JP2006203095A - 光学素子の製造方法、並びに、光学素子及び投影露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
極端紫外線その他の対象電磁波に対して長期間にわたって良好な反射特性を示す光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
表面保護膜43は、深さ方向に関して2分割されており、第1及び第2部分膜43a,43bを含む。つまり、両部分膜43a,43bは、ともにRu等の材料で形成された同質の膜であるが、成膜工程に時間的中断を設けることによって2段階で形成されている。そして、両部分膜43a,43bの成膜の合間に、アルゴンイオンを用いたイオンミリングによって、下側の部分膜43a上に付着した微細なパーティクルを除去する洗浄を行う。
【選択図】 図1
極端紫外線その他の対象電磁波に対して長期間にわたって良好な反射特性を示す光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
表面保護膜43は、深さ方向に関して2分割されており、第1及び第2部分膜43a,43bを含む。つまり、両部分膜43a,43bは、ともにRu等の材料で形成された同質の膜であるが、成膜工程に時間的中断を設けることによって2段階で形成されている。そして、両部分膜43a,43bの成膜の合間に、アルゴンイオンを用いたイオンミリングによって、下側の部分膜43a上に付着した微細なパーティクルを除去する洗浄を行う。
【選択図】 図1
Description
本発明は、極端紫外線等で使用される光学素子の製造方法、並びに、これを用いて作製した光学素子及び投影露光装置に関する。
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって達成される光学系の解像度を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長(例えば11〜14nm)となる極端紫外線(EUV)を用いた露光技術が開発されている。これにより約5〜70nmのパターンサイズの露光が可能になるものと期待されているが、この波長領域の物質の屈折率は1に近いため、従来のように透過屈折型光学素子を使用できず、反射型の光学素子が使用される。露光装置に用いられるマスクもまた、透過率確保等の観点から、通常反射型の光学素子となる。この際、各光学素子において高い反射率を達成するために、使用波長域での屈折率の高い物質と屈折率の低い物質とを基板上に交互に多数積層することが一般的である(例えば、特許文献1,2参照)。
D.Tichenor, et al., SPIE2437(1995)292
特開2003−14893号公報
投影露光装置内において、極端紫外線下で上述のような光学素子が使用される場合、環境は真空であるが、光学素子の周囲から酸素・水分、有機物を完全に排除することができない。一方、極端紫外線は非常に大きなエネルギーをもつ。この際、酸素・水分などと光学素子表面の物質とが極端紫外線に照射されることで酸化反応を起こしてしまう。また、有機物と光学素子表面の物質とが極端紫外線に照射されることで光化学気相堆積(光CVD)を起こし、光学素子表面にカーボン膜が生成してしまう。これらの現象により、光学素子の反射特性が劣化してしまい、寿命が短くなる問題が生じる。
そこで、本発明は、極端紫外線その他の対象電磁波に対して長期間にわたって良好な反射特性を示す光学素子の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記のような製造方法を用いて作製した光学素子と、かかる光学素子を極端紫外線の投影光学系等として組み込んだ投影露光装置とを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、第1発明に係る光学素子の製造方法は、(a)支持用の基板上に紫外線波長以下の所定波長の電磁波を反射する反射膜を形成する反射膜形成工程と、(b)深さ方向に関して2回以上に分割された複数の成膜工程によって、反射膜上に表面保護膜を形成する保護膜形成工程とを備える。
