JP2006156618A - レーザ照射装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光を照射した窒化物半導体膜の分離界面の荒れを防止してフィルタ特性を向上させる。
【解決手段】強度分布が不均一なレーザ光を照射することにより、レーザ強度の積分値(レーザ出力)が一致していても、局所的に強度の強い領域と弱い領域を生み出すことができる。まずレーザ強度の弱い部分で照射し、前記第1の半導体膜にエネルギーを与え、続けてレーザ強度の強い部分で照射する。レーザ強度の弱い部分で照射による残留エネルギーと強度の強い部分のエネルギーとで第1の基板と第1の半導体膜界面の少なくとも一部を完全に分離させる。
【選択図】図1
【解決手段】強度分布が不均一なレーザ光を照射することにより、レーザ強度の積分値(レーザ出力)が一致していても、局所的に強度の強い領域と弱い領域を生み出すことができる。まずレーザ強度の弱い部分で照射し、前記第1の半導体膜にエネルギーを与え、続けてレーザ強度の強い部分で照射する。レーザ強度の弱い部分で照射による残留エネルギーと強度の強い部分のエネルギーとで第1の基板と第1の半導体膜界面の少なくとも一部を完全に分離させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体膜を用いたフィルタにおいて、基板上に成長した窒化物半導体膜にレーザを照射し、基板から半導体膜を分離し、フィルタを作製する工法に関するものである。
近年、AlN系化合物半導体は膜中での信号伝達速度に関わる音速が10.4km/secと非常に早く、移動体通信用の高周波部品として、特に不要な周波数を除去し、所望の周波数のみを通過させる薄膜バルク音響共振器(FBAR)から構成されているフィルタ部品として広く用いられる。また、AlN系化合物半導体膜を高周波フィルタとして用いる際に、AlN系化合物半導体膜の結晶性がフィルタ内の信号伝達ロスと関係があり、結晶性の良い膜では信号伝達ロスが低減できることが一般的に知られている。
AlN系化合物半導体膜は格子整合する基板がなく、基板上にAlN系化合物半導体膜を結晶成長させた場合、格子不整合及び熱膨張係数の違いにより、AlN系化合物半導体膜に転移と熱歪みが生じ、結晶性の良好な窒化物半導体膜を形成することは困難である。そのため従来は、結晶性の良好なAlN系化合物半導体膜を得るために、まず、約10%程度の格子不整合があるサファイア基板上にGaN系化合物半導体膜を形成し、そのGaN系化合物半導体膜上にAlN系化合物半導体膜を結晶成長させることが知られている。
FBARを用いたフィルタはAlN系化合物半導体膜を金属膜で挟んだキャパシタ構造であるため、下部電極上にAlN系化合物半導体膜を形成する必要がある。しかしながら、結晶性の良い窒化物半導体膜を形成するには1000℃以上の高温が必要であり、1000℃以下の温度で形成した膜の結晶性は劣化する。しかし、フィルタとして下部電極上に窒化物半導体膜を形成するには1000℃以上の温度に耐える金属膜を選択する必要があるが、実用的な金属では困難である。
そこで、サファイア基板上にGaN系化合物半導体膜とAlN系化合物半導体膜を積層形成し、別基板上に形成した下部電極とAlN系化合物半導体膜を貼り合せ、レーザ照射によりサファイア基板上とGaN系化合物半導体膜の界面を分離し、サファイア基板を除去するレーザリフトオフ工法を用い、GaN系化合物半導体膜をエッチング等で除去することにより、結晶性の良いAlN系化合物半導体膜が下部電極上に得られる。
特表2000−501778号公報
しかしながら、サファイア基板上からGaN系化合物半導体膜を分離するために照射するレーザ光のエネルギーは高く、レーザ照射装置の寿命が短いという問題と、高いエネルギーのレーザ光を照射したGaN系化合物半導体膜の分離界面が荒れ、この工法を用いてフィルタを作製した場合に、荒れた界面にて信号が乱反射しフィルタ特性が劣化するという問題があった。
上記課題に鑑み、本発明はフィルタ特性の劣化を防止する製造方法を提供するものである。
上記課題を解決するために本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、レーザをコリメートするユニットと、コリメートされたレーザ光の不均一な部分を切り出すスリットを備えているものである。
この構成により、コリメートされたレーザ光の不均一な部分を取り出すことができる。
本発明のレーザ照射装置は、さらにレーザを照射する基板の裏面から、前記基板を加熱できるユニットを備えていることが好ましい。
この好ましい構成により、基板下に加熱ヒータを設けることで基板を加熱しながらレーザを照射することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、第1の基板表面上に、第1の半導体膜を形成する工程と、前記第1の基板裏面から、前記第1の基板で吸収せず前記第1の半導体膜で吸収するレーザ光を照射し、前記第1の基板と前記第1の半導体膜との界面の少なくとも一部において前記第1の基板と前記第1の半導体膜を分離させる工程において、前記レーザ光の強度分布が不均一であるものである。
