JP2006141067A - Surface acoustic wave branching filter - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave branching filter where which first and second surface acoustic wave filter chips are mounted by a flip-chip bonding method in a package member, the isolation between the first and second surface acoustic wave filter chips is improved, and proper attenuation characteristics are achieved. <P>SOLUTION: In the surface acoustic wave branching filter, the first acoustic wave filter chip, having a low center frequency and the second acoustic wave filter chip 4 having a relatively high center frequency are jointed to the chip-mounting surface of the package member 8; a signal via hole electrode and a ground via hole electrode penetrating at least a part of the package member 8 are provided; and the distance between the signal via hole electrode V6 and the ground via hole electrode V7 is the smallest of the distances between via hole electrodes V1 to V9 which are constituted to the package member 8 and connected to different potentials. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、例えば無線通信装置のアンテナ部分に接続される分波器として用いられる弾性表面波分波器に関し、より詳細には、中心周波数が異なる第１，第２の弾性表面波フィルタチップが該弾性表面波フィルタチップに設けられたバンプによりパッケージ材に設けられた配線パターンに接合されている構造を備えた弾性表面波分波器に関する。   The present invention relates to a surface acoustic wave duplexer used as a duplexer connected to, for example, an antenna portion of a wireless communication device, and more specifically, includes first and second surface acoustic wave filter chips having different center frequencies. The present invention relates to a surface acoustic wave duplexer having a structure in which a bump provided on the surface acoustic wave filter chip is bonded to a wiring pattern provided on a package material.

近年、携帯用電話機などの小型の無線通信装置において、より一層の小型化を図るために、弾性表面波フィルタを用いた分波器が種々開発されている。   2. Description of the Related Art In recent years, various duplexers using surface acoustic wave filters have been developed in order to further reduce the size of small wireless communication devices such as portable telephones.

この種の弾性表面波フィルタ分波器では、パッケージ内に、中心周波数が異なる第１，第２の弾性表面波フィルタが実装されているが、第１，第２の弾性表面波フィルタ間のアイソレーションがより完全であることが強く求められている。   In this type of surface acoustic wave filter duplexer, the first and second surface acoustic wave filters having different center frequencies are mounted in the package, but the isolator between the first and second surface acoustic wave filters is mounted. There is a strong demand for a more complete design.

上記アイソレーションを改善する構造の一例が下記の特許文献１に開示されている。すなわち、図１２に示すように、特許文献１に記載の弾性表面波分波器２０１では、パッケージ材２０２内に、第１，第２の弾性表面波フィルタチップ２０３，２０４が実装されている。そして、第１の弾性表面波フィルタチップ２０３における信号入出力端子Ａ１，Ａ２とパッケージ材２０２の信号入出力端子Ｃ１，Ｃ２とを結ぶ信号線と、第２の弾性表面波フィルタチップ２０４側における信号入出力端子Ｂ１，Ｂ２とパッケージ材２０２の信号入出力端子Ｄ１，Ｄ２とを結ぶ信号線とが、互いに略直角をなして交わる２つの直線（Ｘ，Ｙ）に位置するように信号入出力端子Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２，Ｄ１，Ｄ２が配置されている。ここでは、各信号入出力端子をこのように配置することにより、複数の信号線間における誘導結合が抑制され、アイソレーションが改善されている。   An example of a structure for improving the isolation is disclosed in Patent Document 1 below. That is, as shown in FIG. 12, in the surface acoustic wave duplexer 201 described in Patent Document 1, first and second surface acoustic wave filter chips 203 and 204 are mounted in a package material 202. Then, a signal line connecting the signal input / output terminals A1 and A2 in the first surface acoustic wave filter chip 203 and the signal input / output terminals C1 and C2 of the package material 202 and a signal on the second surface acoustic wave filter chip 204 side. The signal input / output terminals are positioned so that the signal lines connecting the input / output terminals B1 and B2 and the signal input / output terminals D1 and D2 of the package material 202 are located on two straight lines (X, Y) intersecting at substantially right angles to each other. A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, and D2 are arranged. Here, by arranging each signal input / output terminal in this way, inductive coupling between a plurality of signal lines is suppressed, and isolation is improved.

他方、下記の特許文献２には、図１３に示す分波器パッケージが開示されている。ここでは、多層構造の分波器パッケージ２１１内に、第１，第２の弾性表面波フィルタチップ２１２，２１３が収納されている。そして、分波器パッケージ２１１内には、位相整合器を構成するためにストリップ線路２１４，２１５が埋設されている。ストリップ線路２１４，２１５の特性インピーダンス値を分波器パッケージに接続される外部回路の特性インピーダンス値よりも大きくすることにより、また、一方の弾性表面波フィルタチップに対して、パッケージに少なくとも２個以上の接地用端子を設けることにより、減衰量の改善が図られている。   On the other hand, Patent Document 2 below discloses a duplexer package shown in FIG. Here, first and second surface acoustic wave filter chips 212 and 213 are housed in a duplexer package 211 having a multilayer structure. In the duplexer package 211, strip lines 214 and 215 are embedded to form a phase matching device. By making the characteristic impedance value of the strip lines 214 and 215 larger than the characteristic impedance value of the external circuit connected to the duplexer package, and at least two or more in the package with respect to one surface acoustic wave filter chip By providing the grounding terminal, the amount of attenuation is improved.

下記の特許文献３に記載の弾性表面波分波器では、第１，第２の弾性表面波フィルタが構成された弾性表面波チップが、パッケージ内に収納されている。ここでは、第１，第２の弾性表面波フィルタが、ボンディングワイヤによりパッケージに構成された端子電極に電気的に接続されている。この弾性表面波分波器では、第１の弾性表面波フィルタにおいて、信号端子に接続されるボンディングワイヤと、接地端子と接続されるボンディングワイヤとが交差されており、それによってアイソレーション及び減衰量の改善が図られている。
特開平５−１６７３８９号公報 特開平８−１８３９３号公報 特開２００３−５１７３１号公報 In the surface acoustic wave duplexer described in Patent Document 3 below, a surface acoustic wave chip in which first and second surface acoustic wave filters are configured is housed in a package. Here, the 1st, 2nd surface acoustic wave filter is electrically connected to the terminal electrode comprised by the package with the bonding wire. In this surface acoustic wave duplexer, in the first surface acoustic wave filter, the bonding wire connected to the signal terminal and the bonding wire connected to the ground terminal cross each other, thereby isolating and attenuating. Improvements are being made.
JP-A-5-167389 JP-A-8-18393 JP 2003-51731 A

特許文献１に記載の構成では、第１，第２の弾性表面波フィルタチップの信号線同士を上記のように配置することにより、互いの誘導結合が抑えられているが、この構成では、相互誘導をある程度抑えることはできるものの、十分ではなかった。そのため、弾性表面波分波器２０１では、第１，第２の弾性表面波フィルタチップ間のアイソレーションはなお十分ではなかった。   In the configuration described in Patent Document 1, the mutual inductive coupling is suppressed by arranging the signal lines of the first and second surface acoustic wave filter chips as described above. Although induction could be suppressed to some extent, it was not enough. For this reason, in the surface acoustic wave duplexer 201, the isolation between the first and second surface acoustic wave filter chips is still insufficient.

