、ｐ型半導体層１２３ａに対して電気的な接続を行うために用いられる。ｐ型半導体層１２３ａの上面を覆うように設けることにより、ｐ型半導体層１２３ａ全体に均一に電流が行き渡る。また、正極電極パッド１４ａには透光性の素材が用いられる。これにより、発光層１２２ａにおいて発せられた発光光が遮られることなく上方に照射される。負極電極パッド１３ａ及び正極電極パッド１４ａの素材には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin 0xide）が使用される

一方、図１（ｂ）においては、導電性基板１１ｂ上に半導体層１２ｂが設けられており、半導体層１２ｂは、導電性基板１１ｂ側から順に、ｎ型半導体層１２１ｂ、発光層１２２ｂ、ｐ型半導体層１２３ｂが形成されている。また、導電性基板１１ｂの半導体層１２ｂに対向する面には、全体を覆うように負極電極パッド１３ｂが設けられている。更に、ｐ型半導体層１２３ｂの上面には、全体を覆うように正極電極パッド１４ｂが積層されている。

導電性基板１１ｂは、半導体層１２ｂの強度維持のために用いられる。導電性基板１１ｂが透光性の材料からなる場合には、負極電極パッド１３ｂもまた透光性材料により構成される。これにより発光層１２２ｂより発せられた発光光はＬＥＤチップ１ｂの両面に発することが可能となる。また、その他の各部の用途は、導電性基板１１ａを用いたＬＥＤチップ１ａの例に共通する。

次に、図１におけるＬＥＤチップをガラス基板に搭載した場合の搭載例を説明する。

［第１の実施の形態］
図２は、本発明に係る半導体チップのうち、絶縁性基板を用いたタイプである半導体チップ１ａをガラス基板に搭載した第１の実施の形態を示す概略図である。（ａ）は、第１の実施の形態における上方平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ切断面における側方断面図である。

図２に示す第１の実施の形態においては、ＬＥＤチップ１ａには、ガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａが接続しており、ガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａのそれぞれがガラス基板１７ａの下面に貼付されることで、ＬＥＤチップ１ａがガラス基板１７ａに固定されている。そして、ガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａは、共にガラス基板に対してＬＥＤチップ1ａの設けられる側に位置することになる。

図３は、図２（ａ）及び（ｂ）に示す第１の実施の形態に係る詳細な構成を示す部分拡大図であり、（ａ）は上方平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ切断面における側方断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ切断面における側方断面図である。尚、図３（ａ）においては、ガラス基板１７ａはその記載を省略する。

ガラス側負極電極１５ａは、矩形状の一辺が凹形状に欠切された形状より成り、ガラス側正極電極１６ａは、矩形状の一辺が凸形状を有する形状より成り、互いに接触しないように該凹形状の部分と該凸形状の部分とが噛み合うように配置されている。また、ガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａの形状は、共にシート状であり、その一方の面がガラス基板１７ａに貼付するように配置される。

ＬＥＤチップ１ａは、正極電極パッド１４ａがガラス側正極電極１６ａの凸形状の部分と、負極電極パッド１３ａがガラス側負極電極１５ａの凹形状の部分とそれぞれ接し、これによりガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａと電気的に接続するとともに、ガラス基板１７ａに固定される。このとき、負極電極パッド１３ａ及び正極電極パッド１４ａの各上面部の絶縁性基板１１ａに対する高さは必ずとも一致しないので、ガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａは、少なくともＬＥＤチップ１ａとの接触部分においては異なる厚みを有する。図３においては、負極電極パッド１３ａ上面の高さ位置は正極電極パッド１４ａ上面の高さ位置よりも低いので、ガラス側負極電極１５ａはガラス側正極電極１６ａよりも厚くなるよう構成されている。

ガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａは、透光性の材料により構成される。これにより、ＬＥＤチップ１ａの発光面に位置する電極が発光光を遮ることがなくなり、発光効率を向上することができる。また、更なる発光装置の小型化がなされても、発光効率が悪化することがない。尚、ガラス基板１７ａについても、透光性の素材を用いた基板であれば、その素材はガラスに限るものではない。

