JP2006154577A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006154577A JP2006154577A JP2004347838A JP2004347838A JP2006154577A JP 2006154577 A JP2006154577 A JP 2006154577A JP 2004347838 A JP2004347838 A JP 2004347838A JP 2004347838 A JP2004347838 A JP 2004347838A JP 2006154577 A JP2006154577 A JP 2006154577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- pixel
- light
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】液晶を通過する光を比較的垂直方向のものにする。
【解決手段】液晶LCの光入射側に集光用の凸レンズ16を形成する。例えば、画素基板10と、対極基板12の間に液晶LCを配置する。そして、バックライト14からの光を受け入れる画素基板10の裏側に凸レンズ16を形成する。これによって、バックライト14からの斜めの光が垂直方向に向く。
【選択図】図4
【解決手段】液晶LCの光入射側に集光用の凸レンズ16を形成する。例えば、画素基板10と、対極基板12の間に液晶LCを配置する。そして、バックライト14からの光を受け入れる画素基板10の裏側に凸レンズ16を形成する。これによって、バックライト14からの斜めの光が垂直方向に向く。
【選択図】図4
Description
本発明は、画素毎の液晶への印加電圧を制御して表示を行う液晶パネルを含む液晶表示装置に関する。
従来より、フラットディスプレイの代表的なものとして液晶表示装置(LCD)があり、小さい画面のものから大きな画面のものまで、広く普及している。
このLCDは、液晶の配向を画素(液晶セル)毎の電圧印加によって変更し、光の透過を液晶セル毎に制御することによって表示を行う。
ここで、通常の場合液晶セルは一対のガラス基板などの平行平板によって形成され、そのセルギャップは通常一定値である。そして、VA(垂直配向:Vertical Alignment)モードを含むECB(電界制御複屈折:Electrically Controled Birefringence)モードで液晶を駆動する場合、入射光は液晶セルギャップd1と液晶の屈折率異方性Δnの積で決まる値によって入射光の偏光の状態が変化し出射側の偏光板に吸収されることによってセルの透過率が決定される。
ここで、バックライトなどの光源には、斜め方向に進む成分がある。液晶セルに斜めに光が入射された場合、光路長がセルギャップd1よりも大きくなる。この場合、例えばVAモードの白表示では、セルギャップから計算されたより偏光状態の変化が大きくなる。すなわち、図1に示すように、垂直入射の場合には、偏光の状態は、Δnd1で決定されるが、斜め入射(入射角θ)の場合には、Δnd1/cosθで決まる。このため、図2に示すように、垂直入射で透過率が最も高い、A=Δnd1にセルギャップd1を設定すると、斜め入射では、B=Δnd1/cosθ>Δnd1となり、Δndが大きくなり斜め光に対して最大の透過率とはならず、透過率が低下する。なお、斜め入射光に対する液晶の屈折率は、通常垂直入射光に対する屈折率と若干異なるが、上記においては同一とした。
そこで、従来は、垂直光が入射した場合に最大の透過率となる電圧を白電圧とはせず、それよりも小さい値に設定している。すなわち、図3に示すように、垂直入射のみを考えるとVnでもっとも透過率が高くなる。Vnを場合に斜めから見ると透過率が低下している。この透過率の低下は光の波長依存性を持ち、波長が最も短い青領域がもっとも低下が大きい。このため、斜めから見ると青の補色である黄色が強くなり白表示が黄色っぽくなる。そこで、一般的に斜めから見て透過率が最も高くなる電圧Voに白電圧を設定し、白表示が黄色っぽく見えるのを防止している。
なお、液晶表示装置における各種構成については、特許文献1などに記載がある。
しかし、このように液晶のセルギャップを透過率最大の点からずらして設定すると、垂直から見たときの透過率が低下する。この結果、VAモードの液晶は同じ開口面積を持つTN(Twisted Nematic)モードに比べ暗くなってしまう、また明るくするためにバックライトの輝度を上げると、消費電力が高くなってしまうという問題があった。
本発明は、画素毎の液晶への印加電圧を制御して表示を行う液晶パネルを含む液晶表示装置であって、外部から液晶に入射する光を集光し液晶を通過する光を垂直光に近づける凸レンズを液晶パネルの入射側に設けることを特徴とする。
また、前記液晶パネルは、各画素毎に形成されたTFTと、このTFTに接続された画素電極と、各画素の画素電極に対応する対向電極と、画素電極と対向電極間に配置された液晶と、を含み、前記画素電極は、前記TFT上に形成された平坦化膜上に形成されており、この平坦化膜を凸状または凹状とすることによって、平坦化膜の厚みと液晶の厚みを相対的に変更して前記凸レンズを形成することが好適である。
また、前記液晶パネルの出射側に、液晶を通過した光を広角度に広げる凹レンズを設けることが好適である。
また、前記液晶パネルは、光が出射される出射側に対向電極が形成される出射側基板を有し、この出射側基板の厚みを変更することで、前記凹レンズを形成することが好適である。
また、各画素は、複数のサブピクセルに分割されており、各サブピクセルについて凸レンズが形成されていることが好適である。
また、前記液晶パネルは、光が出射される出射側に対向電極が形成される出射側基板を有し、この出射側基板の厚みを前記サブピクセル毎に変更することで、前記凹レンズをサブピクセル毎に形成することが好適である。
また、前記液晶は、ECBモードの液晶であることが好適であり、特にVAモードの液晶が好適である。