また、第１，第２の弾性表面波フィルタチップの実装ずれが生じた場合、減衰量及びアイソレーション特性の劣化が大きくなるという問題もあった。   In addition, when mounting displacement of the first and second surface acoustic wave filter chips occurs, there is a problem in that the attenuation amount and the isolation characteristic are greatly deteriorated.

他方、特許文献２に記載の構成では、インダクタ成分が小さいフリップチップボンディング方式のパッケージ構造に適用した場合には、インダクタ成分が小さいため、減衰量を十分に改善することはできなかった。   On the other hand, in the configuration described in Patent Document 2, when applied to a flip-chip bonding type package structure having a small inductor component, the amount of attenuation cannot be sufficiently improved because the inductor component is small.

また、特許文献３に記載の弾性表面波分波器は、ボンディングワイヤを交差させることにより、相互誘導による電流の打ち消しが果たされている。しかしながら、ボンディングワイヤを用いた構造であるため、弾性表面波分波器の小型化を図るのが困難であった。   In addition, the surface acoustic wave duplexer described in Patent Document 3 cancels current by mutual induction by crossing bonding wires. However, since the structure uses a bonding wire, it is difficult to reduce the size of the surface acoustic wave duplexer.

本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、バンプを用いてフリップチップボンディング方式で弾性表面波フィルタチップがパッケージ材に搭載されており、従って小型化を進めることができ、さらに第１，第２の弾性表面波フィルタチップ間のアイソレーションをより一層改善でき、良好な減衰特性を有し、また、弾性表面波フィルタチップの実装ずれによる特性の変化が小さい弾性表面波分波器を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter chip mounted on a package material by a flip chip bonding method using bumps in view of the current state of the prior art described above. A surface acoustic wave duplexer that can further improve the isolation between the second surface acoustic wave filter chips, has a good attenuation characteristic, and has a small change in characteristics due to mounting displacement of the surface acoustic wave filter chip. It is to provide.

本願発明は、中心周波数が相対的に低い第１の弾性表面波フィルタチップと、中心周波数が相対的に高い第２の弾性表面波フィルタチップとが、第１，第２の弾性表面波フィルタチップに設けられた複数のバンプを利用して、パッケージ材のチップ搭載面の配線パターンに接合されている弾性表面波分波器であって、複数のＳＡＷ共振子が構成されており、かつ下面に複数のバンプを有する第１の弾性表面波フィルタチップと、複数のＳＡＷ共振子が構成されており、かつ下面に複数のバンプを有する第２の弾性表面波フィルタチップと、前記第１，第２の弾性表面波フィルタチップが、前記複数のバンプを用いて接合されるパッケージ材とを備え、前記パッケージ材のチップ搭載面には、第２の弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される信号配線パターンと、前記第２の弾性表面波フィルタチップにおける出力端に最も近いＳＡＷ共振子のグラウンド電位に接続されるグラウンド配線パターンとが少なくとも形成されており、かつ前記信号配線パターン及びグラウンド配線パターンにそれぞれ接続されており、前記パッケージ材の少なくとも一部を貫通している信号ビアホール電極及びグラウンドビアホール電極が設けられており、前記信号ビアホール電極と、前記グラウンドビアホール電極との間の距離が、前記パッケージ材に構成されており、かつ異なる電位に接続されるビアホール電極間の距離のうち最小であることを特徴とする、弾性表面波分波器である。   In the present invention, a first surface acoustic wave filter chip having a relatively low center frequency and a second surface acoustic wave filter chip having a relatively high center frequency are first and second surface acoustic wave filter chips. A surface acoustic wave duplexer that is bonded to a wiring pattern on a chip mounting surface of a package material using a plurality of bumps provided on the substrate, and includes a plurality of SAW resonators on the bottom surface. A first surface acoustic wave filter chip having a plurality of bumps; a second surface acoustic wave filter chip having a plurality of SAW resonators and having a plurality of bumps on the lower surface; The surface acoustic wave filter chip includes a package material bonded using the plurality of bumps, and the chip mounting surface of the package material is connected to the output end of the second surface acoustic wave filter chip. And at least a ground wiring pattern connected to the ground potential of the SAW resonator closest to the output end of the second surface acoustic wave filter chip, and the signal wiring pattern and the ground wiring A signal via hole electrode and a ground via hole electrode that are respectively connected to the pattern and pass through at least a part of the package material are provided, and a distance between the signal via hole electrode and the ground via hole electrode is The surface acoustic wave duplexer is characterized in that it is the smallest among the distances between via-hole electrodes that are configured in the package material and are connected to different potentials.

本発明に係る弾性表面波装置では、上記第１，第２の弾性表面波フィルタチップは、それぞれ個別のチップとして構成されてもよいが、本発明においては、第１，第２の弾性表面波フィルタチップは統合されて１つのチップで構成されていてもよい。   In the surface acoustic wave device according to the present invention, the first and second surface acoustic wave filter chips may be configured as individual chips, but in the present invention, the first and second surface acoustic wave devices are provided. The filter chip may be integrated and configured as one chip.

本発明に係る弾性表面波分波器では、パッケージ材のチップ搭載面に、第２の弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される信号配線パターンと、第２の弾性表面波フィルタチップにおける出力端に最も近いＳＡＷ共振子のグラウンド電位に接続されるグラウンド配線パターンとが形成されており、信号配線パターン及びグラウンド配線パターンに、パッケージ材の少なくとも一部を貫通している信号ビアホール電極及びグラウンドビアホール電極がそれぞれ接続されており、信号ビアホール電極と、グラウンドビアホール電極との間の距離が、パッケージ材に構成されておりかつ異なる電位に接続されるビアホール電極間の距離のうち最小であるため、第１の発明と同様に、第１の弾性表面波フィルタチップを流れる電流による磁束が上記信号配線パターンとグラウンド配線パターンとが設けられている領域を通過することによる影響を抑制することができる。従って、第２の弾性表面波フィルタチップの通過帯域外におけるアイソレーションを改善することができ、第２の弾性表面波フィルタの周波数特性を大幅に改善することが可能となる。   In the surface acoustic wave duplexer according to the present invention, the signal wiring pattern connected to the output end of the second surface acoustic wave filter chip on the chip mounting surface of the package material, and the output of the second surface acoustic wave filter chip A ground wiring pattern connected to the ground potential of the SAW resonator closest to the end, and a signal via hole electrode and a ground via hole penetrating at least part of the package material in the signal wiring pattern and the ground wiring pattern The electrodes are connected to each other, and the distance between the signal via-hole electrode and the ground via-hole electrode is the smallest of the distances between the via-hole electrodes configured in the package material and connected to different potentials. As in the first aspect, the magnetic flux generated by the current flowing through the first surface acoustic wave filter chip is increased. It is possible to suppress the effect of passing through the region where the signal wiring pattern and the ground wiring pattern is provided. Therefore, the isolation outside the pass band of the second surface acoustic wave filter chip can be improved, and the frequency characteristics of the second surface acoustic wave filter can be greatly improved.

