JP2006222060A - 有機発光素子の製造方法、有機発光素子、電子デバイスおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 積層時に有機層に対して加えられる熱の影響により、有機層の機能が低下することを抑え、積層する膜の材料を限定しない発光特性に優れた有機発光素子を製造する。
【解決手段】 少なくとも１つが有機層である、一方の層５４の界面と、他方の層９０の界面とを対向して貼り合わせた後、貼り合わせた両界面に対して加圧ローラ１４０で押圧すると共に、これらの有機層の両界面に超音波振動子１５０から振動を加えて局所的に加熱することにより、２つの層を接合する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、有機材料を発光材料として利用した有機発光素子の製造方法、有機発光素子、電子デバイスおよび電子機器に関する。

有機発光素子は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物を含む薄膜（発光層）を含む有機層を挟んだ構成を有しており、この薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。

この有機発光素子を高輝度で効率的に発光させるべく、電極と発光層とのエネルギー障壁を減じ、発光層へのキャリア移動を容易にして、電極から発光層へのキャリアの注入効率を向上させる正孔輸送層を、有機材で形成し、電極と発光層との間に付加した積層構造が知られている。このような積層構造を含む有機発光素子を製造する方法は、下記特許文献１に記載のように、基板の上に、陽極、正孔輸送層、発光層および陰極を順次形成する工程により製造されていた。

ＷＯ９８−１２６８９

しかしながら、従来の方法では、有機層が形成された後に、この有機層の上に他の層を積層して有機発光素子を形成していたが、積層する際には全体的に加熱されるため、有機層は、この熱の影響を受けて機能に悪影響を与えた。特に、金属系の膜は、高温の状態で成膜されるため、形成された積層全体に熱が伝達され、有機層の機能を低下させた。更に、前記した機能の低下を抑制するべく、有機層の許容温度を超えないように積層する層を限定すると、積層する膜の材料が限定されるため、有機発光素子の発光特性を向上できなかった。

上記した課題を解決するために、本発明の有機発光素子の製造方法は、陽極層と、陰極層と、前記両極層間に積層され発光色を呈する発光層を少なくとも有する有機層と、を備える有機発光素子の製造方法であって、少なくとも一つが前記有機層である、一方の層の界面と他方の層の界面とを対向させて貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた界面同士を押圧すると共に、前記両界面を局所的に加熱することで前記２つの層を接合する工程と、を備えることを特徴とする。

この発明によれば、貼り合わせた２つの層の両界面を局所的に加熱して接合するため、接合時の有機層への熱の影響を抑えられることに加え、それぞれの有機層は、自身よりも前に積層される他の層が形成される際の熱の影響を受けないため、熱による有機層の機能の低下が少なく、更に他の層を構成する材料を限定しない発光特性に優れた有機発光素子を実現できる。

本発明は、前記押圧された両界面を振動させることで前記両界面の近傍に発生する熱により加熱することが好ましい。
この発明によれば、界面同士の振動による運動エネルギーが、圧接された界面で熱エネルギーに変換されるため、界面近傍に限定される局所的な加熱を実現できる。

本発明では、前記振動は、超音波振動であっても良い。
また、本発明では、前記振動には、所定の変調が付加されていることが好ましい。
この発明によれば、振動に変調を付加することで、振動の状態が変動するため、界面全体に渡り効率良く加熱できる。

本発明では、前記一方の層は、前記陰極層であると共に、前記他方の層は、前記発光層であっても良い。また、本発明では、前記一方の層は、前記発光層であると共に、前記他方の層は、正孔を前記発光層へ輸送する正孔輸送層であっても良い。

また、本発明では、前記一方の層は、前記陽極層であると共に、前記他方の層は、前記正孔輸送層であっても良い。
また、本発明では、前記一方の層は、前記正孔輸送層であると共に、前記他方の層は、前記陽極から正孔を取り込む正孔注入層であっても良い。
また、本発明では、前記一方の層と前記他方の層は、同じ材料で形成されたものであっても良い。

本発明では、前記２つの層のうち、少なくとも一方の層は、乾式成膜法により成膜された層であっても良い。
本発明は、乾式成膜法により形成された難溶性の低分子材料の層に対しても適用できる。
また、本発明では、前記一方の層は、前記陰極層であると共に、前記他方の層は、電子を前記発光層へ輸送する電子輸送層であっても良い。
また、本発明では前記一方の層は、前記陰極から電子を取り込む電子注入層であると共に、前記他方の層は、前記電子輸送層であっても良い。
また、本発明では、前記一方の層は、前記発光層であると共に、前記他方の層は、前記電子輸送層であっても良い。
本発明では、前記一方の層の界面と前記他方の層の界面は、面積が異なることが好ましい。
この発明によれば、２つの界面を貼り合わせる際に、位置合わせが容易になる。

