JP2006128022A - Light emitting device, manufacturing method for light emitting device and electric device - Google Patents

Light emitting device, manufacturing method for light emitting device and electric device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device capable of suitably radiating heat accompanying emission of a light emitting function layer, preventing degradation of reliability and preventing bent or breakage of an element substrate, to provide a manufacturing method for the light emitting device, and to provide an electric device provided with the light emitting device. <P>SOLUTION: This light emitting device 1 is provided with the substrate 20 provided with a light emitting element 60 and a sealing member 30 arranged to face the substrate 20 and to cover the light emitting element 60. The sealing member 30 consists of a metal material having thermal expansion coefficient of 2.0×10<SP>-6</SP>/°C to 5.5×10<SP>-6</SP>/°C. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to a light emitting device, a method for manufacturing the light emitting device, and an electronic apparatus.

近年より、薄型ディスプレイとして、有機ＥＬパネルが知られている。
このような有機ＥＬパネルにおいては、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成された素子基板と、当該素子基板上に形成された発光機能層と、当該発光機能層を封止する封止基板と、を有する構成が一般的である。
また、有機ＥＬパネルにおいては、発光機能層が酸素や水分に接触することにより、発光特性の低下や発光寿命の短寿命化を招いてしまうことから、これらの侵入を防止するための封止構造が施されている。このような封止構造としては、ガラスや金属等の封止部材で発光機能層が配置された領域を密閉した所謂缶封止構造や、発光機能層が配置された領域全面を樹脂層で覆い、その上に封止部材を貼り合わせた所謂ベタ封止構造が用いられている（例えば、特許文献１〜３参照）。
特開平０８−１８５９８２号公報 特開平１０−１０６７４６号公報 特開２００１−８５１５５号公報 In recent years, organic EL panels have been known as thin displays.
Such an organic EL panel includes an element substrate on which a switching element such as a thin film transistor is formed, a light emitting functional layer formed on the element substrate, and a sealing substrate for sealing the light emitting functional layer. The configuration is common.
Further, in the organic EL panel, since the light emitting functional layer comes into contact with oxygen or moisture, the light emitting characteristics are deteriorated and the light emitting life is shortened. Therefore, a sealing structure for preventing these intrusions. Is given. As such a sealing structure, a so-called can sealing structure in which a region where the light emitting functional layer is disposed is sealed with a sealing member such as glass or metal, or the entire region where the light emitting functional layer is disposed is covered with a resin layer. In addition, a so-called solid sealing structure in which a sealing member is pasted thereon is used (see, for example, Patent Documents 1 to 3).
Japanese Patent Laid-Open No. 08-185982 Japanese Patent Laid-Open No. 10-106746 JP 2001-85155 A

上記の缶封止構造は、発光機能層と封止部材との間の空間に乾燥剤及び脱酸素剤を配置することが可能なため、長期に水分や酸素による影響を防止できるという利点を有する。しかしながら、当該缶封止構造は、発光機能層で発生した熱を放熱しにくいため、発光機能層の温度の上昇を招きやすく、それに伴い発光機能層の短寿命化や発光特性の劣化等が起こり、有機ＥＬパネルとしての信頼性が低下するという課題がある。特に、発熱量の大きい大型の有機ＥＬパネルでは大きな問題となっている。
上記のベタ封止構造は、缶封止構造に比べ発光機能層で発生した熱を放出しやすい構造ではあるが、通常使用されることの多いガラス基板を封止部材に使用した場合には、ガラスの熱伝導性が低いために充分な放熱性能が得られない。このため、発熱量の大きいパネル、特に大型の有機ＥＬパネル等に適用でき充分な放熱特性が得られていない。また、封止部材として、放熱性に優れたアルミやステンレス（ＳＵＳ材）といった材料を用いることも検討されているが、これらの材料は素子基板との熱膨張係数の差が大きい。このため、封止部材との貼り合わせ時に素子基板が反ったり、ひどい場合に破損したりする場合があり、封止部材としてこのような材料を採用することが困難であった。
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、発光機能層の発光に伴う発熱を好適に放熱することができ、信頼性の低下を防止すると共に、素子基板の反りや破損を防止できる発光装置と、当該発光装置の製造方法、当該発光装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。 The above can sealing structure has an advantage that the influence of moisture and oxygen can be prevented for a long time because a desiccant and an oxygen scavenger can be disposed in the space between the light emitting functional layer and the sealing member. . However, since the can sealing structure hardly dissipates heat generated in the light emitting functional layer, the temperature of the light emitting functional layer is likely to increase, and accordingly, the life of the light emitting functional layer is shortened and the light emitting characteristics are deteriorated. There is a problem that reliability as an organic EL panel is lowered. In particular, it is a big problem in a large organic EL panel having a large calorific value.
The above-mentioned solid sealing structure is a structure that easily releases heat generated in the light emitting functional layer compared to the can sealing structure, but when a glass substrate that is often used is used as a sealing member, Since the thermal conductivity of glass is low, sufficient heat dissipation performance cannot be obtained. For this reason, it can be applied to a panel having a large amount of heat generation, particularly a large organic EL panel, etc., and sufficient heat dissipation characteristics are not obtained. Further, the use of materials such as aluminum and stainless steel (SUS material) excellent in heat dissipation as a sealing member has been studied, but these materials have a large difference in thermal expansion coefficient from the element substrate. For this reason, the element substrate may be warped at the time of bonding with the sealing member, or may be damaged in a severe case, and it is difficult to employ such a material as the sealing member.
The present invention has been made to solve such problems, and can suitably dissipate heat generated by the light emission of the light emitting functional layer, preventing a decrease in reliability, and warping or damage of the element substrate. An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of preventing the above, a method for manufacturing the light emitting device, and an electronic apparatus including the light emitting device.

本発明者は、封止部材に用いる材料として、単に材料の種類を選択するのではなく、封止部材と基板との熱膨張係数の差を加味し、より好適な封止部材の材料を物性値から選択する必要があることを見出した。
そこで、本発明者は、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。 The present inventor does not simply select the type of material as the material used for the sealing member, but considers the difference in thermal expansion coefficient between the sealing member and the substrate, and selects a more suitable material for the sealing member. I found that I had to choose from the values.
Therefore, the present inventor has come up with the present invention having the following means based on the above.

