JP2006146890A - Antenna and method for manufacturing the same, semiconductor device having antenna and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antenna in that the adhesive intensity of a conductive body formed on a base film is increased, and a semiconductor device including the antenna. <P>SOLUTION: The semiconductor device includes the element formation layer provided over a substrate and the antenna provided over the element formation layer, the element formation layer and the antenna are electrically connected, the antenna has a base film and a conductive body, wherein at least a part of the conductive body is embedded in the base film. In addition, as a method for embedding the conductive body in the base film, a depression pattern is formed on the surface of the base film and the conductive body is formed therein. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、アンテナの構造および当該アンテナの作製方法に関する。また、当該アンテナを備えた半導体装置およびその作製方法に関するものである。   The present invention relates to an antenna structure and a method for manufacturing the antenna. The present invention also relates to a semiconductor device including the antenna and a manufacturing method thereof.

近年、個々の対象物にＩＤ（個体識別番号）を与え、アンテナを備えた半導体装置を用いて非接触で情報のやりとりを行うことによって、その対象物の履歴を明確にして生産、管理等に役立てるといった固体認識技術が注目されている。そのような半導体装置として、特に、無線チップ（ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）、無線タグ、電子タグ、ＲＦＩＤタグ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）ともよばれる）等が企業内、市場等で試験的に導入され始めている。   In recent years, IDs (individual identification numbers) are given to individual objects, and information is exchanged in a non-contact manner using a semiconductor device equipped with an antenna, thereby clarifying the history of the objects for production, management, etc. Solid-state recognition technology that is useful is attracting attention. As such a semiconductor device, a wireless chip (also referred to as an ID tag, an IC tag, an IC chip, an RF tag (Radio Frequency), a wireless tag, an electronic tag, or an RFID tag (Radio Frequency Identification)) or the like is used in the company, the market, or the like. Etc. are beginning to be introduced on a trial basis.

例えば、有価証券や商品の管理など、自動認識が必要なあらゆる分野を対象に、非接触でデータの授受が行える無線チップ搭載カードや、無線チップ搭載タグの必要性が高まっている。無線チップを搭載したカードは、カード内部のループアンテナを介して外部の機器とデータの読み書きをするようになされる。無線チップを搭載したカードは、磁気記録方式によりデータを記録する磁気カードに比べて記憶容量が大きく、セキュリティ性に優れているため、最近では様々な分野への利用できる形態が提案されている。（例えば、特許文献１）また、有価証券等に無線チップを搭載する際には、無線チップの薄膜化が求められている。
特開２００１−２６０５８０号公報 For example, there is an increasing need for wireless chip mounted cards and wireless chip mounted tags that can exchange data without contact in all fields that require automatic recognition, such as management of securities and products. A card on which a wireless chip is mounted reads and writes data with an external device via a loop antenna inside the card. A card equipped with a wireless chip has a larger storage capacity and better security than a magnetic card that records data by a magnetic recording method, and recently, a form that can be used in various fields has been proposed. (For example, Patent Document 1) Further, when a wireless chip is mounted on a securities or the like, it is required to reduce the thickness of the wireless chip.
JP 2001-260580 A

本発明は、ベースフィルム（フィルム、基板ともよばれる）に形成される導電体の付着強度を向上させたアンテナおよび当該アンテナを備えた半導体装置の提供を課題とする。また、素子形成層とアンテナとを貼り合わせて半導体装置を設ける場合であっても、素子形成層がアンテナの構造に由来するダメージを受けることのない信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。また、当該アンテナの作製方法および当該アンテナを備えた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。   An object of the present invention is to provide an antenna with improved adhesion strength of a conductor formed on a base film (also called a film or a substrate) and a semiconductor device including the antenna. Another object is to provide a highly reliable semiconductor device in which the element formation layer is not damaged due to the structure of the antenna even when the element formation layer and the antenna are attached to provide a semiconductor device. . Another object is to provide a method for manufacturing the antenna and a method for manufacturing a semiconductor device including the antenna.

上記課題を解決するために、本発明では以下の手段を講ずる。   In order to solve the above problems, the present invention takes the following measures.

本発明の半導体装置は、基板上に設けられた素子形成層と、素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、アンテナは、フィルムと導電体とを有し、素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、フィルムに前記導電体の少なくとも一部が埋め込まれていることを特徴としている。   The semiconductor device of the present invention includes an element formation layer provided on a substrate and an antenna provided on the element formation layer. The antenna includes a film and a conductor, and the element formation layer and the conductive layer are provided. The body is electrically connected, and at least a part of the conductor is embedded in the film.

また、本発明の半導体装置の他の構成として、基板上に設けられた素子形成層と、素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、アンテナは、フィルムと導電体とを有し、素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、フィルムは表面に凹部を有し、凹部に導電体が設けられていることを特徴としている。導電体はベースフィルムの凹部に全て埋まっている必要はなく、導電体の少なくとも一部がベースフィルムの凹部に埋まっていればよい。なお、ここでいう凹部とはくぼみのことを指しており、フィルムの表面に凹部を有するとはフィルムは表面に部分的にくぼんでいることを指している。   Further, as another configuration of the semiconductor device of the present invention, it has an element formation layer provided on a substrate and an antenna provided on the element formation layer, and the antenna has a film and a conductor, The element formation layer and the conductor are electrically connected, and the film has a recess on the surface, and the conductor is provided in the recess. The conductor does not need to be entirely embedded in the recess of the base film, and it is sufficient that at least a part of the conductor is embedded in the recess of the base film. In addition, the concave part here refers to the dent, and having a concave part on the surface of the film means that the film is partially concaved on the surface.

また、本発明の半導体装置の他の構成は、基板上に設けられた素子形成層と、素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、アンテナは、フィルムと導電体とを有し、素子形成層と導電体とが電気的に接続され、フィルムは表面に凹部を有し、フィルムの表面および凹部に導電体が設けられており、フィルムの表面および凹部に設けられた導電体が電気的に接続していることを特徴としている。   In addition, another structure of the semiconductor device of the present invention includes an element formation layer provided over a substrate and an antenna provided over the element formation layer. The antenna includes a film and a conductor. The element formation layer and the conductor are electrically connected, the film has a recess on the surface, the conductor is provided on the surface and the recess of the film, and the conductor provided on the surface of the film and the recess is electrically It is characterized by being connected.

上記半導体装置の構成において、素子形成層とアンテナとは接続端子を介して電気的に接続することができる。また、素子形成層が形成された基板として可撓性基板を用いることができる。   In the structure of the semiconductor device, the element formation layer and the antenna can be electrically connected to each other through a connection terminal. A flexible substrate can be used as the substrate over which the element formation layer is formed.

本発明のアンテナは、フィルムと導電体とを有し、フィルムは表面に凹部を有し、フィルムの表面および凹部に導電体が設けられており、フィルムの表面および凹部に設けられた導電体が電気的に接続していることを特徴としている。なお、導電体はベースフィルムの凹部に全て埋まっている必要はなく、導電体の少なくとも一部がベースフィルムの凹部に埋まっていればよい。   The antenna of the present invention has a film and a conductor, the film has a concave portion on the surface, the conductor is provided on the surface and the concave portion of the film, and the conductor provided on the surface and the concave portion of the film includes It is characterized by electrical connection. In addition, the conductor does not need to be completely embedded in the recess of the base film, and it is sufficient that at least a part of the conductor is embedded in the recess of the base film.

本発明のアンテナの作製方法は、フィルムに凹部を形成し、フィルムの凹部に導電体を形成することを特徴としている。   The method for manufacturing an antenna of the present invention is characterized in that a recess is formed in a film and a conductor is formed in the recess of the film.

本発明のアンテナの他の作製方法は、フィルムに凹部を形成し、フィルムの表面および凹部に導電体シートを貼り合わせて設け、当該フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴としている。なお、ここでいう導電体シートとは、導電体膜、フィルム状の金属の板または導電体を薄く延ばして紙状にしたものをいい、例えば、金属箔が挙げられる。   Another method for manufacturing the antenna of the present invention is to form a recess in a film, and provide a conductor sheet bonded to the surface and the recess of the film, leaving the conductor sheet provided in the recess of the film. It is characterized by selectively etching a sheet. The term “conductor sheet” as used herein refers to a conductor film, a film-like metal plate, or a sheet obtained by extending a conductor thinly, and includes, for example, a metal foil.

また、本発明のアンテナの他の作製方法として、フィルムに凹部を形成し、導電性を有する組成物を選択的に吐出して当該フィルムの凹部に導電体を形成することを特徴としている。つまり、導電体をフィルムの凹部に直接形成する。導電体を直接形成する方法としては、液滴吐出法やスクリーン印刷等の印刷法や大気圧プラズマ装置等を用いることができる。なお、液滴吐出法とは、導電膜や絶縁膜等の材料を含んだ組成物の液滴（ドットともいう）を選択的に吐出（噴射）して任意の場所に形成する方法であり、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれている。   As another method for manufacturing the antenna of the present invention, a concave portion is formed in a film, and a conductive composition is selectively discharged to form a conductor in the concave portion of the film. That is, the conductor is directly formed in the concave portion of the film. As a method for directly forming the conductor, a droplet discharge method, a printing method such as screen printing, an atmospheric pressure plasma apparatus, or the like can be used. Note that the droplet discharge method is a method in which droplets (also referred to as dots) of a composition containing a material such as a conductive film or an insulating film are selectively discharged (jetted) to be formed at an arbitrary place. Depending on the method, it is also called an inkjet method.

本発明において、フィルムの凹部は、フィルムに型をプレスして形成することができる。また、他にも、レーザ光を照射してフィルム上に凹部を直接形成してもよい。   In the present invention, the concave portion of the film can be formed by pressing a mold on the film. In addition, the recess may be directly formed on the film by irradiating with laser light.

また、本発明のアンテナの他の作製方法として、フィルムに導電体シートを貼り合わせ、フィルムおよび導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴としている。また、エッチング処理を行わずにフィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように、その他の導電体シートを物理的手段（物理的な力）を用いて選択的に剥がしてもよい。なお、物理的手段とは化学ではなく、物理学により認識される手段であり、具体的には力学の法則に当てはめることが可能な過程を有する力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。つまり、物理的手段を用いて剥がすとは、例えば人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波または楔状の部材を用いた負荷等を用いて外部から衝撃（ストレス）を与えることによって剥がすことを言う。   As another method for manufacturing the antenna of the present invention, a conductor sheet is bonded to a film, a mold is pressed on the film and the conductor sheet to form a recess, and a conductor sheet provided in the recess of the film is left. Thus, the conductive sheet is selectively etched. Moreover, you may peel off selectively another conductor sheet using a physical means (physical force) so that the conductor sheet provided in the recessed part of the film may be left without performing an etching process. The physical means is a means recognized not by chemistry but by physics. Specifically, it means a mechanical means or a mechanical means having a process that can be applied to the laws of mechanics. It refers to a means of changing energy (mechanical energy). In other words, peeling using physical means means applying an impact (stress) from the outside using, for example, a human hand, a wind pressure of a gas blown from a nozzle, a load using an ultrasonic wave or a wedge-shaped member, or the like. Say to peel.

また、本発明のアンテナの他の作製方法として、フィルムに導電体シートを貼り合わせ、導電体シートを選択的に切断し、切断された導電体シートと導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴としている。また、エッチング処理を行わずにフィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように、その他の導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がしてもよい。   As another method for manufacturing the antenna of the present invention, a conductor sheet is bonded to a film, the conductor sheet is selectively cut, and the cut conductor sheet and a film positioned below the conductor sheet are molded. Is formed by selectively etching the conductive sheet so as to leave the conductive sheet provided in the concave portion of the film. Moreover, you may peel off selectively another conductor sheet using a physical means so that the conductor sheet provided in the recessed part of the film may be left without performing an etching process.

上記構成において、フィルムに型をプレスして凹部を形成する際に、加熱をしながら行うとよい。   In the above configuration, when the concave portion is formed by pressing the mold on the film, the heating may be performed.

また、上記アンテナの作製方法を用いて形成したアンテナと基板上に設けられた素子形成層とを電気的に接続することによって半導体装置を作製することができる。また、素子形成層とアンテナとの接続は、接続端子を介して行うことができる。   In addition, a semiconductor device can be manufactured by electrically connecting an antenna formed using the above method for manufacturing an antenna and an element formation layer provided over a substrate. In addition, the element formation layer and the antenna can be connected through a connection terminal.

本発明により、ベースフィルムに対する導電体の接着強度が大きいアンテナおよび当該アンテナを備えた半導体装置を得ることができるため、ベースフィルムから導電体が剥離することを防止できる。また、ベースフィルムに導電体を埋め込むことによって、アンテナを被接着体に貼り合わせる際に、アンテナの構造に由来する被接着体へのダメージを軽減することができる。   According to the present invention, an antenna having a high adhesive strength of a conductor to a base film and a semiconductor device including the antenna can be obtained, so that the conductor can be prevented from peeling from the base film. In addition, by burying the conductor in the base film, damage to the adherend due to the structure of the antenna can be reduced when the antenna is bonded to the adherend.

本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用い、繰り返しの説明を省略する場合がある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in the structures of the present invention described below, the same reference numerals are used in common in different drawings, and repetitive description may be omitted.

