JP2006134928A - 光電変換装置、測光自動焦点用光電変換装置、及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光電変換装置の電源電圧を変更した場合でも、ダイナミックレンジが狭くならず、測定可能な光量範囲及び温度範囲が狭くならず、高い測定精度及び広い測定範囲を実現する。
【解決手段】光電変換装置は、PN接合を用いたフォトダイオード1と、フォトダイオード1で発生した光電流を対数圧縮電圧変換する対数変換部C1と、対数変換部C1の出力を増幅する反転増幅回路C2と、反転増幅回路C2の出力からPN接合のダイオード逆方向飽和電流特性を補正するIs補償回路C3と、Is補償回路C3の出力を増幅する増幅部C4とを有する。増幅部C4は、アナログスイッチ20〜23によりゲイン量とDCオフセット量を規定する複数の抵抗素子15〜19の接続状態を切り替えることにより、基準電圧源4の電源電圧Vcに応じてゲイン量とDCオフセット量を2種類の異なるパターンで切り替える。
【選択図】 図1
【解決手段】光電変換装置は、PN接合を用いたフォトダイオード1と、フォトダイオード1で発生した光電流を対数圧縮電圧変換する対数変換部C1と、対数変換部C1の出力を増幅する反転増幅回路C2と、反転増幅回路C2の出力からPN接合のダイオード逆方向飽和電流特性を補正するIs補償回路C3と、Is補償回路C3の出力を増幅する増幅部C4とを有する。増幅部C4は、アナログスイッチ20〜23によりゲイン量とDCオフセット量を規定する複数の抵抗素子15〜19の接続状態を切り替えることにより、基準電圧源4の電源電圧Vcに応じてゲイン量とDCオフセット量を2種類の異なるパターンで切り替える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光電変換装置、測光自動焦点用光電変換装置、及び撮像装置に係り、特にカメラの測光装置に用いられる自動焦点測光用光電変換装置及び撮像装置に関する。
光電変換装置には、入力光に対して光信号量が線形となるもののほかに、広いダイナミックレンジを得るために光信号を対数に比例した信号に変換して出力するものが知られている。このような対数圧縮光電変換装置として、LOGアンプを利用したものがある。対数圧縮にダイオードを用いる場合、飽和電流Isのばらつきを補償する回路を設けることが一般的であり、Is補償回路をセンサ内蔵の温度計として利用する例もある(例えば、特許文献1参照)。以下、図7を用いて、従来技術について説明する。
図7に示す対数圧縮光電変換装置において、101は光電流に比例した電流を出力するフォトダイオード、102、107、114、及び119はCMOS構成の演算増幅器(以下、「第1〜第4オペアンプ」と呼ぶ)、103及び113はPN接合ダイオードであり、第1及び第3オペアンプ102及び114では、それぞれ出力端子から帰還してダイオード103及び113を介して(−)入力端子に至るフィードバックループを形成している。また、104はフォトダイオード101及び第1〜第4オペアンプ102、107、114、及び119の入力端子に接続される基準電圧源であり、105、106、108、109、115、116、117、及び118は第2〜第4オペアンプ107、114、119のゲイン量及びDC(直流)オフセット量を規定する抵抗素子であり、110、111は第2オペアンプ107の出力端子及び第3オペアンプ114の(−)入力端子間、第3オペアンプ114の(+)入力端子及び基準電圧源104間のオン・オフ切り替え用のCMOSアナログスイッチであり、112は第3オペアンプ114の(−)入力端子に接続される定電流源であり、120は本装置の出力端子である。
フォトダイオード101が成すPN接合は、NPNバイポーラトランジスタのベース、エミッタ、コレクタのうちいずれか2つの端子により形成され、残り1つの端子が半導体基板に接続されている。