本発明では、前記一方の層または前記他方の層のどちらか一方に、前記有機層を分離する隔壁が形成されていても良い。
また、本発明では、前記一方の層及び前記他方の層の両方に、前記有機層を分離する隔壁が形成されていても良い。
この発明によれば、貼り合わせた有機層を接合する工程で、隔壁があることにより有機層に加圧が集中せず、隔壁がクッションとなり、最適な加圧が保持されたなかで、凹凸が形成できる。

本発明では、前記両界面の内、少なくとも一方の界面を振動させて前記界面の表面に凸凹を付加する工程を、前記両界面を貼り合わせる工程よりも前に備えることが好ましい。
この発明によれば、貼り合せる前に少なくとも一方の界面を振動させることにより、界面付近の有機材料がミスト化され、塗布に必要な溶剤を除去することができる。さらに貼り合せる前に、少なくとも一方の界面が凸凹状となるために、高い密着性で貼り合わせることができる。

そして、前述の有機発光素子の製造方法により製造した有機発光素子を、電子デバイスおよびその電子デバイスを具備した電子機器に適用することにより、優れた発光特性を備える有機発光素子や、この有機発光素子を用いた電子デバイス、および電子機器を提供できる。

本発明は、前記陽極層を基板上に形成する工程と、前記陽極層を前記基板から剥離するための剥離層を前記基板と前記陽極層との間に形成する工程と、前記基板と前記陽極層を前記振動により前記剥離層で剥離する工程と、を更に備えることが好ましい。
この発明によれば、貼り合わせた有機層を接合する接合工程および剥離層での剥離工程を、同一の振動を用いるか、または、波長を変調させることにより一度に処理できる。

以下、本発明を図面に基づいて説明する。図１乃至図９は、本発明に係る有機発光素子の製造方法、有機発光素子、電子デバイス、および電子機器の実施の形態を示す図である。
（実施形態１）

（陽極側の形成層）
本発明における有機発光素子は、２つの基板上にそれぞれ電極および有機層を湿式製膜法で形成して、その有機層同士を貼り合わせた後、接合することにより形成される。

図１は、一方の電極である陽極の側に形成される有機層である正孔輸送層を説明する図である。この図によれば、陽極側形成層１は、先ず、透明なガラス基板１０上に剥離層２０を形成する。この剥離層２０は、水素を８原子％含有する非晶質シリコン膜を、低圧ＣＶＤ法により厚さ１２０ｎｍで形成する。このシリコン膜は、Ｓｉ₂ Ｈ₆ ガスを原料ガスとして用い、雰囲気温度４２５度の条件で形成される。

次に、この剥離層２０上に、下地保護膜３０を形成する。この下地保護膜３０は、シリコン酸化膜の一種であり、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法により略２０００〜５０００オングストロームの厚さで形成される。

次いで、この下地保護膜３０上に、複数の層で構成される半導体素子層４を形成する。最初に、アモルファスのシリコン膜からなる半導体膜（図示を略す。）を形成する。この半導体膜は、ガラス基板１０の温度を略３５０度に設定して、下地保護膜３０の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さが略３００〜７００オングストロームで形成される。次に、この半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜をポリシリコン膜６２に結晶化する。ここで、レーザアニール法は、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度はおよそ２００ｍＪ／ｃｍ²程度であり、ラインビームの短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるように、このラインビームを走査する。

次いで、シリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜４０を形成する。このゲート絶縁膜４０は、半導体膜をパターニングして島状の半導体膜とし、その表面に対して、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法により、厚さが略約６００〜１５００オングストロームで形成される。更に、ゲート絶縁膜４０の上に、ゲート電極６４を形成する。このゲート電極６４は、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、パターンニングすることで形成される。

次に、ポリシリコン膜６２にソース・ドレイン領域６５を形成する。このソース・ドレイン領域６５は、リンやボロンなどの不純物を、ゲート電極６４を用いて自己整合的にポリシリコン膜６２に打ち込むことにより形成される。このようにして、半導体素子層４内にＴＦＴ６６が形成される。

続いて、ゲート絶縁膜４０上に、第１層間絶縁膜４２を成膜して、この膜にコンタクトホールを形成する。このコンタクトホール内に、ソース・ドレイン電極６７を成膜およびパターンニングによって形成する。

