JP2006186704A - Method for manufacturing surface acoustic wave device - Google Patents

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芳一 木原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To further miniaturize an SAW device, and to eliminate influence to electric characteristics in the SAW device by an alignment mark. <P>SOLUTION: A manufacturing method of the SAW device comprises a pattern formation process for forming a conductor pattern including an interdigital electrode on a piezoelectric wafer in which the SAW device should be formed, and providing the alignment mark on the piezoelectric wafer; and a cutting process for cutting the piezoelectric wafer to divide the piezoelectric wafer. The alignment mark is provided so that at least one portion of the alignment mark is positioned in the cut margin region of the piezoelectric wafer cut in the cutting process. The alignment mark is made of metal, and is used for, for example detecting the position of the conductor pattern, or forming the conductor pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、弾性表面波装置の製造方法に係り、特に圧電ウェハ上に設けるアライメントマークの配置構造に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a surface acoustic wave device, and more particularly to an arrangement structure of alignment marks provided on a piezoelectric wafer.

圧電効果によって発生する弾性表面波（Surface Acoustic Wave／ＳＡＷ）を利用した弾性表面波装置（以下、ＳＡＷ装置という）は、小型軽量で信頼性に優れることから、携帯電話機の送受信フィルタやアンテナ分波器などに近年広く使用されている。   Surface acoustic wave devices (hereinafter referred to as SAW devices) using surface acoustic waves (SAW) generated by the piezoelectric effect are small, light and highly reliable. In recent years, it has been widely used for containers.

かかるＳＡＷ装置は、一般に圧電ウェハ上に多数のＳＡＷ装置を同時に形成し、これをダイシング装置で切断してチップ化することにより製造される。図４および図５は、ＳＡＷ装置を形成した従来の圧電ウェハの表面を拡大して示すものである。これらの図に示すようにＳＡＷ装置の製造にあたっては、圧電ウェハ１０上のＳＡＷ装置を形成するための各領域（装置形成領域）１にＳＡＷ素子を構成する櫛形電極５（電極指は図示せず）や導体線路６、接続パッド７等の導体パターンを形成し、その後、圧電ウェハ１０を切断して装置形成領域１ごとに分割し、個々のＳＡＷ装置チップとする。   Such a SAW device is generally manufactured by forming a large number of SAW devices on a piezoelectric wafer at the same time and cutting them into chips by a dicing device. 4 and 5 are enlarged views of the surface of a conventional piezoelectric wafer on which a SAW device is formed. As shown in these drawings, in the manufacture of the SAW device, each region (device forming region) 1 for forming the SAW device on the piezoelectric wafer 10 has a comb-shaped electrode 5 (electrode fingers are not shown) constituting the SAW element. ), Conductor lines 6, connection pads 7, and the like, and then the piezoelectric wafer 10 is cut and divided into device formation regions 1 to form individual SAW device chips.

チップ化されたＳＡＷ装置は、外部環境からの影響を軽減するようにパッケージングされる。パッケージングにあたっては、パッケージに対してチップを電気的に接続する必要がある。この接続はバンプまたはワイヤを介して行われ、バンプがそのままパッケージ外部との接続接点となる場合もある。さらに、バンプによりチップとパッケージとを接続するには、バンプをウェハ上に形成する方法、パッケージ上に形成する方法、並びにウェハとパッケージの両方に形成する方法があるが、ＳＡＷ装置を製造する場合には通常、バンプをウェハ上に形成する方法がとられる。   The chipped SAW device is packaged so as to reduce the influence from the external environment. In packaging, it is necessary to electrically connect the chip to the package. This connection is made via bumps or wires, and the bumps may be directly connected to the outside of the package. Further, to connect the chip and the package by bumps, there are a method of forming bumps on the wafer, a method of forming bumps on the package, and a method of forming both on the wafer and package. In general, a method of forming bumps on the wafer is used.

