JP2006128638A5

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Publication number: JP2006128638A5
Application number: JP2005269420A
Authority: JP
Filing date: 2005-09-16
Publication date: 2008-08-21
Anticipated expiration: 2025-09-16

Claims

絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し、
前記第１の層間絶縁膜上に前記第１のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成し、
前記第１の層間絶縁膜及び前記配線上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に前記第２のコンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 A thin film transistor including a semiconductor layer having a source region, a drain region, and a channel formation region, a gate insulating film, and a gate electrode is formed over an insulating substrate.
Forming a first interlayer insulating film on the gate insulating film and the gate electrode;
Forming a first contact hole in the first interlayer insulating film;
Forming a wiring electrically connected to the source region or the drain region through the first contact hole on the first interlayer insulating film;
After applying a resin containing a siloxane polymer on the first interlayer insulating film and the wiring, the main component is an inert gas, and the oxygen concentration is 5 vol% or less and the water concentration is 1 vol% or less. The resin is heat-treated to form a second interlayer insulating film,
Forming a second contact hole in the second interlayer insulating film;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: forming an electrode electrically connected to the wiring through the second contact hole over the second interlayer insulating film.

絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し、
前記第１の層間絶縁膜上に前記第１のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成し、
前記第１の層間絶縁膜及び前記配線上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に前記第２のコンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する電極を形成した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。 A thin film transistor including a semiconductor layer having a source region, a drain region, and a channel formation region, a gate insulating film, and a gate electrode is formed over an insulating substrate.
Forming a first interlayer insulating film on the gate insulating film and the gate electrode;
Forming a first contact hole in the first interlayer insulating film;
Forming a wiring electrically connected to the source region or the drain region through the first contact hole on the first interlayer insulating film;
After applying a resin containing a siloxane polymer on the first interlayer insulating film and the wiring, the main component is an inert gas, and the oxygen concentration is 5 vol% or less and the water concentration is 1 vol% or less. The resin is heat-treated to form a second interlayer insulating film,
Forming a second contact hole in the second interlayer insulating film;
After an electrode electrically connected to the wiring through the second contact hole is formed on the second interlayer insulating film, an inert gas is a main component, the oxygen concentration is 5 vol% or less, and water A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the resin is heat-treated in an atmosphere having a concentration of 1 vol% or less.

絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し、
前記第１の層間絶縁膜上に前記第１のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成し、
前記第１の層間絶縁膜及び前記配線上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に前記第２のコンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する第１の電極を形成した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理し、
前記第１の電極の一部を覆うように絶縁膜を形成した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理し、
前記第１の電極において前記絶縁膜に覆われていない領域を覆って電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 A thin film transistor including a semiconductor layer having a source region, a drain region, and a channel formation region, a gate insulating film, and a gate electrode is formed over an insulating substrate.
Forming a first interlayer insulating film on the gate insulating film and the gate electrode;
Forming a first contact hole in the first interlayer insulating film;
Forming a wiring electrically connected to the source region or the drain region through the first contact hole on the first interlayer insulating film;
After applying a resin containing a siloxane polymer on the first interlayer insulating film and the wiring, the main component is an inert gas, and the oxygen concentration is 5 vol% or less and the water concentration is 1 vol% or less. The resin is heat-treated to form a second interlayer insulating film,
Forming a second contact hole in the second interlayer insulating film;
After forming a first electrode electrically connected to the wiring through the second contact hole on the second interlayer insulating film, an inert gas as a main component and an oxygen concentration of 5 vol% or less And heat-treating the resin in an atmosphere having a water concentration of 1 vol% or less,
After forming an insulating film so as to cover a part of the first electrode, the resin is heat-treated in an atmosphere containing an inert gas as a main component, an oxygen concentration of 5 vol% or less, and a water concentration of 1 vol% or less. And
Forming an electroluminescent layer covering a region of the first electrode that is not covered with the insulating film;
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein a second electrode is formed over the electroluminescent layer.

請求項１乃至３のいずれか一において、前記絶縁基板から前記配線または前記第１の層間絶縁膜の表面までの厚さの最も厚い部分と薄い部分の差は、３００ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 The difference between the thickest portion and the thin portion from the insulating substrate to the surface of the wiring or the first interlayer insulating film is 300 nm or more according to any one of claims 1 to 3. A method for manufacturing a semiconductor device.

請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２の層間絶縁膜における膜厚の最も厚い部分は１．０μｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 Oite to any one of claims 1 to 4, the method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the thickest portion of the film thickness definitive in the second interlayer insulating film is 1.0μm or more.

絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に無機絶縁性材料からなる膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 A thin film transistor including a semiconductor layer having a source region, a drain region, and a channel formation region, a gate insulating film, and a gate electrode is formed over an insulating substrate.
Forming a film made of an inorganic insulating material on the gate insulating film and the gate electrode;
After applying a resin containing a siloxane polymer on the film made of the inorganic insulating material, the resin is used in an atmosphere containing an inert gas as a main component, an oxygen concentration of 5 vol% or less, and a water concentration of 1 vol% or less. Heat treatment to form an insulating film,
A contact hole is formed in the film made of the inorganic insulating material and the insulating film;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a film made of an inorganic insulating material; and a wiring electrically connected to the source region or the drain region through the contact hole over the insulating film.

絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に無機絶縁性材料からなる膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成し、
前記配線上の一部に重なるように電極を形成した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５ｖｏｌ％以下且つ水の濃度が１ｖｏｌ％以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。 A thin film transistor including a semiconductor layer having a source region, a drain region, and a channel formation region, a gate insulating film, and a gate electrode is formed over an insulating substrate.
Forming a film made of an inorganic insulating material on the gate insulating film and the gate electrode;
After applying a resin containing a siloxane polymer on the film made of the inorganic insulating material, the resin is used in an atmosphere containing an inert gas as a main component, an oxygen concentration of 5 vol% or less, and a water concentration of 1 vol% or less. Heat treatment to form an insulating film,
A contact hole is formed in the film made of the inorganic insulating material and the insulating film;
Forming a wiring electrically connected to the source region or the drain region via the contact hole on the film made of the inorganic insulating material and the insulating film,
After the electrode is formed so as to overlap a part of the wiring, the resin is heat-treated in an atmosphere containing an inert gas as a main component, an oxygen concentration of 5 vol% or less, and a water concentration of 1 vol% or less. A method for manufacturing a semiconductor device.

請求項１、２、または７において、前記電極は透明導電膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。8. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the electrode is made of a transparent conductive film.

請求項３において、前記第１の電極は透明導電膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。4. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the first electrode is made of a transparent conductive film.

請求項１乃至９のいずれか一において、前記シロキサンポリマーを含有する樹脂はメチル基及びフェニル基を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 In any one of claims 1 to 9, the resin containing the siloxane polymer The method for manufacturing a semiconductor device which comprises a methyl group and a phenyl group.

請求項１乃至１０のいずれか一において、前記不活性ガスは窒素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
In any one of claims 1 to 10, a method for manufacturing a semiconductor device wherein the inert gas is nitrogen.