JP2006174376A - Surface acoustic wave device and communication apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信機器に用いられる弾性表面波フィルタや弾性表面波共振器などの弾性表面波装置およびこれを備えた通信装置に関するものである。 The present invention relates to a surface acoustic wave device such as a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave resonator used in a mobile communication device such as a mobile phone, and a communication device including the same.
従来、携帯電話や自動車電話等の移動体通信機器のＲＦ段に用いられる周波数選択フィルタとして弾性表面波装置が広く用いられている。一般に、周波数選択フィルタに求められる特性としては、広通過帯域・低損失・高減衰特性などが挙げられる。さらに、近年では移動体通信機器の小型・軽量化および低コスト化のため、使用部品の削減が進められ、弾性表面波装置に新たな機能を付加することが要求されてきている。 Conventionally, surface acoustic wave devices have been widely used as frequency selective filters used in the RF stage of mobile communication devices such as mobile phones and automobile phones. In general, characteristics required for a frequency selective filter include a wide passband, a low loss, a high attenuation characteristic, and the like. Furthermore, in recent years, in order to reduce the size, weight, and cost of mobile communication devices, the number of components used has been reduced, and it has been required to add new functions to the surface acoustic wave device.
そのような機能の１つに弾性表面波装置を不平衡入力−平衡出力型または平衡入力−不平衡出力型に構成できるようにするといった、平衡−不平衡変換機能がある。ここで平衡入力または平衡出力とは、信号が２つの信号線路間の電位差を有して入力または出力するものをいい、これに対して、不平衡入力または不平衡出力とは、信号がグランド電位に対する１つの線路の電位を有して入力または出力するものをいう。なお、弾性表面波装置に平衡−不平衡変換機能を持たせるためには、平衡信号端子と不平衡信号端子との間の通過帯域内での伝送特性において、各信号線路の信号は振幅が等しく、位相が180度反転していることが必要であり、それぞれ振幅平衡度，位相平衡度（以下、これらをあわせて平衡度という）と呼んでいる。 One such function is a balanced-unbalanced conversion function such that the surface acoustic wave device can be configured as an unbalanced input-balanced output type or a balanced input-unbalanced output type. Here, the balanced input or balanced output means that a signal is input or output with a potential difference between two signal lines, while the unbalanced input or unbalanced output means that the signal is ground potential. An input or output having the potential of one line with respect to. In order to provide the surface acoustic wave device with a balanced-unbalanced conversion function, the signals of the signal lines have the same amplitude in the transmission characteristics within the passband between the balanced signal terminal and the unbalanced signal terminal. It is necessary that the phase is inverted 180 degrees, which are called amplitude balance and phase balance (hereinafter, these are collectively referred to as balance).
従来の弾性表面波装置は、一般的に不平衡入力−不平衡出力型弾性表面波装置であるため、弾性表面波装置の後段に接続される回路や電子部品が平衡入力型となっている場合は、弾性表面波装置と後段との間に、平衡−不平衡変換器（以下、バランともいう）を挿入した回路構成となっていた。同様に弾性表面波装置前段の回路や電子部品が平衡出力型となっている場合は、前段と弾性表面波装置との間にバランを挿入した回路構成となっていた。 Since conventional surface acoustic wave devices are generally unbalanced input-unbalanced output type surface acoustic wave devices, circuits and electronic components connected to the subsequent stage of the surface acoustic wave device are of a balanced input type. Has a circuit configuration in which a balanced-unbalanced converter (hereinafter also referred to as a balun) is inserted between the surface acoustic wave device and the subsequent stage. Similarly, in the case where the circuit or electronic component in the previous stage of the surface acoustic wave device is a balanced output type, the circuit configuration has a balun inserted between the previous stage and the surface acoustic wave device.
そこで、このようなバランをなくすことで使用部品を削減するために、弾性表面波装置に平衡−不平衡変換機能を持たせた、不平衡入力−平衡出力型弾性表面波装置または平衡入力−不平衡出力型弾性表面波装置の実用化が進められている。 Therefore, in order to reduce the number of parts used by eliminating such a balun, an unbalanced input-balanced output type surface acoustic wave device or a balanced input-unbalanced surface acoustic wave device having a balanced-unbalance conversion function is provided. The balanced output type surface acoustic wave device is being put to practical use.
図16にこのような平衡−不平衡変換機能を持たせた従来の弾性表面波フィルタ1401の平面図を示す（特許文献１参照。）。図16に示すように、弾性表面波フィルタ1401において、圧電基板上に弾性表面波伝搬方向に沿って３個のＩＤＴ（Inter-Digital Transducer）電極1501〜1503を近接配置し、中央のＩＤＴ電極1501を２分割し、音響的には縦続接続，電気的には直列接続となるように平衡信号端子1510，1511にそれぞれ接続し、中央のＩＤＴ電極1501の両側にお互いに極性を反転させたＩＤＴ電極1502，1503を配設し、それぞれを不平衡信号端子1520に接続している。このような構成により、平衡−不平衡変換機能を持たせることができ、さらに平衡信号端子1510，1511側のインピーダンスは、不平衡信号端子1520側のインピーダンス（50Ω）の約４倍（200Ω）とすることができる。なお、近接配置したＩＤＴ電極1501〜1503を挟むように反射器1601，1602を配置している。
FIG. 16 shows a plan view of a conventional surface
また、特許文献２では、図17に示すような、平衡−不平衡変換機能を持たせた弾性表面波素子1701が提案されている。図17に示すように、弾性表面波素子1701において、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って３個のＩＤＴ電極1801〜1803を近接配置し、中央のＩＤＴ電極1801を２分割してそれぞれを平衡信号端子1910，1911に接続し、中央のＩＤＴ電極1801の両側に極性を反転させたＩＤＴ電極1802，1803を配設し、不平衡信号端子1920に接続する。ここで、ＩＤＴ電極1802，1803のうち不平衡信号端子1920に接続されていない側の電極は接地されており、近接配置されたＩＤＴ電極1801〜1803を挟むように反射器1901，1902を配置している。さらにＩＤＴ電極1801に隣接する２つのＩＤＴ電極1802，1803のうち、中央に位置するＩＤＴ電極1801に隣接する最外側電極指が接地されているＩＤＴ電極（この例ではＩＤＴ電極1802）に近い側に位置する平衡信号端子（この例では平衡信号端子1910）に、圧電基板上またはこの弾性表面波素子1701を実装するパッケージの内部または外部にリアクタンス成分（この例では容量2001）を形成している。このような構成とすることにより平衡度（特に位相平衡度）を改善しようとしたものである。
図18〜図20に、図16に示す弾性表面波フィルタ1401および図17に示す構成の弾性表面波素子1701のフィルタ特性を検証した結果を示す。
18 to 20 show results of verifying the filter characteristics of the surface
図18は挿入損失の周波数依存性を、図19はＶＳＷＲの周波数依存性をそれぞれ示した線図であり、図20（ａ）は振幅平衡度の，図20（ｂ）は位相平衡度の周波数依存性を示した線図である。図18〜図20において、実線は図17に示す弾性表面波素子1701において平衡信号端子1910，1911にリアクタンス成分を付加しない構成（すなわち、図16に示す弾性表面波フィルタ1401の構成）の特性を、破線は平衡信号端子1910，1911のどちらか一方にリアクタンス成分として容量2001を並列接続した構成の特性をそれぞれ示している。ここで、破線のうち、長破線は平衡信号端子1910に，短破線は平衡信号端子1911に容量2001を並列接続した構成の特性を示している。これらの図より、図16に示す弾性表面波フィルタ1401および図17に示す構成の弾性表面波素子1701はともに、通過帯域内のうねり（リップル）が大きく、ＶＳＷＲも大きいことが分かった。これは２つの平衡信号端子1510，1511および1910，1911間でインピーダンスの整合が取れていないためと推察される。また、図17に示す構成の弾性表面波素子1701の平衡度は図16に示す弾性表面波フィルタ1401と比べて改善されていないことが確認された。
18 is a diagram showing the frequency dependence of insertion loss, FIG. 19 is a diagram showing the frequency dependence of VSWR, FIG. 20 (a) is the amplitude balance, and FIG. 20 (b) is the frequency of the phase balance. It is the diagram which showed the dependence. 18 to 20, the solid line represents the characteristics of the surface
このように、特許文献１に開示された弾性表面波フィルタ1401および特許文献２に開示された弾性表面波素子1701は、周波数選択フィルタとして求められる挿入損失およびＶＳＷＲの各特性が十分ではないという問題点があった。
As described above, the surface
本発明は上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、低挿入損失および低ＶＳＷＲである優れたフィルタ通過特性を有するとともに、平衡−不平衡変換機能を有する弾性表面波装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and has an object of having an excellent filter pass characteristic of low insertion loss and low VSWR, and a balance-unbalance conversion function. A surface acoustic wave device is provided.
本発明の弾性表面波装置は、１）圧電基板の下面に、この圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極と、この奇数個のＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極と、前記ＩＤＴ電極に接続された接続用パッド電極と、前記ＩＤＴ電極および前記反射器電極および前記接続用パッド電極を取り囲む環状接地電極とを配設してなる弾性表面波素子が、上面に前記環状接地電極と対向する環状接地導体および前記接続用パッド電極と対向する接続用パッド導体ならびに前記環状接地導体に接続された貫通接地導体が形成された実装用基板に、前記圧電基板の前記下面と前記実装用基板の前記上面とを対面させて前記環状接地電極および前記接続用パッド電極がそれぞれ前記環状接地導体および前記接続用パッド導体に接合されて実装されており、前記奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設された前記ＩＤＴ電極は、前記電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに前記接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設された前記ＩＤＴ電極の両側に位置する前記ＩＤＴ電極は、一方の前記櫛歯状電極に前記接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の前記櫛歯状電極が前記環状接地電極に接続されており、前記貫通接地導体は、前記中央に配設された前記ＩＤＴ電極の中心に前記伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることを特徴とするものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention includes 1) a plurality of electrode fingers that are long on the lower surface of the piezoelectric substrate along the direction of propagation of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate. Three or more odd-numbered IDT electrodes, reflector electrodes each provided on both sides of the odd-numbered IDT electrodes and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction, and the IDT electrodes A surface acoustic wave element comprising a connection pad electrode connected to the surface and an annular ground electrode surrounding the IDT electrode, the reflector electrode, and the connection pad electrode is opposed to the annular ground electrode on the upper surface. A mounting substrate on which a ring-shaped ground conductor, a connection pad conductor facing the connection pad electrode, and a through-ground conductor connected to the ring-shaped ground conductor are formed; The annular ground electrode and the connection pad electrode are bonded to the annular ground conductor and the connection pad conductor, respectively, so as to face the upper surface of the mounting substrate, and the center of the odd number of IDT electrodes is mounted. Each of the IDT electrodes disposed on the substrate is divided into two of the opposing comb-like electrodes each having the electrode finger, and the connection pad electrode is connected to each as a balanced signal terminal. The IDT electrodes located on both sides of the IDT electrode disposed on the first electrode are connected to one of the comb-shaped electrodes as an unbalanced signal terminal and the other comb-shaped electrode is connected to the first electrode. The through-grounding conductor is connected to an annular grounding electrode, and the through-grounding conductor is connected to a virtual axis provided in a direction perpendicular to the propagation direction at the center of the IDT electrode disposed at the center. That it is formed asymmetrically is characterized in.
また、本発明の弾性表面波装置は、２）上記１）の構成において、前記貫通接地導体は前記仮想軸に対して非対称に配置されていることを特徴とするものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that 2) in the configuration of 1), the through-grounding conductor is disposed asymmetrically with respect to the virtual axis.
また、本発明の弾性表面波装置は、３）上記１）の構成において、前記貫通接地導体は少なくとも１つの径が他のものの径と異なることを特徴とするものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that, in 3) the configuration of 1), the through-grounding conductor has at least one diameter different from that of the other.