ウェハ上にバンプを形成するには、例えばＡｕを主成分とするバンプをウェハに熱または超音波により接着する方法や、はんだを主成分とするバンプを予め形成しておきこれをウェハ上に移設する方法、また、めっき等の化学的な製造プロセスによってウェハ上にバンプを直接形成する方法がある。ただしＳＡＷ装置では、弾性表面波が伝搬されるチップ表面が汚染されるとその特性が大きく損なわれることから、上記はんだバンプによる方法や上記化学プロセスによる方法を採ることは少なく、Ａｕバンプをウェハ接着する方法が採られることが多い。   In order to form bumps on the wafer, for example, a method in which bumps mainly composed of Au are bonded to the wafer by heat or ultrasonic waves, or bumps mainly composed of solder are formed in advance and transferred to the wafer. And a method of directly forming bumps on the wafer by a chemical manufacturing process such as plating. However, in the SAW device, if the surface of the chip on which the surface acoustic wave is propagated is contaminated, the characteristics of the chip will be greatly impaired. In many cases, a method is used.

一方、Ａｕバンプをウェハ上に形成するには、当該Ａｕバンプを配置すべきウェハ上のパターン位置（例えば接続パッドの位置）を正確に検出する必要がある。この検出には、ウェハ表面に設けたアライメントマーク、または導体線路６、接続パッド７等の一部が使用される。   On the other hand, in order to form the Au bump on the wafer, it is necessary to accurately detect the pattern position (for example, the position of the connection pad) on the wafer where the Au bump is to be disposed. For this detection, an alignment mark provided on the wafer surface or a part of the conductor line 6, the connection pad 7, etc. is used.

具体的には、前記図４および図５に示した例では、ウェハ上の各装置形成領域１に２個ずつアライメントマーク８が設けられている。これらのアライメントマーク８は、認識の容易性並びに導体パターンとの同時形成を可能とするため、導体パターン５〜７と同一の金属材料で通常形成され、撮像装置によって光学的に認識される。撮像装置により取得されたアライメントマーク８の配置パターンは、予め定義された基準パターンと照合され、これにより当該チップの二次元的な位置（Ｘ軸およびＹ軸方向の位置）と傾き（回転角）とを検出する。そして、この位置情報と傾き情報に基づいて接続パッド７に正確にバンプを配置する。尚、かかるアライメントマーク８は、バンプを配置する場合だけでなく、櫛形電極５や導体線路６、接続パッド７等の導体パターンをウェハ上に形成するときなどにも使用される。   Specifically, in the example shown in FIGS. 4 and 5, two alignment marks 8 are provided in each device formation region 1 on the wafer. These alignment marks 8 are usually formed of the same metal material as the conductor patterns 5 to 7 and are optically recognized by the imaging device in order to facilitate recognition and simultaneous formation with the conductor patterns. The arrangement pattern of the alignment marks 8 acquired by the imaging device is collated with a predefined reference pattern, whereby the two-dimensional position (position in the X-axis and Y-axis directions) and inclination (rotation angle) of the chip. And detect. Then, the bump is accurately arranged on the connection pad 7 based on the position information and the inclination information. The alignment mark 8 is used not only when bumps are arranged, but also when a conductor pattern such as the comb-shaped electrode 5, the conductor line 6, and the connection pad 7 is formed on the wafer.

ところで、ＳＡＷ装置のチップサイズは、各種電子機器の小型軽量化から、またチップの製造コストを低減するにはそのサイズを縮小することが最も効果的であることから近年益々縮小化される傾向にある。   By the way, the chip size of the SAW device tends to be increasingly reduced in recent years because it is most effective to reduce the size and weight of various electronic devices and to reduce the chip manufacturing cost. is there.

ところが、ＳＡＷ装置の動作に必要なチップ上のＳＡＷ共振器や、導体パターン自体を微小化するには電気特性上、限度がある一方で、チップの外形サイズをより小さくしようとすると、上記アライメントマークを設けるスペースをチップ上に確保することが難しくなる。   However, there is a limit in terms of electrical characteristics to miniaturize the SAW resonator on the chip and the conductor pattern itself necessary for the operation of the SAW device. It is difficult to secure a space for providing the chip on the chip.

