JP2006191355A - Equalizer - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、マイクロ波回路もしくはミリ波回路の振幅周波数特性を補償するイコライザに関する。 The present invention relates to an equalizer that compensates for an amplitude frequency characteristic of a microwave circuit or a millimeter wave circuit.
従来、マイクロ波信号が伝搬する主線路と接地間に、所望の補償周波数帯域近傍で共振する共振回路と抵抗との直列回路を設けることによって、所望の補償周波数帯域で減衰量を、増加又は低減させる周波数イコライザが知られている（例えば、特許文献1参照）。 Conventionally, by providing a series circuit of a resonance circuit and a resistor that resonates in the vicinity of a desired compensation frequency band between the main line through which the microwave signal propagates and the ground, the attenuation is increased or decreased in the desired compensation frequency band. A frequency equalizer is known (for example, see Patent Document 1).
従来の周波数イコライザでは、主線路に並列に接続された回路内に補償帯域近傍で共振特性を有する共振回路と抵抗を設けている。このため、減衰特性を得る周波数において並列回路のインピーダンスが下がり、等価的に並列抵抗のみが主線路に装荷される構成となる。回路が入出力端子に接続される負荷抵抗値(一般に50Ω)に整合されないので、反射特性が悪化する。
これにより、補償しようとするマイクロ波機器に、従来の周波数イコライザを挿入した場合、前後の増幅器等のデバイスの反射特性が完全でないため、周波数イコライザの入出力で多重反射が発生する。従って、周波数特性が変化し、広帯域に所望の補償特性が得られないという問題があった。
In a conventional frequency equalizer, a resonance circuit having a resonance characteristic and a resistor are provided in the vicinity of a compensation band in a circuit connected in parallel to a main line. For this reason, the impedance of the parallel circuit decreases at a frequency at which attenuation characteristics are obtained, and only the parallel resistance is equivalently loaded on the main line. Since the circuit is not matched to the load resistance value (generally 50Ω) connected to the input / output terminals, the reflection characteristics deteriorate.
Thus, when a conventional frequency equalizer is inserted into the microwave device to be compensated, the reflection characteristics of the devices such as the front and rear amplifiers are not perfect, and multiple reflections occur at the input and output of the frequency equalizer. Therefore, there has been a problem that the frequency characteristic is changed and a desired compensation characteristic cannot be obtained in a wide band.
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもので、広帯域に良好な反射特性を有して、接続されるマイクロ波回路もしくはミリ波回路の振幅周波数特性を平坦化させるイコライザを得る、ことを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and obtains an equalizer that has good reflection characteristics in a wide band and flattens the amplitude frequency characteristics of a connected microwave circuit or millimeter wave circuit. With the goal.
この発明によるイコライザは、伝送線路と、上記伝送線路に対し直列に装荷された第１の抵抗と、当該第１の抵抗に並列に接続されたキャパシタと、上記第１の抵抗の両端で、上記伝送線路と並列にそれぞれ装荷された第２、第３の抵抗と、当該第２、第３の抵抗に、それぞれ一端が接続され他端が短絡された第１、第２のインダクタと、を備えたものである。
また、伝送線路と、上記伝送線路に対し直列に縦続的に装荷された第１、第２の抵抗と、当該第１、第２の抵抗にそれぞれ並列に接続された第１、第２のキャパシタと、上記第１、第２の抵抗の間で、上記伝送線路と並列に装荷された第３の抵抗と、上記第３の抵抗に一端が直列に接続され他端が短絡されたインダクタと、を備えても良い。
An equalizer according to the present invention includes a transmission line, a first resistor loaded in series with the transmission line, a capacitor connected in parallel to the first resistor, and both ends of the first resistor. Second and third resistors respectively loaded in parallel with the transmission line, and first and second inductors having one end connected to the second and third resistors and the other end short-circuited, respectively. It is a thing.