また、前記液晶は、ECBモードの液晶であることが好適であり、特にVAモードの液晶が好適である。
以上のように、本発明によれば、液晶パネルの外部光の入射側に液晶を通過する光を垂直光に近づける凸レンズを設けており、これによってバックライトから出射される斜め方向の光も垂直方向の光に近づけることができる。そこで、液晶のセルギャップを透過率最大の点に近づけることができ、効率的な表示を行うことができる。
また、液晶からの出射側に凹レンズを形成することで、高視野角とすることができる。さらに、平坦化膜を利用して、凸レンズを形成することで、効率的な凸レンズの形成ができる。
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
「実施形態1」
図4に、実施形態1の模式図を示す。画素基板10は、垂直方向に各列毎にデータラインが設けられ、水平方向に各行毎に選択ラインが設けられている。そして、これらラインで区画された画素がマトリクス状に形成されており、各画素には、データラインからのデータ信号の取り入れを選択ラインの信号によって制御される選択TFT(薄膜トランジスタ)と、取り入れたデータ信号電圧を保持する保持容量と、画素電極が設けられている。
図4に、実施形態1の模式図を示す。画素基板10は、垂直方向に各列毎にデータラインが設けられ、水平方向に各行毎に選択ラインが設けられている。そして、これらラインで区画された画素がマトリクス状に形成されており、各画素には、データラインからのデータ信号の取り入れを選択ラインの信号によって制御される選択TFT(薄膜トランジスタ)と、取り入れたデータ信号電圧を保持する保持容量と、画素電極が設けられている。
この画素基板10に、液晶層LCを介し、対向して対極基板12が配置されている。この対極基板12には、ブラックマトリクスBMが各画素を取り囲むように配置されており、また、全画素電極に対向して共通の対極電極が形成されている。
一方、画素基板10の裏側には、バックライト14が配置されている。このバックライト14は、例えばLED(Light Emitting Diode)からなり、バックライトを画素基板10に向けて照射する。図4には図示していないが画素基板10の裏面側、対極基板12の上面側には偏光板、位相差板などが接着されている。この場合でも、接着剤の屈折率をレンズ部分より低くすることで凸レンズ16は凸レンズとして機能する。
そして、画素基板10の裏面(バックライト14側表面)には、画素毎に凸レンズ16が形成されている。画素基板10は、通常はガラス基板の表面側にTFTなどを形成しており、裏面はガラス基板がそのまま露出している。そこで、このガラス基板の裏面にエッチング処理など施すことにより、画素毎に凸レンズ16を形成することができる。また、ガラスについてサンドブラスト処理などを施すことによって凸レンズ16を構成することもでき、さらに樹脂製の凸レンズ16をガラス基板上に直接形成したり、接着剤により接着して形成してもよい。
このように、画素基板10のバックライト14側に凸レンズを設けることによって、図示のように、バックライト14から広角度に出射される光を画素基板10に垂直な方向に向けることができ、光が液晶を斜め方向に通過する確率を下げることができる。すなわち、図5に示すように、凸レンズ16を設けることによって、液晶入射光線角度について、垂直方向の存在確率が高くなる。そこで、セルギャップを垂直方向の光の減衰を小さくできるよう設定でき、光の利用効率を上昇して明るい画面を得ることができる。
「実施形態2」
図6に、実施形態2の模式図を示す。この実施形態2では、図4の実施形態1の構成に加え、対極基板12の光出射側(液晶層LCと反対側)の表面に各画素に対応して凹レンズ18が形成されている。対極基板12は、通常はガラス基板上にブラックマトリクスBMなどを形成しており、表面はガラス基板がそのまま露出している。そこで、このガラス基板の表面にエッチング処理などを施すことによって画素毎に凹レンズ18を形成することができる。また、ガラスについてサンドブラスト処理などを施すことによって凹レンズを形成することもでき、さらに樹脂製の凹レンズをガラス基板上に接着剤により接着して形成してもよい。
図6に、実施形態2の模式図を示す。この実施形態2では、図4の実施形態1の構成に加え、対極基板12の光出射側(液晶層LCと反対側)の表面に各画素に対応して凹レンズ18が形成されている。対極基板12は、通常はガラス基板上にブラックマトリクスBMなどを形成しており、表面はガラス基板がそのまま露出している。そこで、このガラス基板の表面にエッチング処理などを施すことによって画素毎に凹レンズ18を形成することができる。また、ガラスについてサンドブラスト処理などを施すことによって凹レンズを形成することもでき、さらに樹脂製の凹レンズをガラス基板上に接着剤により接着して形成してもよい。
このように、対極基板12の光出射側表面に凹レンズ18を設けることによって、図示のように、凸レンズ16によって集光された光が広げられ、液晶表示装置の広視野角化を図ることができる。
「実施形態3」
図7に、実施形態3の模式図を示す。この実施形態3では、平坦化膜の厚みを変更してレンズを形成している。
図7に、実施形態3の模式図を示す。この実施形態3では、平坦化膜の厚みを変更してレンズを形成している。
図に示すように、画素基板10は、ガラス基板30を有しており、その上の所要部分に半導体層32が形成されている。この半導体層32およびガラス基板30を覆って、ゲート絶縁膜34が形成されている。
半導体層32の一部(半導体層32−1)は、選択TFTQ1を形成しており、中央部分がチャネル領域、左右領域がそれぞれドレイン領域、ソース領域となっている。そして、チャネル領域の上部にはゲート絶縁膜34を介してゲート電極36が形成されている。なお、後述するように、ゲート電極36は、ゲートラインGLの一部として形成されている。