また、アライメントマークは、チップ上で配置面積を占有するだけでなく、ＳＡＷ装置の小型化に伴いその電気特性を劣化させる原因となるおそれがある。アライメントマークは上述のように一般に金属材料で形成されるから、圧電ウェハが高誘電率であることと相まって好ましくない電磁結合や寄生容量を生じさせる可能性があるからである。特に、数百ＭＨｚ以上の高周波数が使用されるＳＡＷ装置では、不要な導体パターンは出来るだけチップ上から排除することが望ましく、装置本来の電気的動作に寄与しない上記アライメントマークがチップ表面に残留していることは好ましくない。   In addition, the alignment mark not only occupies the arrangement area on the chip, but may cause deterioration of its electrical characteristics as the SAW device is downsized. This is because, since the alignment mark is generally formed of a metal material as described above, there is a possibility that undesired electromagnetic coupling and parasitic capacitance may be generated in combination with the high dielectric constant of the piezoelectric wafer. In particular, in a SAW device using a high frequency of several hundred MHz or more, it is desirable to remove unnecessary conductor patterns from the chip as much as possible, and the alignment marks that do not contribute to the original electrical operation of the device remain on the chip surface. It is not preferable to do so.

したがって、本発明の目的は、ＳＡＷ装置のより一層の小型化を可能とするとともに、アライメントマークがＳＡＷ装置の電気特性に及ぼす影響を排除する点にある。   Accordingly, an object of the present invention is to enable further miniaturization of the SAW device and to eliminate the influence of the alignment mark on the electrical characteristics of the SAW device.

前記目的を達成して課題を解決するため、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、弾性表面波装置を形成すべき圧電ウェハ上に櫛形電極を含む導体パターンを形成するとともに、当該圧電ウェハ上にアライメントマークを設けるパターン形成工程と、前記圧電ウェハを切断して前記圧電ウェハを分割する切断工程とを含む弾性表面波装置の製造方法であって、前記切断工程で切断される前記圧電ウェハの切り代領域に前記アライメントマークの少なくとも一部が位置するように前記アライメントマークを形成する。   In order to achieve the object and solve the problem, a method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention forms a conductor pattern including comb-shaped electrodes on a piezoelectric wafer on which a surface acoustic wave device is to be formed, and A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: a pattern forming step of providing an alignment mark on a wafer; and a cutting step of cutting the piezoelectric wafer to divide the piezoelectric wafer, wherein the piezoelectric is cut in the cutting step The alignment mark is formed so that at least a part of the alignment mark is located in a cutting margin region of the wafer.

本発明に係る弾性表面波装置の製造方法では、圧電ウェハ上の弾性表面波（ＳＡＷ）装置を形成すべき複数の領域の各々に導体パターンを形成するとともに、圧電ウェハ上にアライメントマークを設け、圧電ウェハを切断して個々のＳＡＷ装置を作製するが、当該切断を行うときの切り代領域に前記アライメントマークの少なくとも一部が位置するようにアライメントマークを設ける。   In the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, a conductor pattern is formed in each of a plurality of regions where a surface acoustic wave (SAW) device on a piezoelectric wafer is to be formed, and an alignment mark is provided on the piezoelectric wafer. Each SAW device is manufactured by cutting the piezoelectric wafer. The alignment mark is provided so that at least a part of the alignment mark is located in a cutting margin region when the cutting is performed.

かかる切り代領域は、例えばダイシング装置で圧電ウェハを切断する場合に、ダイシング装置の切削刃によって削り取られる部分で、１枚の圧電ウェハ上に複数のＳＡＷ装置を同時に形成する場合、隣接する各装置形成領域の間に切り代領域が必要となる。本発明では、従来ＳＡＷ装置の形成領域に配置されていたアライメントマークの少なくとも一部を、ＳＡＷ装置の形成領域から当該切り代領域に移し、圧電ウェハ上の切り代領域にアライメントマークを配置する。したがって、ＳＡＷ装置の形成領域内にアライメントマークを配していた従来の製造方法と較べ、本発明によればアライメントマークの面積を縮小又は削除でき、個々のＳＡＷ装置をより一層小型化することが可能となる。   For example, when a piezoelectric wafer is cut by a dicing device, the cutting allowance region is a portion that is scraped off by a cutting blade of the dicing device. When a plurality of SAW devices are simultaneously formed on one piezoelectric wafer, adjacent devices are separated from each other. A cutting allowance region is required between the formation regions. In the present invention, at least a part of the alignment mark that is conventionally arranged in the formation area of the SAW device is transferred from the formation area of the SAW device to the cut margin area, and the alignment mark is arranged in the cut margin area on the piezoelectric wafer. Therefore, as compared with the conventional manufacturing method in which the alignment mark is arranged in the formation region of the SAW device, according to the present invention, the area of the alignment mark can be reduced or deleted, and each SAW device can be further downsized. It becomes possible.

