JP2006147206A - Light-emitting device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光デバイス及びその製造方法に関し、特にEL素子およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an EL element and a manufacturing method thereof.
近年、携帯電話をはじめとするモバイル機器の用途や壁掛けテレビをはじめとする据え置き機器の用途で、様々な発光機構を有するディスプレイデバイスの開発研究が進められている。それらディスプレイのなかでも、EL素子は薄膜化、高輝度化、省エネルギー化が高いという期待からその実用化が積極的に進められている。 In recent years, research and development of display devices having various light-emitting mechanisms have been promoted in applications for mobile devices such as mobile phones and stationary devices such as wall-mounted televisions. Among these displays, EL devices have been actively put into practical use with the expectation that thinning, high brightness, and energy saving will be high.
たとえば、上記の具体的な検討の例としては、基板の光取り出し側をレンズ構造にすることにより、光取り出し効率の増加を計った発光デバイスが提案され(特許文献1)、他の検討の例としては、光取り出し効率の向上を計った例が提案されている(特許文献2)。
しかしながら、本発明者らは、上述した特許文献1、及び、特許文献2をはじめとする従来の発光デバイスでは、実用に見合う十分な光取り出し効率を未だ得られておらず、改善の余地があることを見いだした。
However, the present inventors have not yet obtained a sufficient light extraction efficiency suitable for practical use in the conventional light emitting devices including
本発明は、上記従来技術の有する課題を鑑みて為されたものであり、光取り出し効率の減少を改善した発光デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a light-emitting device and a method for manufacturing the same, in which a decrease in light extraction efficiency is improved.
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、透明電極と発光層との間に、発光層から放出される光の集光を意図したレンズを含む層(光取り出し層)を設けることが上述した本発明の目的を達成する上で極めて有効であることを見出し、本発明に到達した。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors of the present invention have a layer (light extraction layer) including a lens intended to condense light emitted from the light emitting layer between the transparent electrode and the light emitting layer. ) Was found to be extremely effective in achieving the above-described object of the present invention, and the present invention was achieved.
すなわち、本発明は、透明電極と、透明電極に対向配置される対極と、透明電極と対極との間に配置される発光層と、を少なくとも有する発光デバイスであって、透明電極と発光層との間に、電気絶縁性を有する第1の光取り出し層が更に配置されており、第1の光取り出し層中に、発光層から放出される光を屈折させて集光した状態で透明電極に向けて放出する少なくとも1つのレンズが埋設されていること、を特徴とする発光デバイスを提供する。 That is, the present invention is a light emitting device having at least a transparent electrode, a counter electrode disposed opposite to the transparent electrode, and a light emitting layer disposed between the transparent electrode and the counter electrode, wherein the transparent electrode and the light emitting layer In addition, a first light extraction layer having electrical insulation is further disposed between the transparent electrode and the transparent electrode in a state where the light emitted from the light emitting layer is refracted and condensed in the first light extraction layer. There is provided a light emitting device characterized in that at least one lens emitting toward the surface is embedded.
第1の光取り出し層を透明電極と発光層との間に配置させた構成とし、更に、上述のように第1の光取り出し層中に少なくとも1つのレンズを設けることにより、発光層から放出される光(全方向へ放出される光)を屈折させて集光することができる。そのため、透明電極の上面(発光層からの光を放出する側の面)における、発光層から放出される光(全方向へ放出される光)の全反射の発生を従来の発光デバイスに比較して十分に低減できる。これにより、従来の発光デバイスに比較して発光層から放出される光を効率よく透明電極の上面からその外側に向けて放出させることができる。すなわち、本発明の発光デバイスでは、十分な光取り出し効率を得ることが可能となる。 The first light extraction layer is arranged between the transparent electrode and the light emitting layer, and at least one lens is provided in the first light extraction layer as described above, so that the light is emitted from the light emitting layer. Light (light emitted in all directions) can be refracted and collected. Therefore, compared with the conventional light emitting device, the total reflection of the light emitted from the light emitting layer (light emitted in all directions) on the upper surface of the transparent electrode (the surface on the side emitting light from the light emitting layer) is compared. Can be sufficiently reduced. Thereby, the light emitted from the light emitting layer can be efficiently emitted from the upper surface of the transparent electrode to the outside as compared with the conventional light emitting device. That is, in the light emitting device of the present invention, it is possible to obtain sufficient light extraction efficiency.
ここで、本発明において、透明電極とは、電気伝導性及び発光層から放出される光に対する光透過性を有する層(たとえば、インジウム錫酸化物合金(ITO))のみからなる1層の構造からなる電極であってもよく、この層が発光層から放出される光に対する光透過性を有する透明基板(たとえばガラス基板)上に形成された積層体のような2層以上の積層体からなる電極であってもよい。 Here, in the present invention, the transparent electrode has a single-layer structure composed only of a layer (for example, indium tin oxide alloy (ITO)) having electrical conductivity and light transmittance with respect to light emitted from the light emitting layer. An electrode made of a laminate of two or more layers, such as a laminate formed on a transparent substrate (for example, a glass substrate) having light transmittance for light emitted from the light emitting layer. It may be.
本発明では、透明電極が上記2層以上の積層体の場合であっても、上記の透明電極の上面における光の全反射、及び、各層間の界面における光の全反射を従来の発光デバイスに比較して十分に低減できるので、この場合であっても十分な光取り出し効率を得ることが可能となる。 In the present invention, even when the transparent electrode is a laminate of two or more layers, the conventional light-emitting device performs total reflection of light on the upper surface of the transparent electrode and total reflection of light at the interface between the layers. Since it can be sufficiently reduced in comparison, it is possible to obtain sufficient light extraction efficiency even in this case.
一方、光取り出し層が設けられていないEL素子等の従来の発光デバイスの場合、例えば、ガラス基板上にITOからなる層を形成した構成の透明電極とその対極との間に配置された発光層を有するEL素子の場合には、以下のように、光の全反射による光損失の影響が大きくなっていたことを本発明者らは見出した。より詳しくは、上記従来のEL素子の場合、透明電極の各層を形成する材料が異なるために透明電極の各層の屈折率も異なっており、特に、ITO層とガラス基板との界面における光の全反射、並びに、ガラス基板の上面での光の全反射の発生が十分に低減されておらず、光取り出し効率は20〜30%にまで低下していることを本発明者らは見出した。 On the other hand, in the case of a conventional light emitting device such as an EL element not provided with a light extraction layer, for example, a light emitting layer disposed between a transparent electrode having a layer made of ITO on a glass substrate and its counter electrode The present inventors have found that the effect of light loss due to total reflection of light is large in the case of an EL element having the following. More specifically, in the case of the above-described conventional EL element, since the material forming each layer of the transparent electrode is different, the refractive index of each layer of the transparent electrode is also different. In particular, the total light at the interface between the ITO layer and the glass substrate is different. The present inventors have found that the occurrence of reflection and the total reflection of light on the upper surface of the glass substrate has not been sufficiently reduced, and the light extraction efficiency has decreased to 20 to 30%.
ここで、本発明において、レンズにおける光の集光を可能とするためには、レンズの屈折率、レンズの形状、レンズの数、レンズの大きさ、レンズの位置、更に、これらレンズの状態のばらつき、またレンズを埋包する周囲の物質の物性(特に屈折率)の関係を調節してデバイスを設計することにより行うことができる。 Here, in the present invention, in order to make it possible to collect light in the lens, the refractive index of the lens, the shape of the lens, the number of lenses, the size of the lens, the position of the lens, and the state of these lenses. This can be done by designing the device by adjusting the variation and the relationship between the physical properties (especially the refractive index) of the surrounding material embedding the lens.
また、先に述べた本発明の効果をより確実に得る観点から、本発明においては、少なくとも1つのレンズは、発光層から放出され当該少なくとも1つのレンズを介して透明電極に向けて進行する光が透明電極の下面に対して略垂直に入射可能なように形成されていることが好ましい。 In addition, from the viewpoint of obtaining the above-described effect of the present invention more reliably, in the present invention, at least one lens is emitted from the light emitting layer and travels toward the transparent electrode through the at least one lens. Is preferably formed so that it can be incident substantially perpendicular to the lower surface of the transparent electrode.
このように発光層から放出される全方向への発光光を透明電極の下面に対して略垂直に照射することにより、先に述べた透明電極の上面における光の全反射をより確実に防止することができる。更に、透明電極が上記2層以上の積層体の場合であっても、このように構成することにより、透明電極の上面における光の全反射とともに、各層間の界面における光の全反射もより確実に防止することができる。 By irradiating the emitted light emitted from the light emitting layer in all directions substantially perpendicularly to the lower surface of the transparent electrode, the total reflection of light on the upper surface of the transparent electrode described above can be more reliably prevented. be able to. Furthermore, even when the transparent electrode is a laminate of two or more layers, this configuration ensures more total reflection of light at the interface between the layers as well as total reflection of light on the upper surface of the transparent electrode. Can be prevented.
本発明は、第1の光取り出し層と前記発光層との間に、更に電荷発生層が配置されていること、を特徴とする請求項1に記載の発光デバイスであり、電化発生層を第1の光取り出し層と前記発光層との間に設けることで透明電極から発生する正孔の数量と同等の正孔が電荷発生層の下面に発生するため発光層での発光量が電荷発生層を設けない場合に較べ増加する。
The present invention provides the light emitting device according to
本発明は、前記第1の光取り出し層には、該第1の光取り出し層中における前記少なくとも1つのレンズの位置を固定するための枠体が、該第1の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に接して一体化された状態で形成されていることを特徴とする請求項第1、2の何れか1項に記載の発光デバイスであり、枠体でレンズを所定の位置に配置することにより、発光層から放出される光を均一に透明電極の上面に取り出すことができ光取り出し効率を向上することができる。
According to the present invention, the first light extraction layer has a frame for fixing the position of the at least one lens in the first light extraction layer, the upper surface of the first light extraction layer, and The light-emitting device according to any one of
本発明は、前記枠体が単分子膜からなり、前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、前記第1の光取り出し層の上面に接する面及び前記第1の光取り出し層の下面に接する面のうちの何れか一方の面に共有結合で固定されていることを特徴とする請求項3に記載の発光デバイスであり、枠体が単分子膜で形成されることにより枠体をナノメートルの厚みで形成することができ発光層と透明電極層との間に第1の光取り出し層を容易に構成することができる。
In the present invention, the frame is formed of a monomolecular film, the monomolecular film is formed using an organic molecule, and the surface contacting the upper surface of the first light extraction layer and the
本発明は、前記枠体が前記単分子膜と前記少なくとも1つのレンズと前記単分子膜により構成される凹凸面を平坦にするための平坦化層からなり、前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、前記第1の光取り出し層の上面に接する面及び前記第1の光取り出し層の下面に接する面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、かつ、前記平坦化層は、前記単分子膜及び前記レンズを被覆していること、を特徴とする請求項3に記載の発光デバイスであり、平坦化層を形成することにより発光デバイスの積層化を容易にすることができる。
In the present invention, the frame includes a planarizing layer for flattening an uneven surface constituted by the monomolecular film, the at least one lens, and the monomolecular film, and the monomolecular film contains organic molecules. And is fixed to one of a surface in contact with the upper surface of the first light extraction layer and a surface in contact with the lower surface of the first light extraction layer by covalent bonding. The planarizing layer covers the monomolecular film and the lens. The light emitting device according to
本発明は、前記発光層と前記対極との間に、第2の光取り出し層が更に配置されており、前記第2の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させるための少なくとも1つのレンズが埋設されていることを特徴とする請求項1、2の何れか1項に記載の発光デバイスであり第2の光取り出し層を設けることで透明電極の上面における光取り出し効率を向上することができる。
According to the present invention, a second light extraction layer is further disposed between the light emitting layer and the counter electrode, and the light emitted from the light emitting layer is refracted into the second light extraction layer. The light extraction efficiency of the light emitting device according to any one of
ここで、本発明において「下面」とは、1つの層が有する6つの面のうちの対極と対峙しあう2つの面であって、対極により近い側の面を指す。 Here, in the present invention, the “lower surface” refers to two surfaces that face each other of the six surfaces of one layer and that are closer to the counter electrode.
