JP2006207032A - キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、キャリア箔、剥離層、極薄銅箔からなるキャリア付き極薄銅箔において、剥離層と極薄銅箔との間の剥離層側表面にPを含む銅からなるストライクめっき層を設け、その上に必要により銅の極薄層を設け、さらにCuまたは銅合金、或いはPを含有するCuまたはP含有Cu合金からなる極薄銅箔を設けてなるキャリア付き極薄銅箔、並びにその製造方法である。
【選択図】なし
Description
まず、ガラス・エポキシ樹脂やガラス・ポリイミド樹脂などから成る電気絶縁性の基板の表面に、表面回路形成用の薄い銅箔を置いたのち、加熱・加圧して銅張積層板を製造する。
ビルドアップ配線基板とは、多層配線板の一種で、絶縁基板上に1層ずつ絶縁層、導体パターンの順に形成し、レーザー法やフォト法により開口した穴(ビア)にめっきを施し、層間を導通させながら配線層を積み上げた配線板をいう。
この合成箔を、例えばFR−4グレードのような耐熱性ガラス・エポキシ樹脂積層板に適用した場合、熱圧着温度が170℃前後であることから、銅箔とキャリア箔とを剥がすことは可能であるが、剥離強度がキャリア銅箔の表面粗さに依存し、剥離強度に安定性がない。さらに、高耐熱性樹脂、とりわけポリイミド樹脂を基材とする場合は、加工温度がキャスティング法または熱圧着法のいずれの場合も300℃以上の高温下となるため、温度による銅の拡散は激しく、キャリア銅箔の表面粗さは更に剥離強度に影響し、キャリア箔と極薄銅箔との剥離強度の安定性はなくなり、剥離強度のバラツキも大きくなる。また、極薄銅箔を剥離層上へ均一にめっきを施すことが難しいことから極薄銅箔に存在するピンホールの数も多くなり(例えば特許文献2の比較例5〜6参照)問題であった。
また、前記キャリア付き極薄銅箔において好ましくは、極薄銅箔側のキャリア箔表面の表面粗さRzが0.1μm〜5μmであり、該キャリア箔表面に設けた剥離層の上に設ける極薄銅箔のキャリア箔側の表面粗さRzが0.1μm〜5μmであり、該極薄銅箔のキャリア箔側表面凹凸の凸部より極薄銅箔側に、極薄銅箔の表面粗さRzに0.1μm〜0.2μmを加えた位置において、少なくとも剥離層表面の90%以上の面積を覆うような銅または銅合金層が形成されており、かつ、300℃以上の熱圧着処理後のキャリア箔と極薄銅箔との剥離強度が0.01KN/m〜0.05KN/mである。
本発明に使用されるキャリア箔は、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、ステンレス箔、鉄合金箔、チタン箔、チタン合金箔、銅箔、銅合金箔等が使用可能であるが、コストの点から、電解銅箔、電解銅合金箔、圧延銅箔または圧延銅合金箔などが好ましく、また、その厚みは7μm〜200μmの厚さの箔を使用することが好ましい。キャリア箔として薄い銅箔を採用すると機械的強度が低くプリント配線基板の製造時に皺や折れ目が発生しやすく、銅箔切れを起こす危険性があるため、7μm以下のものではキャリア箔としての役割を果たすことが難しくなる。またキャリア箔の厚さが200μm以上になると製品に対しての単位コイル当たりの重量(コイル単重)が増すことで生産性に大きく影響するとともに設備上もより大きな張力を要求され、設備が大がかりとなって好ましくない。
クロムの二元合金としては、ニッケル−クロム、コバルト−クロム、クロム−タングステン、クロム−銅、クロム−鉄等があげられ、三元系合金としては、ニッケル−コバルト−クロム、ニッケル−鉄−クロム、ニッケル−クロム−モリブデン、ニッケル−クロム−タングステン、ニッケル−クロム−銅、ニッケル−クロム−リン、コバルト−鉄−クロム、コバルト−クロム−モリブデン、コバルト−クロム−タングステン、コバルト−クロム−銅、コバルト−クロム−リン等があげられる。
これらの剥離層を形成する金属及びそれらの水和酸化物は電気処理により形成することが好ましい。なお、より高温での加熱プレス後の剥離性の安定化を図る上で、剥離層の下地にニッケル、鉄またはこれらの合金層を用いるとよい。
ただし、剥離層を形成する金属であるCr金属は、人体にまた環境に悪影響を及ぼす金属であることから4.5mg/dm2以下が望ましい。