また、半導体層32の他の一部32−2は、保持容量Cを形成しており、その部分の半導体層32−2にゲート絶縁膜34を介して容量電極38が形成されている。半導体層32−2と、容量電極38およびこれらに挟まれたゲート絶縁膜34により保持容量Cが形成される。なお、後述するように、容量電極38は、容量ラインSCLの一部として形成されている。
また、ゲート電極36、容量電極38およびゲート絶縁膜34を覆って、層間絶縁膜40が形成され、この層間絶縁膜40およびゲート絶縁膜34のソース領域の部分が除去され、ここにソース電極42が形成されている。
そして、ソース電極42の上方のコンタクトホールを除いて前面に平坦化膜44が形成され、その上面に透明導電材料(例えば、IZO、ITO)からなる画素電極46が形成されている。
そして、このような画素基板10に液晶層LCを介し対極基板12が対向配置されており、この対極基板12は、ガラス基板48とその液晶層LC側に形成された対向電極50を有している。なお、ブラックマトリクスBMは、適宜形成される。
また、図示は省略したが、画素電極46および対向電極50の液晶LC側表面には、液晶の配向を制御する配向膜が設けられている。
なお、図示はしていないが、選択TFTQ1のドレイン領域には、データ信号を供給するデータラインが接続されている。また、保持容量Cを形成する半導体層32−2は、ソース領域と電気的に接続されており、容量電極38は所定の低電位に維持されている。さらに、対向電極50も所定の対向電極電位に維持される。
そこで、選択TFTQ1をオンすることで、データラインのデータ信号を保持容量Cに保持し、保持した電圧を画素電極46に印加することができ、これによって画素電極46と、対向電極50との間の液晶LCにデータ信号の応じた電圧が印加され、表示が行われる。
そして、画素電極46の下方の平坦化膜44が凹状に凹んでいる。これによって、画素電極46の中心部分が対向電極50から遠く、周辺部が近くなっている。一方、本実施形態では、液晶LCの屈折率NLCと、平坦化膜44の屈折率NPLNとを比べた場合に、NLC>NPLNの関係がある。従って、バックライト14からの光について見ると、平坦化膜44が凸レンズの機能を果たし、図に示すように、斜め方向に入射する光を集光して、垂直方向に向ける。
このように、液晶LCの屈折率NLCと、平坦化膜44の屈折率NPLNとに、NLC>NPLNの関係がある場合には、平坦化膜44に凹みを形成することで、斜め方向に向けて液晶に入射する光を垂直方向に補正することができる。また、このようにTFTの工程で使用される平坦化膜を加工してレンズ形状を作製することにより、各画素に対応したレンズを位置ズレすることなく作製することができる。
なお、液晶材料には各種のものがあり、その屈折率は材料によって異なる。このため、液晶材料の選択によって屈折率を適切なものに設定できる。一方、平坦化膜44には、通常アクリル材が用いられるが、この屈折率も調整が可能である。
「実施形態4」
図8に、実施形態4の模式図を示す。この実施形態4では、図7の実施形態3の構成に加え、対極基板12の液晶層LCの表面(対向電極50とガラス基板48の間)に各画素に対応して凸型レンズ層52を形成している。この凸型レンズ層52は、基本的に平坦化膜44に対応した形状であって、また材料も平坦化膜44と同じもので形成することが好適である。これによって、図に示したように、バックライト14からの斜め方向の光は、液晶層LC中においてガラス基板30,48に垂直な方向に補正され、その後もう一度斜め方向に補正され、広視野角の表示が確保される。
図8に、実施形態4の模式図を示す。この実施形態4では、図7の実施形態3の構成に加え、対極基板12の液晶層LCの表面(対向電極50とガラス基板48の間)に各画素に対応して凸型レンズ層52を形成している。この凸型レンズ層52は、基本的に平坦化膜44に対応した形状であって、また材料も平坦化膜44と同じもので形成することが好適である。これによって、図に示したように、バックライト14からの斜め方向の光は、液晶層LC中においてガラス基板30,48に垂直な方向に補正され、その後もう一度斜め方向に補正され、広視野角の表示が確保される。
「平面構成」
図9には、実施形態3,4についての平面構成の概略が示されている。データラインDLは、画素の列毎に垂直方向に伸びている。一方、ゲートラインGLは、画素の行毎に水平方向に伸びている。半導体層32は、一端がデータラインDLに接続され、その後コ字状に折れ曲がり、ゲートラインGLの下(厚み方向)を2度通過する。この重複部分のゲートラインGLがゲート電極36を構成し、ゲート電極36の下方の半導体層32がチャネル領域を構成する。半導体層32の他端には、ソース電極42が形成され、これが画素電極46と接続される。また、図示はしていないが、ソース電極42と、保持容量Cの半導体層32−2がコンタクト及び金属を介し、または直接半導体膜で接続されている。また、容量電極38は、ゲートラインGLと同様に行方向に伸びる容量ラインSCLの一部として形成されている。
図9には、実施形態3,4についての平面構成の概略が示されている。データラインDLは、画素の列毎に垂直方向に伸びている。一方、ゲートラインGLは、画素の行毎に水平方向に伸びている。半導体層32は、一端がデータラインDLに接続され、その後コ字状に折れ曲がり、ゲートラインGLの下(厚み方向)を2度通過する。この重複部分のゲートラインGLがゲート電極36を構成し、ゲート電極36の下方の半導体層32がチャネル領域を構成する。半導体層32の他端には、ソース電極42が形成され、これが画素電極46と接続される。また、図示はしていないが、ソース電極42と、保持容量Cの半導体層32−2がコンタクト及び金属を介し、または直接半導体膜で接続されている。また、容量電極38は、ゲートラインGLと同様に行方向に伸びる容量ラインSCLの一部として形成されている。
そして、図において、波線で等高線状に示したように、画素電極46(および対向電極50)は、下方に向けて膨らむように形成されている。
「実施形態5」
図10に、実施形態5の模式図を示す。この実施形態5においても、平坦化膜の厚みを変更してレンズを形成している。