また、本発明の弾性表面波装置は、４）上記１）の構成において、前記貫通接地導体は前記仮想軸の両側で数が異なることを特徴とするものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that 4) In the configuration of 1), the number of the through-grounding conductors is different on both sides of the virtual axis.
また、本発明の弾性表面波装置は、５）上記１）〜４）の構成において、前記貫通接地導体は前記仮想軸に対して非対称に形成されている群に加えて、前記仮想軸に対して対称に形成されている群を有していることを特徴とするものである。 Further, the surface acoustic wave device of the present invention is 5) In the configurations of 1) to 4) above, in addition to the group in which the through-grounding conductor is formed asymmetrically with respect to the virtual axis, And having a group formed symmetrically.
また、本発明の他の弾性表面波装置は、６）圧電基板の下面に、この圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極と、この奇数個のＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極と、前記ＩＤＴ電極に接続された接続用パッド電極と、前記ＩＤＴ電極および前記反射器電極および前記接続用パッド電極を取り囲む環状接地電極とを配設してなる弾性表面波素子が、上面に前記環状接地電極と対向する環状接地導体および前記接続用パッド電極と対向する接続用パッド導体が形成された実装用基板に、前記圧電基板の前記下面と前記実装用基板の前記上面とを対面させて前記環状接地電極および前記接続用パッド電極がそれぞれ前記環状接地導体および前記接続用パッド導体に接合されて実装されており、前記奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設された前記ＩＤＴ電極は、前記電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに前記接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設された前記ＩＤＴ電極の両側に位置する前記ＩＤＴ電極は、一方の前記櫛歯状電極に前記接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の前記櫛歯状電極が前記環状接地電極に接続されており、前記環状接地電極および前記環状接地導体の少なくとも一方は、前記中央に配設された前記ＩＤＴ電極の中心に前記伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることを特徴とするものである。 In another surface acoustic wave device of the present invention, 6) an electrode that is long on a lower surface of the piezoelectric substrate in a direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate. Three or more odd-numbered IDT electrodes having a plurality of fingers, and reflector electrodes each having a plurality of electrode fingers that are arranged on both sides of the odd-numbered IDT electrodes and that are long in a direction perpendicular to the propagation direction; A surface acoustic wave element including a connection pad electrode connected to the IDT electrode and an annular ground electrode surrounding the IDT electrode, the reflector electrode, and the connection pad electrode. A mounting substrate on which an annular ground conductor facing the ground electrode and a connection pad conductor facing the connection pad electrode are formed, with the lower surface of the piezoelectric substrate and the upper surface of the mounting substrate facing each other. An annular ground electrode and the connection pad electrode are mounted to be joined to the annular ground conductor and the connection pad conductor, respectively, and the IDT electrode disposed in the center of the odd number of IDT electrodes includes the electrode One of the opposing comb-like electrodes each having a finger is divided into two, and the connection pad electrode is connected to each as a balanced signal terminal, and is positioned on both sides of the IDT electrode disposed in the center. The IDT electrode is configured such that the connection pad electrode is connected to one of the comb-shaped electrodes as an unbalanced signal terminal, and the other comb-shaped electrode is connected to the annular ground electrode. At least one of the electrode and the annular grounding conductor is in relation to a virtual axis provided in a direction orthogonal to the propagation direction at the center of the IDT electrode disposed at the center. That it is formed asymmetrically is characterized in.
また、本発明の弾性表面波装置は、７）上記６）の構成において、前記環状接地電極および前記環状接地導体の少なくとも一方は、前記仮想軸に対して非対称になるように幅が異なる部分を有していることを特徴とするものである。 In the surface acoustic wave device according to the present invention, in 7) the configuration of 6) above, at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor has portions having different widths so as to be asymmetric with respect to the virtual axis. It is characterized by having.
また、本発明の弾性表面波装置は、８）上記６）または７）の構成において、前記環状接地電極および前記環状接地導体の少なくとも一方は、前記仮想軸に対して非対称に形成されている部分と、前記仮想軸に対して対称に形成されている部分とを有していることを特徴とするものである。 In the surface acoustic wave device according to the present invention, in the configuration of 8) or 6) or 7), at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor is formed asymmetrically with respect to the virtual axis. And a portion formed symmetrically with respect to the virtual axis.
また、本発明の他の弾性表面波装置は、９）圧電基板の下面に、この圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極と、この奇数個のＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極と、前記ＩＤＴ電極に接続された接続用パッド電極と、前記ＩＤＴ電極および前記反射器電極および前記接続用パッド電極を取り囲む環状接地電極とを配設してなる弾性表面波素子が、上面に前記環状接地電極と対向する環状接地導体および前記接続用パッド電極と対向する接続用パッド導体ならびに前記環状接地導体に接続された貫通接地導体が形成された実装用基板に、前記圧電基板の前記下面と前記実装用基板の前記上面とを対面させて前記環状接地電極および前記接続用パッド電極がそれぞれ前記環状接地導体および前記接続用パッド導体に接合されて実装されており、前記奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設された前記ＩＤＴ電極は、前記電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに前記接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設された前記ＩＤＴ電極の両側に位置する前記ＩＤＴ電極は、一方の前記櫛歯状電極に前記接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の前記櫛歯状電極が前記環状接地電極に接続されており、前記貫通接地導体は、前記中央に配設された前記ＩＤＴ電極の中心に前記伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されており、かつ前記環状接地電極および前記環状接地導体の少なくとも一方は、前記仮想軸に対して非対称に形成されていることを特徴とするものである。 In addition, another surface acoustic wave device of the present invention includes: 9) an electrode that is long on the lower surface of the piezoelectric substrate in a direction perpendicular to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate. Three or more odd-numbered IDT electrodes having a plurality of fingers, and reflector electrodes each having a plurality of electrode fingers that are arranged on both sides of the odd-numbered IDT electrodes and that are long in a direction perpendicular to the propagation direction; A surface acoustic wave element including a connection pad electrode connected to the IDT electrode and an annular ground electrode surrounding the IDT electrode, the reflector electrode, and the connection pad electrode. A mounting substrate on which an annular ground conductor facing the ground electrode, a connection pad conductor facing the connection pad electrode, and a through ground conductor connected to the annular ground conductor is formed in front of the piezoelectric substrate. The annular ground electrode and the connection pad electrode are mounted to be joined to the annular ground conductor and the connection pad conductor, respectively, with the lower surface facing the upper surface of the mounting substrate, and the odd number of IDTs The IDT electrode disposed in the center of the electrode has the electrode fingers and one of the opposing comb-like electrodes divided into two, and the connection pad electrode is connected to each as a balanced signal terminal. The IDT electrodes located on both sides of the IDT electrode disposed in the center are connected to one of the comb-like electrodes with the connection pad electrode as an unbalanced signal terminal and the other of the comb-teeth-like shape. An electrode is connected to the annular ground electrode, and the through-ground conductor is provided in the center of the IDT electrode disposed in the center in a direction orthogonal to the propagation direction. It is formed asymmetrically with respect to the axis, and at least one of the annular ground electrode and the annular grounding conductor is characterized in that it is formed asymmetrically with respect to the virtual axis.
また、本発明の弾性表面波装置は、10）上記９）の構成において、前記貫通接地導体は前記仮想軸に対して非対称に配置されていることを特徴とするものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that, 10) in the configuration of 9), the through grounding conductor is disposed asymmetrically with respect to the virtual axis.
また、本発明の弾性表面波装置は、11）上記９）の構成において、前記貫通接地導体は少なくとも１つの径が他のものの径と異なることを特徴とするものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that, in 11) the configuration of 9), the through grounding conductor has at least one diameter different from the diameter of the other.
また、本発明の弾性表面波装置は、12）上記９）の構成において、前記貫通接地導体は前記仮想軸の両側で数が異なることを特徴とするものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that in 12) the configuration of 9), the number of the through grounding conductors is different on both sides of the virtual axis.
また、本発明の弾性表面波装置は、13）上記９）の構成において、前記環状接地電極および前記環状接地導体の少なくとも一方は、前記仮想軸に対して非対称になるように幅が異なる部分を有することを特徴とするものである。 In the surface acoustic wave device according to the present invention, in 13) the configuration of 9) described above, at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor has portions with different widths so as to be asymmetric with respect to the virtual axis. It is characterized by having.
また、本発明の弾性表面波装置は、14）上記９）〜13)のいずれかの構成において、前記貫通接地導体は前記仮想軸に対して非対称に形成されている群に加えて、前記仮想軸に対して対称に形成されている群を有することを特徴とするものである。 In addition, in the surface acoustic wave device according to the present invention, 14) in any one of 9) to 13), in addition to the group in which the through grounding conductor is formed asymmetrically with respect to the virtual axis, It has a group formed symmetrically with respect to the axis.
また、本発明の弾性表面波装置は、15）上記９）〜13)のいずれかの構成において、前記環状接地電極および前記環状接地導体の少なくとも一方は、前記仮想軸に対して非対称に形成されている部分と、前記仮想軸に対して対称に形成されている部分とを有することを特徴とするものである。 In the surface acoustic wave device according to the present invention, in any one of 15) to 9) to 13), at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor is formed asymmetrically with respect to the virtual axis. And a portion formed symmetrically with respect to the virtual axis.
また、本発明の弾性表面波装置は、16）上記１）〜15)のいずれかの構成において、前記不平衡信号端子に、前記伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた１個のＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する弾性表面波共振子が接続されていることを特徴とするものである。 Further, the surface acoustic wave device of the present invention is 16) In any one of the constitutions 1) to 15) described above, the unbalanced signal terminal is arranged along the propagation direction in a direction perpendicular to the propagation direction. Surface acoustic wave having one IDT electrode having a plurality of long electrode fingers, and a reflector electrode having a plurality of long electrode fingers arranged on both sides of the IDT electrode and orthogonal to the propagation direction A resonator is connected.
また、本発明の弾性表面波装置は、17）上記１）〜15)のいずれかの構成において、前記平衡信号端子に、前記伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた１個のＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する弾性表面波共振子が接続されていることを特徴とするものである。 Further, the surface acoustic wave device of the present invention is 17) In any one of the above 1) to 15), the balanced signal terminal is long in the direction perpendicular to the propagation direction along the propagation direction. Surface acoustic wave resonance having one IDT electrode having a plurality of electrode fingers and a reflector electrode having a plurality of electrode fingers arranged on both sides of the IDT electrode and extending in a direction perpendicular to the propagation direction The child is connected.
また、本発明の弾性表面波装置は、18）上記１）〜17)のいずれかの構成において、前記奇数個のＩＤＴ電極の間に、前記伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた挿入反射器電極を配設しており、かつこの挿入反射器電極の隣り合う電極指の中心間距離が、両端部に位置する前記電極指から中央部に位置する前記電極指に向かって漸次短くなっていることを特徴とするものである。 In the surface acoustic wave device according to the present invention, 18) In any one of 1) to 17) above, an electrode finger long in the direction orthogonal to the propagation direction is provided between the odd number of IDT electrodes. A plurality of inserted reflector electrodes are provided, and the distance between the centers of adjacent electrode fingers of the inserted reflector electrode is from the electrode fingers located at both ends to the electrode fingers located at the center. It is characterized by gradually becoming shorter.
また、本発明の通信装置は、19）上記１）〜18)のいずれかの本発明の弾性表面波装置をフィルタ手段として用いた、受信回路および送信回路の少なくとも一方を備えたことを特徴としていることを特徴とするものである。 The communication device of the present invention is characterized in that it comprises 19) at least one of a reception circuit and a transmission circuit using the surface acoustic wave device according to any one of 1) to 18) as a filter means. It is characterized by being.