また、ここで、本発明において「上面」とは、上記「下面」で規定した2つの面であって、対極より遠い側の面を指す。 Here, in the present invention, the “upper surface” refers to the two surfaces defined by the “lower surface” and is a surface farther from the counter electrode.
また、ここで、本発明において「透明電極」とは、発光層で正孔と電子との再結合により発生する光に対する光透過性を有する電極をいう。 Here, in the present invention, the “transparent electrode” refers to an electrode having optical transparency to light generated by recombination of holes and electrons in the light emitting layer.
また、ここで本発明において「枠体」とは、発光層で正孔と電子との再結合により発生する光に対する光透過性を有するものである。また、光取り出し層の下面、及び上面のうちの何れか一方の面に接して一体化された状態で形成されるものである。 Further, herein, the “frame” in the present invention has a light transmittance with respect to light generated by recombination of holes and electrons in the light emitting layer. In addition, the light extraction layer is formed in an integrated state in contact with one of the lower surface and the upper surface.
また、ここで、本発明において「電荷発生層」とは、電気絶縁性を有し、且つ正孔と電子対を発生する機能を有する層をいう。 Here, in the present invention, the “charge generation layer” refers to a layer having electrical insulation and a function of generating holes and electron pairs.
また、ここで、本発明において「上方」とは、上記「上面」に対して、対極から遠ざかる方向を指す。 Here, in the present invention, “upward” refers to a direction away from the counter electrode with respect to the “upper surface”.
本発明によれば、高い光取り出し効率の発光デバイスを形成することが出来る。従来に比べてデバイスの光量を増加させることが出来るとともに、追加の効果として、従来と同等の光量を維持するのであれば、その駆動電力を下げることが可能になる。また、駆動電力により発光材料の劣化が著しい材料を用いた発光デバイスの場合は、その寿命を延ばすことも可能になる。 According to the present invention, a light-emitting device with high light extraction efficiency can be formed. The amount of light of the device can be increased as compared with the conventional case, and as an additional effect, if the same amount of light as that of the conventional case is maintained, the driving power can be reduced. In addition, in the case of a light emitting device using a material in which the light emitting material is significantly deteriorated by driving power, the lifetime can be extended.
以下、図面を参照しながら本発明の発光デバイスの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
(実施の形態1)
本発明の一実施の形態について図1を用いて説明する。
Hereinafter, preferred embodiments of the light-emitting device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
(Embodiment 1)
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図1は、本発明の発光デバイスの実施の形態1の基本構成を示す模式断面図である。図1に示す発光デバイス10は、透明電極11と対極12と発光層13と第1の光取り出し層14と、から構成されている。この当該第1の光取り出し層14はレンズ15が埋設されている。更に、当該レンズ15は前記発光層13から放出される光を屈折させる機能を有している。更に、前記透明電極11と当該光取り出し層14は発光層13から発光する光を透過する機能を有している。更に、前記対極12は前記発光層13から発光される光を反射するか、あるいは透過する機能のうち何れか1つの機能を有している。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the basic configuration of a light emitting device according to
前記発光デバイス10は前記透明電極11と前記対極12により構成されるが、陽極と陰極という構成でもある。前記透明電極11は陽極、陰極の何れか 一方を為しており、前記対極12は前記透明電極11の対極の極を為す。
The
陰極材料としては、仕事関数の小さな金属、及び当該金属を含む合金、酸化物が使用される。その具体的な代表例としては、ナトリウム、リチウムなどのアルカリ金属単体、又はその合金(たとえば、アルミニウム−リチウム合金)である。また、カルシウム、マグネシウムなどのアルカリ土類金属単体、又はその合金(たとえば、マグネシウム−インジウム合金)である。合金はアルミニウム、銀、インジウムなどと為される。また、ガリウム、インジウムなど一部の第3族金属を用いることも可能である。
As the cathode material, a metal having a small work function and an alloy or oxide containing the metal are used. A specific representative example is a simple alkali metal such as sodium or lithium, or an alloy thereof (for example, an aluminum-lithium alloy). Moreover, it is an alkaline-earth metal simple substance, such as calcium and magnesium, or its alloy (for example, magnesium-indium alloy). The alloy is made of aluminum, silver, indium or the like. It is also possible to use some
陽極材料としては、仕事関数の大きな金属や合金が使用可能である。インジウム錫酸化物合金(ITO)、インジウム亜鉛酸化物合金(IZO)、インジウム酸化物、スズ酸化物、金、ヨウ化銅、及びその派生材料がその代表例である。 As the anode material, a metal or alloy having a large work function can be used. Typical examples thereof include indium tin oxide alloy (ITO), indium zinc oxide alloy (IZO), indium oxide, tin oxide, gold, copper iodide, and derivatives thereof.
なお、透明電極が透明基板と電気伝導層とから構成される場合は、上記透明電極は電気伝導層を指す。 In addition, when a transparent electrode is comprised from a transparent substrate and an electrically conductive layer, the said transparent electrode points out an electrically conductive layer.
前記発光層13は、低分子有機化合物、デンドリマー、高分子化合物が使用可能で、その代表例としては、アルミニウム−キノリノール錯体、ベリリウム−ベンゾキノリノール錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン系化合物、ジフェニルテトラセン、ルブレン、ユーロピウム錯体、白金ポルフィリン錯体、イリジウム錯体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリチオフェン類、ポリフルオレン類、ジスチルビフェニル誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ジアミノカルバゾール誘導体、クマリン系化合物、ナフタレン系化合物、ビススチリル系化合物、ピラジン系化合物、ポリベンゾカルバゾール類がある。
The
更に、アルミニウム−キノリノール錯体の具体例としては、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(略号:Alq3)、また、ベリリウム−ベンゾキノリノール錯体の具体例としては、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、また、ユーロピウム錯体の具体例としては、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体、また、ジフェニルエチレン誘導体の具体例としては、ジトルイルビニルビフェニル、ポリパラフェニレンビニレン誘導体の具体例としては、ポリ(2−メトキシ−5−(2‘−エチルヘキシルオキシ)−1,4−(1−シアノビニレン)フェニレン)が挙げられる。 Further, specific examples of the aluminum-quinolinol complex include tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (abbreviation: Alq3), and specific examples of the beryllium-benzoquinolinol complex include bis (benzoquinolinolato) beryllium complex, Specific examples of europium complexes include tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complexes, and specific examples of diphenylethylene derivatives include di (toluylvinylbiphenyl) and polyparaphenylenevinylene derivatives. -Methoxy-5- (2'-ethylhexyloxy) -1,4- (1-cyanovinylene) phenylene).
請求項1に記載の第1の光取り出し層14が電気絶縁性であるとは、透明電極が正極の場合には、正孔に対して電気絶縁性であることを意味し、反対に、透明電極が陰極の場合には、電子に対して電気絶縁性であることを意味する。
The fact that the first
前記第1の光取り出し層14は前記透明電極11と前記発光層13の間に設けられており、前記第1の光取り出し層14には前記レンズ15が配置され、前記発光層13で発光した光を屈折の作用を経て、当該光を前記透明電極11に入射される。この操作で当該透明電極11に入射する光の入射角が変更され、前記透明電極11の上面で起こる全反射の割合を減少することが出来るようになる。
The first
次に、実施の形態1の変形を図2に示す。当該第1の光取り出し層14の下面に接して電荷発生層17が設けられている。当該電荷発生層17は電気絶縁性を有し、且つ正孔と電子の対を発生する層である。
Next, a modification of the first embodiment is shown in FIG. A
図2において、前記透明電極11が陽極、且つ前記対極12が陰極の場合は、当該電荷発生層17の下面には正孔が発生する。
In FIG. 2, when the
前記電荷発生層17を構成する材料としては、アリールアミン系化合物が好ましく、より具体的には4,4‘−ビス(N−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(α−NPD)、(スピロ−NPB)、2,2,7,7−テトラ−(3−メチルジフェニルアミノ)−9,9−スピロビフルオレン(スピロ−TAD)、4,4’,4’’−トリス−[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]−トリフェニルアミン(2−TNATA)、五酸化バナジウム、ITOが例示出来る。
The material constituting the
なお、有機ELハンドブック、リアライズ理工センター発行、監修筒井哲夫、編集委員長城戸淳二のp.263〜p.274に記載の電荷発生層の材料を使用することが出来る。 In addition, the material of the charge generation layer described in p.263 to p.274 of the organic EL handbook, issued by Realize Science and Technology Center, supervised by Tetsuo Tsutsui, and the editor-in-chief Keiji Kido can be used.
次に、実施の形態1の変形を図3に示す。 Next, a modification of the first embodiment is shown in FIG.
当該第1の光取り出し層14には枠体16が設けられている。当該枠体16は前記レンズ15を区分けする目的で設けられるものである。区分けは前記レンズ15の形状、位置、大きさを決定するために設けられ、本願の発光デバイスに係る光に対して透明性を有している必要がある。
A
次に、実施の形態1の変形を図4に示す。 Next, a modification of the first embodiment is shown in FIG.