図10に、実施形態5の模式図を示す。この実施形態5においても、平坦化膜の厚みを変更してレンズを形成している。
ここで、この実施形態5においては、液晶LCの屈折率NLCと、平坦化膜44の屈折率NPLNとを比べた場合に、NLC<NPLNの関係がある。従って、バックライト14からの光について見ると、平坦化膜44が凸レンズの機能を果たし、図に示すように、斜め方向に入射する光を集光して、垂直方向に向ける。
このように、実施形態5は、実施形態3と比較し、平坦化膜44と液晶LCの屈折率の関係が反対なだけで、理論的には等価のものである。
「実施形態6」
図11に、実施形態6の模式図を示す。この実施形態6では、図10の実施形態5の構成に加え、対極基板12の液晶層LCの表面(対向電極50とガラス基板48の間)に各画素に対応して凹型レンズ層54を形成している。この凹型レンズ層54は、基本的に平坦化膜44に対応した形状であって、また材料も平坦化膜44と同じもので形成することが好適である。これによって、図に示したように、バックライト14からの斜め方向の光は、液晶層LC中においてガラス基板30,48に垂直な方向に補正され、その後もう一度斜め方向に補正され、広視野角の表示が確保される。
図11に、実施形態6の模式図を示す。この実施形態6では、図10の実施形態5の構成に加え、対極基板12の液晶層LCの表面(対向電極50とガラス基板48の間)に各画素に対応して凹型レンズ層54を形成している。この凹型レンズ層54は、基本的に平坦化膜44に対応した形状であって、また材料も平坦化膜44と同じもので形成することが好適である。これによって、図に示したように、バックライト14からの斜め方向の光は、液晶層LC中においてガラス基板30,48に垂直な方向に補正され、その後もう一度斜め方向に補正され、広視野角の表示が確保される。
「実施形態7」
図12に、実施形態7の模式図を示す。この実施形態7では、実施形態5に比べ、凹部の大きさが異なっている。すなわち、1画素を2つのサブピクセルに分け、サブピクセル毎に平坦化膜44に凹部を形成している。
図12に、実施形態7の模式図を示す。この実施形態7では、実施形態5に比べ、凹部の大きさが異なっている。すなわち、1画素を2つのサブピクセルに分け、サブピクセル毎に平坦化膜44に凹部を形成している。
図13に、この実施形態7の平面図を示す。このように、長方形画素を、ほぼ正方形状のサブピクセルに分割し、サブピクセル毎に凹部を形成している。従って、レンズ機能としてより適切な画素毎の集光が行える。
「実施形態8」
図14に、実施形態8の模式図を示す。この実施形態8は、実施形態4と同様に、対極基板12側に凹部を設けたものである。
図14に、実施形態8の模式図を示す。この実施形態8は、実施形態4と同様に、対極基板12側に凹部を設けたものである。
「実施形態9,10」
図15,図16に、実施形態9,10の模式図を示す。実施形態7,8では、液晶LCの屈折率NLCと、平坦化膜44の屈折率NPLNとを比べた場合に、NLC>NPLNの関係があったが、本実施形態では、NLC<NPLNの関係がある。従って、バックライト14からの光について見ると、平坦化膜44が凸レンズの機能を果たし、図に示すように、斜め方向に入射する光を集光して、垂直方向に向ける。
図15,図16に、実施形態9,10の模式図を示す。実施形態7,8では、液晶LCの屈折率NLCと、平坦化膜44の屈折率NPLNとを比べた場合に、NLC>NPLNの関係があったが、本実施形態では、NLC<NPLNの関係がある。従って、バックライト14からの光について見ると、平坦化膜44が凸レンズの機能を果たし、図に示すように、斜め方向に入射する光を集光して、垂直方向に向ける。
「配向突起と配向方向」
図17、18は、それぞれ図7,8の実施形態3,4に対応するものであり、配向制御用突起60を有している。また、共通する平面図を図19に示す。すなわち、VAタイプの液晶では、配向制御用突起を設け、液晶の配向を制御する。
図17、18は、それぞれ図7,8の実施形態3,4に対応するものであり、配向制御用突起60を有している。また、共通する平面図を図19に示す。すなわち、VAタイプの液晶では、配向制御用突起を設け、液晶の配向を制御する。
配向制御用突起60は、対極基板12の画素の中央部分に設けてあり、図19に示すように、平面形状が楕円状で、全体としては円錐状の形状である。
画素基板10側が、中心部がもっとも深くなる楕円状に凹形になっているので、電圧が印加された場合、画素基板10側の液晶はすべて凹の中心に向かって配向する(液晶分子が倒れる)。図19において、外側から内側に向く矢印で示したように、面に対し垂直に立っていた液晶は、内側に向けて倒れる。
一方、対極基板12側の配向制御用突起60は、画素基板10側の凹部に対応した形状となっているため、図19において内側の矢印で示したように、外側に向けて倒れる。従って、画素基板10側の液晶も対極基板12側の液晶も同じ方向に配向する(液晶分子が倒れる)。さらに、画素基板10の画素電極46のエッジ部の斜め電界によって液晶が倒れる方向と、凹構造部分のTFT基板側の液晶の倒れる方向が多くの部分で同じような方向となる。
従って、本実施形態によれば、電圧印加によって液晶分子が倒れる方向がそろい、これによって光学レスポンスが向上するというメリットが得られる。
なお、選択TFTQ1付近の開口部まで透過領域として用いる場合には、その部分まで凹構造を伸ばすことも考えられる。しかし、図に示したような場合には、TFTQ1付近の開口部には、ディスクリネーションが発生しやすいと考えられるため、この例ではブラックマトリクスBMにより隠している。
図20、21は、それぞれ図10,11の実施形態5,6に対応するものであり、配向制御用突起60を有している。
画素基板10側が、中心に向けて高くなる楕円状の凸形になっている場合、図22に示すように、電圧が印加された場合、TFT基板側の液晶はすべて凸の外側に向かって倒れる。従って、対極基板12側は容量ライン、ゲートライン、ドレインライン上に突起構造を配置している。すなわち、画素の周辺部分に、周辺に至るほど下方に向けて膨らむ配向制御用突起60を設けている。