本発明は、素子形成層とアンテナとを貼り合わせて半導体装置を設ける場合であっても、素子形成層がアンテナの構造に由来するダメージを受けない信頼性の高い半導体装置の提供を目的としている。例えば、半導体装置を図１５（Ａ）に示すように、別個に形成されたアンテナ７５１と素子形成層７５２（ＩＣチップともよばれる）とを貼り合わせることによって作製する場合を考える。この場合、例えば、アンテナの構造が図１５（Ｂ）に示すように、ベースフィルム７５３上に導電体７５４が貼り合わされて設けられている場合、アンテナの小型化に伴い、ベースフィルムと導電体の密着部分７５５が小さくなり、導電体７５４がベースフィルム７５３から剥がれやすくなるという問題がある。また、半導体装置の小型化のためにアンテナ７５１と素子形成層７５２とが重なるように貼り合わせる際に、アンテナ７５１の凸パターン（導電体７５４が設けられている部分）の下方に位置する素子形成層に局所的に圧力がかかる。そのため、図１５（Ｃ）に示すように、アンテナの凸パターンの下方に設けられた素子形成層が変形したり、クラックが入ったりすることによって素子形成層が破損し、結果的に半導体装置の信頼性が低下する等の問題が懸念される。   An object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device in which an element formation layer is not damaged due to the structure of an antenna even when an element formation layer and an antenna are attached to provide a semiconductor device. . For example, a case where a semiconductor device is manufactured by attaching an antenna 751 and an element formation layer 752 (also referred to as an IC chip) separately formed as illustrated in FIG. In this case, for example, when the structure of the antenna is provided with a conductor 754 attached to the base film 753 as shown in FIG. 15B, the base film and the conductor are made smaller as the antenna becomes smaller. There is a problem that the close contact portion 755 becomes small and the conductor 754 is easily peeled off from the base film 753. In addition, when the antenna 751 and the element formation layer 752 are bonded so as to overlap with each other in order to reduce the size of the semiconductor device, element formation located below the convex pattern of the antenna 751 (the portion where the conductor 754 is provided) is formed. There is local pressure on the layer. Therefore, as shown in FIG. 15C, the element formation layer provided below the convex pattern of the antenna is deformed or cracked, resulting in damage to the element formation layer. There are concerns about problems such as reduced reliability.

そのため、本発明では、ベースフィルム７０２と導電体７０３とからなるアンテナにおいて、ベースフィルム７０２に導電体７０３を埋め込むことよってアンテナの表面を平坦化する（図８（Ａ）参照）。そして、平坦化したアンテナの表面と基板７００上に設けられた素子形成層７０１とを貼り合わせることによって、素子形成層にダメージを与えずに半導体装置を形成する（図８（Ｂ）参照）。   Therefore, in the present invention, in the antenna including the base film 702 and the conductor 703, the surface of the antenna is flattened by embedding the conductor 703 in the base film 702 (see FIG. 8A). Then, the planarized antenna surface and the element formation layer 701 provided over the substrate 700 are attached to form a semiconductor device without damaging the element formation layer (see FIG. 8B).

なお、本発明において、素子形成層は、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）またはＳｉ等の半導体基板にチャネル領域を設けた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）等を用いて、電源発生手段、制御手段、記憶手段、共振容量部等の各種機能回路が設けられている。   Note that in the present invention, the element formation layer uses a thin film transistor (TFT) on a substrate or a field effect transistor (FET) provided with a channel region on a semiconductor substrate such as Si, and the like. Various functional circuits such as means and a resonant capacitor are provided.

このように、素子形成層に負荷をかけることなくアンテナを貼り合わせることによって信頼性の高い半導体装置を得ることができる。なお、本発明において、アンテナの形状はどのようなものでもよい。以下に、上記アンテナの構造およびその作製方法または半導体装置およびその作製方法に関して、図面を用いて詳細に説明する。   In this manner, a highly reliable semiconductor device can be obtained by attaching an antenna without applying a load to the element formation layer. In the present invention, the antenna may have any shape. Hereinafter, the structure of the antenna and the manufacturing method thereof or the semiconductor device and the manufacturing method thereof will be described in detail with reference to the drawings.

（実施の形態１）
本実施の形態では、アンテナおよび当該アンテナの作製方法の一態様について示す。具体的には、ベースフィルム（フィルム、基板ともいう）に少なくとも導電体の一部が埋め込まれた構造を有するアンテナを形成する。以下に、そのアンテナの構造および作製方法に関して図面を用いて説明する。 (Embodiment 1)
In this embodiment, one embodiment of an antenna and a method for manufacturing the antenna will be described. Specifically, an antenna having a structure in which at least part of a conductor is embedded in a base film (also referred to as a film or a substrate) is formed. Hereinafter, the structure and manufacturing method of the antenna will be described with reference to the drawings.

まず、ベースフィルム１００と、当該ベースフィルム１００の表面にパターンを形成するために利用する型１０１を用意する（図１（Ａ））。ベースフィルム１００としては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系、ポリエチレン等のポリオレフィン系、ポリビニルアルコール系、ポリ塩化ビニリデン系、ポリ塩化ビニル系、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン８のポリアミド系等の熱可塑性樹脂を用いたフィルム状の基板を用いることができる。また、他にも、薄膜化したガラス等の基板上に上記熱可塑性樹脂を塗布した基板を用いてもよい。一方、型１０１としては、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属またはこれらの合金からなる金属製の金型やシリコン（Ｓｉ）を加工した型等を用いることができる。   First, a base film 100 and a mold 101 used for forming a pattern on the surface of the base film 100 are prepared (FIG. 1A). As the base film 100, a thermoplastic resin such as a polyester type such as polyethylene terephthalate, a polyolefin type such as polyethylene, a polyvinyl alcohol type, a polyvinylidene chloride type, a polyvinyl chloride type, a nylon 6, nylon 66, or a nylon 8 polyamide type is used. The used film-like substrate can be used. In addition, a substrate obtained by coating the thermoplastic resin on a substrate made of thin glass or the like may be used. On the other hand, as the mold 101, a metal mold made of a metal such as nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu), iron (Fe), zinc (Zn), or an alloy thereof, or silicon (Si) is used. A die or the like processed from can be used.

次に、型１０１をベースフィルム１００に押しつけて（図１（Ｂ））、ベースフィルム１００に凹部１０２を選択的に形成する（図１（Ｃ））。この場合、加圧処理をする際に加熱処理も合わせて行うとパターンを形成しやすいため好ましい。また、凹部の形状はどのようなものでもよく、ここでは一例として矩形型に形成する例を示す。   Next, the mold 101 is pressed against the base film 100 (FIG. 1B), and the recesses 102 are selectively formed in the base film 100 (FIG. 1C). In this case, it is preferable to perform the heat treatment together with the pressure treatment because a pattern can be easily formed. Moreover, what kind of thing may be sufficient as the shape of a recessed part, Here, the example formed in a rectangular shape is shown as an example.

続いて、凹部１０２が形成されたベースフィルム１００上に導電体シート１０３を押しつけて（図１（Ｄ））、ベースフィルム１００の表面に貼り合わせる（図１（Ｅ））。この場合、加圧処理をする際に加熱処理も合わせて行ってもよい。導電体シートとしては、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）等の金属を薄く延ばして紙状にしたもの（例えば、金属箔）を用いることができる。   Subsequently, the conductor sheet 103 is pressed onto the base film 100 in which the recesses 102 are formed (FIG. 1D), and is bonded to the surface of the base film 100 (FIG. 1E). In this case, the heat treatment may be performed together with the pressure treatment. As the conductor sheet, for example, a paper (for example, metal foil) obtained by thinly extending a metal such as copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), or gold (Au) can be used. .

その後、ベースフィルム１００の表面に貼り合わされた導電体シート１０３のうち、ベースフィルムの凹部１０２が形成された部分に貼り合わされた導電体シートを残して、導電体シートに選択的にエッチング処理を行うことによって、ベースフィルム１００に導電体１０４が埋め込まれたアンテナが完成する（図１（Ｆ））。このようなアンテナにおいては、ベースフィルム１００と導電体１０４の接着している面積が大きく且つ導電体がベースフィルムに埋め込まれているため、導電体１０４が剥がれにくい構造となっている。   After that, the conductive sheet is selectively etched by leaving the conductive sheet bonded to the portion of the base film where the concave portion 102 is formed in the conductive sheet 103 bonded to the surface of the base film 100. Thus, an antenna in which the conductor 104 is embedded in the base film 100 is completed (FIG. 1F). In such an antenna, the area where the base film 100 and the conductor 104 are bonded is large and the conductor is embedded in the base film, so that the conductor 104 is difficult to peel off.

また、図１に示すアンテナの構造においては、凹部が形成されていないベースフィルム１００の表面（以下、ベースフィルム最表面と記す）と導電体１０４の最表面とを同じ位置に配置するようにアンテナを形成する例を示したが、本実施の形態はこのような構造に限られない。例えば、ベースフィルム最表面と導電体１０４の最表面の位置が異なった構造でもよいし、ベースフィルム最表面上にも導電体が形成された構造でもよい。これらの具体例を図２に示す。   Further, in the structure of the antenna shown in FIG. 1, the antenna is arranged such that the surface of the base film 100 (hereinafter referred to as the base film outermost surface) in which no recess is formed and the outermost surface of the conductor 104 are arranged at the same position. However, the present embodiment is not limited to such a structure. For example, a structure in which the position of the outermost surface of the base film and the outermost surface of the conductor 104 may be different, or a structure in which a conductor is formed on the outermost surface of the base film may be used. Specific examples of these are shown in FIG.

図２（Ａ）に示すアンテナの構造は、ベースフィルム最表面より導電体１０４の最表面が高い構造、つまりベースフィルム１００から導電体１０４が突き出た部分１０５を有している。図２（Ｂ）に示す構造では、ベースフィルム最表面より導電体１０４の最表面が低い構造、つまりベースフィルム最表面より導電体が引っ込んだ部分１０６を有している。図２（Ｃ）に示す構造では、ベースフィルム最表面より導電体が高く且つベースフィルム最表面にも導電体が形成された部分１０７を有している。これらの構造は、図１（Ｅ）における導電体シート１０３のエッチングの際にエッチングする場所や時間を制御することによって選択的に形成することができる。   The structure of the antenna illustrated in FIG. 2A has a structure in which the outermost surface of the conductor 104 is higher than the outermost surface of the base film, that is, a portion 105 where the conductor 104 protrudes from the base film 100. The structure shown in FIG. 2B has a structure in which the outermost surface of the conductor 104 is lower than the outermost surface of the base film, that is, the portion 106 in which the conductor is recessed from the outermost surface of the base film. In the structure shown in FIG. 2C, the conductor is higher than the outermost surface of the base film and has a portion 107 on which the conductor is formed on the outermost surface of the base film. These structures can be selectively formed by controlling the location and time of etching when the conductor sheet 103 in FIG. 1E is etched.

図２（Ａ）、（Ｃ）に示したアンテナの構造は、上記図１で示したアンテナの構造に比べて導電体の露出部分が大きいため、アンテナと被接続物とを導電性接着剤等で接続する際に接続面積が広いため接続しやすいといった利点を有している。また、図２（Ａ）、（Ｃ）では、導電体の断面積を広く形成することができ、その結果、導通抵抗を低く抑えることができるため、半導体装置の通信距離をのばすことができる。また、図２（Ｂ）に示したアンテナの構造は、図１で示したアンテナの構造に比べて導電体が剥がれにくいといった利点をもっている。なお、どのようなアンテナ構造とするかは、アンテナの用途に応じて実施者が適宜選択すればよい。   The antenna structure shown in FIGS. 2A and 2C has a larger exposed portion of the conductor than the antenna structure shown in FIG. 1, so that the antenna and the object to be connected are made of a conductive adhesive or the like. Since the connection area is large when connecting with, it has the advantage that it is easy to connect. 2A and 2C, the conductor can have a wide cross-sectional area. As a result, the conduction resistance can be kept low, so that the communication distance of the semiconductor device can be increased. In addition, the structure of the antenna illustrated in FIG. 2B has an advantage that the conductor is less likely to be peeled than the structure of the antenna illustrated in FIG. The practitioner may select an appropriate antenna structure according to the use of the antenna.

また、上記図１、図２に示したベースフィルムにおいては、矩形状の断面が凹部を有する場合に関して示したが、本実施の形態はこの構造に限られず、導電体を埋め込む構造であればどのような凹部をベースフィルムに設けてもよい。例えば、図３に示すように凹部の断面の上側の辺が下側の辺より長いテーパー状の断面構造（図３（Ａ））や、その逆（下側の辺が上側の辺より長い）のテーパー状の断面構造（図３（Ｂ））や、階段状の断面構造（図３（Ｃ））に形成してもよい。   In addition, in the base film shown in FIGS. 1 and 2, the case where the rectangular cross section has a recess is shown. However, the present embodiment is not limited to this structure, and any structure in which a conductor is embedded can be used. Such a recess may be provided in the base film. For example, as shown in FIG. 3, a tapered cross-sectional structure in which the upper side of the cross section of the recess is longer than the lower side (FIG. 3A), and vice versa (the lower side is longer than the upper side). A taper-shaped cross-sectional structure (FIG. 3B) or a step-shaped cross-sectional structure (FIG. 3C) may be formed.

本実施の形態においては、ベースフィルム１００に形成される凹部の形状は、型１０１の凸部の形状に依存するため、型１０１の形状を変えることによって容易に上述した矩形以外の形状を形成することが可能である。また、図３で示した構造は、図１、図２に示した構造と自由に組み合わせることができる。   In the present embodiment, since the shape of the concave portion formed in the base film 100 depends on the shape of the convex portion of the mold 101, a shape other than the rectangle described above can be easily formed by changing the shape of the mold 101. It is possible. Further, the structure shown in FIG. 3 can be freely combined with the structures shown in FIGS.

以上、本実施の形態で示したアンテナの作製方法を用いることによって、表面が平坦で且つベースフィルムから導電体が剥がれにくいアンテナを得ることができる。また、表面が平坦であるアンテナを用いることによって、被接着体と貼り合わせる際に、被接着物に局所的に圧力がかからないため被接着物の破損を軽減し、製造工程において歩留まりを向上させることができる。また、膜厚の薄い可撓性の半導体装置を形成する場合に、上記アンテナを設けることによって応力によって生じる半導体装置の反りを防止することができる。つまり、上記アンテナの構成においては、ベースフィルムに埋め込むことが可能であれば、導電体をどのような厚さで形成してもよい。   As described above, by using the method for manufacturing an antenna described in this embodiment, an antenna with a flat surface and a conductor that is not easily peeled off from a base film can be obtained. In addition, by using an antenna with a flat surface, there is no local pressure on the adherend when it is bonded to the adherend, reducing damage to the adherend and improving yield in the manufacturing process. Can do. In addition, when a flexible semiconductor device with a small thickness is formed, warpage of the semiconductor device caused by stress can be prevented by providing the antenna. That is, in the structure of the antenna, the conductor may be formed with any thickness as long as it can be embedded in the base film.

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なるアンテナの作製方法に関して図面を用いて説明する。具体的には、ベースフィルム上に導電体シートを形成した後に加圧処理を行う場合に関して示す。 (Embodiment 2)
In this embodiment, a method for manufacturing an antenna which is different from that in the above embodiment will be described with reference to drawings. Specifically, the case where the pressure treatment is performed after the conductor sheet is formed on the base film will be described.