当該第1の光取り出し層14には枠体として、単分子膜18が設けられている。当該単分子膜18は、レンズ15を区分けするために設けられる膜である。
A
前記単分子膜18を構成する有機分子としては、前記レンズ15を構成する材料を分離する機能を有していればよく特に限定されない。また上記分離する機能は前記単分子膜18を構成する有機分子の全体に有する必要はなく、少なくとも上記区分けの作用を及ぼす部分にあればよい。区分けの作用を及ぼす機能として例えば、疎水性、撥油性、非粘着性、非親和性が挙げられる。これは前記レンズ15を構成する材料との相関関係を示す性質であり、特定することは出来ない。上述の諸性質の列挙は常識的な見地から挙げたものである。これら諸性質を示すと考えられる具体的例としては、炭化水素基、フッ化炭素基が挙げられる。但し、前記レンズ15を構成する材料との相関関係を示すものであり、レンズ材料によっては逆の作用を及ぼすこともある。
The organic molecule constituting the
また、前記単分子膜18は下地と共有結合により固定される。図4の例においては、下地は前記発光層13になるが、下地はこれに定まるものではない。固定を呈する共有結合の形態は前記単分子膜18を構成する有機分子と上記下地との組合せにより決定されるものであるが、代表的な共有結合の形態として、製造の容易さの観点から、−Z−O−、−Z−N−、及び、−Z−S−からなる群より選択される少なくとも1種の構造が含まれている結合であることが好ましい。ここでZは、Si、Ti、Alからなる群から選択される原子である。
In addition, the
上記代表的な共有結合の形態を供するために必要な前記単分子膜18を構成する有機分子の官能基としては一般式(1)で表される特性を有していることが好ましい。
−Z−Dq ・・・(1)
|
Er
ここで、式(1)中のDは、F、Cl、Br、I、−OH、−SCN、−NCO、及び、炭素数が1〜5のアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。Eは、H、及び、炭素数が1〜3のアルキル基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。qは1〜3の整数を示し、q+rは3である。ZはSi、Ti、Alからなる群から選択される原子である。
It is preferable that the functional group of the organic molecule constituting the
-ZD q (1)
|
E r
Here, D in the formula (1) is at least one selected from the group consisting of F, Cl, Br, I, —OH, —SCN, —NCO, and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. Or an atomic group. E represents at least one atom or atomic group selected from the group consisting of H and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. q represents an integer of 1 to 3, and q + r is 3. Z is an atom selected from the group consisting of Si, Ti, and Al.
より具体的な前記単分子膜18を構成する有機分子は一般式(2)で表される。
CFxHy-(CF2)m-(CH2)n-ZDqEr ・・・(2)
ここで、xは1〜3の範囲の整数で、かつ、yは0〜2の範囲の整数で、かつ、x+yは3を満たす数である。また、mは0〜18の整数で、かつ、nは0〜18の整数で、かつ、m+nは3以上で24未満である数である。ZはSi、Ti、Alからなる群から選択される原子である。Dは、F、Cl、Br、I、−OH、−SCN、−NCO、及び、炭素数が1〜5のアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。Eは、H、及び、炭素数が1〜3のアルキル基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。qは1〜3の整数を示し、q+rは3である。
More specific organic molecules constituting the
CF x H y - (CF 2 ) m - (CH 2) n -ZD q E r ··· (2)
Here, x is an integer in the range of 1 to 3, y is an integer in the range of 0 to 2, and x + y is a number satisfying 3. M is an integer of 0 to 18, n is an integer of 0 to 18, and m + n is a number that is 3 or more and less than 24. Z is an atom selected from the group consisting of Si, Ti, and Al. D represents at least one atom or atomic group selected from the group consisting of F, Cl, Br, I, —OH, —SCN, —NCO, and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. E represents at least one atom or atomic group selected from the group consisting of H and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. q represents an integer of 1 to 3, and q + r is 3.
さらに、一般的に分子配向性のよい単分子膜18を形成するためには、その構成する有機分子は直鎖状であることが好ましく、その分子鎖長も直鎖部分の構成原子数で10以上あることが好ましい。
Further, in order to form a
さらに前記単分子膜18を構成するために有機分子は溶剤可溶性が必要となり、その観点から長鎖長は不溶性となるために不適となる。官能基の種類や数などにより溶解性は変化するが、一般的に前記構成原子数の表現で22以下であることが好ましい。
Furthermore, in order to form the
一般式(1)で表される有機分子の中では、単分子膜の均一性を十分に確保する観点及び単分子膜を形成する際に配列される有機分子の分子密度を十分に確保する観点から、下記(101)〜(127)で表される有機分子が好ましい。
CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3 ・・・(101)
CF3(CH2)9SiCl3 ・・・(102)
CH2F(CH2)9SiCl3 ・・・(103)
CF3(CF2)4(CH2)2SiCl3 ・・・(104)
CF3(CF2)6SiCl3 ・・・(105)
CH3(CH2)9SiCl3 ・・・(106)
CH3(CH2)5SiCl3 ・・・(107)
CH3(CH2)6SiCl3 ・・・(108)
CF3(CF2)7(CH2)2Si(OCH3)3 ・・・(109)
CH3(CH2)9Si(OCH3)3 ・・・(110)
CF3(CF2)6Si(OCH3)3 ・・・(111)
CF3(CF2)7(CH2)2SiBr3 ・・・(112)
CH3(CH2)9SiBr3 ・・・(113)
CF3(CF2)6SiBr3 ・・・(114)
CF3(CF2)7(CH2)2Si(OCN)3 ・・・(115)
CH3(CH2)9SiH2Cl ・・・(116)
CF3(CF2)6SiH2Cl ・・・(117)
CF3(CF2)7(CH2)2SiH2Cl ・・・(118)
CH3(CH2)9SiH2Cl ・・・(119)
CF3(CF2)6SiH2Cl ・・・(120)
CF3(CF2)7(CH2)2Si(CH3)2(OCH3) ・・・(121)
CH3(CH2)9Si(CH3)2(OCH3) ・・・(122)
CF3(CF2)6Si(CH3)2(OCH3) ・・・(123)
CF3(CF2)2(CH2)2Al(OC2H5)3・・・(124)
CH3(CH2)4SnCl(C3H7)2 ・・・(125)
CF2H(CF2)2(CH2)2SiH2Cl・・・(126)
CF3(CF2)7(CH2)2TiCl(CH3)2・・・(127)
上記のような有機分子としては、例えば信越化学工業株式会社製のシランカップリング剤、ジーイー東芝シリコーン株式会社製のシランカップリング剤、チッソ株式会社製の有機シリコン、東レ・ダウコーニング株式会社製のシランカップリング剤、アズマックス株式会社製の特殊化学品などを挙げることができる。
Among the organic molecules represented by the general formula (1), a viewpoint of sufficiently ensuring the uniformity of the monomolecular film and a viewpoint of sufficiently ensuring the molecular density of the organic molecules arranged when the monomolecular film is formed. Therefore, organic molecules represented by the following (101) to (127) are preferable.
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 SiCl 3 (101)
CF 3 (CH 2 ) 9 SiCl 3 (102)
CH 2 F (CH 2 ) 9 SiCl 3 (103)
CF 3 (CF 2 ) 4 (CH 2 ) 2 SiCl 3 (104)
CF 3 (CF 2 ) 6 SiCl 3 (105)
CH 3 (CH 2 ) 9 SiCl 3 (106)
CH 3 (CH 2 ) 5 SiCl 3 (107)
CH 3 (CH 2 ) 6 SiCl 3 (108)
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3 (109)
CH 3 (CH 2 ) 9 Si (OCH 3 ) 3 (110)
CF 3 (CF 2 ) 6 Si (OCH 3 ) 3 (111)
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 SiBr 3 (112)
CH 3 (CH 2 ) 9 SiBr 3 (113)
CF 3 (CF 2 ) 6 SiBr 3 (114)
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (OCN) 3 (115)
CH 3 (CH 2 ) 9 SiH 2 Cl (116)
CF 3 (CF 2 ) 6 SiH 2 Cl (117)
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 SiH 2 Cl (118)
CH 3 (CH 2 ) 9 SiH 2 Cl (119)
CF 3 (CF 2 ) 6 SiH 2 Cl (120)
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 Si (CH 3 ) 2 (OCH 3 ) (121)
CH 3 (CH 2 ) 9 Si (CH 3 ) 2 (OCH 3 ) (122)
CF 3 (CF 2 ) 6 Si (CH 3 ) 2 (OCH 3 ) (123)
CF 3 (CF 2 ) 2 (CH 2 ) 2 Al (OC 2 H 5 ) 3 (124)
CH 3 (CH 2 ) 4 SnCl (C 3 H 7 ) 2 (125)
CF 2 H (CF 2 ) 2 (CH 2 ) 2 SiH 2 Cl (126)
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 TiCl (CH 3 ) 2 (127)
Examples of the organic molecules as described above include, for example, a silane coupling agent manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., a silane coupling agent manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd., an organic silicon manufactured by Chisso Corporation, and a product manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. Examples include silane coupling agents and special chemicals manufactured by Asmax Co., Ltd.
また、1層の単分子膜の膜厚で好ましい値を示すと、5.0×10-10m〜3.4×10-9mの範囲となる。また、単分子膜を積み重ねることも可能で、多層の場合の膜厚の好ましい値を示すと、1×10-9m〜3×10-8mの範囲となる。このように単分子膜を構成する当該有機分子を積み重ねることにより、単分子膜の膜厚を増やすことも可能であるが、一般的に単分子膜18を積み重ねることにより分子配向性は崩れる可能性が多くなる。したがって、1層の単分子膜、単分子膜の多層に関わらず、より好ましい膜厚は、1.2×10-9m〜2.0×10-9mの範囲である。
Moreover, when showing a preferable value by the film thickness of one monolayer, it will be the range of 5.0 * 10 < -10 > m-3.4 * 10 < -9 > m. Monolayers can also be stacked, and a preferable value of the film thickness in the case of multiple layers is in the range of 1 × 10 −9 m to 3 × 10 −8 m. It is possible to increase the film thickness of the monomolecular film by stacking the organic molecules constituting the monomolecular film in this way, but in general, the molecular orientation may be lost by stacking the
前記下地の構成は、前記単分子膜18と共有結合を形成することから、前記単分子膜18を構成する有機分子と縮合反応可能な活性水素を有していることが好ましい。有機分子と縮合反応可能な活性水素を有する特性基としては、上記の縮合反応により有機分子と結合する側の末端部分に、−OH、−NH2、=N−H、及び、−SHからなる群より選択される少なくとも1種の構造を有するものであることがより好ましい。上記以外の特性基で、有機分子と縮合反応可能な活性水素を有する特性基としては、−SO3H、−SO2H、−PO3H、−PO3H2、及び、−CO2Hからなる群より選択される少なくとも1種の構造を有していることがより好ましい。
Since the base structure forms a covalent bond with the
なお、有機分子と縮合反応可能な活性水素を有する特性基は、全体が下地面から露出した状態だけでなく、活性水素のみ又は活性水素を含む−OH、−SH、=N−H、−NH2の部分のみ下地面から露出した状態であり活性水素以外の部分が下地の内部に含まれている状態であってもよい。例えば、活性水素以外の部分が下地の内部に含まれている場合、活性水素以外の部分が下地の構成元素と結合していてもよい。より具体的には、例えば、下地の面近傍が光透過性を有する金属酸化物を構成材料として構成されている場合であって、特性基が−PO3Hの場合、−PO3H全体が下地面から露出していてもよく、−PO3Hのうちの−OHのみ露出しており、−PO2−の部分が下地内部に含まれていてもよい。下地内部に含まれる−PO2−の部分は−PO2−の状態のままでもよく、Pに結合した酸素が金属酸化物バルク中の金属原子(金属イオン)Mと結合して、例えば、−P−O−M−のような構造を有した状態となっていてもよい。 In addition, the characteristic group having active hydrogen capable of undergoing a condensation reaction with an organic molecule is not only in a state where the whole is exposed from the base surface, but also -OH, -SH, = NH, -NH containing only active hydrogen or active hydrogen. Only the portion 2 may be exposed from the base surface, and a portion other than active hydrogen may be included in the base. For example, when a portion other than active hydrogen is included in the base, the portion other than active hydrogen may be bonded to the constituent element of the base. More specifically, for example, when the vicinity of the base surface is made of a light-transmitting metal oxide as a constituent material and the characteristic group is -PO 3 H, the entire -PO 3 H is may be exposed from the underlying surface is exposed only -OH of -PO 3 H, -PO 2 - portion of the may also be contained within the base. -PO 2 contained within the base - part of -PO 2 - may remain in the state, the oxygen bonded to P is bonded to a metal atom (metal ions) M of the metal oxides in bulk, for example, - It may be in a state having a structure such as POM.