このような構成により、画素基板10付近と対極基板12付近の液晶が同じ方向に配向する(液晶分子が倒れる)ことになり、ディスクリネーションが発生しにくくなる。
なお、この例においても、ディスクリネーションが発生しやすいと考えられる部分はブラックマトリクスBMで遮光している。
「レンズの作製方法」
ここで、上記実施形態におけるアクリル材によるレンズの作製方法について、以下に説明する。
(i)まず、単純に感光性のアクリル材に対しハーフ露光を行い、適切な量の熱処理と、キュア(固める)によって作製することができる。なお、この方法は、画素サイズが比較的小さい場合に有効であり、画素サイズが50〜100um程度と大きい場合には制御が非常に難しくなると考えられる。
(ii)アクリル材の工程を2回に分けることで、レンズを作製することもできる。凹型構造を例として図23に基づいて説明する。
ここで、上記実施形態におけるアクリル材によるレンズの作製方法について、以下に説明する。
(i)まず、単純に感光性のアクリル材に対しハーフ露光を行い、適切な量の熱処理と、キュア(固める)によって作製することができる。なお、この方法は、画素サイズが比較的小さい場合に有効であり、画素サイズが50〜100um程度と大きい場合には制御が非常に難しくなると考えられる。
(ii)アクリル材の工程を2回に分けることで、レンズを作製することもできる。凹型構造を例として図23に基づいて説明する。
まず、画素基板10について、ガラス基板上にTFTを形成する。図23(A)には、ソース電極42が形成されたところが示されている。
次に、図23(B)に示すように、1回めのアクリル材である、1stアクリル材を塗布し、レンズの凹部分の外側でアクリル材合計膜厚が厚くなる部分のみを残すように露光、現像、ブリーチング(色抜き)をする。その後、熱処理、形の固定のためにキュア(例えばUV照射)を行う。なお、膜厚は好ましくは0.5μmから5μm、より好ましくは1.5μm程度とする。また、画素電極46とソース電極42を接続するためのコンタクトも同時に形成しておく。これによって、1stアクリル層44−1が形成される。
その後、図23(C)に示すように、2ndアクリル材を塗布し、コンタクト部用の露光、現像、ブリーチングを行った後、熱処理、キュアをして形を決定する。これによって、画素の中央部が凹む2ndアクリル層44−2を表面側に有する平坦化膜44が形成される。2ndアクリル材の塗布条件、熱処理条件を変更することで、レンズの形は制御できる。例えば、2NDアクリル材を3μm程度と厚く塗ると凹型構造の周辺部と中央部の膜厚差を小さく0.2μm程度にできる。また、2ndアクリル材を塗布した後の熱処理時間を長くすることにより、同様に凹型構造の周辺部の膜厚差を小さく、0.2μm程度にできる。これらの条件変更により凹型構造の中央部と周辺部の膜厚差を制御することが可能である。凹型構造の中央部と周辺部の膜厚差は、0.2μmから3μmであることが好ましい。より好ましくは0.5μm程度である。
その上に、図23(D)に示すように、画素電極46となる透明導電体のパターニングをすることで、凹状のレンズを形成することができる。
(iii)凹型構造の作製方法として、図24に示すような方法をとることもできる。図24(A)は、図23(A)と同じであり、ソース電極42等が形成される。図24(B)に示すように、1stアクリル材を塗布し、コンタクト部の露光と、画素内のハーフ露光を行う。コンタクト部付近は上述の(ii)と同様で、それ以外に画素内に同心(楕)円状で、中心に近づくほど膜厚が薄くなるようにハーフ露光を行った1stアクリル層44−1をパターンとして形成する。
(iii)凹型構造の作製方法として、図24に示すような方法をとることもできる。図24(A)は、図23(A)と同じであり、ソース電極42等が形成される。図24(B)に示すように、1stアクリル材を塗布し、コンタクト部の露光と、画素内のハーフ露光を行う。コンタクト部付近は上述の(ii)と同様で、それ以外に画素内に同心(楕)円状で、中心に近づくほど膜厚が薄くなるようにハーフ露光を行った1stアクリル層44−1をパターンとして形成する。
図24(C)、図24(D)に示すように、2ndアクリル層44−2の形成工程以降は(ii)と同じである。この方法の方が、(ii)の方法に比べ、2ndアクリル材の塗布条件に対するプロセスマージンが大きいと考えられ、製作が容易であると考えられる。
以上の(ii)、(iii)は、共にNLC>NPLNの場合の作製方法である。一方、NLC<NPLNの場合には、凹型ではなく凸型の形状を作る必要がある。しかし、この凸型形状の場合も、凹型の場合と同様に、ハーフ露光のみで行ったり、2回のアクリル材工程を行うことで形成が可能である。
なお、(iii)の形成工程の場合、1stアクリル層44−1を、画素部の中央部に楕円状で形成するとよい。また、中心の楕円部分の膜厚を最も厚くし、外側に行くほど膜厚が薄くなるようなリング状のパターンをハーフ露光で形成することによっても凸型の層を形成することができる。また、(iii)の作製方法でも、膜厚は上述の場合と同様である。
さらに、対極基板12側についても同様な方法を採用することが可能である。
ここで、アクリルの材料と屈折率について、最終的なアクリル材の形状がレンズとしての機能を持つ。このため、必要なのはIZO(対向電極)、配向膜(対向電極上に形成され、液晶の配向を制御する膜)をはさんで液晶と接する2ndアクリル材と液晶の屈折率差である。
ただし、凹構造で図24に示すように、光が透過する部分に1stアクリル材が存在するような場合には、NLC>NPLN2≧NPLN1であるほうが好ましい。
同様に凸構造の場合には、透過部に必ず2種のアクリル材があり、NLC<NPLN2≦NPLN1であるほうが好ましい。これは、NPLN2<NPLN1であるほうがよりレンズとしての機能(集光性)が高くなる(屈折率分布型のレンズを形成することになる)からである。液晶の屈折率は、一般的に常光線に対し1.5(異常光Δn=0.1)程度である。アクリル材の屈折率としては1.4程度から1.7程度の材料が選択可能であるので、材料の選択によって凸構造、凹構造を使い分けることが可能である。