次いで、第２層間絶縁膜４４を形成した後に、コンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内に中継電極を埋め込み、その上に陽極電極６９を形成する。この形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィー、真空蒸着、スパッタリング法、パイロゾル法等が挙げられるが、フォトリソグラフィーによる方法がより好ましい。また、この陽極電極６９は、無色透明や有色透明や半透明のような透明性を有していることが好ましく、陽極電極を構成する材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また透光性を有する材料を用いるのが好ましい。このような陽極電極の材料としては、ＩＴＯ、酸化スズ、アンチモン含有酸化スズ、アルミニウム含有酸化亜鉛等の酸化物、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物のような複合酸化物、金、白金、銀、銅またはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうち少なくとも一つを用いることができる。また、陽極電極の材料には、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を用いても良い。

続いて、半導体素子層４上に有機層である正孔輸送層５４を形成する。先ず、第２層間絶縁膜４４上に密着層５０を成膜し、陽極電極６９の上の画素領域に開口部を形成する。次に、この密着層５０の上に絶縁膜５２を成膜して、密着層５０の開口部の上に、更に開口部を形成する。

この絶縁膜５２は、後述する正孔輸送材料調整液１１０を選択的に塗布すべく画素電極を区画するために形成されたバンクである。この絶縁膜５２の形状、即ち画素の開口形は、円形、楕円、四角、いずれの形状でも構わないが、後工程で吐出するインクの組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸みを帯びているほうが好ましい。また、この絶縁膜５２は、透明電極がＩＴＯから成る場合は、透明電極との密着性を上げるために、ＳｉＯ₂による成膜が好ましいが、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地基板との密着性にすぐれたものであれば、特に限定されるものではない。例えば、元来撥液性を備えた材料、例えば、フッ素系樹脂である必要は無く、ポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形成し、ＣＦ₄プラズマ処理等により表面を撥液化してもよい。尚、この絶縁膜５２の高さは、１〜２μｍ程度あれば十分である。

次に、酸素プラズマ等を用いたプラズマ処理を行うことにより、陽極電極６９上の開口部の表面の濡れ性を良好にする。その後、インクジェット印刷法により、インクジェットヘッド１００から絶縁膜５２に囲まれた領域に正孔輸送材料調整液１１０の液滴を選択的に塗布して正孔輸送層５４を形成する。この時、正孔輸送材料調整液１１０は、流動性が高いため、水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を取り囲むように段差が形成されているため、所定の位置の外側に広がるのを防止できる。

この正孔輸送層５４は、陽極電極６９から注入された正孔を、後述する発光層９０まで輸送する機能を有するものであり、スパッタ法や真空蒸着法等の乾式プロセス法や、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の湿式による薄膜形成方法を用いることができ、正孔輸送材料の熱安定性や溶解性等の物理化学的性質によって最もふさわしいものを選択する。また、図示は略すが、陽極からの正孔注入効率を向上させるべく前記陽極から正孔を取り込む正孔注入層を、陽極と正孔輸送層５４の間に形成しても良い。この正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、例えば、銅フタロシアニンや４，４'，４''−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のように後述する発光層９０の発光材１３０と相溶しない材料を用いることができる。

尚、上記した薄膜形成法の中では、特にインクジェット印刷法による薄膜形成が好ましく、このインクジェット印刷法を用いることで、薄膜化、素子サイズの微小化、ＲＧＢのパターンの塗り分けなど高精度高精細印刷が可能となる。

例えば、インクジェット印刷法による正孔輸送層５４の形成法として、まず正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散させた正孔輸送材料調整液を調整する。このような正孔輸送材料としては、例えば、Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル‐ベンジジン、Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン、４，４'，４''−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等の公知の低分子正孔輸送材料（モノマーやオリゴマー）やそれら公知の低分子正孔輸送材料に下記の化学式で示す化合物に示すような長鎖アルキル基や水酸基等の置換基を導入し溶解度を改善した化合物、さらに低分子化合物を用いることができる。

尚、インクジェット印刷法の具体的な内容は、本発明の要旨ではないため、省略する（かかる方式については、例えば、特開平２−１６７７５１号公報を参照）。

上記正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散する場合、用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が好適である。

以上の工程により生成された陽極側形成層１は、減圧された室温雰囲気中で２０分程度乾燥されることにより、正孔輸送材料に含まれる溶媒、例えば粘度を下げるために入れられた溶媒及び、高沸点溶媒は蒸発し、液状の正孔輸送層５４は、半固形状又は固形状の薄い層に転化する。

（陰極側の形成層）
次に、陰極側に形成する層について説明する。図２は、他方の電極である陰極の側に形成される有機層である発光層を説明する図である。この図によれば、陰極側形成層２は、基材６１の上に陰極電極７０が形成されている。基材６１は、透明なガラス板を採用できる。陰極電極７０は、図示を略すが、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。カルシウム層の厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましい。また、アルミニウム層は、発光層９０から発した光を基板側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等から成ることが好ましく、その厚さは、例えば１００〜２０００ｎｍの範囲が好ましい。尚、前記積層膜は、後工程で超音波振動を加えた際に、陰極電極７０の近傍で発生する熱を速やかに冷却するべく、通常の厚みより厚く形成されている。