即ち、本発明の発光装置は、発光素子が形成された基板と、前記基板に対向配置されると共に前記発光素子を覆うように配置された封止部材と、を具備する発光装置であって、前記封止部材は、熱膨張係数が２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／℃の金属材料からなることを特徴としている。
本発明者は、このように封止部材として好適な熱膨張係数を有する金属材料を採用することにより従来よりも優れた発光装置を実現した。具体的には、このような発光装置においては、金属材料からなる封止部材によって発光素子を覆っていることから、放熱性能が向上し、発光素子の長寿命化を実現できる。また、基板と封止部材との熱膨張係数の差による破損や変形を防止できる。そして、特に大型の発光装置においては、基板と封止部材の貼り合わせ時に基板と封止部材の熱膨張係数の差による破損や変形が生じやすいが、本発明では、破損や変形が生じることなく、容易に製造できる。 That is, the light-emitting device of the present invention is a light-emitting device comprising a substrate on which a light-emitting element is formed, and a sealing member disposed so as to face the substrate and cover the light-emitting element, the sealing member is characterized in that the thermal expansion coefficient of a metallic material of 2.0 × 10 -6 /℃~5.5×10 -6 / ℃ .
The present inventor has realized a light emitting device superior to the conventional one by employing a metal material having a suitable thermal expansion coefficient as a sealing member. Specifically, in such a light-emitting device, since the light-emitting element is covered with a sealing member made of a metal material, the heat dissipation performance is improved and the life of the light-emitting element can be extended. Further, breakage and deformation due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the sealing member can be prevented. In particular, in a large-sized light-emitting device, damage or deformation due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the sealing member is likely to occur when the substrate and the sealing member are bonded together. Easy to manufacture.

また、上記の発光装置においては、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴としている。
このようにすれば、従来の薄型ディスプレイと比較して応答速度が速い発光装置を実現できると共に、発光特性が優れた表示を実現できる。 In the above light emitting device, the light emitting element is composed of an organic electroluminescence element.
In this way, it is possible to realize a light emitting device that has a faster response speed than a conventional thin display, and a display that has excellent light emission characteristics.

また、上記の発光装置においては、前記封止部材は、鉄−ニッケル合金、或いは鉄−ニッケル−コバルト合金からなり、前記基板は、無アルカリガラスからなることを特徴としている。より具体的には、封止部材の材料として、コバール、４２ニッケルアロイ、及び３６ニッケルアロイのうちのいずれかを採用することが好ましい。
このようにすれば、封止部材と基板との熱膨張の差が小さく、発光装置の薄型化、大画面化を容易に実現できる。 In the above light emitting device, the sealing member is made of an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy, and the substrate is made of alkali-free glass. More specifically, it is preferable to employ any one of Kovar, 42 nickel alloy, and 36 nickel alloy as the material of the sealing member.
In this way, the difference in thermal expansion between the sealing member and the substrate is small, and the light emitting device can be easily reduced in thickness and screen.

また、上記の発光装置においては、前記発光素子を覆うように樹脂層を有することを特徴としている。
ここで、発光素子における発光に伴う発熱は、樹脂層を介して発光装置の外部に放熱される。従って、樹脂層が媒体となって放熱されるので、放熱性を向上できる。また、基板と封止部材とが全面で貼り合わされているため、機械的強度が向上し、外部からの圧力による破損を抑制できる。 Further, the above light emitting device is characterized by having a resin layer so as to cover the light emitting element.
Here, heat generated by light emission in the light emitting element is radiated to the outside of the light emitting device through the resin layer. Therefore, since the resin layer is used as a medium for heat dissipation, heat dissipation can be improved. Moreover, since the board | substrate and the sealing member are bonded together on the whole surface, mechanical strength improves and it can suppress the failure | damage by the pressure from the outside.

また、上記の発光装置においては、前記樹脂層には、熱伝導性が高い材料が含有されていることを特徴としている。
このようにすれば、樹脂層がより伝熱しやすくなるので、放熱性を更に向上できる。 In the above light-emitting device, the resin layer contains a material having high thermal conductivity.
If it does in this way, since a resin layer becomes easier to heat-transfer, heat dissipation can be improved further.

また、上記の発光装置においては、前記樹脂層には、熱膨張係数が小さい材料が含有されていることを特徴としている。
発光素子の発光に伴う発熱によって局所的に樹脂層が膨張した場合、発光素子に応力がかかり、発光素子の特性及び信頼性に影響を与える。樹脂層中に熱膨張係数が小さい材料を加えることで樹脂層の熱膨張係数を下げ発光素子の応力の影響を低減できる。 In the above light-emitting device, the resin layer contains a material having a small thermal expansion coefficient.
When the resin layer locally expands due to heat generated by light emission of the light emitting element, stress is applied to the light emitting element, which affects the characteristics and reliability of the light emitting element. By adding a material having a small thermal expansion coefficient to the resin layer, the thermal expansion coefficient of the resin layer can be lowered and the influence of the stress of the light emitting element can be reduced.

また、上記の発光装置においては、前記封止部材には凹凸部が形成されていることを特徴としている。
このようにすれば、封止部材の表面積が、平坦面を有する場合と比較して大きくなる。従って、放熱面積が大きくなり、放熱性を向上できる。また、樹脂層と封止部材との接着面積が大きくなるので、密着性を向上させることができ、機械的強度を向上できる。また、このような凹凸部が形成されていることにより、封止部材の曲げに対する強度を向上できる。 In the above light emitting device, the sealing member has an uneven portion.
If it does in this way, the surface area of a sealing member will become large compared with the case where it has a flat surface. Therefore, the heat dissipation area is increased and the heat dissipation can be improved. In addition, since the adhesion area between the resin layer and the sealing member is increased, the adhesion can be improved and the mechanical strength can be improved. Moreover, the intensity | strength with respect to the bending of a sealing member can be improved by forming such an uneven | corrugated | grooved part.

また、上記の発光装置においては、前記封止部材の表面には、ニッケルからなる金属層が形成されていることを特徴としている。
このようにすれば、封止部材の放熱性を更に向上できる。また、低熱膨張合金は一般的に耐食性が低いが、本発明のように金属層が形成されていることで、耐食性を向上できる。 In the light emitting device, a metal layer made of nickel is formed on the surface of the sealing member.
If it does in this way, the heat dissipation of a sealing member can further be improved. Moreover, although a low thermal expansion alloy generally has low corrosion resistance, the corrosion resistance can be improved by forming a metal layer as in the present invention.

また、上記の発光装置においては、前記基板と、前記封止部材との間には、前記基板と前記封止部材との間隔を保持するスペーサが配置されていることを特徴としている。
このようにすれば、基板と封止部材との間隔を一定に保持することができ、樹脂層の膜厚差により発生する基板面内強度及び貼り合わせによる応力の違いを均一化し、変形を防止できる。 In the above light emitting device, a spacer is provided between the substrate and the sealing member to maintain a distance between the substrate and the sealing member.
In this way, the distance between the substrate and the sealing member can be kept constant, the substrate in-plane strength generated by the difference in film thickness of the resin layer and the stress difference due to bonding are made uniform, and deformation is prevented. it can.