上記製造方法では、反射膜上に表面保護膜を形成するので、このようにして得た光学素子の保管や使用中において、酸化等によって光学素子の反射特性が劣化することを抑制できる。特に、光学素子が極端紫外線を利用した投影露光装置等に組み込まれて使用される場合、周囲に存在する水分や酸素によって光学素子が表面から侵食される酸化作用を抑制することができる。また、上述の投影露光装置等に組み込まれた光学素子表面に有機物の光CVDによって生成されるカーボン膜を酸化雰囲気等を利用して除去する場合にも、かかる酸化雰囲気等によって光学素子が表面から侵食される現象を抑制することができる。さらに、本発明の製造方法では、深さ方向に関して2回以上に分割された複数の成膜工程によって表面保護膜を形成するので、各成膜工程の合間にそれまでに形成した膜表面に対して所望の表面処理を施すことができ、表面保護膜の膜質を改良することができ、延いては光学素子の耐久性等を高めることができる。
なお、上記反射膜は、例えば、上記所定波長における屈折率の1との差が小さい物質からなる第1層と、屈折率の1との差が大きい物質からなる第2層とを基板上に交互に積層してなる多層膜とできる。
また、第2発明に係る光学素子の製造方法では、第1発明の製造方法において、保護膜形成工程が、連続する2つの成膜工程のうち先の成膜工程によって形成された部分膜の表面を洗浄する表面洗浄工程を含む。この場合、下地の反射膜の表面や、表面洗浄工程よりも前に形成された部分膜の表面に付着した意図しないパーティクルを洗浄によって確実に除去することができるので、表面保護膜の成膜に際して表面保護膜にピンホールが形成されたり表面保護膜が局所的に極めて薄くなったりすることを防止できる。よって、下地の反射膜が酸化され、或いは表面保護膜の酸化物に対する耐性が低下することを防止でき、光学素子やこれを組み込んだ装置の寿命を長くすることができる。
また、第3発明に係る光学素子の製造方法では、第2発明の製造方法において、表面洗浄工程が、不活性ガスを用いたドライエッチング法を応用したものである。この場合、表面保護膜のインサイテュ(in situ)成膜が可能になり、表面保護膜の成膜や光学素子の製造を簡易かつ効率的なものとすることができる。
また、第4発明に係る光学素子は、(a)支持用の基板と、(b)基板上に支持されるとともに、紫外線波長以下の所定波長の電磁波を反射する反射膜と、(c)反射膜の表面上に設けられ、深さ方向に関して2以上に分割された複数の部分膜を含む表面保護膜とを備える。
上記光学素子では、反射膜の表面上に表面保護膜が設けられているので、光学素子の保管や使用中において、酸化等によって光学素子の反射特性が劣化することを抑制できる。特に、光学素子が極端紫外線を利用した投影露光装置等に組み込まれて使用される場合、光学素子が表面から侵食される酸化作用を抑制することができる。さらに、本発明の光学素子では、表面保護膜が深さ方向に関して2以上に分割された複数の部分膜を含むので、一対の部分膜の成膜工程の合間にそれまでに形成した膜表面に対して所望の表面処理を施すことができ、表面保護膜の膜質を改良することができる。
また、第5発明に係る投影露光装置は、(a)極端紫外線を発生させる光源と、(b)光源からの極端紫外線を転写用のマスクに導く照明光学系と、(c)マスクのパターン像を感応基板上に形成する投影光学系とを備える。そして、本投影露光装置は、マスク、照明光学系及び投影光学系のうち少なくともいずれか1つが上記第4発明の光学素子を含む。
上記投影露光装置では、上述の光学素子を用いることにより、装置内において、当該光学素子の表面からの酸化・侵食を抑制でき、光学素子表面におけるカーボン膜生成を抑制できるので、光学素子の反射特性を長期間にわたって維持することができる。このことは、投影露光装置のスループットを長期間にわたって維持できることを意味し、投影露光装置を長寿命とすることができる。
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態に係る光学素子の構造を示す部分拡大断面図である。本実施形態の光学素子40は、例えば極端紫外線用の平面反射鏡であり、多層膜構造を支持する基板41と、反射用の多層膜42と、表層となる表面保護膜43とを有する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る光学素子の構造を示す部分拡大断面図である。本実施形態の光学素子40は、例えば極端紫外線用の平面反射鏡であり、多層膜構造を支持する基板41と、反射用の多層膜42と、表層となる表面保護膜43とを有する。
基板41は、例えば合成石英ガラスや低膨張ガラス等を加工することによって形成されたものであり、その上面41aは、この光学素子40を組み込む装置に要求される所定精度の鏡面に研磨されている。なお、上面41aは、図示のように一部を拡大すると平面として表現されるが、全体としては、例えば凹面、平面、凸面、多面その他の形状となっている。つまり、光学素子40は、凹面ミラー、平面ミラー、凸面ミラー、多面ミラーその他の各種ミラーである。