ただし、このときにも剥離層を形成する金属であるCr金属は、人体にまた環境に悪影響を及ぼす金属であることから<4.5mg/dm2が望ましい。また、これを越えるとピンホールが多くなるため好ましくない。剥離層をCrの水和酸化物にて形成する場合は、人体にまた環境に悪影響を及ぼすことからCr金属(その合金も含む)の付着量は<0.015mg/dm2が好ましい。
Cu2P2O7・3H2O :5〜50g/l
K4P2O7 :50〜300g/l
pH :8〜10
が良好なめっき被膜を形成させるのに好ましい。
シアン化銅ストライクめっき浴の例
CuCN :10〜50g/l
KCN :20〜60g/l
pH :11〜13
が良好なめっき被膜を形成させるのに好ましい。
Cu(NH2SO3)・4H2O :20〜100g/l
NiCl26H2O :10〜60g/l
H3BO3 :10〜40g/l
PH :3.5〜4.5
が良好なめっき被膜を形成させるのに好ましい。
なお、剥離層上のストライクめっきの替わりとして、パルスめっきにても同様の効果が得られる。
このストライクめっきは剥離層として有機被膜を採用し、この有機皮膜上のめっきにも効果を示し、ストライクめっき上に10μm以下の極薄銅箔を形成させるときに、ピンホール数の減少に効果がある。
また、極薄銅箔の表面に設ける樹脂との密着性を得るため極薄銅箔表面に粗化処理を行い、粗化処理面のRz:0.2〜4.0(μm)とするとよい。即ち、粗化処理は、粗さを0.2μm以下では樹脂との密着性にあまり影響を与えないため粗化を行う意味がなく、粗さが4μmあれば、充分な密着性が得られることから、それ以上の粗化は必要ない。
また、従来高温下加工にも剥離可能にするため拡散防止層をいれユーザーニーズに対応してきたが、拡散防止層であるNi、Ni−Coなどはエッチング性が非常に悪くユーザーの生産性を著しく損なうという難があったが、本発明品のキャリア付き極薄銅箔は、拡散防止層を形成することなく剥離可能であることからユーザーニーズをも満たすものである。
<実施例1>
1.キャリア銅箔の用意:
キャリア銅箔として、厚さ31μm、シャイニ面粗さRz=1.5μmの未処理電解銅箔を用意した。
2.剥離層の形成:
該キャリア銅箔のシャイニ面に、電気処理を連続的に行い、金属Cr付着量0.50mg/dm2の金属クロム剥離層を形成させた。
3.剥離層表面及びその近傍にPを含有するストライクめっき層の形成:
次いでこのこの剥離層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:1.5A/dm2の条件で、30秒間ストライクめっきし、剥離層表面にPを含有する層を形成した。
4.極薄銅箔の形成
次いで、P含有ストライクめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :85g/l、
K4P2O7 :350g/l
NH3OH(28%) :5ml/l
pH :8.5
の溶液中で電流密度:4A/dm2の条件で、前記ストライクめっき層の膜厚を加算した膜厚が、TOTALめっき厚さで3μmになるようにめっきし極薄銅箔とした。
さらに、公知の方法により、極薄銅箔の表面に銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア銅箔の用意:
キャリア銅箔として、厚さ31μm、シャイニ面粗さRz=0.2μmの未処理電解銅箔を用意した。
2.剥離層の形成:
該キャリア銅箔のシャイニ面に、電気処理を連続的に行い、Cr付着量0.30mg/dm2の水和酸化物膜からなる剥離層を形成した。
3.剥離層表面及びその近傍にPを含有するストライクめっき層の形成:
ついで剥離層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :30g/l
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:1.5A/dm2の条件で、60秒間ストライクめっきし、剥離層表面及びその近傍にPを含有する層を形成した。
4.極薄銅箔の形成−1:
次いで、P含有ストライクめっき層の上に、銅の極薄銅層を
Cu濃度 :50g/l
H2SO4 :100g/l
電流密度 :15A/dm2
で形成した。
5.極薄銅箔の形成−2:
次いで
Cu2P2O7・3H2O :85g/l、
K4P2O7 :350g/l
NH3OH(28%) :5ml/l
pH :8.5