Also, a transmission line, first and second resistors loaded in series with respect to the transmission line, and first and second capacitors connected in parallel to the first and second resistors, respectively. And a third resistor loaded in parallel with the transmission line between the first and second resistors, an inductor having one end connected in series to the third resistor and the other end short-circuited, May be provided.
この発明によるイコライザを、マイクロ波回路もしくはミリ波回路等の高周波回路に接続して周波数補償することにより、その出力信号について、平坦な周波数特性を得られるとともに、オクターブを超えるような広帯域な周波数範囲で良好な反射特性を得ることができる。 By connecting the equalizer according to the present invention to a high frequency circuit such as a microwave circuit or a millimeter wave circuit and performing frequency compensation, a flat frequency characteristic can be obtained for the output signal, and a wide frequency range exceeding an octave is obtained. Good reflection characteristics can be obtained.
一般に、反射が比較的良くない回路について、同一回路を２個配置し、間に中心周波数でλ/4の伝送線路を挿入することにより、中心周波数近傍での反射を改善することができる。しかしながら、このような構成とすると回路が大型化することになる。また、周波数特性が狭帯域となり、オクターブを超えるような広帯域な周波数範囲に亘って、良好な反射特性を得ることはできない。
この実施の形態による周波数特性を補償するイコライザでは、周波数補償を行う使用周波数帯域（以下、補償帯域）の高周波数領域でハイパスフィルタ回路を成し、補償帯域の高周波数領域でπ型の減衰回路を成すように構成することによって、広帯域な周波数範囲で、接続される高周波回路において平坦な反射特性を得ることができる。
以下の実施の形態により、このイコライザの構成例について詳細を説明する。
In general, with respect to a circuit with relatively poor reflection, it is possible to improve reflection in the vicinity of the center frequency by arranging two identical circuits and inserting a transmission line having a center frequency of λ / 4 between them. However, such a configuration increases the size of the circuit. Moreover, the frequency characteristic becomes a narrow band, and it is not possible to obtain a good reflection characteristic over a wide frequency range exceeding the octave.
In the equalizer for compensating frequency characteristics according to this embodiment, a high-pass filter circuit is formed in a high frequency region of a use frequency band (hereinafter referred to as a compensation band) for performing frequency compensation, and a π-type attenuation circuit is formed in a high frequency region of the compensation band. Thus, a flat reflection characteristic can be obtained in a high-frequency circuit to be connected in a wide frequency range.
The configuration of this equalizer will be described in detail by the following embodiment.
実施の形態1．
図1は、この発明の実施の形態1における周波数イコライザの回路構成を例示するものである。
図1において、入出力端子１、２（１、２のいずれか一方が入力端子、他方が出力端子）に、主線路である伝送線路３、４がそれぞれ接続される。伝送線路３、４と直列に、第１の抵抗である抵抗５が接続される。抵抗５の両端にはキャパシタ６が接続されて、抵抗５とキャパシタ６とで並列回路が構成される。
FIG. 1 illustrates a circuit configuration of a frequency equalizer according to
In FIG. 1,
上記並列回路の両端には、入出力端子１、２に対して並列に、第２、第３の抵抗である抵抗７、９がそれぞれ接続される。抵抗７、９には、第１、第２のインダクタであるインダクタ８、１０がそれぞれ接続されて、それぞれ第１、第２の直列回路を構成している。
キャパシタ６は、補償帯域の高周波数領域側（高周波数端）で、抵抗５の抵抗値に対してインピーダンスの大きさが低くなる。また、補償帯域の低周波数領域側（低周波数端）で、抵抗５の抵抗値に対してインピーダンスの大きさが高くなる。また、インダクタ８、１０は、補償帯域の高周波数領域側で、抵抗７、９の抵抗値に対してそれぞれインピーダンスが高くなる。また、補償帯域の低周波数領域側で、抵抗７、９の抵抗値に対してそれぞれインピーダンスが低くなる。
The
図２は、図１の回路をマイクロストリップ線路で構成した場合の、パターン配置の構成例を示す図である。
図２において、誘電体基板２０上に、抵抗５、７、９がシート抵抗で構成されている。キャパシタ６はくし形パターンを有するインタデジタル形のキャパシタを構成している。インダクタ８、１０はスパイラル形で一体的に形成され、一端子が抵抗７、９にそれぞれ接続されている。インダクタ８、１０の他端子はビアホール２１を介して接地されている。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a pattern arrangement when the circuit of FIG. 1 is configured by a microstrip line.