この構成により、基板で吸収せず半導体膜で吸収する強度の不均一な光を照射しているので、レーザ光分布において光強度の小さな部分と大きな部分が生し、当該光強度の小さな部分と光強度の大きな部分とが連続して基板に照射されることになるので、光強度の小さな部分による残留エネルギーと光強度の大きい部分のエネルギーとで基板と半導体膜界面の少なくとも一部を完全に分離でき、強度分布の均一なレーザ光の照射により分離する場合よりも、レーザの出力エネルギーを低減できる。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記レーザ光を照射し、前記第1の基板と前記第1の半導体膜との界面の少なくとも一部において前記第1の基板と前記第1の半導体膜を分離させる工程において、前記第1の基板が加熱されていることが好ましい。
この好ましい構成によれば、レーザ光照射時に基板加熱することにより第1の基板と第1の半導体膜の界面にエネルギーを与えることで、分離に必要なレーザエネルギーを下げることができ、レーザ照射装置の長寿命化が可能であり、さらに、加熱エネルギーがあるため、分離するために必要なレーザ強度が下がり、GaN系化合物半導体の分離面の平坦性が増す。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記レーザの強度分布のうち、一部分の強度が前記第1の半導体膜の格子結合を切断するのに十分な強度をもち、その他の部分の強度が前記第1の半導体膜の格子結合を切断するのに十分な強度をもたないことが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記第1の半導体膜上に少なくとも1層の第2の半導体膜を形成する工程を有することが好ましい。
この好ましい構成によれば、GaN系化合物半導体上に圧電体膜であるAlN系化合物半導体を結晶成長させることで、下部電極上での形成では得られない結晶性のAlN系化合物半導体を得ることができる。これにより、フィルタの伝達特性が向上する。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記第1の半導体膜がGaNであり、
前記第2の半導体膜の少なくとも1層がAlNであることが好ましい。
前記第2の半導体膜の少なくとも1層がAlNであることが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記第2の半導体膜上に少なくとも1層の金属膜を形成する工程を有することが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記第1の基板と前記第1の半導体体膜の格子不整合が20%以下であることが好ましい。
この好ましい構成によれば、格子不整合を20%以下にすることで、圧電体膜をエピタキシャル成長させることができ、結晶性の良好なAlN系化合物半導体を得ることができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに第1の半導体膜がGaN膜であり、前記レーザの波長が360nm以下であることが好ましい。
この好ましい構成によれば、前記第1の半導体膜に吸収波長360nm程度以下のGaN膜を用いることで、Nd:YAGレーザの第3高調波(355nm)やKrFエキシマレーザ(248nm)により、レーザエネルギーを良好に吸収し、レーザリフトオフを行うことができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに第1の半導体膜の膜厚が1μm以上であることが好ましい。
この好ましい構成によれば、第1の半導体膜を1μm以上形成することで、レーザリフトオフに必要な出力エネルギーを下げることができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記第1の半導体膜の上に第1の金属膜を形成する工程と、第2の基板上に接着用の膜を形成する工程と、前記第1の金属膜と前記接着用の膜を貼り合せる工程とを有することが好ましい。
この好ましい構成によれば、結晶性の良好な伝達ロスの少ないFBARフィルタを作製することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記接着用の膜が第2の金属膜であることが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記第1の金属膜と前記第2の金属膜を共晶反応させることにより貼り合せることが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記第1の半導体膜がn型またはp型の導電性を有する膜であることが好ましい。