フォトダイオード101は、第1オペアンプ102の出力端子から負帰還されてその(−)入力端子にダイオード103を介して接続されてなる対数変換部C1、及び基準電圧源104にそれぞれ接続されている。フォトダイオード101のカソード端子は、第1オペアンプ102の(−)入力端子に接続され、この(−)入力端子の電圧が負帰還をかけた第1オペアンプ102の両入力端子が実質的に同電位になるイマジナリーショート(仮想短絡)により基準電圧源104の基準入力端子の電圧(以下、「Vc」とする)と同電位となっており、アノード端子は、基準電圧源104に接続され、この電圧Vcと同電位、もしくはそれ以下の電圧となり、このようにしてフォトダイオード101はカソード端子側がアノード端子側より電位が高く逆バイアスされた状態で第1オペアンプ102及び基準電圧源104に接続されている。
これによれば、フォトダイオード101に光が入射されると、それに応じた光電流Ipが流れる。この光電流Ipは第1オペアンプ102の出力端子から帰還されてダイオード103のPN接合を介して第1オペアンプ102の(−)入力端子側に供給され、ここからフォトダイオード101及び基準電圧源104の定電圧入力端子へと流れる。このとき、基準電圧源104の定電圧入力端子の基準電圧をVcとし、第1オペアンプ102の出力端子の電圧をV1とすると、電圧V1の出力は次式で表される。
この式で、Isはダイオ−ド101の逆方向飽和電流(ダイオードに逆方向電圧をかけたときに流れる最大電流)、qは電荷素量1.602×10-19(クーロン)、kはボルツマン定数1.38×10-23(J/K)、Tは絶対温度(K)である。
この式から分かるように、フォトダイオード101に接続された対数変換部C1により、電圧V1の出力は、フォトダイオード101における光量/光電流の対数(LOG)に比例したものとなっており、これによりダイナミックレンジの広い特性が得られる。
また、対数変換部C1の後段に接続された抵抗素子105(入力抵抗)、106(帰還抵抗)、及び第2オペアンプ107からなる回路は、反転増幅回路C2である。ここで、抵抗素子105、106の抵抗値をR5、R6とし、第2オペアンプ107の出力端子の電圧(中間電位の出力)をV2とすると、中間電位V2の出力は、次式で表される。
ここで、抵抗素子105、106の抵抗値R5、R6の関係をR5=R6とすると、中間電位V2の出力は、次式で表される。
また、反転増幅回路C2の後段に接続されたダイオード113、第3オペアンプ114、及び定電流源112からなる回路は、上記ダイオード103の逆方向飽和電流Isのばらつきを補償する回路(以下、「Is補償回路C3」と呼ぶ)である。ここで、定電流源112へと流れる電流をIrefとし、第3オペアンプ114の出力端子の電圧(中間電位)をV3とすると、中間電位V3の出力は、次式で表される。
ここで、上記2つのダイオード103及び113の特性が等しいとすると、中間電位V3の出力は、次式で表される。
この式から、対数圧縮された光信号として、上記ダイオード103の逆方向電流飽和電流Isに依存しない中間電位V3の出力が得られる。
また、アナログスイッチ110を開くと、V2=0となるため、中間電位V3の出力は、次式で表される。
この式により、アナログスイッチ110を開いた状態では、絶対温度Tに比例する温度計の検出信号として中間電位V3の出力を利用できる。
さらに、Is補償回路C3の後段に接続された抵抗素子115、116、117、118、及び第4オペアンプ119からなる回路は、上記回路C1〜C3を通じて対数圧縮された光信号および温度計の検出信号として利用される中間電位V3の出力を増幅する増幅部C4である。ここで、抵抗素子115、116、117、及び118の抵抗値をそれぞれR15、R16、R17、及びR18とし、第4オペアンプ119の出力端子の電圧をV4とし、この電圧V4に接続された本装置の出力端子120の電圧をVoutとすると、電圧V4の出力、即ち出力電圧Voutは、次式で表される。
この式において、右辺第一項のV3の係数(傾き)が増幅部C4のゲイン量に、また右辺第二項(切片)が増幅部C4のDC(直流)オフセット量にそれぞれ対応する。
特開2003−243690号公報
しかしながら、上記従来例の対数圧縮光電変換装置では、上記式に示すように増幅部C4のゲイン量及びDCオフセット量が固定されているため、センサの電源電圧を変更した場合に不具合が生じる。例えば、電源電圧を高く変更した場合には、光量あるいは温度に対する出力の傾きは同じであるので測定精度は変わらないものの、電源電圧を低く変更した場合には、ダイナミックレンジが狭くなるので、測定可能な光量範囲及び温度範囲が狭くなる。その結果、従来例の対数圧縮光電変換装置を用いた撮像装置では、高い測定精度及び広い測定範囲を実現困難となっている。