多層膜42は、屈折率が異なる2種類の物質を基板41上に例えば交互に積層することによって形成した数層から数百層の薄膜からなる反射膜である。この多層膜42は、反射鏡である光学素子40の反射率を高めるために、吸収の少ない物質を多数積層したものであるとともに、それぞれの反射波の位相が合うように光干渉理論に基づいて各層の膜厚を調整したものである。つまり、投影露光装置内で使用される極端紫外線の波長領域に対して、比較的屈折率の1との差が大きい重原子層である薄膜層L1と、比較的屈折率の1との差が小さい軽原子層である薄膜層L2とを、基板41上に、反射波の位相が合うよう所定の膜厚で交互もしくは任意順序に積層させることで多層膜42が形成されている。この多層膜42を構成する2種類の薄膜層L1、L2は、それぞれモリブデン層及びシリコン層とすることができる。なお、薄膜層L1、L2の材料は、モリブデンとシリコンとの組み合わせに限るものではない。例えば、モリブデン、ルテニウム、ロジウム等の物質と、シリコン、ベリリウム、四ホウ化炭素(B4C)等の物質とを適宜組み合わせることによって多層膜42を作製することもできる。
以上説明した多層膜42において、薄膜層L1と薄膜層L2との間にさらに境界膜(不図示)を設けることもできる。多層膜42を形成する薄膜層L1、L2として、特に金属やシリコン等を用いた場合には、薄膜層L1と薄膜層L2との境界付近においておのおのを形成する材料同士が混ざり合い、界面が曖昧になりやすい。これにより、反射特性が影響を受け、光学素子40の反射率が下がってしまう。そこで、界面を明瞭化するために、多層膜42の形成にあたって、薄膜層L1と薄膜層L2との間にさらに境界膜を設ける。材料としては、例えば四ホウ化炭素や炭素、炭化モリブデン(MoC)、酸化モリブデン(MoO2)等が用いられる。このように界面を明確化することにより、光学素子40の反射特性が向上する。
表面保護膜43は、多層膜42全面を覆うことによって、多層膜42を周囲の環境(一般的には、極端紫外線を効率よく透過させるような減圧又は真空環境)から保護するものである。表面保護膜43は、Ru等の材料で形成されており、比較的透過損失の少ない酸化防止膜及びカーボン抑制膜としての役割を果たす。つまり、Ru等で形成された表面保護膜43を光学素子40の最表面に形成することで、光学素子40周囲に存在する水分や酸素が極端紫外線下で活性化された場合にも、このように活性化された成分によって光学素子40が表面から侵食される酸化作用を抑制することができる。つまり、光学素子40の反射率が光学素子40の表面酸化に伴って徐々に低下する現象を防止できる。また、表面保護膜43の存在により、光学素子40の表面やその近傍に供給される有機物中の炭素を、Ru等の触媒作用によって二酸化炭素等に変換することができる。よって、光学素子40表面に炭素コンタミネーションすなわちカーボン膜が徐々に堆積される光CVD現象の発生を確実に抑制でき、光学素子40の反射率がカーボン膜の堆積に伴って徐々に低下する現象を防止できる。なお、表面保護膜43の材料は、Ruに限るものではない。例えば、Rh、Pa、Pt、Ag等の材料によって多層膜42を作製することもできる。
本実施形態において、表面保護膜43は、深さ方向に関して2分割されており、第1及び第2部分膜43a,43bを含む。つまり、両部分膜43a,43bは、ともにRu等の材料で形成された同質の膜であるが、成膜工程に時間的中断を設けることによって2段階で形成されている。そして、両部分膜43a,43bの成膜の合間に、アルゴンイオンを用いたイオンミリングによって、下側の部分膜43a又は多層膜42上に付着した微細なパーティクルを除去する洗浄を行う。
以下、表面保護膜43を深さ方向に関して2段階に分けて成膜等する理由についてより詳しく説明する。
本発明者は、光学素子40の試作を繰り返す過程で、表面保護膜43を一括して形成した場合、表面保護膜43の表面にピンポールが形成されやすいことを発見した。つまり、本発明者は、このようなピンホールが形成される原因として、表面保護膜43の形成前に形成する多層膜42上にパーティクルが付着する現象に着目するとともに、かかるパーティクルが形成する影によって表面保護膜43が付着しない領域ができてしまい、このような領域がピンホールとなることを確認した。
