JP2006156936A - 定電圧ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リーチスルー型の定電圧ダイオードであって、第1導電型のN型半導体基板1、第1導電型のエピタキシャル層2、エピタキシャル層2の内部に形成された第2導電型の第1半導体領域3、第1半導体領域3を囲むとともにこの第1半導体領域3と離間した位置に形成された第2導電型の第2半導体領域5、エピタキシャル層2の主面に形成されたアノード電極8、およびN型半導体基板1の主面と反対側の面に形成されたカソード電極9を備える。第2半導体領域5の底部は、第1半導体領域3の底部よりもエピタキシャル層2の主面から浅い位置にある。
【選択図】 図1
Description
以下に、本発明の第1の実施形態に係る定電圧ダイオードについて説明する。本実施形態に係る定電圧ダイオードは、リーチスルー型の定電圧ダイオードである。リーチスルー型のダイオードでは、逆バイアス電圧印加時の空乏層の厚みは、低濃度側の半導体層の厚みにほぼ等しくなっているため、逆バイアス電圧が変化してもほとんど変化しない。
本実施形態では、N- 型エピタキシャル層2に第3半導体領域を含まず、第2半導体領域のみを複数有する定電圧ダイオードについて説明する。なお、本実施形態に係る第2半導体領域および第3半導体領域以外の構成は、第1の実施形態と同様であるので、以下では、両者の違いについてのみ説明する。
図5は、本発明の第3の実施形態に係る定電圧ダイオードの構成を示す断面図である。図5において、図1〜図4と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。図5に示す低電圧ダイオード40において、P型第1半導体領域3の上面にはアノード電極8が形成され、N型半導体基板1の主面と反対側面にはカソード電極9が形成され、酸化膜あるいは窒化膜からなる絶縁膜7を介してP型第2半導体領域5上に環状に非電極導電体11が形成されている。
かかる構成によれば、N- 型エピタキシャル層2の厚さは、定電圧ダイオード40に逆バイアス電圧を印加した際、リーチスルーで耐圧が決定されるよう設定されている。例えば、ブレークダウン電圧を300Vとする時は、前記N- 型エピタキシャル層2の不純物濃度を1×1015cm-3以下であり、N- 型エピタキシャル層2内に形成されたP型第1半導体領域3とN型半導体基板1とに挟まれた前記N- 型エピタキシャル層2の残り厚みは10〜12μmであることが望ましい。従って、N- 型エピタキシャル層2の厚みを25μmとした時、P型第1半導体領域3の拡散深さはおおよそ13〜15μmであることが望ましい。
2 N- 型エピタキシャル層
3 P型第1半導体領域
4 P型第2半導体領域
5 P型第3半導体領域
6 N+ 型第4半導体領域
7 絶縁膜
8 アノード電極
9 カソード電極
10,30,40 定電圧ダイオード
11 非電極導電体
20,21 空乏層
Claims (14)
- リーチスルー型の定電圧ダイオードであって、
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成され、当該半導体基板よりも不純物濃度が低い第1導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の内部に形成された第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域を囲むように前記エピタキシャル層の内部に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記エピタキシャル層の主面に形成された絶縁膜と、
前記エピタキシャル層の主面に形成された第1電極と、
前記半導体基板の主面と反対側の面に形成された第2電極とを備え、
前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とは互いに離間した位置にあり、
前記第2半導体領域の底部は、前記第1半導体領域の底部よりも前記エピタキシャル層の主面から浅い位置にあることを特徴とする、定電圧ダイオード。 - 前記第2半導体領域の内側に、少なくとも前記第1半導体領域の表面を覆う第3半導体領域をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の定電圧ダイオード。
- 前記第2半導体領域の底部と前記第3半導体領域の底部とは、前記エピタキシャル層の主面から同じ位置にあることを特徴とする、請求項1に記載の定電圧ダイオード。
- 前記第2半導体領域の底部は、前記第3半導体領域の底部よりも前記エピタキシャル層の主面から浅い位置にあることを特徴とする、請求項1に記載の定電圧ダイオード。
- 前記第2半導体領域は、複数設けられていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の定電圧ダイオード。
- 複数設けられた前記第2半導体領域の底部は、前記エピタキシャル層の主面から全て同じ位置にあることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の定電圧ダイオード。
- 複数設けられた前記第2半導体領域において、外側に配置された当該第2半導体領域の底部は、内側に配置された当該第2半導体領域の底部よりも前記エピタキシャル層の主面から浅い位置にあることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の定電圧ダイオード。
- 前記絶縁膜上に非電極の導電体が環状に設けられていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の定電圧ダイオード。
- リーチスルー型の定電圧ダイオードを製造する方法であって、
第1導電型の半導体基板の主面に形成され、当該半導体基板よりも不純物濃度が低い第1導電型のエピタキシャル層の主面に絶縁膜を形成する工程と、
前記エピタキシャル層の主面に選択的に第2導電型の不純物を導入する第1の不純物導入工程と、
前記第1の不純物導入工程で導入された不純物を拡散させることにより第1半導体領域を形成する第1半導体領域形成工程と、
前記導入された第2導電型の不純物を囲むとともに当該第2導電型の不純物と離間した位置にさらに第2導電型の不純物を導入する第2の不純物導入工程と、
前記第2の不純物導入工程で導入された不純物を拡散させることにより、その底部が前記第1半導体領域の底部よりも前記エピタキシャル層の主面から浅い位置にある第2半導体領域を形成する第2半導体領域形成工程と、
前記エピタキシャル層の主面に第1電極を形成する工程と、
前記半導体基板の主面とは反対側の面に第2電極を形成する工程とを備えることを特徴とする、定電圧ダイオードの製造方法。 - 前記第1半導体領域形成工程と前記第2半導体領域形成工程とを、同時に行うことを特徴とする、請求項9に記載の定電圧ダイオードの製造方法。
- 前記エピタキシャル層の主面に、少なくとも前記第1の不純物導入工程で形成された不純物層の表面に向けてさらに第2導電型の不純物を導入する第3の不純物導入工程と、
前記第3の不純物導入工程で導入された不純物を拡散させることにより、少なくとも前記第1半導体領域の表面を覆う第3半導体領域を形成する第3半導体領域形成工程とをさらに備えることを特徴とする、請求項9に記載の定電圧ダイオードの製造方法。 - 前記第1半導体領域形成工程、前記第2半導体領域形成工程、および前記第3半導体領域形成工程を同時に行うことを特徴とする、請求項11に記載の定電圧ダイオードの製造方法。
- 前記第3半導体領域形成工程では、当該第3半導体領域を、その底部が前記第2半導体領域の底部と前記エピタキシャル層の主面から同じ位置にあるように形成することを特徴とする、請求項11に記載の定電圧ダイオードの製造方法。
- 前記第3半導体領域形成工程では、当該第3半導体領域を、その底部が前記第2半導体領域の底部と前記エピタキシャル層の主面から深い位置にあるように形成することを特徴とする、請求項11に記載の定電圧ダイオードの製造方法。
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JP2011101021A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Abb Technology Ag | ファストリカバリーダイオード |
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