JP2006220592A - Pressure sensor - Google Patents
Pressure sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006220592A JP2006220592A JP2005035794A JP2005035794A JP2006220592A JP 2006220592 A JP2006220592 A JP 2006220592A JP 2005035794 A JP2005035794 A JP 2005035794A JP 2005035794 A JP2005035794 A JP 2005035794A JP 2006220592 A JP2006220592 A JP 2006220592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor chip
- hole
- pressure
- sensor
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体ダイアフラム式のセンサチップに圧力導入孔を有するガラス台座を接合してなる圧力センサに関し、特に、圧力導入孔が保護用のゲル部材により封止されてなる圧力センサに関する。 The present invention relates to a pressure sensor in which a glass pedestal having a pressure introduction hole is bonded to a semiconductor diaphragm type sensor chip, and more particularly to a pressure sensor in which the pressure introduction hole is sealed with a protective gel member.
図5は、ピエゾ式圧力センサデバイスとしてのこの種の圧力センサの一般的な概略断面構成を示す図である。このような圧力センサとしては、特許文献1に記載のものが提案されている。 FIG. 5 is a diagram showing a general schematic cross-sectional configuration of this type of pressure sensor as a piezoelectric pressure sensor device. As such a pressure sensor, the thing of patent document 1 is proposed.
図5に示されるように、この種の圧力センサは、シリコン半導体基板などからなる半導体ダイアフラム式のセンサチップ10を備えている。
As shown in FIG. 5, this type of pressure sensor includes a semiconductor
このセンサチップ10は、裏面12に凹部13が形成され凹部13に対応した表面11側の薄肉部がダイアフラム14として構成されるとともに、表面11にピエゾ抵抗15を有して構成されている。
The
そして、センサチップ10の裏面12には、ガラス台座20が陽極接合などにより接合されている。このガラス台座20は、センサチップ10の裏面12の凹部13からダイアフラム14へ通じる圧力導入孔としての貫通穴21を有している。
A
また、ガラス台座20の貫通穴21およびセンサチップ10の凹部13には、シリコーンゲルなどからなるゲル部材30が充填されており、このゲル部材30によってセンサチップ10が封止され保護されている。
The through
そして、この圧力センサにおいては、貫通穴21からゲル部材30を介してセンサチップ10の裏面12側にてダイアフラム14に圧力が導入さるとれ、センサチップ10からはピエゾ抵抗効果によって、当該印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている。
In this pressure sensor, pressure is introduced to the
ここで、この種の圧力センサは、たとえば、腐食性を有する液体やガスなどの圧力媒体の圧力を測定する場合に適用され、そのような腐食性の圧力媒体からセンサチップ10を保護するために、上記のようにゲル部材30による保護がなされている。
Here, this type of pressure sensor is applied, for example, when measuring the pressure of a pressure medium such as a corrosive liquid or gas, in order to protect the
具体的には、このような圧力センサは、ディーゼルエンジン車両の排気管内に設けられた排気清浄フィルタとしてのDPF(ディーゼルパティキュレートフィルタ)の前後の差圧を測定したり、EGR雰囲気中の圧力などを測定するセンサなどに適用されるものである。
ところで、上記図5に示されるように、従来の圧力センサにおいては、圧力導入孔である貫通穴21にゲル部材30が注入され充填されるが、本発明者の検討によれば、この充填されたゲル部材30において内部に気泡が生じたり、充填不足が生じたりすることなどにより、センサ特性に異常が発生する可能性があることがわかった。
Incidentally, as shown in FIG. 5 above, in the conventional pressure sensor, the
具体的には、上記図5に示されるように、ガラス台座20の貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径が、センサチップ10における凹部13の開口径よりも小さくなっているため、センサチップ10の凹部13の内側に張り出したガラス台座20の肩部22が存在する。
Specifically, as shown in FIG. 5, the diameter of the
ここで、ゲル部材30は、当然ながら、センサチップ10とガラス台座20とを接合した後に、貫通穴21におけるセンサチップ10とは反対側の開口部21bから充填される。すると、この肩部22に覆われた凹部13の空間には、ゲル部材30が入り込みにくくなり、当該空間に、上記した気泡や充填不足の部分が発生しやすくなる。
Here, the
特に、圧力センサの小型化が要望されている現状において、センサチップ10とガラス台座20との接着代を確保しつつセンサの小型化を進めていった場合、感度確保の観点からダイアフラム14の面積の確保も必要であることから、上記した肩部22の張り出しは、より大きくなり、ゲル部材30の注入性の悪化は、より顕著になる恐れがある。
In particular, in the current situation where the pressure sensor is required to be downsized, when the sensor is downsized while securing the bonding allowance between the
一方、図6は、従来の圧力センサの他の例を示す概略断面図であり、ここではピエゾ抵抗は省略してある。 On the other hand, FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another example of a conventional pressure sensor, in which piezoresistors are omitted.