「その他のレンズ構成例」
(1)平坦化膜下(中)に屈折率分布型のレンズを作製する。
凸レンズを作製する場合には1stアクリル材の屈折率NPLN1をその後の2ndアクリル材のNPLN2より大きくしておくと、屈折率分布型の凸レンズを形成できる。この際、2ndアクリル材の膜厚を厚くして全体を平坦化しておいても良い。このとき、上述のように、屈折率は、NPLN1>NPLN2>NLC(電圧印加)である材料を選択することが好ましい。
(1)平坦化膜下(中)に屈折率分布型のレンズを作製する。
凸レンズを作製する場合には1stアクリル材の屈折率NPLN1をその後の2ndアクリル材のNPLN2より大きくしておくと、屈折率分布型の凸レンズを形成できる。この際、2ndアクリル材の膜厚を厚くして全体を平坦化しておいても良い。このとき、上述のように、屈折率は、NPLN1>NPLN2>NLC(電圧印加)である材料を選択することが好ましい。
また、NPLN1>NPLN2の材料を選択した時点で、入射光の角度分布が小さくなっている。このため、NPLN2>NLC(電圧印加)は必ずしも必要条件ではない。
また、凹レンズを作製する場合にはNPLN1<NPLN2<NLC(電圧印加)とすることが好適である。
(2)図25に示すように、1stアクリル材により、フレネルレンズを作製することもできる。
図25(A)に示すように、選択TFTQ1を形成するところまでは、図23,24と同じである。そして、図25(B)に示すように、1stアクリル層44−1によりフレネルレンズを形成する。すなわち、平坦化膜44内に、1stアクリル層44−1により、屈折率分布型のレンズでフレネルレンズのような形状を作製する。この場合、屈折率の大小と凸凹の関係は上述の実施形態と同じでよい。
ここで、フレネルレンズの断面形状は、レンズを光の進行方向に等ピッチに輪切って、平面上に並べたような形状で、厳密に作るのは難しいと考えられる。また、厳密に作れば作るほど波長選択性(波長によって焦点距離が変わる)が増すので、厳密に作る必要はないと考えられる。
このように、1stアクリル層44−1の(表面)断面形状を、フレネルレンズ形状とした場合には、図25(C)に示すように、2ndアクリル層44−2を比較的厚めに形成して表面を平坦化する。また、このときにソース電極42上に画素電極46との接続用のコンタクトを形成する。次に、図25(D)に示すように、2ndアクリル層44−2からなる平坦化膜44の表面上に、例えばIZOの画素電極46を形成する。
このように、この例では、1stアクリル層44−1によってレンズを形成するが、2ndアクリル層44−2によって表面を平坦化している。
電圧印加時の液晶の配向方向を決定することに積極的に利用する場合には、平坦化膜44、画素電極46および配向膜を凸型または凹型にするほうが好ましい。しかし、特に片側(画素基板10側)のみにレンズ形状を作る場合には、1画素内でセルギャップが異なってしまうというデメリットが発生すると考えられる。本実施形態の場合、屈折率分布型のレンズを各画素に形成する場合に、2ndアクリル材を厚くして平坦化材として用いて、画素内のセルギャップの変化をなくしている。また、この場合、配向を制御する突起、スリットは通常のものと同様の形状としている。
「画素回路の構成」
図26は、画素回路の構成を示す図である。データラインDLは、液晶パネルのカラム(列:垂直)方向に伸び、1列に1本設けられている。ゲートラインGLは、液晶パネルのロー(行:水平)方向に伸び、1行に1本設けられている。さらに、ロー方向には、容量ラインSCLが1行に1本設けられている。
図26は、画素回路の構成を示す図である。データラインDLは、液晶パネルのカラム(列:垂直)方向に伸び、1列に1本設けられている。ゲートラインGLは、液晶パネルのロー(行:水平)方向に伸び、1行に1本設けられている。さらに、ロー方向には、容量ラインSCLが1行に1本設けられている。
データラインDLには、nチャネルTFTである選択TFTQ1のドレインが接続されている。選択TFTQ1のソースは、画素電極46および保持容量Cの一方の電極に接続されている。また、保持容量Cの他方の電極は容量ラインSCLに接続されている。そして、画素電極46に対向して、全画素にまたがる対向電極50が設けられ、画素電極46と対向電極50の間に液晶LCが配置される。
複数のゲートラインGLは、1水平期間ずつ順次選択され、Hレベルに設定される。このため、そのゲートラインGLにゲートが接続されている該当行の選択TFTQ1がオンする。一方、データラインDLには、選択TFTQ1がオンしている行の画素についてのデータ電圧が供給される。従って、選択された行の各画素の保持容量Cには、その画素のデータ電圧がそれぞれ充電される。これによって、保持容量Cに充電されたデータ電圧がその画素の液晶LCに印加され、表示が行われる。ゲートラインGLは、順次選択を変更していくが、1つの画素については次のフレームにおいて、データ書き込みが行われるまで、書き込まれたデータ電圧による表示が継続される。
10 画素基板、12 対極基板、14 バックライト、16 凸レンズ、18 凹レンズ、30,48 ガラス基板、32 半導体層、34 ゲート絶縁膜、36 ゲート電極、38 容量電極、40 層間絶縁膜、42 ソース電極、44 平坦化膜、46 画素電極、50 対向電極、52 凸型レンズ層、54 凹型レンズ層、60 配向制御用突起、BM ブラックマトリクス、C 保持容量、Q1 選択TFT。
Claims (7)
- 画素毎の液晶への印加電圧を制御して表示を行う液晶パネルを含む液晶表示装置であって、
外部から液晶に入射する光を集光し液晶を通過する光を垂直光に近づける凸レンズを液晶パネルの入射側に設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記液晶パネルは、各画素毎に形成されたTFTと、このTFTに接続された画素電極と、各画素の画素電極に対応する対向電極と、画素電極と対向電極間に配置された液晶と、を含み、