この好ましい構成によれば、第1の半導体膜にドーピングを行い、n型またはp型の導電性を有することで、第1の半導体膜を電極として用いることが可能となり、第1の半導体膜4を除去する工程を削減することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、さらに前記第1の基板を分離後、前記第1の半導体膜上に前記第1の半導体膜より抵抗率の低い膜を形成する工程を有することが好ましい。
本発明によれば、レーザ照射装置の長寿命化が可能となるとともにGaN系化合物半導体の分離面の平坦性が増す。それによりフィルタ特性が向上する。
以下、本発明の実施形態ついて、図面を参照しながら説明する。
(第1の実施形態)
−レーザ照射装置−
図7に本発明に係るレーザ照射装置の概略図を示す。図7に示すように、レーザ発振器より出力されたレーザ光701をコリメートユニットによりコリメートする。その後、コリメートされたレーザ光702の不均一な部分をスリット703により切り出す。切り出した部分704をミラー705により反射し、基板706上に照射する。これにより請求項3のレーザリフトオフが可能となる。
−レーザ照射装置−
図7に本発明に係るレーザ照射装置の概略図を示す。図7に示すように、レーザ発振器より出力されたレーザ光701をコリメートユニットによりコリメートする。その後、コリメートされたレーザ光702の不均一な部分をスリット703により切り出す。切り出した部分704をミラー705により反射し、基板706上に照射する。これにより請求項3のレーザリフトオフが可能となる。
また、図7に示すように、基板下に加熱ヒータ707を設けることにより、基板を加熱しながらレーザを照射することができる。
図1は図7のレーザ照射装置を用いて得られたレーザの強度分布である。(a)は従来通り均一な分布を持つレーザ光で、(b)は不均一な分布を持つレーザ光である。101、103は縦軸レーザエネルギー、横軸位置を表している。102、104は照射スポットを表している。(a)(b)ともに強度の積分値(レーザ出力エネルギー)は一致している。強度分布が不均一なレーザ光103、104を照射することにより、レーザ強度の積分値が一致していても、局所的に強度の強い部分を生み出すことができる。
―半導体装置の製造方法−
図2はレーザのスキャン方法を示しており、201は強度の強い部分、202は強度の弱い部分を示している。図2のように、まずレーザ強度の弱い部分で照射し、前記第1の半導体膜にエネルギーを与え、続けてレーザ強度の強い部分が照射されることにより、残留エネルギーと強度の強い部分のエネルギーで第1の基板と第1の半導体膜界面の少なくとも一部が完全に分離し、強度分布の均一なレーザ光の照射により分離する場合よりも、レーザの出力エネルギーを低減でき、レーザ照射装置の長寿命化が可能となる。
図2はレーザのスキャン方法を示しており、201は強度の強い部分、202は強度の弱い部分を示している。図2のように、まずレーザ強度の弱い部分で照射し、前記第1の半導体膜にエネルギーを与え、続けてレーザ強度の強い部分が照射されることにより、残留エネルギーと強度の強い部分のエネルギーで第1の基板と第1の半導体膜界面の少なくとも一部が完全に分離し、強度分布の均一なレーザ光の照射により分離する場合よりも、レーザの出力エネルギーを低減でき、レーザ照射装置の長寿命化が可能となる。
さらに、残留エネルギーがあるため、分離するために必要なエネルギーが残留エネルギーの分だけ下がり、最高エネルギーのみで決定される分離面の平坦性が増し、FBARフィルタの特性が向上する。
上記方法について具体的に述べる。図4に示す第1の半導体膜403にレーザ光401を照射し、第1の基板402を分離しようとした場合、レーザ光401を照射した部分のみが前記第1の基板402より分離するため、前記第1の半導体膜403成膜時に発生した熱歪みに起因する残留応力がこの領域に集中し、前記第1の半導体膜403や前記第1の基板402および第2の基板406が割れる。ここで、基板を加熱することで熱歪みを緩和し、薄い基板でも基板割れなく第1の基板402を第1の半導体膜403より分離することができる。
さらに、加熱エネルギーがあるため、分離するために必要なレーザ強度が下がり、GaN系化合物半導体の分離面の平坦性が増し、フィルタの特性が向上する。
なお、ここで例えば第1の基板402はサファイアよりなり、第1の半導体膜403はAlNよりなり、第2の基板406がSiよりなる。
なお、ここで第1の半導体膜403については、AlxGa1-xN(0≦x≦1)でも同様の効果が得られる。
なお、ここで第1の半導体膜403上に圧電体膜であるAlNを結晶成長させてもよい。これにより下部電極上での形成では得られない結晶性のAlN系化合物半導体を得ることができる。これにより、フィルタの伝達特性が向上する。