以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の参考例としての弾性表面波分波器を説明するための模式的分解斜視図及び正面断面図である。また、図２は、本参考例の弾性表面波分波器の回路構成を示す図である。   FIGS. 1A and 1B are a schematic exploded perspective view and a front sectional view for explaining a surface acoustic wave duplexer as a reference example of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of the surface acoustic wave duplexer according to this reference example.

図２に示すように、弾性表面波分波器１は、アンテナＡＮＴに接続されるアンテナ接続端子２を有する。アンテナ接続端子２に接続されるように、第１の弾性表面波フィルタチップとしての送信側弾性表面波フィルタチップ３と、第２の弾性表面波フィルタチップとしての受信側弾性表面波フィルタチップ４とが接続されている。なお、アンテナ接続端子２と、受信側弾性表面波フィルタチップ４との間には、位相整合素子５が接続されている。   As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave duplexer 1 has an antenna connection terminal 2 connected to an antenna ANT. A transmission-side surface acoustic wave filter chip 3 as a first surface acoustic wave filter chip and a reception-side surface acoustic wave filter chip 4 as a second surface acoustic wave filter chip so as to be connected to the antenna connection terminal 2 Is connected. A phase matching element 5 is connected between the antenna connection terminal 2 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 4.

各弾性表面波フィルタチップ３，４は、図示のように、複数のＳＡＷ共振子を梯子型回路を構成するように接続した構造を有する。より具体的には、弾性表面波フィルタチップ３，４は、それぞれ、直列腕共振子としてのＳＡＷ共振子Ｓ１〜Ｓ６，Ｓ７〜Ｓ１０、及び並列腕共振子としてのＳＡＷ共振子Ｐ１〜Ｐ２，Ｐ３〜Ｐ５を有する。   Each of the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 has a structure in which a plurality of SAW resonators are connected so as to form a ladder circuit, as shown in the figure. More specifically, the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 include SAW resonators S1 to S6 and S7 to S10 as series arm resonators and SAW resonators P1 to P2 and P3 as parallel arm resonators, respectively. ~ P5.

図２において、弾性表面波フィルタチップ３，４のＡＮＴ端子２とは反対側の信号端子が、それぞれ、送信側信号端子６及び受信側信号端子７である。   In FIG. 2, the signal terminals on the side opposite to the ANT terminal 2 of the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 are a transmission side signal terminal 6 and a reception side signal terminal 7, respectively.

なお、本明細書においては、受信側弾性表面波フィルタチップ４の複数のＳＡＷ共振子のうち、受信側信号端子７に最も近く、かつ一端がグラウンド電位に接続されるＳＡＷ共振子Ｐ５のグラウンド電位に接続されるパッケージ材の電極構造が問題となる。すなわち、本発明において、第２のＳＡＷフィルタチップの最も出力側に近いＳＡＷ共振子のグラウンド電位とは、図２のＳＡＷ共振子Ｐ５のグラウンド電位を示すものとする。   In the present specification, among the plurality of SAW resonators of the reception-side surface acoustic wave filter chip 4, the ground potential of the SAW resonator P5 that is closest to the reception-side signal terminal 7 and has one end connected to the ground potential. The electrode structure of the package material connected to the substrate becomes a problem. That is, in the present invention, the ground potential of the SAW resonator closest to the output side of the second SAW filter chip is the ground potential of the SAW resonator P5 in FIG.

図１（ｂ）に示すように、弾性表面波分波器１では、パッケージ材８の上方に凹部８ａが形成されている。本発明では、パッケージ材のチップ搭載面８ｂに送信側弾性表面波フィルタチップ３及び受信側弾性表面波フィルタチップ４が搭載されるが、ここでパッケージ材８のチップ搭載面８ｂとは、凹部８ａの底面である。なお、本発明においては、凹部８ａを有しない平板状のパッケージ材を用いてもよい。   As shown in FIG. 1B, in the surface acoustic wave duplexer 1, a recess 8 a is formed above the package material 8. In the present invention, the transmitting-side surface acoustic wave filter chip 3 and the receiving-side surface acoustic wave filter chip 4 are mounted on the chip mounting surface 8b of the package material. Here, the chip mounting surface 8b of the package material 8 is the recess 8a. It is the bottom. In the present invention, a flat package material having no recess 8a may be used.

弾性表面波分波器１では、パッケージ材８の上記凹部８ａを閉成するように蓋材９が取り付けられている。   In the surface acoustic wave duplexer 1, a lid member 9 is attached so as to close the concave portion 8 a of the package material 8.

弾性表面波分波器１では、送信側弾性表面波フィルタチップ３及び受信側弾性表面波フィルタチップ４は、略図的に示す複数のバンプ１０，１１を用いて、パッケージ材８のチップ搭載面８ｂに設けられた後述の各種配線パターンに電気的に接続され、かつ弾性表面波フィルタチップ３，４がパッケージ材８のチップ搭載面８ｂに接合されている。   In the surface acoustic wave duplexer 1, the transmission-side surface acoustic wave filter chip 3 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 4 use a plurality of bumps 10 and 11 that are schematically shown to provide a chip mounting surface 8 b of the package material 8. The surface acoustic wave filter chips 3 and 4 are electrically connected to various wiring patterns, which will be described later, and are bonded to the chip mounting surface 8 b of the package material 8.

なお、図２における位相整合素子５は、図１（ｂ）に示すストリップ線路１２，１３により構成されている。ストリップ線路１２，１３はパッケージ材８に埋設されており、ビアホール電極１４，１５により受信側弾性表面波フィルタチップ４に電気的に接続されている。   Note that the phase matching element 5 in FIG. 2 includes strip lines 12 and 13 shown in FIG. The strip lines 12 and 13 are embedded in the package material 8 and are electrically connected to the reception-side surface acoustic wave filter chip 4 by via-hole electrodes 14 and 15.