まず、ベースフィルム１００上に導電体シート１０３を貼り合わせる（図４（Ａ））。または、ベースフィルム１００上にあらかじめ導電体シート１０３が設けられているものを用意する。貼り合わせには、例えばエポキシ樹脂等の接着剤を用いることができる。なお、ベースフィルム１００および導電体シート１０３の材料は上記実施の形態で示したいずれかの材料を用いることができる。   First, the conductor sheet 103 is bonded to the base film 100 (FIG. 4A). Alternatively, a film in which the conductor sheet 103 is provided in advance on the base film 100 is prepared. For the bonding, for example, an adhesive such as an epoxy resin can be used. Note that any of the materials described in the above embodiments can be used for the material of the base film 100 and the conductor sheet 103.

続いて、型１０１を用意する（図４（Ｂ））。型１０１としては、上記実施の形態で示したものを利用することができる。次に型１０１をベースフィルム１００上に形成された導電体シート１０３に押しつけて、ベースフィルム１００および導電体シート１０３に凹部１０２を選択的に形成する（図４（Ｃ））。この場合、加圧処理をする際に加熱処理も合わせて行うとパターンを形成しやすいため好ましい。また、凹部の断面形状はどのようなものでもよく、ここでは一例として矩形型に形成する例を示す。   Subsequently, the mold 101 is prepared (FIG. 4B). As the mold 101, the mold shown in the above embodiment can be used. Next, the mold 101 is pressed against the conductor sheet 103 formed on the base film 100 to selectively form the recesses 102 in the base film 100 and the conductor sheet 103 (FIG. 4C). In this case, it is preferable to perform the heat treatment together with the pressure treatment because a pattern can be easily formed. Moreover, what kind of thing may be sufficient as the cross-sectional shape of a recessed part, and the example formed in a rectangular shape is shown here as an example.

その後、ベースフィルム１００の表面に形成されている導電体シート１０３に選択的にエッチング処理を行うことによって（図４（Ｄ））、ベースフィルム１００に導電体１０４が埋め込まれたアンテナが完成する（図４（Ｅ））。また、この際エッチングを行う場所や時間等を制御することによって、上記図２で示したアンテナのいずれかの構造を形成することも可能である。さらに型１０１の形状を変えることによって、図３に示す構造のアンテナを形成することもできる。このように、あらかじめベースフィルム上に導電体シートを形成した後に、導電体およびベースフィルムに加圧処理によって押し込む方法を用いた場合であってもベースフィルムに導電体シートが埋め込まれた構造を有するアンテナを形成することができる。   After that, by selectively etching the conductor sheet 103 formed on the surface of the base film 100 (FIG. 4D), an antenna in which the conductor 104 is embedded in the base film 100 is completed ( FIG. 4 (E)). In addition, by controlling the location and time of etching at this time, any structure of the antenna shown in FIG. 2 can be formed. Furthermore, by changing the shape of the mold 101, an antenna having the structure shown in FIG. 3 can be formed. As described above, after the conductor sheet is formed on the base film in advance, the conductor sheet is embedded in the base film even when a method of pressing the conductor and the base film by pressure treatment is used. An antenna can be formed.

また、上記方法と異なる形態に関して図５に示す。   Moreover, it shows in FIG. 5 regarding the form different from the said method.

まず、ベースフィルム１００上に導電体シート１０３を貼り合わせる（図５（Ａ））。または、ベースフィルム１００上にあらかじめ導電体シート１０３が設けられているものを用意する。   First, the conductor sheet 103 is bonded to the base film 100 (FIG. 5A). Alternatively, a film in which the conductor sheet 103 is provided in advance on the base film 100 is prepared.

続いて、プレス手段１２０を用いて（図５（Ｂ））、ベースフィルム１００上に設けられた導電体シート１０３の一部に選択的に加圧処理を行い導電体シート１０３の一部分（以下導電体シート１２４と記す）をベースフィルム１００に押し込む（図５（Ｃ））。この際、加熱処理を行いながら加圧処理を行う。プレス手段１２０は、少なくともプレス部１２１とプレス部１２１の両端に設けられた刃部１２２、１２３から構成されている。プレス手段１２０を用いることによって、まず刃部１２２および１２３により導電体シート１０３を切断し、その後プレス部１２１が切断された導電体シート１２４を押し込む。以上の工程により、導電体シート１２４のみがベースフィルム１００に埋め込まれた構造が得られる。   Subsequently, using the pressing means 120 (FIG. 5B), a part of the conductor sheet 103 provided on the base film 100 is selectively subjected to pressure treatment (hereinafter referred to as conductive). Body sheet 124) is pushed into the base film 100 (FIG. 5C). At this time, the pressure treatment is performed while performing the heat treatment. The pressing means 120 includes at least a pressing part 121 and blade parts 122 and 123 provided at both ends of the pressing part 121. By using the pressing means 120, the conductor sheet 103 is first cut by the blade parts 122 and 123, and then the conductor sheet 124 from which the press part 121 has been cut is pushed. Through the above steps, a structure in which only the conductor sheet 124 is embedded in the base film 100 is obtained.

その後、導電体シート１０３に選択的にエッチング処理を行い（図５（Ｄ））不要な部分を除去することによって、ベースフィルム１００に導電体１２５が埋め込まれたアンテナが完成する（図５（Ｅ））。   After that, the conductive sheet 103 is selectively etched (FIG. 5D), and unnecessary portions are removed, whereby the antenna in which the conductive material 125 is embedded in the base film 100 is completed (FIG. 5E). )).

また、図５で示すアンテナの作製方法においても、上記図２で示したようにベースフィルム最表面と導電体１２５の最表面の位置を変えて形成することができる。例えば、導電体１２５がベースフィルム最表面より突き出た構造（図２（Ａ））とするには、プレス手段１２０の加圧処理における圧力を小さくすればよい。導電体１２５がベースフィルムに埋め込まれた構造（図２（Ｂ））とするには、プレス手段１２０の加圧処理における圧力を大きくすればよい。導電体１２５がベースフィルム最表面より導電体が高く且つベースフィルム最表面にも形成された構造（図２（Ｃ））とするには、プレス手段１２０の加圧処理における圧力を小さくし且つエッチングの際にベースフィルム上の導電体を残すように選択的にエッチングを行えばよい。また、プレス部の形状を変えることにより、上記図３に示した凹部を有する導電体をベースフィルムに設けることが可能となる。   5 can also be formed by changing the position of the outermost surface of the base film and the outermost surface of the conductor 125 as shown in FIG. For example, in order to obtain a structure in which the conductor 125 protrudes from the outermost surface of the base film (FIG. 2A), the pressure in the pressurizing process of the press unit 120 may be reduced. In order to obtain a structure in which the conductor 125 is embedded in the base film (FIG. 2B), the pressure in the pressurizing process of the press means 120 may be increased. In order for the conductor 125 to have a structure in which the conductor is higher than the outermost surface of the base film and is also formed on the outermost surface of the base film (FIG. 2C), the pressure in the pressurizing process of the pressing means 120 is reduced and etching is performed. In this case, etching may be selectively performed so as to leave the conductor on the base film. Further, by changing the shape of the press portion, the conductor having the concave portion shown in FIG. 3 can be provided on the base film.

なお、上記図４、図５では、エッチング処理を行うことによって凹部に設けられた導電体シート以外の導電体シートを選択的に除去する例を示したが、本実施の形態はこれに限られない。エッチング処理を行う代わりに、ベースフィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように、その他の導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がしてもよい。これは、特にベースフィルムの凹部に埋め込まれた導電体シートがその他の導電体シートと切断されている場合（例えば図５（Ｄ））に有効である。   4 and 5 show an example in which the conductive sheet other than the conductive sheet provided in the recess is selectively removed by performing the etching process, but the present embodiment is not limited thereto. Absent. Instead of performing the etching treatment, other conductor sheets may be selectively peeled off using physical means so as to leave the conductor sheet provided in the concave portion of the base film. This is particularly effective when the conductor sheet embedded in the concave portion of the base film is cut from other conductor sheets (for example, FIG. 5D).

なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。   Note that this embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なるアンテナの作製方法に関して示す。具体的には、ベースフィルムへの凹部の形成と、凹部が形成されたベースフィルムへの導電体の形成方法に関して、それぞれ以下に説明する。 (Embodiment 3)
In this embodiment, an antenna manufacturing method which is different from that in the above embodiment will be described. Specifically, a method for forming a recess in the base film and a method for forming a conductor on the base film in which the recess is formed will be described below.

はじめに、ベースフィルムの凹部の上記実施の形態とは異なる作製方法に関して説明する。   First, a manufacturing method different from the above embodiment of the concave portion of the base film will be described.

上記実施の形態では、ベースフィルムに型を押しつけることによって、ベースフィルムに凹部を形成する方法を示した（図１（Ａ）〜（Ｃ））が、ここでは、ベースフィルムにレーザ光を照射して直接凹部を形成する場合に関して図６を用いて以下に説明する。   In the above embodiment, a method of forming a recess in the base film by pressing a mold against the base film (FIGS. 1A to 1C) is shown. Here, the base film is irradiated with laser light. The case where the concave portion is directly formed will be described below with reference to FIG.

まず、ベースフィルム３００を用意する。次にレーザ直接描画装置１００１を用いて、ベースフィルム３００に選択的にレーザ光を照射して凹部３０１を形成する（図６（Ａ））。   First, the base film 300 is prepared. Next, by using a laser direct drawing apparatus 1001, the base film 300 is selectively irradiated with laser light to form a recess 301 (FIG. 6A).

レーザ直接描画装置１００１は、レーザ光を照射する際の各種制御を実行するコンピュータ（以下、ＰＣと示す。）１００２と、レーザ光を出力するレーザ発振器１００３と、レーザ発振器１００３の電源１００４と、レーザ光を減衰させるための光学系（ＮＤフィルタ）１００５と、レーザ光の強度を変調するための音響光学変調器（Ａｃｏｕｓｔｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ； ＡＯＭ）１００６と、レーザ光の断面を縮小するためのレンズおよび光路を変更するためのミラー等で構成される光学系１００７、Ｘ軸ステージ及びＹ軸ステージを有する移動機構１００９と、ＰＣから出力される制御データをデジタルーアナログ変換するＤ／Ａ変換部１０１０と、Ｄ／Ａ変換部から出力されるアナログ電圧に応じて音響光学変調器１００６を制御するドライバ１０１１と、移動機構１００９を駆動するための駆動信号を出力するドライバ１０１２と、被照射物上にレーザ光の焦点を合わせるためのオートフォーカス機構１０１３を備えている（図６（Ｂ））。   A laser direct drawing apparatus 1001 includes a computer (hereinafter referred to as a PC) 1002 that executes various controls when irradiating laser light, a laser oscillator 1003 that outputs laser light, a power source 1004 of the laser oscillator 1003, and a laser. An optical system (ND filter) 1005 for attenuating light, an acousto-optic modulator (AOM) 1006 for modulating the intensity of the laser light, a lens for reducing the cross section of the laser light, and An optical system 1007 configured with a mirror or the like for changing the optical path, a moving mechanism 1009 having an X-axis stage and a Y-axis stage, and a D / A converter 1010 for digital-analog conversion of control data output from the PC , Acousto-optic modulator according to analog voltage output from D / A converter A driver 1011 for controlling 006, a driver 1012 for outputting a driving signal for driving the moving mechanism 1009, and an autofocus mechanism 1013 for focusing the laser beam on the irradiated object (see FIG. 6). B)).

レーザ発振器１００３としては、紫外光、可視光、又は赤外光を発振することが可能なレーザ発振器を用いることができる。レーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶を使った固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波か第２高調波〜第５高調波を適用するのが好ましい。 As the laser oscillator 1003, a laser oscillator that can oscillate ultraviolet light, visible light, or infrared light can be used. Examples of laser oscillators include excimer laser oscillators such as KrF, ArF, XeCl, and XeF, gas laser oscillators such as He, He—Cd, Ar, He—Ne, and HF, YAG, GdVO 4 , YVO 4 , YLF, and YAlO 3. A solid-state laser oscillator using a crystal doped with Cr, Nd, Er, Ho, Ce, Co, Ti, or Tm, and a semiconductor laser oscillator such as GaN, GaAs, GaAlAs, or InGaAsP can be used. In the solid-state laser oscillator, it is preferable to apply the fundamental wave or the second to fifth harmonics.

次に、レーザ直接描画装置を用いた照射方法について述べる。ベースフィルム３００が移動機構１００９に装着されると、ＰＣ１００２は図外のカメラによって、ベースフィルムに付されているマーカの位置を検出する。次いで、ＰＣ１００２は、検出したマーカの位置データと、予め入力されている描画パターンデータとに基づいて、移動機構１００９を移動させるための移動データを生成する。   Next, an irradiation method using a laser direct drawing apparatus will be described. When the base film 300 is attached to the moving mechanism 1009, the PC 1002 detects the position of the marker attached to the base film by a camera (not shown). Next, the PC 1002 generates movement data for moving the movement mechanism 1009 based on the detected marker position data and drawing pattern data input in advance.

この後、ＰＣ１００２が、ドライバ１０１１を介して音響光学変調器１００６の出力光量を制御することにより、レーザ発振器１００３から出力されたレーザ光は、光学系１００５によって減衰された後、音響光学変調器１００６によって所定の光量になるように光量が制御される。一方、音響光学変調器１００６から出力されたレーザ光は、光学系１００７で光路及びビームスポット形状を変化させ、レンズで集光した後、ベースフィルム上に該レーザ光を照射する。   Thereafter, the PC 1002 controls the output light amount of the acousto-optic modulator 1006 via the driver 1011, so that the laser light output from the laser oscillator 1003 is attenuated by the optical system 1005 and then the acousto-optic modulator 1006. The light amount is controlled so as to be a predetermined light amount. On the other hand, the laser light output from the acousto-optic modulator 1006 is changed in optical path and beam spot shape by the optical system 1007, condensed by a lens, and then irradiated on the base film.