また本発明では、圧電ウェハの切断後はアライメントマークの全部または一部が除去され、作製されたＳＡＷ装置は当該装置の動作にとって不必要なアライメントマークが無い、または一部のみが残留するものとなるから、アライメントマークがＳＡＷ装置の電気特性に影響を及ぼすことを排除しまたは低減することが可能となる。   In the present invention, after the piezoelectric wafer is cut, all or a part of the alignment mark is removed, and the manufactured SAW device has no alignment mark unnecessary for the operation of the device or only a part thereof remains. Thus, it is possible to eliminate or reduce the influence of the alignment mark on the electrical characteristics of the SAW device.

尚、上記「アライメントマークの少なくとも一部が位置する」とは、アライメントマーク全体が切り代領域に含まれるか、またはアライメントマークが部分的に（その一部が）切り代領域にかかるように配置されることを意味する。   Note that “at least a part of the alignment mark is located” means that the entire alignment mark is included in the cutting margin area, or the alignment mark is partially (partly) covered in the cutting margin area. Means that

本発明において、アライメントマーク全体が切り代領域に入るように配置することは、切断工程でアライメントマークを各ＳＡＷ装置から完全に取り除き、アライメントマークがＳＡＷ装置の電気的特性に影響を与えることを防ぐ点で好ましい。   In the present invention, arranging the entire alignment mark so as to enter the cutting allowance region completely removes the alignment mark from each SAW device in the cutting process, and prevents the alignment mark from affecting the electrical characteristics of the SAW device. This is preferable.

一方、本発明ではアライメントマークの一部が切り代領域にかかるような配置構成としても良い。切り代領域にアライメントマークを設けることは、ウェハだけでなくアライメントマークを同時に切断することとなるため、例えばダイシング装置でウェハを切断するときに切削刃に負担を掛ける側面があるからである。アライメントマーク全体ではなく、その一部が切り代領域にかかるよう配置すれば、かかる切削刃への負担を軽減することが出来る。   On the other hand, in the present invention, an arrangement configuration in which a part of the alignment mark covers the cutting allowance region may be adopted. This is because providing the alignment mark in the cutting allowance region cuts not only the wafer but also the alignment mark at the same time. For example, there is a side surface that places a burden on the cutting blade when the wafer is cut by a dicing apparatus. If the alignment mark is arranged so that a part of the alignment mark covers the cutting allowance region, the burden on the cutting blade can be reduced.

また、本発明にいうアライメントマークには、前記導体パターンの位置を検出可能なパターン位置検出用の金属製マーク、および前記導体パターンを形成するために使用されるパターン形成用の金属製マークが含まれる。尚、アライメントマークの形状は、特に限定されず、例えば円形や十字形、直線パターンその他様々な形状を有するものであって良い。また、周囲にパターン認識エラーを引き起こすような類似の形状が無いことが好ましい。   The alignment mark referred to in the present invention includes a metal mark for pattern position detection capable of detecting the position of the conductor pattern, and a metal mark for pattern formation used to form the conductor pattern. It is. The shape of the alignment mark is not particularly limited, and may be, for example, a circular shape, a cross shape, a linear pattern, or other various shapes. Also, it is preferable that there are no similar shapes that cause pattern recognition errors in the surroundings.

また、本発明に係る弾性表面波（ＳＡＷ）装置は、櫛形電極を含む導体パターンを圧電基板上に備えた弾性表面波装置であって、前記圧電基板は、圧電ウェハを切断することにより形成され、当該圧電ウェハには、アライメントマークが設けられ、当該アライメントマークは、前記圧電ウェハを切断するときの切り代領域に少なくとも一部が位置するように設けられる。   A surface acoustic wave (SAW) device according to the present invention is a surface acoustic wave device provided with a conductor pattern including a comb-shaped electrode on a piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate is formed by cutting a piezoelectric wafer. The piezoelectric wafer is provided with an alignment mark, and the alignment mark is provided so that at least a part of the alignment mark is located in a cutting margin region when the piezoelectric wafer is cut.