In FIG. 2,
このように構成された周波数イコライザにおいて、補償帯域の高周波数領域では、キャパシタ６のインピーダンスが抵抗５の抵抗値よりも低くなる。その結果、伝送線路３、４に直列に装荷された抵抗５とキャパシタ６との並列回路は、抵抗５の効果が低下して、キャパシタ６の効果がより大きくなる。
In the frequency equalizer configured as described above, the impedance of the
また、補償帯域の高周波数領域では、インダクタ８、１０のインピーダンスが抵抗７、９の抵抗値よりも高くなる。その結果、伝送線路３、４に並列に装荷された抵抗７とインダクタ８、抵抗９とインダクタ１０との各直列回路は、抵抗７、９の効果が低下して、インダクタ８、１０の効果がより大きくなる。
In the high frequency region of the compensation band, the impedances of the
これにより、図1の回路は、高周波数領域で実効的に図3の回路に近似できる。図3はハイパスフィルタ回路となっており、高周波数領域での通過特性が低く、反射特性を良好にできる。 Thereby, the circuit of FIG. 1 can be effectively approximated to the circuit of FIG. 3 in a high frequency region. FIG. 3 shows a high-pass filter circuit, which has a low pass characteristic in a high frequency region and a good reflection characteristic.
一方、補償帯域の低周波数領域では、キャパシタ６のインピーダンスが増加し、抵抗５の抵抗値よりも大きくなる。その結果、伝送線路３、４に直列に装荷された抵抗５とキャパシタ６との並列回路は、キャパシタ６の効果が低下して、抵抗５の効果がより大きくなる。
On the other hand, in the low frequency region of the compensation band, the impedance of the
また、補償帯域の低周波数領域では、インダクタ８、１０のインピーダンスが抵抗７、９の抵抗値よりも低くなる。その結果、伝送線路３、４に並列に装荷された抵抗７とインダクタ８、抵抗９とインダクタ１０との各直列回路は、インダクタ８、１０の効果が低下して、抵抗７、９の効果がより大きくなる。
In the low frequency region of the compensation band, the impedances of the
これにより、図1の回路は、低周波数領域で実効的に図４の回路に近似できる。図４はπ形の減衰回路となっており、一定の減衰量を低反射で実現できる。 Thereby, the circuit of FIG. 1 can be effectively approximated to the circuit of FIG. 4 in the low frequency region. FIG. 4 shows a π-type attenuation circuit, which can realize a constant attenuation with low reflection.
従って、図１の回路の通過特性及び反射特性は、図2のように誘電体基板上に構成した場合の一例として、図５に示すようになる。図において、（ａ）は通過特性、（ｂ）は反射特性を示す。また、図５（ａ）の縦軸は減衰量、横軸は周波数を示し、図５（ｂ）の縦軸はＶＳＲＷ（Voltage Standing Wave Ratio；電圧定在波比）、横軸は周波数を示す。
このように、本実施の形態により、オクターブを超えるような補償帯域の全帯域に亘って、広帯域に良好な反射特性を保持することができる。同時に、補償帯域の高周波数領域で減衰量を低減し、低周波数領域で減衰量を増加させる所望の特性を得ることができる。
Therefore, the transmission characteristics and reflection characteristics of the circuit of FIG. 1 are as shown in FIG. 5 as an example of the case where the circuit is configured on a dielectric substrate as shown in FIG. In the figure, (a) shows transmission characteristics and (b) shows reflection characteristics. 5A, the vertical axis represents attenuation, the horizontal axis represents frequency, the vertical axis in FIG. 5B represents VSRW (Voltage Standing Wave Ratio), and the horizontal axis represents frequency. .