ところで、この種の弾性表面波分波器１では、送信側弾性表面波フィルタチップ３と受信側弾性表面波フィルタチップ４とが近接配置されている。従って、送信側弾性表面波フィルタチップ３を流れる電流により生じた磁束が受信側弾性表面波フィルタチップ４側を通過する。より具体的には、受信側弾性表面波フィルタチップ４の主面及びパッケージ材８のチップ搭載面８ｂと直交する方向に通過する。従って、このような磁束により受信側弾性表面波フィルタチップ４の周波数特性が劣化し、かつ弾性表面波フィルタチップ３，４間のアイソレーションが劣化するという問題があった。   By the way, in this type of surface acoustic wave duplexer 1, the transmission-side surface acoustic wave filter chip 3 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 4 are arranged close to each other. Therefore, the magnetic flux generated by the current flowing through the transmission surface acoustic wave filter chip 3 passes through the reception surface acoustic wave filter chip 4 side. More specifically, it passes in a direction orthogonal to the main surface of the reception-side surface acoustic wave filter chip 4 and the chip mounting surface 8 b of the package material 8. Therefore, there is a problem that the frequency characteristics of the reception-side surface acoustic wave filter chip 4 deteriorate due to such magnetic flux, and the isolation between the surface acoustic wave filter chips 3 and 4 deteriorates.

本参考例の弾性表面波分波器１では、このような磁束による特性の劣化を防止するために、パッケージ材８のチップ搭載面８ｂに形成されている配線パターンの形状が改良されている。これを図１（ａ）、図３及び図４を併せて参照することにより説明する。   In the surface acoustic wave duplexer 1 of this reference example, the shape of the wiring pattern formed on the chip mounting surface 8b of the package material 8 is improved in order to prevent such deterioration of characteristics due to magnetic flux. This will be described with reference to FIGS. 1A, 3 and 4 together.

図１（ａ）は、上記受信側弾性表面波フィルタチップ４をパッケージ材８のチップ搭載面８ｂに実装する部分を模式的に示す分解斜視図である。また、弾性表面波フィルタチップ４の下面には、図３に示す各種電極が設けられている。すなわち、弾性表面波チップ４の下面４ａ上には、図２に示したＳＡＷ共振子Ｓ７〜Ｓ１０，Ｐ３〜Ｐ５が構成されている。各ＳＡＷ共振子Ｓ７〜Ｓ１０，Ｐ３〜Ｐ５は、１ポート型ＳＡＷ共振子により構成されており、ＩＤＴ（インターデジタル電極）の表面波伝搬方向両側にそれぞれ反射器が設けられた構造を有する。また、弾性表面波フィルタチップ４の下面４ａには、電極パッド１６ａ〜１６ｇが形成されている。電極パッド１６ａ〜１６ｇには、図３では図示していないが、それぞれ金属バンプが設けられている。この金属バンプは、例えば図１（ｂ）に略図的に示す金属バンプ１０に相当し、弾性表面波フィルタチップ４の下面４ａから下方に突出される。   FIG. 1A is an exploded perspective view schematically showing a portion where the receiving-side surface acoustic wave filter chip 4 is mounted on the chip mounting surface 8 b of the package material 8. Various electrodes shown in FIG. 3 are provided on the lower surface of the surface acoustic wave filter chip 4. That is, the SAW resonators S7 to S10 and P3 to P5 shown in FIG. 2 are configured on the lower surface 4a of the surface acoustic wave chip 4. Each of the SAW resonators S7 to S10 and P3 to P5 is composed of a 1-port SAW resonator and has a structure in which reflectors are provided on both sides of the IDT (interdigital electrode) in the surface wave propagation direction. Further, electrode pads 16 a to 16 g are formed on the lower surface 4 a of the surface acoustic wave filter chip 4. Although not shown in FIG. 3, each of the electrode pads 16a to 16g is provided with a metal bump. This metal bump corresponds to, for example, the metal bump 10 schematically shown in FIG. 1B, and protrudes downward from the lower surface 4 a of the surface acoustic wave filter chip 4.

他方、パッケージ材８のチップ搭載面８ｂ上には、上記金属バンプに接合される部分に、複数の配線パターンが形成されている。すなわち、図１（ａ）及び図４に示すように、アンテナ側信号配線パターン２２、アンテナ側グラウンド配線パターン２１、段間グラウンド配線パターン２３、受信側信号配線パターン２４及び受信側グラウンド配線パターン２５が形成されている。   On the other hand, on the chip mounting surface 8 b of the package material 8, a plurality of wiring patterns are formed at a portion to be joined to the metal bump. That is, as shown in FIGS. 1A and 4, the antenna-side signal wiring pattern 22, the antenna-side ground wiring pattern 21, the inter-stage ground wiring pattern 23, the receiving-side signal wiring pattern 24, and the receiving-side ground wiring pattern 25 are provided. Is formed.

本参考例の特徴は、受信側信号配線パターン２４及び受信側グラウンド配線パターン２５の構造にある。   The feature of this reference example is the structure of the reception side signal wiring pattern 24 and the reception side ground wiring pattern 25.

受信側信号配線パターン２４は、図２に示した受信側信号端子７、すなわち図３に示した電極パッド１６ｄ上の金属バンプに接合される部分である。他方、受信側グラウンド配線パターン２５は、図２のＳＡＷ共振子Ｐ５のグラウンド電位、すなわち図３の電極パッド１６ｅ〜１６ｇに設けられた各バンプに接合される部分である。   The reception-side signal wiring pattern 24 is a portion bonded to the reception-side signal terminal 7 shown in FIG. 2, that is, a metal bump on the electrode pad 16d shown in FIG. On the other hand, the receiving-side ground wiring pattern 25 is a portion bonded to the ground potential of the SAW resonator P5 in FIG. 2, that is, the bumps provided on the electrode pads 16e to 16g in FIG.

なお、図４に一点鎖線Ｂで示す部分には、図１（ｂ）に示した送信側弾性表面波フィルタチップ３に接続される各種配線パターンが形成される。   Note that various wiring patterns connected to the transmission-side surface acoustic wave filter chip 3 shown in FIG. 1B are formed in the portion indicated by the alternate long and short dash line B in FIG.