本発明は、このような従来の事情を考慮してなされたもので、光電変換装置の電源電圧を変更した場合でも、ダイナミックレンジが狭くならず、測定可能な光量範囲及び温度範囲が狭くならず、高い測定精度及び広い測定範囲を実現することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、光強度に比例した電流を出力する光電変換部と、PN接合のダイオード特性を用いて前記光電変換部で発生した光電流を対数に比例した電圧に変換する対数変換部および温度測定部と、それらの信号を増幅する増幅手段とからなる光電変換装置において、前記増幅手段のゲイン量及びDCオフセット量を少なくとも2種類の異なるパターンで切り替えられる手段を有することを特徴とする。
本発明による光電変換装置によれば、増幅手段のゲイン量及びDCオフセット量を少なくとも2種類の異なるパターンで切り替える構成としたため、電源電圧が高い場合はゲイン量を大きく、電源電圧が低い場合はゲイン量を小さく、また測定範囲の中心が出力ダイナミックレンジの中心と一致するようDCオフセット量を調整することができる。その結果、本発明による光電変換装置を搭載した撮像装置においては、光電変換装置の電源電圧が変更された場合でも、高い測定精度及び広い測定範囲を実現することが可能になる。
以下、本発明に係る光電変換装置、測光自動焦点用光電変換装置、及び撮像装置の実施の形態について、図1〜図6を用いて説明する。
図1は、本実施例の光電変換装置の全体構成を説明するものである。
図1に示す光電変換装置において、フォトダイオード1、対数変換部C1(第1オペアンプ2、PN接合ダイオード3)、基準電圧源4、反転増幅回路C2(抵抗素子5、6、第2オペアンプ7)、Is補償回路C3(抵抗素子8、9、CMOSアナログスイッチ10、11、定電流源12、ダイオード13、第3オペアンプ14)は、前述した図10に示す従来装置の構成要素101〜114と同一構成であるため、その構成及び動作の説明を省略する。また、これら構成要素1〜14に基づく各段の出力電圧V1〜V3の各計算式については、前述した各式([数1]〜[数6])と同一であるため、その説明を省略する。
図1に示す光電変換装置において、15、16、17、18、19は抵抗素子、20、21、22、23はアナログスイッチ、24は第4オペアンプ、25は出力端子であり、これら構成要素15〜25からなる回路、即ち増幅部C4は、アナログスイッチ20、21、22、23によりゲイン量及びDCオフセット量を規定する抵抗素子15、16、17、18、19を切り替えすることにより、ゲイン量及びDCオフセット量をそれぞれ2つのパターンで切り替え、これによりIs補償回路C3の第3オペアンプ14からの出力電圧V3をゲイン倍及びDCオフセットして出力する正転増幅回路(非反転増幅回路)から構成されている。
図1に示す正転増幅回路から成る増幅部C4においては、第3オペアンプ14の出力V3側に抵抗素子15が接続され、この抵抗素子15に抵抗素子16、17が直列に接続され、抵抗素子17が第4オペアンプ24の出力端子に接続され、抵抗素子15及び抵抗素子16間の接続点と第4オペアンプ24の(−)入力端子との間にアナログスイッチ20が、また抵抗素子16及び抵抗素子17間の接続点と第4オペアンプ24の(−)入力端子との間にアナログスイッチ21がそれぞれ接続されている。また、アナログスイッチ20及び第4オペアンプ24の(−)入力端子間の接続点に抵抗素子18が接続され、抵抗素子18とグランド端子との間に抵抗素子19及びアナログスイッチ22と、アナログスイッチ23とが並列に接続されている。アナログスイッチ20〜23は図示しない制御部(コントローラ)からの開閉制御指令に応じて開閉可能となっている。
このように構成された増幅部C4では、アナログスイッチ20、21のどちらか一方を閉じることで正転増幅回路の(−)入力端子側の抵抗素子15、16、17の接続関係で可変に規定される抵抗値(入力抵抗値及び帰還抵抗値)を調整してゲイン量を選択し、アナログスイッチ22、23のどちらか一方を閉じることで正転増幅回路の(+)入力端子側の抵抗素子18、19の接続関係で可変に規定される抵抗値を調整してDCオフセット量を選択することができる。