Thus, according to the present embodiment, it is possible to maintain a good reflection characteristic in a wide band over the entire compensation band exceeding the octave. At the same time, it is possible to obtain desired characteristics that reduce the attenuation in the high frequency region of the compensation band and increase the attenuation in the low frequency region.
一般に、増幅器、ミクサ、スイッチ、伝送線路等のマイクロ波回路やミリ波回路等の高周波回路は、高周波数になるにつれて、導体損、誘電体損ともに増大して、回路損失が増加する傾向がある。
これに対して、本実施の形態により図５の特性を得ることができるので、上記高周波回路内に本実施の形態のイコライザを装荷することによって、高周波数になるにつれて損失が増大する特性を、広帯域に打ち消すことが出来、上記高周波回路を搭載する機器の周波数特性を、平坦化することができる。
In general, microwave circuits such as amplifiers, mixers, switches, and transmission lines, and high-frequency circuits such as millimeter-wave circuits tend to increase circuit loss as both the conductor loss and dielectric loss increase as the frequency increases. .
On the other hand, since the characteristic of FIG. 5 can be obtained according to the present embodiment, by loading the equalizer of the present embodiment in the high-frequency circuit, the characteristic that the loss increases as the frequency becomes higher, It is possible to cancel out in a wide band, and it is possible to flatten the frequency characteristics of a device equipped with the high-frequency circuit.
また、本実施の形態は、図５（ｂ）のように広帯域に良好な反射特性を有するため、本実施の形態を装荷することによる多重反射の影響を軽減でき、所望の補償特性を容易に得ることができる。また、本実施の形態は回路単体で良好な反射特性を有するため、同一回路を中心周波数でλ／４の線路で挟むような、帯域を制限する反射補償回路を組む必要が無く、回路を小形化、広帯域化することができる。 In addition, since the present embodiment has a good reflection characteristic in a wide band as shown in FIG. 5B, the influence of multiple reflection caused by loading this embodiment can be reduced, and a desired compensation characteristic can be easily obtained. Obtainable. In addition, since the present embodiment has good reflection characteristics with a single circuit, there is no need to construct a reflection compensation circuit that limits the band such that the same circuit is sandwiched between λ / 4 lines at the center frequency, and the circuit is reduced in size. Can be widened.
さらに、入出力端子１、２に接続される負荷抵抗値Z0(Ω)、補償帯域の低周波数領域での減衰量A(dB)、入出力端子に直列に装荷される抵抗5の抵抗値R1(Ω)、並列に装荷される抵抗７、９の抵抗値R2(Ω)、R３(Ω)について、
Furthermore, the load resistance value Z 0 (Ω) connected to the input /
とすることにより、反射を生じさせること無く、自在に低周波数領域での補償減衰量Aを得ることができる。 By doing so, it is possible to freely obtain the compensation attenuation amount A in the low frequency region without causing reflection.
さらに、図２の回路では、キャパシタを誘電体基板上に一体成形できるインタデジタル形、インダクタをスパイラル形で構成したが、キャパシタを誘電体を挟んだチップコンデンサや基板上のMIM(Metal-Insulator-Metal)形としたり、インダクタを高インピーダンス線路やパターン間を接続させたボンディングワイヤとしても良い。これは以降の実施の形態についても同様である。このようにパターンニングによって誘電体基板上に周波数イコライザの回路を構成することによって、製造も容易で安価になる。 In addition, in the circuit of FIG. 2, the capacitor is integrated with an interdigital type that can be integrally formed on a dielectric substrate, and the inductor is configured with a spiral shape. (Metal) type, or an inductor may be a high impedance line or a bonding wire in which patterns are connected. The same applies to the following embodiments. In this manner, by forming a frequency equalizer circuit on the dielectric substrate by patterning, manufacturing is easy and inexpensive.