次に、陰極電極７０の上には、図示を略したフッ化リチウム層又はフタロシニアン層が形成される。この層は非常に薄いため、発光特性への影響は小さい。なお、この層には、水分や金属物質の透過などを防ぐ保護膜としての機能を持たせていることに加えて、陰極電極７０の機能を補完するために用いても良く、フッ化リチウム（ＬｉＦ）以外のものを用いてもよい。例えば、周期律表１Ａ族または２Ａ族の中から選択される金属元素のフッ化物を主体として構成されるものでも良い。より具体的には、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦに加えて、ＢａＦ₂、ＣａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂などが好適である。

加えて、この層は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による電極の損傷を防止できる点で好ましい。本実施形態では、基材上の領域全面にフッ化リチウム層を形成することから、蒸着法を用いる場合であっても、フッ化リチウム層の形成箇所を特定する必要がない。

次いで、この層の上に隔壁であるバンクを形成する。バンクの形成方法としては、インクジェットヘッド方式を使って、アクリル材を塗布し、半球面状のバンク８０を形成する。必要に応じて、マスクをかけてバンク形成箇所に親水化処理を施してもよい。加えて、このバンク８０と、後述する発光材１３０が塗布される領域とを対象にプラズマ処理による親水化処理を施す。このバンク８０は、仕切部材として機能する材料であり、液体材料に対して撥液性を示す材料が好ましく、プラズマ処理による撥液化（テフロン（登録商標）化）が可能で電極との密着性も良く、加えてフォトリソグラフィーによるパターニングが容易なポリイミドなどの絶縁有機材料でも良い。このバンク８０の形成には、前記したインクジェットヘッド方式以外に、リソグラフィ法や印刷法等の方法で行っても良い。

次に、赤色、緑色および青色の発光材（１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂ）をインクジェットヘッド（１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂ）から液滴状に塗布した後、減圧下、約５０℃で半乾燥又は乾燥させ、発光層９０を形成する。

この発光層９０を構成する発光材１３０としては、電圧印加時に陽極電極６９側から正孔を、また、陰極電極７０側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できる材料が好ましい。このような発光材１３０の材料は、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも一つを用いることができる。

低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ₂Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ₃）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ₃）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ₂）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）₃（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）₃）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が好適である。

他方で、高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が好適である。

なお、低分子の発光材料は、緻密な発光層９０が得られるため、発光層９０の発光効率が向上することが知られている。また、高分子の発光材料は、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層９０の形成を容易に行うことができることが知られている。さらに、低分子の発光材料と高分子の発光材料とを組み合わせることにより、低分子の発光材料および高分子の発光材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層９０を、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成できることが知られている。

発光材料を溶解または分散させる溶媒または分散媒としては、正孔輸送材料を形成する際に用いた溶媒または分散媒と同様のものを用いることができるが、陰極と反応するあるいは腐食させる成分、例えば、カルシウム層やフッ化リチウム層を腐食する硝酸や水のようなもの、を含まないように溶媒または分散媒を選択するようにすればよい。

発光層９０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度が好ましく、より好ましくは、５０〜１００ｎｍ程度である。前記した範囲の層厚では、正孔と電子が効率よく再結合するため、発光層９０の発光効率をより向上できる。

次に、５０℃〜６０℃で発光層９０を乾燥させる。ここで、発光層９０が固着する際に、例えば基材６１の下方から超音波振動子１５０Ａによる超音波振動を加えることにより、発光層９０内の溶媒をミスト化して除去すると共に、後述する正孔輸送層５４との密着性を高めるべく、発光層９０の表面に凸凹を加えることができる。

（接合工程）
続いて、上記方法によりそれぞれ製造した陽極側と陰極側とを対向させ、正孔輸送層５４および発光層９０をそれぞれの界面として貼り合わせて接合する。図３は、陽極側と陰極側との接合工程を説明する図である。先ず、この接合工程で接合される前に、図示を略した貼り合わせ工程において、陽極側形成層１と陰極側形成層２は、それぞれの界面を対向させて適切なアライメント方法により位置決めされた後、陽極側形成層１と陰極側形成層２との界面が互いに密着することで貼り合わされる。次に、密着して一体となった陽極側形成層１および陰極側形成層２を押圧すると共に、振動を加える。具体的には、複数の振動する加圧ローラ１４０の間に、貼り合わせた陽極側形成層１と陰極側形成層２とを潜らせる。