例えば、抵抗素子15、16、17、18、19の抵抗値をそれぞれR15、R16、R17、R18、R19とすると、アナログスイッチ20、23を閉じた場合、出力端子25の電圧に対応する第4オペアンプの出力電圧V4は次式で表される。
この式において、右辺第一項のV3の係数(傾き)が増幅部C4のゲイン量に、また右辺第二項(切片)が増幅部C4のDCオフセット量にそれぞれ対応する。
また、アナログスイッチ21、22を閉じた場合、出力電圧V4は次式に表される。
従って、本実施例によれば、アナログスイッチ21〜23の開閉により複数の抵抗素子15〜19の接続状態を変更することにより、正転増幅回路から成る増幅部C4のゲイン量及びDCオフセット量をそれぞれ2種類の異なるパターンで切り替えることができるため、光電変換装置の電源電圧が高い場合はゲイン量を大きく、電源電圧が低い場合はゲイン量を小さく、また測定範囲の中心が出力ダイナミックレンジの中心と一致するようDCオフセット量を調整することができる。その結果、本光電変換装置をカメラに搭載した場合、光電変換装置の電源電圧が変更されたときでも、高い測定精度及び広い測定範囲を実現することが可能になる。
なお、本実施例ではゲイン量とDCオフセット量の切り替えパターンはそれぞれ2つの場合を説明しているが、本発明はこれに限らず、2つ以上であってもよい。例えば、図2に示すように、図1に示す増幅部C4に、追加の抵抗素子16a〜16c、19a〜19eとアナログスイッチ21a〜21d、22a〜22eを繰り返し並列に挿入することでその数量に応じて切り替えパターンを2つ以上に増やすことができる。
図3は、本実施例による光電変換装置の概略回路図を示す。図3において図1に示す実施例1と実質的に同一な構成要素については説明を省略する。
図3に示す光電変換装置において、31、32、33、34、35、36は抵抗素子、37、38、39はアナログスイッチ、40は第4オペアンプ、41は出力端子であり、これら構成要素31〜41からなる回路、即ち増幅部C4は、アナログスイッチ37、38、39によりゲイン量及びDCオフセット量を規定する抵抗素子31〜36を切り替えることにより、ゲイン量及びDCオフセット量をそれぞれ2つのパターンで切り替え、これによりIs補償回路C3の第3オペアンプ14からの出力電圧V3をゲイン倍及びDCオフセットして出力する反転増幅回路から構成されている。
図3に示す正転増幅回路から成る増幅部C4においては、第3オペアンプ14の出力V3側に入力抵抗を成す抵抗素子31が接続され、第4オペアンプ24の(−)入力端子及び出力端子間を接続してなる帰還回路側に、抵抗素子32と、抵抗素子33及びアナログスイッチ33とが互いに並列に接続されている。また、第4オペアンプ24の(+)入力端子と基準電圧源4の基準電圧Vcとの間にアナログスイッチ38、39を介して抵抗素子34、35、36がそれぞれ接続されている。アナログスイッチ37〜39は図示しない制御部(コントローラ)からの開閉制御指令に応じて開閉可能となっている。
このように構成された増幅部C4では、アナログスイッチ37を閉じるか閉じないかで反転増幅回路の(−)入力端子及び出力端子間を接続する帰還回路側の抵抗素子32、33の接続状態で可変に規定される抵抗値(帰還抵抗値)を変えてゲイン量を選択し、アナログスイッチ38、39のどちらか一方を閉じることで反転増幅回路の(+)入力端子及び基準電圧Vc間の抵抗素子34、35、36の接続状態で可変に規定される抵抗値を変えてDCオフセット量を選択することができる。
例えば、抵抗素子31、32、33、34、35、36の抵抗値をそれぞれR31、R32、R33、R34、R35、R36とすると、アナログスイッチ37、38を閉じてアナログスイッチ39を開いた場合、出力端子41の電圧Voutは次式で表される。
この式において、右辺第一項のV3の係数(傾き)が増幅部C4のゲイン量に、また右辺第二項(切片)が増幅部C4のDCオフセット量にそれぞれ対応する。
また、アナログスイッチ37、38を開いてアナログスイッチ39を閉じた場合、電圧Voutは次式で表される。