の溶液中で、電流密度:4A/dm2の条件で、ストライクめっき層及び極薄銅層1,2で極薄銅箔3のトータルめっき厚さを3μmになるように薄膜を形成した。
さらに、公知の方法により、極薄銅箔表面に銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア銅箔の用意:
キャリア銅箔として、厚さ35μm、シャイニ面粗さRz=0.8μmの未処理電解銅箔を用意した。
2.剥離層の形成:
該キャリア銅箔のシャイニ面に、電気処理を連続的に行い、金属付着量0.50mg/dm2の金属クロムと水和酸化物膜からなる剥離層を形成した。
3.剥離層表面及びその近傍にPを含有する層の形成:
次いでこの剥離層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :16g/l
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:1.5A/dm2の条件で、60秒間ストライクめっきし、剥離層表面及びその近傍にPを含有する層を形成した。
4.極薄銅層の形成−1:
次いで、P含有ストライクめっき層の上に、銅の極薄銅層を
Cu2P2O7・3H2O :70g/l、
K4P2O7 :250g/l
NH3OH(28%) :4ml/l
pH :8.5
で形成した。
5.極薄箔の形成−2:
次いで、P含有極薄銅層の上に、
Cu濃度 :55g/l
H2SO4 :80g/l
の溶液中で、電流密度:15A/dm2の条件で、ストライクめっき層及び上記極薄銅層のTOTALめっき厚さが3μmになるようにめっきした。
さらに、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア銅箔の用意:
キャリア銅箔として、厚さ35μm、シャイニ面粗さRz=4.1μmの未処理電解銅箔を用意した。
剥離層及び極薄銅箔の形成は、実施例3と同条件にて行った。
1.キャリア銅箔の用意:
キャリア銅箔として、厚さ31μm、シャイニ面粗さRz=1.1μmの未処理電解銅箔を用意した。
2.剥離層の形成:
該キャリア銅箔のシャイニ面に、Dip法にて付着量0.014mg/dm2の水和酸化物膜の剥離層を形成させた。
3.剥離層表面及びその近傍にPを含有する層の形成:
次いでこの剥離層上に、
Cu2P2O7・3H2O :20g/l
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:1.2A/dm2の条件で、60秒間ストライクめっきし、剥離層表面及びその近傍にPを含有する層を形成した。
4.極薄銅箔の形成−1:
次いで、P含有ストライクめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :100g/l、
K4P2O7 :280g/l
NH3OH(28%) :5ml/l
pH :8.5
で極薄銅層を形成した。
5.極薄銅箔の形成−2:
次いで、
CuCn :70g/l、
KCN :90g/l
の溶液中で、電流密度:5A/dm2の条件で、ストライクめっき層及び上記極薄銅層のTOTALめっき厚さが3μmになるようにめっきを施した。
その後公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア銅箔の用意:
キャリア銅箔として、厚さ31μm、シャイニ面粗さRz=4μmの未処理電解銅箔を用意した。
2. 剥離層の形成:該キャリア銅箔のシャイニ面に、ニッケル−クロム合金の電気めっきを連続的に行い、付着量0.50mg/dm2のニッケル−クロム合金めっき剥離層を形成した。
3.剥離層表面及びその近傍にPを含有する層の形成:
次いでこのニッケル−クロム合金剥離層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :30g/l、
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:1.5A/dm2の条件で、60秒間ストライクめっきし、剥離層表面及びその近傍にPを含有する層を形成した。
4.極薄銅箔の形成−1:
次いで、P含有ストライクめっき層の上に、P含有銅の極薄銅層を
Cu2P2O7・3H2O :90g/l、
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:4A/dm2の条件で厚さ1μmのPを含有する層を電気めっきで形成した。