この図6に示されるものでは、ガラス台座20の貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径が、センサチップ10における凹部13の開口径よりも大きくなっている。
6, the diameter of the opening 21a on the
この図6に示されるものでは、上記図5に示されるような肩部22は存在しないため、ゲル部材30の注入性は良いように考えられるが、小型化を考慮し限られたサイズの中で、ガラス台座20の貫通穴21の穴径を大きくする必要があるため、その分、ガラス台座20の強度を確保することが困難になる。
In the case shown in FIG. 6, since the
さらに、上記図6に示される構造は、小型化を考慮し限られたサイズの中で、センサチップ10における凹部13の開口径をより小さくすることにより実現できるが、その場合、ダイアフラム14の面積が小さくなってしまい、感度の低下につながるため、好ましくない。
Further, the structure shown in FIG. 6 can be realized by reducing the opening diameter of the
このような観点から、ガラス台座20の貫通穴21へゲル部材30を注入するにあたり、センサの小型化、ガラス台座の強度や感度の確保などに対して不具合を生じさせることなく、確実な注入を適切に実現することが望まれるが、上記特許文献1をはじめ、従来では、ゲル部材の注入性の改善について記載されたものはなかった。
From this point of view, when injecting the
本発明は、上記したような問題に鑑みてなされたものであり、半導体ダイアフラム式のセンサチップに対して貫通穴を有するガラス台座が接合され、当該貫通穴がゲル部材により封止されてなる圧力センサにおいて、ゲル部材の注入性を適切に向上させることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and is a pressure in which a glass pedestal having a through hole is bonded to a semiconductor diaphragm sensor chip, and the through hole is sealed with a gel member. In a sensor, it aims at improving the injection nature of a gel member appropriately.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、裏面(12)に凹部(13)が形成され凹部(13)に対応した表面(11)側の薄肉部がダイアフラム(14)として構成されるとともに、表面(11)にピエゾ抵抗(15)を有するセンサチップ(10)と、センサチップ(10)の裏面(12)に接合され凹部(13)からダイアフラム(14)へ通じる貫通穴(21)を有するガラス台座(20)と、貫通穴(21)および凹部(13)に充填されてセンサチップ(10)を保護するゲル部材(30)とを備え、貫通穴(21)からゲル部材(30)を介してダイアフラム(14)に圧力が導入され、センサチップ(10)からはピエゾ抵抗効果によって印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている圧力センサにおいて、次のような点を特徴としている。 In order to achieve the above object, in the first aspect of the present invention, the concave portion (13) is formed on the back surface (12), and the thin portion on the front surface (11) side corresponding to the concave portion (13) is configured as a diaphragm (14). And a sensor chip (10) having a piezoresistor (15) on the front surface (11), and a through-hole (bonded to the back surface (12) of the sensor chip (10) from the recess (13) to the diaphragm (14) ( 21) and a gel member (30) that fills the through hole (21) and the recess (13) and protects the sensor chip (10), the gel member from the through hole (21). Pressure is introduced into the diaphragm (14) via (30), and a signal corresponding to the pressure applied by the piezoresistive effect is output from the sensor chip (10). Oite, it is characterized in the following points.
すなわち、本発明の圧力センサにおいては、貫通穴(21)におけるセンサチップ(10)側の開口部(21a)の径は、センサチップ(10)における凹部(13)の径よりも小さいものであり、貫通穴(21)は、センサチップ(10)とは反対側の開口部(21b)からセンサチップ(10)側の開口部(21a)へ行くにつれてテーパ状に径が拡がった穴として構成されていることを特徴としている。 That is, in the pressure sensor of the present invention, the diameter of the opening (21a) on the sensor chip (10) side in the through hole (21) is smaller than the diameter of the recess (13) in the sensor chip (10). The through hole (21) is configured as a hole whose diameter increases in a taper shape from the opening (21b) on the side opposite to the sensor chip (10) to the opening (21a) on the sensor chip (10) side. It is characterized by having.
本発明の圧力センサにおいては、貫通穴(21)におけるセンサチップ(10)側の開口部(21a)の径を、センサチップ(10)における凹部(13)の径よりも小さいものとしているため、そもそも、上記図6に示される圧力センサのように、ダイアフラム(14)の面積が小さくなることによる感度の低下という問題は発生せず、回避することができる。 In the pressure sensor of the present invention, the diameter of the opening (21a) on the sensor chip (10) side in the through hole (21) is smaller than the diameter of the recess (13) in the sensor chip (10). In the first place, unlike the pressure sensor shown in FIG. 6, the problem that the sensitivity is reduced due to the decrease in the area of the diaphragm (14) does not occur and can be avoided.
ただし、本発明の圧力センサにおいては、上記図5に示される従来の圧力センサと同様に、センサチップ(10)の凹部(13)の内側に張り出したガラス台座(20)の肩部(22)が存在する。 However, in the pressure sensor of the present invention, as in the conventional pressure sensor shown in FIG. 5, the shoulder (22) of the glass pedestal (20) projecting inside the recess (13) of the sensor chip (10). Exists.
ここで、本発明の貫通穴(21)は、従来のような全体の穴径が均一なストレートな穴ではなく、センサチップ(10)とは反対側からセンサチップ(10)側へ向かうにつれて拡径したテーパ形状の穴となっている。 Here, the through hole (21) of the present invention is not a straight hole having a uniform overall hole diameter as in the prior art, but expands from the side opposite to the sensor chip (10) toward the sensor chip (10) side. It is a tapered hole with a diameter.