本発明の弾性表面波装置によれば、１）圧電基板の下面に、この圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極と、この奇数個のＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極と、ＩＤＴ電極に接続された接続用パッド電極と、ＩＤＴ電極および反射器電極および接続用パッド電極を取り囲む環状接地電極とを配設してなる弾性表面波素子が、上面に環状接地電極と対向する環状接地導体および接続用パッド電極と対向する接続用パッド導体ならびに環状接地導体に接続された貫通接地導体が形成された実装用基板に、圧電基板の下面と実装用基板の上面とを対面させて環状接地電極および接続用パッド電極がそれぞれ環状接地導体および接続用パッド導体に接合されて実装されており、奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設されたＩＤＴ電極は、電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設されたＩＤＴ電極の両側に位置するＩＤＴ電極は、一方の櫛歯状電極に接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の櫛歯状電極が環状接地電極に接続されており、貫通接地導体は、中央に配設されたＩＤＴ電極の中心に伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることから、ＩＤＴ電極を接地するまでの経路に環状接地電極，環状接地導体，仮想軸に対して非対称に形成された貫通接地導体を介していることよりインダクタンス成分が接続されていることとなるので、これらのインダクタンス成分が整合回路の働きをし、その結果、低挿入損失および低ＶＳＷＲのフィルタ通過特性の優れたものとなる。また、このようなインダクタンス成分の大きさは貫通接地導体の設計により簡単に調整することができるので、所望の整合回路としての機能を持たせることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。さらに、インダクタンス成分を形成する貫通接地導体は、中央に配設されたＩＤＴ電極の中心に伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることから、反射器電極およびＩＤＴ電極と貫通接地導体とで形成される寄生容量を仮想軸の両側で異ならせることができるので、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極間のインピーダンスが整合するように微調整することができ、より平衡度の高いものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 1) An electrode finger that is long in the direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate is provided on the lower surface of the piezoelectric substrate. A plurality of odd-numbered IDT electrodes of three or more, reflector electrodes each provided on both sides of the odd-numbered IDT electrodes, and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction; and IDT electrodes A surface acoustic wave element comprising a connection pad electrode connected to the electrode and an annular ground electrode surrounding the IDT electrode, reflector electrode, and connection pad electrode is provided on an upper surface of the annular ground conductor facing the annular ground electrode. In addition, the mounting substrate on which the connecting pad conductor facing the connecting pad electrode and the through grounding conductor connected to the annular grounding conductor are formed is annularly contacted with the lower surface of the piezoelectric substrate facing the upper surface of the mounting substrate. The electrode and the connection pad electrode are respectively bonded and mounted on the annular ground conductor and the connection pad conductor, and the IDT electrode disposed in the center of the odd number of IDT electrodes has an electrode finger and faces each other. One of the comb-like electrodes is divided into two, and the connection pad electrode is connected to each as a balanced signal terminal, and the IDT electrodes located on both sides of the IDT electrode arranged in the center are one comb-like electrode. The connection pad electrode is connected to the electrode as an unbalanced signal terminal, and the other comb-like electrode is connected to the annular ground electrode. The through-ground conductor is propagated in the center of the IDT electrode disposed in the center. Since it is formed asymmetrically with respect to the virtual axis provided in the direction orthogonal to the ring, the path to ground the IDT electrode is asymmetric with respect to the annular ground electrode, the annular ground conductor, and the virtual axis. Since the inductance components are connected through the formed through-ground conductor, these inductance components function as a matching circuit, and as a result, low insertion loss and low VSWR filter pass characteristics. It will be excellent. Further, since the magnitude of such an inductance component can be easily adjusted by the design of the through-grounding conductor, it can have a function as a desired matching circuit, resulting in a low insertion loss and a low VSWR, and a filter passing characteristic. Can be obtained with good productivity. Further, the through-grounding conductor forming the inductance component is formed asymmetrically with respect to the virtual axis provided in the direction orthogonal to the propagation direction at the center of the IDT electrode disposed in the center. Since the parasitic capacitance formed by the electrode, the IDT electrode and the through grounding conductor can be made different on both sides of the virtual axis, fine adjustment is made so that the impedance between the two connection pad electrodes as balanced signal terminals is matched. Can be more balanced.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、２）上記１）の構成において、貫通接地導体は、仮想軸に対して非対称に配置されているときには、貫通接地導体の配置を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 2) in the configuration of 1) above, when the through grounding conductor is disposed asymmetrically with respect to the virtual axis, the arrangement of the through grounding conductor is appropriately set. Since the size of the inductance component can be controlled by this, it is possible to easily obtain a function as a desired matching circuit, and to obtain a low insertion loss and a low VSWR with excellent filter passing characteristics with good productivity. It will be possible.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、３）上記１）の構成において、貫通接地導体は、少なくとも１つの径が他のものの径と異なるときには、貫通接地導体の径を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 3) In the configuration of 1) above, when the through-ground conductor has at least one diameter different from the diameter of the other, the diameter of the through-ground conductor is set appropriately. Since the size of the inductance component can be controlled by this, it is possible to easily obtain a function as a desired matching circuit, and to obtain a low insertion loss and a low VSWR with excellent filter passing characteristics with good productivity. It will be possible.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、４）上記１）の構成において、貫通接地導体は、仮想軸の両側で数が異なるときには、貫通接地導体の数を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 4) in the configuration of 1) above, when the number of through-ground conductors is different on both sides of the virtual axis, the number of through-ground conductors is set appropriately so that the inductance component Therefore, it is possible to easily obtain a function as a desired matching circuit, and to obtain a low insertion loss and a low VSWR with excellent filter passing characteristics with high productivity. Become.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、５）上記１）の構成において、貫通接地導体は、仮想軸に対して非対称に形成されている群に加えて、仮想軸に対して対称に形成されている群を有するときには、仮想軸に対して対称に形成されている群により、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極と貫通接地導体とで形成される容量を仮想軸の両側で等しくすることができ、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極に異なる寄生容量が発生することを抑制することができるので、平衡度の優れたものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 5) In the configuration of 1) described above, the through-grounding conductor is symmetrical with respect to the virtual axis in addition to the group formed asymmetrically with respect to the virtual axis. When a group is formed, the group formed symmetrically with respect to the virtual axis causes the capacitance formed by the two connection pad electrodes as the balanced signal terminal and the through grounding conductor to be on both sides of the virtual axis. Since it can be made equal and it is possible to suppress the occurrence of different parasitic capacitances in the two connection pad electrodes as balanced signal terminals, the balance is excellent.
本発明の弾性表面波装置によれば、６）圧電基板の下面に、この圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極と、この奇数個のＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極と、ＩＤＴ電極に接続された接続用パッド電極と、ＩＤＴ電極および反射器電極および接続用パッド電極を取り囲む環状接地電極とを配設してなる弾性表面波素子が、上面に環状接地電極と対向する環状接地導体および接続用パッド電極と対向する接続用パッド導体が形成された実装用基板に、圧電基板の下面と実装用基板の上面とを対面させて環状接地電極および接続用パッド電極がそれぞれ環状接地導体および接続用パッド導体に接合されて実装されており、奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設されたＩＤＴ電極は、電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設されたＩＤＴ電極の両側に位置するＩＤＴ電極は、一方の櫛歯状電極に接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の櫛歯状電極が環状接地電極に接続されており、環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方は、中央に配設されたＩＤＴ電極の中心に伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることから、ＩＤＴ電極を接地するまでの経路に少なくとも一方が仮想軸に対して非対称に形成されている環状接地電極および環状接地導体を介していることよりインダクタンス成分が接続されていることとなるので、これらのインダクタンス成分が整合回路の働きをし、その結果、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものとなる。また、このようなインダクタンス成分の大きさは環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方の設計により簡単に調整することができるので、所望の整合回路としての機能を持たせることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。さらに、インダクタンス成分を形成する環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方は、中央に配設されたＩＤＴ電極の中心に伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることから、反射器電極およびＩＤＴ電極と環状接地電極および環状接地導体とで形成される寄生容量を仮想軸の両側で異ならせることができるので、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極間のインピーダンスが整合するように微調整することができ、より平衡度の高いものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 6) An electrode finger that is long in the direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate is provided on the lower surface of the piezoelectric substrate. A plurality of odd-numbered IDT electrodes of three or more, reflector electrodes each provided on both sides of the odd-numbered IDT electrodes, and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction; and IDT electrodes A surface acoustic wave element comprising a connection pad electrode connected to the electrode and an annular ground electrode surrounding the IDT electrode, reflector electrode, and connection pad electrode is provided on an upper surface of the annular ground conductor facing the annular ground electrode. In addition, the annular ground electrode and the connection pad electrode are respectively in annular contact with the mounting substrate on which the connection pad conductor facing the connection pad electrode is formed, with the lower surface of the piezoelectric substrate facing the upper surface of the mounting substrate. The IDT electrode, which is bonded to the conductor and the connecting pad conductor and is disposed at the center of the odd number of IDT electrodes, has one electrode finger and each of the opposing comb-like electrodes is 2 Each of the IDT electrodes located on both sides of the IDT electrode disposed in the center is divided into one comb-like electrode and the connection pad electrode is connected to the unbalanced signal. The other comb-shaped electrode is connected to the annular ground electrode and at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor is connected to the center of the IDT electrode disposed in the center with respect to the propagation direction. Since it is formed asymmetrically with respect to the virtual axis provided in the orthogonal direction, an annular contact in which at least one is formed asymmetrically with respect to the virtual axis in the path until the IDT electrode is grounded. Since the inductance component is connected through the electrode and the annular ground conductor, these inductance components function as a matching circuit, resulting in a low insertion loss and a low VSWR, and excellent filter pass characteristics. It will be. In addition, since the magnitude of such an inductance component can be easily adjusted by designing at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor, it can have a function as a desired matching circuit, and can have a low insertion loss. In addition, a low VSWR can be obtained with good productivity with excellent filter passing characteristics. Further, at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor forming the inductance component is formed asymmetrically with respect to a virtual axis provided in the direction orthogonal to the propagation direction at the center of the IDT electrode disposed in the center. Therefore, since the parasitic capacitance formed by the reflector electrode, the IDT electrode, the annular ground electrode and the annular ground conductor can be made different on both sides of the virtual axis, two connection pad electrodes as balanced signal terminals can be obtained. Fine adjustment can be made so that the impedance between the two matches, and the degree of balance becomes higher.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、７）上記６）の構成において、環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方は、仮想軸に対して非対称になるように幅が異なる部分を有するときには、環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方の幅を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 7) In the configuration of 6) above, at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor has a portion having a different width so as to be asymmetric with respect to the virtual axis. In some cases, the size of the inductance component can be controlled by appropriately setting the width of at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor, so that a desired function as a matching circuit can be easily obtained and low insertion can be achieved. Loss and low VSWR are achieved, and a filter having excellent filter passing characteristics can be obtained with high productivity.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、８）上記６）または７）の構成において、環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方は、仮想軸に対して非対称に形成されている部分と、仮想軸に対して対称に形成されている部分とを有しているときには、仮想軸に対して対称に形成されている部分により平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極と環状接地電極および環状接地導体とで形成される容量を仮想軸の両側で等しくすることができるので、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極に異なる寄生容量が発生することを抑制することができるので、平衡度の優れたものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the invention, 8) in the configuration of 6) or 7), at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor is formed asymmetrically with respect to the virtual axis; , Two connection pad electrodes as a balanced signal terminal, an annular ground electrode, and an annular ground electrode, and a portion formed symmetrically with respect to the virtual axis. Since the capacitance formed by the annular ground conductor can be made equal on both sides of the virtual axis, it is possible to suppress the occurrence of different parasitic capacitances in the two connection pad electrodes as balanced signal terminals. It will be excellent.