JP2006216578A - 圧電発電素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 走査型電子顕微鏡観察により平均粒径0.01μm以上、0.1μm以下の範囲のセラミックスで形成されている圧電セラミックス層に対電極を配置し、分極処理した圧電セラミックス素子に、分極方向と異なる外力を与え電荷を発生することを特徴とする圧電発電素子。
【選択図】 図3
Description
(1)携帯端末の普及による自立分散電源への要求
(2)特にバッテリーライフの長寿命化
(3)セキュリティー(深夜の歩行時の歩行認識点灯用電源や自転車識別表示)
これら用途に用いられる圧電素子は、
(1)圧電ポリマー(ポリフッ化ビニリデン)
(2)圧電セラミックス(PZT:ジルコン酸チタン酸鉛系)
である。ちなみに板状の2枚の圧電セラミックス素子を分極を逆向きにして接合した層状の圧電セラミックス板で形成されたインソールの提案がある(特許文献1参照)。
その特徴は
(1)簡便構造、
(2)片方の応力のみ機械―電気変換されることにより効率良く電気信号として取り出すことが可能、
(3)圧電ポリマーと比較し、長期保存性に優れている、
点である。従って、セラミックスを用いるほうが好ましい。
また、渦巻き型圧電セラミックス素子はアクチュエータ(電気入力を力に変換)として、特許文献3に記載されている。
また、圧電発電において、特許文献4、5では、複数の短冊を平板に配置させた素子が記載されている。
また、特許文献6では2枚のセラミックスを積層した構造が示されている。
この構造は、図2に示すように、圧電セラミックスに上部、下部の対向電極を形成し、分極処理を行ない圧電素子としている。
その発電機構は図示した分極方向に対し、ほぼ同じ方向の外力が加えられ、(矢印が向き合っている場合もある、大事なのは分極軸と直行する方位からは外力が与えられない。)この外力に対し、圧電セラミックス素子が応力を受け、圧電G定数に比例した電圧を発生させる。
しかし、構造的工夫は素子が煩雑になり、使用形態に制限を与える。
また、圧電発電とは異なるが、渦巻き型アクチュエータはPZTスラリーを成形し、焼成することで作製できたが、小型化が困難であり、また電極作製も難しく、優れたアクチュエータ特性を示すものの、実用に供さなかった。
また、一般論として、圧電素子の分極方向と異なる方向に応力を印加するという概念は従来知られている(例えば引用文献7、8、9)が、これは、圧電セラミックス層が走査型電子顕微鏡観察により平均粒径0.01μm以上、0.1μm以下の範囲という小粒組織の集合体からなるセラミックスで形成されている圧電素子に関するものではなく、また、その耐機械的強度向上、破壊防止という観点からのものでもない。
また、本発明は、外部応力変換機構を付与し、圧電素子の単位面積あたりの発電効率を向上させること、及び、集積化により線状、面状に集積化させ、利用範囲を広めることを目的とする。
すなわち、上記課題は、本発明の(1)「走査型電子顕微鏡観察により平均粒径0.01μm以上、0.1μm以下の範囲のセラミックスで形成されている圧電セラミックス層に対電極を配置し、分極処理した圧電セラミックス素子に、分極方向と異なる外力を与え電荷を発生することを特徴とする圧電発電素子」により達成される。
本発明による相対密度95%以上、かつ粒径0.01μm以上、0.1μm以下の組織は従来の熱固相反応では生成せず、それとは異なるガスジェットデポジション法(粒子吹き付け法)にて作製するものである。これによれば破壊強度を飛躍的に向上させた圧電セラミックス膜を金属製シム材上に形成することができ、インソールに用いるなど、自立電源素子として提供することができるほか、いろいろな用途に応じることが可能な圧電発電素子を提供することができる。
ここで、相対密度とは理論密度に対する相対値である。理論密度については、岡崎清著「セラミックス誘電体工学 第4版」P.24に詳しい。まず、XRDから格子体積を求める。次に化学式より格子の質量を求め、質量割る体積で密度が算出される。
ライン型集積例を図4及び5に示す。
これを複数配置することで平面型ができる(図6参照)。