そのため、ガラス台座(20)の肩部(22)の張り出しを小さくするために、貫通穴(21)におけるセンサチップ(10)側の開口部(21a)の径を大きくしても、貫通穴(21)におけるセンサチップ(10)とは反対側の開口部(21b)は、さほど大きくしなくてもよくなる。 Therefore, even if the diameter of the opening (21a) on the sensor chip (10) side in the through hole (21) is increased in order to reduce the overhang of the shoulder (22) of the glass pedestal (20), the through hole ( The opening (21b) on the side opposite to the sensor chip (10) in 21) does not have to be so large.
言い換えれば、本発明では、貫通穴(21)におけるセンサチップ(10)側の開口部(21a)の径を大きくして、ガラス台座(20)の肩部(22)の張り出しを小さくしても、従来よりも、ガラス台座(20)の強度を大きいものにできる。 In other words, in the present invention, even if the diameter of the opening (21a) on the sensor chip (10) side in the through hole (21) is increased and the protrusion of the shoulder (22) of the glass pedestal (20) is reduced. And the intensity | strength of a glass base (20) can be made larger than before.
つまり、本発明によれば、ガラス台座(20)の肩部(22)の張り出しを適切に小さくすることができるため、肩部(22)に覆われた凹部(13)の空間にゲル部材(30)が入りやすくなり、上記したゲル部材(30)における気泡や充填不足の発生を極力抑制することができるようになる。 That is, according to the present invention, since the overhang of the shoulder (22) of the glass pedestal (20) can be appropriately reduced, the gel member (in the space of the recess (13) covered by the shoulder (22) ( 30) can easily enter, and the occurrence of bubbles and insufficient filling in the gel member (30) can be suppressed as much as possible.
また、ガラス台座(20)の貫通穴(21)は、センサチップ(10)のダイアフラム(14)側において大きく膨らんだ形となるため、ダイアフラム(14)およびピエゾ抵抗(15)の近傍でのゲル部材(30)の膨張を和らげる効果があり、センサ特性上、好ましい。 Moreover, since the through hole (21) of the glass pedestal (20) is greatly expanded on the diaphragm (14) side of the sensor chip (10), the gel in the vicinity of the diaphragm (14) and the piezoresistor (15). There is an effect of reducing expansion of the member (30), which is preferable in terms of sensor characteristics.
以上のように、本発明によれば、半導体ダイアフラム式のセンサチップ(10)に対して貫通穴(21)を有するガラス台座(20)が接合され、貫通穴(21)がゲル部材(30)により封止されてなる圧力センサにおいて、ゲル部材(30)の注入性を適切に向上させることができる。 As described above, according to the present invention, the glass pedestal (20) having the through hole (21) is joined to the semiconductor diaphragm sensor chip (10), and the through hole (21) is the gel member (30). In the pressure sensor sealed by the above, the injection property of the gel member (30) can be improved appropriately.
ここで、請求項2に記載の発明のように、請求項1に記載の圧力センサにおいては、ピエゾ抵抗(15)は、前記貫通穴(21)における前記センサチップ(10)側の開口部(21a)の径の内側に位置していることが好ましい。 Here, as in the invention described in claim 2, in the pressure sensor described in claim 1, the piezoresistor (15) is an opening on the sensor chip (10) side in the through hole (21). 21a) is preferably located inside the diameter.
それによれば、ピエゾ抵抗(15)は、センサチップ(10)の凹部(13)においてガラス台座(20)の肩部(22)よりも、さらに内側に位置することになるため、肩部(22)に覆われた凹部(13)の空間に充填されたゲル部材(30)が熱などにより膨張したときの応力を、ピエゾ抵抗(15)が受けにくくなり、好ましい。 According to this, since the piezoresistor (15) is positioned further inside than the shoulder (22) of the glass pedestal (20) in the recess (13) of the sensor chip (10), the shoulder (22 The piezoresistance (15) is less susceptible to stress when the gel member (30) filled in the space of the recess (13) covered with) expands due to heat or the like.
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings for the sake of simplicity.
本実施形態に係る圧力センサは、たとえば、腐食性を有する液体やガスなどの圧力媒体の圧力を測定する場合に適用され、具体的には、ディーゼルエンジン車両の排気管内に設けられた排気清浄フィルタとしてのDPF(ディーゼルパティキュレートフィルタ)の前後の差圧を測定したり、EGR雰囲気中の圧力などを測定するセンサなどに適用されるものである。 The pressure sensor according to the present embodiment is applied, for example, when measuring the pressure of a pressure medium such as corrosive liquid or gas, and specifically, an exhaust purification filter provided in an exhaust pipe of a diesel engine vehicle. It is applied to a sensor or the like for measuring a differential pressure before and after a DPF (diesel particulate filter) or measuring a pressure in an EGR atmosphere.
[構成等]
図1は、本発明の実施形態に係るピエゾ式圧力センサデバイスとしての圧力センサ100の概略断面構成を示す図である。
[Configuration]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a pressure sensor 100 as a piezo-type pressure sensor device according to an embodiment of the present invention.
