JP2006179877A5 - - Google Patents
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- 0 Cc1ccc(*(c2ccccc2)C(C=*C2)=C*2=C)cc1 Chemical compound Cc1ccc(*(c2ccccc2)C(C=*C2)=C*2=C)cc1 0.000 description 5
Claims (9)
- 第1の電極と第2の電極との間に、
一般式(1)または一般式(2)で表されるアントラセン誘導体と、前記アントラセン誘導体に対し電子受容性を示す物質とを含む層と、
発光物質を含む層と、
を有することを特徴とする発光素子。
- 前記物質は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物及びレニウム酸化物から選ばれる少なくとも一の金属酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 第1の電極と第2の電極との間に、
第1の層と、第2の層と、第3の層と
を有し、
前記第1の層は、一般式(1)または一般式(2)で表されるアントラセン誘導体と、前記アントラセン誘導体に対し電子受容性を示す第1の物質とを含み、
前記第2の層は、発光物質を含み、
前記第3の層は、1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する第2の物質と、前記第2の物質に対し電子供与性を示す第3の物質とを含む
ことを特徴とする発光素子。
- 前記第1の物質は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物及びレニウム酸化物から選ばれる少なくとも一の金属酸化物であり、
前記第3の物質は、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、ナトリウム酸化物、カリウム酸化物、マグネシウム酸化物、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウムから選ばれる少なくとも一の物質である
ことを特徴とする請求項3に記載の発光素子。 - 第1の電極と第2の電極との間に、
第1の層と、第2の層と、第3の層と
を有し、
前記第1の層は、一般式(1)または一般式(2)で表されるアントラセン誘導体と、前記アントラセン誘導体に対し電子受容性を示す第1の物質とを含み、
前記第2の層は、1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する第2の物質と、前記第2の物質に対し電子供与性を示す第3の物質とを含み、
前記第3の層は、発光物質を含み、
前記第1の層は前記第2の層よりも第1の電極側に設けられ、
前記第3の層は前記第2の層よりも第2の電極側に設けられ、
前記第3の層は、前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも低くなるように電圧を印加したときに発光する
ことを特徴とする発光素子。
- 第1の電極と第2の電極との間に、
第1の層と、第2の層と、第3の層と
を有し、
前記第1の層は、一般式(1)または一般式(2)で表されるアントラセン誘導体と、前記アントラセン誘導体に対し電子受容性を示す第1の物質とを含み、
前記第2の層は、1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する第2の物質と、前記第2の物質に対し電子供与性を示す第3の物質とを含み、
前記第3の層は、電子輸送層と、発光層と、正孔輸送層と、正孔発生層とを含み、
前記第1の層は前記第2の層よりも第1の電極側に設けられ、
前記第3の層は前記第2の層よりも第2の電極側に設けられ、
前記第2の層と前記電子輸送層とは接している
ことを特徴とする発光素子。
- 前記第1の物質は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、及びレニウム酸化物から選ばれる少なくとも一の金属酸化物であり、
前記第3の物質は、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、ナトリウム酸化物、カリウム酸化物、マグネシウム酸化物、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウムから選ばれる少なくとも一の物質である
ことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の発光素子。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光素子を画素若しくは光源として用いていることを特徴とする発光装置。
- 請求項8に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電子機器。
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JP2005337893A JP4809666B2 (ja) | 2004-11-26 | 2005-11-23 | 発光素子、発光装置及び電子機器 |
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JP2004342717 | 2004-11-26 | ||
JP2004342717 | 2004-11-26 | ||
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006179877A5 true JP2006179877A5 (ja) | 2008-12-18 |
JP4809666B2 JP4809666B2 (ja) | 2011-11-09 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005337893A Expired - Fee Related JP4809666B2 (ja) | 2004-11-26 | 2005-11-23 | 発光素子、発光装置及び電子機器 |
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Families Citing this family (1)
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2824411B2 (ja) * | 1995-08-25 | 1998-11-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機薄膜発光素子 |
KR100837029B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2008-06-10 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전자발광 소자 및 페닐렌디아민 유도체 |
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2005
- 2005-11-23 JP JP2005337893A patent/JP4809666B2/ja not_active Expired - Fee Related
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