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、９）圧電基板の下面に、この圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極と、この奇数個のＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極と、ＩＤＴ電極に接続された接続用パッド電極と、ＩＤＴ電極および反射器電極および接続用パッド電極を取り囲む環状接地電極とを配設してなる弾性表面波素子が、上面に環状接地電極と対向する環状接地導体および接続用パッド電極と対向する接続用パッド導体ならびに環状接地導体に接続された貫通接地導体が形成された実装用基板に、圧電基板の下面と実装用基板の上面とを対面させて環状接地電極および接続用パッド電極がそれぞれ環状接地導体および接続用パッド導体に接合されて実装されており、奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設されたＩＤＴ電極は、電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設されたＩＤＴ電極の両側に位置するＩＤＴ電極は、一方の櫛歯状電極に接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の櫛歯状電極が環状接地電極に接続されており、貫通接地導体は、中央に配設されたＩＤＴ電極の中心に伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されており、かつ環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方は、仮想軸に対して非対称に形成されていることから、ＩＤＴ電極を接地するまでの経路に少なくとも一方が仮想軸に対して非対称に形成されている環状接地電極および環状接地導体，仮想軸に対して非対称に形成されている貫通接地導体を介していることよりインダクタンス成分が接続されていることとなるので、これらのインダクタンス成分が整合回路の働きをし、その結果、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものとなる。また、このようなインダクタンス成分の大きさは貫通接地導体と環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方との両方の設計により広い範囲にわたって簡単に調整することができるので、所望の整合回路としての機能を持たせることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。さらに、インダクタンス成分を形成する貫通接地導体と、環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方とは、中央に配設されたＩＤＴ電極の中心に伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることから、反射器電極およびＩＤＴ電極と貫通接地導体および環状接地電極および環状接地導体とで形成される寄生容量を仮想軸の両側で異ならせることができるので、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極間のインピーダンスが整合するように微調整することができ、より平衡度の高いものとなる。 Further, according to the surface acoustic wave device of the present invention, 9) an electrode that is long on the lower surface of the piezoelectric substrate in a direction perpendicular to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate Three or more odd-numbered IDT electrodes each having a plurality of fingers, and reflector electrodes each having a plurality of electrode fingers that are arranged on both sides of the odd-numbered IDT electrodes and that are long in the direction orthogonal to the propagation direction; A surface acoustic wave element comprising a connection pad electrode connected to the IDT electrode and an annular ground electrode surrounding the IDT electrode, reflector electrode and connection pad electrode is formed on the upper surface of the annular surface electrode facing the annular ground electrode. The mounting substrate on which the connection pad conductor facing the grounding conductor and the connection pad electrode and the through-grounding conductor connected to the annular grounding conductor are formed with the lower surface of the piezoelectric substrate facing the upper surface of the mounting substrate. The grounding electrode and the connection pad electrode are respectively bonded and mounted on the annular grounding conductor and the connection pad conductor, and the IDT electrode disposed in the center of the odd number of IDT electrodes has an electrode finger. One of the opposing comb-like electrodes is divided into two, and the connection pad electrode is connected to each as a balanced signal terminal. The IDT electrodes located on both sides of the IDT electrode arranged in the center are connected to one comb. The pad electrode for connection is connected to the tooth-like electrode as an unbalanced signal terminal, and the other comb-like electrode is connected to the annular ground electrode. The through-ground conductor is at the center of the IDT electrode disposed in the center. It is formed asymmetric with respect to a virtual axis provided in a direction orthogonal to the propagation direction, and at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor is formed asymmetric with respect to the virtual axis. Therefore, an annular ground electrode and an annular ground conductor, at least one of which is formed asymmetrically with respect to the virtual axis, and a through-ground conductor formed asymmetrically with respect to the virtual axis in the path until the IDT electrode is grounded Since the inductance components are connected through the connection, these inductance components function as a matching circuit, resulting in a low insertion loss and a low VSWR, and an excellent filter passing characteristic. In addition, since the magnitude of such an inductance component can be easily adjusted over a wide range by designing both the through-grounding conductor and the annular grounding electrode and / or the annular grounding conductor, it can function as a desired matching circuit. Thus, a low insertion loss and a low VSWR can be obtained, and a filter having excellent filter passing characteristics can be obtained with high productivity. Furthermore, the through-ground conductor forming the inductance component and at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor are arranged on a virtual axis provided in the direction perpendicular to the propagation direction at the center of the IDT electrode disposed at the center. Since the parasitic capacitance formed by the reflector electrode, the IDT electrode, the through-grounding conductor, the annular grounding electrode, and the annular grounding conductor can be made different on both sides of the virtual axis. Fine adjustment can be made so that the impedance between the two pad electrodes for connection as signal terminals is matched, and the balance becomes higher.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、10）上記９）の構成において、貫通接地導体は仮想軸に対して非対称に配置されているときには、貫通接地導体の配置を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。 Further, according to the surface acoustic wave device of the present invention, 10) in the configuration of 9), when the through-grounding conductor is disposed asymmetrically with respect to the virtual axis, the arrangement of the through-grounding conductor is appropriately set. Since the size of the inductance component can be controlled, a function as a desired matching circuit can be easily obtained, and a low insertion loss and a low VSWR can be obtained with excellent filter passing characteristics with high productivity. It will be a thing.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、11）上記９）の構成において、貫通接地導体は、少なくとも１つの径が他のものの径と異なるときには、貫通接地導体の径を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。 Further, according to the surface acoustic wave device of the present invention, 11) in the configuration of 9), when the through-grounding conductor has at least one diameter different from the diameter of the other, the diameter of the through-grounding conductor is appropriately set. Since the size of the inductance component can be controlled by this, it is possible to easily obtain a function as a desired matching circuit, and to obtain a low insertion loss and a low VSWR with excellent filter passing characteristics with good productivity. It will be possible.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、12）上記９）の構成において、貫通接地導体は、仮想軸の両側で数が異なるときには、貫通接地導体の数を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 12) In the configuration of 9) described above, when the number of through-grounding conductors is different on both sides of the virtual axis, the number of through-grounding conductors is set appropriately so that the inductance component Therefore, it is possible to easily obtain a function as a desired matching circuit, and to obtain a low insertion loss and a low VSWR with excellent filter passing characteristics with high productivity. Become.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、13）上記９）の構成においては、環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方は、仮想軸に対して非対称になるように幅が異なる部分を有しているときには、環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方の幅を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the invention, 13) in the configuration of 9), at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor has a portion having a different width so as to be asymmetric with respect to the virtual axis. If it has, the magnitude of the inductance component can be controlled by appropriately setting the width of at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor, so that a desired function as a matching circuit can be easily obtained. Therefore, a low insertion loss and a low VSWR can be obtained with excellent filter pass characteristics and good productivity.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、14）上記９）〜13）のいずれかの構成において、貫通接地導体は、仮想軸に対して非対称に形成されている群に加えて、仮想軸に対して対称に形成されている群を有しているときには、仮想軸に対して対称に形成されている群により、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極と貫通接地導体とで形成される容量を仮想軸の両側で等しくすることができ、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極に異なる寄生容量が発生することを抑制することができるので、平衡度の優れたものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 14) in any one of the above-mentioned 9) to 13), the through-grounding conductor is a virtual in addition to the group formed asymmetrically with respect to the virtual axis. When a group formed symmetrically with respect to the axis is formed, the group formed symmetrically with respect to the virtual axis is formed by two connection pad electrodes as balanced signal terminals and a through-ground conductor. Since the capacitances to be applied can be made equal on both sides of the virtual axis, and different parasitic capacitances can be prevented from occurring in the two connection pad electrodes as balanced signal terminals, the balance is excellent. .
また、本発明の弾性表面波装置によれば、15）上記９）〜13）の構成において、環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方は、仮想軸に対して非対称に形成されている部分と、仮想軸に対して対称に形成されている部分とを有するときには、仮想軸に対して対称に形成されている部分により、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極と環状接地電極および環状接地導体の少なくとも一方とで形成される容量を仮想軸の両側で等しくすることができるので、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極に異なる寄生容量が発生することを抑制することができるので、平衡度の優れたものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 15) in the configurations of 9) to 13), at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor is formed asymmetrically with respect to the virtual axis; , Two connection pad electrodes as a balanced signal terminal, an annular ground electrode, and an annular ground are formed by the portion formed symmetrically with respect to the virtual axis. Since the capacitance formed with at least one of the conductors can be made equal on both sides of the virtual axis, it is possible to suppress the occurrence of different parasitic capacitances in the two connection pad electrodes as balanced signal terminals. Excellent balance.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、16）上記１）〜15）の構成において、不平衡信号端子に、伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた１個のＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する弾性表面波共振子が接続されているときには、弾性表面波共振子の共振周波数が所望の値となるように弾性表面波共振子を作製することで、弾性表面波共振子に起因する減衰極の位置を制御することができるので、所望の位置に減衰極を形成することができ、通過帯域外の減衰特性の優れたものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 16) In the configurations of 1) to 15) above, the electrode fingers that are long in the direction perpendicular to the propagation direction along the propagation direction are connected to the unbalanced signal terminal. A surface acoustic wave resonator having one IDT electrode provided with a plurality of electrodes and a reflector electrode provided on both sides of the IDT electrode and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction is connected If the surface acoustic wave resonator is manufactured, it is possible to control the position of the attenuation pole caused by the surface acoustic wave resonator by fabricating the surface acoustic wave resonator so that the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator becomes a desired value. Therefore, the attenuation pole can be formed at a desired position, and the attenuation characteristic outside the pass band is excellent.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、17）上記１）〜13）の構成において、平衡信号端子に、伝搬方向に沿って、この伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた１個のＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する弾性表面波共振子が接続されているときには、弾性表面波共振子の共振周波数が所望の値となるように弾性表面波共振子を作製することで、弾性表面波共振子に起因する減衰極の位置を制御することができるので、所望の位置に減衰極を形成することができ、通過帯域外の減衰特性の優れたものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 17) In the configurations of 1) to 13) above, the balanced signal terminal is provided with a long electrode finger in the direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction. A surface acoustic wave resonator having a plurality of IDT electrodes and reflector electrodes each provided on both sides of the IDT electrode and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction is connected. Since the surface acoustic wave resonator is manufactured so that the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator becomes a desired value, the position of the attenuation pole caused by the surface acoustic wave resonator can be controlled. The attenuation pole can be formed at a desired position, and the attenuation characteristics outside the pass band are excellent.
また、本発明の弾性表面波装置によれば、18）上記１）〜17）の構成において、奇数個のＩＤＴ電極の間に、伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を複数備えた挿入反射器電極を配設しており、かつこの挿入反射器電極の隣り合う電極指の中心間距離が、両端部に位置する電極指から中央部に位置する電極指に向かって漸次短くなっているときには、挿入反射器電極により振幅モードを増やすことができるとともに、挿入反射器電極の隣り合う電極指の中心間距離が、両端部に位置する電極指から中央部に位置する電極指に向かって漸次短くなっていることより弾性表面波がバルク波に変換されることを防ぐことができるので、弾性表面波の伝搬を妨げずに振幅モードを増やすことができるので、通過帯域が広帯域なものとなる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, 18) In the configurations of 1) to 17) above, a plurality of long electrode fingers are provided between the odd number of IDT electrodes in a direction orthogonal to the propagation direction. The insertion reflector electrode is disposed, and the distance between the centers of the adjacent electrode fingers of the insertion reflector electrode gradually decreases from the electrode fingers located at both ends toward the electrode finger located at the center. When the insertion reflector electrode is in use, the amplitude mode can be increased, and the distance between the centers of the adjacent electrode fingers of the insertion reflector electrode is increased from the electrode fingers located at both ends toward the electrode finger located at the center. Since the surface wave can be prevented from being converted into a bulk wave by gradually shortening it, the amplitude mode can be increased without impeding the propagation of the surface acoustic wave. Become.
また、本発明の通信装置によれば、19）上記１）〜18）のいずれかの本発明の弾性表面波装置をフィルタ手段として用いた、受信回路および送信回路の少なくとも一方を備えたことから、バランを必要としないため小型化が可能で、かつ低挿入損失および低ＶＳＷＲでフィルタ通過特性の優れた弾性表面波装置を用いることから感度の格段に良好なものとなる。 According to the communication device of the present invention, 19) since at least one of the reception circuit and the transmission circuit using the surface acoustic wave device according to any one of the above 1) to 18) as a filter means is provided. Since a balun is not required, it is possible to reduce the size and use a surface acoustic wave device having a low insertion loss, a low VSWR, and excellent filter passing characteristics, so that the sensitivity is remarkably improved.