かかる本発明のＳＡＷ装置によっても、前記本発明の製造方法と同様に、切り代領域に少なくとも一部が位置するようにアライメントマークを設けるから、当該ＳＡＷ装置の動作にとって不必要なアライメントマークが無いか、または一部しか残留しない電気特性に優れたＳＡＷ装置を構成することが出来る。   Also in the SAW device of the present invention, as in the manufacturing method of the present invention, the alignment mark is provided so that at least a part thereof is located in the cutting margin region, and therefore there is no alignment mark unnecessary for the operation of the SAW device. Alternatively, it is possible to construct a SAW device with excellent electrical characteristics that remains only partially.

尚、上記アライメントマークには、前記導体パターンの位置を検出可能なパターン位置検出用の金属製マーク、および前記導体パターンを形成するために使用されるパターン形成用の金属製マークが含まれる。   The alignment mark includes a metal mark for pattern position detection that can detect the position of the conductor pattern, and a metal mark for pattern formation used to form the conductor pattern.

本発明によれば、ＳＡＷ装置をより一層小型化するとともに、アライメントマークがＳＡＷ装置の電気特性に及ぼす影響を排除しまたは低減することが可能となる。   According to the present invention, the SAW device can be further miniaturized, and the influence of the alignment mark on the electrical characteristics of the SAW device can be eliminated or reduced.

本発明の他の目的、特徴および利点は、以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。   Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following description of embodiments of the present invention.

図１は、本発明の一実施形態における圧電ウェハの表面を示すもので、この実施形態の製造方法では、圧電ウェハの表面に多数のＳＡＷ装置を同時に形成し、これらを切断して分割することにより多数のＳＡＷ装置を作製する。   FIG. 1 shows the surface of a piezoelectric wafer in an embodiment of the present invention. In the manufacturing method of this embodiment, a large number of SAW devices are simultaneously formed on the surface of the piezoelectric wafer, and these are cut and divided. Thus, a large number of SAW devices are manufactured.

すなわち、図１に示すように本実施形態では、圧電ウェハ１０の表面に多数の装置形成領域１１を設け、これら装置形成領域１１の各々に、ＳＡＷ素子を構成する櫛形電極５（電極指は図示せず）や接続配線（導体線路）６、接続パッド７等の導体パターンを圧電ウェハ上に設けた金属層（例えばＡｌ合金層）をパターニングすることにより同時に形成する。またこのとき、同時にアライメントマーク３１を、導体パターン５〜７と一緒にパターニングすることにより圧電ウェハ１０上に形成する。さらに、マーク３１は、形成に新たな工程を設けず、導体パターン５〜７と同時に形成することもできる。   That is, as shown in FIG. 1, in this embodiment, a large number of device forming regions 11 are provided on the surface of the piezoelectric wafer 10, and each of these device forming regions 11 has a comb-shaped electrode 5 (electrode fingers are shown in FIG. 1). The metal layer (for example, Al alloy layer) provided on the piezoelectric wafer is simultaneously formed by patterning conductor patterns such as not shown), connection wiring (conductor line) 6 and connection pad 7 on the piezoelectric wafer. At this time, the alignment mark 31 is simultaneously formed on the piezoelectric wafer 10 by patterning together with the conductor patterns 5 to 7. Furthermore, the mark 31 can be formed simultaneously with the conductor patterns 5 to 7 without providing a new process for the formation.

そして、圧電ウェハ１０を切断して装置形成領域１１ごとのチップとする。切断はダイシング装置によって行うが、切断に伴いダイシング装置の切削刃が通過しこれにより削り取られる帯状の部分（切り代）１２が圧電ウェハ上の隣接する各装置形成領域１１間に生じる。したがって、圧電ウェハ上の各装置形成領域１１の間には、一定幅の切り代領域１２が必要となる。本実施形態では、この切り代領域１２に少なくとも一部がかかるように上記アライメントマーク３１を配置する。   Then, the piezoelectric wafer 10 is cut into chips for each device formation region 11. The cutting is performed by a dicing apparatus. A band-like portion (cutting margin) 12 that is cut off by the cutting blade of the dicing apparatus passes along with the cutting and is formed between adjacent device forming regions 11 on the piezoelectric wafer. Accordingly, a cutting margin region 12 having a certain width is required between the device forming regions 11 on the piezoelectric wafer. In the present embodiment, the alignment mark 31 is arranged so that at least a part of the cutting margin region 12 is applied.