さらに、図２の回路では、並列回路について伝送線路３、４より、抵抗７、９、インダクタ８、１０の順で回路を構成している。しかし、これを逆にインダクタ８、１０、抵抗７、９の順としても良い。
一般に、マイクロ波領域ではインダクタ、キャパシタは完全な集中定数とはならず、電気長を有するため、分布定数的な特性も有する。
従って、並列回路の抵抗７、９とインダクタ８、１０の順番を逆にすることにより、補償特性の設定自由度を向上させることができる。
Further, in the circuit of FIG. 2, the circuit is configured in the order of
In general, in the microwave region, inductors and capacitors do not have complete lumped constants but have electric lengths, and thus have distributed constant characteristics.
Accordingly, by reversing the order of the
これは、以降の実施の形態についても同様である。また、図２ではマイクロストリップ線路で示しているが、トリプレート線路、コプレナー線路等伝送線路の形態を問わないことは言うまでもない。
また、本実施の形態では、抵抗７、９の抵抗値、インダクタ８、１０のインダクタ値をそれぞれ同一としたが、入出力の反射量の最適化等で異なる値としてもよい。
The same applies to the following embodiments. Moreover, although it has shown with the microstrip line in FIG. 2, it cannot be overemphasized that the form of transmission lines, such as a triplate line and a coplanar line, is not ask | required.
In the present embodiment, the resistance values of the
以上説明したように、伝送線路と、上記伝送線路に対し直列に装荷された第１の抵抗と、当該第１の抵抗に並列に接続されたキャパシタと、上記第１の抵抗の両端で、上記伝送線路と並列にそれぞれ装荷された第２、第３の抵抗と、当該第２、第３の抵抗に、それぞれ一端が接続され他端が短絡された第１、第２のインダクタとを備えて、キャパシタとして、使用周波数帯の、高周波数領域側で当該第１の抵抗の抵抗値よりもインピーダンスが低くなり、低周波数領域側で当該第１の抵抗の抵抗値よりもインピーダンスが高くなるものを用いて、インダクタとして、使用周波数帯の、高周波数領域で当該第１の抵抗の抵抗値よりもインピーダンスがそれぞれ高くなり、低周波数領域側で当該第１の抵抗の抵抗値よりもインピーダンスがそれぞれ低くなるものを用いて、周波数イコライザを構成することにより、オクターブを超える広帯域な周波数範囲で、良好な反射特性を得ることができる。 As described above, the transmission line, the first resistor loaded in series with the transmission line, the capacitor connected in parallel to the first resistance, and both ends of the first resistor, Second and third resistors respectively loaded in parallel with the transmission line, and first and second inductors having one end connected to the second and third resistors and the other end short-circuited, respectively. As a capacitor, a capacitor whose impedance is lower than the resistance value of the first resistor on the high frequency region side of the operating frequency band and whose impedance is higher than the resistance value of the first resistor on the low frequency region side. As an inductor, the impedance is higher than the resistance value of the first resistor in the high frequency region of the operating frequency band, and the impedance is higher than the resistance value of the first resistor on the low frequency region side. Using what is lower, by configuring the frequency equalizer, a broadband frequency range exceeding octave, it is possible to obtain good reflection characteristics.
また、このイコライザの入出力端子を高周波回路に接続して、高周波回路を周波数補償することにより、その出力信号について、平坦な周波数特性を得ることができる。 Further, by connecting the input / output terminal of the equalizer to a high frequency circuit and compensating the frequency of the high frequency circuit, a flat frequency characteristic can be obtained for the output signal.