実際にレーザ光分布が不均一の場合と均一の場合とでレーザリフトオフ成功率を検討した。その結果を図8に示す。図8において横軸がレーザの平均出力、縦軸がレーザリフトオフ成功率を表す。図8によれば、レーザの平均出力が小さなところで、レーザ光分布が不均一の場合のほうがレーザ光分布が均一の場合よりもレーザリフトオフ成功率が高いことがわかった。これは、レーザ光分布が不均一の場合のほうが光強度の小さな部分による残留エネルギーと光強度の大きい部分のエネルギーとで基板と半導体膜界面の少なくとも一部を完全に分離でき、強度分布の均一なレーザ光の照射により分離する場合よりも、レーザの出力エネルギーを低減できることによるものと考えられる。
なお、第1の半導体膜403上に形成される圧電体層としては、格子不整合を20%以下にするのがよく、このようにすることで圧電体膜をエピタキシャル成長させることができ、結晶性の良好なAlN系化合物半導体を得ることができる。これにより、フィルタの伝達特性が向上する。
なお、ここで、第1の半導体膜403に吸収波長360nm程度以下のGaN膜を用いることで、Nd:YAGレーザの第3高調波(355nm)やKrFエキシマレーザ(248nm)により、レーザエネルギーを良好に吸収し、レーザリフトオフを行うことができる。
図3は面内でレーザリフトオフが成功する割合(面積)を示している。請求項11の発明により、図3に示すように、前記第1の半導体膜を1μm以上形成することで、レーザリフトオフに必要な出力エネルギーを下げることができ、レーザ照射装置の長寿命化が可能となる。前記第1の半導体膜の形成は島状成長するため、膜厚1μm以下では分布が不均一となることが原因である。この島同士が隙間無く、膜厚の分布が均一になるためには1μm以上必要であり、1μm以下の膜厚で良好に全面でレーザリフトオフを行うためには非常に高いパワーが必要である。また、膜厚1μm以上で島同士の隙間が無くなることにより、第1の半導体膜の分離界面が平坦化され、フィルタの伝達特性が向上する。
ここで、図4(a)に示すように、第1の基板402上に第1の半導体膜403を形成し、第1の半導体膜403上に圧電体膜404を形成し、さらに貼り合せるための下部電極407をパターニングする。図4(b)に示すように、第1の基板402と接着剤405を堆積した第2の基板406とを貼り合せた後、第1の基板402で吸収されず、第1の半導体膜403で吸収されるレーザ光401を照射し、図4(c)に示すように、第1の半導体膜403と第1の基板402の界面の少なくとも一部を分離する。さらに、図4(d)に示すように、第1の半導体膜403を除去して、圧電体膜404を露出させる。さらに、図4(e)に示すように、上部電極408を形成し、キャパシタ構造を作製することで、結晶性の良好な伝達ロスの少ないFBARフィルタを作製することができる。
ここで、図4に示す第1の半導体膜403にドーピングを行い、n型またはp型の導電性を有することで、第1の半導体膜403を電極として用いることが可能となり、第1の半導体膜403を除去する工程を削減することができ、製品コストの削減と歩留まりの向上を見込める。
(変形例)
図5に本発明の第1の実施形態の変形例である共振器の工程フローを示す。図5(a)に示すように、サファイア基板501上にGaN膜502を1μm以上結晶成長させ、GaN膜502上にAlN膜503を結晶成長させる。さらに貼り合せるためのAuSn膜504を形成し、パターニングする。さらにSi基板506上に貼り合せるためのAuSn膜505を形成し、パターニングする。図5(b)に示すように、AuSn膜504と505を加熱するなどし、共晶反応させ接着させた後、サファイア基板501で吸収されず、GaN膜502で吸収されるKrFエキシマレーザ光507を基板加熱しながら照射する。図5(c)に示すように、GaN膜502とサファイア基板501の界面の少なくとも一部を分離する。さらに、図5(d)に示すように、GaN膜502を除去して、AlN膜503を露出させる。さらに、図5(e)に示すように、Mo電極508を形成し、キャパシタ構造を作製することで、FBARを作製することができる。
図5に本発明の第1の実施形態の変形例である共振器の工程フローを示す。図5(a)に示すように、サファイア基板501上にGaN膜502を1μm以上結晶成長させ、GaN膜502上にAlN膜503を結晶成長させる。さらに貼り合せるためのAuSn膜504を形成し、パターニングする。さらにSi基板506上に貼り合せるためのAuSn膜505を形成し、パターニングする。図5(b)に示すように、AuSn膜504と505を加熱するなどし、共晶反応させ接着させた後、サファイア基板501で吸収されず、GaN膜502で吸収されるKrFエキシマレーザ光507を基板加熱しながら照射する。図5(c)に示すように、GaN膜502とサファイア基板501の界面の少なくとも一部を分離する。さらに、図5(d)に示すように、GaN膜502を除去して、AlN膜503を露出させる。さらに、図5(e)に示すように、Mo電極508を形成し、キャパシタ構造を作製することで、FBARを作製することができる。