従って、本実施例によれば、上記実施例1と同様に、アナログスイッチ37〜39の開閉により複数の抵抗素子31〜36の接続状態を変更することにより、反転増幅回路から成る増幅部C4のゲイン量及びDCオフセット量をそれぞれ2種類の異なるパターンで切り替えることができるため、光電変換装置の電源電圧が高い場合はゲイン量を大きく、電源電圧が低い場合はゲイン量を小さく、また測定範囲の中心が出力ダイナミックレンジの中心と一致するようDCオフセット量を調整することができる。その結果、本光電変換装置をカメラに搭載した場合、光電変換装置の電源電圧が変更されたときでも、高い測定精度及び広い測定範囲を実現することが可能になる。
なお、本実施例においても、上記実施例1と同様に追加の抵抗素子とアナログスイッチを並列に挿入することで切り替えパターンをさらに増やすことができる。
図4は、本実施例による光電変換装置の概略回路図を示す。図4において、図1に示す実施例1と実質的に同一な構成要素については説明を省略する。
図4に示す増幅部C4は、上記実施例1の増幅部C4における第4オペアンプ24の入力極性を互いに逆にして(−)及び(+)入力端子のそれぞれの接続端子側を上記実施例1の場合とは入れ替え、(−)入力端子側に基準電圧源4(図1参照)の基準電圧VCが、また(+)入力端子側に第3オペアンプ14(図1参照)の出力V3が接続されるように構成された正転増幅回路と、正転増幅回路の後段に接続され且つゲイン切り替え機能を設けた反転増幅回路とを組み合わせた回路から構成されている。
図4に示す増幅部C4の反転増幅回路において、41、42、43は抵抗素子、44、45はアナログスイッチ、46は第5オペアンプである。即ち、第4オペアンプ24の出力側V4側に抵抗素子41が接続され、この抵抗素子41に抵抗素子42、43が直列に接続され、抵抗素子43が第5オペアンプ46の出力端子に接続され、抵抗素子41及び抵抗素子42間の接続点と第5オペアンプ46の(−)入力端子との間にアナログスイッチ44が、また抵抗素子42及び抵抗素子43間の接続点と第5オペアンプ46の(−)入力端子との間にアナログスイッチ45がそれぞれ接続されている。また、第5オペアンプ46の(+)入力端子は第4オペアンプ24の(−)入力端子側に接続されている。アナログスイッチ44、45は図示しない制御部(コントローラ)からの開閉制御指令に応じて開閉可能となっている。
このように構成された増幅部C4において、前段の正転増幅回路における第4オペアンプ24の出力電圧V4の出力は、前述した上記実施例1の第4オペアンプ24の出力電圧V4の計算式([数8]、[数9])において、VCとV3を入れ替えた式で表される(式省略)。この場合、出力V4は光量、あるいは温度に対して負の傾きを持つので、これを次段の反転増幅回路で正の傾きに変換して電圧Voutとして出力することで上記実施例1と同じ結果が得られる。
従って、本実施例によれば、上記実施例1と同様の効果に加え、後段の反転増幅回路にゲイン切り替え機能を持たせることでゲイン切り替えのパターンを上記実施例1よりもさらに増やすことができ、より一層細かいゲイン設定が可能になる。
本実施例では、上記実施例1〜3による光電変換装置を、測光回路ブロックとして搭載した測光自動焦点用固体撮像装置について説明する。図5は、その測光自動焦点用固体撮像装置の概念的なブロック図である。
図5に示す測光自動焦点用固体撮像装置は、自動焦点回路ブロックとしてのAF(オートフォーカス)回路ブロック130、測光回路ブロックとしてのAE(オートエキスポージャ)回路ブロック140、アナログ回路ブロック150、ロジック回路160、及び外部マイコン170を備えている。
AF回路ブロック130は、1つの位置でオートフォーカスを行うために、1ペアのAF用リニアセンサA131及びB132で構成され、2つのリニアセンサA131及びB132を用いて三角自動焦点方式によるオートフォーカスを可能としている。
AE回路ブロック140は、前述した実施例1〜3の光電変換装置を用いて構成され、上記フォトダイオード1及び対数変換部C1に対応する対数圧縮型のAEセンサ141と、上記反転増幅回路C2に対応する反転増幅回路142と、上記Is補償回路C3に対応する温度計機能を有するIs補償回路143と、上記増幅部C4に対応する信号増幅回路144とから成る。