このような接続構造は、例えば、ＩＴＯにより上記の電極パッド１３ａ、１４ａ、および電極１５ａ、１６ａを形成する場合、ガラス基板の電極１５ａ、１６ａおよびＬＥＤチップの電極１３ａ、１４ａを２-００℃で仮焼結した後、正極電極１５ａ、１３ａおよび負極電極１６ａ、１４ａが接触するように圧力をかけた状態で、７００℃で本焼結することにより形成される。また、図１に示すＬＥＤチップ１ａにおいて、ＬＥＤチップの電極１３ａ、１４ａを形成せずに、仮焼結したガラス基板の電極１６ａ、１５ａと直接、ＬＥＤチップのｐ型およびｎ型半導体層１２３ａ、１２１ａに接触するように圧力をかけた状態で、７００℃で本焼結して形成しても良い。

また、全て薄膜状の部材を用いて電気的接続を構成することにより、発光装置の厚みを抑えることができるので、横方向のみならず高さ方向に関しても省スペース化が可能となる。

［第２の実施の形態］
図４は、本発明に係る半導体チップのうち、絶縁性基板を用いたタイプである半導体チップ１ａをガラス基板に搭載した第２の実施の形態を示す概略図であり、（ａ）は上方平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ切断面における側方断面図である。

図４に示す第２の実施の形態においては、ＬＥＤチップ１ａには、ガラス基板１７ａと同一面側に位置するガラス側負極電極１５ａとは直接に接続し、ガラス基板１７ａと反対面側に位置するガラス側正極電極１６ａとはガラス基板１７ａを貫通する通電配線１８ａを介して接続しており、ＬＥＤチップ１ａの上面がガラス基板１７ａの下面に貼付されることで、ＬＥＤチップ１ａがガラス基板１７ａに固定されている。

図５は、図４（ａ）及び（ｂ）に示す第２の実施の形態に係る詳細な構成を示す部分拡大図であり、（ａ）は上方平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ切断面における側方断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ切断面における側方断面図である。尚、図５（ａ）においては、ガラス基板１７ａはその記載を省略する。

ガラス側負極電極１５ａは、矩形状の一辺が凹形状に欠切された形状より成り、ガラス側正極電極１６ａは、略矩形状より成り、互いにガラス基板１７ａの反対面に位置するように配置されている。また、ガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａの形状は、共にシート状であり、その一方の面がガラス基板１７ａに貼付するように配置される。

ガラス基板１７ａはその略中央部に、一方の面から反対の面にかけて貫通する孔を有しており、該孔内には通電配線１８ａが設けられている。

ＬＥＤチップ１ａは、正極電極パッド１４ａが通電配線１８ａと、負極電極パッド１３ａがガラス側負極電極１５ａの凹形状の部分とそれぞれ接し、これによりガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａと電気的に接続するとともに、ガラス基板１７ａに固定される。

ガラス側負極電極１５ａ及びガラス側正極電極１６ａは、第１の実施の形態と同様に、透光性の材料により構成される。これにより、ＬＥＤチップ１ａの発光面に位置する電極が発光光を遮ることがなくなり、発光効率を向上することができる。また、更なる発光装置の小型化がなされても、発光効率が悪化することがない。尚、ガラス基板１７ａについても、透光性の素材を用いた基板であれば、その素材はガラスに限るものではない。

また、通電配線１８ａを除く全ての電気的接続部材を薄膜状の部材を用いて構成することにより、発光装置の厚みを抑えることができるので、横方向のみならず高さ方向に関しても省スペース化が可能となる。

［第３の実施の形態］
図６は、本発明に係る半導体チップのうち、導電性基板を用いたタイプである半導体チップ１ｂをガラス基板に搭載した第３の実施の形態を示す部分拡大図であり、（ａ）は、上方平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ切断面における側方断面図である。

図６に示す第３の実施の形態においては、ＬＥＤチップ１ｂには、その両面においてガラス側負極電極１５ｂとガラス側正極電極１６ｂが接しており、ガラス側正極電極１６ｂがガラス基板１７ｂに、ガラス側負極電極１５ｂがガラス基板１８ｂに、それぞれ貼付されることで、ＬＥＤチップ１ｂがガラス基板１７ｂと１８ｂに挟まれるように固定されている。