弾性表面波分波器１では、パッケージ材８に、複数のビアホール電極Ｖ１〜Ｖ９が形成されている。ビアホール電極Ｖ１〜Ｖ９は、それぞれ、上端が配線パターン２１〜２５のいずれかに接続されている。ビアホール電極Ｖ１〜Ｖ９は、本参考例では、パッケージ材８の少なくとも一部を貫通するように、すなわちチップ搭載面８ｂに直交する方向に延ばされている。アンテナ信号配線パターン２２に接続するＶ４は、前述したストリップ線路１２，１３に電気的に接続されている。その他のビアホール電極は、パッケージ材８の下面に至るように形成されている。そして、パッケージ材８の下面に形成された外部接続電極に電気的に接続されている。   In the surface acoustic wave duplexer 1, a plurality of via-hole electrodes V <b> 1 to V <b> 9 are formed on the package material 8. The upper ends of the via-hole electrodes V1 to V9 are connected to any one of the wiring patterns 21 to 25, respectively. In this reference example, the via-hole electrodes V1 to V9 are extended through at least a part of the package material 8, that is, in a direction orthogonal to the chip mounting surface 8b. V4 connected to the antenna signal wiring pattern 22 is electrically connected to the strip lines 12 and 13 described above. The other via hole electrodes are formed so as to reach the lower surface of the package material 8. Then, it is electrically connected to an external connection electrode formed on the lower surface of the package material 8.

ところで、受信側グラウンド配線パターン２５には、複数のビアホール電極Ｖ７〜Ｖ９が電気的に接続されている。従って、弾性表面波分波器１は、グラウンドの強化がビアホール電極Ｖ７〜Ｖ９で図られるという利点も有する。   Incidentally, a plurality of via-hole electrodes V7 to V9 are electrically connected to the reception-side ground wiring pattern 25. Therefore, the surface acoustic wave duplexer 1 also has an advantage that ground enhancement is achieved by the via-hole electrodes V7 to V9.

上述したように、弾性表面波分波器１では、送信側弾性表面波チップ３と、受信側弾性表面波フィルタチップ４とが近接配置されている。従って、動作時に、送信側弾性表面波フィルタチップ３及びパッケージ材８上の送信側弾性表面波フィルタチップ３と電気的に接続されている電極部分を流れる電気信号により、磁束が発生する。この磁束が、受信側弾性表面波フィルタチップ４並びにパッケージ材８のチップ搭載面８ｂにおける上記配線パターン２１〜２５が設けられている部分を、チップ搭載面８ｂと直交する方向に通過する。   As described above, in the surface acoustic wave duplexer 1, the transmission-side surface acoustic wave chip 3 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 4 are disposed close to each other. Accordingly, during operation, magnetic flux is generated by an electrical signal flowing through an electrode portion electrically connected to the transmission-side surface acoustic wave filter chip 3 and the transmission-side surface acoustic wave filter chip 3 on the package material 8. This magnetic flux passes through a portion of the receiving surface acoustic wave filter chip 4 and the chip mounting surface 8b of the package material 8 where the wiring patterns 21 to 25 are provided in a direction perpendicular to the chip mounting surface 8b.

弾性表面波分波器１では、磁束が、特に受信側信号配線パターン２４及び受信側グラウンド配線パターン２５が設けられている部分を通過することによりアイソレーションが悪化する。そこで、本参考例では、受信側信号配線パターン２４が、図１（ａ）及び図４に示すように、略コの字状の形状を有するように折り曲げられ、それによって受信側信号配線パターン２４が受信側グラウンド配線パターン２５に近接する配線パターン部分を有するように構成されている。そのため、受信側信号配線パターン２４と受信側グラウンド配線パターン２５との間の部分においてチップ搭載面８ｂに垂直な方向に通過する磁束の影響を抑制することが可能とされている。   In the surface acoustic wave duplexer 1, the isolation deteriorates when the magnetic flux passes through a portion where the reception-side signal wiring pattern 24 and the reception-side ground wiring pattern 25 are provided. Therefore, in this reference example, the reception-side signal wiring pattern 24 is bent so as to have a substantially U-shape as shown in FIGS. Has a wiring pattern portion close to the reception-side ground wiring pattern 25. Therefore, it is possible to suppress the influence of the magnetic flux passing in the direction perpendicular to the chip mounting surface 8b in the portion between the reception side signal wiring pattern 24 and the reception side ground wiring pattern 25.

これを、従来例に相当する図５の配線パターンの平面形状と比較して説明することとする。図５は、比較のために用意したパッケージ材２２０の模式的平面図である。ここでは、パッケージ材８のチップ搭載面８ｂと同様にパッケージ材２２０のチップ搭載面に、アンテナ側信号配線パターン２２２、アンテナ側グラウンド配線パターン２２１、段間グラウンド配線パターン２２３、受信側信号配線パターン２２４及び受信側グラウンド配線パターン２２５が形成されている。もっとも、受信側信号配線パターン２２４は、配線パターン２２２，２２３と同様に、隣接する配線パターンから隔てられて配置されており、図５から明らかなように、受信側信号配線パターン２２４は略直線状の形状を有する。   This will be described in comparison with the planar shape of the wiring pattern of FIG. 5 corresponding to the conventional example. FIG. 5 is a schematic plan view of a package material 220 prepared for comparison. Here, the antenna side signal wiring pattern 222, the antenna side ground wiring pattern 221, the interstage ground wiring pattern 223, and the reception side signal wiring pattern 224 are formed on the chip mounting surface of the package material 220 in the same manner as the chip mounting surface 8b of the package material 8. In addition, a reception-side ground wiring pattern 225 is formed. However, like the wiring patterns 222 and 223, the reception-side signal wiring pattern 224 is arranged so as to be separated from the adjacent wiring patterns. As is apparent from FIG. 5, the reception-side signal wiring pattern 224 is substantially linear. It has the shape of

これに対して、本参考例の弾性表面波分波器１では、受信側信号配線パターン２４が略コの字状の形状を有するように折り曲げられ、受信側グラウンド配線パターン２５に近接されている。   On the other hand, in the surface acoustic wave duplexer 1 of this reference example, the reception-side signal wiring pattern 24 is bent so as to have a substantially U-shape and is close to the reception-side ground wiring pattern 25. .

より具体的には、図４に示すように、本参考例では、受信側信号配線パターン２４は、受信側グラウンド配線パターン２５と対向している部分において、受信側グラウンド配線パターン２５の端縁と平行に延びる直線状の第１の配線パターン部分２４ａと、第１の配線パターン部分２４ａの両側から、第１の配線パターン部分２４ａと略直交する方向にかつ受信側グラウンド配線パターン２５と遠ざかる方向に折り曲げられた第２，第３の配線パターン部分２４ｂ，２４ｃとを有する。なお、第２，第３の配線パターン部分２４ｂ，２４ｃは、第１の配線パターン部分２４ａと直交する必要は必ずしもなく、９０°以外の角度をなすように折り曲げられて構成されていてもよい。   More specifically, as shown in FIG. 4, in the present reference example, the reception-side signal wiring pattern 24 is arranged at the portion facing the reception-side ground wiring pattern 25 and the edge of the reception-side ground wiring pattern 25. A linear first wiring pattern portion 24a extending in parallel, and in a direction substantially perpendicular to the first wiring pattern portion 24a and away from the receiving-side ground wiring pattern 25 from both sides of the first wiring pattern portion 24a. It has bent second and third wiring pattern portions 24b and 24c. The second and third wiring pattern portions 24b and 24c do not necessarily have to be orthogonal to the first wiring pattern portion 24a, and may be configured to be bent at an angle other than 90 °.