ここで、押圧および振動を加える手段について概説する。この加圧ローラ１４０は、陰極側形成層２の基材６１と接する一方の加圧ローラ１４０Ａと、陽極側形成層１のガラス基板１０と接する他方の加圧ローラ１４０Ｂとで構成され、それぞれの加圧ローラ（１４０Ａ，１４０Ｂ）の回転中心を結ぶラインは、貼り合わせた陽極側形成層１と陰極側形成層２が送られる移動ラインと直交するように構成されている。この加圧ローラ１４０は、例えばゴムのような弾性部材で構成され、この弾性作用により、加圧ローラ１４０間を潜る部材に対して押圧する。

また、加圧ローラ１４０間を潜る部材に対して振動を与えるべく、超音波振動子１５０が設置されている。具体的には、一方の加圧ローラ１４０Ａを介して、一方の超音波振動子１５０Ａが振動を与え、他方の加圧ローラ１４０Ｂを介して、他方の超音波振動子１５０Ｂが振動を与える。これらの超音波振動子（１５０Ａ，１５０Ｂ）は、図示を略したコントローラで制御され、それぞれ異なる周波数および振幅を発生すると共に、周波数変調や振幅変調のような所定の変調を付加できるように構成されている。尚、押圧力は、０．０１Ｋｇｆ／ｃｍ²以上、０．５Ｋｇｆ／ｃｍ²以下となるように調整され、周波数は、１００ＫＨｚ以上、２００ＫＨｚ以下となるように設定される。

上記した方法により、密着した陽極側形成層１と陰極側の形成層２との界面において、陰極側のバンク８０と陽極側の絶縁膜５２がまず最初に押圧され、その後有機層同士が接合し、振動が加えられることにより、両形成層の界面に対する過剰な押圧力が軽減ができることに加え、界面近傍の分子が共振され、共振による運動のエネルギーが熱のエネルギーに変換されて両界面近傍のみが局所的に加熱される。このようにして両界面近傍で発生した熱により、界面近傍の異なる層がゲル状になり分子レベルで混合・分散され、熱の遮断後は、それぞれの界面が接合された状態で冷却されて固形化する。尚、正孔輸送層５４と発光層９０とが、共に固形化されている場合は、短時間のパルス的な加振で両界面が接合されるが、どちらか一方もしくは共に半固形状態である場合は、振動の振幅を０．１μｍから５０μｍの間で変調することで、２〜３秒程度の短時間の加振により、両界面が混合され、接合される。このようにして、陽極側形成層１と陰極側形成層２とを貼り合わせた後、混合されて接合することで、有機発光素子５を製造できる。

（有機発光素子の応用例）
さらに、この有機発光素子５は、有機ＥＬパネルと呼ばれる電子デバイスとして、種々の電子機器に用いられる。例えば、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルスチルカメラ等の各種電子機器に適用することができる。図４は、モバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。この図４において、パーソナルコンピュータ１８０は、キーボード１８２を備えた本体部１８４と、前記した有機ＥＬパネルからなる表示ユニット１８６とから構成されている。

図５は、携帯電話の斜視図である。この図５において、携帯電話２００は、複数の操作ボタン２０２の他、受話口２０６、送話口２０４と共に、前記した有機ＥＬパネルからなる表示パネル２０８を備えている。図６は、デジタルスチルカメラ３００の構成を示す斜視図である。なお、外部機器との接続についても簡易的に示している。通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge coupled device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。

ここで、デジタルスチルカメラ３００におけるケース３０２の背面には、本発明の有機ＥＬ装置からなる表示パネル３０４が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。このため、表示パネル３０４は、被写体を表示するファインダとして機能する。また、３０２の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット３０６が設けられている。

ここで、撮影者が表示パネル３０４に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン３０８を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板３１０のメモリに転送されて格納される。また、このデジタルスチルカメラ３００にあっては、ケース３０２の側面にビデオ信号出力端子３１２と、データ通信用の入出力端子３１４とが設けられている。

そして、図示されているように、ビデオ信号出力端子３１２にはテレビモニタ４３０が、データ通信用の入出力端子３１４にはパーソナルコンピュータ４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作によって、回路基板３１０のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ４３０やパーソナルコンピュータ４４０に出力される構成となっている。

なお、本発明の有機発光素子を表示部に備えた電子機器としては、図４のパーソナルコンピュータ、図５の携帯電話、および図６のデジタルスチルカメラの他にも、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、およびタッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。

以上述べた実施形態１によれば、以下のような効果を奏する。
（１）発光層９０を乾燥させる際に、超音波振動子１５０Ａにより超音波振動を加えることで、発光層９０内の溶媒がミスト化して除去されるため、発光効率が向上する。更に、加圧ローラ１４０との接触は、点接触であるため、必要な画素列のみ選択的に加圧できることに加えて、陽極側形成層１および陰極側形成層２の内部の歪応力及び空気の排除が促進される。

