JP2006174262A - 基板の接続構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】 定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えて高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を接続する。
【解決手段】 下側マイクロ波伝送路2と、下側マイクロ波伝送路2と設置される高さが異なる上側マイクロ波伝送路3と、下側マイクロ波伝送路2及び上側マイクロ波伝送路3に一体成型により結合される垂直マイクロ波伝送路4とを備え、下側マイクロ波伝送路2の一部及び上側マイクロ波伝送路3の一部が垂直マイクロ波伝送路4から延伸している。
【選択図】 図2
【解決手段】 下側マイクロ波伝送路2と、下側マイクロ波伝送路2と設置される高さが異なる上側マイクロ波伝送路3と、下側マイクロ波伝送路2及び上側マイクロ波伝送路3に一体成型により結合される垂直マイクロ波伝送路4とを備え、下側マイクロ波伝送路2の一部及び上側マイクロ波伝送路3の一部が垂直マイクロ波伝送路4から延伸している。
【選択図】 図2
Description
この発明は高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を有する基板の接続構造に関するものである。
マイクロ波伝送路を有する従来の基板の接続構造としては、コネクタを用いて同軸線路等で複数の基板を接続したり、フィルム等で構成したマイクロ波伝送路により複数の基板を接続する方式がある。
また、特許文献1では、誘電体基板上のストリップパターンをスルホールにより接続していることが記載され、特許文献2では、プリント配線基板上のマイクロストリップ線をバイアホール、コンタクトパッド及びエラスチックコネクタにより接続していることが記載され、特許文献3では、基板上の信号線を迂回線とバンプにより接続していることが記載され、特許文献4では、配線基板を金属バンプにより接続していることが記載され、特許文献5では、基板上の信号用パターンをはんだバンプにより接続していることが記載されている。
図5は高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を有する従来の基板の接続構造を説明する図である。図5に示すように、高さ方向に段差部11を有するL字型の導体ベース1に、L字型の構造を有するマイクロ波伝送路62と上側マイクロ波伝送路63が設置され、マイクロ波伝送路62の上側基板64と上側マイクロ波伝送路63が接続部材65により接続されている。
図5に示す基板の接続構造において、マイクロ波伝送路62の上側基板64と上側マイクロ波伝送路63を接続部材65により接続する加工工程が必要であり、接続部材65を半田付けする際の組立作業の仕上がりのバラツキにより、接続部材65の取り付け高さが変わってしまい、定在波比の悪化やマイクロ波の空間への不要放射の発生の原因となる。また、部品点数が増えると共に接続加工のために必要な空間を確保しておく必要があり小型化が困難である。さらに、設置される高さが異なるマイクロ波伝送路を接続する際に、特に高さのギャップが大きいような場合、グランド経路100が長くなり、定在波比の悪化や不要放射の発生の原因となる。さらに、マイクロ波伝送路を垂直又は水平方向に変換する部分で反射波を生じてしまい定在波比の悪化の原因となる。
従来の基板の接続構造は以上のように構成されていたので、マイクロ波伝送路を有する複数の基板を接続する加工工程が必要となると共に、組立作業による仕上がりのバラツキにより、定在波比を悪化させたり、マイクロ波の空間への不要放射が発生するという課題があった。また、部品点数が増えると共に接続加工のために必要な空間を確保しておく必要があるため小型化が困難という課題があった。さらに、設置される高さが異なるマイクロ波伝送路を接続する際に、特に高さのギャップが大きいような場合、グランド経路が長くなり、定在波比を悪化させたり、不要放射が発生するという課題があった。さらに、マイクロ波伝送路を垂直又は水平方向に変換する部分で反射波を生じてしまい定在波比を悪化させる原因となるという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を接続する際に、定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えることができると共に、部品点数を削減して小型に構成することができ、加工工程も削減することができる基板の接続構造を得ることを目的とする。
また、マイクロ波伝送路の水平−垂直変換部や垂直−水平変換部における定在波比の悪化を抑えることができる基板の接続構造を得ることを目的とする。
さらに、垂直にマイクロ波を伝送する構造内にマイクロ波回路を内蔵することにより、小型で付加的機能を有する高さが異なるマイクロ波伝送路を接続することができる基板の接続構造を得ることを目的とする。
この発明に係る基板の接続構造は、下側マイクロ波伝送路と、この下側マイクロ波伝送路と設置される高さが異なる上側マイクロ波伝送路と、上記下側マイクロ波伝送路及び上記上側マイクロ波伝送路に一体成型により結合される垂直マイクロ波伝送路とを備え、上記下側マイクロ波伝送路の一部及び上記上側マイクロ波伝送路の一部が上記垂直マイクロ波伝送路より延伸しているものである。