また、前記下地が樹脂材料の場合であっても上記特性基を有しておれば使用可能である。さらに、前記下地が樹脂材料であり、且つ上記特性基を有していない場合でも、物理的手法、化学的手法により上記下地の表面に上記特性基を形成出来るならば、当該下地は使用可能である。物理的手法の代表事例としてはプラズマ酸化処理、コロナ放電処理、オゾン酸化処理がある。また、化学的手法の代表事例としては、酸化剤(過マンガン酸カリウム)による酸化反応処理がある。 Further, even if the base is a resin material, it can be used if it has the above characteristic group. Further, even if the base is a resin material and does not have the characteristic group, the base can be used if the characteristic group can be formed on the surface of the base by a physical method or a chemical method. is there. Typical examples of physical methods include plasma oxidation treatment, corona discharge treatment, and ozone oxidation treatment. As a typical example of the chemical method, there is an oxidation reaction treatment with an oxidizing agent (potassium permanganate).
さらにまた、樹脂製の前記下地の表面をメッキ、蒸着、CVDの方法により上記活性水素又は活性水素を含む特性基を有する層を新たに設ける手法もある。
なお、当然のことながら下地の透明性を必要とする場合は新たに設ける層も透明性を必要とする。新たな層の代表的例として酸化ケイ素からなる層がある。
Furthermore, there is a method of newly providing a layer having the above-mentioned active hydrogen or a characteristic group containing active hydrogen by plating, vapor deposition, or CVD on the surface of the resin base.
As a matter of course, when the transparency of the base is required, the newly provided layer also needs transparency. A typical example of the new layer is a layer made of silicon oxide.
前記レンズ15は対象となる光に対して光学的な効果を有する必要があり、少なくとも屈折率と透明性が求められる。屈折率は本発明要素の基材を含む各種の光学部品を総合的に光学設計して導出されるものであり、一概に規定することは出来ないが、通常1.3から1.7の範囲になる。ただし、無機材料(高屈折率無機微粒子)を有機材料に複合させることにより、より高屈折にすることも可能である。また、透明性であることは当然であるが、透明度の最低値は各種の光学部品との関連で定まるものであり、透光性の最低値を規定することが出来ないが、通常80%以上が求められる。
The
さらに、前記レンズ15を構成する材料は熱硬化性またはエネルギー線硬化性を有している必要がある。ここでエネルギー線とは紫外線、可視光線、電子線、エックス線で代表される活性放射線である。また、上記材料の主剤が高分子材料である場合と低分子材料(モノマー材料、オリゴマー材料)である場合の双方とも有効である。高分子材料の代表例としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、シリコーン樹脂、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレート、メチルフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ジエチレングリコール、ビスアリルカーボネイト、アクリロニトリル、スチレン共重合体、メチルメタクリレート・スチレン共重合体、ポリプロピレンが挙げられる。また、低分子材料の代表例としては、ポリアミドオリゴマー、アクリルモノマー、不飽和ポリエステルオリゴマー、ポリアクリルオリゴマー、エンチオールモノマー、アルキルポリシロキサンオリゴマーが挙げられる。
Furthermore, the material constituting the
また、前記レンズ15を構成する材料として、無機材料も使用可能である。いわゆるゾル−ゲル法が適用出来る材料であればよく、金属有機化合物の例として、金属アルコキシド(一般式M(OR)nで表される。ここで、Mは金属元素、Rはアルキル基、nは金属元素の酸化数である。代表例としては、テトラエトキシシラン、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムブトキシド、シリコンテトラエトキシド、チタンイソプロポキシド)、金属アセチルアセテート(代表例としては、インジウムアセチルアセテート、亜鉛アセチルアセテート)、金属カルボキシレート(金属有機塩酸)(代表例としては、シュウ酸バリウム、ステアリン酸イットリウム)が使用可能である。
Further, an inorganic material can also be used as the material constituting the
これらレンズ形成材料の金属無機化合物、または金属有機化合物の酸化物固体は非晶質セラミック、または結晶質セラミックのいずれの形態であっても適用可能である。 These metal-inorganic compound or metal-organic compound oxide solid of the lens-forming material can be applied in any form of amorphous ceramic or crystalline ceramic.
レンズ形成は上述の無機材料をアルコールと水の混合溶液(ゾル)を作成する。必要に応じて加温することもある。このゾルを前記下地のレンズ載置場所に設け、その後、加熱してガラス化を行うことでレンズを形成することが出来る。有機材料によりレンズ形成するときも注意が必要であるが、特に上述の無機材料を本製法でレンズ形成した場合は体積の減少が生じることを十分に考慮することが必要である。 For lens formation, a mixed solution (sol) of the above-described inorganic material with alcohol and water is prepared. May be warmed as needed. A lens can be formed by providing this sol at the base lens mounting location and then heating to vitrify. Care must also be taken when forming a lens using an organic material, but it is necessary to fully consider that volume reduction occurs particularly when the above-described inorganic material is formed using this manufacturing method.
前記レンズ15を構成するレンズ材料は前記下地の表面を前記単分子膜18で被覆していない箇所に設けられる。上記レンズ材料が載置される前記基材表面と前記単分子膜から形成される窪みの体積は5×10-25m3〜2×10-16m3の範囲であることが好ましい。さらに、6×10-22m3〜1×10-19m3の範囲であることがより好ましい。
The lens material constituting the
前記レンズ15は球面レンズ形状から曲面レンズ形状まで様々な形状を採ることが可能であるが、そのレンズ材料の嵩は3×10-24m3〜3×10-13m3であることが好ましい。さらに、1×10-19m3〜3×10-16m3であることがより好ましい。
The
前記下地上に前記レンズ15を載置するために前記単分子膜18のパターニングを行う手法としては全面を単分子膜18で被覆した後にレンズを載置する箇所の単分子膜18を除去する手法と、予めレンズを載置する箇所をカバーした後に単分子膜18を形成し、その後に前記カバーを取り除く手法がある。
As a technique for patterning the
前者としては、単分子膜18を残す部分をレジストまたは金属マスクなどで保護し、紫外線照射による有機分子分解、酸素存在下の紫外線照射により発生させたオゾンによる有機分子の酸化分解、上記カバーを行わずに紫外線や電子線など高エネルギー線の直接パターン照射による有機分子分解などが適用可能である。さらには、上述の方法以外でも、例えば、印刷法、転写法、スクリーン法、吐液法、インクジェット法、スタンプ法等の方法を採用することができる。
As the former, the portion where the
また、後者としては、前記下地上に半導体プロセスによるフォトレジストパターンを形成し、レジストパターンを残したままで単分子膜18を形成し、その後にフォトレジストパターンを有機溶剤により除去する手法が適用可能である。除去可能であれば下地上に形成するパターンの材質は金属であってもよい。
Further, as the latter, it is possible to apply a method of forming a photoresist pattern by a semiconductor process on the base, forming the
レンズ材料の前記下地上への載置は、前記下地をレンズ材料の液中にディッピングし、前記下地を当該液から引き上げることで、前記下地上のレンズ載置場所にレンズ材料を配置することが出来る。但し、当該液の粘度、単分子膜18のレンズ材料の非親和性の具合により適切な載置が出来ない場合があり、その場合はレンズ材料を適量だけ吐出する方式によりレンズ形成が出来る。適量だけ吐出する具体的な手法は、スポイトによるレンズ材料の滴下、ディスペンサーによるレンズ材料の滴下、インクジェット法によるレンズ材料の滴下が例示出来る。
The lens material is placed on the base by dipping the base into a liquid of the lens material and pulling the base out of the liquid to dispose the lens material at the lens placement place on the base. I can do it. However, in some cases, proper placement cannot be performed due to the viscosity of the liquid and the incompatibility of the lens material of the
なお、インクジェット法などの手法によりレンズ材料の載置量を定めることが出来ると、レンズ載置面上に半球面以上のレンズ材料を載置する、または、半球面レンズ未満のレンズ材料量を載置することが可能となり、レンズ形状は半球面状レンズ以外の形状を採ることが出来るようになる。したがって、同方法を本願に適用することによりマイクロレンズの適用範囲が拡大して好ましい。 If the amount of lens material to be placed can be determined by a method such as an inkjet method, a lens material having a hemispherical surface or more is placed on the lens placing surface, or a lens material amount less than a hemispherical lens is placed. The lens shape can be other than the hemispherical lens. Therefore, the application range of the microlens is preferably expanded by applying this method to the present application.
図1〜図4に示すレンズ15は底面の形状は特に示していないが、レンズ15を形成する箇所の形状は、単分子膜18で被覆しない箇所の形状で決定されるため、正方形、長方形、多角形(六角形、八角形)などであってもよい。
The
また、図1〜図4に示すように、前記レンズ15は複数のレンズからなるレンズアレイの形態を構成することが可能である。個々のレンズは前記単分子膜18により分離されるが、分離間隔は、前記単分子膜18のパターン形成によって決定される。レンズアレイを形成するにふさわしいの前記単分子膜18の最小パターン寸法は5×10-8mであり、その最大パターン寸法はいくらでも多く採ることが可能であるが、レンズアレイの常識的な値として5×10-1mであろう。ただし、レンズアレイを必要とする箇所がデバイス中に島状に複数箇所あり、その島状箇所間の間隔をレンズパターン間隔とするならば、最大パターン寸法は上記値よりも大きくなる場合があることは自明である。さらに最小寸法のより好適値としては1×10-7mであることが好ましい。但し、上述の最小パターン寸法は現在の半導体プロセス技術によるパターン形成の限界値により変化するものであり、今後、最小のパターン寸法は更に小さくすることも単分子膜においては可能である。
Moreover, as shown in FIGS. 1-4, the said
レンズアレイのレンズ密度はその適用するデバイスに応じて臨機に適合させることが出来るが、本願レンズの構成、材料、製法などから好適値が定まり、最大1×1014個/m2が可能である。さらに最大値2×1012個/m2が好ましく、より好ましくは最大値2×1011個/m2である。一方、密度の最小値はレンズ1個の場合まで可能であるので、数値にすることは出来ない。但し、当該最大値は、現在の半導体プロセス技術によるパターン形成の限界値により変化するものであり、今後、技術の進展により当該最大値は更に増やすことも単分子膜においては可能である。 The lens density of the lens array can be adapted to the device according to the device to which it is applied, but a suitable value is determined by the configuration, material, manufacturing method, etc. of the lens of the present application, and a maximum of 1 × 10 14 pieces / m 2 is possible. . Further, a maximum value of 2 × 10 12 pieces / m 2 is preferable, and a maximum value of 2 × 10 11 pieces / m 2 is more preferable. On the other hand, the minimum value of the density is possible up to the case of one lens and cannot be a numerical value. However, the maximum value changes depending on the limit value of pattern formation by the current semiconductor process technology, and it is possible for the monomolecular film to further increase the maximum value as technology advances.
