JP2006222607A - フィルタ素子及び電子モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コイル形成用導体2b〜2hが形成された複数の誘電体セラミック層1b〜1i、およびGND導体3が形成された誘電体セラミック層1aを有し、コイル形成用導体2b〜2hまたはGND導体3のいずれにも接続されない第1容量形成用導体4a〜4cが、一部または全部の誘電体セラミック層1b、1d、1fに形成され、GND導体3と誘電体セラミック層1bを介して第2容量形成用導体7aが形成され、第1容量形成用導体4aと第2容量形成用導体7aとがインダクタンス形成用導体7bで接続されており、コイル形成用導体2b〜2hと第1容量形用導体4a〜4cとの間で第1の容量を構成し、第2容量形成用導体7aとGND導体3との間で第2の容量を構成してなる。
【選択図】図3
Description
2a 入力端子
2i 出力端子
3 GND端子
3 GND導体(接地用導体)
1a〜1i 誘電体セラミック層(絶縁層)
2b〜2h コイル形成用導体
4a〜4c 第1容量形成用導体
7a 第2容量形成用導体
7b インダクタンス形成用導体
5a〜5f ビアホール導体
6a,6b ビアホール導体
H1 第1の容量
H2 第2の容量
Claims (5)
- 積層した状態で連続して周回するコイルを構成するためのコイル形成用導体が形成された複数の絶縁層、および接地用導体が形成された絶縁層を有し、
前記コイル形成用導体または前記接地用導体のいずれにも接続されない第1容量形成用導体が、一部または全部の絶縁層に形成され、前記接地用導体と絶縁層を介して第2容量形成用導体が形成され、前記第1容量形成用導体と前記第2容量形成用導体とがインダクタンス形成用導体で接続されており、
前記コイル形成用導体と前記第1容量形用導体との間で第1の容量を構成し、
前記第2容量形成用導体と前記接地用導体との間で第2の容量を構成してなることを特徴とするフィルタ素子。 - インダクタンス形成用導体、第2容量形成用導体、第1容量形成用導体が同一絶縁層に形成されている請求項1記載のフィルタ素子。
- 積層した状態で連続して周回するコイルを構成するためのコイル形成用導体が形成された複数の絶縁層、および接地用導体が形成された絶縁層を有し、
前記コイル形成用導体または前記接地用導体のいずれにも接続されない第1容量形成用導体が、一部または全部の絶縁層に形成され、前記第1容量形成用導体と絶縁層を介して第2容量形成用導体が形成され、前記接地用導体と前記第2容量形成用導体とがインダクタンス形成用導体で接続されており、
前記コイル形成用導体と前記第1容量形用導体との間で第1の容量を構成し、
前記第2容量形成用導体と前記第1容量形成用導体との間で第2の容量を構成してなることを特徴とするフィルタ素子。 - 接地用導体、インダクタンス形成用導体、第2容量形成用導体が同一絶縁層に形成されている請求項3記載のフィルタ素子。
- 請求項1〜請求項4のいずれかに記載のフィルタ素子を搭載していることを特徴とする電子モジュール。
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