以下、本発明の弾性表面波装置について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下に説明する図面において同一の箇所には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、各電極の大きさや電極間の距離，ＩＤＴ電極を構成する電極指の本数や間隔等については、説明のために模式的に図示したものである。 Hereinafter, the surface acoustic wave device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings described below, the same portions are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the size of each electrode, the distance between the electrodes, the number of electrode fingers constituting the IDT electrode, the interval thereof, and the like are schematically illustrated for explanation.
図１および図２（ａ）〜（ｆ）に本発明の弾性表面波装置の第１の実施形態を示す。 1 and 2 (a) to 2 (f) show a first embodiment of a surface acoustic wave device according to the present invention.
図１は本発明の弾性表面波装置の第１の実施形態における弾性表面波素子の一例を示す平面図であり、図２は弾性表面波素子が実装される本発明の弾性表面波装置の第１の実施形態における実装用基板の一例を示す平面図であり、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ実装用基板を構成する各層の平面図である。また、図３（ａ）〜（ｆ），図４（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ本発明の弾性表面波装置の第１の実施形態における実装用基板の他の例を示す各層の平面図である。 FIG. 1 is a plan view showing an example of a surface acoustic wave device according to the first embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the surface acoustic wave device of the present invention on which the surface acoustic wave device is mounted. It is a top view which shows an example of the mounting board | substrate in 1 embodiment, (a)-(f) is a top view of each layer which comprises a mounting board | substrate, respectively. FIGS. 3A to 3F and FIGS. 4A to 4F are plan views of respective layers showing other examples of the mounting substrate in the first embodiment of the surface acoustic wave device of the invention. It is.
図１に示すように、本発明の弾性表面波装置の第１の実施形態における弾性表面波素子101は、圧電基板100の下面に、圧電基板100上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向Ｘに沿って、伝搬方向Ｘに対して直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極、この例では３個のＩＤＴ電極201〜203と、３個のＩＤＴ電極201〜203の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向Ｘに対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極301，302と、ＩＤＴ電極201〜203に接続された接続用パッド電極401〜403と、ＩＤＴ電極201〜203および反射器電極301，302および接続用パッド電極401〜403を取り囲む環状接地電極501とを配設して構成される。
As shown in FIG. 1, the surface
この弾性表面波素子101において、３個のＩＤＴ電極201〜203の中央に配設されたＩＤＴ電極201は、電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに接続用パッド電極402，403が平衡信号端子として接続され、この中央に配設されたＩＤＴ電極201の両側に位置するＩＤＴ電極202，203は、一方の櫛歯状電極に接続用パッド電極401が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の櫛歯状電極が環状接地電極501に接続されている。なお、この例では、ＩＤＴ電極202，203の他方の櫛歯状電極は、それぞれ反射器電極301，302を介して環状接地電極501に接続されている。
In the surface
ここで、弾性表面波素子101に平衡−不平衡変換機能を持たせるために、ＩＤＴ電極202，203は互いに逆位相となるように（極性を反転させるように）電極指を設計する。
Here, in order to provide the surface
また、本発明の弾性表面波装置の第１の実施形態における実装用基板600は、図２（ａ）に示すように、上面に環状接地電極501と対向する環状接地導体701および接続用パッド電極401〜403と対向する接続用パッド導体801〜803ならびに環状接地導体701に接続された貫通接地導体901，902が形成されている。ここで、貫通接地導体901，902は、中央に配設されたＩＤＴ電極201の中心に伝搬方向Ｘに対して直交する方向に設けた仮想軸Ｙに対して非対称に形成されている。
The mounting
実装用基板600は複数層を積層した構造となっている。この例では、上面から順に図２（ａ）〜（ｆ）に示す各層が積層されており、環状接地導体701は貫通接地導体901，902を介して内部接地導体パターン910ａ，910ｂに接続し、内部接地導体パターン910ａ，910ｂを貫通接地導体901，902を介して下面接地導体パターン920ａ，920ｂに接続している。また、接続用パッド導体801〜803は貫通接地導体903を介して下面に形成された信号導体パターン931〜933にそれぞれ接続されている。ここで、図２（ａ）は実装用基板600の上面を、図２（ｂ）は第１層を、図２（ｃ）は図２（ｂ）に示す第１層と図２（ｄ）に示す第２層との間に形成された内部接地導体パターン形成面を、図２（ｄ）は第２層を、図２（ｅ）は下面接地導体パターン形成面を、２（ｆ）は下面を、それぞれ示す平面図となっている。なお、図２（ｆ）において実線部は下面接地導体パターン920ａ，920ｂおよび信号導体パターン931〜933が露出している部位である。
The mounting
このような圧電基板100の下面と実装用基板600の上面とを対面させて環状接地電極501および接続用パッド電極401〜403がそれぞれ環状接地導体701および接続用パッド導体801〜803に接合されて、本発明の弾性表面波装置を得ることができる。
The
弾性表面波素子101は、タンタル酸リチウム等の圧電基板100の下面に、真空成膜装置等を使って導体膜を成膜し、それをフォトリソグラフィの手法を使ってＩＤＴ電極201〜203，反射器電極301，302，接続用パッド電極401〜403および環状接地電極501に加工する、という通常の製造方法で製造することが可能である。なお、ＩＤＴ電極201〜203はアルミニウム等の質量の小さい導体で形成することが好ましい。
In the surface
実装用基板600は、絶縁性の材料からなり、複数の絶縁層を積層したものを用いる。これら絶縁層には例えば、セラミックスやガラスセラミックスが用いられ、セラミックス等の金属酸化物と有機バインダとを有機溶剤等で均質混練したスラリーをシート状に成型したグリーンシートを作製し、所望の導体パターン701，801〜803，910，920，931〜933および貫通導体901〜903のパターンを金属導体により形成した後、これらグリーンシートを積層し圧着することにより一体形成して焼成することによって作製される。
The mounting
弾性表面波素子101を実装用基板600に実装するためには、環状接地電極501および接続用パッド電極401〜403または環状接地導体701および接続用パッド導体801〜803上に半田ペースト，Ａｕ−Ｓｎペースト等からなる接合層をスクリーン印刷等により形成し、両者を対面させて配置後、リフロー溶融させて接合すればよい。
In order to mount the surface
このように圧電基板100と実装用基板600と環状接地電極501と環状接地導体701とによってＩＤＴ電極201〜203および接続用パッド電極401〜403を気密封止してその気密性を良好に保つことができるので、長期にわたって安定に動作させることができる信頼性の高い弾性表面波装置とすることができる。
In this manner, the
このような本発明の弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極202，203を接地するまでの経路に環状接地電極501，環状接地導体701，対称軸Ｙに対して非対称に形成している貫通接地導体901，902を介していることによりインダクタンス成分が接続されていることとなるので、これらのインダクタンス成分が整合回路の働きをし、その結果、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものとなる。また、このようなインダクタンス成分の大きさは貫通接地導体901，902の設計により簡単に調整することができるので、所望の整合回路としての機能を持たせることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。また、インダクタンス成分を形成する貫通接地導体901，902は仮想軸Ｙに対して非対称に形成されていることから、反射器電極301，302およびＩＤＴ電極201〜203と貫通接地導体901，902とで形成される寄生容量を仮想軸Ｙの両側で異ならせることができるので、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極402，403間のインピーダンスが整合するように微調整することができるので、より平衡度の高い弾性表面波装置となる。さらに、反射器電極301，302が環状接地電極501を介して接地されていることより、弾性表面波の反射効率が高いものとなり、通過帯域外の減衰特性が良好な弾性表面波装置となる。
According to the surface acoustic wave device of the present invention as described above, the through grounding formed asymmetrically with respect to the
なお、貫通接地導体901，902は平衡信号端子が接合される接続用パッド導体802，803より不平衡信号端子に接続される接続用パッド導体801に近い側に配置されることが好ましい。このような構成とすることにより、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極402，403に異なる寄生容量が発生することを防ぐことができるので、さらに平衡度の優れたものとすることができる。
The through-
ここで、図２（ａ）に示すように、貫通接地導体901，902は、仮想軸Ｙに対して非対称に形成されている、この例では仮想軸Ｙを挟んで一方側にある貫通接地導体901と他方側にある貫通接地導体902とが仮想軸Ｙに対して非対称に配置されているときには、貫通接地導体901，902の位置を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失，低ＶＳＷＲの優れたものとすることができるので好ましい。
Here, as shown in FIG. 2A, the through-grounding
また、図３（ａ）〜（ｆ）に示すように、貫通接地導体901，902は、少なくとも１つの径が他の径と異なるように、この例では貫通接地導体902の径が貫通接地導体901の径に比べて大きくなるように構成すれば、貫通接地導体901，902の径を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失，低ＶＳＷＲの優れたものとすることができるので好ましい。
Further, as shown in FIGS. 3A to 3F, the through-
また、図４（ａ）〜（ｆ）に示すように、貫通接地導体901，902は、仮想軸Ｙの両側で数が異なるように構成してもよい。すなわち、仮想軸Ｙの一方側に形成される貫通接地導体901と他方側に形成される貫通接地導体902との数を異なるようにしてもよい。このような構成とすることで、貫通接地導体901，902の数を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、挿入損失，ＶＳＷＲの優れたものとすることができる。また、貫通接地導体901，902を多数設けることでＩＤＴ電極202，203を確実に接地することができるので、通過帯域外のフロアレベルの上昇を防ぎ、フィルタ特性の優れた弾性表面波装置とすることができる。なお、貫通接地導体901，902を複数個設けたときには、内部接地導体パターン910ａ，910ｂは、個々の貫通接地導体901，902に対応するようにそれぞれ設けてもよいし、複数個の貫通接地導体901，902が一つの内部接地導体パターンに接続されるように１つに繋げて一体化したものとしてもよいが、図４（ｃ）に示すように、貫通接地導体901，902がそれぞれ接続される内部接地導体パターンが分離しており、かつ、複数個の貫通接地導体902が一つの内部接地導体パターン910ｂに接続されている場合には、仮想軸Ｙの両側でそれぞれ独立してインダクタンス成分の大きさを制御できるとともに、内部接地導体パターン910bの形状・面積を適宜設定することによってさらに精密にインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、平衡度，挿入損失，ＶＳＷＲの優れたものとすることができる。
Further, as shown in FIGS. 4A to 4F, the through-
さらに、貫通接地導体901，902は、仮想軸Ｙに対して非対称に形成されている群に加えて、仮想軸Ｙに対して対称に形成されている群を有するような構成としてもよい。このような構成とすることで、仮想軸Ｙに対して対称に形成されている群により、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極401，402と貫通接地導体901，902とで形成される容量を仮想軸Ｙの両側で等しくすることができるので、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極401，402に異なる寄生容量が発生することを抑制することができるので、平衡度の優れたものとすることができる。
Further, the through-
次に、本発明の弾性表面波装置の第２の実施形態について、図５および図６を用いて説明する。 Next, a second embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention will be described with reference to FIGS.
図５は本発明の弾性表面波装置の第２の実施形態における弾性表面波素子の例を示す平面図であり、図６は本発明の弾性表面波装置の第２の実施形態における実装用基板の例を示す平面図であり、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ実装用基板を構成する各層を示す平面図である。また、図７は本発明の弾性表面波装置の第２の実施形態における弾性表面波素子の他の例を、図８，図９は本発明の弾性表面波装置の第２の実施形態における実装用基板の他の例をそれぞれ示す平面図である。なお、図８，図９において実装用基板の上面以外の積層構造は図６（ｂ）〜（ｆ）と同様であるので図示を省略する。 FIG. 5 is a plan view showing an example of a surface acoustic wave element according to the second embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention, and FIG. 6 is a mounting substrate according to the second embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention. FIG. 5A is a plan view showing each layer constituting a mounting substrate. FIG. 7 shows another example of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention. FIGS. 8 and 9 show the mounting of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 and 9, the laminated structure other than the upper surface of the mounting substrate is the same as that shown in FIGS.