図1に示されるように、本実施形態の圧力センサ100は、大きくは、半導体ダイアフラム式のセンサチップ10と、このセンサチップ10に接合された圧力導入孔としての貫通穴21を有するガラス台座20と、貫通穴21に充填されたゲル部材30とを備えて構成されている。
As shown in FIG. 1, the pressure sensor 100 of the present embodiment is roughly composed of a
センサチップ10は、シリコン半導体基板などの半導体基板からなるものであり、その裏面12に化学的エッチングなどにより作成された凹部13が形成されている。そして、センサチップ10においては、凹部13に対応した表面11側の薄肉部がダイアフラム14として構成されている。
The
また、センサチップ10の表面11において、ダイアフラム14の部分には、拡散抵抗からなるピエゾ抵抗15が設けられている。このピエゾ抵抗15は複数個設けられており、後述する図4に示されるようにブリッジ回路を構成している。
Further, on the
そして、センサチップ10においては、ピエゾ抵抗効果によって印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている。具体的には、ダイアフラム14にて圧力を受け、その圧力によってダイアフラム14が歪み、ダイアフラム14に形成された上記ブリッジ回路によって、このダイアフラム14の歪みに基づく信号、すなわち、印加された圧力値に応じたレベルの信号が出力されるようになっている。
And in the
また、本実施形態では、センサチップ10は、その裏面12側において、薄肉部であるダイアフラム14の周囲部すなわち厚肉部16にて、ガラス台座20に対して陽極接合などにより固定されている。
Further, in the present embodiment, the
ここで、センサチップ10の裏面12に接合されているガラス台座20において、圧力導入孔としての貫通穴21は、センサチップ10側の面からその反対側の面へ貫通する穴である。
Here, in the
そして、センサチップ20は、その裏面12側にてダイアフラム14をガラス台座20の貫通穴21対向した状態で配置されている。つまり、ガラス台座20の貫通穴21は、センサチップ10の凹部13からダイアフラム14へ通じている。
The
また、ガラス台座20の貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径は、センサチップ10における凹部13の径よりも小さいものとなっている。そのため、図1に示されるように、ガラス台座20においては、センサチップ10の凹部13の内側に張り出しているの肩部22が存在する。
Further, the diameter of the opening 21 a on the
そして、図1に示されるように、本実施形態の圧力センサ100においては、独自の構成として、ガラス台座20の貫通穴21を、センサチップ10とは反対側の開口部21bからセンサチップ10側の開口部21aへ行くにつれてテーパ状に径が拡がった穴とした構成を採用している。
As shown in FIG. 1, in the pressure sensor 100 of this embodiment, as a unique configuration, the through
このようなテーパ形状を有するガラス台座20の貫通穴21は、たとえば超音波振動を用いた切削やサンドブラストなどの加工方法を採用することにより、作成することができる。
The through
ここで、図1に示されるように、センサチップ10のピエゾ抵抗15は、感度を大きくするために、ダイアフラム14の歪みの大きい部位、図示例ではダイアフラム14の周辺部に設けられている。
Here, as shown in FIG. 1, the
さらに、ピエゾ抵抗15は、ガラス台座20の貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径の内側に位置している。このことは、図1においては、ピエゾ抵抗15と貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aとの間の距離Kによって示されている。
Further, the
また、ガラス台座20の貫通穴21およびセンサチップ10の凹部13には、ゲル部材30が充填されており、このゲル部材30によって、センサチップ10特にダイアフラム14の部分が封止され保護されている。
The through
このゲル部材30としては、たとえばシリコーンゲル、フッ素ゲル、フロロシリコーンゲルなどのゲル材料を用いることができ、このようなゲル材料を貫通穴21に注入・硬化させることで、ゲル部材30の充填がなされる。
As the
上述したように、本圧力センサ100は、ディーゼルエンジンの排気ガス圧など、腐食性を有する液体やガスなどの圧力媒体の圧力を測定する場合に適用されるものであり、そのような腐食性の圧力媒体からセンサチップ10を保護するために、ゲル部材30による保護がなされている。
As described above, the present pressure sensor 100 is applied when measuring the pressure of a pressure medium such as corrosive liquid or gas such as exhaust gas pressure of a diesel engine. In order to protect the
また、本実施形態の圧力センサ100は、図示しないケースなどの基材に接着され支持される。このような基材としては、外部と電気的に接続可能な端子を有するものであり、たとえば、ターミナルなどの端子がインサート成形された樹脂製のケースなどを採用することができる。 The pressure sensor 100 of the present embodiment is supported by being bonded to a base material such as a case (not shown). As such a base material, it has a terminal which can be electrically connected to the outside. For example, a resin case in which a terminal such as a terminal is insert-molded can be adopted.
そして、センサチップ10は、これに一体化されたガラス台座20を介して接着剤などにより、上記基材に接合され固定される。このような接着剤としては、たとえば、塗布して硬化させることで接着機能を発揮する樹脂などからなる接着剤、具体的にはシリコーン系接着剤やフロロシリコーン系接着剤などを採用することができる。
And the
また、上記基材の端子とセンサチップ10とが図示しない金やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤなどにより電気的に接続されたものにできる。それにより、センサチップ10と外部との電気的なやり取りが可能となる。
Further, the terminal of the base material and the
そして、この圧力センサ100においては、貫通穴21からゲル部材30を介してセンサチップ10の裏面12すなわちダイアフラム14の裏面12に圧力が導入され、センサチップ10からは、上記したピエゾ抵抗効果によって、印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている。具体的な検出方法については、後述する。
In the pressure sensor 100, pressure is introduced from the through
[製造方法・作動等]
次に、本実施形態の圧力センサ100の製造方法について、図2、図3を参照して述べる。図2(a)〜(d)、図3(a)〜(d)は、本製造方法をワークの概略断面にて示す工程図であり、主としてセンサチップ10の製造方法を示すものである。
[Manufacturing method, operation, etc.]