当該レンズアレイの形状は、常に一定にする必要はなく、状況に応じてレンズ底面の面積に傾斜を設けること、レンズ底面の形状を変化させる、全くアトランダムなレンズ形状を配置することも十分に可能である。 The shape of the lens array does not always need to be constant, and it is sufficient to provide a slope on the area of the bottom surface of the lens according to the situation, and to arrange a totally at random lens shape that changes the shape of the bottom surface of the lens. Is possible.
次に、実施の形態1の変形を図5に示す。当該第1の光取り出し層14には枠体として前記単分子膜18が設けられており、さらに平坦化層19が設けられている。当該平坦化層19は前記単分子膜と前記少なくとも1つのレンズと前記単分子膜18により構成される凹凸面を平坦にするために設けられるものである。
Next, a modification of the first embodiment is shown in FIG. The first
当該平坦化層19は、本願で扱われる光に対して透光性が要求される。当該平坦化層19を構成する材料は有機材料が主として用いられる。また、当該平坦化層19はウエットプロセスにより形成される方法(たとえば、回転塗工法)がより望ましく、具体的な例示としては、メタクリレート系化合物、アクリレート系化合物、シリコーン系化合物、ウレタン系化合物、アクリルシリコン系化合物、オルガノアルコキシシラン系化合物材料が使用される。また、無機材料としては、ケイ酸塩系化合物、アルコキシシラン系化合物材料が使用される。より具体的な材料の例示としては、アクリレート系化合物として、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレートが例示される。また、オルガノアルコキシシラン系化合物としては、グリシドキシプロピルトリメトキシシランが例示される。これらの材料は、前記レンズ15などの前記第1の光取り出し層14の構成、その前後の前記透明電極11、発光層13などの光学的な構成によって選択される。
The
なお、実施の形態1およびその他の形態では、図1〜図4に示すように図面上で上に向かって凸型のレンズ15を例示したが、発光デバイス10の構成、プロセスに応じて、図5の示すように、図面上で下に向かって凸型のレンズ15を形成する場合もあるが、その光学的な効果には変化はなく、より簡便な形態を採ればよい。
In
ここで、本発明の発光デバイスの製造工程について図15(a)〜(d)を参照しながら説明する。 Here, the manufacturing process of the light-emitting device of the present invention will be described with reference to FIGS.
まず、図15(a)透明基板として、例えば、ガラス板などの透光性の基材を用いる。次に、スパッタリング法でインジウム錫酸化物(ITO)を70nmの厚さでガラス基板上にITO製透明電極11を形成する。
First, a transparent substrate such as a glass plate is used as the transparent substrate in FIG. Next, an ITO
この透明電極11の下面に光取り出し層14を形成する。
A
この光取り出し層はレンズ形成の工程と枠体形成の工程で形成されている。 This light extraction layer is formed by a lens forming step and a frame forming step.
さらに、この枠体形成の工程は、単分子膜形成の工程と平坦化層形成の工程で形成されている。 Further, the frame forming step is formed by a monomolecular film forming step and a planarizing layer forming step.
まず、枠体を形成するために単分子膜を透明電極11の下面に形成する。前記透明電極11の表面に発光デバイスに必要なレンズ15を配置するために汎用の半導体レジストプロセスにより単分子膜のパターンを形成する。具体的には、前記透明電極11の表面にフォトレジストを塗布し、所定のフォトマスクにより紫外線を照射してフォトレジストをパターン形成する。
First, a monomolecular film is formed on the lower surface of the
次に、前記フォトレジストのパターンを残したままで単分子膜を形成する。
この単分子膜の形成材料は(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラハイドロデシル)トリクロロシラン(信越化学工業株式会社製)のフッ素系液体(商品名:HFE−7100、住友スリーエム株式会社製)からなる溶液(濃度:1wt%)を調製したものである。この調製は、乾燥雰囲気下(乾燥窒素ガス雰囲気下、供給の窒素ガスの露点氷点下55度)で行う。
Next, a monomolecular film is formed with the photoresist pattern remaining.
The material for forming this monomolecular film is a fluorine-based liquid (trade name: HFE-7100, Sumitomo 3M Co., Ltd.) of (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trichlorosilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) A solution (concentration: 1 wt%) made of a company) was prepared. This preparation is performed in a dry atmosphere (in a dry nitrogen gas atmosphere, 55 ° C. below the dew point of the supplied nitrogen gas).
単分子膜形成は、前記の乾燥雰囲気下(乾燥窒素ガス雰囲気下、供給の窒素ガスの露点氷点下55度)のグローブボックス内で行う。単分子膜は前記単分子膜の形成材料を単分子膜を設ける前記透明電極11の表面に接することにより形成することが出来る。
The monomolecular film is formed in the glove box under the above-mentioned dry atmosphere (in a dry nitrogen gas atmosphere and 55 ° C. below the dew point freezing point of the supplied nitrogen gas). The monomolecular film can be formed by contacting the material for forming the monomolecular film with the surface of the
一般的には単分子膜を形成する基材を前記溶液に浸漬することで形成される。
浸漬時間は5分から60分の間で行う。浸漬して前記透明電極11の表面に単分子膜の形成を行った後、前記溶媒と同じ有機溶剤により洗浄し、表面が乾いた後に前記グローブボックスから取り出す。
Generally, it is formed by immersing a base material for forming a monomolecular film in the solution.
The immersion time is between 5 minutes and 60 minutes. After immersing to form a monomolecular film on the surface of the
次に、レジスト膜をアセトン等の有機溶媒で除去し、最終的にレンズ15を配置するためにパターン化された単分子膜18を形成する。
Next, the resist film is removed with an organic solvent such as acetone, and finally, a patterned
次に、レンズ15の形成の方法を示す。
レンズ15の形成材料として、ポリエステル樹脂溶液を前記単分子膜の抜きの部分にマイクロディスペンサなどを用いて滴下する。もしくは、ポリエステル樹脂溶液に前記単分子膜18が形成された基材を浸漬し、適宜時間後に前記基材を引き上げることで前記単分子膜が形成されていない部分にレンズ形成材料を載置することが出来る。前記レンズ形成材料が載置された状態で加熱操作を行い、レンズ形成材料の熱硬化を行う。
Next, a method for forming the
As a material for forming the
この熱硬化条件は140〜150度の加熱で、時間は10〜30分とし、レンズ材料の完全硬化を行いレンズ15を形成した。
The heat curing conditions were heating at 140 to 150 degrees, and the time was 10 to 30 minutes. The lens material was completely cured to form the
次に、このレンズ15の下面に平坦化層19を形成する。
平坦化層19の形成材料として、グリシジルメタアクリレートと4'−メタクリロイロオキシカルコンの共重合体のシクロヘキサン溶液を調製した。この溶液を回転塗布装置でレンズ15の上面に塗布し100℃-10分間のベーキングを行う。そして、紫外線照射を行い、光硬化を行う。硬化条件は360mJ/cm2の紫外線照射である。さらに、120℃で20分間ベーキングを行い、完全に硬化させ、平坦化層19を形成した。
Next, a
As a material for forming the
なお、必要に応じて紫外線キュアを行い、完全に硬化することも可能である。 It is also possible to cure completely by performing ultraviolet curing as necessary.
次に、図15(b)に示すように平坦化層の下面に電荷発生層を形成する。 Next, as shown in FIG. 15B, a charge generation layer is formed on the lower surface of the planarization layer.
電荷発生層形成材料として、五酸化バナジウムを蒸発源として用い、真空蒸着法により10nmの膜厚になるように形成する。当該電荷発生層は、透明電極パターンが形成された後に形成する。選択的形成には金属マスクを使用する。ここで、真空蒸着機のチャンバー圧力は1.33×10-2Paであり、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒になるように制御した。 As a charge generation layer forming material, vanadium pentoxide is used as an evaporation source and is formed to a thickness of 10 nm by a vacuum evaporation method. The charge generation layer is formed after the transparent electrode pattern is formed. A metal mask is used for selective formation. Here, the chamber pressure of the vacuum vapor deposition machine was 1.33 × 10 −2 Pa, and the vapor deposition rate was controlled to be 0.1 to 0.2 nm / second.
