JP2006209891A - 光ピックアップ用光学素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 この発明は、樹脂の成形による複屈折構造を利用し、高性能で安価な光ピックアップ用光学素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この発明は、サブミクロンピッチの回折格子からなる構造複屈折で構成された光ピックアップ用の1/4位相差板4において、基板40表面に2重周期構造のサブミクロンピッチの格子パターン41が一体的に配置され、この格子パターン41の表面に高屈折率の薄膜42が設けられ、基板40に設けられた格子パターン41とその上の薄膜42とで構造複屈折を構成する。
【選択図】 図2
【解決手段】 この発明は、サブミクロンピッチの回折格子からなる構造複屈折で構成された光ピックアップ用の1/4位相差板4において、基板40表面に2重周期構造のサブミクロンピッチの格子パターン41が一体的に配置され、この格子パターン41の表面に高屈折率の薄膜42が設けられ、基板40に設けられた格子パターン41とその上の薄膜42とで構造複屈折を構成する。
【選択図】 図2
Description
この発明は、光ディスク装置のピックアップ部に用いられる位相差制御素子等の光学素子に関するものである。
高密度、大容量の記録媒体として、ピット状パターンを有する光ディスクを用いた光メモリ技術は、ディジタルオーディオディスク、デジタルバーサタイルディスクなど種々の用途に用いられている。かかる光ディスクの記録/再生を行う光ディスク装置に用いられている光ピックアップ装置は、記録再生原理によって、追記型デイスクと相変化型デイスクに用いられる相変化記録再生型、再生専用型デイスクに用いられる再生専用型に分類されている。
光ピックアップ装置の光学系は、微小スポットを光デイスク面に照射し情報信号の記録再生を行うための記録再生光学系、微小スポットを光デイスク面の情報トラックに正確に結像させるためのフォーカシング光学系とトラッキング光学系に分けられる。この記録再生光学系において、光デイスクに入射するレーザ光と反射してくるレーザ光を分離させるために光分離デバイスが用いられている。具体的には半導体レーザ等の光源に光デイスクからの反射光を戻さずに光検出器(フォトダイオード)に完全に導くために、このデバイスが利用されている。半導体レーザに光デイスクからの反射光による戻り光があると、デイスクの反射面と半導体レーザとの間で共振が発生し、半導体レーザの発光量が変動したり、信号ノイズが発生したりすることが知られている。
この光分離デバイスとしては、いろいろな方法が提案されているが、偏光ビームスプリッタまたは偏光異方性ホログラムと光の偏光方向を変換するための位相差板、特に、直線偏光を円偏光に変換するための1/4波長板で構成されたものがある。
上記1/4波長板は位相差板の一種であるが、従来、この位相差板としては、水晶等の複屈折材料を精密に切り出して作製したり、樹脂を圧延して光学異方性を付与した材料等が使われていた。これに対して、サブミクロンピッチの回折格子を使って位相差板を構成するものも知られている(例えば、特許文献1参照)。この位相差板は、対象となる光の波長(λ)に対して1/2以下の非常に微細な凹凸の繰り返しによる周期構造(サブミクロンピッチ)の回折格子からなる構造複屈折で構成される。サブミクロンピッチの凹凸の繰り返しからなる回折格子においては、偏光方向が溝に平行な光の屈折率nTEと、偏光方向が溝に垂直な光の屈折率はnTMは、それぞれ次の(1)(2)式で示される。
上記式中において、n1は回折格子が形成された物質の屈折率、n2は当該回折格子の溝を埋める物質の屈折率である。また、tは回折格子部の凸部の幅w1と凹部(溝部)の幅w2とのデューティ比であり、次の(3)式で示される。
t=w1/(w1+w2) …(3)
回折格子部の位相差は格子の高さ(溝の深さ)にほぼ比例しており、次の(4)式で示される。
γ=2π・(nTE−nTM)・d/λ
上記式中において、γは位相差、dは格子の高さ(溝の深さ)、λは光の波長である。
上記のことから、回折格子を形成する材料(屈折率)及び回折格子の形状(デューティ比及び格子の高さ(溝の深さ))により、任意の位相差の波長板を作製することができる。