表面保護膜43のピンホールを減少させるためには、表面保護膜43を形成する段階で多層膜42上に付着しているパーティクルを減少させる必要があると考えられる。ここで、多層膜42上に付着しているパーティクルは、多層膜42あるいは表面保護膜43の成膜装置内で発生したものであると考えられる。しかしながら、一般的成膜装置を用いて多層膜42や表面保護膜43を形成する限り、多層膜42上に付着するパーティクルを皆無にすることは困難であり現実的でない。このため、本発明者は、成膜装置内で発生したパーティクルが多層膜42上に付着してもピンホールになりにくい成膜方法を考案する必要があると結論するに至った。
本発明は、上記着想に基づいてなされたものであり、既に説明したように、表面保護膜43を深さ方向に関して少なくとも2段階以上に分けて成膜する。具体的には、図1を参照して、まず多層膜42上に第1部分膜43aを成膜し、その上に第2部分膜43bを成膜する。さらに、本実施形態では、第1部分膜43aの成膜後であって、第2部分膜43bを成膜する前に、第1部分膜43aの表面をイオンミリング等によって洗浄する。これにより、最初に形成した第1部分膜43aにピンホールPH1が形成されていたとしても、第2部分膜43bの成膜前にパーティクルを除去することができ、その後第2部分膜43bを形成することにより、ピンホールPH1を埋めることができる。なお、第2部分膜43b上にパーティクルが付着すると、第2部分膜43bにもピンホールPH2が形成される可能性があるが、ピンホールPH2はランダムに形成されるため、ピンホールPH2の下地には第1部分膜43aが存在し、多層膜42を表面保護膜43によって完全にキャップすることができる。
なお、表面保護膜43を複数回に分割して成膜する場合、1回に成膜する膜厚が薄いほど1個のパーティクルによる影響は小さくなる。したがって、表面保護膜43の分割回数を多くすればするほど、パーティクルによる影響を小さくでき、表面保護膜43全体を均一化することができる。
図2は、第1実施形態の光学素子40を製造するための成膜装置を概念的に説明する図である。
この成膜装置10は、イオンビームスパッタ装置とイオンミリング装置とを組み合わせた装置であり、基板ホルダ11と、ターゲット部12と、スパッタ用イオン源13と、洗浄用イオン源14と、真空排気装置15とを備える。これらのうち、基板ホルダ11及びターゲット部12は、真空容器17の内部に略全体が収納されており、スパッタ用イオン源13、洗浄用イオン源14、及び真空排気装置15は、真空容器17に付随して内部を臨むように取り付けられている。
ここで、基板ホルダ11は、光学素子すなわちミラーの母材である基板41を保持して基板41とともに回転する保持部材21と、保持部材21を回転軸RAのまわりに回転させる自転機構23と、保持部材21の正面に配置されて基板41に入射する粒子を制御するマスク25とを備える。基板ホルダ11は、真空容器17の内壁から延びる支持部材27に支持されて回動可能になっており、真空容器17外に設けた回転駆動装置29に駆動されて、マスク25とともに姿勢を変化させることができる。これにより、基板ホルダ11上の基板41を、実線で示すように洗浄用イオン源14に向けたり、一点鎖線で示すようにターゲット部12に向けたりすることができる。
なお、マスク25は、基板ホルダ11すなわち基板41の半径距離に応じて開口率を変化させるためのものであり、自転する基板41上の膜厚分布等を自在に調整できるようになっている。
ターゲット部12は、回転軸AXを中心として回転するターゲットドラム31と、ターゲットドラム31の側面に装着された複数のターゲットTA1〜TA4とを備える。ターゲットドラム31は、真空容器17外に設けた回転駆動装置(不図示)に駆動されて、ターゲットTA1〜TA4とともに回転する。これにより、各ターゲットTA1〜TA4を、スパッタ用イオン源13と基板ホルダ11との双方をそれぞれ斜めに臨む中間方向(スパッタ位置)に向けることができる。ターゲットTA1〜TA4としては、多層膜42用として例えばMoやSiのターゲットを用いることができ、表面保護膜43用として例えばRuターゲット等を用いることができ、薄膜層L1,薄膜層L2間に挿入される境界膜用として例えば四ホウ化炭素等のターゲットを用いることができる。
スパッタ用イオン源13は、Arイオン銃であり、不図示のガス源からアルゴンガスの供給を受けており、内蔵するフィラメントで発生させた熱電子を上記ガス源から供給されたアルゴンに衝突させてイオン化する。イオン化されたアルゴンは、加速電極によって適当な速度に制御されてスパッタ用イオン源13から射出し、ターゲット部12のスパッタ位置に配置されたいずれかのターゲットTA1〜TA4の表面TSにアルゴンイオンビームIB1として入射する。各ターゲットTA1〜TA4の表面TSからは、アルゴンイオンビームIB1に対応してスパッタ粒子SPが射出する。