また、上記の発光装置においては、前記樹脂層には、前記基板と前記封止部材との間隔を保持するスペーサが含有されていることを特徴としている。
このようにすれば、基板と封止部材との間隔を一定に保持することができ、樹脂層の膜厚差により発生する基板面内強度及び貼り合わせによる応力の違いを均一化し、変形を防止できると共に樹脂層の厚みばらつきに起因する、面内の放熱ばらつきも抑制できる。また、樹脂層内にスペーサを含有させるだけでよいので、簡単な構成で樹脂層の膜厚の均一化を図ることができる。 In the above light-emitting device, the resin layer contains a spacer that keeps a distance between the substrate and the sealing member.
In this way, the distance between the substrate and the sealing member can be kept constant, the substrate in-plane strength generated by the difference in film thickness of the resin layer and the stress difference due to bonding are made uniform, and deformation is prevented. In addition, it is possible to suppress in-plane heat radiation variation caused by variation in the thickness of the resin layer. Moreover, since it is only necessary to include a spacer in the resin layer, the thickness of the resin layer can be made uniform with a simple configuration.

また、本発明の発光装置の製造方法は、発光素子が形成された基板と、前記基板に対向配置されると共に前記発光素子を覆うように配置された封止部材と、を具備する発光装置の製造方法であって、前記封止部材は、熱膨張係数が２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／℃の金属材料からなることを特徴としている。
このようにすれば、発光装置の放熱性能を向上させ、発光素子の長寿命化を実現できる。そして、特に大型の発光装置においては、基板と封止部材の貼り合わせ時に基板と封止部材の熱膨張係数の差による破損や変形が生じやすいが、本発明では、破損や変形が生じることなく、容易に製造できる。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a light emitting device, comprising: a substrate on which a light emitting element is formed; and a sealing member disposed to face the substrate and cover the light emitting element. a manufacturing method, the sealing member is characterized in that the thermal expansion coefficient of a metallic material of 2.0 × 10 -6 /℃~5.5×10 -6 / ℃ .
In this way, it is possible to improve the heat dissipation performance of the light emitting device and to extend the life of the light emitting element. In particular, in a large-sized light-emitting device, damage or deformation due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the sealing member is likely to occur when the substrate and the sealing member are bonded together. Easy to manufacture.

また、上記の発光装置の製造方法においては、前記基板と前記封止部材との間に接着剤を配置して、前記基板と前記封止部材とを貼り合わせる工程を更に含み、当該貼り合わせ工程は、減圧雰囲気下において行うことを特徴としている。
このような減圧雰囲気下においては、接着剤と基板の間、もしくは、接着剤と封止部材との間、に気泡が入るのを防止しながら基板と封止部材を接着できる。特に、封止部材や基板に凹凸部が形成され、当該凹凸部を埋設するように接着剤を配置する場合には、当該凹凸部の近傍に気泡が形成され易いが、この様な気泡を発生させることなく、発光装置を製造できる。従って、発光装置の内部に気泡が残留することがなく、発光素子への酸素や水分の侵入を抑制し、発光特性や発光寿命の低下を抑制できる。 The method for manufacturing a light-emitting device further includes a step of arranging an adhesive between the substrate and the sealing member and bonding the substrate and the sealing member, the bonding step Is characterized in that it is performed in a reduced pressure atmosphere.
Under such a reduced pressure atmosphere, the substrate and the sealing member can be bonded while preventing bubbles from entering between the adhesive and the substrate or between the adhesive and the sealing member. In particular, when an uneven portion is formed on a sealing member or a substrate, and an adhesive is disposed so as to embed the uneven portion, bubbles are likely to be formed in the vicinity of the uneven portion, but such bubbles are generated. A light-emitting device can be manufactured without making it. Accordingly, bubbles do not remain inside the light emitting device, and entry of oxygen and moisture into the light emitting element can be suppressed, and a decrease in light emission characteristics and light emission lifetime can be suppressed.

また、本発明の電子機器は、上記の発光装置を備えることを特徴としている。
従って、本発明の電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコン等の情報処理装置などを例示できる。特に大型のテレビの表示部に上記の発光装置を用いることは好適である。大型の表示を有する発光装置においては、変形や破損が生じ易いが、上記の発光装置はこのような変形や破損を抑制する構成を有することから、特に有効である。 According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus including the above light emitting device.
Accordingly, examples of the electronic apparatus of the present invention include information processing apparatuses such as a mobile phone, a mobile information terminal, a clock, a word processor, and a personal computer. It is particularly preferable to use the above light-emitting device for a display portion of a large television. A light emitting device having a large display is likely to be deformed or damaged, but the above light emitting device is particularly effective because it has a configuration that suppresses such deformation and damage.

以下、本発明に係る発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器について、図１から図１０を参照して説明する。
本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。 Hereinafter, a light-emitting device, a method for manufacturing a light-emitting device, and an electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
This embodiment shows one mode of the present invention, does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. In each of the drawings shown below, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member recognizable on the drawing.

（有機ＥＬ装置の第１実施形態）
本発明の発光装置として、電気光学材料の一例である発光材料、中でも有機ＥＬ材料を用いた有機ＥＬ装置の第１実施形態について説明する。 (First embodiment of organic EL device)
As a light-emitting device of the present invention, a first embodiment of a light-emitting material that is an example of an electro-optic material, particularly an organic EL device using an organic EL material will be described.

図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
有機ＥＬ装置（発光装置）１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。 FIG. 1 is a schematic diagram showing a wiring structure of an organic EL device according to this embodiment.
An organic EL device (light emitting device) 1 is an active matrix organic EL device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element.

図１に示すように、有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１…に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２…に並列に延びる複数の電源線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有すると共に、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 1 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction perpendicular to the scanning lines 101, and the signal lines 102. A plurality of power supply lines 103 extending in parallel are arranged, and pixel regions X are provided in the vicinity of intersections of the scanning lines 101 and the signal lines 102.

信号線１０２…には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１…には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。   A data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal lines 102. Further, a scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning lines 101.