図５に示すように、本発明の弾性表面波装置の第２の実施形態における弾性表面波素子101は、環状接地電極501を仮想軸Ｙに対して非対称に形成した点以外は、図１に示す本発明の弾性表面波装置の第１の実施形態における弾性表面波素子101と基本構造は同様である。
As shown in FIG. 5, the surface
また、本発明の弾性表面波装置の第２の実施形態における実装用基板600は、図６に示すように複数層を積層した構造となっており、環状接地導体701を仮想軸Ｙに対して非対称に形成している点および貫通接地導体901，902は仮想軸Ｙに対して対称に配置されている点以外は図２（ａ）〜（ｆ）と同様の積層構造とし、重複する説明を省略する。
The mounting
このような圧電基板100の下面と実装用基板600の上面とを対面させて環状接地電極501および接続用パッド電極401〜403がそれぞれ環状接地導体701および接続用パッド導体801〜803に接合されて、第２の実施形態の弾性表面波装置を得ることができる。
The
このような構成とすることで、ＩＤＴ電極202，203を接地するまでの経路に少なくとも一方が対称軸Ｙに対して非対称に形成される環状接地電極501および環状接地導体701，貫通接地導体901，902を介していることよりインダクタンス成分が接続されていることとなるので、これらのインダクタンス成分が整合回路の働きをし、その結果、低挿入損失および低ＶＳＷＲの優れたフィルタ通過特性を有するものとなる。また、このようなインダクタンス成分の大きさは環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方の設計により簡単に調整することができるので、所望の整合回路としての機能を持たせることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。さらに、インダクタンス成分を形成する環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方は、中央に配設されたＩＤＴ電極201の中心に伝搬方向Ｘに対して直交する方向に設けた仮想軸Ｙに対して非対称に形成されていることから、反射器電極301，302およびＩＤＴ電極202，203と環状接地電極501および環状接地導体701とで形成される寄生容量を仮想軸Ｙの両側で異ならせることができるので、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極402，403間のインピーダンスが整合するように微調整することができるので、より平衡度の高い良好な弾性表面波装置となる。
With such a configuration, the
図５および図６に示すように、環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方は、仮想軸Ｙに対して非対称になるように幅が異なる部分を有するように形成されている。このような構成にすることにより、環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方の幅を適宜設定することでインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、簡単に所望の整合回路としての機能を得ることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものを生産性良く得ることができるものとなる。また、環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方が、仮想軸Ｙに対して非対称に形成されている部分と、仮想軸Ｙに対して対称に形成されている部分とを有していることより、仮想軸Ｙに対して対称に形成されている部分により平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極402，403およびこれらが接続される接続用パッド導体802，803と、環状接地電極501および環状接地導体701とで形成される容量を仮想軸Ｙの両側で等しくすることができ、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極402，403に異なる寄生容量が発生することを抑制することができるので、平衡度の優れたものとなる。
As shown in FIGS. 5 and 6, at least one of the
また、図７，図８に示すように、環状接地電極501および環状接地導体701の、仮想軸Ｙに対して非対称になるように幅が異なるように形成した部分、この例では環状接地電極501および環状接地導体701の角部の内周面においてＬ字型に張り出した形状の部分を、平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403やこれらが接合される接続用パッド導体802，803より不平衡信号端子としての接続用パッド電極401やこれが接合される接続用パッド導体801に近い側のみに設けることで、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極402，403に異なる寄生容量が発生することをさらに確実に防ぐことができるので、さらに平衡度の優れたものとなる。
Further, as shown in FIGS. 7 and 8, portions of the
さらに、環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方が、仮想軸Ｙに対して非対称に形成されている部分以外は、弾性表面波素子101の各電極パターンも実装用基板600の内部構造も各導体パターンも、仮想軸Ｙに対して対称に形成されている方が、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極402，403に異なる寄生容量が発生することをさらに確実に抑制することができるので、平衡度が劣化することがないので望ましい。
Furthermore, each electrode pattern of the surface
ここで、本発明の弾性表面波装置の第２の実施形態において、図５や図７に示す弾性表面波素子101を図９に示すような貫通接地導体901，902および環状接地導体701ともに仮想軸Ｙに対して対称となるように形成された実装用基板600に実装してもよいし、図１に示すような環状接地電極501が仮想軸Ｙに対して対称となるように形成されている弾性表面波素子101を図６や図８に示す実装用基板600に実装してもよい。
Here, in the second embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention, the surface
また、図５〜図８に示す例では、環状接地電極501および環状接地導体701の一箇所のみが仮想軸Ｙに対して非対称に形成されたものについて示したが、非対称に形成された部位を複数箇所において設けてもよい。例えば、環状接地電極501および環状接地導体701の内周面や外周面に、その一部をレーザで除去して細かい平面凹凸形状を多数個設け、この凹部または凸部の数を仮想軸Ｙの両側で異なるようにしてもよい。このような細かい平面凹凸形状により環状接地電極501および環状接地導体701を仮想軸Ｙの両側で非対称に形成することで、精密にインダクタンス成分の大きさを調整することができる。また、平面凹凸形状は環状接地電極501および環状接地導体701の内周面・外周面全面に形成してもよいし、一部に形成してもよい。例えば、図７や図８の環状接地電極501や環状接地導体701が仮想軸Ｙに対して非対称に形成された部位、すなわち内周面でＬ字型に張り出した部位において細かい平面凹凸形状を設けてもよいし、平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403および接続用パッド導体802，803の側で環状接地電極501および環状接地導体701に凹部または凸部を仮想軸Ｙの両側で数を異ならせて形成してもよい。後者の場合には、２つの平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403やこれらが接合される接続用パッド導体802，803と環状接地電極501および環状接地導体701とで形成される容量を仮想軸Ｙの両側で異ならせることにより、２つの平衡信号端子間でインピーダンスが整合するように微調整することができ、平衡度の良好な弾性表面波装置とすることができる。
In the example shown in FIGS. 5 to 8, only one portion of the
また、図６では環状接地電極501および環状接地導体701を下面接地導体パターン920ａ，920ｂに接続するために環状接地導体901，902を用いたが、実装用基板600の積層面（外周面）に形成するキャスターなどを用いてもよい。
Further, in FIG. 6, the
本発明の弾性表面波装置の第１の実施形態においては貫通接地導体901，902のみが、第２の実施形態においては環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方のみが、仮想軸Ｙに対して非対称に形成されている例につい説明してきたが、これらを組み合わせて、貫通接地導体901，902は仮想軸Ｙに対して非対称に形成されており、かつ環状接地電極701および環状接地導体701の少なくとも一方は、仮想軸Ｙに対して非対称に形成されるような構成（以下、本発明の弾性表面波装置の第３の実施形態とする。）にすれば、ＩＤＴ電極202，203が接地されるまでの経路に付加するインダクタンス成分の大きさをさらに広い範囲にわたって簡単に制御することができるので、所望の整合回路としての機能を持たせることができ、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れたものすることができる。
In the first embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention, only the through-
このような弾性表面波装置において、貫通接地導体901，902を仮想軸Ｙに対して非対称に形成するには、貫通接地導体901，902は、仮想軸Ｙに対して非対称に配置させてもよいし、少なくとも一つの径がほかのものの径と異なるように形成してもよいし、仮想軸Ｙの両側で数が異なるように形成してもよいし、仮想軸Ｙに対して非対称に形成されている群に加えて、仮想軸Ｙに対して対称に形成されている群を有するように形成してもよい。特に貫通接地導体901，902を多数設けて、これらを仮想軸Ｙに対して非対称となるように配置するときには、ＩＤＴ電極201〜203を確実に接地することができるので、通過帯域外のフロアレベルの上昇を確実に抑えることができ、フィルタ特性の優れた弾性表面波装置を得ることができるので好ましい。
In such a surface acoustic wave device, in order to form the penetrating
また、環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方を仮想軸Ｙに対して非対称に形成するには、環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方は、仮想軸Ｙに対して非対称になるように幅が異なる部分を有するように形成してもよいし、仮想軸Ｙに対して対称に形成されている部分と、仮想軸Ｙに対して対称に形成されている部分を有するように形成してもよい。
In order to form at least one of the
また、貫通接地導体901，902ならびに環状接地電極501および環状接地導体701の少なくとも一方のうち仮想軸Ｙに対して非対称に形成されている部分は、平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403よりも不平衡信号端子としての接続用パッド電極401に近い側に形成されている、すなわち、ＩＤＴ電極201〜203を挟んで接続用パッド電極401側に形成されているときには、平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403に異なる寄生容量を発生することを防ぐことができるので平衡度の優れたものとなり好ましい。
Further, at least one of the through-
このように、本発明の弾性表面波装置の第３の実施形態によれば、環状接地電極501，環状接地導体701および貫通接地導体901，902の少なくとも一つを仮想軸Ｙに対して非対称に形成することで、平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403に影響することなく、ＩＤＴ電極202，203が接地されるまでの経路にインダクタンス成分を付加することができ、かつ、このインダクタンス成分の大きさを制御することができるので、低挿入損失および低ＶＳＷＲとなりフィルタ通過特性の優れた弾性表面波装置を提供することができる。
Thus, according to the third embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention, at least one of the
次に上記のような本発明の弾性表面波装置の第１〜第３の実施形態の変形例について、図10〜図12を用いて説明する。図10〜図12は本発明の弾性表面波装置における弾性表面波素子101の変形例を示す平面図である。以下、図１に示す弾性表面波素子101の構造を基本として、上記の本発明の弾性表面波装置から変更した部分についてのみ説明し、同様の箇所に関する重複する説明を省略して説明する。
Next, modified examples of the first to third embodiments of the surface acoustic wave device of the present invention as described above will be described with reference to FIGS. 10 to 12 are plan views showing modifications of the surface
本発明の弾性表面波装置において、図10に示すように、弾性表面波素子101の不平衡信号端子としての接続用パッド電極401に、この例ではＩＤＴ電極202，203と接続用パッド電極401との間に直列に、伝搬方向Ｘに沿って、伝搬方向Ｘに対して直交する方向に長い電極指を複数備えた１個のＩＤＴ電極1101と、このＩＤＴ電極1101の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向Ｘに対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極1201，1202とを有する弾性表面波共振子1001が接続されていてもよい。このような構成とすることにより、弾性表面波共振子1101の共振周波数が所望の値となるように弾性表面波共振子1101を作製することで、弾性表面波共振子1101に起因する減衰極の位置を制御することができるので、所望の位置に減衰極を形成することができ、通過帯域外の減衰特性の優れたものとすることができる。なお、弾性表面波共振子1101の共振周波数はＩＤＴ電極1101の容量とＩＤＴ電極1101が接地するまでの経路のインダクタンスとの大きさを調整することで制御することができる。
In the surface acoustic wave device of the present invention, as shown in FIG. 10, the
さらに、本発明の弾性表面波装置において、図11に示すように、弾性表面波素子101の平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403に、この例ではＩＤＴ電極201と接続用パッド電極402，403との間にそれぞれ直列に、伝搬方向Ｘに沿って、この伝搬方向Ｘに対して直交する方向に長い電極指を複数備えた１個のＩＤＴ電極1101と、このＩＤＴ電極1101の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向Ｘに対して直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極1201，1202とを有する弾性表面波共振子1002，1003が接続されていてもよい。このような構成とすることにより、弾性表面波共振子1102，1103の共振周波数が所望の値となるように弾性表面波共振子1102，1103を作製することで、弾性表面波共振子1102，1103に起因する減衰極の位置を制御することができるので、所望の位置に減衰極を形成することができ、通過帯域外の減衰特性の優れたものとすることができる。
Furthermore, in the surface acoustic wave device of the present invention, as shown in FIG. 11, the
ここで、弾性表面波共振子1001〜1003は接続用パッド電極401〜403に直列に接続すれば共振周波数付近において高域側に比べて低域側で急峻に減衰するものとなるので、通過帯域の高域側に減衰極を形成することで通過帯域の高域側の減衰特性を良好にすることができ、並列に接続すれば共振周波数付近において低域側に比べて高域側で急峻に減衰するものとなるので、通過帯域の低域側に減衰極を形成することで通過帯域の低域側の減衰特性を良好にすることができるものとなる。このため、所望の減衰特性に合わせて適宜接続方法を選択すればよい。さらに、平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403に同一材料からなる同一構造の弾性表面波共振子を接続することにより、平衡信号端子としての２つの接続用パッド電極402，403に異なる寄生容量が発生することを抑制することができ、平衡度の優れた弾性表面波装置を得ることができる。
Here, if the surface acoustic wave resonators 1001 to 1003 are connected in series to the