このとき、ＰＣ１００２が生成した移動データに従い、移動機構１００９をＸ方向及びＹ方向に移動制御する。この結果、所定の場所にレーザ光が照射され、レーザ光の光エネルギー密度が熱エネルギーに変換され、ベースフィルム上に選択的にパターンを形成することができる。このように、ベースフィルムにレーザ光を照射する方法を用いることによってもベースフィルムにパターンを形成することができる。なお、ここでは移動機構１００９を移動させてレーザ光の照射を行う例を示しているが、光学系１００７を調整することによってレーザ光をＸ方向およびＹ方向に移動させてもよい。   At this time, according to the movement data generated by the PC 1002, the movement mechanism 1009 is controlled to move in the X direction and the Y direction. As a result, a predetermined place is irradiated with laser light, the light energy density of the laser light is converted into thermal energy, and a pattern can be selectively formed on the base film. Thus, a pattern can be formed on the base film also by using a method of irradiating the base film with laser light. Note that, here, an example in which the moving mechanism 1009 is moved and laser light irradiation is performed is shown; however, the laser light may be moved in the X direction and the Y direction by adjusting the optical system 1007.

このように、レーザ光を照射することによってベースフィルムにパターンを形成することが可能である。レーザ光を用いる場合、どのような形状のパターンを形成するかはコンピュータにデータを入力すれば済むため、複数のパターンを容易につくりわけることができる。   In this way, it is possible to form a pattern on the base film by irradiating the laser beam. In the case of using laser light, it is only necessary to input data to the computer as to what shape pattern is formed, so that a plurality of patterns can be easily formed.

次に、パターンが設けられたベースフィルムに導電体を形成する方法に関して、上記実施の形態とは異なる作製方法について図７を用いて以下に説明する。   Next, regarding a method for forming a conductor on a base film provided with a pattern, a manufacturing method different from the above embodiment mode will be described with reference to FIGS.

まず、パターンが形成されたベースフィルム４００を用意する。ベースフィルムに形成されたパターンは、上述したように型をベースフィルムに押しつけて形成してもよいし、レーザ光等を照射して直接描画により形成してもよい。続いて、ベースフィルムに形成されたパターン部に導電体４０１を形成する。本実施の形態では、導電性を有する材料を選択的にパターン部に設けることによって導電体４０１を形成する。ここでは、液滴吐出法により導電体４０１を形成する例に関して示している（図７（Ａ）、（Ｂ））。なお、液滴吐出法とは、導電膜や絶縁膜等の材料を含んだ組成物の液滴（ドットともいう）を選択的に吐出（噴射）して任意の場所に形成する方法であり、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれている。   First, a base film 400 on which a pattern is formed is prepared. The pattern formed on the base film may be formed by pressing a mold against the base film as described above, or may be formed by direct drawing by irradiating a laser beam or the like. Subsequently, the conductor 401 is formed on the pattern portion formed on the base film. In this embodiment mode, the conductor 401 is formed by selectively providing a conductive material in the pattern portion. Here, an example in which the conductor 401 is formed by a droplet discharge method is shown (FIGS. 7A and 7B). Note that the droplet discharge method is a method in which droplets (also referred to as dots) of a composition containing a material such as a conductive film or an insulating film are selectively discharged (jetted) to be formed at an arbitrary place. Depending on the method, it is also called an inkjet method.

液滴吐出法により形成される導電体としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属、金属化合物を１つまたは複数有する導電性材料を用いる。なお、分散剤により凝集を抑え、溶液に分散させることができるならば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ等の金属、金属化合物を１つまたは複数有する導電材料を用いることも可能である。また、液滴吐出法による導電材料の成膜を複数回行うことで、複数の導電膜が積層された構造を形成することも可能である。但し、液滴吐出装置４０２から吐出される組成物は、比抵抗値を考慮して、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのいずれかの材料を溶媒に溶解または分散させたものを用いることが好適であり、より好適には低抵抗なＡｇ、Ｃｕを用いるとよい。但し、Ａｇ、Ｃｕを用いる場合には、不純物対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。バリア膜としては、窒化珪素膜やニッケルボロン（ＮｉＢ）を用いることができる。   As a conductor formed by a droplet discharge method, a conductive material including one or more metals such as Ag, Au, Cu, and Pd and a metal compound is used. Note that a conductive material having one or more metals, such as Cr, Mo, Ti, Ta, W, and Al, or a metal compound, can be used as long as aggregation can be suppressed by a dispersant. is there. In addition, a structure in which a plurality of conductive films are stacked can be formed by performing film formation of a conductive material a plurality of times by a droplet discharge method. However, the composition discharged from the droplet discharge device 402 is preferably used by dissolving or dispersing any material of Au, Ag, and Cu in a solvent in consideration of the specific resistance value. More preferably, low resistance Ag or Cu is used. However, when Ag or Cu is used, a barrier film may be provided as a countermeasure against impurities. As the barrier film, a silicon nitride film or nickel boron (NiB) can be used.

なお、本実施の形態では、あらかじめベースフィルム４００に凹部のパターンが設けられており、その凹部のパターンに導電性材料を吐出して導電体を形成すればよい。そのため、液滴吐出装置４０２から吐出された導電性材料がベースフィルムに着弾した際に導電性材料が広がることを防止できる。従って、液滴吐出法を用いることによって精確にベースフィルム４００のパターン部に導電体４０１を形成することができる。また、直接ベースフィルムのパターンに導電体を形成することが可能であるため、エッチング処理の工程が不要となる利点も有する。   Note that in this embodiment mode, a recess pattern is provided in the base film 400 in advance, and a conductive material may be formed by discharging a conductive material into the recess pattern. Therefore, it is possible to prevent the conductive material from spreading when the conductive material discharged from the droplet discharge device 402 lands on the base film. Therefore, the conductor 401 can be accurately formed on the pattern portion of the base film 400 by using the droplet discharge method. In addition, since the conductor can be directly formed on the pattern of the base film, there is an advantage that an etching process is not necessary.

図７では液滴吐出法により導電体４０１を形成する例を示したが、これに限られず、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等の各種印刷法や大気圧プラズマ装置を用いて選択的に導電体を形成してもよい。   Although FIG. 7 shows an example in which the conductor 401 is formed by a droplet discharge method, the present invention is not limited to this, and the conductor is selectively used by using various printing methods such as a screen printing method and a gravure printing method and an atmospheric pressure plasma apparatus. May be formed.

なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。   Note that this embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で示したアンテナと素子形成層を接続して半導体装置を形成する場合に関して図８を用いて説明する。 (Embodiment 4)
In this embodiment, the case where a semiconductor device is formed by connecting the antenna described in the above embodiment and an element formation layer will be described with reference to FIGS.

まず、それぞれ別々に作製された素子形成層と、アンテナとを用意する（図８（Ａ））。ここでは、素子形成層７０１は基板７００上に設けられており、アンテナはベースフィルム７０２に導電体７０３が埋め込まれて設けられている。基板７００としては、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック等の可撓性を有する基板を用い、その上に素子形成層７０１が設けてある。また、Ｓｉ等の半導体基板を用いて直接基板７００上に素子形成層７０１を形成してもよい。   First, a separately formed element formation layer and an antenna are prepared (FIG. 8A). Here, the element formation layer 701 is provided over the substrate 700, and the antenna is provided with a conductor 703 embedded in a base film 702. As the substrate 700, a glass substrate such as barium borosilicate glass or alumino borosilicate glass, a flexible substrate such as a quartz substrate, a ceramic substrate, or plastic is used, and an element formation layer 701 is provided thereon. Alternatively, the element formation layer 701 may be formed directly on the substrate 700 using a semiconductor substrate such as Si.

次に、素子形成層７０１とアンテナとを接続させる（図８（Ｂ））。素子形成層７０１とアンテナとの接続は銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤や、異方性導電フィルムを用いる方法、あるいは半田接合を行う方法が知られているがいずれの方法を用いてもよい。ここでは、導電体７０４を含んだ異方性導電フィルム７０５を用いた場合を示す。また、このとき導電体７０３と素子形成層７０１の電気的な接続を容易に行うために接続端子７０６を設けてもよい。   Next, the element formation layer 701 and the antenna are connected (FIG. 8B). As for the connection between the element formation layer 701 and the antenna, a method using a conductive adhesive such as a silver paste, a copper paste, a carbon paste, an anisotropic conductive film, or a method of performing solder bonding is known. May be used. Here, a case where an anisotropic conductive film 705 including a conductor 704 is used is shown. At this time, a connection terminal 706 may be provided in order to easily connect the conductor 703 and the element formation layer 701 electrically.

本実施の形態で用いるアンテナは、導電体７０３がベースフィルム７０２に埋め込まれ設けられているため、素子形成層とアンテナを接合する際に、導電体がベースフィルムから剥離するのを防止できる。また、従来のアンテナの構造では、導電体が形成されている部分が凸部を有しているため、導電体の下方に位置する素子形成層に局所的に圧力がかかり、素子形成層が破損する等の問題があったが、本実施の形態で示すアンテナ構造を用いることによってこれらの問題を防止することが可能となる。このように、素子形成層に負荷をかけることなくアンテナとを貼り合わせることによって信頼性の高い半導体装置を得ることができる。   In the antenna used in this embodiment, since the conductor 703 is embedded in the base film 702, the conductor can be prevented from peeling from the base film when the element formation layer and the antenna are joined. Further, in the conventional antenna structure, the portion where the conductor is formed has a convex portion, so that the element forming layer located under the conductor is locally subjected to pressure, and the element forming layer is damaged. However, these problems can be prevented by using the antenna structure shown in this embodiment mode. In this manner, a highly reliable semiconductor device can be obtained by attaching the antenna to the element formation layer without applying a load.

なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。   Note that this embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.

（実施の形態５）
本実施の形態では、アンテナを備えた半導体装置の作製方法に関して説明する。 (Embodiment 5)
In this embodiment, a method for manufacturing a semiconductor device including an antenna will be described.

ここでは、一例として基板８００に複数の半導体装置を形成する場合に関して図９を用いて示す。なお、図９（Ａ）は上面図を示し、図９（Ｂ）には図９（Ａ）におけるａ−ｂ間、図９（Ｃ）には図９（Ａ）におけるｃ−ｄ間の断面図をそれぞれ示す。   Here, as an example, a case where a plurality of semiconductor devices are formed over the substrate 800 will be described with reference to FIGS. 9A is a top view, FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line ab in FIG. 9A, and FIG. 9C is a cross-sectional view taken along line cd in FIG. 9A. Each figure is shown.

まず、図９（Ｂ）、（Ｃ）に示すように基板８００上に、剥離層８０１、素子形成層８０２を形成する。   First, as illustrated in FIGS. 9B and 9C, a separation layer 801 and an element formation layer 802 are formed over a substrate 800.

基板８００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレスを含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。また、Ｓｉ等の半導体基板を用いてもよい。基板８００の表面を、ＣＭＰ法などの研磨により平坦化しておいても良い。なお、本実施例では基板８００としてガラス基板を用いる。   As the substrate 800, for example, a glass substrate such as barium borosilicate glass or alumino borosilicate glass, a quartz substrate, a ceramic substrate, or the like can be used. Alternatively, a metal substrate containing stainless steel or a semiconductor substrate with an insulating film formed on the surface thereof may be used. A substrate made of a synthetic resin having flexibility such as plastic generally tends to have a lower heat resistant temperature than the above substrate, but can be used as long as it can withstand the processing temperature in the manufacturing process. . Further, a semiconductor substrate such as Si may be used. The surface of the substrate 800 may be planarized by polishing such as a CMP method. Note that a glass substrate is used as the substrate 800 in this embodiment.

剥離層８０１としては、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｉから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料からなる単層、あるいはこれらの積層を用いることができる。本実施の形態では、剥離層８０１としてＷを含んだ金属膜を用いる。なお、Ｗを含んだ金属膜の形成方法はＣＶＤ法、スパッタ法または電子ビーム等によって形成することができ、ここではスパッタ法を用いて形成する。また、剥離層８０１として上記金属膜上に酸化物を形成した膜を用いてもよい。酸化物は、ＣＶＤ法やスパッタ法により金属膜上に形成してもよいし、熱処理を行うことによって金属膜上に酸化物を形成する方法等を用いることができる。例えば、金属膜と金属酸化物の膜としては、ＷとＷＯｘ、ＭｏとＭｏＯｘ、ＮｂとＮｂＯｘまたはＴｉとＴｉＯｘ（ｘ＝２〜３）等を用いることができる。   The peeling layer 801 is mainly composed of an element selected from W, Ti, Ta, Mo, Nb, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, and Si, or the aforementioned element. A single layer made of an alloy material or a compound material, or a laminate of these can be used. In this embodiment, a metal film containing W is used as the separation layer 801. Note that a metal film containing W can be formed by a CVD method, a sputtering method, an electron beam, or the like, and here, it is formed by a sputtering method. Alternatively, a film in which an oxide is formed over the metal film may be used as the peeling layer 801. The oxide may be formed on the metal film by a CVD method or a sputtering method, or a method of forming an oxide on the metal film by performing heat treatment or the like can be used. For example, as the metal film and the metal oxide film, W and WOx, Mo and MoOx, Nb and NbOx, Ti and TiOx (x = 2 to 3), or the like can be used.

ここでは基板８００上に直に剥離層８０１を形成しているが、基板８００と剥離層８０１の間に下地膜を形成してもよい。下地膜は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。特に、基板からの汚染が懸念される場合には、下地膜を形成するのが好ましい。   Here, the peeling layer 801 is formed directly on the substrate 800, but a base film may be formed between the substrate 800 and the peeling layer 801. The base film is a single insulating film containing oxygen or nitrogen, such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy) (x> y), silicon nitride oxide (SiNxOy) (x> y), or the like. A layer structure or a stacked structure thereof can be used. In particular, when there is a concern about contamination from the substrate, it is preferable to form a base film.

素子形成層８０２としては、半導体膜を能動領域として有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴとも表記する）を用いて形成する。素子形成層８０２は、絶縁膜と、所望の形状に形成された半導体膜８０６と、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜（以下、ゲート絶縁膜８０７と記す）と、ゲート絶縁膜８０７上に設けられたゲート電極として機能する導電膜（以下、ゲート電極８０８と記す）とを有するｎチャネル型ＴＦＴ８２０またはｐチャネル型ＴＦＴ８２１を有する。   The element formation layer 802 is formed using a thin film transistor (also referred to as a TFT) having a semiconductor film as an active region. The element formation layer 802 is provided over the insulating film, the semiconductor film 806 formed in a desired shape, an insulating film functioning as a gate insulating film (hereinafter referred to as a gate insulating film 807), and the gate insulating film 807. And an n-channel TFT 820 or a p-channel TFT 821 having a conductive film functioning as a gate electrode (hereinafter referred to as a gate electrode 808).

