JP2006176355A - パルスレーザによる微小構造の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリカガラス1にパルスレーザ3の集光照射を行ってパルスレーザ3の焦点3c近傍の該シリカガラス1を改質させ、該パルスレーザ3または該シリカガラス1を走査させながら改質させて該シリカガラス1の表面を1ヶ所以上含んだレーザ改質領域4を形成し、該レーザ改質領域4をエッチングにより除去して該被加工物に微小構造を形成する方法において、該エッチングの工程で水酸化カリウム水溶液をエッチャントとして用いることを特徴とするシリカガラスへの微小構造の形成方法。
【選択図】 図1
Description
[実施例1]
本実施例は、本発明の実施形態における、テーパーを有する微小構造の形成方法に関するものである。サンプルとして全面研磨された合成シリカガラス基板5mm×5mm×3mmを用いた。またレーザによるサンプル内部の改質には、パルス幅150fs、平均出力1W、繰返し周期200kHzのフェムト秒レーザを用い、該シリカガラス基板に深さ2mm、直径8μmのストレートなレーザ改質領域を形成した。
比較例として、従来シリカガラスへのエッチャントとして広く用いられていたフッ化水素酸を用いて、同様の微小構造形成工程を行った。実施例1と同様に、サンプルとして全面研磨された合成シリカガラス基板5mm×5mm×3mmを用いた。またレーザによるサンプルの改質には、パルス幅150fs、平均出力1W、繰返し周期200kHzのフェムト秒レーザを用い、該シリカガラス基板に深さ2mm、直径8μmのストレートなレーザ改質領域を形成した。
2 載置台
3 パルスレーザ
3a パルスレーザ発光源
3b レンズ
3c 焦点
4 レーザ改質領域
5 エッチング槽
6 エッチャント
7 ヒータ
Claims (4)
- シリカガラスにパルスレーザの集光照射を行ってパルスレーザの焦点近傍の該シリカガラスを改質させ、
該パルスレーザまたは該シリカガラスを走査させながら改質させて該シリカガラスの表面を1ヶ所以上含んだレーザ改質領域を形成し、
該レーザ改質領域をエッチングにより除去して該被加工物に微小構造を形成する方法において、
該エッチングの工程で水酸化カリウム水溶液をエッチャントとして用いることを特徴とするシリカガラスへの微小構造の形成方法。 - 前記パルスレーザのパルス幅が、1ps以下であることを特徴とする、請求項1記載のシリカガラスへの微小構造の形成方法。
- 前記パルスレーザの波長が、該被加工物を透過する波長を有することを特徴とする、請求項1〜2のいずれかに記載のシリカガラスへの微小構造の形成方法。
- 前記水酸化カリウム水溶液の濃度が0.1wt%〜50wt%の間にあることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のシリカガラスへの微小構造の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004370268A JP4630971B2 (ja) | 2004-12-21 | 2004-12-21 | パルスレーザによる微小構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004370268A JP4630971B2 (ja) | 2004-12-21 | 2004-12-21 | パルスレーザによる微小構造の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006176355A true JP2006176355A (ja) | 2006-07-06 |
JP4630971B2 JP4630971B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=36730821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004370268A Expired - Fee Related JP4630971B2 (ja) | 2004-12-21 | 2004-12-21 | パルスレーザによる微小構造の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4630971B2 (ja) |
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US8673167B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-03-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US8685269B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
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US8828873B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8828260B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate processing method |
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JP4630971B2 (ja) | 2011-02-09 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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