さらに、本発明の弾性表面波装置において、図12に示すように、弾性表面波素子101の奇数個、この例では３個のＩＤＴ電極201〜203の間に、伝搬方向Ｘに対して直交する方向に長い電極指を複数備えた挿入反射器電極1301，1302を配設しており、かつこの挿入反射器電極1301，1302の隣り合う電極指の中心間距離が、両端部に位置する電極指から中央部に位置する前記電極指に向かって漸次短くなっている構成としてもよい。このような構成とすることにより、挿入反射器1301，1302により振幅モードを増やすことができるとともに、挿入反射器電極1301，1302の隣り合う電極指の中心間距離が、両端部に位置する電極指から中央部に位置する電極指に向かって漸次短くなっていることにより弾性表面波がバルク波に変換されることを防ぐことができるので、弾性表面波の伝搬を妨げずに振幅モードを増やすことができるので、通過帯域が広帯域な弾性表面波装置を実現することができる。
Furthermore, in the surface acoustic wave device of the present invention, as shown in FIG. 12, an odd number of surface
このような図10〜図12に示す弾性表面波素子101は、図２，図３，図４，図６，図８に示すような実装用基板600に実装してもよいし、図５や図７に示すように環状接地電極501を仮想軸Ｙに対して非対称に形成してもよい。
Such a surface
また、本発明の弾性表面波装置を通信装置に適用することができる。すなわち、本発明の弾性表面波装置をフィルタ手段として用いた、受信回路または送信回路の少なくとも一方を備えたものである。例えば、送信回路から出力された送信信号をミキサでキャリヤ周波数にのせて、不要信号をバンドパスフィルタで減衰させ、その後、パワーアンプで送信信号を増幅して、デュプレクサを通ってアンテナより送信することができる送信回路を備えた通信装置や、受信信号をアンテナで受信し、デュプレクサを通った受信信号をローノイズアンプで増幅し、その後、バンドパスフィルタで不要信号を減衰して、ミキサでキャリヤ周波数から信号を分離し、この信号を取り出す受信回路を備えた通信装置における各種フィルタに本発明の弾性表面波装置を適用可能であり、本発明の弾性表面波装置を採用すれば、感度の優れた通信装置を提供することができる。 In addition, the surface acoustic wave device of the present invention can be applied to a communication device. That is, at least one of a receiving circuit and a transmitting circuit using the surface acoustic wave device of the present invention as a filter means is provided. For example, the transmission signal output from the transmission circuit is put on the carrier frequency by the mixer, the unnecessary signal is attenuated by the band pass filter, and then the transmission signal is amplified by the power amplifier and transmitted from the antenna through the duplexer. A communication device equipped with a transmission circuit capable of receiving signals, receiving received signals with an antenna, amplifying the received signals that passed through the duplexer with a low-noise amplifier, and then attenuating unnecessary signals with a bandpass filter, The surface acoustic wave device of the present invention can be applied to various filters in a communication device including a receiving circuit that separates a signal and extracts the signal. If the surface acoustic wave device of the present invention is employed, communication with excellent sensitivity is possible. An apparatus can be provided.
以上より、本発明の通信装置によれば、優れた弾性表面波装置を有する受信回路や送信回路を備え、それらの感度が格段に良好な優れた通信機等の通信装置を提供できる。 As described above, according to the communication device of the present invention, it is possible to provide a communication device such as an excellent communication device that has a reception circuit and a transmission circuit each having an excellent surface acoustic wave device and whose sensitivity is remarkably good.
なお、本発明の弾性表面波装置および通信装置は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更・改良することができる。例えば環状接地電極501内の領域に異なる通過帯域をもつ２種類以上のＩＤＴ電極を設けてもよいし、さらにこの２種類以上のＩＤＴ電極を個別に囲うように環状接地電極を設けてもよい。
The surface acoustic wave device and the communication device of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and can be changed and improved without departing from the gist of the present invention. For example, two or more types of IDT electrodes having different pass bands may be provided in a region in the
本発明の具体的な実施例について説明する。 Specific examples of the present invention will be described.
具体的には、1800ＭＨｚ帯に中心周波数を持つ弾性表面波フィルタとして機能するように、図10に示す弾性表面波素子101を作製し、この弾性表面波素子101を図２に示す実装用基板600に実装して本発明の弾性表面波装置を作製した。
Specifically, the surface
まず、38．7°ＹカットのＸ方向伝搬とするＬｉＴａＯ３単結晶の圧電基板100上に、ＩＤＴ電極201〜203，1101と、反射器電極301，302，1201，1202と、接続パッド電極401〜403と環状接地電極501とのＡｌ（99質量％）−Ｃｕ（１質量％）からなる微細電極パターンを形成した。
First, an
パターン作製は、スパッタリング装置，縮小投影露光機（ステッパー），およびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いてフォトリソグラフィを行なった。 The pattern was produced by photolithography using a sputtering apparatus, a reduction projection exposure machine (stepper), and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus.
まず、圧電基板100をアセトン・ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等によって超音波洗浄し、有機成分を落とした。次に、クリーンオーブンによって圧電基板100を充分に乾燥させた後、各電極201〜203，301，302，401〜403，501，1101，1201，1202の成膜を行なった。各電極201〜203，301，302，401〜403，501，1101，1201，1202の成膜にはスパッタリング装置を使用し、Ａｌ（99質量％）−Ｃｕ（１質量％）合金から成る材料を用いて約0.20μｍの厚みに形成した。
First, the
次に、フォトレジストを約0.5μｍの厚みにスピンコートして形成し、縮小投影露光装置（ステッパー）により、所望形状にパターニングを行ない、現像装置にて不要部分のフォトレジストをアルカリ現像液で溶解させ、所望パターンを表出させた後、ＲＩＥ装置により電極膜のエッチングを行ない、弾性表面波フィルタを構成する弾性表面波素子101の各電極201〜203，301，302，401〜403，501，1101，1201，1202のパターンを得た。
Next, a photoresist is formed by spin coating to a thickness of about 0.5 μm, patterned into a desired shape by a reduction projection exposure apparatus (stepper), and an unnecessary portion of the photoresist is dissolved in an alkaline developer by a developing apparatus. After the desired pattern is exposed, the electrode film is etched by the RIE apparatus, and the
この後、各電極201〜203，301，302，401〜403，501，1101，1201，1202の所定領域上に保護膜を作製した。すなわち、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置により、各電極201〜203，301，302，401〜403，501，1101，1201，1202のパターンおよび圧電基板100上にＳｉＯ２を約0.02μｍの厚みに形成した。その後、フォトリソグラフィによってフォトレジストのパターニングを行ない、ＲＩＥ装置等で電極401〜403，501の形成位置においてフリップチップ用窓開け部のエッチングを行なった。その後、スパッタリング装置を使用し、Ａｌからなる層を約1.0μｍの厚みで成膜し、電極401〜403，501の形成位置を除く箇所のＡｌとフォトレジストをリフトオフ法により同時に除去し、電極401〜403，501上にフリップチップ用バンプを形成するパッドを完成した。
Thereafter, a protective film was formed on a predetermined region of each of the
次に、上記パッドに半田からなるフリップチップ用バンプを、スクリーン印刷装置を使用し形成した。接続用パッド電極401〜403上におけるバンプの直径は約80μｍ，高さは約30μｍであり、環状接地電極501上におけるバンプの高さは約30μｍであった。
Next, flip-chip bumps made of solder were formed on the pads using a screen printing apparatus. The bump diameter on the
次に、圧電基板100をダイシング線に沿ってダイシング加工を施し、個々の弾性表面波素子101に分割した。
Next, the
次に図２に示す実装用基板600を作製した。すなわち、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）を作製するために、金属酸化物と有機バインダとを有機溶剤等で均質混練したスラリーをシート状に成型したグリーンシートを作製し、所望の位置に環状接地導体701，接続用パッド導体801〜803，貫通接地電極901〜903，内部接地導体910ａ，910ｂ，下面接地導体920ａ，920ｂ，信号導体パターン931〜933のパターンを形成した後、これらグリーンシートを積層し圧着することにより一体形成して焼成することにより作製された。なお、実装用基板600のサイズは、2.5×2.0ｍｍ角とした。
Next, a mounting
ここで、環状接地導体701および接続用パッド導体801〜803は弾性表面波素子101の環状接地電極501および接続用パッド電極401〜403に対応するように形成した。また、環状接地導体701，接続用パッド導体801〜803，内部接地導体910ａ，910ｂ，下面接地導体920ａ，920ｂ，信号導体パターン931〜933は、Ａｇを用いて約１μｍの厚みにスクリーン印刷法により形成した。貫通接地電極901〜903は、金型抜き打ち加工により貫通孔を形成し、Ａｇ系導体ペーストを充填して形成した。
Here, the
このように形成した弾性表面波素子101をフリップチップ実装装置にて圧電基板100の下面（電極形成面）と実装用基板600の上面とを対面させて配置して、リフロー炉にて240℃で５分間リフロー溶融させて半田からなるバンプにより両者を接合することにより、環状接地電極501および各接続用パッド電極401〜403と環状接地導体701および接続用パッド導体801〜803とをそれぞれ電気的に接続するとともに、環状接地電極501と環状接地導体701とを接合することより、ＩＤＴ電極201〜203，1101を気密封止し、弾性表面波装置を完成した。
The surface
参考例として、図１に示すような、環状接地電極501が対称軸Ｙに対して対称に形成された弾性表面波素子101を、図９に示すような、貫通接地導体901，902および環状接地導体701が対称軸Ｙに対して対称に形成された実装用基板600に実装した弾性表面波装置を、上記実施例と同じ材料を用いて、同様の工程で作製した。
As a reference example, a surface
次に、実施例，参考例における弾性表面波装置の特性測定を行なった。０ｄＢｍの信号を入力し、周波数1640ＭＨｚ〜2440ＭＨｚ、測定ポイントが800ポイントの条件にて測定した。サンプル数は30個であり、測定機器はアジレント・テクノロジー社製マルチポート・ネットワークアナライザＥ5071Ａを用いた。 Next, the characteristics of the surface acoustic wave device in Examples and Reference Examples were measured. A signal of 0 dBm was input, and measurement was performed under the conditions of a frequency of 1640 MHz to 2440 MHz and a measurement point of 800 points. The number of samples was 30, and a multi-port network analyzer E5071A manufactured by Agilent Technologies was used as a measuring instrument.
実施例では、図２に示すように貫通接地導体901，902を仮想軸Ｙに対して非対称に配置し、ＩＤＴ電極202，203が接地されるまでの経路に接続されるインダクタンス成分の大きさを0.3ｎＨとした。このように作製した実施例の弾性表面波装置と参考例の弾性表面波装置とにおける入力信号の伝送特性の周波数依存性を示す線図を図13〜図15に示す。図13〜図15において、実線が実施例の弾性表面波装置の特性を示し、破線が参考例の弾性表面波装置の特性を示したものである。
In the embodiment, the through-
図13は通過帯域付近（1780ＭＨｚ〜1920ＭＨｚ）の伝送特性を表す挿入損失の周波数依存性を示す線図であり、横軸は周波数（ＭＨｚ），縦軸は挿入損失（ｄＢ）である。図13からも明らかなように、実施例の弾性表面波装置は参考例の弾性表面波装置に比べて挿入損失が低く（少なく）なりフィルタ通過特性が向上していることが分かった。 FIG. 13 is a diagram showing the frequency dependence of insertion loss representing transmission characteristics in the vicinity of the passband (1780 MHz to 1920 MHz), where the horizontal axis represents frequency (MHz) and the vertical axis represents insertion loss (dB). As is apparent from FIG. 13, it was found that the surface acoustic wave device of the example had lower (less) insertion loss and improved filter pass characteristics than the surface acoustic wave device of the reference example.