（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について、図７を参照して説明する。尚、以下の説明では、既に説明した部分と同一な部分については、同一符号を付してその説明を省略する。この図７は、本実施形態２の有機発光素子の概略を示す構成図である。前記した実施形態１では、陰極側形成層２の基材６１は、透明なガラス板を採用したが、本実施形態２では、ポリエステルフィルム１５Ａを採用する。加えて、陽極側形成層１のガラス基板１０は、陰極側形成層２との貼り合わせ工程および接合工程の後に、剥離層２０が剥離して陽極側形成層１から分離される。

具体的には、陽極側形成層１と陰極側形成層２とを接合するべく加圧ローラ１４０と超音波振動子１５０とで押圧して振動を加える際に、ガラス基板１０の下方に配置したＸｅＣｌエキシマレーザ発振装置（図示せず）から、ガラス基板１０の全面に向けてＸｅＣｌエキシマレーザを照射する。この場合の照射条件は、エネルギー密度１６０ｍＪ／ｃｍ² 、照射時間２０ｎ秒である。この照射により、剥離層２０から水素が放出されて剥離層２０内の圧力が高くなり、剥離層２０が破壊されてガラス基板１０が下地保護膜３０から剥がれ易い状態になる。加えて、超音波振動子１５０からの超音波振動が加わり、剥離層２０は、ガラス基板１０と共に陽極側形成層１から剥離して完全に分離される。続いて、下地保護膜３０面に紫外線硬化樹脂等の接着剤を用いてポリエステルフィルム１５Ｂを固着する。

以上述べたような実施形態２によれば、実施形態１で述べた（１）の効果に加え、以下のような効果を奏する。
（２）有機発光素子５の両端面がポリエステルフィルム１５で構成されるため、有機発光素子５が曲げられたり、引っ張られたりした場合に生じる歪みをポリエステルフィルム１５及び紫外線硬化樹脂等の接着剤の層が吸収する。従って、外部から加わる物理的な変形に対して強化された有機発光素子５を提供できる。

（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３について、図８を参照して説明する。この図８は、本実施形態３の有機発光素子の構成の概略を示す図である。前記した実施形態１では、共に湿式製膜法で形成された発光層９０の界面と、正孔輸送層５４の界面とを接合面としたが、本実施形態３では、共に乾式成膜法で形成された、電子注入層７４の界面と、電子輸送層７６の界面とを接合面とする。

即ち、陽極側形成層１として、ガラス基板１０上に、半導体素子層４、絶縁層５２およびバンク８０を順次積層する。更に、実施形態１と同様の方法で、それぞれの層にＴＦＴ６６、陽極電極６９、正孔輸送層５４および発光層９０を形成することに加え、発光層９０に対応して電子輸送層７６を、バンク８０から僅かに突出するように形成する。また、陰極側形成層２として、基材６１上に陰極電極７０を形成した後、電子注入層７４を陽極側形成層１の発光層９０に対応して陰極電極７０上に形成する。

続いて、実施形態１と同様の方法により、それぞれ形成した電子注入層７４の界面と、電子輸送層７６の界面とを対向させ、適切にアライメントした後に貼り合わせて、押圧および振動を加えることで、それぞれの界面を接合する。

尚、電子注入層７４は、陰極７０からの電子の注入効率を向上させるべく、陰極７０から電子を取り込む機能を有する。また、電子輸送層７６は、陰極７０から注入された電子を発光層９０まで輸送する機能を有する。

ここで、電子注入層７４の構造材料について説明する。この電子注入層７４は、有機化合物あるいは無機化合物から構成されることが好ましい。特に、無機化合物による構成は、陰極７０からの電子の注入性や耐久性により優れた有機発光素子が得られることが知られている。

この中で、有機化合物としては、８―ヒドロキシキノリンやオキサジアゾール、あるいはこれらの誘導体、例えば、８―ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物等が好ましい。また、無機化合物としては、絶縁体または半導体が好ましい。特に、電子注入層７４を絶縁体や半導体で構成することで、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を更に向上させることが知られている。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から、少なくとも一つの金属化合物が選択されることが好ましい。特に、アルカリ金属カルコゲナイド等で電子注入層７４を構成することにより、電子注入の効率がより向上することが知られている。このようなアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ₂Ｏ，ＬｉＯ，Ｎａ₂Ｓ，Ｎａ₂ＳｅおよびＮａＯが好ましい。
また、アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ，ＢｅＯ，ＢａＳ，ＭｇＯおよびＣａＳｅが好ましい。更に、アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ，ＬｉＦ，ＮａＦ，ＫＦ，ＬｉＣｌ，ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が好ましい。