更に、画素領域Ｘの各々には、走査線１０１…を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２…から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３…に電気的に接続したときに該電源線１０３…から駆動電流が流れ込む陽極２３と、この陽極２３と陰極５０との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。当該発光機能層１１０は、有機エレクトロルミネッセンス素子に相当するものであり、陽極２３及び陰極５０から注入される正孔と電子が結合することで、発光現象が生じるようになっている。   Further, each of the pixel regions X holds a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 101... And a pixel signal shared from the signal line 102 through the switching TFT 112. A storage capacitor 113 to be connected, a driving TFT 123 to which a pixel signal held by the storage capacitor 113 is supplied to a gate electrode, and the power supply line 103 when electrically connected to the power supply line 103 through the driving TFT 123. 103 is provided with an anode 23 into which a drive current flows, and a light emitting functional layer 110 sandwiched between the anode 23 and the cathode 50. The light emitting functional layer 110 corresponds to an organic electroluminescence element, and a light emission phenomenon occurs when holes and electrons injected from the anode 23 and the cathode 50 are combined.

この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１…が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２…の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３…から陽極２３に電流が流れ、更に発光機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。発光機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。そこで、発光はそれぞれ陽極２３毎にオン・オフを制御されるから、陽極２３は画素電極となっている。   According to the organic EL device 1, when the scanning lines 101 are driven and the switching TFTs 112 are turned on, the potentials of the signal lines 102 at that time are held in the holding capacitor 113, and the state of the holding capacitor 113 is reached. Accordingly, the on / off state of the driving TFT 123 is determined. Then, current flows from the power supply line 103 to the anode 23 through the channel of the driving TFT 123, and further current flows to the cathode 50 through the light emitting functional layer 110. The light emitting functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it. Therefore, since light emission is controlled on and off for each anode 23, the anode 23 is a pixel electrode.

次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２及び図３を参照して説明する。図２は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図、図３は図２の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂの側断面の一部を示す図である。   Next, specific modes of the organic EL device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of the organic EL device 1, and FIG. 3 is a view showing a part of a side cross section of the display regions R, G, and B in FIG.

図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、電気絶縁性を備える基板２０と、当該基板２０よりも小さいサイズの封止基板（封止部材）３０と、が対向配置された構成となっている。基板２０と封止基板３０との間には、封止樹脂層（樹脂層、接着剤）４１が配置されており、両基板２０，３０を貼り合わせて接着させた構成となっている。
また、基板２０上には、図示略のスイッチング用ＴＦＴに接続された陽極２３…が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極領域と、画素電極領域の周囲に配置されると共に各陽極２３…に接続される電源線１０３…（図１参照）と、少なくとも画素電極領域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図中一点鎖線枠内）とが形成されている。また、画素部３は、中央部分の表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
表示領域４には、それぞれ陽極２３…を有する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂが離間して配置されている。また、表示領域４の図中両側には、走査線駆動回路８０が配置されている。この走査線駆動回路８０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。
更に、表示領域４の図中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
走査線駆動回路８０及び検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から電源線１０３…（図３参照）を駆動用ＴＦＴ１２３に印加されようになっている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号や駆動電圧は、有機ＥＬ装置１の作動制御を司る所定のメインドライバ等から印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０及び検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。 As shown in FIG. 2, in the organic EL device 1 of the present embodiment, a substrate 20 having electrical insulation and a sealing substrate (sealing member) 30 having a size smaller than the substrate 20 are disposed to face each other. It has a configuration. A sealing resin layer (resin layer, adhesive) 41 is disposed between the substrate 20 and the sealing substrate 30, and the substrates 20 and 30 are bonded and bonded together.
Further, on the substrate 20, anodes 23... Connected to a switching TFT (not shown) are arranged on the substrate 20 in a matrix shape and are arranged around the pixel electrode region (not shown). In addition, power lines 103 (see FIG. 1) connected to the anodes 23 and at least a pixel portion 3 (inside the dashed-dotted line frame in the figure) in a plan view located at least on the pixel electrode region are formed. . In addition, the pixel unit 3 includes a central display area 4 (within a two-dot chain line in the figure) and a dummy area 5 (area between the one-dot chain line and the two-dot chain line) arranged around the display area 4. It is partitioned.
In the display area 4, display areas R, G, and B each having anodes 23. Further, scanning line driving circuits 80 are arranged on both sides of the display area 4 in the drawing. The scanning line driving circuit 80 is provided below the dummy area 5.
Further, an inspection circuit 90 is arranged on the upper side of the display area 4 in the drawing. The inspection circuit 90 is provided below the dummy area 5. The inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the organic EL device 1, and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting inspection results to the outside, and is a part of the display device during manufacturing or at the time of shipment. It is configured to be able to inspect quality and defects.
The driving voltages of the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90 are applied to the driving TFT 123 from the predetermined power supply unit through the power supply line 103 (see FIG. 3). The drive control signals and drive voltages for the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 are applied from a predetermined main driver that controls the operation of the organic EL device 1. The drive control signal in this case is a command signal from a main driver or the like related to control when the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 output signals.

図３に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板２０と封止基板３０とが封止樹脂層４１によって貼り合わされて構成されている。また、基板２０としては透明基板が採用され、封止基板３０としては金属製基板が採用される。これにより、有機ＥＬ装置１は、発光機能層１１０における有機ＥＬ層（発光素子）６０を発光させ、当該発光光を基板２０に透過させて出射する、所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
このような構成を有する有機ＥＬ装置１においては、電源線１０３…（図１参照）から駆動電流が発光機能層１１０の陽極２３に流れ込むと、陽極２３と陰極５０の間に電位差が生じ、陽極２３の正孔が有機ＥＬ層６０に注入され、陰極５０の電子が有機ＥＬ層６０に注入されるので、有機ＥＬ層６０に注入された正孔と電子とが結合することにより、有機ＥＬ層６０は発光する。そして、有機ＥＬ層６０の発光光は、基板２０を透過して表示領域４へ出射される。 As shown in FIG. 3, the organic EL device 1 is configured by bonding a substrate 20 and a sealing substrate 30 with a sealing resin layer 41. Further, a transparent substrate is employed as the substrate 20, and a metal substrate is employed as the sealing substrate 30. Thereby, the organic EL device 1 is a so-called bottom emission type organic EL device that emits light from the organic EL layer (light emitting element) 60 in the light emitting functional layer 110 and transmits the emitted light through the substrate 20.
In the organic EL device 1 having such a configuration, when a drive current flows from the power supply line 103 (see FIG. 1) into the anode 23 of the light emitting functional layer 110, a potential difference is generated between the anode 23 and the cathode 50, and the anode 23 holes are injected into the organic EL layer 60, and electrons from the cathode 50 are injected into the organic EL layer 60. Thus, the holes and electrons injected into the organic EL layer 60 are combined to form an organic EL layer. 60 emits light. Then, the light emitted from the organic EL layer 60 passes through the substrate 20 and is emitted to the display region 4.