次に図15(c)に示すように電荷発生層の下面に発光層13を形成する。
Next, as shown in FIG. 15C, the
この発光層13の形成材料としてトリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)を蒸発源として用い真空蒸着法により50nmの膜厚になるように形成する。ここで、真空蒸着機のチャンバー圧力は1.33×10-2Paであり、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒になるように制御することで発光層13を形成した。
As a material for forming the
次に図15(d)に示すように前記発光層13の下面に対極12を形成する。
対極形成材料として、アルミニウムーリチウム合金(Li:15%含有)を蒸発源として用い、真空蒸着法により50nmの膜厚になるように形成する。当該対極は、発光層が形成された後に、対極形成用の金属マスクを使用して形成する。ここで、真空蒸着機のチャンバー圧力は5×10-5Paであり、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒になるように制御した。以上のような工程を経て発光デバイス10を作成した。
Next, a
As a counter electrode forming material, an aluminum-lithium alloy (Li: containing 15%) is used as an evaporation source, and is formed to a film thickness of 50 nm by a vacuum evaporation method. The counter electrode is formed using a metal mask for forming a counter electrode after the light emitting layer is formed. Here, the chamber pressure of the vacuum deposition machine was 5 × 10 −5 Pa, and the deposition rate was controlled to be 0.1 to 0.2 nm / second. The
上記作成した発光デバイスの構造をZEMAX Development Corporation社製ZEMAX(光学評価設計ソフトウェア)により、光取り出し効率のシミュレーションを行った。表1に本発明のレンズ15を構成した発光デバイスとレンズ15を形成していない発光デバイスの外部取り出し光量を測定し前記レンズ15を形成していない発光デバイスの外部取り出し光量を1とした場合の本発明の発光デバイスの外部取り出し光量は4倍になることを確認した結果を示す。
The structure of the light emitting device created above was simulated for light extraction efficiency by ZEMAX (Optical Evaluation Design Software) manufactured by ZEMAX Development Corporation. Table 1 shows the results of measuring the amount of externally extracted light of the light emitting device that constitutes the
(実施の形態2)
本発明の一実施の形態について図6を用いて説明する。
(Embodiment 2)
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図6に示す発光デバイス20は、実施の形態1に対して、更に、第2の光取り出し層21が設けられている。更に、当該第2の光取り出し層21はレンズ22が埋設されている。更に、当該レンズ22は前記発光層13から放出される光を屈折させる機能を有している。更に、当該第2の光取り出し層21は前記発光層13から発光する光を透過する機能を有している。
The light-emitting
当該発光デバイス20は、前記発光層13から全方向に放出される光のうちで、図6上で上方向に放出される光は、前記第1の光取り出し層14により処理され、また、図6上で下方向に放出される光は、当該第2の光取り出し層21により処理される。より具体的には、当該第2の光取り出し層21は前記対極12と前記発光層13の間に設けられており、当該第2の光取り出し層にはレンズ22が配置され、発光層13で発光した光を屈折の作用を経て、当該光を透明電極11に入射される。この操作で当該透明電極11に入射する光の入射角が変更され、当該透明電極11の上面で起こる全反射の割合を減少することが出来るようになる。
Among the light emitted from the
次に、実施の形態2の他の形態を図7に示す。前記第2の光取り出し層21はレンズ22と枠体23から構成されていることを示す。また、前記第2の光取り出し層21と前記発光層13の間に前記第2の光取り出し層21の上面に接して、電荷発生層24が構成されていることを示す。
Next, another embodiment of the second embodiment is shown in FIG. The second
次に、実施の形態2の他の形態を図8に示す。前記枠体23は、前記レンズ22、単分子膜25、平坦化層26から構成されていることを示す。
(実施の形態3)
本発明の一実施の形態について図9を用いて説明する。
Next, another embodiment of the second embodiment is shown in FIG. The
(Embodiment 3)
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図9に示す発光デバイス30は、実施の形態1、または実施の形態1と実施の形態2に対して、更に、第3の光取り出し層31が設けられている構成である。更に、当該第2の光取り出し層31はレンズ32と枠体33から構成されている。更に、当該レンズ32は前記発光層13から放出される光を屈折させる機能を有している。更に、当該第3の光取り出し層31は前記発光層13から発光する光を透過する機能を有している。
The light-emitting
当該発光デバイス30では、前記発光層13から全方向に放出される光が、前記実施の形態1、または前記実施の形態1と前記実施の形態2により、前記透明電極11に入射した後に、更に、前記透明電極11から上方に出射する際の光の全反射の割合を減少することが出来るようになる。
In the
次に、実施の形態3の他の形態を図10に示す。図10において、前記第3の光取り出し層31は、前記レンズ、単分子膜34、平坦化層35とから構成されている。透明電極とは、電気伝導性及び発光層から放出される光に対する光透過性を有する層(たとえば、インジウム錫酸化物合金(ITO))のみからなる1層の構造からなる電極であってもよく、この層が発光層から放出される光に対する光透過性を有する透明基板(たとえばガラス基板)上に形成された積層体のような2層以上の積層体からなる電極であってもよい。
Next, another embodiment of the third embodiment is shown in FIG. In FIG. 10, the third
なお、図10は、前記実施の形態2に対して、当該実施の形態3を設けたものであるが、前記実施の形態1に対して、当該実施の形態3を設けたものであっても有効である。
(実施の形態4)
本発明の一実施の形態について図11を用いて説明する。
図11に示す発光デバイス40は、前記実施の形態1、前記実施の形態2、前記実施の形態3の対極12に相対する側に透明基板41を設けた構成となる。なお、図11は、前記実施の形態3に対して、当該透明基板41を設けたものであるが、前記実施の形態1、前記実施の形態2に対しても有効である。
10 shows the case where the third embodiment is provided for the second embodiment, but the third embodiment may be provided for the first embodiment. It is valid.
(Embodiment 4)
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
A
当該透明基板41は、本発明の発光デバイスの発光層13からの光を透過する機能を有しておれば良く、通常、ガラス板が使用される。また、透明プラスチック板も使用可能であり、これら材質のフィルムであっても良い。
(実施の形態5)
本発明の一実施の形態について図12を用いて説明する。
The
(Embodiment 5)
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図12に示す発光デバイス50は、前記実施の形態4の前記透明基板41の上面に第4の光取り出し層51が設けられた構成になっている。更に、当該第4の光取り出し層51は、レンズ52と単分子膜53とから構成されている。
The
当該第4の光取り出し層51は、前記透明基板41に入射した前記発光層13からの光が更に前記透明基板41と外気との界面で生じる全反射の割合を軽減し、また前記透明基板41の上面から前面全方向に出射される光を前記透明基板41の面に垂直な方向に出射されるように指向性を整える役割も為すものである。
(実施の形態6)
本発明の一実施の形態について図13を用いて説明する。
The fourth
(Embodiment 6)
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図13に示す発光デバイス60は、前記実施の形態5において、更に、発光デバイスとして必要な場合がある正孔注入層61、正孔輸送層62、電子阻止層63、正孔阻止層64、電子輸送層65、電子注入層66が設けられた構成となっている。
The light-emitting
図13は、当該正孔注入層61、当該正孔輸送層62、当該電子阻止層63、当該正孔阻止層64、当該電子輸送層65、当該電子注入層66をすべて含むものとしているが、これらは必要に応じて設けられるものであり、常時、全てを必要とするものではない。また、図13は、前記透明電極11を陽極とし、前記対極を陰極とした場合の例示であり、前記透明電極11が陰極であり、且つ、前記対極が陽極の場合は、前記の正孔注入層61、正孔輸送層62、電子阻止層63、正孔阻止層64、電子輸送層65、電子注入層66の配置は逆となる。すなわち、電子注入層66、電子輸送層65、正孔阻止層64、電子阻止層63、正孔輸送層62、正孔注入層61となる。
FIG. 13 includes the
当該正孔注入層61は、電極から正孔が注入される効率を向上させるために設けられるもので、材料としては、銅フタロシアニンが代表例としてある。
この正孔注入層61の形成材料として、銅フタロシアニンを蒸着源として、加熱蒸着法により20nmの薄膜を形成し、正孔注入層とする。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
The
As a material for forming the
当該正孔輸送層62は、注入された正孔を効率良く発光層に輸送するために設けるもので、材料としては、前述のα−NPDが代表例としてある。
The
この正孔輸送層62の形成材料として、4,4‘−ビス(N−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(α−NPD)を蒸発源として用い、真空蒸着法により50nmの膜厚になるように形成する。当該正孔輸送層62は、透明電極パターンが形成された後に形成する。選択的形成には金属マスクを使用する。ここで、真空蒸着機のチャンバー圧力は1.33×10-2Paであり、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒になるように制御し、正孔輸送層62を作成する。
As a material for forming the
当該電子阻止層63は、前記発光層13を正孔と再結合することなく素通りして陽極に向かって移動する電子の動きを阻止するために設けるもので、材料としては、N、N‘−ビス(3−メチルフェニル)−N、N‘−ジフェニル−(1,1‘―ビフェニル)−4,4’―ジアミン(略号:TPD)が代表例である。この電子阻止層63の形成材料として、前述のTPDを蒸着源とし加熱蒸着法により10nmの薄膜を形成して電子阻止層63を作成する。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
The
当該正孔阻止層64は、前記発光層13を電子と再結合することなく素通りして陰極に向かって移動する正孔の動きを阻止するために設けるもので、材料としては、バソキュプロイン(略号:BCP)が代表例である。この正孔阻止層64の形成材料として、前述のBCPを蒸着源とし加熱蒸着法により20nmの薄膜を形成して正孔阻止層64を作成する。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
The
当該電子輸送層65は、注入された電子を効率良く発光層に輸送するために設けるもので、材料としては、前述のAlq3が代表例である。この電子輸送層65の形成材料として前述のオキサゾール誘導体であるジベンゾオキサゾールを蒸着源とし、加熱蒸着法により20nmの薄膜を形成して電子輸送層65を作成する。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
The
当該電子注入層66は、電極から電子が注入される効率を向上させるために設けられるもので、材料としては、オキサジアゾール誘導体、ビスアセチルアセトナトマグネシウム、有機金属錯体が代表例としてある。この電子注入層66の形成材料として、前述の有機金属錯体であるビス(8−キノリノナト)マグネシウム(II)を蒸着源とし加熱蒸着法により10nmの薄膜を形成して電子注入層66を形成する。マスクは正孔輸送層形成用のマスクを併用する。
The
なお、これらの層は個々に独立して設けられる場合だけでなく、複数の機能を1つの層で兼ねて形成する場合もある。また、更に発光層の追加の機能として、前記の機能を兼ねる場合もある。 Note that these layers are not only provided independently of each other, but also may be formed by combining a plurality of functions with one layer. In addition, as an additional function of the light emitting layer, the above function may be used.
当該各層並びに前記発光層、前記透明電極、前記対極、前記透明基板の例示は、先行願の特開2000−348859、特開2001−279429、特開2002−100480、特開2004−59555、特開2004−139892、特開2004−171866、特開2004−192961、特開2004−217557、特開2004−217592、及び、American Institute of Physicsの論文Applied Physics Lettersの第81巻、162頁、2002年発行に具体的に明記されている。本発明の発光デバイスとして、前記に記載の材料が、代表例として使用可能である。 Examples of the respective layers, the light emitting layer, the transparent electrode, the counter electrode, and the transparent substrate are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-348859, 2001-279429, 2002-100480, 2004-59555, and JP-A-2004-55555. 2004-139798, JP-A-2004-171866, JP-A-2004-192961, JP-A-2004-217557, JP-A-2004-217492, and American Institute of Physics, Applied Physics Letters, Volume 81, 162, 2002 Is specifically stated in As the light emitting device of the present invention, the materials described above can be used as representative examples.
電気伝導性及び発光層から放出される光に対する光透過性を有する層(たとえば、インジウム錫酸化物合金(ITO))のみからなる1層の構造からなる電極である。 The electrode has a one-layer structure made of only a layer (for example, indium tin oxide alloy (ITO)) having electrical conductivity and light transmittance with respect to light emitted from the light emitting layer.