波長板を水晶等の複屈折材料を使って形成する場合には、量産コストが高いという問題がある。また、特許文献1に記載のようなサブミクロンピッチの回折格子を使った構造の場合には、位相差を大きくとろうとすると、格子の高さを高く(溝の深さを深く)する必要がある。サブミクロンピッチの回折格子の微細形状を樹脂成形法で転写して形成する場合、格子高さが高い(溝の深さが深い)場合、成形性が悪くなるという問題が発生する。
この発明は、上述した従来の問題点を解消するためになされたものにして、樹脂の成形による複屈折構造を利用し、高性能で安価な光ピックアップ用光学素子を提供することを目的とする。
この発明は、上述の問題を解決するため、サブミクロンピッチの回折格子からなる構造複屈折で構成された光ピックアップ用光学素子において、前記光学素子の基板表面に2重周期構造のサブミクロンピッチの格子が一体的に配置され、この格子の表面に高屈折率の薄膜が設けられ、基板に設けられた格子とその上の薄膜とで構造複屈折を構成することを特徴とする。
また、前記光学素子の2重周期構造の1周期構造断面は、格子の高さ方向に対して不均一でかつ1周期構造中心に対して左右対称構造にすることができる。
この発明の光学素子は、基板上に形成した格子上に、高屈折率の薄膜を形成して構造複屈折を構成するので、基板上に形成するサブミクロンピッチの格子高さを低くでき、基板の成形が容易にになり、安定した性能で、かつ安価な光学素子が得られる。
さらに、基板上に形成する格子は2重周期構造に形成しているので、2重周期構造の近接した凸部間の谷間に成膜材料が入り込み、さらに両凸部上に堆積した薄膜が互いに近づき、両者が接触して一体となり堆積され、高屈折率の薄膜が形成される。この結果、両凸部上に高屈折率膜をスリムに成膜することができる。
以下、この発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。図1は、この発明の一実施形態を1/4位相差板に用いた場合の光学記録/再生装置のピックアップ部における光学系を示す構成図である。
図1に示すように、このピックアップ部の構成は、直線偏光特性を有するレーザー光源1から出射された光をこの発明にかかる回折格子部2を形成した光学素子3と1/4波長板4を通し、レーザー光を回折格子部2で3ビームに分割すると共に、1/4波長板4で直線偏光を円偏光に変換する。この実施形態における1/4波長板4は、光透過性板の一方の面には反射防止構造が反対の面にはこの発明の特徴とする構造複屈折を示すサブミクロンピッチの凹凸微細構造で構成されている。
この分割された光は無偏光ビームスプリッタを構成するハーフミラー5によってその反射率に応じた光が対物レンズ6に与えられ、この対物レンズ6でスポット光にして光記録媒体7の記録面に照射される。そして、光記録媒体7で反射した反射光は対物レンズ6、ハーフミラー5を透過し、その透過した光をフォトディテクタ8で受け、フォトディテクタ8から光量に応じた信号が出力される。
フォトディテクタ8の出力信号は、トラッキング調整信号または読み出しデータとして使用される。
また、光記録媒体7で反射された反射光のうちハーフミラー5の反射率に応じて、1/4波長板4、光学素子3側へ戻り光が与えられ、光学素子3を経た光がレーザー光源1に帰還する。この戻り光は1/4波長板4により、出射レーザー光に対して偏光面が90°回転しているため、出射レーザー光とは干渉せず、ノイズの発生は起こらない。
1/4波長板のように、位相差を90度つけるような0次回析格子の場合には、材料の屈折率にもよるが1μm以上の高さの矩形格子を作製しなければならない。上述したように、格子の高さを高くすると成形性が悪くなる。そこで、この発明においては、図2に示すように、サブミクロンピッチの微細な凹凸からなる格子41を基板40に一体的に配置形成し、この格子41の表面に高屈折率の薄膜42を形成して、1/4波長板4を構成している。このように、基板40に高屈折率材料からなる薄膜42を成膜することで、必要な格子高さを低くするとともに、基板40上に設ける格子の高さも低くできる。
ている。
ている。
基板40上に形成される格子41は、図2に示すように、ピッチAとピッチBを持った2重周期構造からなり、構造複屈折を示す0次回折格子を構成している。この実施形態における格子41は、一対の凸部41a、41bで格子41としての1つの凸部を構成する。凸部41a、41a間はピッチAで構成され、凸部41aと41bとの間は、ピッチBに構成され、2重周期構造の格子構造となっている。すなわち、格子41としての1つの凸部は、凸部41aとこの凸部41aに対してピッチBだけ離れて設けられた凸部41bで構成される。格子41としての凹凸のピッチはピッチAとなる。