パッケージ材８を用いた本参考例の弾性表面波分波器１及び図５に示したパッケージ材２２０を用いたことを除いては、同様に構成された比較例の弾性表面波分波器の受信側の弾性表面波フィルタチップの周波数特性を図６に示す。図６の実線が参考例における結果を、破線が上記比較例の結果を示す。   Except for using the surface acoustic wave duplexer 1 of the present reference example using the package material 8 and the package material 220 shown in FIG. 5, the surface acoustic wave duplexer of the comparative example having the same configuration is used. FIG. 6 shows frequency characteristics of the surface acoustic wave filter chip on the receiving side. The solid line in FIG. 6 shows the result in the reference example, and the broken line shows the result in the comparative example.

また、図７は、上記参考例及び比較例の弾性表面波分波器におけるアイソレーション特性を示す図であり、実線が参考例の結果を、破線が比較例の結果を示す。なお、弾性表面波分波器のＴｘ通過帯域は、８２４〜８４９ＭＨｚであり、Ｒｘ通過帯域は、８６９〜８９４ＭＨｚである。   FIG. 7 is a diagram showing the isolation characteristics in the surface acoustic wave duplexers of the reference example and the comparative example. The solid line shows the result of the reference example, and the broken line shows the result of the comparative example. The surface acoustic wave duplexer has a Tx passband of 824 to 849 MHz and an Rx passband of 869 to 894 MHz.

図６及び図７から明らかなように、比較例の弾性表面波分波器に比べて、本参考例の弾性表面波分波器では、アイソレーション特性が受信側弾性表面波フィルタの通過帯域外で良好とされており、従って受信側弾性表面波フィルタチップにおける周波数特性において帯域外減衰量が十分な大きさとされていることがわかる。これは、上記のように、受信側信号配線パターン２４が、受信側グラウンド配線パターン２５側に近接され、両者の間の部分を通過する前述した磁束の影響を抑制し得ることによると考えられる。   As apparent from FIGS. 6 and 7, the surface acoustic wave duplexer of this reference example has an isolation characteristic outside the passband of the surface acoustic wave filter on the reception side as compared with the surface acoustic wave duplexer of the comparative example. Therefore, it can be seen that the out-of-band attenuation is sufficiently large in the frequency characteristics of the receiving surface acoustic wave filter chip. This is considered to be due to the fact that the reception-side signal wiring pattern 24 is close to the reception-side ground wiring pattern 25 side as described above, and the influence of the magnetic flux passing through the portion between them can be suppressed.

図８は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波分波器のパッケージ材の上面の配線パターンの構造を示す模式的平面図であり、参考例について示した図４に相当する図である。なお、その他の構造については、第１の実施形態の弾性表面波分波器は、参考例の弾性表面波分波器と同様であるため、参考例の説明を援用することとする。   FIG. 8 is a schematic plan view showing the structure of the wiring pattern on the upper surface of the package material of the surface acoustic wave duplexer according to the first embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. 4 showing the reference example. It is. In addition, about the other structure, since the surface acoustic wave duplexer of 1st Embodiment is the same as the surface acoustic wave duplexer of a reference example, suppose that description of a reference example is used.

第１の実施形態の弾性表面波分波器では、パッケージ材８のチップ搭載面８ｂ上に、参考例の場合と同様に、アンテナ側信号配線パターン２２、アンテナ側グラウンド配線パターン２１、段間グラウンド配線パターン２３、受信側グラウンド配線パターン２５が配置されている。もっとも、参考例では、コの字状の受信側信号配線パターン２４が形成されていたのに対し、第１の実施形態では、受信側信号配線パターン３１は、コの字状の形状を有せず、直線状の形状を有する。   In the surface acoustic wave duplexer of the first embodiment, the antenna-side signal wiring pattern 22, the antenna-side ground wiring pattern 21, and the interstage ground are formed on the chip mounting surface 8b of the package material 8 as in the case of the reference example. A wiring pattern 23 and a reception-side ground wiring pattern 25 are arranged. However, in the reference example, the U-shaped reception-side signal wiring pattern 24 is formed, whereas in the first embodiment, the reception-side signal wiring pattern 31 does not have a U-shape. It has a linear shape.

また、受信側信号配線パターン３１に接続されているビアホール電極Ｖ６と、受信側グラウンド配線パターン２５に接続されているビアホール電極Ｖ７〜Ｖ９のうちビアホール電極Ｖ６にもっとも近接しているビアホール電極Ｖ７との間の距離Ｒは、受信側弾性表面波フィルタチップ４に電気的に接続されるビアホール電極Ｖ１〜Ｖ９において、異なる電位に接続されるビアホール電極間の距離のうち最小とされている。なお、他の異なる電位に接続される隣接する一対のビアホール電極間のうち、少なくとも一対のビアホール電極間の距離が、ビアホール電極Ｖ６とビアホール電極Ｖ７との間の距離と同等であってもよい。   Further, the via-hole electrode V6 connected to the reception-side signal wiring pattern 31 and the via-hole electrode V7 closest to the via-hole electrode V6 among the via-hole electrodes V7 to V9 connected to the reception-side ground wiring pattern 25 The distance R between them is the smallest of the distances between the via-hole electrodes connected to different potentials in the via-hole electrodes V1 to V9 electrically connected to the reception-side surface acoustic wave filter chip 4. Of the pair of adjacent via hole electrodes connected to other different potentials, at least the distance between the pair of via hole electrodes may be equal to the distance between the via hole electrode V6 and the via hole electrode V7.

本実施形態では、ビアホール電極Ｖ６とビアホール電極Ｖ７との距離が上記のように短くされているため、前述した磁束が受信側信号配線パターン３１と、受信側グラウンド配線パターン２５との間の部分を通過することが抑制される。これは、ビアホール電極Ｖ６及びＶ７が、パッケージ材８のチップ搭載面８ｂから少なくともパッケージ材８の一部を貫通するように、本実施形態ではパッケージ材８の下面８ｃに至るように形成されている。そのため、ビアホール電極Ｖ６，Ｖ７の距離を小さくすることにより、両者の間における上記磁束の影響を抑制し得ることによる。   In the present embodiment, since the distance between the via hole electrode V6 and the via hole electrode V7 is shortened as described above, the above-described magnetic flux passes through the portion between the reception side signal wiring pattern 31 and the reception side ground wiring pattern 25. Passing is suppressed. In this embodiment, the via-hole electrodes V6 and V7 are formed so as to penetrate at least a part of the package material 8 from the chip mounting surface 8b of the package material 8 to reach the lower surface 8c of the package material 8. . Therefore, by reducing the distance between the via-hole electrodes V6 and V7, the influence of the magnetic flux between the two can be suppressed.