この発明により、定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えることができると共に、部品点数を削減して小型に構成することができ、加工工程も削減することができるという効果が得られる。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を説明する図である。この基板の接続構造では、図1に示すように、高さの異なる位置に設置される下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と、この下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3を接続する垂直マイクロ波伝送路4とを備え、高さ方向に段差部11を有するL字型の導体ベース1上の下側のベース面12に下側マイクロ波伝送路2が設置され、導体ベース1上の上側のベース面13に上側マイクロ波伝送路3の一部が設置されている。
図1はこの発明の実施の形態1によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を説明する図である。この基板の接続構造では、図1に示すように、高さの異なる位置に設置される下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と、この下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3を接続する垂直マイクロ波伝送路4とを備え、高さ方向に段差部11を有するL字型の導体ベース1上の下側のベース面12に下側マイクロ波伝送路2が設置され、導体ベース1上の上側のベース面13に上側マイクロ波伝送路3の一部が設置されている。
図2はこの発明の実施の形態1による基板の接続構造を示す図であり、図1からL字型の導体ベース1を削除したものとなっている。このように、高さが異なる少なくとも2平面上に、下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3とを備え、下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3間を垂直マイクロ波伝送路4で結合している。
図2において、下側マイクロ波伝送路2には、表面にマイクロストリップ線路21が形成され、裏面にグランドパターン22が形成され、表面と裏面を接続するスルホール23が形成されている。また、上側マイクロ波伝送路3には、表面にマイクロストリップ線路31が形成され、裏面にグランドパターン32が形成されている。さらに、垂直マイクロ波伝送路4には、表面にコプレーナ線路41とグランドパターン42が形成されている。そして、下側マイクロ波伝送路2のマイクロストリップ線路21と上側マイクロ波伝送路3のマイクロストリップ線路31は、垂直マイクロ波伝送路4のコプレーナ線路41を介して接続され、下側マイクロ波伝送路2のグランドパターン22と上側マイクロ波伝送路3のグランドパターン32は、垂直マイクロ波伝送路4のグランドパターン42と下側マイクロ波伝送路2のスルホール23を介して接続されている。
この下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と垂直マイクロ波伝送路4は一体で成型して製造される。すなわち、垂直マイクロ波伝送路4は、導体ベース1の段差部11とスルホール23との間における下側マイクロ波伝送路2上に、多層化技術を用いて導体ベース1の上側のベース面13の高さとなるよう積層される。そして、垂直マイクロ波伝送路4の表面には、下側マイクロ波伝送路2のマイクロストリップ線路21と上側マイクロ波伝送路3のマイクロストリップ線路31を電気的に接続するコプレーナ線路41が形成され、下側マイクロ波伝送路2のグランドパターン22と上側マイクロ波伝送路3のグランドパターン32を電気的に接続する複数のグランドパターン42が形成される。また、積層された垂直マイクロ波伝送路4と導体ベース1の上側のベース面13に接するように上側マイクロ波伝送路3が接続される。
この図2の例では、下側マイクロ波伝送路2にはマイクロストリップ線路21が形成され、上側マイクロ波伝送路3にはマイクロストリップ線路31が形成され、垂直マイクロ波伝送路4にはコプレーナ線路41が形成されているが、その他のマイクロ波伝送路を形成しても良い。図2に示すように、この基板の接続構造では、下側マイクロ波伝送路2の一部と上側マイクロ波伝送路3の一部が、垂直マイクロ波伝送路4から互いに異なる方向にはみ出して延伸している構造となっている。
このように、下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と垂直マイクロ波伝送路4を一体で成型して製造し、下側マイクロ波伝送路2の一部と上側マイクロ波伝送路3の一部が垂直マイクロ波伝送路4からはみ出して延伸している構造とすることにより、上側マイクロ波伝送路3の裏面に形成されているグランドパターン32に沿ってグランド経路100が図1に示すように短くなり、定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えることができると共に、部品点数を削減して小型に構成することができ、加工工程も削減することができる。このときのグランド経路100は、図1に示すように高さ方向に段差部11を有する導体ベース1の形状に依存せず、上側マイクロ波伝送路3のグランドパターン32に沿ったものとなる。
以上のように、この実施の形態1によれば、高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を接続する際に、下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と垂直マイクロ波伝送路4を一体で成型して製造し、下側マイクロ波伝送路2の一部と上側マイクロ波伝送路3の一部が、垂直マイクロ波伝送路4から互いに異なる方向にはみ出して延伸している構造とすることにより、定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えることができると共に、部品点数を削減して小型に構成することができ、加工工程も削減することができるという効果が得られる。
実施の形態2.