(第2の実施形態)
図6に本発明の第2の実施形態である共振器の工程フローを示す。図6(a)に示すように、サファイア基板601上にGaN膜602を1μm以上結晶成長させ、GaN膜602中にSi609をドーピングする。さらにSi基板606上に貼り合せるためのAuSn膜605を形成し、パターニングする。図6(b)に示すように、Si609をドーピングしたGaN膜602上にAlN膜603を結晶成長させる。さらに貼り合せるためのAuSn膜604を形成し、パターニングする。図6(c)に示すように、AuSn膜604と605を加熱するなどし、共晶反応させ接着させた後、サファイア基板601で吸収されず、GaN膜602で吸収されるKrFエキシマレーザ光607を基板加熱しながら照射する。図6(d)に示すように、GaN膜602とサファイア基板601の界面の少なくとも一部を分離する。さらに、図6(e)に示すように、GaN膜602はSi609をドーピングしてあるので導電性があるため除去の必要がなく、上部電極であるMo608を形成し、キャパシタ構造を作製することで、FBARを作製することができる。
図6に本発明の第2の実施形態である共振器の工程フローを示す。図6(a)に示すように、サファイア基板601上にGaN膜602を1μm以上結晶成長させ、GaN膜602中にSi609をドーピングする。さらにSi基板606上に貼り合せるためのAuSn膜605を形成し、パターニングする。図6(b)に示すように、Si609をドーピングしたGaN膜602上にAlN膜603を結晶成長させる。さらに貼り合せるためのAuSn膜604を形成し、パターニングする。図6(c)に示すように、AuSn膜604と605を加熱するなどし、共晶反応させ接着させた後、サファイア基板601で吸収されず、GaN膜602で吸収されるKrFエキシマレーザ光607を基板加熱しながら照射する。図6(d)に示すように、GaN膜602とサファイア基板601の界面の少なくとも一部を分離する。さらに、図6(e)に示すように、GaN膜602はSi609をドーピングしてあるので導電性があるため除去の必要がなく、上部電極であるMo608を形成し、キャパシタ構造を作製することで、FBARを作製することができる。
以上説明したように、本発明はFBARフィルタの作製とレーザリフトオフ工法に有用である。
101 均一なレーザ光の強度分布
102 均一なレーザ光の強度分布
103 不均一なレーザ光の強度分布
104 不均一なレーザ光の強度分布
201 レーザ強度の強い領域
202 レーザ強度の弱い領域
401 レーザ光
402 第1の基板
403 第1の半導体膜
404 圧電体膜
405 接着剤
406 第2の基板
407 下部電極
408 上部電極
501 サファイア基板
502 GaN膜
503 AlN膜
504 第1のAuSn膜
505 第2のAuSn膜
506 Si基板
507 KrFエキシマレーザ光
508 Mo電極
601 サファイア基板
602 GaN膜
603 AlN膜
604 第1のAuSn膜
605 第2のAuSn膜
606 Si基板
607 KrFエキシマレーザ光
608 Mo電極
102 均一なレーザ光の強度分布
103 不均一なレーザ光の強度分布
104 不均一なレーザ光の強度分布
201 レーザ強度の強い領域
202 レーザ強度の弱い領域
401 レーザ光
402 第1の基板
403 第1の半導体膜
404 圧電体膜
405 接着剤
406 第2の基板
407 下部電極
408 上部電極
501 サファイア基板
502 GaN膜
503 AlN膜
504 第1のAuSn膜
505 第2のAuSn膜
506 Si基板
507 KrFエキシマレーザ光
508 Mo電極
601 サファイア基板
602 GaN膜
603 AlN膜
604 第1のAuSn膜
605 第2のAuSn膜
606 Si基板
607 KrFエキシマレーザ光
608 Mo電極
Claims (16)
- レーザ発振器と、
レーザをコリメートするユニットと、
コリメートされたレーザ光の不均一な部分を切り出すスリットを備えていることを特徴としたレーザ照射装置。 - 請求項1のレーザ照射装置であって、
レーザを照射する基板の裏面から、前記基板を加熱できるユニットを備えていることを特徴としたレーザ照射装置。 - 第1の基板表面上に、第1の半導体膜を形成する工程と、
前記第1の基板裏面から、前記第1の基板で吸収せず前記第1の半導体膜で吸収するレーザ光を照射し、前記第1の基板と前記第1の半導体膜との界面の少なくとも一部において前記第1の基板と前記第1の半導体膜を分離させる工程において、