ここで、基板２０としては、無アルカリガラスを材料とするガラス基板が採用される。本実施形態においては、日本電気硝子社製のＯＡ−１０を採用している。また、当該基板以外にも、旭ガラス社製ＡＮ１００、ＨＯＹＡ社製ＮＡ３５、コーニング社製７０５９、１７３７、ＥＡＧＬＥ２０００等を採用することが可能である。
そして、当該基板２０の表面には、不図示の下地絶縁膜を介して駆動用ＴＦＴ１２３が形成され、更に、基板２０上には、当該駆動用ＴＦＴ１２３を埋設するように層間絶縁膜２１が形成されている。 Here, a glass substrate made of non-alkali glass is used as the substrate 20. In this embodiment, OA-10 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. is employed. In addition to the substrate, AN100 manufactured by Asahi Glass Co., NA35 manufactured by HOYA, 7059 and 1737 manufactured by Corning, EAGLE2000, and the like can be used.
A driving TFT 123 is formed on the surface of the substrate 20 via a base insulating film (not shown), and an interlayer insulating film 21 is formed on the substrate 20 so as to bury the driving TFT 123. ing.

また、封止基板３０としては、金属製基板が採用される。具体的には、封止基板３０は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金からなり、コバール、４２ニッケルアロイ、及び３６ニッケルアロイのうちのいずれかを採用することが好ましい。このような合金は、熱膨張係数が２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／℃の特性を有しており、基板２０との熱膨張係数の差が小さいために、熱収縮による破損や変形を抑制することが可能となる。なお、このような封止基板３０の材質は、後述する実験結果に基づいて選択されている。本実施形態においては、０．５ｍｍ厚の４２ニッケルアロイを封止基板３０として採用している。当該４２ニッケルアロイは、上記の合金の中でも本実施形態で基板として用いているＯＡ−１０に非常に近い熱膨張係数を有し、特に好ましい。また、当該４２ニッケルアロイは、ＩＣのリードフレーム等に一般的に用いられる材料で、他の合金よりも安価であり好ましい。更に、加工が容易で寸法精度の高い封止基板３０を容易に作成できる。更に、当該封止基板３０の表面には、メッキ等によって形成されたニッケル膜（金属層）が形成されている。この様なニッケル膜を設けることにより、封止基板表面の熱抵抗を減らし封止基板３０側からの放熱性を高めると共に、封止基板表面の耐食性を高めている。 Further, a metal substrate is employed as the sealing substrate 30. Specifically, the sealing substrate 30 is made of an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy, and preferably employs any one of Kovar, 42 nickel alloy, and 36 nickel alloy. Such alloys, thermal expansion coefficients have the properties of 2.0 × 10 -6 /℃~5.5×10 -6 / ℃ , for the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 20 is small It becomes possible to suppress damage and deformation due to heat shrinkage. In addition, the material of such a sealing substrate 30 is selected based on the experimental result mentioned later. In this embodiment, a nickel alloy having a thickness of 0.5 mm is used as the sealing substrate 30. The 42 nickel alloy has a thermal expansion coefficient very close to OA-10 used as a substrate in the present embodiment among the above alloys, and is particularly preferable. The 42 nickel alloy is a material generally used for an IC lead frame or the like, and is preferable because it is cheaper than other alloys. Further, the sealing substrate 30 that can be easily processed and has high dimensional accuracy can be easily formed. Furthermore, a nickel film (metal layer) formed by plating or the like is formed on the surface of the sealing substrate 30. By providing such a nickel film, the thermal resistance of the surface of the sealing substrate is reduced, the heat dissipation from the sealing substrate 30 side is increased, and the corrosion resistance of the surface of the sealing substrate is increased.

封止樹脂層４１は、基板２０と封止基板３０との間に配置されたものであり、当該基板２０及び封止基板３０を接着して貼り合わせるものである。このような封止樹脂層４１の材料としては、熱硬化性のエポキシ樹脂を採用している。熱硬化性のエポキシ樹脂は、反応生成物等の発生が少なくこれらによる有機ＥＬ層６０に対する影響を抑制できると共に、酸素及び水分の侵入を防止する能力が高いため封止樹脂層４１の材質として特に好ましい。
基板２０と封止基板３０を貼り合わせは、基板２０の有機ＥＬ層６０を形成した側の面上に有機ＥＬ層６０を覆う様に封止樹脂層４１を配置した後、減圧雰囲気下において封止基板３０を封止樹脂層４１上に配置し接着することによって行っている。この様に減圧雰囲気下で接着を行うことにより、封止樹脂層４１と基板２０との間、もしくは、封止樹脂層４１と封止基板３０との間に気泡が入るのを防止できる。このため、気泡を介して有機ＥＬ層６０に酸素及び水分が侵入することを防止し、有機ＥＬ層６０の発光特性や寿命が低下するのを抑制できる。
封止樹脂層４１の硬化（接着）は基板２０をホットプレートにより６０℃に加熱することで行っている。基板２０と封止基板３０の熱膨張係数の差が大きい場合は、この硬化後の冷却時に基板２０及び封止基板３０の反りや変形が発生する。本実施形態では、基板２０と封止板３０に熱膨張係数の差の小さなものを用いているため、基板２０及び封止基板３０に反りや変形が発生すること無く硬化を行うことができる。
また、封止樹脂層４１には、樹脂ビーズ等のスペーサを含むものを用いている。このスペーサにより、基板２０と封止基板３０とを貼り合わせた際に、両基板間の間隔をスペーサ径で規定することが可能で、その間隔を一定に保つことができる。このため、封止樹脂層４１の膜厚のばらつきに起因する有機ＥＬ装置１の面内での強度のばらつきや、応力のばらつきを防ぎ、有機ＥＬ装置１の変形を防止できる。 The sealing resin layer 41 is disposed between the substrate 20 and the sealing substrate 30, and adheres and bonds the substrate 20 and the sealing substrate 30 together. As a material of such a sealing resin layer 41, a thermosetting epoxy resin is employed. The thermosetting epoxy resin is less likely to generate reaction products and the like, and can suppress the influence of these on the organic EL layer 60 and has a high ability to prevent the intrusion of oxygen and moisture. preferable.
The substrate 20 and the sealing substrate 30 are bonded together by placing the sealing resin layer 41 on the surface of the substrate 20 on which the organic EL layer 60 is formed so as to cover the organic EL layer 60, and then sealing the substrate 20 in a reduced-pressure atmosphere. The stop substrate 30 is disposed on the sealing resin layer 41 and bonded thereto. By adhering in such a reduced pressure atmosphere, bubbles can be prevented from entering between the sealing resin layer 41 and the substrate 20 or between the sealing resin layer 41 and the sealing substrate 30. For this reason, it can prevent that oxygen and a water | moisture content penetrate | invade into the organic EL layer 60 via a bubble, and can suppress that the light emission characteristic and lifetime of the organic EL layer 60 fall.
Curing (adhesion) of the sealing resin layer 41 is performed by heating the substrate 20 to 60 ° C. with a hot plate. When the difference between the thermal expansion coefficients of the substrate 20 and the sealing substrate 30 is large, the substrate 20 and the sealing substrate 30 are warped or deformed during cooling after the curing. In the present embodiment, since the substrate 20 and the sealing plate 30 having a small difference in thermal expansion coefficient are used, the substrate 20 and the sealing substrate 30 can be cured without being warped or deformed.
Further, the sealing resin layer 41 is made of a material including spacers such as resin beads. With this spacer, when the substrate 20 and the sealing substrate 30 are bonded together, the distance between the two substrates can be defined by the spacer diameter, and the distance can be kept constant. For this reason, it is possible to prevent variations in strength and stress in the surface of the organic EL device 1 due to variations in the film thickness of the sealing resin layer 41, and prevent deformation of the organic EL device 1.