図3に示す外力が圧電セラミックスに作用したとき、分極方向とは異なる剪断歪みを生じる。この時、圧電体は最も圧電定数の高いg15(圧電定数のテンソル表記)にて、電荷発生するので、従来より大きな電荷を発生する。従来はg31、で約4倍ほど高い。
短冊の長辺長が渦巻きの周長に対応するので、より高集積化が成されている。すなわち、従来の短冊を非常に長くし、かつ効率の高い歪方向に変換する機能を本素子は備えている。
渦巻きの変形を見積もった場合、第1周と空間を持って第2周が存在する。変形はこの空間の閉塞により終了するため、空間の割合を設計することで、強度設計が可能になり、また外力による素子破壊を防ぐことが可能になる。
渦巻き中心に開口部を設け、支持棒を通すことにより、複数の圧電素子を固定する。圧電素子には電荷取り出し用の対電極があるので、電気的接続に、この支持棒を用いることが、集積化の簡便さの点から望ましい。
導電性の支持棒に第1の圧電素子を挿入し、対電極1のみ接続する。対電極2には接触しないように何らかの絶縁を施す必要があり、中心貫通穴と僅かなギャップをもって対電極2が形成されていれば簡便である。
素子間は樹脂などの絶縁体が配置されている。
また、対電極2どうしを、外部リードで接続することで、ライン集積化圧電発電素子ができる。
円筒形筺体に積層素子(セラミックス/シム材)長さ20mm、幅5mmを巻きつけ、セラミックス破壊に至る円筒直径を比較する。すなわち、従来のジルコン酸チタン酸鉛セラミックスでの場合、板厚100μm、シム材(42アロイ)100μmで、破壊直径:150mmである。本発明ではこの破壊直径の1/5以下を判定○とした。
上記圧電セラミックス層の膜断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。SEM粒径観察は観察倍率が5万倍以上、252ピクセル/インチの解像度で画像保存、画像処理ソフト(フォトショップ)にてコントラスト、ブライトネスを調整後、画像拡張し測長した。なお、希塩酸を用い、温度60℃、浸漬時間120秒以下で前処理した。SEMによる写真撮影と写真インターセプト法より50個以上のサンプリングを行い、相加平均より算出した。
上記圧電セラミックス層の膜堆積後、研摩により膜厚を均一化し、ダイシングソーにて基板と一体切りだしを行い、アルキメデス法にて密度を算出し、基板密度を差し引き(補正し)膜密度を求める。
シム材としてステンレスシート(厚さ100μm)、セラミック組成として堺化学社製PZTを用い、図2に示すガスジェットデポジション装置により、次の条件でPZTセラミックス膜を形成し、次いで熱処理および分極処理を行った。
キャリアガス:He、粒子速度:70m/sec、PZT膜厚:10μm、熱処理:600℃、1時間、
分極条件:直流電界:60kV/cm、温度:200℃、時間:30分。
得られたPZTセラミックス膜について、上述の測定法により平均粒径、膜密度、破壊直径を測定し評価した。結果を表1に示す。
粒子速度を85m/secとする以外、実施例1と同様にしてPZTセラミックス膜を形成し、熱処理および分極処理を行った。得られたPZTセラミックス膜について実施例1と同様、平均粒径、膜密度、破壊直径を測定し評価した。結果を表1に示す。
粒子速度を20m/secとする以外、実施例1と同様にしてPZTセラミックス膜を形成し、熱処理および分極処理を行った。得られたPZTセラミックス膜について実施例1と同様、平均粒径、膜密度、破壊直径を測定し評価した。結果を表1に示す。
セラミックス組成を(Ba,Sr)(Ti,Zr)O3、粒子速度を50m/sec、分極条件を直流電界:60kV/cm電界空冷、温度:150℃とする以外、実施例1と同様にしてセラミックス膜を形成し、熱処理および分極処理を行った。得られたセラミックス膜について実施例1と同様、平均粒径、膜密度、破壊直径を測定し評価した。結果を表1に示す。
セラミックス組成を(K,Na)NbO3−BaTiO3、分極条件の温度を250℃とする以外、実施例3と同様にしてセラミックス膜を形成し、熱処理および分極処理を行った。得られたセラミックス膜について実施例1と同様、平均粒径、膜密度、破壊直径を測定し評価した。結果を表1に示す。
セラミックス組成をPNN−PZ−PT、粒子速度を60m/sec、セラミックス膜厚を0.5μm、分極条件を直流電界:40kV/cm電界空冷、温度:70℃とする以外、実施例1と同様にしてセラミックス膜を形成し、熱処理および分極処理を行った。得られたセラミックス膜について実施例1と同様、平均粒径、膜密度、破壊直径を測定し評価した。結果を表1に示す。