前記画素電極は、前記TFT上に形成された平坦化膜上に形成されており、この平坦化膜を凸状または凹状とすることによって、平坦化膜の厚みと液晶の厚みを相対的に変更して前記凸レンズを形成することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1または2に記載の液晶表示装置において、
前記液晶パネルの出射側に、液晶を通過した光を広角度に広げる凹レンズを設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3に記載の液晶表示装置において、
前記液晶パネルは、光が出射される出射側に対向電極が形成される出射側基板を有し、
この出射側基板の厚みを変更することで、前記凹レンズを形成することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2に記載の液晶表示装置において、
各画素は、複数のサブピクセルに分割されており、各サブピクセルについて凸レンズが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項5に記載の液晶表示装置において、
前記液晶パネルは、光が出射される出射側に対向電極が形成される出射側基板を有し、
この出射側基板の厚みを前記サブピクセル毎に変更することで、前記凹レンズをサブピクセル毎に形成することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1〜6のいずれか1つに記載の液晶表示装置において、
前記液晶は、ECBモードの液晶であることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004347838A JP2006154577A (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004347838A JP2006154577A (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006154577A true JP2006154577A (ja) | 2006-06-15 |
Family
ID=36632935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004347838A Pending JP2006154577A (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006154577A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009063888A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
CN102866550A (zh) * | 2012-09-24 | 2013-01-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及其制备方法 |
CN104749817A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN105527762A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
US9773938B2 (en) | 2012-06-18 | 2017-09-26 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of an amorphous-silicon flat-panel X-ray sensor |
CN112466913A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-09 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种硅基oled全彩器件结构及其制作方法 |
JP2021096363A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 京セラ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
2004
- 2004-11-30 JP JP2004347838A patent/JP2006154577A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009063888A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
US9773938B2 (en) | 2012-06-18 | 2017-09-26 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of an amorphous-silicon flat-panel X-ray sensor |
KR20140039974A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-02 | 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판, 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
EP2711766A1 (en) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Array substrate, display panel and preparing method thereof |