5. 極薄銅箔の形成−2:
次いで、P含有銅層の上に、
Cu濃度 :50g/l、
H2SO4 :100g/l
の溶液中で、電流密度:20A/dm2の条件で、ストライクめっき層及び上記極薄銅のめっき厚さを加算したTOTAL膜厚が3μmになるようにめっきした。
最後に公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア銅箔の用意:
キャリア銅箔として、厚さ31μm、シャイニ面粗さRz=1.8μmの未処理電解銅箔を用意した。
2.剥離層の形成:
該キャリア銅箔のシャイニ面に、電気処理を連続的に行い、Cr付着量1.50mg/dm2の金属クロムの剥離層を形成した。
3.剥離層表面及びその近傍にPを含有する層の形成:
次いでこの剥離層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :30g/l、
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:1.5A/dm2の条件で、2分間ストライクめっきし、剥離層表面及びその近傍にPを含有する層を形成した。
4.極薄銅箔の形成−1:
次いで、P含有ストライクめっき層の上に、
CuCN :55g/l、
KCN :70g/l
の溶液中で電流密度:5.0A/dm2の条件で0.5分間めっきし、極薄銅層を形成した。
5. 極薄銅箔の形成−2:
次いで、極薄銅層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :85g/l
K4P2O7 :350g/l
NH3OH(28%) :5ml/l
pH :8.5
の溶液中で電流密度:3A/dm2の条件で、ストライクめっき層及び上記極薄銅のめっき厚さを加算したTOTAL膜厚が3μmになるようにめっきした。
さらに、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア銅箔の用意:
キャリア銅箔として、厚さ31μm、シャイニ面粗さRz= 3.5μm電解銅箔を用意した。
2.剥離層の形成:
該キャリア銅箔のシャイニ面に、鉄−クロム合金の電気めっきを連続的に行い、付着量1.0mg/dm2の鉄−クロムめっき剥離層を形成した。
3.剥離層表面及びその近傍にPを含有する層の形成:
次いでこの鉄−クロムめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :30g/l
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:1.5A/dm2の条件で、1分間ストライクめっきし、剥離層表面及びその近傍にPを含有する層を形成した。
4.極薄銅箔の形成−1:
次いで、P含有ストライクめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O :50g/l、
K4P2O7 :300g/l
pH :8
の溶液中で、電流密度:4A/dm2の条件でPを含有する極薄銅層を電気めっきで形成した。
5.極薄銅箔の形成−2:
次いで、P含有極薄銅層の上に、
Cu濃度 :50g/l、
H2SO4 :100g/l
の溶液中で電流密度:15A/dm2の条件で、ストライクめっき層及び上記極薄銅のめっき厚さを加算したTOTAL膜厚が3μmになるようにめっきした。
さらに、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
実施例1で作成したキャリア箔付き極薄銅箔の表面に、ロールコータを用いて樹脂ワニスを厚さ6.0mg/dm2となるように塗布した後、温度160°Cで5分間熱処置してBステージの絶縁樹脂層とした樹脂付き銅箔を使用し、プリント配線基板を作成した。使用したワニスはエビクロン1121−75M(商品名、大日本インキ化学(株)製のビスフェノールA型エポキシ樹脂ワニス)130重量部と、ジシアンジアミド2.1重量部と、2−エチル−4−メチルイミダゾール0.1重量部と、メチルセロソルブ20重量部とを混合して調製した。
実施例3の状態でピロリン酸ストライクめっきを行わないでキャリア付き極薄銅箔を調整した。
キャリア箔を表面粗さRz=4.1μmのものにかえ実施例3の状態でピロリン酸ストライクめっきを行わないでキャリア付き極薄銅箔を調整した。