図3はこの発明の実施の形態2によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を示す図である。この基板の接続構造は、実施の形態1の図2に示す垂直マイクロ波伝送路4を、反射が少ない使用帯域内の波長を実現するように適切な値に設定された誘電率を持つ誘電体を使用した垂直マイクロ波伝送路4Aとしたものであり、その他の構成は図2と同じである。このように、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体の誘電率を適切な値に設定することにより、反射が少ない使用帯域内の波長を任意に設定できる。
図3はこの発明の実施の形態2によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を示す図である。この基板の接続構造は、実施の形態1の図2に示す垂直マイクロ波伝送路4を、反射が少ない使用帯域内の波長を実現するように適切な値に設定された誘電率を持つ誘電体を使用した垂直マイクロ波伝送路4Aとしたものであり、その他の構成は図2と同じである。このように、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体の誘電率を適切な値に設定することにより、反射が少ない使用帯域内の波長を任意に設定できる。
定在波比の悪化する原因は、図3に示す水平−垂直変換部51及び垂直−水平変換部52における反射波である。水平−垂直変換部51における反射位相をφHV、垂直水平変換部52における反射位相をφVH、垂直マイクロ波伝送路4Aの高さをH、反射が少ない使用帯域内の波長をλとすると、波長λを以下の式により求める。
λ=4・H/{(2n+1)−(φHV+φVH)/π}
ここで、nは任意の自然数とする。
そして、求めた波長λを実現する誘電率を持つ誘電体を垂直マイクロ波伝送路4Aに使用することで、任意の高さの段差に対して良好な定在波比を実現できる。
λ=4・H/{(2n+1)−(φHV+φVH)/π}
ここで、nは任意の自然数とする。
そして、求めた波長λを実現する誘電率を持つ誘電体を垂直マイクロ波伝送路4Aに使用することで、任意の高さの段差に対して良好な定在波比を実現できる。
また、誘電率は誘電体の材料物性値により決定されるため、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体を多層構造にし、各誘電体の誘電率の異なる値に設定したり、各誘電体の厚さを適切に設定することにより、使用帯域内の任意の波長λを実現しても良く、この場合は、反射が少ない使用帯域内の任意の波長を容易に設定できる。
以上のように、この実施の形態2によれば、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体の誘電率を適切な値に設定することにより、すなわち、垂直マイクロ波伝送路4Aの高さにより決定される反射が少ない使用帯域内の波長を実現する誘電率を持つ誘電体を垂直マイクロ波伝送路4Aに使用することにより、水平−垂直変換部51及び垂直−水平変換部52での反射波を使用帯域内で相殺することが可能となり、良好な定在波比を実現できるという効果が得られる。多くの場合、高さ方向の長さは機器の形状的な制約から決定され、任意に調整することが困難であるが、誘電体の誘電率を適切な値に設定することで、制約のある下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3の高さを変更することなく、反射が少ない使用帯域内の波長を設定することが可能である。
また、この実施の形態2によれば、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体を多層構造にし、各層の誘電体の誘電率又は各層の誘電体の厚さにより、反射が少ない使用帯域内の波長を実現することにより、反射が少ない使用帯域内の任意の波長を容易に設定できるという効果が得られる。
実施の形態3.