JP2014067008A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | アレイ基板、表示パネル及びその製造方法 |
KR101583215B1 (ko) * | 2012-09-24 | 2016-01-07 | 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판, 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
US9425369B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-08-23 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate, display panel and preparing method thereof |
CN102866550A (zh) * | 2012-09-24 | 2013-01-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及其制备方法 |
CN104749817A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN105527762A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
JP2021096363A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 京セラ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP7407585B2 (ja) | 2019-12-17 | 2024-01-04 | 京セラ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN112466913A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-09 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种硅基oled全彩器件结构及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7538839B2 (en) | Liquid crystal display and electronic appliance | |
US11726366B2 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
CN101285959B (zh) | 用于液晶显示器的滤色基底和制造该滤色基底的方法 | |
WO2018176629A1 (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
WO2018120509A1 (zh) | 画素结构及其应用的显示面板 | |
JP2007034218A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
WO2014034471A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
US10444568B2 (en) | Pixel structure of liquid crystal display panel and display device using same | |
JP2016177312A (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2017128779A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
JP6465868B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2006154577A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2017097053A (ja) | 液晶表示装置 | |
US8284359B2 (en) | Liquid crystal panel and liquid crystal display device | |
US7791693B2 (en) | Semi-transmission liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
US20180356693A1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2006209087A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP7407585B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2005128233A (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
WO2016158834A1 (ja) | 光配向部材、照明装置、液晶表示装置および光配向部材の製造方法 | |
US7812904B2 (en) | Liquid crystal display device and method for designing the same | |
JP5359240B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
KR101222956B1 (ko) | 반투과형 액정표시소자 | |
KR100919383B1 (ko) | Ffs모드 액정표시장치 | |
KR101886301B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 |