このように、送信側弾性表面波フィルタチップ３及び送信側弾性表面波フィルタチップ３に接続されているパッケージ材８の電極を通る信号により生じた磁束の影響は、ビアホール電極Ｖ６とビアホール電極Ｖ７との間の距離Ｒを小さくすることによっても達成され得る。   As described above, the influence of the magnetic flux generated by the signal passing through the electrodes on the transmission-side surface acoustic wave filter chip 3 and the package material 8 connected to the transmission-side surface acoustic wave filter chip 3 is caused by the via hole electrode V6 and the via hole electrode V7. It can also be achieved by reducing the distance R between.

ビアホール電極Ｖ６が、上記のようにビアホール電極Ｖ７に近づけられているため、言い換えれば、受信側信号配線パターン３１は、ビアホール電極Ｖ６が設けられている部分において、受信側グラウンド配線パターン２５に近接されている。すなわち、第１の実施形態の弾性表面波分波器においても、受信側信号配線パターン３１は、受信側グラウンド配線パターン２５に近接されている配線パターン部分をも有するものとなる。   Since the via-hole electrode V6 is close to the via-hole electrode V7 as described above, in other words, the reception-side signal wiring pattern 31 is brought close to the reception-side ground wiring pattern 25 in the portion where the via-hole electrode V6 is provided. ing. That is, also in the surface acoustic wave duplexer of the first embodiment, the reception-side signal wiring pattern 31 also has a wiring pattern portion that is close to the reception-side ground wiring pattern 25.

なお、第１の実施形態では、ビアホール電極Ｖ６を、ビアホール電極Ｖ７と近づければよいため、信号配線パターン３１の形状を複雑な形状とする必要はない。しかしながら、実際には、小型化を図った場合、ビアホール電極Ｖ６とビアホール電極Ｖ７のように、一対のビアホール電極を近接させて形成することは困難である。従って、弾性表面波分波器の小型化を図った場合には、参考例のように、受信側信号配線パターンの一部を受信側グラウンド配線パターン２５に近づけ、ビアホール電極Ｖ６とビアホール電極Ｖ７との距離を第２の実施形態に比べて広げた構造とすることにより、ビアホール電極Ｖ６，Ｖ７の形成が容易となる。よって、ビアホール電極の形成精度を考慮すれば、第１の実施形態に比べて、参考例の構造の方が製造容易であるため有利である。   In the first embodiment, since the via hole electrode V6 may be close to the via hole electrode V7, the shape of the signal wiring pattern 31 does not need to be complicated. However, in actuality, when miniaturization is attempted, it is difficult to form a pair of via-hole electrodes close to each other like the via-hole electrode V6 and the via-hole electrode V7. Therefore, when the surface acoustic wave duplexer is downsized, a part of the reception-side signal wiring pattern is brought close to the reception-side ground wiring pattern 25 as in the reference example, and the via-hole electrode V6 and the via-hole electrode V7 By using a structure in which the distance is increased compared to the second embodiment, the via-hole electrodes V6 and V7 can be easily formed. Therefore, considering the formation accuracy of the via-hole electrode, the structure of the reference example is advantageous because it is easier to manufacture than the first embodiment.

図９は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波分波器を説明するための模式的平面図である。図９は、パッケージ材８のチップ搭載面８ｂ上の電極構造を示す模式的平面図である。   FIG. 9 is a schematic plan view for explaining the surface acoustic wave duplexer according to the second embodiment of the present invention. FIG. 9 is a schematic plan view showing an electrode structure on the chip mounting surface 8 b of the package material 8.

なお、第２の実施形態の弾性表面波分波器は、前述した第１の弾性表面波分波器の変形例に相当する。すなわち、図８に示したように、第１の実施形態では、受信側信号配線パターン３１は略直線状の形状を有し、その外側端においてビアホール電極Ｖ６に接続されていた。第１の実施形態では、略直線状の信号配線パターン３１が形成されていたが、図９に示すように、受信側信号配線パターン３２として、Ｌ字状の信号配線パターンを形成してもよい。この場合においても、受信側信号配線パターン３２の外側端においてビアホール電極Ｖ６に接続されており、ビアホール電極Ｖ６と、受信側グラウンド配線パターン２５に接続されたビアホール電極Ｖ７とが第１の実施形態と同様に異なる電位に接続される一対のビアホール電極間のうち最小距離とされている。従って、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、受信側弾性表面波フィルタにおける減衰量の拡大及びアイソレーションの改善を図ることができる。   Note that the surface acoustic wave duplexer according to the second embodiment corresponds to a modification of the above-described first surface acoustic wave duplexer. That is, as shown in FIG. 8, in the first embodiment, the reception-side signal wiring pattern 31 has a substantially linear shape, and is connected to the via-hole electrode V6 at the outer end thereof. In the first embodiment, the substantially linear signal wiring pattern 31 is formed. However, as shown in FIG. 9, an L-shaped signal wiring pattern may be formed as the reception-side signal wiring pattern 32. . Also in this case, the outer end of the reception-side signal wiring pattern 32 is connected to the via-hole electrode V6, and the via-hole electrode V6 and the via-hole electrode V7 connected to the reception-side ground wiring pattern 25 are the same as those in the first embodiment. Similarly, it is the minimum distance between a pair of via hole electrodes connected to different potentials. Therefore, also in the present embodiment, similarly to the first embodiment, it is possible to increase the attenuation and improve the isolation in the reception-side surface acoustic wave filter.

図１０及び図１１は、上記参考例のさらに他の変形例を説明するための図である。図１０は、本変形例で用いられるパターン材の上面の配線パターンの形状を示す図であり、図１１は、本変形例で用いられる弾性表面波フィルタチップ４の下面の電極形状を示す模式的底面図である。   10 and 11 are diagrams for explaining still another modification of the reference example. FIG. 10 is a diagram showing the shape of the wiring pattern on the upper surface of the pattern material used in this modification, and FIG. 11 is a schematic diagram showing the electrode shape on the lower surface of the surface acoustic wave filter chip 4 used in this modification. It is a bottom view.