また、半導体膜は、チャネル形成領域および不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域を含む）を有し、添加される不純物元素によりｎチャネル型ＴＦＴ８２０またはｐチャネル型ＴＦＴ８２１と区別することができる。そして、各不純物領域と接続するように層間絶縁膜８０９上に設けられた配線８１０を有する。   The semiconductor film includes a channel formation region and an impurity region (including a source region, a drain region, and an LDD region), and can be distinguished from the n-channel TFT 820 or the p-channel TFT 821 depending on the impurity element added. Then, a wiring 810 provided over the interlayer insulating film 809 is connected to each impurity region.

絶縁膜は、積層構造を有していてもよく、本実施の形態では、第１の絶縁膜８０３、第２の絶縁膜８０４、第３の絶縁膜８０５を有する。例えば、第１の絶縁膜として酸化珪素膜、第２の絶縁膜として酸化窒化珪素膜、第３の絶縁膜として酸化珪素膜を用いる。   The insulating film may have a stacked structure. In this embodiment, the insulating film includes a first insulating film 803, a second insulating film 804, and a third insulating film 805. For example, a silicon oxide film is used as the first insulating film, a silicon oxynitride film is used as the second insulating film, and a silicon oxide film is used as the third insulating film.

半導体膜８０６は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの状態を有してもよい。また成膜処理温度に耐えうる基板、例えば石英基板を使用するならば、当該基板へＣＶＤ法等により結晶性半導体膜を形成してもよい。   The semiconductor film 806 includes an amorphous semiconductor, a semi-amorphous semiconductor in which an amorphous state and a crystalline state are mixed, a microcrystalline semiconductor in which crystal grains of 0.5 nm to 20 nm can be observed in the amorphous semiconductor, and It may have any state selected from crystalline semiconductors. If a substrate that can withstand the film formation temperature, for example, a quartz substrate is used, a crystalline semiconductor film may be formed on the substrate by a CVD method or the like.

本実施の形態では、非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成する。加熱処理とは、加熱炉、レーザ照射、もしくはレーザ光の代わりにランプから発する光の照射（ランプアニール）、またはそれらを組み合わせて用いることができる。   In this embodiment, an amorphous semiconductor film is formed and a crystalline semiconductor film crystallized by heat treatment is formed. The heat treatment can be performed using a heating furnace, laser irradiation, irradiation of light emitted from a lamp instead of laser light (lamp annealing), or a combination thereof.

レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザ（ＣＷレーザ）やパルス発振型のレーザ（パルスレーザ）を用いることができる。レーザとしては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種を用いることができる。このようなレーザの基本波、及び当該基本波の第２高調波から第４高調波のレーザを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。 In the case of using laser irradiation, a continuous wave laser (CW laser) or a pulsed laser (pulse laser) can be used. As lasers, Ar laser, Kr laser, excimer laser, YAG laser, Y 2 O 3 laser, YVO 4 laser, YLF laser, YAlO 3 laser, glass laser, ruby laser, alexandrite laser, Ti: sapphire laser, copper vapor laser Alternatively, one or a plurality of gold vapor lasers can be used. By irradiating the fundamental wave of such a laser and the second to fourth harmonics of the fundamental wave, a crystal having a large grain size can be obtained. For example, a second harmonic (532 nm) or a third harmonic (355 nm) of an Nd: YVO 4 laser (fundamental wave 1064 nm) can be used. In this case, a power density of the laser is about 0.01 to 100 MW / cm 2 (preferably 0.1 to 10 MW / cm 2) is required. Then, irradiation is performed at a scanning speed of about 10 to 2000 cm / sec.

その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。このような金属元素を用いた結晶化であっても、６００〜９５０℃に加熱しても構わない。   As another heat treatment, when a heating furnace is used, the amorphous semiconductor film is heated at 500 to 550 ° C. for 2 to 20 hours. At this time, the temperature may be set in multiple stages in the range of 500 to 550 ° C. so that the temperature gradually increases. In the first low-temperature heating step, hydrogen or the like of the amorphous semiconductor film comes out, so that so-called hydrogen dipping that reduces film roughness during crystallization can be performed. Furthermore, it is preferable to form a metal element that promotes crystallization, such as Ni, on the amorphous semiconductor film because the heating temperature can be reduced. Even crystallization using such a metal element may be heated to 600 to 950 ° C.

また、ゲート絶縁膜８０７は、半導体膜８０６を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜８０７には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用いて単層または複数の膜を積層させて形成することができる。   The gate insulating film 807 is formed so as to cover the semiconductor film 806. The gate insulating film 807 can be formed by stacking a single layer or a plurality of films using, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon nitride oxide, or the like.

ゲート電極８０８は、ゲート絶縁膜８０７上に形成する。ゲート電極８０８としては、例えば、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。さらに、その組み合わせも適宜選択すればよい。またゲート電極８０８は単層構造としてもよいし複数の層からなる積層構造としてもよい。本実施の形態では、ゲート電極８０８を窒化タンタル（ＴａＮ）とタングステン（Ｗ）の積層構造で形成している。   The gate electrode 808 is formed over the gate insulating film 807. The gate electrode 808 can be formed using, for example, an element selected from Ta, W, Ti, Mo, Al, Cu, Cr, and Nd, or an alloy material or a compound material containing the element as a main component. Alternatively, a semiconductor film typified by a polycrystalline silicon film doped with an impurity element such as phosphorus may be used. Further, an AgPdCu alloy may be used. Furthermore, the combination may be selected as appropriate. The gate electrode 808 may have a single-layer structure or a stacked structure including a plurality of layers. In this embodiment mode, the gate electrode 808 is formed using a stacked structure of tantalum nitride (TaN) and tungsten (W).

次に、ゲート電極８０８またはレジストを所望の形状に形成したものをマスクとして用い、半導体膜８０６にｎ型またはｐ型の導電性を付与する不純物を選択的に添加する。半導体膜８０６、チャネル形成領域および不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域を含む）を有し、添加される不純物元素の導電型によりｎチャネル型ＴＦＴ８２０またはｐチャネル型ＴＦＴ８２１と区別することができる。   Next, an impurity imparting n-type or p-type conductivity is selectively added to the semiconductor film 806 using a gate electrode 808 or a resist formed in a desired shape as a mask. It has a semiconductor film 806, a channel formation region, and an impurity region (including a source region, a drain region, and an LDD region), and can be distinguished from the n-channel TFT 820 or the p-channel TFT 821 depending on the conductivity type of the added impurity element. .

図９では、ｎチャネル型ＴＦＴ８２０はゲート電極８０８の側壁にサイドウォールを有し、半導体膜８０６にｎ型の導電性を付与する不純物が選択的に添加されたソース領域、ドレイン領域およびＬＤＤ領域が形成されている。また、ｐチャネル型ＴＦＴ８２１は半導体膜８０６にｐ型の導電性を付与する不純物が選択的に添加されたソース領域およびドレイン領域が形成されている。ここでは、ゲート電極８０８の側壁にサイドウォールを設け、ｎチャネル型ＴＦＴ８２０に選択的にＬＤＤ領域を形成した構造を示したが、この構造に限定されず、ｐチャネル型ＴＦＴ８２１もＬＤＤ領域を形成してもよいし、ｐチャネル型ＴＦＴ８２１にサイドウォールを設けなくてもよい。   In FIG. 9, an n-channel TFT 820 has a sidewall on the side wall of the gate electrode 808, and a source region, a drain region, and an LDD region in which an impurity imparting n-type conductivity is selectively added to the semiconductor film 806. Is formed. In the p-channel TFT 821, a source region and a drain region to which an impurity imparting p-type conductivity is selectively added are formed in the semiconductor film 806. Here, a structure is shown in which a sidewall is provided on the sidewall of the gate electrode 808 and an LDD region is selectively formed in the n-channel TFT 820. However, the present invention is not limited to this structure, and the p-channel TFT 821 also forms an LDD region. Alternatively, the p-channel TFT 821 may not be provided with a sidewall.

次に、層間絶縁膜８０９を形成する。層間絶縁膜８０９としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜や酸化窒化珪素、またはＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法により塗布された酸化シリコン膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、アクリル膜と酸化窒化シリコン膜の積層構造を用いても良い。   Next, an interlayer insulating film 809 is formed. As the interlayer insulating film 809, an inorganic insulating film or an organic insulating film can be used. As the inorganic insulating film, a silicon oxide film, silicon oxynitride formed by a CVD method, a silicon oxide film applied by a SOG (Spin On Glass) method, or the like can be used. As an organic insulating film, polyimide, polyamide, or the like can be used. A film of BCB (benzocyclobutene), acrylic or positive photosensitive organic resin, negative photosensitive organic resin, or the like can be used. Alternatively, a stacked structure of an acrylic film and a silicon oxynitride film may be used.

また、層間絶縁膜８０９として、シロキサン樹脂等のシロキサン材料で形成してもよい。シロキサン材料は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、Ｓｉ−Ｎ結合を有するポリマー（ポリシラザン）を含む材料で層間絶縁膜８０９を形成してもよい。   Alternatively, the interlayer insulating film 809 may be formed using a siloxane material such as a siloxane resin. A siloxane material corresponds to a material including a Si—O—Si bond. Siloxane has a skeleton structure formed of a bond of silicon (Si) and oxygen (O). As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (for example, an alkyl group or an aromatic hydrocarbon) is used. A fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, the interlayer insulating film 809 may be formed using a material including a polymer having an Si—N bond (polysilazane).

上記の材料を用いることで、膜厚を薄くしても十分な絶縁性および平坦性を有する層間絶縁膜を得ることができる。また、上記の材料は耐熱性が高いため、多層配線におけるリフロー処理にも耐えうる層間絶縁膜を得ることができる。さらに、吸湿性が低いため、脱水量の少ない層間絶縁膜を形成することができる。   By using the above material, an interlayer insulating film having sufficient insulation and flatness can be obtained even when the film thickness is reduced. In addition, since the above material has high heat resistance, an interlayer insulating film that can withstand reflow processing in a multilayer wiring can be obtained. Further, since the hygroscopic property is low, an interlayer insulating film with a small amount of dehydration can be formed.

次いで、層間絶縁膜８０９をエッチングし、半導体膜８０６の不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、当該不純物領域と電気的に接続する配線８１０を形成する。配線８１０としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。ここでは、Ａｌを含んだ金属膜で形成することが好ましい。本実施の形態では、Ｔｉ膜とＡｌとＴｉを含む合金膜との積層膜を形成する。もちろん、２層構造に限らず、単層構造でも良いし、３層以上の積層構造にしても良い。また、配線材料としては、ＡｌとＴｉの積層膜に限られない。例えばＴａＮ膜上にＡｌ膜やＣｕ膜を形成し、更にＴｉ膜を形成した積層膜を形成しても良い。   Next, the interlayer insulating film 809 is etched, a contact hole reaching the impurity region of the semiconductor film 806 is formed, and a wiring 810 electrically connected to the impurity region is formed. As the wiring 810, a single layer or a laminated structure made of one kind of element selected from Al, Ni, C, W, Mo, Ti, Pt, Cu, Ta, Au, and Mn or an alloy containing a plurality of such elements is used. Can do. Here, it is preferable to form a metal film containing Al. In this embodiment, a stacked film of a Ti film and an alloy film containing Al and Ti is formed. Of course, not only a two-layer structure but also a single-layer structure or a laminated structure of three or more layers may be used. Further, the wiring material is not limited to the laminated film of Al and Ti. For example, an Al film or Cu film may be formed on the TaN film, and a laminated film in which a Ti film is further formed may be formed.

なお、配線８１０を覆うように絶縁膜８１１を設けるとよい。素子形成層８０２は、配線８１０の一部が後にアンテナと接続されるが、その工程までに配線８１０の汚染や劣化等が懸念される。そのため配線８１０上に絶縁膜を形成すると好ましい。絶縁膜８１１としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。   Note that an insulating film 811 is preferably provided to cover the wiring 810. In the element formation layer 802, part of the wiring 810 is connected to the antenna later, but there is a concern that the wiring 810 may be contaminated or deteriorated by that process. Therefore, it is preferable to form an insulating film over the wiring 810. As the insulating film 811, an insulating film containing oxygen or nitrogen, such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy) (x> y), silicon nitride oxide (SiNxOy) (x> y), or the like A single layer structure or a stacked structure of these can be used.

その後、素子形成層８０２間に溝８１５を形成する。溝は、ダイシング、スクライビングまたはマスクを利用したエッチング等によって行うことができる。ダイシングの場合には、ダイシング装置（ダイサー；ｄｉｃｅｒ）を用いるブレードダイシング法が一般的である。ブレードとは、ダイヤモンド砥粒を埋め込んだ砥石で、その幅は約３０〜５０μｍであり、このブレードを高速回転させることにより素子形成層８０２に溝を形成する。また、スクライビングの場合には、ダイヤモンドスクライビング法とレーザスクライビング法がある。また、エッチングの場合には、露光、現像工程によりマスクパターンを形成し、ドライエッチング、ウェットエッチング等により素子形成層８０２に溝を形成することができる。ドライエッチングにおいては、大気圧プラズマ法を用いてもよい。このようにして素子形成層８０２間に溝を形成する。   Thereafter, a groove 815 is formed between the element formation layers 802. The groove can be formed by dicing, scribing, etching using a mask, or the like. In the case of dicing, a blade dicing method using a dicing apparatus (dicer) is common. The blade is a grindstone in which diamond abrasive grains are embedded. The width of the blade is about 30 to 50 μm, and a groove is formed in the element formation layer 802 by rotating the blade at a high speed. In the case of scribing, there are a diamond scribing method and a laser scribing method. In the case of etching, a mask pattern can be formed by exposure and development processes, and a groove can be formed in the element formation layer 802 by dry etching, wet etching, or the like. In dry etching, an atmospheric pressure plasma method may be used. In this manner, a groove is formed between the element formation layers 802.

なお、溝は必ずしも各素子形成層間に形成する必要はなく、複数の素子形成層間に形成してもよい。また、素子形成層の薄膜トランジスタが形成されていない部分に形成してもよい。   The grooves are not necessarily formed between the element formation layers, and may be formed between a plurality of element formation layers. Alternatively, the element formation layer may be formed in a portion where the thin film transistor is not formed.