また、アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ₂，ＢａＦ₂，ＳｒＦ₂，ＭｇＦ₂およびＢｅＦ₂といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が好ましいが、これら絶縁体を二種以上で組み合わせても良い。また、電子注入層７４を構成する半導体としては、Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｔａ，ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種による単独または二種以上の組み合わせが好ましい。

また、電子注入層７４を構成する無機化合物は、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層７４がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、前記したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が好ましい。

電子注入層７４の構造は特に制限されるものではなく、例えば、一層構造であっても良く、あるいは、二層構造または三層構造であっても良い。また、電子注入層７４の膜厚についても特に制限されるものではないが、例えば０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。この理由は、電子注入層７４の膜厚が０．１ｎｍ未満となると、電子注入性が低下したり、あるいは機械的強度が低下するためであり、他方で、電子注入層７４の膜厚が１０００ｎｍを超えると抵抗が高くなり、有機発光素子の高速応答性が低下したり、成膜に長時間を要するためである。更に、これらの欠点を確実に避けるためには、電子注入層７４の膜厚は、０．５〜１００ｎｍの範囲がより好ましく、理想的には、１〜５０ｎｍの範囲が更に好ましい。

続いて、電子注入層７４を形成する方法について説明する。前記したように、電子注入層７４の形成は、乾式成膜法により形成される。この乾式成膜法としては、均一な膜厚を有する薄膜層として形成出来れば特に制限されるものではないが、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、スパッタリング法等の方法を採用できる。

次に、電子輸送層７６の構成材料について説明する。この電子輸送層７６の構成材料としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ₃）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が好適である。
電子輸送層７６は、以上のような化合物のうちの少なくとも一つを用いて、乾式成膜法により形成される。

尚、電子輸送層７６の厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、理想的には、２０〜５０ｎｍ程度がより好ましい。電子輸送層７６の厚さは、薄すぎる場合、ピンホールが生じて電気的にショートする可能性があり、他方で、厚過ぎる場合、抵抗値が高くなる可能性がある。

以上述べたような実施形態３によれば、以下のような効果を奏する。
（３）電子輸送層７６は、バンク８０から僅かに突出するため、陰極側形成層２との接合時に、界面が接合し易くなることに加えて、接合時の歪みの逃げ場を形成できる。

（実施形態４）
次に、本発明の実施形態４について、図９を参照して説明する。この図９は、本実施形態４の有機発光素子の構成の概略を示す図である。前記した実施形態１では、共に湿式製膜法で形成された発光層９０の界面と、正孔輸送層５４の界面とを接合面としたが、本実施形態４では、湿式製膜法で形成された発光層９０の界面と、乾式成膜法で形成された電子輸送層７６の界面とを接合面とする。

即ち、陽極側形成層１として、ガラス基板１０上に、半導体素子層４、絶縁層５２およびバンク８０を順次積層する。更に、実施形態１と同様の方法で、それぞれの層にＴＦＴ６６、陽極電極６９、正孔輸送層５４および発光層９０を形成する。また、陰極側形成層２として、基材６１上に陰極電極７０を形成した後、電子注入層７４を陽極側形成層１の発光層９０に対応して陰極電極７０上に形成する。更に、この電子注入層７４の上に電子輸送層７６を形成する。

続いて、実施形態１と同様の方法により、それぞれ形成した発光層９０の界面と、電子輸送層７６の界面とを対向させ、適切にアライメントした後に貼り合わせて、押圧および振動を加えることで、それぞれの界面を接合する。

ここで、発光層９０の界面と電子輸送層７６の界面とのうち、一方の界面の面積は、この一方の界面と接合する他方の界面の面積よりも小さいことが好ましい。

以上述べたような実施形態４によれば、以下のような効果を奏する。
（４）接合する界面同士の面積が異なるため、アライメントの誤差を吸収できることに加えて、超音波振動で発生する熱による位置ずれも吸収できる。

以上、本発明を図示した実施形態１、実施形態２、実施形態３および実施形態４に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、以下に述べるような変形例も想定できる。
（１）本発明の製造方法は、前記実施形態で述べた２つの層の界面の接合に限定されず、陰極電極７０、電子注入層７４、電子輸送層７６、発光層９０、正孔輸送層５４、正孔注入層および陽極電極６９等の中から、隣接する層間の接合でも良く、更に、同一の有機層同士の接合に対しても適用できる。また、バンク８０は、接合層の一方のみにあっても良いし、接合層の両方にそれぞれ形成しても良い。
（２）界面近傍の加熱方法は、超音波振動に限らず、高周波を利用した誘電加熱法も採用できる。