洗浄用イオン源14は、Arイオン銃であり、不図示のガス源からアルゴンガスの供給を受けており、内蔵するフィラメントで発生させた熱電子を上記ガス源から供給されたアルゴンに衝突させてイオン化する。イオン化されたアルゴンは、加速電極によって適当な速度に制御されて洗浄用イオン源14から射出し、基板ホルダ11上の基板41の表面WSに入射する。
真空排気装置15は、ロータリポンプ、分子ターボポンプ等で構成され、真空容器17内を成膜や表面洗浄に適した真空度に維持することができる。
以下、図2の装置を用いた成膜について説明する。まず、基板ホルダ11上に基板41をセットし、基板ホルダ11とともに基板41をターゲット部12に向けた成膜位置とし、真空容器17内を適当な真空度に維持する。この際、ターゲット部12を適宜回転させて例えばMoのターゲットTA1が図示のスパッタ位置に配置されるようにする。この状態で、基板41を自転させつつスパッタ用イオン源13を動作させて、アルゴンイオンをターゲットTA1に入射させることにより、ターゲットTA1をスパッタ粒子化して基板41上にターゲットTA1の材料であるMo等を堆積する。次に、ターゲット部12を適宜回転させて例えばSiのターゲットTA2がスパッタ位置に配置されるようにする。この状態で、基板41を自転させつつスパッタ用イオン源13を動作させて、アルゴンイオンをターゲットTA2に入射させることにより、ターゲットTA2をスパッタ粒子化して基板41上にターゲットTA2の材料であるSi等を堆積する。以上のようなスパッタ成膜をターゲットTA1,TA2を切り換えつつ繰り返すことにより、基板41上に例えばSi、Mo等からなる多層膜42を形成することができる(図1参照)。
次に、ターゲット部12を適宜回転させて、例えばRuのターゲットTA3がスパッタ位置に配置されるようにする。この状態で、基板41を自転させつつスパッタ用イオン源13を動作させて、アルゴンイオンをターゲットTA3に入射させることにより、ターゲットTA3をスパッタ粒子化して基板41上にターゲットTA3の材料であるRu等を堆積する。以上のようなターゲットTA3を用いたスパッタ成膜により、基板41上に既に形成してある多層膜42上に第1部分膜43aを形成することができる(図1参照)。
次に、基板ホルダ11とともに基板41を洗浄用イオン源14に向けた洗浄位置とし、基板41を自転させつつ洗浄用イオン源14を動作させて、アルゴンイオンを基板41に入射させる。これにより、基板41表面がアルゴンイオンにさらされ、アルゴンイオンのイオンミリングによって、基板41上に付着している微細なパーティクルが除去される。このようなスパッタによって、先の工程で成膜した第1部分膜43aの表層が一部除去されるが、スパッタ時間、スパッタエネルギー等の調整によって第1部分膜43aが十分に残存するようにする。
次に、基板ホルダ11とともに基板41を再度ターゲット部12に向けた成膜位置とし、基板41を自転させつつスパッタ用イオン源13を動作させて、アルゴンイオンをターゲットTA3に入射させることにより、ターゲットTA3をスパッタして基板41上にターゲットTA3の材料であるRu等を堆積する。以上のようなターゲットTA3を用いた再度のスパッタ成膜により、基板41上に既に形成してある第1部分膜43a上に第2部分膜43bを形成することができる(図1参照)。
以上のような成膜処理や洗浄処理を施すことにより、基板41上に多層膜42を形成することができ、かかる多層膜42上に2重構造を有し被覆性に優れる表面保護膜43を形成することができる。
〔具体的実施例〕
具体的実施例では、多層膜42として、MoとSiの交互層を形成し、表面保護膜43として、厚さ2nmのRu薄膜を形成した。
具体的実施例では、多層膜42として、MoとSiの交互層を形成し、表面保護膜43として、厚さ2nmのRu薄膜を形成した。
多層膜42を形成する薄膜層L1として、図1に示すMoのターゲットTA1をスパッタすることによって、基板41上にMo膜を例えば2.45nm堆積させる。続いてターゲットドラム31を回転させ、SiのターゲットTA2をスパッタ位置に配置するとともに、SiのターゲットTA2をスパッタして、基板41上にSi膜を例えば4.55nm堆積させる。このような工程を40回繰り返すことによって、多層膜42を完成した。