本発明の発光デバイスの前記実施の形態1から前記実施の形態6の変形について、図14を用いて説明する。図14は、前記実施の形態1で使用した図5を基にした発光デバイス70の模式断面図である。但し、図14は例示であって、他の実施の形態2から実施の形態6においても同様の実施が可能である。
Modifications of the light emitting device according to the first to sixth embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting
本発光デバイス70は、透明電極11と対極12と発光層13と第1の光取り出し層71と、から構成されている。更に、第1の光取り出し層71は、レンズ72、第1の単分子膜73、平坦化層74、及び、第2の単分子膜75から構成されている。当該透明電極11、当該対極12、当該発光層13、当該第1の光取り出し層71、当該レンズ72、当該第1の単分子膜、当該平坦化層74の説明は前述の通りであり、その説明を省略する。
The
第2の単分子膜75はレンズ材料とのぬれ性の高い官能基を有することで、レンズ材料の保持性の向上を図る目的で形成される。したがって、レンズ材料を構成する分子(高分子又は低分子)と同程度の表面エネルギーを有している必要がある。単分子膜の官能基とレンズ材料を構成する分子の主に構成している官能基の表面エネルギーの差が12mN/m以下であることが好ましい。もしくはレンズ材料からなる表面エネルギーと第2の単分子膜の表面エネルギーの差が12mN/m以下であることが好ましい。レンズ構成材料は実施の形態1に示すように様々な官能基を有しており、その表面エネルギーもいろいろな値を採りうるが、そのレンズを構成する官能基と同種の官能基を持つ有機分子で第2の単分子膜を形成すればほぼ間違いない。たとえば、ポリウレタン樹脂の表面エネルギーは38mN/m程度であるが、これに適合する単分子膜を構成する有機分子の官能基としては末端にCCl2H基を有する材料が好ましい。この有機分子で形成された単分子膜の表面エネルギーは39mN/m程度になる。ポリアミドの場合の表面エネルギーは42mN/m程度になるが、これに適した第2の単分子膜の有機分子の有する官能基としてはCCl2=CH基がふさわしく、この場合の表面エネルギーは43mN/m程度になる。また、ポリエチレンテレフタレートも表面エネルギーが42mN/m程度となるので、当該第2の単分子膜が使用可能である。また、ポリプロピレンの表面エネルギーは29mN/mとなる。このレンズ材料にふさわしい第2の単分子膜を構成する有機分子としては末端基にCH2基を有する分子が挙げられ、当該単分子膜の表面エネルギーは31mN/mである。以上のようにレンズ材料の表面エネルギーと近い第2の単分子膜を形成することより基材と密着したレンズを形成することが出来る。
The second
さらに、第2の単分子膜とレンズ形成材料とのその界面で化学結合させることも出来る。すなわちレンズ形成材料の重合性基と同じ特性基を第2の単分子膜に持たせることにより、形成することが出来る。たとえば、第2の単分子膜を構成する有機分子にエポキシ基を持たせることにより、エポキシ樹脂性のレンズと化学結合を形成することが出来る。また、エステル結合、アミド結合、ペプチド結合なども第2の単分子膜とレンズとの界面で形成することも可能である。この場合は上記ぬれ性の一致による密着性向上だけでなく、化学結合を形成するためより密着性の高いレンズを形成することが出来る。 Furthermore, chemical bonding can also be performed at the interface between the second monomolecular film and the lens forming material. That is, it can be formed by giving the second monomolecular film the same characteristic group as the polymerizable group of the lens forming material. For example, the organic molecule constituting the second monomolecular film can have an epoxy group to form a chemical bond with the epoxy resin lens. In addition, an ester bond, an amide bond, a peptide bond, and the like can be formed at the interface between the second monomolecular film and the lens. In this case, not only the above-mentioned improvement in adhesion due to the matching of wettability but also the formation of a chemical bond makes it possible to form a lens with higher adhesion.
また、上記のような有機分子としては、例えば以下の一般式の有機分子を挙げることができる。
CH2=CH(CH2)qSiCl3・・・(201)
NC(CH2)qSiCl3・・・(202)
Examples of the organic molecule as described above include organic molecules having the following general formula.
CH 2 = CH (CH 2 ) q SiCl 3 (201)
NC (CH 2 ) q SiCl 3 (202)
C6H5(CH2)qSiCl3・・・(204)
[式(201)〜(204)中、qは2〜22の整数を示す]
さらに、上記以外の第2の単分子膜を形成するために用いることができる有機分子としては、以下の有機分子を挙げることができる。
C 6 H 5 (CH 2 ) q SiCl 3 (204)
[In formulas (201) to (204), q represents an integer of 2 to 22]
Furthermore, examples of organic molecules that can be used to form the second monomolecular film other than those described above include the following organic molecules.
H2N(CH2)3Si(OCH3)3・・・(301)
OHC(CH2)3Si(OCH2CH3)3・・・(302)
HOOC(CH2)5Si(OCH3)3・・・(303)
HO(CH2)5Si(OCH3)3・・・(304)
H3COOC(CH2)5Si(OCH2CH3)3・・・(305)
(OH)2OP(CH2)3Si(OCH3)3・・・(306)
HO2S(CH2)3Si(OCH3)3・・・(307)
HS(CH2)3Si(OCH3)3・・・(308)
CH2=CH(CH2)6Si(OCH3)3・・・(309)
CH3C6H4Si(OCH3)3・・・(310)
ClCH2C6H4Si(OCH3)3・・・(311)
上記のような有機分子は、前述の第1の単分子膜を形成する場合に用いられる有機分子と同様に各化合物として入手可能である。
H 2 N (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 (301)
OHC (CH 2 ) 3 Si (OCH 2 CH 3 ) 3 (302)
HOOC (CH 2 ) 5 Si (OCH 3 ) 3 (303)
HO (CH 2 ) 5 Si (OCH 3 ) 3 (304)
H 3 COOC (CH 2 ) 5 Si (OCH 2 CH 3 ) 3 (305)
(OH) 2 OP (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 (306)
HO 2 S (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 (307)
HS (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 (308)
CH 2 = CH (CH 2 ) 6 Si (OCH 3 ) 3 (309)
CH 3 C 6 H 4 Si (OCH 3 ) 3 (310)
ClCH 2 C 6 H 4 Si (OCH 3 ) 3 (311)
The organic molecules as described above are available as respective compounds in the same manner as the organic molecules used in the case of forming the first monomolecular film described above.
なお、当該第2の単分子膜と基材との結合性は、前記第1の単分子膜と基材との結合性と同じである。 The binding property between the second monomolecular film and the substrate is the same as the binding property between the first monomolecular film and the substrate.
また、第2の単分子膜の膜厚は第1の単分子膜の膜厚以下であることが好ましい。 The film thickness of the second monomolecular film is preferably equal to or less than the film thickness of the first monomolecular film.
また、透明電極とは、電気伝導性及び発光層から放出される光に対する光透過性を有する層(たとえば、インジウム錫酸化物合金(ITO))のみからなる1層の構造からなる電極であってもよく、この層が発光層から放出される光に対する光透過性を有する透明基板(たとえばガラス基板)上に形成された積層体のような2層以上の積層体からなる電極であってもよい。 The transparent electrode is an electrode having a single-layer structure made of only a layer (for example, indium tin oxide alloy (ITO)) having electrical conductivity and light transmittance with respect to light emitted from the light emitting layer. Alternatively, this layer may be an electrode composed of a laminate of two or more layers such as a laminate formed on a transparent substrate (for example, a glass substrate) having a light transmission property for the light emitted from the light emitting layer. .
以上のいずれの実施の形態及びその変形も、簡単のために発光層が単層である事例でもって説明したが、発光層が複数となる場合においても、本発明の光取り出し層の導入により、各発光層の光取り出し効率を向上できる。 Any of the above-described embodiments and modifications thereof have been described in the case where the light emitting layer is a single layer for the sake of simplicity, but even when there are a plurality of light emitting layers, by introducing the light extraction layer of the present invention, The light extraction efficiency of each light emitting layer can be improved.
10、20、30、40、50、60、70・・・発光デバイス
11・・・透明電極
12・・・対極
13・・・発光層
14、71・・・第1の光取り出し層
15、22、32、52、72・・・レンズ
16、23、33・・・枠体
17、24・・・電荷発生層
18、25、34、53・・・単分子膜
19、26、35、74・・・平坦化層
21・・・第2の光取り出し層
31・・・第3の光取り出し層
41・・・透明基板
51・・・第4の光取り出し層
61・・・正孔注入層
62・・・正孔輸送層
63・・・電子阻止層
64・・・正孔阻止層
65・・・電子輸送層
66・・・電子注入層
73・・・第1の単分子膜
75・・・第2の単分子膜
10, 20, 30, 40, 50, 60, 70 ...
Claims (40)
前記透明電極と前記発光層との間に、電気絶縁性を有する第1の光取り出し層が更に配置されており、
前記第1の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させて集光した状態で前記透明電極に向けて放出する少なくとも1つのレンズが埋設されていること、
を特徴とする発光デバイス。 A light emitting device having at least a transparent electrode, a counter electrode disposed opposite to the transparent electrode, and a light emitting layer disposed between the transparent electrode and the counter electrode,
A first light extraction layer having electrical insulation is further disposed between the transparent electrode and the light emitting layer,
Embedded in the first light extraction layer is at least one lens that emits the light emitted from the light emitting layer toward the transparent electrode while being refracted and condensed;
A light emitting device characterized by.
を特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。 The at least one lens is formed such that light emitted from the light emitting layer and traveling toward the transparent electrode through the at least one lens can be incident substantially perpendicularly to the lower surface of the transparent electrode. Being
The light-emitting device according to claim 1.
を特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。 A charge generation layer is further disposed between the first light extraction layer and the light emitting layer;
The light-emitting device according to claim 1.
を特徴とする請求項第1〜3の何れか1項に記載の発光デバイス。 In the first light extraction layer, a frame for fixing the position of the at least one lens in the first light extraction layer is in contact with an upper surface of the first light extraction layer, and a lower surface It is formed by bonding to any one of the surfaces in contact with
The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is a light-emitting device.
前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、
前記第1の光取り出し層の上面に接する面及び前記第1の光取り出し層の下面に接する面のうちの何れか一方の面に共有結合で固定されていること、
を特徴とする請求項4に記載の発光デバイス。 The frame is a monomolecular film;
The monomolecular film is formed using organic molecules, and
Being fixed to one of a surface in contact with the upper surface of the first light extraction layer and a surface in contact with the lower surface of the first light extraction layer by a covalent bond;
The light-emitting device according to claim 4.
前記単分子膜は、
有機分子を用いて形成されており、かつ、
前記第1の光取り出し層の上面に接する面及び前記第1の光取り出し層の下面に接する面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、かつ、
前記平坦化層は、前記単分子膜及び前記レンズを被覆していること、
を特徴とする請求項4に記載の発光デバイス。 The frame body is composed of a flattening layer for flattening an uneven surface constituted by the monomolecular film, the at least one lens, and the monomolecular film,
The monomolecular film is
Formed using organic molecules, and
Fixed to one of the surface in contact with the upper surface of the first light extraction layer and the surface in contact with the lower surface of the first light extraction layer by covalent bonding; and
The planarizing layer covers the monomolecular film and the lens;
The light-emitting device according to claim 4.
前記第2の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させるための少なくとも1つのレンズが埋設されていること、
を特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の発光デバイス。 A second light extraction layer is further disposed between the light emitting layer and the counter electrode;
At least one lens for refracting light emitted from the light emitting layer is embedded in the second light extraction layer;
The light-emitting device according to any one of claims 1 to 3.
を特徴とする請求項7に記載の発光デバイス。 The second light extraction layer has electrical insulation;
The light-emitting device according to claim 7.
を特徴とする請求項8に記載の発光デバイス。 A charge generation layer is further disposed between the second light extraction layer and the light emitting layer;
The light-emitting device according to claim 8.
を特徴とする請求項7〜9の何れか1項に記載の発光デバイス。 The second light extraction layer has a frame for fixing the position of the at least one lens in the second light extraction layer, the upper surface and the lower surface of the second light extraction layer. It is formed in an integrated state in contact with one of the surfaces,
The light emitting device according to claim 7, wherein the light emitting device is a light emitting device.
前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、
前記第2の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、
を特徴とする請求項10に記載の発光デバイス。 The frame is a monomolecular film;
The monomolecular film is formed using organic molecules, and
Being fixed to one of the upper surface and the lower surface of the second light extraction layer by a covalent bond;
The light-emitting device according to claim 10.