実施の形態２．
図６はこの発明の実施の形態２における周波数イコライザを示すものであり、図７は図６の回路を実パターン上にマイクロストリップ線路で構成した場合の１構成例である。
図６において、入出力端子１に接続された伝送線路３に対し直列に、第１の抵抗である抵抗５と、第１のキャパシタであるキャパシタ６とから構成される第１の並列回路が、装荷される。キャパシタ６は補償帯域の高周波数領域で、抵抗５の抵抗値よりも低いインピーダンスを有する。キャパシタ６は補償帯域の低周波数領域で、抵抗５の抵抗値よりも高いインピーダンスを有する。
FIG. 6 shows a frequency equalizer according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 7 shows an example of a configuration in which the circuit of FIG. 6 is configured by a microstrip line on an actual pattern.
In FIG. 6, a first parallel circuit composed of a
また、入出力端子２に接続された伝送線路４に対し直列に、第２の抵抗である抵抗１１と、第２のキャパシタであるキャパシタ１２とから構成される第２の並列回路が、装荷される。キャパシタ１２は補償帯域の高周波数領域で、抵抗１１の抵抗値よりも低いインピーダンスを有する。キャパシタ１２は補償帯域の低周波数領域で、抵抗１１の抵抗値よりも高いインピーダンスを有する。
A second parallel circuit composed of a
第１の並列回路と第２の並列回路の間で、第３の抵抗である抵抗７が、伝送線路３、４に対して並列に接続される。抵抗７には短絡されたインダクタ８が接続される。インダクタ８は補償帯域の高周波数領域で、抵抗１１の抵抗値よりも高いインピーダンスを有する。インダクタ８は補償帯域の低周波数領域で、抵抗１１の抵抗値よりも低いインピーダンスを有する。
その他は、図1と同様に構成されている。
A
The rest of the configuration is the same as in FIG.
このように構成された周波数イコライザにおいて、図２の場合と同様に補償帯域の高周波数領域では、図６の回路はキャパシタ（キャパシタ６）、インダクタ（インダクタ７）、キャパシタ（キャパシタ１２）で構成される、ハイパスフィルタの等価回路に近似される。
また、補償帯域の低周波数領域では、抵抗（抵抗５）、抵抗（抵抗７）、抵抗（抵抗１１）で構成される、Ｔ形減衰回路の等価回路に近似される。
In the frequency equalizer configured in this way, the circuit of FIG. 6 is composed of a capacitor (capacitor 6), an inductor (inductor 7), and a capacitor (capacitor 12) in the high frequency region of the compensation band as in FIG. It is approximated to an equivalent circuit of a high-pass filter.
Further, in the low frequency region of the compensation band, it is approximated to an equivalent circuit of a T-type attenuation circuit composed of a resistor (resistor 5), a resistor (resistor 7), and a resistor (resistor 11).
このため、図５の特性と同様に良好な反射特性を有して、高周波数領域での損失が小さく、低周波数領域での損失が大きい周波数イコライザ回路を構成できる。このように、図１の回路に対して、キャパシタ、インダクタの構成数を変えることができるので、図７のようにマイクロ波帯で実回路を構成する場合に、各キャパシタ、インダクタ素子の寄生成分に応じて、周波数イコライザの設計自由度を上げることができる。 Therefore, it is possible to configure a frequency equalizer circuit that has good reflection characteristics similar to the characteristics of FIG. 5, has a small loss in the high frequency region, and a large loss in the low frequency region. Thus, since the number of capacitors and inductors can be changed with respect to the circuit of FIG. 1, when configuring an actual circuit in the microwave band as shown in FIG. 7, parasitic components of each capacitor and inductor element are used. Accordingly, the design freedom of the frequency equalizer can be increased.