続いて、ターゲットドラム31を回転させ、RuのターゲットTA3をスパッタして、多層膜42上にRu膜を例えば1.5nm堆積させる。続いて基板ホルダ11を回転させ、基板41すなわち基板41を洗浄用イオン源14に対向する方向に回転させるとともに、洗浄用イオン源14からのアルゴンイオンを基板41に照射し、第1部分膜43aであるRu膜を削るとともにパーティクルも除去する。Ru膜を削る量としては、厚さ0.5nm程度とした。その後、再び基板ホルダ11を再びターゲット部12に向けた成膜位置に戻し、RuのターゲットTA3をスパッタして、多層膜42上にRu膜を例えば1.0nm堆積させる。
上記工程を行うことにより、多層膜42上にピンホール密度を低減した厚さ2nmの表面保護膜43を形成することができた。
〔第2実施形態〕
図3は、第1実施形態の光学素子40を光学部品として組み込んだ、第2実施形態に係る投影露光装置の構造を説明するための図である。
図3は、第1実施形態の光学素子40を光学部品として組み込んだ、第2実施形態に係る投影露光装置の構造を説明するための図である。
図3に示すように、この投影露光装置100は、光学系として、極端紫外線(波長11〜14nm)を発生する光源装置50と、極端紫外線の照明光によってマスクMAを照明する照明光学系60と、マスクMAのパターン像を感応基板であるウエハWAに転写する投影光学系70とを備え、機械機構として、マスクMAを支持するマスクステージ81と、ウエハWAを支持するウエハステージ82とを備える。また、投影露光装置100は、上記光源装置50の一部及び光学系60,70を収納する真空容器84と、真空容器84中のガスを排気する排気装置85と、真空容器84中に劣化抑制ガスを導入するためのガス供給装置86と、投影光学系70等を構成する特定の光学素子の反射率低下をチェックする照度センサ88とを備える。さらに、投影露光装置100は、投影露光装置100の各部、具体的には、光源装置50、マスクステージ81、ウエハステージ82、排気装置85、ガス供給装置86等の動作を統括的に制御する制御装置90を備える。
光源装置50は、プラズマ励起用のレーザ光を発生するレーザ光源51と、ターゲット材料であるキセノン等のガスを筐体SC中に供給するチューブ52とを備える。また、この光源装置50には、コンデンサ54やコリメータミラー55が付設されている。チューブ52の先端から出射されるキセノンに対しレーザ光源51からのレーザ光を集光させることにより、その部分のターゲット材がプラズマ化して極端紫外線を発生する。コンデンサ54は、チューブ52の先端Sで発生した極端紫外線を集光する。コンデンサ54を経た極端紫外線は、収束されつつ筐体SC外に射出し、コリメータミラー55に入射する。なお、以上のようなレーザプラズマタイプの光源装置50からの光源光に代えて、放電プラズマ光源、SOR光源からの放射光等を使用することができる。
照明光学系60は、反射型のオプティカルインテグレータ61,62、コンデンサミラー63、偏向ミラー64等により構成される。光源装置50からの光源光を、オプティカルインテグレータ61,62によって照明光として均一化しつつコンデンサミラー63によって集光し、偏向ミラー64を介してマスクMA上の所定領域(例えば帯状領域)に入射させる。これにより、マスクMA上の所定領域を適当な波長の極端紫外線によって均一に照明することができる。
なお、極端紫外線の波長域で十分な透過率を有する物質は存在せず、マスクMAには透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用されている。
投影光学系70は、多数のミラー71,72,73,74で構成される縮小投影系である。マスクMA上に形成されたパターン像である回路パターンは、投影光学系70によってレジストが塗布されたウエハWA上に結像してこのレジストに転写される。この場合、回路パターンが一度に投影される領域は、直線状又は円弧状のスリット領域であり、例えばマスクMAとウエハWAとを同期して移動させる走査露光によって、マスクMA上に形成された矩形の回路パターンをウエハWA上の矩形領域に無駄なく転写することができる。
以上の光源装置50のうち、極端紫外線の光路上に配置される部分と、照明光学系60と、投影光学系70とは、真空容器84中に配置されており、露光光の減衰が防止されている。つまり、極端紫外線は大気に吸収されて減衰するが、装置全体を真空容器84によって外部から遮断するとともに、極端紫外線の光路を所定の真空度(例えば、1.3×10−3Pa以下)に維持することで、極端紫外線の減衰すなわち転写像の輝度低下やコントラスト低下を防止している。
真空容器84中において極端紫外線の光路上に配置される光学素子54,55,61,62,63,64,71,72,73,74やマスクMAとして、図1に例示される光学素子40を用いる。この際、光学素子40の光学面の形状は、凹面、平面、凸面、多面等組み込む場所によって適宜調整する。