本発明の実施形態１に係る陽極の側に形成される正孔輸送層を説明する図。 実施形態１に係る陰極の側に形成される発光層を説明する図。 実施形態１に係る陽極側と陰極側との接合工程を説明する図。 実施形態１に係るモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図。 実施形態１に係る携帯電話の斜視図。 実施形態１に係るデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図。 実施形態２に係る有機発光素子の概略を示す構成図。 実施形態３に係る有機発光素子の概略構成を示す図。 実施形態４に係る有機発光素子の概略構成を示す図。

符号の説明

１…陽極側形成層、２…陰極側形成層、４…半導体素子層、５…有機発光素子、１０…ガラス基板、１５…ポリエステルフィルム、２０…剥離層、３０…下地保護膜、４０…ゲート絶縁膜、４２…第１層間絶縁膜、４４…第２層間絶縁膜、５０…密着層、５２…絶縁膜、５４…正孔輸送層、６１…基材、６２…ポリシリコン膜、６４…ゲート電極、６５…ソース・ドレイン領域、６６…ＴＦＴ、６７…ソース・ドレイン電極、６９…陽極電極、７０…陰極電極、７４…電子注入層、７６…電子輸送層、８０…バンク、９０…発光層、１００…インクジェットヘッド、１１０…正孔輸送材料調整液、１３０…発光材、１４０…加圧ローラ、１５０…超音波振動子、１８０…パーソナルコンピュータ、１８２…キーボード、１８４…本体部、１８６…表示ユニット、２００…携帯電話、２０２…操作ボタン、２０４…送話口、２０６…受話口、２０８…表示パネル、３００…デジタルスチルカメラ、３０２…ケース、３０４…表示パネル、３０６…受光ユニット、３０８…シャッタボタン、３１０…回路基板、３１２…ビデオ信号出力端子、３１４…入出力端子、４３０…テレビモニタ、４４０…パーソナルコンピュータ。

Claims (21)

1. 陽極層と、陰極層と、前記両極層間に積層され発光色を呈する発光層を少なくとも有する有機層と、を備える有機発光素子の製造方法であって、
   少なくとも一つが前記有機層である、一方の層の界面と他方の層の界面とを対向させて貼り合わせる工程と、
   前記貼り合わせた界面同士を押圧すると共に、前記両界面を局所的に加熱することで前記２つの層を接合する工程と、を備えることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
2. 請求項１に記載の有機発光素子の製造方法において、
   前記押圧された両界面を振動させることで前記両界面の近傍に発生する熱により加熱することを特徴とする有機発光素子の製造方法。
3. 請求項２に記載の有機発光素子の製造方法において、
   前記振動は、超音波振動であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
4. 請求項２乃至３に記載の有機発光素子の製造方法において、
   前記振動には、所定の変調が付加されていることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
   前記一方の層は、前記陰極層であると共に、
   前記他方の層は、前記発光層であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
6. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
   前記一方の層は、前記発光層であると共に、
   前記他方の層は、正孔を前記発光層へ輸送する正孔輸送層であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
7. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
   前記一方の層は、前記陽極層であると共に、
   前記他方の層は、前記正孔輸送層であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
8. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
   前記一方の層は、前記正孔輸送層であると共に、
   前記他方の層は、前記陽極から正孔を取り込む正孔注入層であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
9. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
   前記一方の層と前記他方の層は、同じ材料で形成されていることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
10. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記２つの層のうち、少なくとも一方の層は、乾式成膜法により成膜された層であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
11. 請求項１０に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記一方の層は、前記陰極層であると共に、
    前記他方の層は、電子を前記発光層へ輸送する電子輸送層であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
12. 請求項１０に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記一方の層は、前記陰極から電子を取り込む電子注入層であると共に、
    前記他方の層は、前記電子輸送層であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
13. 請求項１０に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記一方の層は、前記発光層であると共に、
    前記他方の層は、前記電子輸送層であることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
14. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記一方の層の界面と前記他方の層の界面は、面積が異なることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
15. 請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記一方の層または前記他方の層のどちらか一方に、前記有機層を分離する隔壁が形成されていることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
16. 請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記一方の層及び前記他方の層の両方に、前記有機層を分離する隔壁が形成されていることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
17. 請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記両界面の内、少なくとも一方の界面を振動させて前記界面の表面に凸凹を付加する工程を、
    前記両界面を貼り合わせる工程よりも前に備えることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
18. 請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法において、
    前記陽極層を基板上に形成する工程と、
    前記陽極層を前記基板から剥離するための剥離層を前記基板と前記陽極層との間に形成する工程と、
    前記基板と前記陽極層を前記振動により前記剥離層で剥離する工程と、を更に備えることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
19. 請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法により製造した有機発光素子。
20. 請求項１９に記載の前記有機発光素子を備えることを特徴とする電子デバイス。
21. 請求項２０に記載の電子デバイスを具備することを特徴とする電子機器。
    
    

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