アライメントマーク３１は、円形の平面形状を有し、本実施形態では４つのＳＡＷ装置の形成領域１１を１単位としてその対角位置にそれぞれ１個ずつ、１単位（４つのＳＡＷ装置形成領域）につき合計２個ずつ設ける。これら２つのアライメントマーク３１を撮像装置（カメラ）で光学的に捉え、予め規定されたパターンと比較すれば、当該ウェハ（装置形成領域１１）上に形成されたパターンの二次元的な位置（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の位置）と傾き（回転角）を検出することが出来る。さらに、かかる円形のアライメントマーク３１のほか、十字形状あるいはスリット形状を有するアライメントマーク３２，３３を同様に切り代領域１２に設けても良い。   The alignment mark 31 has a circular plane shape, and in this embodiment, the four SAW device formation regions 11 are taken as one unit, one at a diagonal position, and one unit (four SAW device formation regions). 2 in total. If these two alignment marks 31 are optically captured by an imaging device (camera) and compared with a predetermined pattern, the two-dimensional position (X of the pattern formed on the wafer (device forming region 11) is determined. (Position in the axial direction and Y-axis direction) and inclination (rotation angle) can be detected. Further, in addition to the circular alignment mark 31, alignment marks 32 and 33 having a cross shape or a slit shape may be similarly provided in the cutting margin region 12.

また、チップサイズ（装置形成領域１，１１の寸法）は、前記図４に示した従来例では縦が１．６ｍｍで横が２．０ｍｍ、また図５に示した従来例では縦が１．２ｍｍで横が１．７ｍｍ程度であるのに対し、図１に示す本実施形態では、縦が例えば１．１ｍｍで横が例えば１．５ｍｍ程度とすることが出来る。尚、図１は、前記図４および図５よりウェハ表面をさらに拡大して示している。   The chip size (dimensions of the device formation regions 1 and 11) is 1.6 mm in length and 2.0 mm in width in the conventional example shown in FIG. Whereas the width is 2 mm and the width is about 1.7 mm, in the present embodiment shown in FIG. 1, the length can be, for example, 1.1 mm and the width can be, for example, about 1.5 mm. FIG. 1 shows the wafer surface further enlarged than in FIGS. 4 and 5.

さらに、図２は本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置を使用して構成したＳＡＷデバイスの一例を示す断面図である。この図に示すようにＳＡＷデバイス５１は、ベース基板４３上に実装した本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置４１を備えている。尚、当該ＳＡＷデバイスの構造は図示のものに限定されず、様々なものであって良い。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a SAW device configured using the SAW device according to the embodiment of the present invention. As shown in this figure, the SAW device 51 includes a SAW device 41 according to an embodiment of the present invention mounted on a base substrate 43. Note that the structure of the SAW device is not limited to that shown in the figure, and may be various.

また、図３は上記図２に示したＳＡＷデバイス５１に含まれる、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置４１を示すものである。尚、図３はＳＡＷ装置４１の裏面側（ベース基板４３に対向する面側）を示しており、接続パッド７に配したバンプ４２（図２参照）を介して前記ベース基板４３上の導体パターン４４と電気的に接続される。   FIG. 3 shows a SAW device 41 according to an embodiment of the present invention, which is included in the SAW device 51 shown in FIG. 3 shows the back side of the SAW device 41 (the side facing the base substrate 43), and the conductor pattern on the base substrate 43 via the bumps 42 (see FIG. 2) disposed on the connection pads 7. 44 is electrically connected.