さらに、入出力端子１、２に接続される負荷抵抗値Z0(Ω)、補償帯域の低周波数領域での減衰量A(dB)、入出力端子に直列に装荷される抵抗3,9の抵抗値R1(Ω)、R２(Ω)、並列に装荷される抵抗5の抵抗値R３(Ω)について、
Furthermore, the load resistance value Z 0 (Ω) connected to the input /
実施の形態3．
図８はこの発明の実施の形態３における周波数イコライザを示すものである。
この実施の形態では、図１の周波数イコライザにおいて、キャパシタ６に対して第３のインダクタであるインダクタ１３を直列に装荷する。インダクタ１３はキャパシタ６に直列に接続されて、補償帯域の高周波数領域で直列共振する直列共振回路を構成する。
また、並列に装荷されるインダクタ８、１０に対して、補償帯域の高周波数領域で並列共振する第２、第３のキャパシタであるキャパシタ１４、１５を、それぞれ直列に接続する。これによって、インダクタ８とキャパシタ１４、及びインダクタ９とキャパシタ１５とが、それぞれ並列共振回路を構成する。
FIG. 8 shows a frequency equalizer according to
In this embodiment, an
このような構成とすることにより、補償帯域の高周波数領域の共振周波数では、キャパシタ６とインダクタ１３の直列回路のインピーダンスが0となり、インダクタ８とキャパシタ１４、インダクタ１０とキャパシタ１５の並列回路のインピーダンスがそれぞれ無限大となる。
このため、図8の周波数イコライザの共振周波数での通過損失を最小にすることができる。図8の構成ではこのように共振回路を用いているため、周波数イコライザの装荷されるマイクロ波回路の帯域幅及び周波数特性に応じて、共振回路の周波数特性を設定する。これによって、広帯域マイクロ波回路から比較的狭帯域な回路まで、効果的に特性を補償することができる。
With such a configuration, the impedance of the series circuit of the
Therefore, the passage loss at the resonance frequency of the frequency equalizer of FIG. 8 can be minimized. In the configuration of FIG. 8, the resonance circuit is used in this way, and therefore the frequency characteristic of the resonance circuit is set according to the bandwidth and frequency characteristic of the microwave circuit loaded with the frequency equalizer. Thus, the characteristics can be effectively compensated from a broadband microwave circuit to a relatively narrow band circuit.
また、図8のキャパシタ１４、１５を実回路で構成する場合、図２、７と同様のインタデジタルキャパシタ等の擬似的な集中定数素子で構成してもよいし、補償帯域の高周波数領域でλ/4以下の電気長を有する先端開放スタブとして構成してもよい。
Further, when the
実施の形態４．
本実施の形態では、実施の形態２のキャパシタ６、１２について、実施の形態３と同様に、直列共振するインダクタを装荷する。また、インダクタ８について、並列共振するキャパシタを装荷する。
これによって、実施の形態３と同様に、周波数イコライザの装荷されるマイクロ波回路の帯域幅及び周波数特性に応じて、共振回路の周波数特性を設定することができる。また、広帯域マイクロ波回路から比較的狭帯域な回路まで、効果的に特性を補償することができる。
In this embodiment,
As a result, similarly to the third embodiment, the frequency characteristic of the resonant circuit can be set according to the bandwidth and frequency characteristic of the microwave circuit loaded with the frequency equalizer. In addition, the characteristics can be effectively compensated from a broadband microwave circuit to a relatively narrow band circuit.
1,2 入出力端子、3,4 伝送線路、5,7,9,11 抵抗、6,12,14,15 キャパシタ、8,10,13 インダクタ、20 誘電体基板、21 ビアホール。 1,2 I / O terminals, 3,4 transmission lines, 5,7,9,11 resistors, 6,12,14,15 capacitors, 8,10,13 inductors, 20 dielectric substrates, 21 via holes.