Next, a method for manufacturing the pressure sensor 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (d) and FIGS. 3 (a) to 3 (d) are process diagrams showing this manufacturing method in a schematic cross section of a workpiece, and mainly show a method for manufacturing the
本圧力センサ100におけるセンサチップ10についての、より具体的な断面構成の一例は、図3(c)、(d)に示される。
An example of a more specific cross-sectional configuration of the
図3(c)、(d)に示される例では、センサチップ10は、裏面12側から表面11側に向かって、P型層(PSub層)、N-層(N型エピタキシャル層)が積層されたシリコン半導体基板200よりなり、N-層は、上記P型層とは異なる不純物濃度を持つP型領域を介して、ピエゾ抵抗15の形成領域とその周囲領域とに分離されアイソレーションを確保している。
In the example shown in FIGS. 3C and 3D, the
ピエゾ抵抗15は、P型領域としてN-層内に形成されている。このピエゾ抵抗15は、実際には、少なくとも4個形成されており、後述するブリッジ回路(図4参照)を構成している。
The
また、シリコン半導体基板200の上面すなわちセンサチップ本体の表面11側は、酸化膜16にて被覆され、酸化膜17の上にはAl薄膜よりなる配線18が形成されている。そして、この配線18および酸化膜17に形成されたコンタクトホールを介して、ピエゾ抵抗15同士の接続等がなされている。
Further, the upper surface of the
そして、配線18を除く酸化膜17の上には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等よりなる保護膜19が形成され、センサチップ10の保護が図られている。このセンサチップ10は、周知の半導体製造技術を用いて製造することができる。次に、その製造方法の一例について、図2、図3を参照して説明する。
A
まず、図2(a)に示されるように、P型のシリコン基板201の一面側の所定領域にイオン注入等により、不純物濃度の異なるP型層202を形成するとともに、当該シリコン基板201の一面側に、リン(P)等の不純物雰囲気にて、N-層203を成長させ形成する。
First, as shown in FIG. 2A, a P-
次に、図2(b)に示されるように、N-層203の表面からホウ素(B)イオン等を注入し、拡散させるとともに、上記P型層202をN-層203の表面側へ拡散させることにより、上記P型層、N-層が積層され且つアイソレーションが形成されたシリコン半導体基板200を形成する。
Next, as shown in FIG. 2B, boron (B) ions or the like are implanted from the surface of the N − layer 203 and diffused, and the P-
次に、図2(c)に示されるように、シリコン半導体基板200の上面に、スパッタや蒸着法、加熱処理などの方法により、酸化膜17を形成し、この酸化膜17により上記N-層およびアイソレーション上を被覆する。
Next, as shown in FIG. 2C, an
次に、図2(d)に示されるように、酸化膜17を介してホウ素(B)イオン等によるイオン注入や拡散法により、シリコン半導体基板200の表面に、ピエゾ抵抗15を形成する。
Next, as shown in FIG. 2D, a
次に、図3(a)に示されるように、フォトリソグラフ法等を用いて、酸化膜17の所望の部位にコンタクトホールを形成し、その上に蒸着法などによりAl薄膜よりなる配線18を形成し、配線18とピエゾ抵抗15とを導通させる。
Next, as shown in FIG. 3A, a contact hole is formed in a desired portion of the
次に図3(b)に示されるように、CVD法等により、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等よりなる保護膜19を形成する。
Next, as shown in FIG. 3B, a
しかる後、シリコン半導体基板200の上面側をマスクした状態で、KOHなどのエッチング液を用いて、シリコン半導体基板200の下面側の一部を異方性エッチングにより除去する。それにより、図3(c)に示されるように、上記凹部13が形成されるのに伴いダイアフラム14が形成され、上記センサチップ10ができあがる。
Thereafter, a part of the lower surface side of the
そして、上述したように、超音波振動を用いた切削やサンドブラストなどの加工方法によりテーパ形状の貫通穴21が設けられたガラス台座20を用意し、このガラス台座20とセンサチップ10とを陽極接合する。
Then, as described above, the
それにより、図3(d)に示されるように、センサチップ10とガラス台座20とが一体化する。そして、貫通穴21におけるセンサチップ10とは反対側の開口部21bからゲル部材30を注入し、加熱などによりこれを硬化させれば、本実施形態の圧力センサ100が完成する。
Thereby, as shown in FIG. 3D, the
さらに、本圧力センサ100は、上述したように、図示しない基材に取り付けられワイヤボンディングなどにより、基材の端子に電気的に接続されることにより、実際の圧力測定に供される。 Furthermore, as described above, the pressure sensor 100 is attached to a base material (not shown) and is electrically connected to a terminal of the base material by wire bonding or the like, thereby being used for actual pressure measurement.