排気装置85は、真空容器84に接続された真空ポンプを有しており、制御装置90からの制御に基づいて真空容器84内部を必要な真空度に維持する。一方、ガス供給装置86は、劣化抑制ガスのガス源86aと、ガスの流量を調節するマスフローコントローラ86eとを有している。ガス供給装置86は、制御装置90からの制御に基づき、真空容器84中に導入管を介して酸化性を有する劣化抑制ガスを適当なタイミングで必要量だけ供給する。これにより、真空容器84中における酸化性ガスの分圧を目標量に調節することができ、ひいては光学素子54,55,61,62,63,64,71,72,73,74,MA等の表面におけるカーボン成長を抑制することができる。
照度センサ88は、投影光学系70の光路上に進退可能に配置されたフォトマル等の光電変換素子であり、投影光学系70内を通過する露光光(具体的にはミラー74からの反射光)である極端紫外線を電気信号に変換することによって露光光の強度の計測を可能にする。照度センサ88は、制御装置90に制御されて動作しており、適当なタイミングで露光光の検出結果を制御装置90に出力する。なお、照度センサ88は、ミラー74等からの反射光を直接検出するものに限らず、投影光学系70等を構成するミラー74等の光学素子からの散乱光を検出するものとすることもできる。この場合、照度センサ88の光路上への進退機構が不要となり、検出強度の減少は光学素子の反射率の低下すなわち光学特性の劣化を示す。
ここで、有機物が光学素子54,55,61,62,63,64,71,72,73,74,MAの雰囲気ガスとして真空容器84内に一定以上存在する場合、光学素子54,55,61,62,63,64,71,72,73,74,MA自体の触媒機能が十分に発揮されず、極端紫外線の存在下で光学素子の表面にカーボン膜が徐々に堆積され、経時的に反射率が低下するおそれがある。このため、照度センサ88の検出結果に基づいて露光光の照度をモニタし、照度が一定の下限に達した場合は、ガス供給装置86に設けたマスフローコントローラ86eを調節してガス源86aからの劣化抑制ガスを適当量だけ真空容器84に導入する。ガス源86aから供給される劣化抑制ガスは、酸化性ガスであり、例えば酸素、水蒸気、過酸化水素水等が好適に用いられる。このような酸化性ガスを真空容器84に導入する量は、光学素子表面のカーボン膜を酸化によって除去できる程度のものとする。酸化性ガスの導入は、露光光の照度が既定値以下に減少した後の適当なタイミングとすることができるが、この際、光源装置50が動作して照明光学系60や投影光学系70を構成する各光学素子に極端紫外線が照射されている状態とすることもできる。この場合、極端紫外線が、酸化性ガスとカーボン膜との酸化反応を促進する役割を果たす。照度センサ88による計測の結果、露光光の照度が既定値以上に回復した場合、制御装置90は、排気装置85を動作させて真空容器84中の酸化性ガスを外部に排出して、酸化反応の進行を停止する。
以下、図3に示す投影露光装置の動作について説明する。この投影露光装置では、照明光学系60からの照明光によってマスクMAが照明され、マスクMAのパターン像が投影光学系70によってウエハWA上に投影される。これにより、マスクMAのパターン像がウエハWAに転写される。
以上説明した投影露光装置では、高反射率で高精度に制御された光学素子54,55,61,62,63,64,71,72,73,74,MAが用いられており、高精度の露光が可能になる。さらに、この投影露光装置では、光学素子54,55,61,62,63,64,71,72,73,74,MAの表面すなわち光学面において保護層の存在によってカーボン膜の生成が抑制されているので、これら光学素子の反射特性が劣化するのを防ぎ、投影露光装置の寿命を長くすることができる。また、露光に際して、照度センサ88によって投影光学系70等を構成する光学素子の反射率低下が監視されており、制御装置90の制御下でガス供給装置86からの酸化性ガスが真空容器84中に適宜導入される。これによっても、投影光学系70等を構成する光学素子表面上のカーボン膜すなわち炭素コンタミネーションが強制的に酸化除去され、その光学特性を長期間にわたって良好に維持することができ、高い製造安定性維持することができる。具体的な例では、酸化性ガスの分圧が1.3×10−4Paの範囲となるような導入を行った場合、光学素子54,55,61,62,63,64,71,72,73,74,MAの反射率を回復できた。これにより、ウエハWAに到達する光量の低下が大幅に抑制された。なお、図1に示す表面保護膜43を設けない比較例の光学素子の場合、酸化性ガスの導入によっても反射率の回復は認められなかった。