Claims (8)
上記伝送線路に対し直列に装荷された第１の抵抗と、当該第１の抵抗に並列に接続されたキャパシタと、
上記第１の抵抗の両端で、上記伝送線路と並列にそれぞれ装荷された第２、第３の抵抗と、当該第２、第３の抵抗に、それぞれ一端が接続され他端が短絡された第１、第２のインダクタと、
を備えたイコライザ。 A transmission line;
A first resistor loaded in series with the transmission line; a capacitor connected in parallel to the first resistor;
Second and third resistors loaded in parallel with the transmission line at both ends of the first resistor, and one end connected to the second and third resistors, respectively, and the other end short-circuited. 1, a second inductor;
Equalizer with.
上記インダクタは、使用周波数帯の、高周波数領域で当該第１の抵抗の抵抗値よりもインピーダンスがそれぞれ高くなり、低周波数領域側で当該第１の抵抗の抵抗値よりもインピーダンスがそれぞれ低くなる、
ことを特徴とした請求項１記載のイコライザ。 The capacitor has a lower impedance than the resistance value of the first resistor on the high frequency region side of the operating frequency band, and a higher impedance than the resistance value of the first resistor on the low frequency region side,
The inductor has an impedance higher than the resistance value of the first resistor in the high frequency region of the operating frequency band, and has an impedance lower than the resistance value of the first resistor on the low frequency region side.
The equalizer according to claim 1.
上記第１、第２のインダクタとそれぞれ並列に接続されて、使用周波数帯の高周波数領域で当該各インダクタとともに並列共振する第２、第３のキャパシタと、
を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のイコライザ。 A third inductor connected in series with the capacitor and resonating in series with the capacitor in a high frequency region of a use frequency band;
Second and third capacitors connected in parallel with the first and second inductors, respectively, and resonating in parallel with the inductors in a high frequency region of a use frequency band;
The equalizer according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
上記伝送線路に対し直列に縦続的に装荷された第１、第２の抵抗と、当該第１、第２の抵抗にそれぞれ並列に接続された第１、第２のキャパシタと、
上記第１、第２の抵抗の間で、上記伝送線路と並列に装荷された第３の抵抗と、
上記第３の抵抗に一端が直列に接続され他端が短絡されたインダクタと、
を備えたイコライザ。 A transmission line;
First and second resistors loaded in series with respect to the transmission line, and first and second capacitors respectively connected in parallel to the first and second resistors;
A third resistor loaded in parallel with the transmission line between the first and second resistors;
An inductor having one end connected in series to the third resistor and the other end short-circuited;
Equalizer with.
使用周波数帯の、高周波数領域側で当該第１、第２の抵抗の各抵抗値に対してインピーダンスが低くなり、低周波数領域側で当該第１、第２の抵抗の各抵抗値に対してインピーダンスが高くなり、
上記インダクタは、使用周波数帯の、高周波数領域で当該第３の抵抗の抵抗値に対してインピーダンスが高くなり、低周波数領域で当該第３の抵抗の抵抗値に対してインピーダンスが低くなる、
ことを特徴とした請求項５記載のイコライザ。 The first and second capacitors are
In the operating frequency band, the impedance becomes lower with respect to the resistance values of the first and second resistors on the high frequency region side, and with respect to the resistance values of the first and second resistors on the low frequency region side. Impedance increases,
The inductor has a high impedance with respect to the resistance value of the third resistor in the high frequency region of the operating frequency band, and has a low impedance with respect to the resistance value of the third resistor in the low frequency region.
The equalizer according to claim 5, wherein:
上記インダクタと並列に接続されて、使用周波数帯の高周波数領域で当該インダクタとともに並列共振する第３のキャパシタと、
を備えたことを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載のイコライザ。 Second and third inductors connected in series with the first and second capacitors, respectively, and resonating in series with the capacitors in the high frequency region of the operating frequency band;
A third capacitor connected in parallel with the inductor and resonating in parallel with the inductor in a high frequency region of a use frequency band;
An equalizer according to any one of claims 5 to 7, further comprising:
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