次に、図１０に示すように、素子形成層８０２に導電体８３０ａ、ベースフィルム８３０ｂからなるアンテナ用基板８３０を貼り合わせる。図１０（Ａ）にはアンテナ用基板８３０を貼り合わせた状態の上面図を、図１０（Ｂ）には図１０（Ａ）におけるａ−ｂ間、図１０（Ｃ）には図１０（Ａ）におけるｃ−ｄ間の断面図をそれぞれ示す。   Next, as shown in FIG. 10, an antenna substrate 830 including a conductor 830a and a base film 830b is bonded to the element formation layer 802. 10A is a top view of the antenna substrate 830 attached thereto, FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line ab in FIG. 10A, and FIG. ) Are cross-sectional views taken along line cd.

素子形成層８０２とアンテナ用基板８３０を貼り合わせる手段として、導電体８３１が分散している異方性導電体８３２がある。異方性導電体８３２は、素子形成層８０２における接続端子８３３が設けられた領域では、当該導電体８３１が各接続端子８３３の厚みにより圧着されるため、導通をとることができる。その他の領域では、当該導電体が十分な間隔を保っているため、導通することはない。異方性導電体の他に、導電性接着剤、紫外線硬化樹脂または両面テープ等を用いて貼り合わせてもよい。   As a means for attaching the element formation layer 802 and the antenna substrate 830, there is an anisotropic conductor 832 in which the conductor 831 is dispersed. In the region where the connection terminal 833 is provided in the element formation layer 802, the anisotropic conductor 832 can be electrically connected because the conductor 831 is pressure-bonded depending on the thickness of each connection terminal 833. In other regions, since the conductor is kept at a sufficient interval, it does not conduct. In addition to the anisotropic conductor, bonding may be performed using a conductive adhesive, an ultraviolet curable resin, a double-sided tape, or the like.

また、アンテナ用基板８３０には、素子形成層８０２に対応する位置に導電体８３４が設けられ、溝８１５に対応する位置に開口部８３５が設けられている。なお、開口部８３５は各導電体８３４間に設けてもよいし、複数のアンテナ間に設けても良い。また、図１０では、開口部８３５は円形状となる場合を示したがこれに限定されず、例えばスリット状となるように開口部を形成してもよい。このように、溝８１５および開口部８３５の形状や配置は適宜設定することができる。   Further, the antenna substrate 830 is provided with a conductor 834 at a position corresponding to the element formation layer 802 and an opening 835 at a position corresponding to the groove 815. Note that the opening 835 may be provided between the conductors 834 or between a plurality of antennas. FIG. 10 shows the case where the opening 835 has a circular shape, but the present invention is not limited to this. For example, the opening may be formed to have a slit shape. Thus, the shape and arrangement of the groove 815 and the opening 835 can be set as appropriate.

次に、開口部８３５へエッチング剤を導入し、剥離層８０１を除去する（図１１（Ａ））。ここでは、剥離層とエッチング剤を化学的に反応させて、剥離層８０１の除去を行う。なお、剥離層８０１は完全に除去してもよいが、ここでは剥離層８０１を完全には除去せずに、素子形成層８０２の下方に位置する剥離層を少なくとも一部分残す。剥離層８０１を一部でも残すことによって、剥離層８０１を除去した後も、素子形成層８０２が基板８００から完全に剥離されずばらばらになるのを防止することができる。   Next, an etchant is introduced into the opening 835 to remove the separation layer 801 (FIG. 11A). Here, the peeling layer 801 is removed by chemically reacting the peeling layer and the etching agent. Note that the peeling layer 801 may be completely removed, but here, the peeling layer 801 is not completely removed, and at least a part of the peeling layer located below the element formation layer 802 is left. By leaving even part of the separation layer 801, the element formation layer 802 can be prevented from being separated completely from the substrate 800 even after the separation layer 801 is removed.

エッチング剤としては、剥離層８０１と反応しやすいフッ化ハロゲン（ハロゲン間化合物）を含む気体または液体を使用すると好ましい。例えば、剥離層８０１としてＷ膜を用いた場合には、Ｗとよく反応する三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ３）を用いることが好ましい。また、エッチング剤としては、この他にもＣＦ４、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｆ２等を用いてもよく、実施者が適宜選択すればよい。 As the etchant, a gas or a liquid containing halogen fluoride (interhalogen compound) that easily reacts with the peeling layer 801 is preferably used. For example, when a W film is used as the peeling layer 801, it is preferable to use chlorine trifluoride gas (ClF 3 ) that reacts well with W. In addition, CF 4 , SF 6 , NF 3 , F 2 or the like may be used as the etching agent, and the practitioner may select as appropriate.

次に、素子形成層８０２と貼り合わされたアンテナ用基板８３０の一方の面を第１のシート材８４１に接着させ、基板８００から素子形成層８０２を剥離する（図１１（Ｂ））。なお、ここでは、基板８００と素子形成層８０２は一部の剥離層８０１によって接続されているため、基板８００から素子形成層８０２を物理的に剥離する。   Next, one surface of the antenna substrate 830 bonded to the element formation layer 802 is attached to the first sheet material 841, and the element formation layer 802 is peeled from the substrate 800 (FIG. 11B). Note that here, since the substrate 800 and the element formation layer 802 are connected to each other by a part of the separation layer 801, the element formation layer 802 is physically separated from the substrate 800.

第１のシート材８４１は、少なくとも一方に粘着層を有する基板やフィルムを用いることができる。ここでは、一方の面に粘着剤が設けてある可撓性のフィルムを用いる。具体的には、ポリエステル等からなるフィルム上にアクリル樹脂等を含んだ粘着力が弱い粘着剤が設けてあるフィルムを用いる。   As the first sheet material 841, a substrate or a film having an adhesive layer on at least one side can be used. Here, a flexible film having an adhesive on one surface is used. Specifically, a film in which a pressure-sensitive adhesive containing an acrylic resin or the like is provided on a film made of polyester or the like is used.

次に、基板８００から剥離された素子形成層８０２の面に第２のシート材８４２を接着させて、第１のシート材から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する（図１１（Ｃ））。続いて、第１のシート材から剥離されたアンテナ用基板８３０の面に第３のシート材８４３を接着させると共に、素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を第２のシート材８４２と第３のシート材８４３により封止する（図１１（Ｄ））。   Next, the second sheet material 842 is bonded to the surface of the element formation layer 802 which is separated from the substrate 800, and the element formation layer 802 and the antenna substrate 830 are separated from the first sheet material (FIG. 11C )). Subsequently, the third sheet material 843 is bonded to the surface of the antenna substrate 830 peeled from the first sheet material, and the element formation layer 802 and the antenna substrate 830 are bonded to the second sheet material 842 and the third sheet material 842. Sealing is performed with a sheet material 843 (FIG. 11D).

第２のシート材８４２および第３のシート材８４３としては、ラミネートフィルムを用いることができる。ここでは、ポリエステル等のフィルム上にホットメルトフィルムが形成されたものを利用することができる。また、第２のシート材８４２または第３のシート材８４３を素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０に接着させる際に、加圧処理または加熱処理の一方または両方を行うことによって、効率的に接着することができる。また、封止後にフィルムを通して素子形成層に水分等が入り込まないように、あらかじめ第２および第３のシート材に、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）の膜をコートしておくと好ましい。   As the second sheet material 842 and the third sheet material 843, a laminate film can be used. Here, what formed the hot-melt film on films, such as polyester, can be utilized. In addition, when the second sheet material 842 or the third sheet material 843 is bonded to the element formation layer 802 and the antenna substrate 830, bonding is performed efficiently by performing one or both of pressure treatment and heat treatment. can do. In addition, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy) (xx) is previously added to the second and third sheet materials so that moisture or the like does not enter the element formation layer through the film after sealing. > Y), a silicon nitride oxide (SiNxOy) (x> y) film is preferably coated.

また、第２のシート材８４２、第３のシート材８４３として、静電気等を防止する帯電防止対策を施したフィルム（以下、帯電防止フィルムと記す）を用いることもできる。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。さらに、片面に帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、帯電防止可能な材料が設けられた面をフィルムの内側になるように層に貼り付けてもよいし、フィルムの外側になるように貼り付けてもよい。なお、帯電防止可能な材料はフィルムの全面、あるいは一部に設けてあればよい。ここでの帯電防止可能な材料としては、金属、インジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）、両性界面活性剤や陽イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤等の界面活性剤を用いることができる。また、他にも帯電防止材料として、側鎖にカルボキシル基および４級アンモニウム塩基をもつ架橋性共重合体高分子を含む樹脂材料等を用いることができる。これらの材料をフィルムに貼り付けたり、練り込んだり、塗布したりすることによって帯電防止フィルムとすることができる。帯電防止フィルムで封止を行うことによって、商品として取り扱う際に、外部からの静電気等によって半導体素子に悪影響が及ぶことを抑制することができる。   In addition, as the second sheet material 842 and the third sheet material 843, films provided with antistatic measures for preventing static electricity (hereinafter referred to as antistatic films) can be used. Examples of the antistatic film include a film in which an antistatic material is dispersed in a resin, a film on which an antistatic material is attached, and the like. The film provided with an antistatic material may be a film provided with an antistatic material on one side, or a film provided with an antistatic material on both sides. Furthermore, a film provided with an antistatic material on one side may be attached to the layer so that the surface provided with the antistatic material is on the inside of the film, or on the outside of the film. It may be pasted. Note that the antistatic material may be provided on the entire surface or a part of the film. As the antistatic material here, a surfactant such as metal, indium and tin oxide (ITO), an amphoteric surfactant, a cationic surfactant or a nonionic surfactant is used. it can. In addition, as the antistatic material, a resin material containing a crosslinkable copolymer polymer having a carboxyl group and a quaternary ammonium base in the side chain can be used. An antistatic film can be obtained by sticking, kneading, or applying these materials to a film. By sealing with an antistatic film, it is possible to prevent the semiconductor element from being adversely affected by external static electricity or the like when handled as a product.

その後、素子形成層８０２間にある第２のシート材８４２と第３のシート材８４３を選択的にダイシング、スクライビング、レーザカット法により切断する。そうすると、封止された半導体装置が完成する。   Thereafter, the second sheet material 842 and the third sheet material 843 between the element formation layers 802 are selectively cut by dicing, scribing, or laser cutting. As a result, a sealed semiconductor device is completed.

なお、本実施の形態では、第１のシート材８４１は第２のシート材８４２および第３のシート材８４３より粘着力が弱いシート材を用いる。これは、基板８００から素子形成層８０２を剥離する際に、粘着力が強いシート材を用いると基板８００にシート材が接着した際に、基板８００を剥離するのが困難になるためである。そのため、本実施の形態では、素子形成層８０２を可撓性基板上に設けるために、２回の剥離工程を行っている。   Note that in this embodiment, the first sheet material 841 uses a sheet material having a lower adhesive strength than the second sheet material 842 and the third sheet material 843. This is because if a sheet material having a strong adhesive force is used when the element formation layer 802 is peeled from the substrate 800, it is difficult to peel the substrate 800 when the sheet material adheres to the substrate 800. Therefore, in this embodiment mode, the separation process is performed twice in order to provide the element formation layer 802 over the flexible substrate.

また、ガラス基板上に素子形成層８０２を形成した場合、シリコン基板から形成された場合と比較して母体基板形状に制約がない。そのため、生産性を高め、大量生産を行うことができる。また、上記プロセスにおいて、剥離された基板は再利用することができ、低コスト化を達成することができる。例えば、石英基板は平坦性に優れ、高耐熱性である等の利点を有しているが、原価が高いという問題があった。しかし、基板を再利用することによって、ガラス基板より原価の高い石英基板を用いた場合でも、低コスト化を達成することができる。   In addition, when the element formation layer 802 is formed over a glass substrate, the shape of the base substrate is not limited as compared with the case where the element formation layer 802 is formed from a silicon substrate. Therefore, productivity can be improved and mass production can be performed. In the above process, the peeled substrate can be reused, and cost reduction can be achieved. For example, a quartz substrate has advantages such as excellent flatness and high heat resistance, but has a problem of high cost. However, by reusing the substrate, cost reduction can be achieved even when a quartz substrate having a higher cost than the glass substrate is used.

なお、本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。   Note that this embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.

（実施の形態６）
本実施の形態では、ラミネート装置を用いて基板上に設けられた半導体装置に剥離・封止を行う場合に関して図面を用いて説明する。ここでは、一例として、ガラス等の剛性を有する基板上に設けられた半導体装置を基板から剥離し、その後可撓性を有するフィルムで封止する場合に関して示す。その模式図を図１２を用いて説明する。なお、図１２（Ａ）は半導体装置の作製工程を示しており、図１２（Ｂ）は各工程における半導体装置を構成する模式図を示している。 (Embodiment 6)
In this embodiment, the case where peeling and sealing are performed on a semiconductor device provided over a substrate using a laminating apparatus will be described with reference to drawings. Here, as an example, a case where a semiconductor device provided over a rigid substrate such as glass is peeled from the substrate and then sealed with a flexible film is described. The schematic diagram will be described with reference to FIG. 12A illustrates a manufacturing process of a semiconductor device, and FIG. 12B illustrates a schematic view of a semiconductor device in each process.

本実施の形態で示すラミネート装置は、素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０が設けられた基板８００を搬送する搬送手段８７０と、少なくとも一方の面に粘着層を有する第１のシート材８６１と、当該素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を封止する第２のシート材８６２、第３のシート材８６３を有している。さらに基板８００から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する第１の剥離手段８７１、第１のシート材８６１から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する第２の剥離手段８７２、素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を封止する封止手段８７３等の構成が設けられている。なお、これらの構成は全て設けてもよいし、いくつかの構成を組み合わせて設けてもよい。以下に全体の流れについて説明する。   The laminating apparatus described in this embodiment mode includes a transport unit 870 that transports a substrate 800 provided with an element formation layer 802 and an antenna substrate 830, a first sheet material 861 having an adhesive layer on at least one surface, A second sheet material 862 and a third sheet material 863 that seal the element formation layer 802 and the antenna substrate 830 are provided. Further, a first peeling means 871 for peeling the element formation layer 802 and the antenna substrate 830 from the substrate 800, a second peeling means 872 for peeling the element formation layer 802 and the antenna substrate 830 from the first sheet material 861, and an element A structure such as a sealing unit 873 for sealing the formation layer 802 and the antenna substrate 830 is provided. Note that all these configurations may be provided, or some configurations may be combined. The overall flow will be described below.