(1)キャリアピール測定用片面銅張積層板の作製
前記のキャリア箔付き極薄銅箔(実施例1〜10、比較例1・2)を縦250mm、横250mmに切断したのち、極薄銅箔表面(粗化面の側の面)に、熱圧着後に厚さが1mmとなるガラス繊維強化エポキシプレプリグシート(FR−4)を置き、全体を2枚の平滑なステンレス鋼板で挟み、温度170℃、圧力50kg/cm2で60分間熱圧着し、キャリア箔付きのFR−4キャリアピール用片面銅張積層板を製造した。
上記のFR−4用キャリアピール用片面銅張積層板と同じ工程で、ピンホール測定用片面銅張積層板を作成した。
(1)キャリアピールの測定:
上記(1)の方法により作製したキャリア銅箔付きの片面銅張積層板から試料を切りだし、JISC6511に規定する方法に準拠して、測定試料幅10mmで樹脂層からキャリア銅箔を引き剥がし、ピール強度をn数3で測定した。評価結果を表1に示す。
上記(2)の方法で作成した縦250mm、横250mmの片面銅張積層板を、暗室内で樹脂基材側から光を当て、透過してくる光により、ピンホールの個数を数えた。評価結果を表1に併記して示す。
実施例及び比較例のめっき条件でキャリア箔表面に設けた剥離層上に、この剥離層表面凹凸の凹部よりRz値+0.2μmの位置まで銅をめっきし、その表面に透明テープを貼り合わせて銅側を透明テープに貼着させて剥がし、剥離層表面積と剥がした銅層の表面積を測定し、その比率を算出した。結果を表1に併記する。
確認の仕方としては他に銅箔を樹脂に埋めキャリア箔表面の剥離層表面に形成される極薄銅箔表面の凹凸の凸部の反対側より極薄銅箔表面の粗さRz値+0.1〜0.2μmを残すように研磨し測定することも可能である。
また、FIBなどで樹脂埋めした銅箔をスライスし、確認することも可能である。
実施例及び比較例のめっき条件でキャリア箔表面に設けた剥離層上に、この剥離層表面凹凸の凹部よりRz値+0.2μmの位置まで銅をめっきし、その表面に透明テープを貼り合わせて銅側を透明テープに貼着させて剥がし、テープについた銅層の導電率を測定した。その結果を表1に併記する。
確認の仕方としては、極薄銅箔のキャリア箔側からキャリア箔表面の剥離層表面に形成される極薄銅箔表面凹凸の凸部から極薄銅箔表面の粗さRz値+0.1〜0.2μmまでを研磨または化学的に溶解し、研磨または溶解前後の導電率の測定を行ないその差で導電率を求めることも可能であり、この方法は樹脂付き銅箔の場合は有効な手段になる。
(1)キャリアピール:
FR−4キャリアピールの場合は、熱圧着温度が170℃でも、比較例のサンプルのキャリアピールは数値が若干大きいのに対し、実施例のサンプルは安定しておりキャリアピールも低い。またポリイミドキャリアピールの場合は、熱圧着温度が330℃の高温であるため、比較例1は剥離が不可能 比較例2は剥がれるが0.05KN/m以上と剥がし難いのに対し、実施例のサンプルはすべて剥がれる結果が得られ実施例5のサンプルが一番低い値を示した。
比較例1は多くのピンホールが見られるのに対し、実施例のサンプルはそれと比較し数が少ないことを確認できた。また比較例2は、多い。
上記実施例では、キャリア箔として電解銅箔を使用したが、キャリア箔としては電解銅合金箔、圧延銅(合金)箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、ステンレス鋼箔、チタン箔、チタン合金箔を使用しても同様な効果が得られる。
また、ストライクめっき後の極薄銅層の成形方法として硫酸銅浴、ピロりん酸銅めっき浴で行ったが、スルファミン酸銅めっき浴、ホウフッ化銅めっき浴など
極薄銅箔表面凹凸の凸部よりキャリア箔側の極薄銅箔表面粗さRz値+0.2μmの位置における銅層と剥離層の面積比は実施例では90%以上が銅層であり、剥離層の凹凸に銅層が入りこみ、満遍なく剥離層と銅層が密着し、剥離層を銅層が保護し、薄利層の劣化を防止し、剥離層の劣化を防ぐことで剥離強度の安定化が図られているとものと理解される。一方、比較例では面積比が75%以下と低い。このことは、比較例では剥離層の凹凸に銅層が入り込めず、剥離層と銅層が剥離した状態となっていることを示し、銅層のめっきの際に剥離層がめっき浴により劣化させられ、その結果として剥離強度が安定しない結果となっているものと推定される。
極薄銅箔表面凹凸の凸部よりキャリア箔側の極薄銅箔表面粗さRz値+0.2μmの位置における導電率は、実施例ではすべて90%をこえる結果であるが比較例の銅箔は
