JP2006156992A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被処理体を、フッ化炭素化合物を含む処理ガスによるプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、フッ化炭素化合物として、1,1,1,4,4,4-ヘキサフルオロ-2-ブチンまたは1,1,1,4,4,5,5,5-オクタフルオロ-2-ペンチンなどの、分子内に少なくとも一つの三重結合と、該三重結合に隣接した少なくとも一つの一重結合により結合されたCF3基とを含むフッ化炭素化合物を用いる。
【選択図】図7
Description
前記フッ化炭素化合物は、分子内に少なくとも一つの三重結合と、該三重結合に隣接した少なくとも一つの一重結合により結合されたCF3基とを含む化合物であることを特徴とする、プラズマ処理方法が提供される。
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載されたプラズマ処理方法が行なわれるように、プラズマ処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体が提供される。
図1は、本発明の第1実施形態にかかるエッチングプロセスの一例を説明するため、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と記す)Wの縦断面の要部を拡大して示す模式図である。図1(a)に示すとおり、ウエハWを構成するシリコン基板101上には、絶縁膜としてのSiO2などのシリコン酸化膜102が形成されており、その上にマスクとして、フォトレジスト膜103が形成されている。このフォトレジスト膜103は、例えば、Kr−Fレジスト用のポリ−ヒドロキシスチレン、Ar−Fレジスト用のポリ−メチルメタクリレート(PMMA)などの材料で構成され、所定形状にパターニングされている。パターンを構成する開口部(溝またはホールに対応する部分)110の底には、シリコン酸化膜102が露出している。
ここで、レジデンスタイムは、エッチングガスのチャンバー1内のエッチングに寄与する部分における滞留時間を意味し、下部電極面積(図2の場合は、ウエハWの面積とフォーカスリング15の面積の合計)に上下の電極間距離を乗算して求めた有効チャンバー体積(つまり、処理ガスがプラズマ化する空間の体積)をV[m3]、排気速度をS[m3/秒]、チャンバー内圧力をp[Pa]、処理ガスの総流量をQ(Pa・m3/秒)としたとき、レジデンスタイムτ[秒]は、以下の式に基づき求めることができる。
τ=V/S=pV/Q
ここで、レジデンスタイムは、成膜用ガスのチャンバー1内の成膜に寄与する部分における滞留時間を意味し、下部電極面積(図2の場合は、ウエハWの面積とフォーカスリング15の面積の合計)に上下の電極間距離を乗算して求めた有効チャンバー体積(つまり、処理ガスがプラズマ化する空間の体積)をV[m3]、排気速度をS[m3/秒]、チャンバー内圧力をp[Pa]、処理ガスの総流量をQ(Pa・m3/秒)としたとき、レジデンスタイムτ[秒]は、以下の式に基づき求めることができる。
τ=V/S=pV/Q
また、C4F6の流量が20mL/minの場合の各ホール径におけるフラットとファセットの対フォトレジスト選択比を図7に示した。
以上の結果から、2-C4F6を用いることにより、エッチングレートを1,3-C4F6と同等に維持しながら、対フォトレジスト選択性の高いエッチングが可能になることが示された。
図9から、分子内に少なくとも一つの三重結合と、該三重結合に隣接した少なくとも一つの一重結合により結合されたCF3基とを含むフッ化炭素化合物である2-C5F8は、ガス流量10〜50mL/min(sccm)の範囲で堆積レートが最も高く、次に同様の構造を持つ2-C4F6の堆積レートが高いことが示された。上記二化合物の堆積レートは、これらの構造異性体であるc-C5F8、1,3-C4F6と比較しても優れていた。一方、他のフッ化炭素化合物であるc-C4F8(オクタフルオロシクロブタン)、C3F8(オクタフルオロプロパン)の場合には、いずれも堆積レートが劣っていた。
例えば、上記実施形態では容量結合型の平行平板エッチング装置を用いたが、本発明の範囲のガス圧力でプラズマを形成することができれば装置は問わず、誘導結合型等の種々のプラズマ処理装置を用いることができる。
2;チャンバー
60;プロセスコントローラ
61;ユーザーインターフェイス
62;記憶部
101;シリコン基板
102;シリコン酸化膜
103;フォトレジスト膜
105;ポリシリコン層
106;シリコン酸化膜
107;CF膜
110;開口部
Claims (11)
- 被処理体を、フッ化炭素化合物を含む処理ガスによるプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、
前記フッ化炭素化合物は、分子内に少なくとも一つの三重結合と、該三重結合に隣接した少なくとも一つの一重結合により結合されたCF3基とを含む化合物であることを特徴とする、プラズマ処理方法。 - 前記プラズマ処理は、被処理体上に形成されたシリコン含有酸化膜に対し、その上に形成されパターニングされたフォトレジストをマスクとしてエッチングを行なうものであることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記エッチングにおける対フォトレジスト選択比が4.8〜6であることを特徴とする、請求項2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記エッチングにおける処理ガスのレジデンスタイムが0.01〜0.1秒であることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマ処理方法。
- 前記フッ化炭素化合物は、1,1,1,4,4,4-ヘキサフルオロ-2-ブチンであることを特徴とする、請求項4に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理ガスは、さらに、He、Ne、ArおよびXeからなる群より選ばれる1種または2種以上の希ガスを含むことを特徴とする、請求項5に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理ガスは、さらにO2を含むことを特徴とする、請求項6に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ処理は、被処理体上へのα−CF膜の成膜を行なうものであることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記フッ化炭素化合物は、1,1,1,4,4,4-ヘキサフルオロ-2-ブチンまたは1,1,1,4,4,5,5,5-オクタフルオロ-2-ペンチンであることを特徴とする、請求項8に記載のプラズマ処理方法。
- コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載されたプラズマ処理方法が行なわれるようにプラズマ処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載されたプラズマ処理方法が行なわれるように、プラズマ処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。
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JP2012164922A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Yuutekku:Kk | 圧電体の製造方法、圧電体及び電子装置 |
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2005
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