アナログ回路ブロック150は、AFセンサA131、B132の蓄積時間を制御するためのオートゲインコントロール(AGC)回路151と、基準電位を発生するための基準電位発生回路(バンドギャップ回路)152と、センサ回路に必要な中間電位を発生するための中間電位発生回路(電源回路)153と、AF回路ブロック130からのAF信号を増幅して外部に出力するためのAF信号増幅回路154とから成る。
ロジック回路160は、外部マイコン170との通信を行うためのI/O回路から成る。
本実施例によれば、AE回路ブロック140のAE出力及び温度計出力のゲイン量及びDCオフセット量を上記実施例1〜3で説明したように2種類以上の異なるパターンで切り替えることで、光電変換装置の電源電圧を変更した際にも高解像度及び広い測定範囲を得ることができる。
なお、本実施例の測光自動焦点用光電変換装置において、AF回路ブロック130で用いるAFセンサは、CMOS(Complementary Metal Oxide Sensor)プロセスで製造されるCMOSセンサであることが好ましいが、BASIS(Base−Stored Image Sensor)、SIT(Static Induction Transistor)、AMI(Amplified MOS Intelligent Imager)、CMD(Charge Modulation Device)、あるいはCCD(Charge-Coupled Device)等の固体撮像素子であっても同様の効果を得ることができる。
本実施例では、上記実施例1〜3による光電変換装置を、測光回路ブロック、自動焦点回路ブロック、及び温度計回路を有する固体撮像素子(測光自動焦点用固体撮像装置)として用いた撮像装置について説明する。
図6は、上記実施例1〜3による光電変換装置を、レンズシャッタディジタルコンパクトカメラ(撮像装置)に用いた場合の一実施例を示すブロック図である。
図6において、201はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア、202は被写体の光学像を固体撮像素子204に結像するレンズ、203はレンズ202を通った光量を可変するための絞り、204はレンズ202で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子である。
また、205は上記実施例1〜3の光電変換装置をAE回路ブロック、AF回路ブロック、及び温度計回路として搭載した測光自動焦点用固体撮像装置であり、AE用集光レンズ及びAF用結像レンズと共にAEAF光学モジュールを形成している。本実施例では、このAEAF光学モジュールの測光自動焦点用固体撮像装置(測光測距用固体撮像装置)205として、例えば、図1に示す実施例1の光電変換装置を用いるものとする。測光自動焦点用固体撮像装置205を構成するAE回路ブロック、AF回路ブロック、及び温度計回路は、例えば同一半導体基板上に設けられている。
206は固体撮像素子204や測光自動焦点用固体撮像装置205から出力される画像信号、測光信号、及び自動焦点信号をアナログ−ディジタル変換するA/D変換器、208はA/D変換器207より出力された画像データに各種の補正やデータを圧縮する信号処理部、209は固体撮像素子204、撮像信号処理回路206、A/D変換器207、信号処理部208等に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、210は各種演算とカメラ全体を制御する全体制御・演算部、211は画像データを一時的に記憶するためのメモリー部である。
さらに、212は記録媒体に記録または読み出しを行うためのインターフェース部、213は画像データの記録または読み出しを行うための半導体メモリー等の着脱可能な記録媒体、214は外部コンピュータ等と通信するためのインターフェース部である。
次に、このようなレンズシャッタディジタルコンパクトカメラの撮影時の動作について説明する。
まず、バリア201がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、更にA/D変換器207等の撮像系回路の電源がオンされる。次いで、測光自動焦点用固体撮像装置205のAF回路ブロックから出力された信号をもとに三角測距法により被写体までの距離の演算を全体制御・演算部210で行う。