以上実施形態に即して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、以上説明した第1実施形態では、図2の成膜装置10中で真空を破ることなく基板41上に多層膜42と表面保護膜43とを形成しているが、多層膜42と表面保護膜43とを成膜する間、或いは分割した各部分膜43a,43bを成膜する合間に大気中に取り出し、別の成膜手法又は装置を用いてもよい。つまり、多層膜42や表面保護膜43等を別個の装置で成膜することができる。
また、第1部分膜43aの表面洗浄は、Arガスを用いたイオンミリングに限らず、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、N2等の各種不活性ガスを用いたイオンミリングとすることができる。
また、各部分膜43a,43bを成膜する合間に行う第1部分膜43aの表面洗浄は、イオンミリング等のドライエッチに限らない。すなわち、第1部分膜43aにダメージを与えない限り、超音波洗浄その他のウエット洗浄を含む各種洗浄方法を用いることができる。
また、両部分膜43a,43bは、同一材料で成膜される必要はなく、別材料で成膜されることも可能である。
また、光学素子40に形成する多層膜42に代えて、単層の金属膜等からなる反射膜等を用いることができる。
また、上記第1実施形態では、光学素子40が極端紫外線に用いられるものとして説明したが、上記のような光学素子40は、多層膜42の設計変更によって軟X線顕微鏡、軟X線分析装置等の軟X線光学機器を構成する多層膜反射鏡として用いることもできる。このような、X線光学機器に適合するように組み込まれた光学素子40も、上記実施形態の場合と同様に、長期間使用しても反射率が低下しないので、その初期性能を維持し続けることができる。
また、上記第2実施形態では、露光光として極端紫外線を用いる投影露光装置について説明したが、露光光として極端紫外線以外の紫外線を用いる投影露光装置においても、図1等に示すような光学素子40を組み込むことができ、表面の酸化やカーボン付着による光学素子の反射特性の劣化を抑制することができる。
10…成膜装置、 11…基板ホルダ、 12…ターゲット部、 13…スパッタ用イオン源、 14…洗浄用イオン源、 15…真空排気装置、 17…真空容器、 23…自転機構、 27…支持部材、 29…回転駆動装置、 31…ターゲットドラム、 40…光学素子、 41…基板、 42…多層膜、 43…表面保護膜、 43a,43b…部分膜、 50…光源装置、 51…レーザ光源、 60…照明光学系、 70…投影光学系、 81…マスクステージ、 82…ウエハステージ、 84…真空容器、 85…排気装置、 86…ガス供給装置、 90…制御装置、 TA1〜TA4…ターゲット、 MA…マスク、 WA…ウエハ
Claims (5)
- 支持用の基板上に紫外線波長以下の所定波長の電磁波を反射する反射膜を形成する反射膜形成工程と、
深さ方向に関して2回以上に分割された複数の成膜工程によって、前記反射膜上に表面保護膜を形成する保護膜形成工程と
を備える光学素子の製造方法。 - 前記保護膜形成工程は、連続する2つの成膜工程のうち先の成膜工程によって形成された部分膜の表面を洗浄する表面洗浄工程を含むことを特徴とする請求項1記載の光学素子の製造方法。
- 前記表面洗浄工程は、不活性ガスを用いたドライエッチング法を応用したものであることを特徴とする請求項2記載の光学素子の製造方法。
- 支持用の基板と、
前記基板上に支持されるとともに、紫外線波長以下の所定波長の電磁波を反射する反射膜と、
前記反射膜の表面上に設けられ、深さ方向に関して2以上に分割された複数の部分膜を含む表面保護膜と、
を備える光学素子。 - 紫外線及び極端紫外線の少なくとも一方の波長域にある光源光を発生させる光源と、
前記光源からの光源光を転写用のマスクに導く照明光学系と、
前記マスクのパターン像を感応基板上に形成する投影光学系とを備え、
前記マスク、前記照明光学系及び前記投影光学系のうち少なくともいずれか1つが請求項4記載の光学素子を含むことを特徴とする投影露光装置。
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- 2005-01-24 JP JP2005015074A patent/JP2006203095A/ja active Pending
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