ガラス基板１７ｂ側のガラス側正極電極１６ｂと、ガラス基板１８ｂ側のガラス側負極電極１５ｂとの間に電流を流すことにより、ＬＥＤチップ１ｂは発光することができる。

ここで、導電性基板１１ｂが透光性材料より成る場合には、発光層１２２ｂの両面に発光光を遮るものが存在しないこととなるので、２枚のガラス基板とそれに挟まれたＬＥＤチップから成る板状の光源から、両面に発光光を発する光源を得ることができる。

［第４の実施の形態］
図７は、本発明に係る半導体チップのうち、導電性基板を用いたタイプである半導体チップ１ｂをガラス基板に搭載した第４の実施の形態を示す概略図であり、（ａ）は上方平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ切断面における側方断面図である。

第４の実施の形態においては、ＬＥＤチップ１ｂには、一方の面においてガラス側負極電極１５ｂが接しており、もう一方の面がガラス基板１７ｂに接し、ガラス側負極電極１５ｂがガラス基板１８ｂに貼付されることで、ＬＥＤチップ１ｂがガラス基板１７ｂと１８ｂに挟まれるように固定されている。更にガラス基板１７ｂにはガラス側正極電極１６ｂが接しており、ＬＥＤチップ１ｂの正極側電極パッド１４ｂとガラス側正極電極１６ｂとが電気的に接続される。ガラス側正極電極１６ｂは、ガラス基板１８ｂ上に設けられたスペーサ１９ｂにより固定される。

図１に示したＬＥＤチップ１ｂにおいては、正極電極パッド１４ｂは、ｐ型半導体層１２３ｂと略同一サイズを有しているが、本実施の形態においては、正極電極パッド１４ｂは、ｐ型半導体層１２３ｂのサイズよりも大きく、ガラス基板１７ｂと略同サイズを有する。これにより、スペーサ１９ｂ上に設けられたガラス側正極電極１６ｂと接することができる。尚、正極電極パッド１４ｂのサイズはｐ型半導体層１２３ｂと略同一サイズのままとし、正極電極パッド１４ｂとガラス基板１７ｂとの間に、ガラス基板１７ｂと略同サイズを有する透光性の導電性薄膜を設けてもよい。

図７に示す第４の実施の形態においては、図６に示す第３の実施の形態と異なり、ガラス側負極電極１５ｂとガラス側正極電極１６ｂとが、同一方向に面しているので、ガラス基板１８ｂ上に配線を配置する際の設計が容易となる。

上記したいずれの実施の形態においても、ＬＥＤチップには従来のタイプの電極やワイヤを使用していないので、１つのＬＥＤチップにおける発光面積の割合を大きく保つことができ、また、発光光を遮るものがないため、従来のＬＥＤよりも発行効率を高めることができる。

尚、上記したいずれの実施の形態においても、正極負極の双方において、電極パッドとガラス側電極とを設けている。電極パッドとガラス側電極とは、共に透光性の導電性薄膜を素材としており、Ａｕ／Ｃｏ、ＩＴＯ等が用いられる。よって、本発明は必ずしも両部材を必ず用いることは必要でなく、両者が一体となった１枚のシート状の部材を用いるものであってもよい。

［第５の実施の形態］
図８は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置としての表示装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部で切断した断面図である。この第５の実施の形態では、光源として第３の実施の形態で説明したＬＥＤチップ１ｂを用いた構成としている。

この表示装置２００は、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性材料で形成される基板２０１と、基板２０１の表面に銅箔によって所定の配線パターンを有するように形成された配線層２０１Ａと、配線層上に実装されるＬＥＤチップ１ｂと、ＬＥＤチップ１ｂの上面に設けられてＩＴＯからなる配線層２０２Ａを有する透明基板２０２と、透明基板２０２の表面に設けられるマスク部材２０３を有し、マスク部材２０３は、ＬＥＤチップ１ｂから透明基板２０２を介して達する光を外部放射させるための光取出し窓２０３ＡがＬＥＤチップ１ｂの配置に応じて設けられた構成を有する。

ＬＥＤチップ１ｂは、基板２０１と透明基板２０３との間に挟持された構成を有し、５×５個のマトックス状に複数配置されている。なお、ＬＥＤチップ１ｂの配置については上記した配置数に限定されず、その他の数および配列であっても良い。