また、図14は通過帯域付近（1750ＭＨｚ〜1950ＭＨｚ）のＶＳＷＲの周波数依存性を示す線図であり、横軸は周波数（ＭＨｚ），縦軸はＶＳＷＲである。図14からも明らかなように、実施例の弾性表面波装置は参考例の弾性表面波装置に比べてＶＳＷＲが低くなりフィルタ通過特性が向上していることが分かった。 FIG. 14 is a diagram showing the frequency dependence of the VSWR in the vicinity of the passband (1750 MHz to 1950 MHz), where the horizontal axis is frequency (MHz) and the vertical axis is VSWR. As is clear from FIG. 14, it was found that the surface acoustic wave device of the example had a lower VSWR and improved the filter passing characteristics than the surface acoustic wave device of the reference example.
これは本発明の実施例のような構成にすることにより、ＩＤＴ電極202，203が接地されるまでの経路にインダクタンス成分が接続され（すなわち、弾性表面波装置の下面接地導体920に接続される接地端子にインダクタンス成分が接続され）、このインダクタンス成分が整合回路と同じ働きをするためである。
In this configuration, an inductance component is connected to a path until the
さらに、図15（a）は1750ＭＨｚ〜1950ＭＨにおける振幅平衡度，（b）は1750ＭＨｚ〜2000ＭＨにおける位相平衡度の周波数依存性をそれぞれ示す線図であり、横軸は周波数（ＭＨｚ）を、縦軸は、図15（ａ）においては振幅平衡度（ｄＢ）を，図15（ｂ）においては位相平衡度（deg）を示す。図15（ａ），（ｂ）からも明らかなように、本発明の実施例の弾性表面波装置は参考例の弾性表面波装置と比べても平衡度が劣化することはなく、良好であることが確認された。これは、本発明の実施例に示す弾性表面波装置の平衡信号端子としての接続用パッド電極402，403にそれぞれ異なる寄生容量が付加されることを抑制することができたためと推察される。
Further, FIG. 15A is an amplitude balance at 1750 MHz to 1950 MH, and FIG. 15B is a diagram showing the frequency dependence of the phase balance at 1750 MHz to 2000 MH. The horizontal axis represents the frequency (MHz) and the vertical axis. FIG. 15A shows the amplitude balance (dB), and FIG. 15B shows the phase balance (deg). As is apparent from FIGS. 15A and 15B, the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention is good in that the degree of balance does not deteriorate even when compared with the surface acoustic wave device according to the reference example. It was confirmed. This is presumably because different parasitic capacitances can be suppressed from being added to the
このように、本発明の弾性表面波装置によれば、平衡度が良好であり、かつ挿入損失が低く、ＶＳＷＲの低い、すなわちフィルタ通過特性の優れたものとすることができることが分かった。 Thus, according to the surface acoustic wave device of the present invention, it was found that the balance was good, the insertion loss was low, the VSWR was low, that is, the filter passing characteristics were excellent.
なお、実施例の弾性表面波装置のＩＤＴ電極202，203が接地されるまでの経路に接続されるインダクタンス成分の大きさを変えて伝送特性を測定した結果、インダクタンス成分の大きさは、0.5ｎＨ以上とすると平衡度が劣化する傾向にあり、0.1〜0.3ｎＨの範囲であることが望ましいことが分かった。
In addition, as a result of measuring the transmission characteristic by changing the magnitude of the inductance component connected to the path until the
100・・・・・・・・・・・圧電基板
101・・・・・・・・・・・弾性表面波素子
201，202，203，1101・・・ＩＤＴ電極
301，302・・・・・・・・・反射器電極
401・・・・・・・・・・・接続用パッド電極（不平衡信号端子）
402，403・・・・・・・・接続用パッド電極（平衡信号端子）
501・・・・・・・・・・・環状接地電極
600・・・・・・・・・・・実装用基板
701・・・・・・・・・・・環状接地導体
801・・・・・・・・・・・接続用パッド導体
802，803・・・・・・・・接続用パッド導体
901，902・・・・・・・・貫通接地導体
1001，1002，1003・・・・弾性表面波共振子
1301，1302・・・・・・・挿入反射器電極
100 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Piezoelectric substrate
101 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Surface acoustic wave device
201, 202, 203, 1101 ... IDT electrodes
301,302 ... Reflector electrode
401 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Pad electrode for connection (unbalanced signal terminal)
402, 403 ... Pad electrode for connection (balanced signal terminal)
501 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Annular ground electrode
600 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Mounting board
701 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Round ground conductor
801 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Pad conductor for connection
802,803 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Pad conductor for connection
901, 902 ... Penetration ground conductor
1001, 1002, 1003... Surface acoustic wave resonators
1301, 1302 ... Insert reflector electrode
Claims (19)
前記奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設された前記ＩＤＴ電極は、前記電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに前記接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設された前記ＩＤＴ電極の両側に位置する前記ＩＤＴ電極は、一方の前記櫛歯状電極に前記接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の前記櫛歯状電極が前記環状接地電極に接続されており、
前記貫通接地導体は、前記中央に配設された前記ＩＤＴ電極の中心に前記伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることを特徴とする弾性表面波装置。 Three or more odd-numbered IDT electrodes having a plurality of long electrode fingers in the direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate on the lower surface of the piezoelectric substrate; A reflector electrode provided on each side of the odd number of IDT electrodes and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction, a connection pad electrode connected to the IDT electrode, A surface acoustic wave device comprising an IDT electrode, a reflector electrode, and an annular ground electrode surrounding the connection pad electrode, an annular ground conductor facing the annular ground electrode on the upper surface, and the connection pad electrode A mounting substrate on which an opposing connection pad conductor and a through grounding conductor connected to the annular grounding conductor are formed with the lower surface of the piezoelectric substrate facing the upper surface of the mounting substrate. Serial annular ground electrode and the connecting pad electrode are mounted is bonded to each of the annular grounding conductor and the connecting pad conductors,
The IDT electrode disposed at the center of the odd number of IDT electrodes is divided into two of the opposing comb-like electrodes each having the electrode fingers, and the connection pad electrodes are balanced with each other. The IDT electrodes that are connected as signal terminals and are located on both sides of the IDT electrode disposed in the center of the IDT electrodes are connected to one of the comb-shaped electrodes as the unbalanced signal terminal and the other The comb-like electrode is connected to the annular ground electrode,
The surface ground wave is characterized in that the through-grounding conductor is formed asymmetrically with respect to a virtual axis provided in a direction orthogonal to the propagation direction at the center of the IDT electrode disposed at the center. apparatus.
前記奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設された前記ＩＤＴ電極は、前記電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに前記接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設された前記ＩＤＴ電極の両側に位置する前記ＩＤＴ電極は、一方の前記櫛歯状電極に前記接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の前記櫛歯状電極が前記環状接地電極に接続されており、
前記環状接地電極および前記環状接地導体の少なくとも一方は、前記中央に配設された前記ＩＤＴ電極の中心に前記伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されていることを特徴とする弾性表面波装置。 Three or more odd-numbered IDT electrodes having a plurality of long electrode fingers in the direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate on the lower surface of the piezoelectric substrate; A reflector electrode provided on each side of the odd number of IDT electrodes and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction, a connection pad electrode connected to the IDT electrode, A surface acoustic wave device comprising an IDT electrode, a reflector electrode, and an annular ground electrode surrounding the connection pad electrode, an annular ground conductor facing the annular ground electrode on the upper surface, and the connection pad electrode The annular ground electrode and the connection pad electrode are arranged so that the lower surface of the piezoelectric substrate faces the upper surface of the mounting substrate on the mounting substrate on which the opposing connection pad conductor is formed. Are being implemented is joined to the annular ground conductor and the connecting pad conductors,
The IDT electrode disposed at the center of the odd number of IDT electrodes is divided into two of the opposing comb-like electrodes each having the electrode fingers, and the connection pad electrodes are balanced with each other. The IDT electrodes that are connected as signal terminals and are located on both sides of the IDT electrode disposed in the center of the IDT electrodes are connected to one of the comb-shaped electrodes as the unbalanced signal terminal and the other The comb-like electrode is connected to the annular ground electrode,
At least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor is formed asymmetrically with respect to a virtual axis provided in a direction orthogonal to the propagation direction at the center of the IDT electrode disposed at the center. A surface acoustic wave device.
前記奇数個のＩＤＴ電極の中央に配設された前記ＩＤＴ電極は、前記電極指をそれぞれ有して相対する櫛歯状電極のうちの一方が２分割されてそれぞれに前記接続用パッド電極が平衡信号端子として接続され、この中央に配設された前記ＩＤＴ電極の両側に位置する前記ＩＤＴ電極は、一方の前記櫛歯状電極に前記接続用パッド電極が不平衡信号端子として接続されるとともに他方の前記櫛歯状電極が前記環状接地電極に接続されており、
前記貫通接地導体は、前記中央に配設された前記ＩＤＴ電極の中心に前記伝搬方向に対して直交する方向に設けた仮想軸に対して非対称に形成されており、
かつ前記環状接地電極および前記環状接地導体の少なくとも一方は、前記仮想軸に対して非対称に形成されていることを特徴とする弾性表面波装置。 Three or more odd-numbered IDT electrodes having a plurality of long electrode fingers in the direction orthogonal to the propagation direction along the propagation direction of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate on the lower surface of the piezoelectric substrate; A reflector electrode provided on each side of the odd number of IDT electrodes and provided with a plurality of long electrode fingers in a direction orthogonal to the propagation direction, a connection pad electrode connected to the IDT electrode, A surface acoustic wave device comprising an IDT electrode, a reflector electrode, and an annular ground electrode surrounding the connection pad electrode, an annular ground conductor facing the annular ground electrode on the upper surface, and the connection pad electrode A mounting substrate on which an opposing connection pad conductor and a through grounding conductor connected to the annular grounding conductor are formed with the lower surface of the piezoelectric substrate facing the upper surface of the mounting substrate. Serial annular ground electrode and the connecting pad electrode are mounted is bonded to each of the annular grounding conductor and the connecting pad conductors,
The IDT electrode disposed at the center of the odd number of IDT electrodes is divided into two of the opposing comb-like electrodes each having the electrode fingers, and the connection pad electrodes are balanced with each other. The IDT electrodes that are connected as signal terminals and are located on both sides of the IDT electrode disposed in the center of the IDT electrodes are connected to one of the comb-shaped electrodes as the unbalanced signal terminal and the other The comb-like electrode is connected to the annular ground electrode,
The through-grounding conductor is formed asymmetrically with respect to a virtual axis provided in a direction orthogonal to the propagation direction at the center of the IDT electrode disposed in the center,
In addition, the surface acoustic wave device is characterized in that at least one of the annular ground electrode and the annular ground conductor is asymmetric with respect to the virtual axis.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004367901A JP4601411B2 (en) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | Surface acoustic wave device and communication device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004367901A JP4601411B2 (en) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | Surface acoustic wave device and communication device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006174376A true JP2006174376A (en) | 2006-06-29 |
| JP4601411B2 JP4601411B2 (en) | 2010-12-22 |
Family
ID=36674597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004367901A Expired - Fee Related JP4601411B2 (en) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | Surface acoustic wave device and communication device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4601411B2 (en) |
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-
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- 2004-12-20 JP JP2004367901A patent/JP4601411B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4601411B2 (en) | 2010-12-22 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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