前記レーザ光の強度分布が不均一であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法であって、
前記レーザ光を照射し、前記第1の基板と前記第1の半導体膜との界面の少なくとも一部において前記第1の基板と前記第1の半導体膜を分離させる工程において、前記第1の基板が加熱されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3または請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記レーザの強度分布のうち、
一部分の強度が前記第1の半導体膜の格子結合を切断するのに十分な強度をもち、
その他の部分の強度が前記第1の半導体膜の格子結合を切断するのに十分な強度をもたないことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3または請求項4記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1の半導体膜上に少なくとも1層の第2の半導体膜を形成する工程を有することを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項4、6記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1の半導体膜がGaNであり、
前記第2の半導体膜の少なくとも1層がAlNであることを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項3〜7の何れかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2の半導体膜上に少なくとも1層の金属膜を形成する工程を有することを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項3または請求項4記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1の基板と前記第1の半導体体膜の格子不整合が20%以下であることを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項3〜9の何れかに記載の半導体装置の製造方法であって、
第1の半導体膜がGaN膜であり、前記レーザの波長が360nm以下であることを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項3〜10の何れかに記載の半導体装置の製造方法であって、第1の半導体膜の膜厚が1μm以上であることを特徴とした半導体装置の製造方法。
- 請求項3〜11の何れかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1の半導体膜の上に第1の金属膜を形成する工程と、
第2の基板上に接着用の膜を形成する工程と、
前記第1の金属膜と前記接着用の膜を貼り合せる工程とを有することを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接着用の膜が第2の金属膜であることを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項13記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1の金属膜と前記第2の金属膜を共晶反応させることにより貼り合せることを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項12〜14の何れかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1の半導体膜がn型またはp型の導電性を有する膜であることを特徴とした半導体装置の製造方法。
- 請求項15記載の半導体製造方法であって、
前記第1の基板を分離後、前記第1の半導体膜上に前記第1の半導体膜より抵抗率の低い膜を形成する工程を有することを特徴とした半導体装置の製造方法。
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KR101032537B1 (ko) * | 2010-11-10 | 2011-05-04 | (주)더리즈 | 반도체 발광소자 제조방법 |
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- 2004-11-29 JP JP2004343497A patent/JP2006156618A/ja not_active Withdrawn
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