その後、レンズ202の繰り出し量を算出し、レンズ202を所定の位置まで駆動させて合焦させる。次いで、露光量を制御するために、測光自動焦点用固体撮像装置205のAEセンサ(AE回路ブロック)から出力された信号をA/D変換器207で変換した後、信号処理部208に入力し、そのデータを基に露出の演算を全体制御・演算部210で行う。この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御・演算部210は絞り203とシャッタスピードを調節する。その後、露光条件が整った後に固体撮像素子204での本露光が始まる。
露光が終了すると、固体撮像素子204から出力された画像信号はA/D変換器207でA−D変換され、信号処理部208を通り全体制御・演算210によりメモリー部211に書き込まれる。その後、メモリー部211に蓄積されたデータは全体制御・演算部210の制御により記録媒体制御I/F部212を通り着脱可能な記録媒体213に記録される。また、外部I/F部214を通り直接コンピュータ等に入力してもよい。
なお、本実施例の測光自動焦点用固体撮像装置205は、ディジタルコンパクトカメラだけでなく、銀塩カメラ等にも使用できる。
1 フォトダイオード
2 第1オペアンプ
7 第2オペアンプ
14 第3オペアンプ
24、40 第4オペアンプ
46 第5オペアンプ
3、13 PN接合ダイオード
4 基準電圧源
5、6、8、9、15〜19、16a〜16c、19a〜19e、32〜36、41〜43 抵抗素子
10、11、20〜23、21a〜21d、22a〜22e、37〜39、44、45 アナログスイッチ
12 定電流源
25、41 出力端子
C1 対数変換部
C2 反転増幅回路
C3 Is補償回路
C4 増幅部
2 第1オペアンプ
7 第2オペアンプ
14 第3オペアンプ
24、40 第4オペアンプ
46 第5オペアンプ
3、13 PN接合ダイオード
4 基準電圧源
5、6、8、9、15〜19、16a〜16c、19a〜19e、32〜36、41〜43 抵抗素子
10、11、20〜23、21a〜21d、22a〜22e、37〜39、44、45 アナログスイッチ
12 定電流源
25、41 出力端子
C1 対数変換部
C2 反転増幅回路
C3 Is補償回路
C4 増幅部
Claims (10)
- PN接合を用いた光電変換素子と、
前記光電変換素子で発生した光電流を対数圧縮電圧変換する対数変換部と、
前記対数変換部の出力信号から前記PN接合のダイオード逆方向飽和電流特性を補正し且つ温度検出手段として機能する補正手段と、
前記補正手段の出力を所定のゲイン量とDCオフセット量で増幅する増幅手段とを有し、
前記増幅手段は、前記ゲイン量とDCオフセット量を少なくとも2種類の異なるパターンで切り替えることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置において、
前記補正手段が成す前記温度検出手段は、前記PN接合の温度特性を利用したものであることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1又は2に記載の光電変換装置において、
前記PN接合は、NPNバイポーラトランジスタのベース、エミッタ、コレクタのうちいずれか2つの端子により形成し、残り1つの端子が半導体基板に接続されていることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の光電変換装置において、
前記増幅手段は、電源電圧に応じて前記ゲイン量とDCオフセット量を切り替えることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換装置において、
前記増幅手段は、
前記補正手段の出力を増幅する正転増幅回路と、
前記正転増幅回路のゲイン量及びDCオフセット量を規定し且つそのゲイン量及びDCオフセット量をスイッチ切り替えにより可変可能に構成された複数の抵抗素子とを有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換装置において、
前記増幅手段は、
前記補正手段の出力を増幅する反転増幅回路と、