0次回析格子は、入射光に対して高次の回析光が発生しない回析格子である。使用する波長、基板の屈折率によりパターンピッチは適宜最適化されるが、この実施形態では、ピッチAは200〜400nm程度、ピッチBは50〜200nm程度である。
また、格子41を備えた基板40の作製方法は、樹脂の射出成形でもよいが、ガラス基板にUV樹脂を用いた2P(Photoreplication Process)成形法で図2に示した構造を作製することもできる。
格子41の表面に成膜される高屈折率の薄膜42は、例えば、TiO2、ZrO2、Ta2O5等の高屈折率材料を使用することができる。高屈折率の薄膜42は、後述するように、スパッタ法などにより、格子41を形成した基板40上に成膜される。スパッタ法などによる成膜の際、電界集中が発生するような基板の形状に基板40を形成する。
この実施形態のように、ピッチAとピッチBを持った2重周期構造からなる基板20においては、電界分布が複雑になり、凹凸を1つのピッチで形成した1周期構造の場合に比べて、凸部41a、41bの頂点部への電界集中が起きる。凸部41a、41bの頂点部に電界を集中させて成膜する粒子を飛ばすことで、頂点部を中心として堆積が進み、近接した凸部41a、41b間の谷間に成膜材料が入り込むとともに、両凸部41a、41b上に堆積した薄膜が互いに近づく。そして、両者が接触して一体となり堆積が進む。この結果、両凸部41a、41b上に高屈折率膜がスリムに成膜される。
電界集中をより効率よく機能させるためには、真空度を上げてより粒子が垂直方向に飛ぶようにすればよい。そのために、真空度を1×10-4〜1×10-5Paに高くする。また、バイアススパッタのように、バイアス電圧を印加することで、電界方向を垂直に立てることができ、より効果が期待できる。
図3は、基板40上に、2重周期構造の格子41を形成し、この格子41上に高屈折率の薄膜42を成膜した後の位相差を示すものである。この例では、基板上に設けた格子41における位相差が20度であり、高屈折率の薄膜42部での位相差が70度であり、トータル位相差は90度となっている。
上記実施形態では、2重周期構造を一対の凸部41a、41bで構成したが、波長板の基板に構成する格子パターンは上記に限らず、色々な構造にすることができる。図4ないし図6に、構造複屈折を示す0次回折格子となる2重周期構造の格子パターンを示す。図4に示す格子パターン41は、凸部をピッチA間隔の凸部41a1とその両側にピッチBでそれぞれ設けられた凸部41b1、凸部41b1とで構成されている。図5に示す格子パターン41は、格子41としての1つの凸部を構成する凸部41a2と41b2の内側のパターンがブレーズ形状で構成されている。この図5に示す格子パターン41は、2重周期構造の1周期構造断面、すなわち、格子41としての1つの凸部の高さ方向の断面は不均一で、かつ1周期構造中心に対して左右対称構造としている。さらに、図6に示す格子パターン41は、図5に示す格子パターン41に凸部41a3と41b3間に平坦部が設けられている。
上記したように、2重周期構造では2重周期構造の谷間に成膜材料が入り込むため高屈折率膜がスリムに成膜できる。
図7は、図5に示す格子パターン41上に高屈折率の薄膜42を成膜して波長板を構成したものである。図5に示す格子パターン41は谷間をV字形状にしたことで、より谷間に成膜材料が入り込むことでよりきれいに成膜できることが期待できる。
次に、格子パターン41上に高屈折率の薄膜42を成膜する方法につき説明する。高屈折率の薄膜は蒸着法やRFスパッタ法により行うことができるが、図8に示すように格子パターン41に向かって、粒子が垂直に飛ぶように成膜する方が格子パターン41上にきれいに成膜することができる。図において、矢印は粒子の飛ぶ方向を示す。このため、この実施形態では、RFスパッタ法にバイアス電圧を印加した電界方向を垂直に立てたバイアススパッタにより成膜している。そして、真空度も高くし、真空度を1×10-4〜1×10-5Paに設定してスパッタを行う。