このような圧力センサ100は、たとえば、センサチップ10の表面11側からダイアフラム14に印加される圧力と、センサチップ10の裏面12側からダイアフラム14に印加される圧力との差圧により、ダイアフラム14が歪み、このダイアフラム14の歪みに基づいて圧力検出を行う相対圧型の圧力センサとすることができる。
Such a pressure sensor 100 includes, for example, a
限定するものではないが、具体的には、このような相対圧検出型の圧力センサ100は、たとえば上述したディーゼルエンジンのDPFの前後の差圧を測定するものとして適用できる。 Although not limited, specifically, such a relative pressure detection type pressure sensor 100 can be applied to measure the differential pressure before and after the DPF of the diesel engine described above, for example.
この差圧センサとして適用した場合、本圧力センサ100においては、たとえば、排気管内のDPF上流側の排気ガス圧が、センサチップ10の表面11側へ導入され、DPF下流側の排気ガス圧が、センサチップ10の裏面12側にてゲル部材30を介してダイアフラム14へ導入される。
When applied as this differential pressure sensor, in the present pressure sensor 100, for example, the exhaust gas pressure upstream of the DPF in the exhaust pipe is introduced to the
このとき、センサチップ10のダイアフラム14の表面と裏面とで各圧力が受圧され、ダイアフラム14の歪みに基づいて、これら両面の差圧が検出され、ピエゾ抵抗効果に基づくセンサチップ10からの信号が、上記ボンディングワイヤ等から上記端子を経て、外部に出力されるようになっている。
At this time, each pressure is received by the front surface and the back surface of the
この圧力センサ100におけるより具体的な検出動作について、図4を参照して述べることにする。 A more specific detection operation in the pressure sensor 100 will be described with reference to FIG.
図4は、ピエゾ抵抗15により構成される上記ブリッジ回路の結線図を示すものである。4個のピエゾ抵抗15(15a、15b、15c、15d)によりホイートストンブリッジが構成されている。
FIG. 4 shows a connection diagram of the bridge circuit constituted by the
上記圧力の印加によりダイアフラム14が歪み変形するが、このとき、図4に示されるホイートストンブリッジの入力端子IaとIbとの間に直流定電圧Vを与えた状態では、このダイアフラム14の変形がピエゾ抵抗15a〜15dの抵抗値変化として現れ、出力端子PaとPbとの間から被検出圧力に応じたレベルの電圧(センサ信号)Voutが出力される。
When the pressure is applied, the
そして、このセンサ信号Voutが、ピエゾ抵抗効果に基づくセンサチップ10からの信号として外部に出力される。このようにして、圧力センサ100において圧力検出がなされる。
The sensor signal Vout is output to the outside as a signal from the
[効果等]
ところで、本実施形態の圧力センサ100は、裏面12に凹部13が形成され凹部13に対応した表面11側の薄肉部がダイアフラム14として構成されるとともに、表面11にピエゾ抵抗15を有するセンサチップ10と、センサチップ10の裏面12に接合され凹部13からダイアフラム14へ通じる貫通穴21を有するガラス台座20と、貫通穴21および凹部13に充填されてセンサチップ10を保護するゲル部材30とを備え、貫通穴21からゲル部材30を介してダイアフラム14に圧力が導入され、センサチップ10からはピエゾ抵抗効果によって印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっていることを基本構成としている。
[Effects]
By the way, the pressure sensor 100 of the present embodiment includes a
そして、本実施形態の圧力センサ100は、上記基本構成において、さらに、次のような独自の構成を採用したことを特徴とするものである。 And the pressure sensor 100 of this embodiment is characterized by further adopting the following unique configuration in the above basic configuration.
すなわち、本圧力センサ100においては、貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径は、センサチップ10における凹部13の開口径よりも小さいものであり、貫通穴21は、センサチップ10とは反対側の開口部21bからセンサチップ10側の開口部21aへ行くにつれてテーパ状に径が拡がった穴として構成されていることを特徴としている。
That is, in this pressure sensor 100, the diameter of the opening 21 a on the
本実施形態の圧力センサ100においては、貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径を、センサチップ10における凹部13の径よりも小さいものとしているため、上記図5に示される従来の圧力センサと同様に、センサチップ10の凹部13の内側に張り出したガラス台座20の肩部22が存在する。
In the pressure sensor 100 of the present embodiment, since the diameter of the
そのため、センサチップ10とガラス台座20との接着代を十分に確保できるとともに、そもそも、上記図6に示されるガラス台座の肩部を持たない圧力センサのように、ダイアフラム14の面積が小さくなることによる感度の低下という問題は発生せず、回避することができる。
Therefore, it is possible to sufficiently secure the bonding allowance between the
そして、本実施形態の圧力センサ100においては、ガラス台座20の肩部22を持つことによるゲル部材30の注入性の問題については、貫通穴21の構成により対応を図っている。
In the pressure sensor 100 according to the present embodiment, the problem of injectability of the
すなわち、本実施形態の貫通穴21は、従来のような全体の穴径が均一なストレートな穴ではなく、センサチップ10とは反対側からセンサチップ10側へ向かうにつれて拡径したテーパ形状の穴となっている。
That is, the through
そのため、ガラス台座20の肩部22の張り出しを小さくするために、貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径を大きくしても、貫通穴21におけるセンサチップ10とは反対側の開口部21bは、さほど大きくしなくてもよくなる。
Therefore, even if the diameter of the opening 21 a on the