前記反転増幅回路のゲイン量及びDCオフセット量を規定し且つそのゲイン量及びDCオフセット量をスイッチ切り替えにより可変可能に構成された複数の抵抗素子とを有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換装置において、
前記増幅手段は、
前記補正手段の出力を増幅する正転増幅回路と、
前記正転増幅回路のゲイン量及びDCオフセット量を規定し且つそのゲイン量及びDCオフセット量をスイッチ切り替えにより可変可能に構成された複数の抵抗素子と、
前記正転増幅回路の出力を増幅する反転増幅回路と、
前記反転増幅回路のゲイン量を規定し且つそのゲイン量をスイッチ切り替えにより可変可能に構成された複数の抵抗素子とを有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の光電変換装置から構成された測光用光電変換素子と、
自動焦点を行うための対を成す自動焦点用光電変換素子列とを備えたことを特徴とする測光自動焦点用光電変換装置。 - 請求項8記載の測光自動焦点用光電変換装置において、
前記測光用光電変換素子及び自動焦点用光電変換素子列が同一半導体基板上に設けられていることを特徴とする測光自動焦点用光電変換装置。 - 請求項8又は9記載の測光自動焦点用光電変換装置を備え、
前記温度測定手段を成す前記補正手段からの出力信号に基づいて、前記自動焦点用光電変換素子列で得られる自動焦点信号の温度補正を行うことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004319227A JP2006134928A (ja) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 光電変換装置、測光自動焦点用光電変換装置、及び撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004319227A JP2006134928A (ja) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 光電変換装置、測光自動焦点用光電変換装置、及び撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006134928A true JP2006134928A (ja) | 2006-05-25 |
Family
ID=36728230
Family Applications (1)
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JP2004319227A Withdrawn JP2006134928A (ja) | 2004-11-02 | 2004-11-02 | 光電変換装置、測光自動焦点用光電変換装置、及び撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006134928A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018078415A (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | Nttエレクトロニクス株式会社 | 光受信回路 |
JP2022101257A (ja) * | 2020-12-24 | 2022-07-06 | 横河電機株式会社 | 光測定装置 |
-
2004
- 2004-11-02 JP JP2004319227A patent/JP2006134928A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11852524B2 (en) | 2020-12-24 | 2023-12-26 | Yokogawa Electric Corporation | Optical measurement apparatus |
JP7516240B2 (ja) | 2020-12-24 | 2024-07-16 | 横河電機株式会社 | 光測定装置 |
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