図4はこの発明の実施の形態3によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を示す図である。この基板の接続構造は、実施の形態1の図2に示す垂直マイクロ波伝送路4を、カップラ、フィルタ、インピーダンス変換器等の付加機能としてのマイクロ波回路44を内層に内蔵した多層基板で構成された垂直マイクロ波伝送路4Bとしたものであり、その他の構成は図2と同じである。図4において、マイクロ波回路44は信号ライン45を介して下側マイクロ波伝送路2の信号ライン25と上側マイクロ波伝送路3の信号ライン35に接続されている。このように、垂直マイクロ波伝送路4Bの内層にマイクロ波回路44を内蔵することにより、従来では平面部分に設置していたマイクロ波回路44を垂直マイクロ波伝送路4Bと一体化することができ、さらに小型化を実現することができる
図4はこの発明の実施の形態3によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を示す図である。この基板の接続構造は、実施の形態1の図2に示す垂直マイクロ波伝送路4を、カップラ、フィルタ、インピーダンス変換器等の付加機能としてのマイクロ波回路44を内層に内蔵した多層基板で構成された垂直マイクロ波伝送路4Bとしたものであり、その他の構成は図2と同じである。図4において、マイクロ波回路44は信号ライン45を介して下側マイクロ波伝送路2の信号ライン25と上側マイクロ波伝送路3の信号ライン35に接続されている。このように、垂直マイクロ波伝送路4Bの内層にマイクロ波回路44を内蔵することにより、従来では平面部分に設置していたマイクロ波回路44を垂直マイクロ波伝送路4Bと一体化することができ、さらに小型化を実現することができる
また、多層基板で構成された垂直マイクロ波伝送路4Bのうち、マイクロ波回路44の部分の誘電体層46を局所的に高い誘電率の誘電体とすることで、マイクロ波回路44のサイズを小さくすることができ、さらに小型化を実現できる。また、局所的に高い誘電率の誘電体を使用することにより、一般的に損失の大きな高誘電率材料で全体を充填するときに比較して低損失を実現できる。また、マイクロ波回路44の部分の誘電体層46を多層構造にし、各層の誘電率を異なる値に設定しても良い。
以上のように、この実施の形態3によれば、垂直マイクロ波伝送路4Bの内層にマイクロ波回路44を内蔵することにより、従来では平面部分に設置していたマイクロ波回路44を垂直マイクロ波伝送路4Bと一体化することができ、さらに小型化を実現することができるという効果が得られる。
また、この実施の形態3によれば、垂直マイクロ波伝送路4Bに使用する誘電体を多層構造にし、マイクロ波回路44の部分の誘電体として局所的に高い誘電率の誘電体を使用することにより、マイクロ波回路44のサイズを小さくすることができ、さらに小型化を実現できると共に、高誘電率材料で全体を充填するときに比較して低損失を実現できるという効果が得られる。
1 導体ベース、2 下側マイクロ波伝送路、3 上側マイクロ波伝送路、4,4A,4B 垂直マイクロ波伝送路、11 段差部、12 下側のベース面、13 上側のベース面、21 マイクロストリップ線路、22 グランドパターン、23 スルホール、25 信号ライン、31 マイクロストリップ線路、32 グランドパターン、35 信号ライン、41 コプレーナ線路、42 グランドパターン、44 マイクロ波回路、45 信号ライン、46 誘電体層、51 水平−垂直変換部、52 垂直−水平変換部、62 マイクロ波伝送路、63 上側マイクロ波伝送路、64 上側基板、65 接続部材、100 グランド経路。
Claims (5)
- 下側マイクロ波伝送路と、
この下側マイクロ波伝送路と設置される高さが異なる上側マイクロ波伝送路と、
上記下側マイクロ波伝送路及び上記上側マイクロ波伝送路に一体成型により結合される垂直マイクロ波伝送路とを備え、
上記下側マイクロ波伝送路の一部及び上記上側マイクロ波伝送路の一部が上記垂直マイクロ波伝送路から延伸していることを特徴とする基板の接続構造。 - 垂直マイクロ波伝送路の高さにより決定される反射が少ない使用帯域内の波長を実現する誘電率を持つ誘電体を上記垂直マイクロ波伝送路に使用することを特徴とする請求項1記載の基板の接続構造。
- 垂直マイクロ波伝送路に使用する誘電体を多層構造にし、各層の誘電体の誘電率又は各層の誘電体の厚さにより、反射が少ない使用帯域内の波長を実現することを特徴とする請求項2記載の基板の接続構造。
- 垂直マイクロ波伝送路の内層にマイクロ波回路を内蔵していることを特徴とする請求項1記載の基板の接続構造。
- 垂直マイクロ波伝送路に使用する誘電体を多層構造にし、マイクロ波回路の部分の誘電体として局所的に高い誘電率の誘電体を使用することを特徴とする請求項4記載の基板の接続構造。
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JP2009289723A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-12-10 | Molex Inc | コネクタ及び端子保持体 |
JP2010177102A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Molex Inc | 電気回路の接続構造および電気回路の接続方法 |
JP2010262871A (ja) * | 2009-05-09 | 2010-11-18 | Fujitsu Ltd | 接続端子および伝送線路 |
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2004
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