まず、搬送手段８７０によって基板８００上に設けられた素子形成層８０２が搬送される。搬送されてきた素子形成層８０２は、第１の剥離手段８７１の方向に流れていく。   First, the element formation layer 802 provided on the substrate 800 is transported by the transport unit 870. The element formation layer 802 that has been conveyed flows in the direction of the first peeling means 871.

次に、ローラーを備えた第１の剥離手段８７１によって、アンテナ用基板８３０の表面に第１のシート材８６１を接着させ、基板８００から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する。その後、剥離された素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０は、第１のシート材８６１に接着されて第２の剥離手段８７２の方向に流れていく。   Next, the first sheet material 861 is bonded to the surface of the antenna substrate 830 by the first peeling means 871 provided with a roller, and the element formation layer 802 and the antenna substrate 830 are peeled from the substrate 800. Thereafter, the peeled element forming layer 802 and the antenna substrate 830 are bonded to the first sheet material 861 and flow toward the second peeling means 872.

次に、ローラーを備えた第２の剥離手段８７２によって、素子形成層８０２の表面に第２のシート材８６２を接着させ、第１のシート材８６１から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する。この際、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行うと好ましい。その後、剥離された素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０は、第２のシート材８６２に接着されて封止手段８７３の方向に流れていく。   Next, the second sheet material 862 is adhered to the surface of the element formation layer 802 by the second peeling means 872 provided with a roller, and the element formation layer 802 and the antenna substrate 830 are peeled from the first sheet material 861. To do. At this time, it is preferable to perform one or both of pressure treatment and heat treatment. Thereafter, the peeled element formation layer 802 and antenna substrate 830 are bonded to the second sheet material 862 and flow toward the sealing means 873.

続いて、封止手段８７３によって、アンテナ用基板８３０の表面に第３のシート材８６３を接着させて、素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を第２のシート材８６２と第３のシート材８６３によって封止する。封止手段８７３では、第３のシート材８６３に、第２のシート材８６２に接着されて搬送されてきたアンテナ用基板８３０の表面を接着させて挟み込むと共に、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行う。   Subsequently, the third sheet material 863 is bonded to the surface of the antenna substrate 830 by the sealing unit 873, and the element formation layer 802 and the antenna substrate 830 are bonded to the second sheet material 862 and the third sheet material 863. Seal with. In the sealing unit 873, the surface of the antenna substrate 830 that has been transported by being bonded to the second sheet material 862 is adhered to the third sheet material 863 and sandwiched, and one of the pressure treatment and the heat treatment or Do both.

搬送手段８７０は、素子形成層８０２が設けられた基板８００を搬送するものであり、基板８００を搬送できるものならどのような構成でもよく、例えばベルトコンベア、複数のローラーまたはロボットアーム等を用いることができる。ロボットアームは、基板８００をそのまま搬送したり、基板８００が設けられたステージを搬送する。   The transport unit 870 transports the substrate 800 provided with the element formation layer 802, and may have any configuration as long as it can transport the substrate 800. For example, a belt conveyor, a plurality of rollers, a robot arm, or the like is used. Can do. The robot arm transports the substrate 800 as it is, or transports the stage on which the substrate 800 is provided.

第１のシート材８６１は、可撓性のフィルムからなっており、少なくとも一方の面に粘着剤を有する面が設けてある。具体的には、ポリエステル等の基材として用いるベースフィルム上に粘着剤が設けてある。粘着剤としては、アクリル樹脂等を含んだ樹脂材料または合成ゴム材料からなる材料を用いることができる。また、第１のシート材８６１には粘着力が弱いフィルム（粘着力が、好ましくは０．０１Ｎ〜１．０Ｎ、より好ましくは０．０５Ｎ〜０．５Ｎ）を用いるのが好ましい。これは、基板上に設けられた素子形成層を第１のシート材い接着した後に、再度、第２のシート材に素子形成部を接着させるためである。接着剤の厚さは、１μｍ〜１００μｍ、好ましくは１μｍ〜３０μｍにすることができる。また、ベースフィルムとしては、ポリエステル等のフィルムを用いて１０μｍ〜１ｍｍで形成すると加工時に扱いやすくなるため好ましい。   The first sheet material 861 is made of a flexible film, and a surface having an adhesive is provided on at least one surface. Specifically, an adhesive is provided on a base film used as a base material such as polyester. As the adhesive, a material made of a resin material containing an acrylic resin or the like or a synthetic rubber material can be used. The first sheet material 861 is preferably a film having a low adhesive strength (adhesive strength is preferably 0.01 N to 1.0 N, more preferably 0.05 N to 0.5 N). This is because the element forming portion is again bonded to the second sheet material after the element forming layer provided on the substrate is bonded to the first sheet material. The thickness of the adhesive can be 1 μm to 100 μm, preferably 1 μm to 30 μm. Moreover, as a base film, since it becomes easy to handle at the time of processing, it is preferable if it forms in 10 micrometers-1 mm using films, such as polyester.

第２のシート材８６２と第３のシート材８６３は、可撓性のフィルムからなっており、例えばラミネートフィルムや繊維質な材料からなる紙などに相当する。ラミネートフィルムは、ラミネート処理に用いることができるフィルム全般を指し、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、メタクリル酸メチル、ナイロン、ポリカーボネート等の材料からなり、その表面にエンボス加工等の加工処理が施されていてもよい。   The second sheet material 862 and the third sheet material 863 are made of a flexible film, and correspond to, for example, a laminate film or paper made of a fibrous material. Laminate film refers to all films that can be used for laminating treatment, and is made of materials such as polypropylene, polystyrene, polyester, vinyl, polyvinyl fluoride, vinyl chloride, methyl methacrylate, nylon, polycarbonate, etc., and its surface is embossed, etc. The processing may be performed.

また、本実施の形態では、ホットメルト接着剤を用いて素子形成層の封止を行うのが好ましい。ホットメルト接着材は、水や溶剤を含まず、室温では固体で不揮発性の熱可塑性材料からなり、溶融状態で塗布し冷却することにより物と物を接着する化学物質である。また、接着時間が短く、無公害、安全で衛生的、省エネルギーであり、低コストであるといった利点を有する。   Moreover, in this Embodiment, it is preferable to seal an element formation layer using a hot-melt-adhesive. A hot-melt adhesive is a chemical substance that does not contain water or a solvent, is made of a solid and non-volatile thermoplastic material at room temperature, and adheres to an object by being applied and cooled in a molten state. In addition, the bonding time is short, pollution-free, safe and hygienic, energy saving, and low cost.

ホットメルト接着剤は常温で固体であるため、あらかじめフィルム状、繊維状に加工したもの、またはポリエステル等のベースフィルム上にあらかじめ接着層を形成してフィルム状にしたものを用いることができる。ここでは、ポリエチレンテレフタレートからなるベースフィルム上にホットメルトフィルムを形成したシート材を用いる。ホットメルトフィルムは、ベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂からなっており、加熱することによってホットメルトフィルムのみが溶融してゴム状になり接着し、冷却すると硬化する。また、ホットメルトフィルムとして、例えばエチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系、ポリエステル系、ポリアミド系、熱可塑性エラストマー系、ポリオレフィン系等を主成分としたフィルムを用いることができる。また、封止後にシート材を通して素子形成層に水分等が入り込まないように、あらかじめ第２および第３のシート材に、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の膜をコートしておくと好ましい。   Since the hot-melt adhesive is solid at room temperature, it can be used in the form of a film or fiber, or a film obtained by forming an adhesive layer in advance on a base film such as polyester. Here, a sheet material in which a hot melt film is formed on a base film made of polyethylene terephthalate is used. The hot melt film is made of a resin having a softening point lower than that of the base film. When heated, only the hot melt film is melted to form a rubber-like adhesive and is cured when cooled. As the hot melt film, for example, a film mainly composed of ethylene / vinyl acetate copolymer (EVA), polyester, polyamide, thermoplastic elastomer, polyolefin, or the like can be used. In addition, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy) (silicon oxide (SiOx), silicon oxynitride (SiOxNy) (in order to prevent moisture and the like from entering the element formation layer through the sheet material after sealing) It is preferable to coat a film such as x> y) or silicon nitride oxide (SiNxOy) (x> y).

図１２に示すように、ラミネート装置を用いて一連の工程を連続して行うことによって、効率的に剥離・封止の処理を行うことができる。   As shown in FIG. 12, by performing a series of steps continuously using a laminating apparatus, the peeling / sealing process can be performed efficiently.

なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる   Note that this embodiment can be freely combined with the above embodiment.

（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施の形態で示したアンテナを備えた半導体装置を無線チップとして用いた場合の一形態に関して図１３に示す。 (Embodiment 7)
In this embodiment, FIG. 13 illustrates one mode in which the semiconductor device including the antenna described in the above embodiment is used as a wireless chip.

本実施の形態で示す無線チップは、素子形成層９２０、アンテナ９２１、基板９２２およびカバー材９２３を有しており、素子形成層９２０およびアンテナは基板９２２とカバー材９２３の間に挟まれて設けられており、アンテナ９２１は素子形成層９２０に電気的に接続されている（図１３（Ａ））。   The wireless chip described in this embodiment includes an element formation layer 920, an antenna 921, a substrate 922, and a cover material 923. The element formation layer 920 and the antenna are provided between the substrate 922 and the cover material 923. The antenna 921 is electrically connected to the element formation layer 920 (FIG. 13A).

図１３（Ｂ）に、図１３（Ａ）に示した無線チップの、機能的な構成の一形態をブロック図で示す。   FIG. 13B is a block diagram illustrating one mode of a functional structure of the wireless chip illustrated in FIG.

図１３（Ｂ）において、素子形成層９２０は、復調回路９０９、変調回路９０４、整流回路９０５、マイクロプロセッサ９０６、メモリ９０７、負荷変調をアンテナ９２１に与えるためのスイッチ９０８を有している。また、アンテナ９２１は素子形成層９２０に電気的に接続されており、アンテナ９２１の両端子間に容量９０３が設けられている。なお、なおメモリ９０７は１つに限定されず、複数であっても良く、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＲＯＭまたはＦｅＲＡＭなどを用いることができる。   In FIG. 13B, the element formation layer 920 includes a demodulation circuit 909, a modulation circuit 904, a rectifier circuit 905, a microprocessor 906, a memory 907, and a switch 908 for applying load modulation to the antenna 921. The antenna 921 is electrically connected to the element formation layer 920, and a capacitor 903 is provided between both terminals of the antenna 921. Note that the number of memories 907 is not limited to one, and a plurality of memories 907 may be used, such as SRAM, flash memory, ROM, or FeRAM.

リーダ／ライタから電波として送られてきた信号は、アンテナ９２１において電磁誘導により交流の電気信号に変換される。復調回路９０９では当該交流の電気信号を復調し、後段のマイクロプロセッサ９０６に送信する。また整流回路９０５では、交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、後段のマイクロプロセッサ９０６に供給する。マイクロプロセッサ９０６では、入力された信号に従って各種演算処理を行なう。メモリ９０７にはマイクロプロセッサ９０６において用いられるプログラム、データなどが記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。   A signal transmitted as a radio wave from the reader / writer is converted into an AC electrical signal by electromagnetic induction in the antenna 921. The demodulation circuit 909 demodulates the alternating electrical signal and transmits it to the microprocessor 906 at the subsequent stage. The rectifier circuit 905 generates a power supply voltage using an alternating electrical signal and supplies the power supply voltage to the subsequent microprocessor 906. The microprocessor 906 performs various arithmetic processes according to the input signal. The memory 907 stores programs and data used in the microprocessor 906, and can also be used as a work area during arithmetic processing.

そしてマイクロプロセッサ９０６から変調回路９０４にデータが送られると、変調回路９０４はスイッチ９０８を制御し、該データに従ってアンテナ９２１に負荷変調を加えることができる。リーダ／ライタは、アンテナ９２１に加えられた負荷変調を電波で受け取ることで、結果的にマイクロプロセッサ９０６からのデータを読み取ることができる。   When data is sent from the microprocessor 906 to the modulation circuit 904, the modulation circuit 904 can control the switch 908 and apply load modulation to the antenna 921 in accordance with the data. The reader / writer can read the data from the microprocessor 906 as a result of receiving the load modulation applied to the antenna 921 by radio waves.

なお、無線チップは、必ずしもマイクロプロセッサ９０６を有している必要はない。また信号の伝送方式は、図１３（Ｂ）に示したような電磁結合方式に限定されず、電磁誘導方式、マイクロ波方式やその他の伝送方式を用いても良い。また、無線チップは、素子形成層への電源電圧の供給を電源（バッテリ）を搭載せず電波により行うパッシブ型を用いてもよいし、素子形成層への電源電圧の供給をアンテナの代わりに電源（バッテリ）を搭載させて行うアクティブ型を用いてもよいし、電波と電源により電源電圧を供給してもよい。   Note that the wireless chip does not necessarily have the microprocessor 906. The signal transmission method is not limited to the electromagnetic coupling method shown in FIG. 13B, and an electromagnetic induction method, a microwave method, or other transmission methods may be used. In addition, the wireless chip may use a passive type in which the power supply voltage is supplied to the element formation layer by radio waves without mounting a power source (battery), or the power supply voltage is supplied to the element formation layer instead of the antenna. An active type in which a power source (battery) is mounted may be used, or a power source voltage may be supplied by radio waves and a power source.

このように、無線チップは、非接触で通信を行う点、複数読取りが可能である点、データの書き込みが可能である点、様々な形状に加工可能である点、選択する周波数によっては、指向性が広く、認識範囲が広い点等の利点を有する。無線チップは、非接触による無線通信で人や物の個々の情報を識別可能なＩＣタグ、ラベル加工を施して目標物への貼り付けを可能としたラベル、イベントやアミューズメント向けのリストバンド等に適用することができる。また、無線チップを樹脂材料により成型加工してもよいし、無線通信を阻害する金属に直接固定してもよい。さらに、無線チップは、入退室管理システムや精算システムといった、システムの運用に活用することができる。   As described above, the wireless chip has a point of performing contactless communication, a point of being able to read a plurality of points, a point of being able to write data, a point of being able to be processed into various shapes, and a direction depending on a selected frequency. It has advantages such as wide applicability and wide recognition range. Wireless chips can be used for IC tags that can identify individual information about people and things by wireless communication without contact, labels that can be attached to target objects by label processing, wristbands for events and amusements, etc. Can be applied. Further, the wireless chip may be molded using a resin material, or may be directly fixed to a metal that hinders wireless communication. Furthermore, the wireless chip can be used for system operations such as an entrance / exit management system and a payment system.