また、基板２０上に形成された駆動用ＴＦＴ１２３…は、陽極２３…を駆動するための駆動用スイッチング素子として機能するものである（図１参照）。このような駆動用ＴＦＴ１２３…は、公知のＴＦＴ製造技術を用いることにより形成されており、不純物がドーピングされたシリコン膜、ゲート電極、ゲート絶縁膜等が積層された部材である。更に、駆動用ＴＦＴ１２３…は、表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂの位置に対応して設けられており、後述するように陽極２３…に各々接続している。   Further, the driving TFTs 123 formed on the substrate 20 function as driving switching elements for driving the anodes 23 (see FIG. 1). Such driving TFTs 123 are formed by using a known TFT manufacturing technique, and are members in which a silicon film doped with impurities, a gate electrode, a gate insulating film, and the like are laminated. Further, the driving TFTs 123 are provided corresponding to the positions of the display regions R, G, and B, and are respectively connected to the anodes 23 as described later.

層間絶縁膜２１は、透明性樹脂材料からなることが好ましく、また、加工性が良好な材料からなることが好ましい。例えば、熱硬化樹脂からなることが好ましく、当該例として、熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂やアクリル樹脂等を採用することが好ましい。また、層間絶縁膜２１においては、陽極２３…との界面が高精度に平坦化されていることが好ましく、当該平坦化を達成するために複数の工程を経て積層形成された構成でもよい。また、層間絶縁膜２１には駆動用ＴＦＴ１２３…と陽極２３…の位置に応じてコンタクトホールが形成されており、当該コンタクトホールに埋設された接続配線によって駆動用ＴＦＴ１２３…と陽極２３…が接続されている。
なお、層間絶縁膜２１によって被覆される各種回路部には、走査線駆動回路８０、検査回路９０、及びそれらを接続して駆動するための駆動電圧動通部や、駆動制御信号導通部等が含まれている。 The interlayer insulating film 21 is preferably made of a transparent resin material, and is preferably made of a material with good workability. For example, it is preferably made of a thermosetting resin, and as an example, it is preferable to employ an epoxy resin or an acrylic resin that is a kind of thermosetting resin. In addition, in the interlayer insulating film 21, the interface with the anodes 23 is preferably flattened with high accuracy, and may have a structure in which a plurality of processes are laminated to achieve the flattening. Further, contact holes are formed in the interlayer insulating film 21 in accordance with the positions of the driving TFTs 123 and the anodes 23, and the driving TFTs 123 and the anodes 23 are connected by connection wirings embedded in the contact holes. ing.
The various circuit portions covered with the interlayer insulating film 21 include a scanning line driving circuit 80, an inspection circuit 90, a driving voltage passing portion for connecting and driving them, a driving control signal conducting portion, and the like. include.

また、陽極２３…が形成された層間絶縁層２１の表面は、陽極２３…と、ＳｉＯ２等の親液性材料を主体とする親液性制御層６９と、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等からなるバンク層（隔壁）７０…とによって覆われている。図３に示すように、バンク層７０…は、陽極２３…の間にその回りを取り囲むように２次元的に配置されており、発光機能層１１０…の発光光が、バンク層７０によって仕切られる構成となっている。なお、本実施形態における親液性制御層の「親液性」とは、少なくともバンク層７０を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。 The surface of the interlayer insulating layer 21 on which the anodes 23 are formed is composed of the anodes 23, a lyophilic control layer 69 mainly composed of a lyophilic material such as SiO 2 , an acrylic resin, a polyimide resin, or the like. Bank layers (partition walls) 70 are covered. 3, the bank layers 70 are two-dimensionally arranged so as to surround the anodes 23, and the light emitted from the light emitting functional layers 110 is partitioned by the bank layer 70. It has a configuration. In addition, “lyophilic” of the lyophilic control layer in the present embodiment means that the lyophilic property is higher than at least materials such as acrylic resin and polyimide resin constituting the bank layer 70. .

更に、駆動用ＴＦＴ１２３は、陽極２３…と各々接続し、陽極２３…の上層には、発光機能層１１０が形成され、その上層には、陰極５０が形成されている。
発光機能層１１０は、陽極２３と陰極５０に挟まれる多層構造を備えており、陽極２３側から順に、正孔注入層７１、有機ＥＬ層（発光素子）６０を順に形成されたものである。 Further, the driving TFT 123 is connected to each of the anodes 23..., The light emitting functional layer 110 is formed on the upper layer of the anodes 23, and the cathode 50 is formed on the upper layer.
The light emitting functional layer 110 has a multilayer structure sandwiched between the anode 23 and the cathode 50, and is formed by sequentially forming a hole injection layer 71 and an organic EL layer (light emitting element) 60 in this order from the anode 23 side.

陽極２３は、ＩＴＯによって構成され、印加された電圧によって、正孔を有機ＥＬ層６０に向けて注入するものであり、仕事関数が高く導電性を有している。陽極２３を形成するための材料としては、ＩＴＯに限るものではなく、封止側発光型の有機ＥＬ装置の場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、好適な材料であればよい。また、基板側発光型の有機ＥＬ装置の場合には、光透過性を備えた公知の材料を採用できる。例えば、金属酸化物が挙げられるが、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、もしくは、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）を採用できる。   The anode 23 is made of ITO and injects holes toward the organic EL layer 60 by an applied voltage, and has a high work function and conductivity. The material for forming the anode 23 is not limited to ITO. In the case of a sealed-side light-emitting organic EL device, it is not necessary to use a material having light transmittance, and a suitable material. If it is. In the case of a substrate-side light emitting organic EL device, a known material having light transmittance can be adopted. For example, a metal oxide can be used. Indium tin oxide (ITO) or a material containing zinc (Zn) in a metal oxide, for example, an indium oxide / zinc oxide based amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO / I z O) (registered trademark) (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) can be used.