90%以下の値を示している。この結果からも実施例では、めっきし難い剥離層表面及び形状が凹凸しているにも関わらず銅層が凹凸に対し、満遍なく密着しており、また剥離層を破壊せずめっきが行われた故に剥離強度の安定化が図られていると理解される。一方、比較例でもめっきし難い剥離層表面及び形状が凹凸しており、通常通りの表面処理を行っているため凹凸に銅層が凹凸に対して均一に密着せず剥離層と銅層表面の空間率が大きくなっていることを示す。銅層のめっきの際に剥離層がめっき浴により部分的破壊させられるため、その結果として剥離強度が安定しない結果となっているものと推定される。
実施例10で作成したプリント配線板に線幅、線間ピッチがそれぞれ30μmの高密度極微細な配線を施したところ、断線、ショートする個所がないファインパターンの配線が実現できた。
また、従来高温下加工にも剥離可能にするため拡散防止層をいれユーザーニーズに対応してきたが、拡散防止層であるNi、Ni−Coなどはエッチング性が非常に悪くユーザーの生産性を著しく損なうという難があったが、本発明品のキャリア付き極薄銅箔は、拡散防止層を形成することなく剥離可能であることからユーザーニーズをも満たすものである。
Claims (17)
- キャリア箔、剥離層、ストライクめっき層、極薄銅箔がこの順に設けられているキャリア付き極薄銅箔において、前記ストライクめっき層がPを含有するCu層またはPを含有するCu合金層であることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔。
- キャリア箔、剥離層、ストライクめっき層、極薄銅箔がこの順に設けられているキャリア付き極薄銅箔において、前記ストライクめっき層がPを含有するCu層またはPを含有するCu合金層からなり、前記極薄銅箔が、前記ストライクめっき層上に設けたCuまたはCu合金からなる極薄層と、該極薄層上に設けたCuまたはCu合金からなる極薄銅箔との積層体で構成されていることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔。
- 請求項1又は2に記載のキャリア付き極薄銅箔において、極薄銅箔側におけるキャリア箔表面の表面粗さRzが0.1μm〜5μm箔であり、300℃以上の熱圧着処理後のキャリア箔と極薄銅箔との剥離強度が0.01KN/m〜0.05KN/mであることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔
- 請求項1又は2に記載のキャリア付き極薄銅箔において、極薄銅箔側のキャリア箔表面の表面粗さRzが0.1μm〜5μmであり、該キャリア箔表面に設けた剥離層の上に設ける極薄銅箔のキャリア箔側の表面粗さRzが0.1μm〜5μmであり、該極薄銅箔のキャリア箔側表面凹凸の凸部より極薄銅箔側に、極薄銅箔の表面粗さRzに0.1μm〜0.2μmを加えた位置において、少なくとも剥離層表面の90%以上の面積を覆うような銅または銅合金層が形成されており、かつ、300℃以上の熱圧着処理後のキャリア箔と極薄銅箔との剥離強度が0.01KN/m〜0.05KN/mであることを特徴とするキャリア付き銅箔。
- 請求項1又は2に記載のキャリア付き極薄銅箔において、極薄銅箔側のキャリア箔表面の表面粗さRzが0.1μm〜5μmであり、該キャリア箔表面に設けた剥離層の上に設ける極薄銅箔のキャリア箔側の表面粗さRzが0.1μm〜5μmであり、該極薄銅箔のキャリア箔側表面凹凸の凸部より極薄銅箔側に、極薄銅箔の表面粗さRzに0.1μm〜0.2μmを加えた位置において、すくなくとも導電率が90%以上を持つ銅または銅合金層が形成されており、かつ、300℃以上の熱圧着処理後のキャリア箔と極薄銅箔との剥離強度が0.01KN/m〜0.05KN/mであることを特徴とするキャリア付き銅箔。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔において、前記剥離層がCr金属またはCr合金であることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔において、前記剥離層がCr金属またはCr合金の水和酸化物であることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔において、前記剥離層がCr金属またはCr合金とCr金属またはCr合金の水和酸化物とで形成されていることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔。