また、図３に示すようにこのＳＡＷ装置４１は、前記実施形態に係る製造方法と同様に、一部が圧電ウェハの切り代領域にかかるようにアライメントマークを設けて製造したもので、圧電ウェハをダイシングして形成した圧電基板１０ａの角部や縁部にはアライメントマークの一部３１，３２，３３が残っている。しかしながら、従来のこの種の装置に較べれば、アライメントマークの残留部３１，３２，３３は小さくなっており、当該ＳＡＷ装置の電気特性への影響は低減される。尚、アライメントマークの残留部の形状は、圧電ウェハ上に設けるアライメントマーク形状や配置位置によって様々に相違することとなるから、図示の形状や位置、個数に限られるものではない。   As shown in FIG. 3, the SAW device 41 is manufactured by providing an alignment mark so that a part of the SAW device 41 covers a cutting margin area of the piezoelectric wafer, as in the manufacturing method according to the embodiment. Alignment marks 31, 32, and 33 remain at the corners and edges of the piezoelectric substrate 10 a formed by dicing. However, compared with the conventional device of this type, the remaining portions 31, 32, 33 of the alignment mark are small, and the influence on the electrical characteristics of the SAW device is reduced. The shape of the remaining portion of the alignment mark varies depending on the alignment mark shape and the arrangement position provided on the piezoelectric wafer, and is not limited to the illustrated shape, position, and number.

本実施形態の利点を述べれば次の通りである。   The advantages of this embodiment are as follows.

従来、装置形成領域に設けられていたアライメントマークの配置を替えることで回路形成領域を広くとることができ、より多くの回路素子をチップ上に搭載することが可能となる。また、チップサイズをより一層小さくすることができ、ＳＡＷ装置の製造コストを低減し、装置単価を下げることが出来る。   Conventionally, by changing the arrangement of the alignment marks provided in the device formation region, the circuit formation region can be widened, and more circuit elements can be mounted on the chip. In addition, the chip size can be further reduced, the manufacturing cost of the SAW device can be reduced, and the unit price of the device can be lowered.

また、アライメントマークをチップ上の導体パターンと同じ材料（例えばＡｌ合金）で形成するため、製造工程が増えることもない。また、金属は反射率が高いことから、光学的なパターン認識も容易である。さらに従来のマークと同一形状（例えば円形）で良いため、パターン認識方法を変更する必要も無く、認識精度が低下することもない。また、同一形状であれば配置位置を変更するだけで良いので、従来の認識方法の適用も容易である。   Further, since the alignment mark is formed of the same material (for example, Al alloy) as the conductor pattern on the chip, the manufacturing process does not increase. In addition, since metal has a high reflectance, optical pattern recognition is easy. Furthermore, since it may be the same shape as a conventional mark (for example, a circle), there is no need to change the pattern recognition method, and the recognition accuracy is not lowered. In addition, since it is only necessary to change the arrangement position if the shape is the same, it is easy to apply the conventional recognition method.

さらに、完成されたＳＡＷ装置にとって不要な導体パターン（アライメントマーク）をＳＡＷ素子配置領域から削除しまたは減らすことが出来るから、アライメントマークがＳＡＷ装置の電気特性に与える影響を根源的に削減・排除することが可能となる。   Further, since the conductor pattern (alignment mark) unnecessary for the completed SAW device can be deleted or reduced from the SAW element arrangement region, the influence of the alignment mark on the electrical characteristics of the SAW device is fundamentally reduced or eliminated. It becomes possible.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, It is clear to those skilled in the art that a various change can be made within the range as described in a claim. It is.

例えば、アライメントマークを形成する材料は、Ａｌ合金のほか、金（Ａｕ）その他の金属・合金であっても良く、さらに金属以外の材料で形成することも可能である。またアライメントマークは、パターンの位置検出を利用する工程、バンプの形成や配置、ＳＡＷ素子電極の形成、配線・接続パッド等の導体パターンの形成時に使用されるほか、他の位置検出を利用する用途に使用されるものであって良く、使用用途は特に限定されない。またアライメントマークは、切り代領域に完全に含まれるように配置されていても良い。またアライメントマークは、検出の容易性からチップ上でユニークなパターンであることが望ましいが、形状は特に限定されるものではない。   For example, the material for forming the alignment mark may be gold (Au) or another metal / alloy in addition to the Al alloy, and may be formed of a material other than metal. Alignment marks are used for pattern position detection, bump formation and placement, SAW element electrode formation, conductor patterns such as wiring and connection pads, and other position detection applications. The usage is not particularly limited. The alignment mark may be arranged so as to be completely included in the cutting margin region. The alignment mark is desirably a unique pattern on the chip for ease of detection, but the shape is not particularly limited.