正孔注入層７１は、導電性高分子材料の一つであり、陽極２３の正孔を有機ＥＬ層６０に注入するための正孔注入層を構成するものであり、その膜厚は、３０ｎｍに形成されている。このような正孔注入層を形成する材料の例として種種の導電性高分子材料が好適に用いられ、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等を採用できる。   The hole injection layer 71 is one of conductive polymer materials, and constitutes a hole injection layer for injecting holes of the anode 23 into the organic EL layer 60. The film thickness is 30 nm. Is formed. As an example of a material for forming such a hole injection layer, various kinds of conductive polymer materials are suitably used. For example, PEDOT: PSS, polythiophene, polyaniline, polypyrrole, and the like can be employed.

有機ＥＬ層６０は、有機機能層（有機エレクトロルミネッセンス素子）１１０を構成するものであり、陽極２３から正孔注入層７１を経て注入された正孔と、陰極５０からの注入された電子とが結合して蛍光を発生させるようになっている。
このような有機ＥＬ層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の材料をドープして用いることもできる。
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、カラー表示を行うべく構成されている。即ち、光の三原色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂ毎に各有機ＥＬ層６０が、それぞれ三原色に対応して形成され、有機ＥＬ層６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂを構成している。
このような有機ＥＬ層６０を備える有機ＥＬ装置１は、従来の薄型ディスプレイと比較して応答速度が速い有機ＥＬ装置を実現できると共に、発光特性が優れた表示を実現できる。 The organic EL layer 60 constitutes the organic functional layer (organic electroluminescence element) 110, and the holes injected from the anode 23 through the hole injection layer 71 and the electrons injected from the cathode 50 are included. They are combined to generate fluorescence.
As a material for forming such an organic EL layer 60, a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence can be used. Specifically, polyfluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivative, polymethylphenylsilane A polysilane such as (PMPS) is preferably used. In addition, these polymer materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, A material such as quinacridone can be doped.
In addition, the organic EL device 1 of the present embodiment is configured to perform color display. That is, each organic EL layer 60 is formed corresponding to each of the three primary colors for each of the display regions R, G, and B corresponding to the three primary colors R, G, and B, and constitutes the organic EL layers 60R, 60G, and 60B. Yes.
The organic EL device 1 including such an organic EL layer 60 can realize an organic EL device having a response speed higher than that of a conventional thin display and can realize a display with excellent light emission characteristics.

なお、有機ＥＬ層６０の表面に、電子注入／輸送層を設けた構成を採用してもよい。当該電子注入／輸送層は、有機ＥＬ層６０に電子を注入する役割を果たすものであり、この形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。
なお、電子注入／輸送層は、光透過性を有する程度の膜厚であることが好ましい。このようにすれば陰極５０によって反射する発光光が遮蔽されることがなく、発光強度の低下を防止できる。 A configuration in which an electron injection / transport layer is provided on the surface of the organic EL layer 60 may be employed. The electron injection / transport layer plays a role of injecting electrons into the organic EL layer 60, and the forming material is not particularly limited, and includes oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and derivatives thereof, Benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, etc. Illustrated. Specifically, as with the material for forming the hole transport layer, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2-209888 are disclosed. And the like described in JP-A-3-379992 and 3-152184, particularly 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4. -Oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum are preferred.
In addition, it is preferable that the electron injection / transport layer has a film thickness that allows light transmission. In this way, the emitted light reflected by the cathode 50 is not shielded, and a decrease in emission intensity can be prevented.

陰極５０は、図２及び図３に示すように、表示領域４及びダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。陰極５０は、陽極２３の対向電極として、電子を有機ＥＬ層６０に注入する機能を備える。陰極５０を形成する材料としては、例えばカルシウム金属又はカルシウムを主成分とする合金を有機ＥＬ層６０側に積層して第１の陰極層とし、その上層にアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金、もしくは銀又は銀−マグネシウム合金などを積層して第２の陰極層とした積層体を採用できる。なお、第２の陰極層は第１の陰極層を覆って、酸素や水分などとの化学反応から保護すると共に、陰極５０の導電性を高めるために設けられる。従って、陰極５０は化学的に安定で仕事関数が低く電気抵抗が低い材料を用いる場合には、単層構造でもよく、また金属材料に限るものではない。   As shown in FIGS. 2 and 3, the cathode 50 has a larger area than the total area of the display area 4 and the dummy area 5, and is formed so as to cover each of them. The cathode 50 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 60 as a counter electrode of the anode 23. As a material for forming the cathode 50, for example, calcium metal or an alloy containing calcium as a main component is laminated on the organic EL layer 60 side to form a first cathode layer, and aluminum or an alloy containing aluminum as a main component is formed thereon. Or the laminated body which laminated | stacked silver or a silver-magnesium alloy etc. as the 2nd cathode layer is employable. The second cathode layer covers the first cathode layer and is provided to protect from a chemical reaction with oxygen, moisture, etc., and to increase the conductivity of the cathode 50. Therefore, the cathode 50 may have a single layer structure when the material is chemically stable, has a low work function, and has a low electric resistance, and is not limited to a metal material.

また、陰極５０の表面には、封止樹脂層（樹脂層、接着剤）４１が形成されている。
当該封止樹脂層４１は、有機ＥＬ層６０の発光に伴う発熱を放熱する機能を有するものである。また、陰極５０を構成する無機材料と、不安定なバンク層７０との界面の接着性を向上し、陰極５０の剥離を防止する機能も有する。
また、封止樹脂層４１の具体的な材料としては、親油性で低吸水性を有する高分子材料が好適に採用される。例えば、熱硬化性を有するアクリル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリオレフィン系等の樹脂材料が採用される。また、硬化剤と、モノマー／オリゴマー樹脂材料とを混合させて硬化させる、２液硬化性の樹脂材料を採用してもよい。 A sealing resin layer (resin layer, adhesive) 41 is formed on the surface of the cathode 50.
The sealing resin layer 41 has a function of radiating heat generated by the light emission of the organic EL layer 60. Further, it has a function of improving the adhesion at the interface between the inorganic material constituting the cathode 50 and the unstable bank layer 70 and preventing the cathode 50 from peeling off.
Moreover, as a specific material of the sealing resin layer 41, a polymer material having lipophilicity and low water absorption is suitably employed. For example, resin materials such as acrylic, epoxy, urethane, and polyolefin resins having thermosetting properties are employed. Moreover, you may employ | adopt the 2 component curable resin material which mixes and hardens | cures a hardening | curing agent and monomer / oligomer resin material.