言い換えれば、本実施形態では、貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径を大きくして、ガラス台座20の肩部22の張り出しを小さくした場合であっても、従来のようなストレートな貫通穴の構成に比べて、ガラス台座20の強度を大きいものにできる。
In other words, in this embodiment, even when the diameter of the
つまり、本実施形態の圧力センサ100によれば、ガラス台座20の肩部22の張り出しを適切に小さくすることができるため、肩部22に覆われた凹部13の空間にゲル部材30が入りやすくなり、課題の欄にて述べたようなゲル部材30における気泡や充填不足の発生を極力抑制することができるようになる。
That is, according to the pressure sensor 100 of the present embodiment, since the overhang of the
また、ガラス台座20の貫通穴21は、センサチップ10のダイアフラム14側において大きく膨らんだ形となるため、ダイアフラム14およびピエゾ抵抗15の近傍で熱などによりゲル部材30が膨張した場合でも、その膨張を和らげる効果があり、センサ特性上、好ましい。
Further, since the through
以上のように、本実施形態によれば、半導体ダイアフラム式のセンサチップ10に対して貫通穴21を有するガラス台座20が接合され、当該貫通穴21がゲル部材30により封止されてなる圧力センサにおいて、ゲル部材30の注入性を適切に向上させることができる。
As described above, according to this embodiment, the pressure sensor in which the
ここで、本実施形態の圧力センサ100においては、上記図1に示したように、ピエゾ抵抗15は、ガラス台座20の貫通穴21におけるセンサチップ10側の開口部21aの径の内側に位置していることが好ましい。
Here, in the pressure sensor 100 of this embodiment, as shown in FIG. 1, the
それによれば、ピエゾ抵抗15は、センサチップ10の凹部13においてガラス台座20の肩部22よりも、さらに内側に位置することになるため、肩部22に覆われた凹部13の空間に充填されたゲル部材30が熱などにより膨張したときの応力を、ピエゾ抵抗15が受けにくくなり、好ましい。
According to this, since the
(他の実施形態)
なお、上述したように、ガラス台座20の貫通穴21は切削などにより形成されるが、通常は、貫通穴21の内面の仕上げとしてフッ酸処理を行い、貫通穴21の内面を平滑化する。
(Other embodiments)
As described above, the through
ここにおいて、このフッ酸処理を行わないようにしたり、あるいは、貫通穴21の内面に研磨を施したりすることで、貫通穴21の内面を荒らすことにより、ゲル部材30の流出を極力防止するようにしてもよい。
Here, the hydrofluoric acid treatment is not performed, or the inner surface of the through
また、上記実施形態では、圧力センサ100を端子を有する基材に取り付けることにより、測定動作に供されるものとしたが、これに限定されるものではないことはもちろんである。 In the above embodiment, the pressure sensor 100 is attached to a base material having a terminal to be used for the measurement operation. However, the present invention is not limited to this.
また、上記実施形態では、差圧検出タイプすなわち相対圧検出タイプの圧力センサであったが、センサチップにおけるダイアフラムの表面側が真空などの基準圧となっており、ダイアフラムの裏面側にゲル部材を介して被測定圧力を受ける絶対圧型の圧力センサに対しても、本発明は適用することが可能である。 In the above embodiment, the pressure sensor is a differential pressure detection type, that is, a relative pressure detection type pressure sensor. However, the surface side of the diaphragm in the sensor chip is a reference pressure such as a vacuum, and a gel member is interposed on the back side of the diaphragm. The present invention can also be applied to an absolute pressure sensor that receives a pressure to be measured.
また、本発明の圧力センサは、上述した排気圧力を検出するセンサに、その用途を限定されるものではないことは上述した通りである。 Further, as described above, the use of the pressure sensor of the present invention is not limited to the above-described sensor for detecting the exhaust pressure.
要するに、本発明は、裏面側の凹部の形成に伴い表面側にダイアフラムが形成された半導体ダイアフラム式のセンサチップに対して、貫通穴を有するガラス台座をセンサチップの裏面側に接合し、当該貫通穴をゲル部材により封止してなる圧力センサにおいて、貫通穴におけるセンサチップ側の開口部の径を、センサチップにおける凹部の開口径よりも小さいものとして上記肩部のあるものとし、貫通穴を、センサチップとは反対側の開口部からセンサチップ側の開口部へ行くにつれて拡径したテーパ状の穴としたことを要部とするものであり、その他の部分については、適宜設計変更が可能である。 In short, the present invention joins a glass pedestal having a through hole to the back surface side of the sensor chip, with respect to the semiconductor diaphragm type sensor chip in which the diaphragm is formed on the front surface side with the formation of the concave portion on the back surface side. In a pressure sensor in which a hole is sealed with a gel member, the diameter of the opening on the sensor chip side in the through hole is smaller than the opening diameter of the recess in the sensor chip, and the shoulder is provided. The main part is a tapered hole whose diameter increases from the opening on the opposite side of the sensor chip to the opening on the sensor chip side, and the design of other parts can be changed as appropriate. It is.