[実施例6]
(PZT成膜)
渦巻き加工した厚さ50μmのステレスシートを支持基板(兼、対電極1として使用)として、PZTの成膜を行なう。
渦巻き形状は、幅100μm、スペース100μm、周回数:2周
最大外周径:300μm(図3参照)実施例1−2の条件で厚さ100μm堆積する。
(対電極2の形成)
樹脂に包埋後、ステンレスシートとは反対面を研磨し、PZT堆積膜表面を露出すると同時に、PZT膜厚を50μmになるように研磨調整する。
スクリーン印刷でAg/Pd電極を印刷した後、乾燥させ、包埋樹脂除去後、600℃、10分の熱処理によりPZT特性の向上処理と焼付け電極の形成を実行する。
分極処理を行ない、圧電発電素子が作製できる。
(対電極2の部分トリミング)
実施例6で示す工程で得た素子の対電極2の中心穴に対し、電気的接触を生じないように、周知の方法でトリミング処理を行なう。
(素子の集積化支持)
ステンレス線(線径50μm)を中心穴を利用して、素子、絶縁シート、対電極2と電極リードする金属箔、絶縁シートを繰り返しの1単位として所望する集積数を実装する。挿入した金属箔間を接続し、ステンレス線、金属箔からなる2端子の取り出しが可能になる。
これを円筒に樹脂で包埋することで、完了する。
20 ガス搬送管
30 エアロゾル形成槽
40 エアロゾル搬送管
50 真空槽
51 X−Y−Zθステージ
52 基板ホルダ
53 マスクパターン
54 ノズル
60 真空排気装置
Claims (11)
- 走査型電子顕微鏡観察により平均粒径0.01μm以上、0.1μm以下の範囲のセラミックスで形成されている圧電セラミックス層に対電極を配置し、分極処理した圧電セラミックス素子に、分極方向と異なる外力を与え電荷を発生することを特徴とする圧電発電素子。
- 前記圧電セラミックス層を形成するセラミックスの相対密度が95%以上であることを特徴とする請求項1に記載の圧電発電素子。
- 前記圧電素子が短冊を丸めた、いわゆる渦巻型の形状を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の圧電発電素子。
- 前記セラミックスの組成がジルコン酸チタン酸鉛系組成からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の圧電発電素子。
- 前記セラミックスがチタン酸バリウムを主成分とする組成からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の圧電発電素子。
- 前記セラミックスがニオブ酸カリウム系組成からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の圧電発電素子。
- 前記圧電セラミックス層の膜厚が0.5μm以上、30μm以下の範囲であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の圧電発電素子。
- 圧電セラミックス粒子に運動エネルギーを与え、基板に衝突させて成膜してなるセラミックス層を渦巻状導電性支持基板上に形成し、上部電極を形成してなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の圧電発電素子。
- 請求項8に記載の圧電発電素子を電気的に並列接続し、1次元的に集約したことを特徴とするライン型圧電発電素子。
- 請求項8に記載のライン型圧電発電素子を平面状に集約したことを特徴とする平面型集積化圧電発電素子。
- 圧電セラミックス層に対電極が配置された圧電発電素子の製造方法であって、該圧電発電素子は、請求項1乃至10のいずれかに記載の圧電発電素子であり、ジルコン酸チタン酸鉛系組成、チタン酸バリウムを主成分とする組成、又はニオブ酸カリウム系組成からなるセラミックスを用い、該セラミックスの粒子に運動エネルギーを与え、基板に衝突させて成膜して、圧電セラミックス層を形成する工程を有することを特徴とする圧電発電素子の製造方法。
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