配線層２０１Ａ、２０２Ａは、各ＬＥＤチップ１ｂに個別に給電することの可能な配線パターンを有して形成されている。

この表示装置２００は、配線層２０１Ａ、２０２Ａと図示しない電源部とを接続して電力を供給することによりＬＥＤチップ１ｂが発光する。ここで、表示装置２００に表示したい文字、図柄等のパターンに応じてＬＥＤチップ１ｂへの通電を制御することにより、所望の表示が行われる。

第５の実施の形態によると、第３の実施の形態の好ましい効果に加えて輝度に優れる表示装置２００が得られる。なお、第５の実施の形態では基板２０１に光透過性を有しないＡｌ_２Ｏ_３からなる基板２０１を設けた構成を説明したが、これに限定されず、光透過性を有する基板としていずれの基板側からも光取出しが可能な構成とすることもできる。

本発明に係るＬＥＤチップの平面図及び側方断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における側方断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の部分拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における横断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面における横断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における側方断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の部分拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における横断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面における横断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の部分拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における横断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の部分拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における横断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る発光装置としての表示装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部で切断した断面図である。 従来技術によるＬＥＤチップの、（ａ）は平面図及び側方断面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤチップを基板に搭載した構成例である。 従来技術による図８とは別の型のＬＥＤチップの、（ａ）は平面図及び側方断面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤチップを基板に搭載した構成例である。

符号の説明

１ａ、１ｂ…ＬＥＤチップ、１１ａ…絶縁性基板、１１ｂ…導電性基板、１２ａ、１２ｂ…半導体層、１３ａ、１３ｂ…負極電極パッド、１４ａ、１４ｂ…正極電極パッド、１５ａ、１５ｂ…ガラス側負極電極、１６ａ、１６ｂ…ガラス側正極電極、１７ａ、１７ｂ、１８ｂ…ガラス基板、１８ａ…通電配線、１９ｂ…スペーサ、１００ａ、１００ｂ…ＬＥＤチップ、１０１ａ…絶縁性基板、１０１ｂ…導電性基板、１０２ａ、１０２ｂ…ｎ型半導体層、１０３ａ、１０３ｂ…発光層、１０４ａ、１０４ｂ…ｐ型半導体層、１０５ａ…負極電極、１０５ｂ…負極電極パッド、１０６ａ、１０６ｂ…正極電極、１０７ａ、１０７ｂ…基板、１０８…ワイヤ、１０９…配線パターン、１２１ａ、１２１ｂ…ｎ型半導体層、１２２ａ、１２２ｂ…発光層、１２３ａ、１２３ｂ…ｐ型半導体層、２００…表示装置、２０１…基板、２０１Ａ…配線層、２０２…透明基板、２０２Ａ…配線層、２０３…マスク部材、２０３Ａ…光取出し窓

Claims (8)

1. 絶縁性基板の一方の主面上に半導体層が形成された発光素子において、
   前記半導体層上に第１および第２の電極を有し、前記第１および前記第２の電極のうち、前記絶縁性基板に近い電極が前記絶縁性基板から遠い電極の外周を取り囲む形状であることを特徴とする発光素子。
2. 前記絶縁性基板から遠い電極は、透光性材料で形成されている請求項１に記載の発光素子。
3. 前記絶縁性基板から遠い電極は、表面全体で外部と電気的に接続されることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
4. 導電性基板と、
   少なくとも前記導電性基板の一方の主面上に接する第１の導電層と、前記一方の主面から最も離れた層が前記第１の導電層と異なる導電型の第２の導電層を有する半導体層と、
   前記第２の導電層上に形成された第２の導電性電極を有することを特徴とする発光素子。
5. 前記第２の導電性電極は、透光性材料で形成されている請求項４に記載の発光素子。
6. 前記導電性基板、前記半導体層、および前記第２の電極は、略同一断面積を有する請求項４または５に記載の発光素子。
7. 前記第２の導電性電極は、表面全体で外部と電気的に接続される請求項４から６のいずれか１項に記載の発光素子。
8. 絶縁性基板の一方の主面上に半導体層が形成され、前記半導体層上に第１および第２の電極を有し、前記第１および前記第２の電極のうち、前記絶縁性基板に近い電極が前記絶縁性基板から遠い電極の外周を取り囲む形状の発光素子を光源とする表示装置。

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