図9は、この発明に用いられるRFバイアススパッタ装置の概略を示す模式図である。このスパッタ装置は、真空チャンバ(図示しない)内に基板ホルダ102とこの基板ホルダ102に対向してターゲット100が配置される。このターゲット100の組成は成膜する高屈折材料の膜組成と同じ組成のものが用いられる。ターゲット100は、TiO2、ZrO2、Ta2O5等の高屈折率材料で形成すればよい。基板ホルダ102及びターゲット100は、RF高周波電源103、104が接続されている。そして、基板ホルダー102に格子パターン41を形成した基板40が取り付けられ、基板40とターゲット100間にDCバイアス105が印加される。なお、この図9に示した装置においては、RF高周波電源をそれぞれ独立して設けているが、1つの電源で共有することもできる。
そして、真空チャンバー内の真空度を1×10-4〜1×10-5Paになるように、真空ポンプ(図示しない)で真空引きし、所定の真空度に達すると、RF高周波電源103、104に所望のスパッタレートに応じた電力を投入し、成膜を開始する。
上述したように、電界集中が発生するような基板40の形状にした2重周期構造は、電界分布が複雑になり、1周期構造に比べより頂点部への電界集中が起きる。そして、電界集中の谷間にエアポケットが発生し重力により格子の間に材料が落ち込むことでより横への広がりを抑えることができる。電界集中をより効率よく機能させるためには、この装置では、真空度を上げてより粒子が垂直方向に飛ぶように、真空度を1×10-4〜1×10-5Paに高くしている。また、DCバイアス105により、バイアス電圧を印加し、さらに電界方向を垂直に立てて、薄膜形成をスリムよく形成している。
この発明により、平板の光学素子を成形性を上げて作製できるため、安価で高性能な光学素子を提供できる。
4 1/4位相差板
40 基板
41 格子パターン
42 高屈折率の薄膜
40 基板
41 格子パターン
42 高屈折率の薄膜
Claims (2)
- サブミクロンピッチの回折格子からなる構造複屈折で構成された光ピックアップ用光学素子において、前記光学素子の基板表面に2重周期構造のサブミクロンピッチの格子が一体的に配置され、この格子の表面に高屈折率の薄膜が設けられ、前記基板に設けられた格子とその上の薄膜とで構造複屈折を構成することを特徴とする光ピックアップ用光学素子。
- 前記光学素子の2重周期構造の1周期構造断面は格子の高さ方向に対して不均一でかつ1周期構造中心に対して左右対称構造であることを特徴とする請求項1に記載の光ピックアップ用光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005022153A JP2006209891A (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 光ピックアップ用光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005022153A JP2006209891A (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 光ピックアップ用光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006209891A true JP2006209891A (ja) | 2006-08-10 |
Family
ID=36966552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005022153A Pending JP2006209891A (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 光ピックアップ用光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006209891A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010160503A (ja) * | 2010-02-24 | 2010-07-22 | Seiko Epson Corp | 液晶装置 |
JP2012063482A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Canon Inc | 位相差板及び投射型画像表示装置 |
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-
2005
- 2005-01-28 JP JP2005022153A patent/JP2006209891A/ja active Pending
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