次に、上述した無線チップを実際に使用するときの一形態について説明する。表示部３２１を含む携帯端末の側面には、リーダライタ３２０が設けられ、品物３２２の側面には無線チップ３２３が設けられる（図１４（Ａ））。品物３２２が含む無線チップ３２３にリーダライタ３２０をかざすと、表示部３２１に品物の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に商品の説明等の商品に関する情報が表示される。また、商品３２６をベルトコンベアにより搬送する際に、リーダライタ３２４と、商品３２６に設けられた無線チップ３２５を用いて、該商品３２６の検品を行うことができる（図１４（Ｂ））。このように、システムに無線チップを活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。   Next, one mode when the above-described wireless chip is actually used will be described. A reader / writer 320 is provided on the side surface of the portable terminal including the display portion 321, and a wireless chip 323 is provided on the side surface of the article 322 (FIG. 14A). When the reader / writer 320 is held over the wireless chip 323 included in the product 322, the display unit 321 displays information about the product, such as a description of the product, such as the raw material and origin of the product, the inspection result for each production process, and the history of the distribution process. The Further, when the product 326 is conveyed by the belt conveyor, the product 326 can be inspected using the reader / writer 324 and the wireless chip 325 provided in the product 326 (FIG. 14B). In this manner, by using a wireless chip in the system, information can be easily acquired, and high functionality and high added value are realized.

このようにアンテナを備えた半導体装置は、外部情報とのやり取りが可能であるため、無線メモリや無線プロセッサとして利用することができる。   In this manner, a semiconductor device including an antenna can be used as a wireless memory or a wireless processor because it can communicate with external information.

なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる   Note that this embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.

（実施の形態８）
本実施の形態では、上記実施の形態で示したアンテナを備えた半導体装置を無線チップとして利用した場合の用途に関して説明する。無線チップは、例えば、紙幣、硬貨、有価証券、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１６（Ａ））、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１６（Ｂ））、ＤＶＤソフトやＣＤやビデオテープ等の記録媒体（図１６（Ｃ））、車やバイクや自転車等の乗り物類（図１６（Ｄ））、鞄や眼鏡等の身の回り品（図１６（Ｅ））、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビまたはテレビ受像器とも呼ぶ）および携帯電話機等を指す。 (Embodiment 8)
In this embodiment, an application in the case where the semiconductor device including the antenna described in the above embodiments is used as a wireless chip will be described. Wireless chips include, for example, banknotes, coins, securities, bearer bonds, certificates (driver's license, resident card, etc., FIG. 16A), packaging containers (wrapping paper, bottles, etc. )), Recording media such as DVD software, CD and video tape (FIG. 16C), vehicles such as cars, motorcycles and bicycles (FIG. 16D), personal items such as bags and glasses (FIG. 16 E)), can be used in foods, clothing, daily necessities, electronic devices and the like. Electronic devices refer to liquid crystal display devices, EL display devices, television devices (also simply referred to as televisions or television receivers), cellular phones, and the like.

なお、無線チップは、物品の表面に貼り付けたり、物品に埋め込んだりして物品に固定することができる。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に無線チップを設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に無線チップを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類に無線チップを設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物に無線タグを埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等を容易に識別することが可能となる。   Note that the wireless chip can be fixed to the article by being attached to the surface of the article or embedded in the article. For example, a book may be embedded in paper, and a package made of an organic resin may be embedded in the organic resin. Forgery can be prevented by providing wireless chips on banknotes, coins, securities, bearer bonds, certificates, etc. In addition, by providing wireless chips in packaging containers, recording media, personal items, foods, clothing, daily necessities, electronic devices, etc., it is possible to improve the efficiency of inspection systems and rental store systems. In addition, forgery and theft can be prevented by providing a wireless chip in vehicles. In addition, by embedding in creatures such as animals, it is possible to easily identify individual creatures. For example, by burying a wireless tag in a living creature such as livestock, it is possible to easily identify the year of birth, sex, type, or the like.

以上のように、本発明の半導体装置は物品（生き物を含む）であればどのようなものにでも設けて使用することができる。なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。   As described above, the semiconductor device of the present invention can be provided and used for any article (including a living thing). Note that this embodiment can be freely combined with the above embodiment.

本発明のアンテナの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing an antenna of the present invention. 本発明のアンテナの構成を示す図。The figure which shows the structure of the antenna of this invention. 本発明のアンテナの構成を示す図。The figure which shows the structure of the antenna of this invention. 本発明のアンテナの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing an antenna of the present invention. 本発明のアンテナの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing an antenna of the present invention. レーザ直接描画装置を用いたアンテナの作製方法。A method for manufacturing an antenna using a laser direct drawing apparatus. 液滴吐出法を用いたアンテナの作製方法。A method for manufacturing an antenna using a droplet discharge method. 素子形成層とアンテナとの貼り合わせを示す図。The figure which shows bonding of an element formation layer and an antenna. 本発明の半導体装置の作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体装置の作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体装置の作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体装置の剥離・封止工程を示す図。4A and 4B show a peeling / sealing process of a semiconductor device of the present invention. 半導体装置を無線チップとして利用した場合の構成図。The block diagram at the time of using a semiconductor device as a radio | wireless chip. 本発明の半導体装置を実装した物品を示す図。The figure which shows the articles | goods which mounted the semiconductor device of this invention. 従来の無線チップの構造を示す図。The figure which shows the structure of the conventional radio | wireless chip. 本発明の半導体装置を実装した物品を示す図。The figure which shows the articles | goods which mounted the semiconductor device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１００ ベースフィルム
１０１ 型
１０２ 凹部
１０３ 導電体シート
１０４ 導電体
１０５ 突き出た部分
１０６ 引っ込んだ部分
１０７ 形成された部分
１２０ プレス手段
１２１ プレス部
１２２ 刃部
１２３ 刃部
１２４ 導電体シート
１２５ 導電体
100 Base film 101 Mold 102 Recess 103 Conductor sheet 104 Conductor 105 Projected part 106 Recessed part 107 Formed part 120 Press means 121 Press part 122 Blade part 123 Blade part 124 Conductor sheet 125 Conductor

Claims (24)

基板上に設けられた素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、
前記アンテナは、フィルムと導電体とを有し、
前記素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、
前記フィルムに前記導電体の少なくとも一部が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。 An element forming layer provided on the substrate;
An antenna provided on the element formation layer,
The antenna has a film and a conductor,
The element formation layer and the conductor are electrically connected,
A semiconductor device, wherein at least a part of the conductor is embedded in the film. 基板上に設けられた素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、
前記アンテナは、フィルムと導電体とを有し、
前記素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、
前記フィルムは表面に凹部を有し、前記凹部に前記導電体が設けられていることを特徴とする半導体装置。 An element forming layer provided on the substrate;
An antenna provided on the element formation layer,
The antenna has a film and a conductor,
The element formation layer and the conductor are electrically connected,
The said film has a recessed part in the surface, The said conductor is provided in the said recessed part, The semiconductor device characterized by the above-mentioned. 基板上に設けられた素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、
前記アンテナは、フィルムと導電体とを有し、
前記素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、
前記フィルムは表面に凹部を有し、前記フィルムの表面および凹部に前記導電体が設けられており、前記フィルムの表面および凹部に設けられた導電体が電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。 An element forming layer provided on the substrate;
An antenna provided on the element formation layer,
The antenna has a film and a conductor,
The element formation layer and the conductor are electrically connected,
The film has a recess on the surface, the conductor is provided on the surface and the recess of the film, and the conductor provided on the surface of the film and the recess is electrically connected. Semiconductor device. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記素子形成層と前記アンテナとは接続端子を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The semiconductor device, wherein the element formation layer and the antenna are electrically connected through a connection terminal. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記基板は可撓性基板であることを特徴とする半導体装置。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
The semiconductor device, wherein the substrate is a flexible substrate. フィルムと導電体とを有し、
前記フィルムは表面に凹部を有し、
前記フィルムの表面および凹部に前記導電体が設けられており、
前記フィルムの表面および凹部に設けられた導電体が電気的に接続していることを特徴とするアンテナ。 Having a film and a conductor,
The film has a recess on the surface,
The conductor is provided on the surface and recess of the film,
An antenna, wherein a conductor provided on the surface of the film and the recess is electrically connected. フィルムに凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に導電体を設けることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 Forming a recess in the film,
An antenna is formed by providing a conductor in the concave portion of the film,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the antenna and an element formation layer formed over a substrate are electrically connected. フィルムに凹部を形成し、
前記フィルムの表面および凹部に導電体シートを貼り合わせて設け、前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 Forming a recess in the film,
An antenna is formed by selectively etching the conductor sheet so as to leave the conductor sheet provided in the concave portion of the film, and a conductive sheet is provided on the surface and the concave portion of the film.
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the antenna and an element formation layer formed over a substrate are electrically connected. フィルムに凹部を形成し、導電性を有する組成物を選択的に吐出して前記フィルムの凹部に導電体を設けることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 Forming a recess in the film, selectively discharging the conductive composition to form an antenna by providing a conductor in the recess of the film,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the antenna and an element formation layer formed over a substrate are electrically connected to each other. フィルムに導電体シートを貼り合わせ、前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 Bonding a conductor sheet to the film, pressing the mold on the film and the conductor sheet to form a recess,
Forming an antenna by selectively etching the conductor sheet to leave a conductor sheet provided in the recess of the film;
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the antenna and an element formation layer formed over a substrate are electrically connected. フィルムに導電体シートを貼り合わせ、前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がすことによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 Bonding a conductor sheet to the film, pressing the mold on the film and the conductor sheet to form a recess,
Forming an antenna by selectively peeling off the conductor sheet using physical means so as to leave the conductor sheet provided in the recess of the film;
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the antenna and an element formation layer formed over a substrate are electrically connected. フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記導電体シートを選択的に切断し、
前記切断された導電体シートと前記導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 Bonding a conductor sheet to the film,
Selectively cutting the conductor sheet;
Press the mold on the cut conductor sheet and the film located below the conductor sheet to form a recess,
Forming an antenna by selectively etching the conductor sheet to leave a conductor sheet provided in the recess of the film;
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the antenna and an element formation layer formed over a substrate are electrically connected. フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記導電体シートを選択的に切断し、
前記切断された導電体シートと前記導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がすことによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 Bonding a conductor sheet to the film,
Selectively cutting the conductor sheet;
Press the mold on the cut conductor sheet and the film located below the conductor sheet to form a recess,
Forming an antenna by selectively peeling off the conductor sheet using physical means so as to leave the conductor sheet provided in the recess of the film;
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the antenna and an element formation layer formed over a substrate are electrically connected. 請求項６乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記素子形成層と前記アンテナとの接続を、接続端子を介して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 In any one of Claims 6 thru | or 13,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the element formation layer and the antenna are connected through a connection terminal. フィルムに凹部を形成し、
前記フィルムの表面および凹部に導電体シートを貼り合わせて設け、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴とするアンテナの作製方法。 Forming a recess in the film,
Provided by bonding a conductor sheet to the surface and recesses of the film,
A method for manufacturing an antenna, wherein the conductor sheet is selectively etched so as to leave a conductor sheet provided in a concave portion of the film. フィルムに凹部を形成し、
導電性を有する組成物を選択的に吐出して前記フィルムの凹部に導電体を形成することを特徴とするアンテナの作製方法。 Forming a recess in the film,
A method for manufacturing an antenna, comprising selectively discharging a conductive composition to form a conductor in a concave portion of the film. 請求項１５または請求項１６において、
前記フィルムの凹部は、
前記フィルムに型をプレスして形成することを特徴とするアンテナの作製方法。 In claim 15 or claim 16,
The concave portion of the film is
A method for manufacturing an antenna, wherein the film is formed by pressing a mold. 請求項１７において、
前記フィルムへの型のプレスは、加熱しながら行うことを特徴とするアンテナの作製方法。 In claim 17,
The method for manufacturing an antenna, wherein the pressing of the mold on the film is performed while heating. 請求項１５乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記フィルムの凹部は、
前記フィルムにレーザ光を照射して形成することを特徴とするアンテナの作製方法。 In any one of Claims 15 thru / or Claim 18,
The concave portion of the film is
A method for manufacturing an antenna, wherein the film is formed by irradiating a laser beam. フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴とするアンテナの作製方法。 Bonding a conductor sheet to the film,
Pressing a mold on the film and the conductor sheet to form a recess,
A method for manufacturing an antenna, wherein the conductor sheet is selectively etched so as to leave a conductor sheet provided in a concave portion of the film. フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がすことを特徴とするアンテナの作製方法。 Bonding a conductor sheet to the film,
Pressing a mold on the film and the conductor sheet to form a recess,
A method for manufacturing an antenna, wherein the conductor sheet is selectively peeled off using physical means so as to leave the conductor sheet provided in the concave portion of the film. フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記導電体シートを選択的に切断し、
前記切断された導電体シートと前記導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴とするアンテナの作製方法。 Bonding a conductor sheet to the film,
Selectively cutting the conductor sheet;
Press the mold on the cut conductor sheet and the film located below the conductor sheet to form a recess,
A method for manufacturing an antenna, wherein the conductor sheet is selectively etched so as to leave a conductor sheet provided in a concave portion of the film. フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記導電体シートを選択的に切断し、
前記切断された導電体シートと前記導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がすことを特徴とするアンテナの作製方法。 Bonding a conductor sheet to the film,
Selectively cutting the conductor sheet;
Press the mold on the cut conductor sheet and the film located below the conductor sheet to form a recess,
A method for manufacturing an antenna, wherein the conductor sheet is selectively peeled off using physical means so as to leave the conductor sheet provided in the concave portion of the film. 請求項２０乃至請求項２３のいずれか一項において、
前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスする際に、加熱しながら行うことを特徴とするアンテナの作製方法。 24. In any one of claims 20 to 23,
A method for manufacturing an antenna, which comprises performing heating while pressing a mold on the film and the conductor sheet.
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