前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、
前記第2の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、かつ、
前記平坦化層は、前記単分子膜及び前記レンズを被覆していること、
を特徴とする請求項10に記載の発光デバイス。 The frame body is composed of a monomolecular film, the at least one lens, and a planarizing layer for flattening an uneven surface composed of the monomolecular film,
The monomolecular film is formed using organic molecules, and
Fixed to one of the upper surface and the lower surface of the second light extraction layer by a covalent bond; and
The planarizing layer covers the monomolecular film and the lens;
The light-emitting device according to claim 10.
前記第3の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させるための少なくとも1つのレンズが埋設されていること、
を特徴とする請求項1〜12のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 A third light extraction layer is further disposed above the transparent electrode,
At least one lens for refracting the light emitted from the light emitting layer is embedded in the third light extraction layer;
The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is a light emitting device.
第3の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に接して一体化された状態で形成されていること、
を特徴とする請求項13に記載の発光デバイス。 The third light extraction layer has a frame for fixing the position of the at least one lens in the third light extraction layer,
It is formed in an integrated state in contact with either one of the upper surface and the lower surface of the third light extraction layer,
The light-emitting device according to claim 13.
前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、
第3の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、
を特徴とする請求項14に記載の発光デバイス。 The frame is a monomolecular film;
The monomolecular film is formed using organic molecules, and
Being fixed by covalent bond to any one of the upper surface and the lower surface of the third light extraction layer;
The light-emitting device according to claim 14.
前記単分子膜は、
有機分子を用いて形成されており、かつ、
第3の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、かつ、
前記平坦化層は、前記単分子膜及び前記レンズを被覆していること、
を特徴とする請求項14に記載の発光デバイス。 The frame body is composed of a monomolecular film, the at least one lens, and a planarizing layer for flattening an uneven surface composed of the monomolecular film,
The monomolecular film is
Formed using organic molecules, and
Fixed to one of the upper surface and the lower surface of the third light extraction layer by a covalent bond; and
The planarizing layer covers the monomolecular film and the lens;
The light-emitting device according to claim 14.
を特徴とする請求項13〜16のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 A transparent substrate is further disposed above the third light extraction layer;
The light-emitting device according to any one of claims 13 to 16.
前記第4の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させるための少なくとも1つのレンズが埋設されていること、
を特徴とする請求項1〜12及び、請求項17のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 A fourth light extraction layer is further disposed above the transparent substrate;
At least one lens for refracting the light emitted from the light emitting layer is embedded in the fourth light extraction layer;
The light-emitting device according to any one of claims 1 to 12 and claim 17.
前記第4の光取り出し層中に、前記発光層から放出される光を屈折させるための少なくとも1つのレンズが埋設されていること、
を特徴とする請求項18に記載の発光デバイス。 A fourth light extraction layer is further disposed above the transparent substrate;
At least one lens for refracting the light emitted from the light emitting layer is embedded in the fourth light extraction layer;
The light-emitting device according to claim 18.
前記第4の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に接して一体化された状態で形成されていること、
を特徴とする請求項19に記載の発光デバイス。 The fourth light extraction layer has a frame for fixing the position of the at least one lens in the fourth light extraction layer,
Formed in an integrated state in contact with one of the upper surface and the lower surface of the fourth light extraction layer;
The light-emitting device according to claim 19.
前記単分子膜は、有機分子を用いて形成されており、かつ、
前記第4の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、
を特徴とする請求項20に記載の発光デバイス。 The frame is a monomolecular film;
The monomolecular film is formed using organic molecules, and
Fixed to one of the upper surface and the lower surface of the fourth light extraction layer by a covalent bond;
The light-emitting device according to claim 20.
前記単分子膜は、
有機分子を用いて形成されており、かつ、
前記第4の光取り出し層の上面、及び下面のうちの何れか一方の面に共有結合により固定されていること、かつ、
前記平坦化層は、前記単分子膜及び前記レンズを被覆していること、
を特徴とする請求項20に記載の発光デバイス。 The frame body is composed of a monomolecular film, the at least one lens, and a planarizing layer for flattening an uneven surface composed of the monomolecular film,
The monomolecular film is
Formed using organic molecules, and
Fixed to one of the upper surface and the lower surface of the fourth light extraction layer by a covalent bond; and
The planarizing layer covers the monomolecular film and the lens;
The light-emitting device according to claim 20.
及び、該正孔注入層、該正孔輸送層、及び、該電子阻止層のうちの少なくとも2つ以上の層が配置される場合は、前記透明電極側から正孔注入層、正孔輸 送層、及び、電子阻止層の順序で配置されること、
を特徴とする請求項1〜22のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 At least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron blocking layer is disposed at at least one position between the transparent electrode and the light emitting layer;
When at least two of the hole injection layer, the hole transport layer, and the electron blocking layer are disposed, the hole injection layer, the hole transport, and the like from the transparent electrode side. Arranged in the order of layers and electron blocking layers;
The light emitting device according to any one of claims 1 to 22.
及び、該正孔阻止層、該電子輸送層、及び、該電子注入層のうちの少なくとも2つ以上の層が配置される場合は、前記発光層側から正孔阻止層、電子輸送層、及び、電子注入層の順序で配置されること、
を特徴とする請求項1〜23のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 At least one of a hole blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer is disposed at at least one position between the light emitting layer and the counter electrode;
And when at least two or more of the hole blocking layer, the electron transporting layer, and the electron injection layer are disposed, the hole blocking layer, the electron transporting layer, and Being arranged in the order of the electron injection layer,
The light emitting device according to any one of claims 1 to 23.
を特徴とする請求項1〜24のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 24, wherein the lens is an oxide solid made of a metal organic compound.
を特徴とする請求項25に記載の発光デバイス。 26. The light emitting device according to claim 25, wherein the oxide solid is one of amorphous ceramics and crystalline ceramics.
を特徴とする請求項1〜24のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 24, wherein the lens is a polymer compound including any one of a thermoplastic monomer, a thermoplastic oligomer, and a thermoplastic polymer. .
を特徴とする請求項1〜24のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 25. The lens according to any one of claims 1 to 24, wherein the lens is a polymer compound including any one of a photocurable monomer, a photocurable oligomer, and a photocurable polymer. Light emitting device.
を特徴とする請求項1〜22、及び請求項28〜29のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 22 and 28 to 29, wherein the lens is a composite of the polymer compound and an inorganic material.
を特徴とする請求項5〜6、請求項11〜12,請求項15〜16、及び、請求項21〜22のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。(ここで、Zは、Si、Ti、Alからなる群から選択される原子である。) The covalent bond is a bond including at least one structure selected from the group consisting of -Z-O-, -ZN-, and -ZS-. The light-emitting device according to any one of Items 5 to 6, Claims 11 to 12, Claims 15 to 16, and Claims 21 to 22. (Here, Z is an atom selected from the group consisting of Si, Ti, and Al.)
を特徴とする請求項5〜6、及び請求項11〜12、請求項15〜16、及び、請求項21〜22のうちの何れか1項に記載の発光デバイス。
−Z−Dq ・・・(化1)
|
Er
(ここで、Dは、F、Cl、Br、I、−OH、−SCN、−NCO、及び、炭素数が1〜5のアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。また、Eは、H、及び、炭素数が1〜3のアルキル基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。また、qは1〜3の整数を示し、q+rは3である。ZはSi、Ti、Alからなる群から選択される原子である。) It is represented by the general formula (Chemical Formula 1) of the functional group of the organic molecule constituting the monomolecular film. The claims 11 to 12, the claims 15 to 16, and the claims Item 23. The light emitting device according to any one of Items 21 to 22.
-ZD q ... (Chemical formula 1)
|
E r
(Where D is at least one atom or atomic group selected from the group consisting of F, Cl, Br, I, -OH, -SCN, -NCO, and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. E represents at least one atom or atomic group selected from the group consisting of H and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and q represents an integer of 1 to 3. Q + r is 3. Z is an atom selected from the group consisting of Si, Ti, and Al.)
特徴とする請求項32に記載の発光デバイス。
CFxHy-(CF2)m-(CH2)n-ZDqEr ・・・(化2)
(ここで、xは1〜3の範囲の整数で、かつ、yは0〜2の範囲の整数で、かつ、x+yは3を満たす数である。また、mは0〜18の整数で、かつ、nは0〜18の整数で、かつ、m+nは3以上で24未満である数である。また、ZはSi、Ti、Alからなる群から選択される原子である。また、Dは、F、Cl、Br、I、−OH、−SCN、−NCO、及び、炭素数が1〜5のアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。また、Eは、H、及び、炭素数が1〜3のアルキル基からなる群より選択される少なくとも1種の原子又は原子団を示す。また、qは1〜3の整数を示し、q+rは3である。) The organic molecule constituting the monomolecular film is represented by the general formula (Formula 2).
CF x H y - (CF 2 ) m - (CH 2) n -ZD q E r ··· ( of 2)
(Here, x is an integer in the range of 1 to 3, y is an integer in the range of 0 to 2, and x + y is a number satisfying 3. Also, m is an integer of 0 to 18, N is an integer of 0 to 18, and m + n is a number of 3 or more and less than 24. Z is an atom selected from the group consisting of Si, Ti, and Al. , F, Cl, Br, I, —OH, —SCN, —NCO, and at least one atom or atomic group selected from the group consisting of alkoxy groups having 1 to 5 carbon atoms. Represents at least one atom or atomic group selected from the group consisting of H and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, q represents an integer of 1 to 3, and q + r is 3. .)
特徴とする発光デバイスの製造方法。 The light emitting device comprises at least a transparent electrode forming step, a light extraction layer forming step, a light emitting layer forming step, and a counter electrode forming step.
を特徴とする請求項34に記載の発光デバイスの製造方法。 The method of manufacturing a light emitting device according to claim 34, wherein the light emitting device includes a step of forming a charge generation layer in addition to the step of claim 34.
を特徴とする請求項34〜35の何れか1項に記載の発光デバイスの製造方法。 36. The light emitting device according to any one of claims 34 to 35, wherein the step of forming the first light extraction layer of the light emitting device includes a step of forming a frame and a step of forming a lens. Device manufacturing method.
を特徴とする請求項36に記載の発光デバイスの製造方法。 The method of manufacturing a light emitting device according to claim 36, wherein the step of forming the frame includes a step of forming a monomolecular film.
を特徴とする請求項36に記載の発光デバイスの製造方法。 The method of manufacturing a light-emitting device according to claim 36, wherein the step of forming the frame includes a step of forming a monomolecular film and a step of forming a planarizing layer.
を特徴とする請求項34〜35の何れか1項に記載の発光デバイスの製造方法。 In addition to the steps described in claims 34 and 35, the light-emitting device includes a step of forming a hole transport layer, a step of forming a hole injection layer, a step of forming a hole blocking layer, an electron The light emission according to any one of claims 34 to 35, comprising at least one of a step of forming a transport layer, a step of forming an electron injection layer, and a step of forming an electron blocking layer. Device manufacturing method.
を特徴とする請求項34〜35の何れか1項に記載の発光デバイスの製造方法。 The light emitting device includes a step of forming a second light extraction layer, a step of forming a third light extraction layer, and a fourth light extraction layer in addition to the step of forming the light extraction layer. 36. The method for manufacturing a light-emitting device according to any one of claims 34 to 35, wherein at least one step is included in the steps of forming.
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