10…センサチップ、11…センサチップの表面、12…センサチップの裏面、
13…センサチップの凹部、14…ダイアフラム、15…ピエゾ抵抗、
20…ガラス台座、21…ガラス台座の貫通穴、
21a…貫通穴のセンサチップ側の開口部、
21b…貫通穴のセンサチップとは反対側の開口部、30…ゲル部材。
10 ... sensor chip, 11 ... front surface of the sensor chip, 12 ... back surface of the sensor chip,
13 ... recess of sensor chip, 14 ... diaphragm, 15 ... piezoresistor,
20 ... Glass pedestal, 21 ... Through hole in the glass pedestal,
21a: opening on the sensor chip side of the through hole,
21b: Opening of the through hole opposite to the sensor chip, 30: Gel member.
Claims (2)
前記センサチップ(10)の裏面(12)に接合され前記凹部(13)から前記ダイアフラム(14)へ通じる貫通穴(21)を有するガラス台座(20)と、
前記貫通穴(21)および前記凹部(13)に充填されて前記センサチップ(10)を保護するゲル部材(30)とを備え、
前記貫通穴(21)から前記ゲル部材(30)を介して前記ダイアフラム(14)に圧力が導入され、前記センサチップ(10)からはピエゾ抵抗効果によって印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている圧力センサにおいて、
前記貫通穴(21)における前記センサチップ(10)側の開口部(21a)の径は、前記センサチップ(10)における前記凹部(13)の径よりも小さいものであり、
前記貫通穴(21)は、前記センサチップ(10)とは反対側の開口部(21b)から前記センサチップ(10)側の開口部(21a)へ行くにつれてテーパ状に径が拡がった穴として構成されていることを特徴とする圧力センサ。 A recess (13) is formed on the back surface (12), and a thin portion on the front surface (11) side corresponding to the recess (13) is configured as a diaphragm (14), and a piezoresistive (15) A sensor chip (10) having:
A glass pedestal (20) having a through hole (21) joined to the back surface (12) of the sensor chip (10) from the recess (13) to the diaphragm (14);
A gel member (30) that fills the through hole (21) and the recess (13) to protect the sensor chip (10);
Pressure is introduced from the through hole (21) to the diaphragm (14) through the gel member (30), and a signal corresponding to the pressure applied by the piezoresistance effect is output from the sensor chip (10). In the pressure sensor
The diameter of the opening (21a) on the sensor chip (10) side in the through hole (21) is smaller than the diameter of the recess (13) in the sensor chip (10),
The through hole (21) is a hole whose diameter increases in a taper shape from the opening (21b) on the side opposite to the sensor chip (10) to the opening (21a) on the sensor chip (10) side. A pressure sensor characterized by being configured.
The pressure sensor according to claim 1, wherein the piezoresistor (15) is positioned inside a diameter of the opening (21a) on the sensor chip (10) side in the through hole (21). .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005035794A JP2006220592A (en) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | Pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005035794A JP2006220592A (en) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | Pressure sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006220592A true JP2006220592A (en) | 2006-08-24 |
Family
ID=36983010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005035794A Withdrawn JP2006220592A (en) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | Pressure sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006220592A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010002407A (en) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Korea Research Inst Of Standards & Science | Tactile sensor having membrane structure and method for manufacturing the same |
JP2012211892A (en) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Denso Corp | Pressure sensor |
-
2005
- 2005-02-14 JP JP2005035794A patent/JP2006220592A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010002407A (en) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Korea Research Inst Of Standards & Science | Tactile sensor having membrane structure and method for manufacturing the same |
JP2012211892A (en) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Denso Corp | Pressure sensor |
US8733175B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-05-27 | Denso Corporation | Pressure sensor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4556784B2 (en) | Pressure sensor | |
JP5418618B2 (en) | Pressure sensor | |
JP2008197001A (en) | Pressure sensor | |
US9054222B2 (en) | Pressure resistently encapsulated, pressure difference sensor | |
CN105765360B (en) | Pressure sensor | |
US7320250B2 (en) | Pressure sensing element and sensor incorporating the same | |
JP2004279371A (en) | Temperature sensor integrated pressure sensor device and its temperature sensor fixing method | |
JP2006220456A (en) | Pressure sensor and its manufacturing method | |
JP5292687B2 (en) | Pressure sensor | |
JP6587972B2 (en) | Pressure measuring device and method of manufacturing the device | |
JP2006343276A (en) | Pressure sensor | |
JP2006220592A (en) | Pressure sensor | |
US20110073969A1 (en) | Sensor system and method for manufacturing same | |
JP2009047670A (en) | Pressure sensor | |
US10527513B2 (en) | Pressure sensor with resin portion and membrane having reduced temperature change distortion | |
US20040177699A1 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
CN111148979B (en) | Pressure sensor assembly, measuring device and method for the production thereof | |
US8365605B2 (en) | Jointless pressure sensor port | |
JP4507890B2 (en) | Manufacturing method of pressure sensor | |
JPH0943084A (en) | Sensor device and method for fixing sensor chip | |
JP2006058223A (en) | Pressure sensor and its design method | |
US9618414B2 (en) | Device for determining a pressure and method for manufacturing the same | |
JP2006194680A (en) | Pressure sensor | |
JP2008216114A (en) | Pressure sensor | |
JP2006200925A (en) | Pressure sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20061215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070713 |