- 請求項6に記載の剥離層のCr金属またはCr合金の付着金属量が4.5mg/dm2以下であることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔
- 請求項7に記載のキャリア付き極薄銅箔において、水和酸化物からなる剥離層中のCr金属またはCr合金の付着金属量が0.015mg/dm2以下であることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔において、前記剥離層がNi,Feまたはこれらの合金または/およびこれらを含む水和酸化物であることを特徴とするキャリア付き極薄銅箔。
- キャリア箔、剥離層、ストライクめっき層、極薄銅箔からなるキャリア付き極薄銅箔の製造方法において、キャリア箔の表面にCr、Ni、Fe、またはこれらの合金をめっきして剥離層を形成し、この剥離層上に、P含有CuまたはP含有Cu合金めっき浴でPを含有するCu層またはPを含有するCu合金層をストライクめっきで製膜し、その上にCuまたはCu合金からなる極薄銅箔をめっきで形成することを特徴とするキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
- キャリア箔、剥離層、ストライクめっき層、極薄銅箔からなるキャリア付き極薄銅箔の製造方法において、キャリア箔の表面にCr、Ni、Fe、またはこれらの合金をめっきして剥離層を形成し、この剥離層上にリン含有CuまたはP含有Cu合金めっき浴でPを含有するCu層またはPを含有するCu合金層をストライクめっきし、そのストライクめっき層上に銅または銅合金めっきにより極薄層を製膜し、この極薄層上にCuまたはCu合金めっきにより極薄銅箔を形成することを特徴とするキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
- キャリア箔、剥離層、ストライクめっき層、極薄銅箔からなるキャリア付き極薄銅箔の製造方法において、表面粗さRzが0.1μm〜5μmのキャリア箔表面に剥離層を製膜し、この剥離層上にキャリア箔側の表面粗さRzが0.1μm〜5μmとなるように極薄銅箔を形成し、形成した極薄銅箔のキャリア箔側表面凹凸の凸部より極薄銅箔側に、極薄銅箔の表面粗さRzに0.1μm〜0.2μmを加えた位置において、少なくとも剥離層表面の90%以上の面積が銅層で覆われるようにpH3〜pH13のPを含有するCuまたはCu合金めっき浴にてストライクめっき層を製膜し、このストライクめっき層上に銅層または銅合金層を所定の厚さの極薄銅箔として形成することを特徴とするキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
- キャリア箔、剥離層、ストライクめっき層、極薄銅箔からなるキャリア付き極薄銅箔の製造方法において、表面粗さRzが0.1μm〜5μmのキャリア箔表面に剥離層を製膜し、この剥離層上にキャリア箔側の表面粗さRzが0.1μm〜5μmとなるように極薄銅箔を形成し、形成した極薄銅箔のキャリア箔側表面凹凸の凸部より極薄銅箔側に、極薄銅箔の表面粗さRzに0.1μm〜0.2μmを加えた位置における導電率が90%以上の銅層となるように、pH3〜pH13のPを含有するCuまたはCu合金めっき浴にてストライクめっき層を製膜し、このストライクめっき層上にP銅層または銅合金層を所定の厚さの極薄銅箔として形成することを特徴とするキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
- 請求項1乃至11のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔を用いて高密度極微細配線を構成したことを特徴とするプリント配線基板。
- 請求項12乃至15のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法によって製造したキャリア付き極薄銅箔を用いて高密度極微細配線を構成したことを特徴とするプリント配線基板。
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