参考例では、グラウンド配線パターン２５は１つの電極により形成されていたが、図１０に示すように、受信側グラウンド配線パターン２５が、グラウンド配線パターン２５ａとグラウンド配線パターン２５ｂに分割されていてもよい。すなわち、参考例及び第１の実施形態においても、受信側グラウンド配線パターンは、複数の配線パターンに分割されていてもよい。   In the reference example, the ground wiring pattern 25 is formed by one electrode. However, as shown in FIG. 10, the reception-side ground wiring pattern 25 may be divided into a ground wiring pattern 25a and a ground wiring pattern 25b. . That is, also in the reference example and the first embodiment, the reception-side ground wiring pattern may be divided into a plurality of wiring patterns.

上述してきた実施例及び変形例では、第１，第２の弾性表面波フィルタチップ３，４は別々のチップで構成されていたが、第１，第２の弾性表面波フィルタチップ３，４が統合されて単一のチップとして構成されていてもよい。   In the above-described embodiments and modifications, the first and second surface acoustic wave filter chips 3 and 4 are configured as separate chips. However, the first and second surface acoustic wave filter chips 3 and 4 are different from each other. They may be integrated and configured as a single chip.

（ａ）及び（ｂ）は、参考例に係る弾性表面波分波器を説明するための模式的分解斜視図及び正面断面図である。(A) And (b) is the typical exploded perspective view and front sectional view for explaining the surface acoustic wave duplexer concerning a reference example. 参考例に係る弾性表面波分波器の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the surface acoustic wave duplexer which concerns on a reference example. 参考例に用いられる受信側弾性表面波フィルタチップの下面に形成されている電極構造を示す模式的底面図である。It is a typical bottom view which shows the electrode structure currently formed in the lower surface of the receiving side surface acoustic wave filter chip used for a reference example. 参考例で用いられるパッケージ材の上面の複数の配線パターンを説明するための模式的平面図である。It is a schematic plan view for demonstrating the some wiring pattern of the upper surface of the package material used by a reference example. 比較のために用意した従来の弾性表面波分波器において、パッケージ材の上面に形成されている配線パターンを説明するための模式的平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view for explaining a wiring pattern formed on the upper surface of a package material in a conventional surface acoustic wave duplexer prepared for comparison. 参考例及び比較のために用意された比較例の弾性表面波分波器における、各受信側弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency characteristic of each receiving side surface acoustic wave filter in the surface acoustic wave duplexer of the comparative example prepared for the reference example and the comparison. 参考例及び比較例の弾性表面波分波器におけるアイソレーション特性を示す図である。It is a figure which shows the isolation characteristic in the surface acoustic wave duplexer of a reference example and a comparative example. 本発明の第１の実施形態の弾性表面波分波器のパッケージ材の上面に設けられた複数の配線パターンを説明するための模式的平面図である。It is a typical top view for demonstrating the some wiring pattern provided in the upper surface of the package material of the surface acoustic wave duplexer of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波分波器を説明するための図であり、用いられているパッケージ材の上面の配線パターンを説明するための模式的平面図である。It is a figure for demonstrating the surface acoustic wave duplexer which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and is a schematic plan view for demonstrating the wiring pattern of the upper surface of the used package material. 参考例の変形例に係る弾性表面波分波器で用いられるパッケージ材の上面の配線パターンを説明するための模式的平面図である。It is a typical top view for demonstrating the wiring pattern of the upper surface of the package material used with the surface acoustic wave duplexer which concerns on the modification of a reference example. 図１０に示したパッケージ材の上面に搭載される受信側弾性表面波フィルタチップの底面図である。FIG. 11 is a bottom view of a reception-side surface acoustic wave filter chip mounted on the top surface of the package material shown in FIG. 10. 従来の弾性表面波分波器を説明するための模式的平面断面図である。It is a typical plane sectional view for explaining the conventional surface acoustic wave duplexer. 従来の弾性表面波分波器のさらに他の例を説明するための模式的正面断面図である。It is a typical front sectional view for explaining other examples of the conventional surface acoustic wave duplexer.

Claims (2)

中心周波数が相対的に低い第１の弾性表面波フィルタチップと、中心周波数が相対的に高い第２の弾性表面波フィルタチップとが、第１，第２の弾性表面波フィルタチップに設けられた複数のバンプを利用して、パッケージ材のチップ搭載面の配線パターンに接合されている弾性表面波分波器であって、
複数のＳＡＷ共振子が構成されており、かつ下面に複数のバンプを有する第１の弾性表面波フィルタチップと、
複数のＳＡＷ共振子が構成されており、かつ下面に複数のバンプを有する第２の弾性表面波フィルタチップと、
前記第１，第２の弾性表面波フィルタチップが、前記複数のバンプを用いて接合されるパッケージ材とを備え、
前記パッケージ材のチップ搭載面には、第２の弾性表面波フィルタチップの出力端に接続される信号配線パターンと、前記第２の弾性表面波フィルタチップにおける出力端に最も近いＳＡＷ共振子のグラウンド電位に接続されるグラウンド配線パターンとが少なくとも形成されており、かつ前記信号配線パターン及びグラウンド配線パターンにそれぞれ接続されており、前記パッケージ材の少なくとも一部を貫通している信号ビアホール電極及びグラウンドビアホール電極が設けられており、
前記信号ビアホール電極と、前記グラウンドビアホール電極との間の距離が、前記パッケージ材に構成されており、かつ異なる電位に接続されるビアホール電極間の距離のうち最小であることを特徴とする、弾性表面波分波器。 A first surface acoustic wave filter chip having a relatively low center frequency and a second surface acoustic wave filter chip having a relatively high center frequency are provided in the first and second surface acoustic wave filter chips. A surface acoustic wave duplexer bonded to a wiring pattern on a chip mounting surface of a package material using a plurality of bumps,
A first surface acoustic wave filter chip having a plurality of SAW resonators and having a plurality of bumps on the lower surface;
A second surface acoustic wave filter chip having a plurality of SAW resonators and having a plurality of bumps on the lower surface;
The first and second surface acoustic wave filter chips comprise a package material joined using the plurality of bumps,
The chip mounting surface of the package material has a signal wiring pattern connected to the output end of the second surface acoustic wave filter chip and a ground of the SAW resonator closest to the output end of the second surface acoustic wave filter chip. A signal via hole electrode and a ground via hole that are at least formed in a ground wiring pattern connected to a potential and are connected to the signal wiring pattern and the ground wiring pattern, respectively, and penetrate at least a part of the package material Electrodes are provided,
Elasticity characterized in that the distance between the signal via-hole electrode and the ground via-hole electrode is the smallest among the distances between the via-hole electrodes configured in the package material and connected to different potentials. Surface wave demultiplexer. 前記第１，第２の弾性表面波フィルタチップが統合されて１つのチップで構成されている、請求項１に記載の弾性表面波装置。   The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the first and second surface acoustic wave filter chips are integrated into a single chip.
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