本発明の製造方法によりＳＡＷ装置を形成した圧電ウェハ表面の一部（アライメントマークの配置例）を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows a part of piezoelectric wafer surface (example of arrangement | positioning of an alignment mark) which formed the SAW apparatus with the manufacturing method of this invention. 本発明に係るＳＡＷ装置を備えたＳＡＷデバイスの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the SAW device provided with the SAW apparatus which concerns on this invention. 前記図２のＳＡＷデバイスに含まれるＳＡＷ装置を示す図である。It is a figure which shows the SAW apparatus contained in the SAW device of the said FIG. 従来の製造方法によりＳＡＷ装置を形成した圧電ウェハ表面の一部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows a part of piezoelectric wafer surface in which the SAW apparatus was formed with the conventional manufacturing method. 従来の製造方法によりＳＡＷ装置を形成した別の圧電ウェハ表面の一部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows a part of another piezoelectric wafer surface in which the SAW apparatus was formed with the conventional manufacturing method.

符号の説明Explanation of symbols

１，１１ ＳＡＷ装置形成領域
２，１２ 切り代領域
５ 櫛形電極
６ 導体線路
７ 接続パッド
８，３１，３２，３３ アライメントマーク
１０ 圧電ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,11 SAW device formation area 2,12 Cutting margin area 5 Comb electrode 6 Conductor line 7 Connection pad 8, 31, 32, 33 Alignment mark 10 Piezoelectric wafer

Claims (6)

弾性表面波装置を形成すべき圧電ウェハ上に櫛形電極を含む導体パターンを形成するとともに、当該圧電ウェハ上にアライメントマークを設けるパターン形成工程と、
前記圧電ウェハを切断して前記圧電ウェハを分割する切断工程と、
を含む弾性表面波装置の製造方法であって、
前記切断工程で切断される前記圧電ウェハの切り代領域に前記アライメントマークの少なくとも一部が位置するように前記アライメントマークを形成する
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 A pattern forming step of forming a conductor pattern including comb-shaped electrodes on a piezoelectric wafer on which a surface acoustic wave device is to be formed, and providing an alignment mark on the piezoelectric wafer;
A cutting step of cutting the piezoelectric wafer and dividing the piezoelectric wafer;
A method of manufacturing a surface acoustic wave device including:
The method of manufacturing a surface acoustic wave device, wherein the alignment mark is formed so that at least a part of the alignment mark is positioned in a cutting margin region of the piezoelectric wafer to be cut in the cutting step. 前記アライメントマークが、前記導体パターンの位置を検出可能なパターン位置検出用の金属製マークである
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。 The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the alignment mark is a metal mark for pattern position detection capable of detecting the position of the conductor pattern. 前記アライメントマークが、前記導体パターンを形成するために使用されるパターン形成用の金属製マークである
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。 The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the alignment mark is a metal mark for pattern formation used for forming the conductor pattern. 櫛形電極を含む導体パターンを圧電基板上に備えた弾性表面波装置であって、
前記圧電基板は、圧電ウェハを切断することにより形成され、
当該圧電ウェハには、アライメントマークが設けられ、
当該アライメントマークは、前記圧電ウェハを切断するときの切り代領域に少なくとも一部が位置するように設けられる
ことを特徴とする弾性表面波装置。 A surface acoustic wave device provided with a conductor pattern including a comb-shaped electrode on a piezoelectric substrate,
The piezoelectric substrate is formed by cutting a piezoelectric wafer,
The piezoelectric wafer is provided with an alignment mark,
The surface acoustic wave device is characterized in that the alignment mark is provided so that at least a part thereof is located in a cutting margin region when the piezoelectric wafer is cut. 前記アライメントマークが、前記導体パターンの位置を検出可能なパターン位置検出用の金属製マークである
ことを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波装置。 The surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the alignment mark is a metal mark for pattern position detection capable of detecting the position of the conductor pattern. 前記アライメントマークが、前記導体パターンを形成するために使用されるパターン形成用の金属製マークである
ことを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波装置。 The surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the alignment mark is a metal mark for pattern formation used to form the conductor pattern.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013539197A (en) * 2010-06-04 2013-10-17 プラスティック ロジック リミテッド Edge detection

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