また、封止樹脂層４１に熱伝導性が高い材料、例えば、アルミニウム等の金属の粉末を含むものを用いてもよい。この場合には、封止樹脂層４１の熱伝導率を向上できるため、放熱性を更に向上できる。
また、封止樹脂層４１に熱膨張係数の小さい材料、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン等の粉末を含むものを用いてもよい。この場合には、封止樹脂層４１の熱膨張に起因して、有機ＥＬ層６０にかかる応力を低減し、発光特性及び信頼性への影響を抑えることが可能となる。具体的には、有機ＥＬ層６０における発光に伴う発熱によって封止樹脂層４１が上昇した場合でも、封止樹脂層４１中に熱膨張係数が小さい材料が含まれていることにより、封止樹脂層４１の膨張が抑えられ有機ＥＬ層６０にかかる応力を抑制できる。
更には、封止樹脂層４１に熱伝導性が高く、熱膨張係数の小さい材料、例えば鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−コバルト合金等の粉末を含むものを用いてもよい。この場合、放熱性を向上させる効果と、有機ＥＬ層６０にかかる応力を抑制する効果と、を得ることができ、有機ＥＬ層６０の信頼性を向上できる。
また、本実施形態においては、封止樹脂層４１とは、基板２０と封止基板３０を接着する機能と、水分や酸素の侵入を防ぐ機能とを有する層膜である。一般的に、接着する役割を主に考える場合には接着剤と呼ばれたり、水分や酸素の侵入を防ぐ役割を主に考える場合には封止樹脂（樹脂層）と呼ばれたりする場合があるが、本実施形態の封止樹脂層４１は、両者のうちいずれか一方のみとして機能するのではなく、両者の機能を兼ね備えた層膜である。 Further, the sealing resin layer 41 may be made of a material having a high thermal conductivity, for example, a material containing metal powder such as aluminum. In this case, since the thermal conductivity of the sealing resin layer 41 can be improved, the heat dissipation can be further improved.
Further, the sealing resin layer 41 may be made of a material having a small coefficient of thermal expansion, for example, a material containing powder such as silicon oxide or silicon nitride. In this case, the stress applied to the organic EL layer 60 due to the thermal expansion of the sealing resin layer 41 can be reduced, and the influence on the light emission characteristics and reliability can be suppressed. Specifically, even when the sealing resin layer 41 rises due to heat generation due to light emission in the organic EL layer 60, the sealing resin layer 41 contains a material having a small coefficient of thermal expansion. The expansion of the layer 41 is suppressed, and the stress applied to the organic EL layer 60 can be suppressed.
Furthermore, the sealing resin layer 41 may be made of a material having a high thermal conductivity and a low thermal expansion coefficient, for example, a powder containing an iron-nickel alloy, an iron-nickel-cobalt alloy, or the like. In this case, the effect of improving heat dissipation and the effect of suppressing the stress applied to the organic EL layer 60 can be obtained, and the reliability of the organic EL layer 60 can be improved.
In the present embodiment, the sealing resin layer 41 is a layer film having a function of bonding the substrate 20 and the sealing substrate 30 and a function of preventing intrusion of moisture and oxygen. In general, it is sometimes called an adhesive when mainly considering the role of bonding, or it may be called a sealing resin (resin layer) when mainly thinking about the role of preventing the entry of moisture and oxygen. However, the sealing resin layer 41 of this embodiment does not function as only one of them, but is a layer film having both functions.

また、封止樹脂層４１の表面にガスバリア層を形成してもよい。このようにすれば、有機ＥＬ層６０に侵入する水分や酸素を遮蔽できる。
また、封止樹脂層４１には、ガラスビーズ等のスペーサが混入されている。このようにスペーサが混入されていることにより、基板２０と封止基板３０とを貼り合わせた際に、両基板間の間隔をスペーサ径で一定に規定することができる。 A gas barrier layer may be formed on the surface of the sealing resin layer 41. In this way, moisture and oxygen that enter the organic EL layer 60 can be shielded.
The sealing resin layer 41 is mixed with spacers such as glass beads. Since the spacers are mixed in this way, when the substrate 20 and the sealing substrate 30 are bonded together, the distance between the two substrates can be defined uniformly by the spacer diameter.

上述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、封止基板３０の金属材料の熱膨張係数が２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／℃となっているので、有機ＥＬ層６０の発熱を封止基板３０に容易に熱伝導させることができる。これにより、発熱に起因する素子劣化を抑制することができ、有機ＥＬ層６０の長寿命化を実現できる。また、基板２０と封止基板３０との熱膨張係数の差による破損や変形を防止できる。そして、特に、大型の有機ＥＬ装置においては、基板２０と封止基板３０の貼り合わせ時に熱膨張係数の差による破損や変形が生じ易いが、本実施形態においては破損や変形が生じることなく、容易に製造できる。
また、有機ＥＬ層６０の発光に伴う発熱は、封止樹脂層４１を介して有機ＥＬ装置１の外部に放熱させることができる。ここで、封止樹脂層４１には、熱膨張係数が低い材料が含有されているので、当該封止樹脂層４１の熱膨張を抑制し、有機ＥＬ層６０への応力の影響を低減できる。また、封止樹脂層４１に熱伝導性が高い材料が含有されているので、封止樹脂層４１がより伝熱しやすくなり、放熱性を更に向上できる。
また、封止基板３０の表面には、ニッケル膜が形成されているので、封止基板３０の放熱性を更に向上させることができ、耐食性を向上できる。
また、封止樹脂層４１にスペーサが含有されているので、基板２０と封止基板３０との間隔を一定に保持できる。また、封止樹脂層４１の膜厚差により発生する基板２０面内強度及び貼り合わせによる応力の違いを均一化し、変形を防止できる。封止樹脂層４１内にスペーサを含有させるだけでよいので、簡単な構成で封止樹脂層４１の膜厚の均一化を図ることができる。 As described above, in the organic EL device 1 of this embodiment, the thermal expansion coefficient of the metal material of the sealing substrate 30 is 2.0 × 10 −6 / ° C. to 5.5 × 10 −6 / ° C. Therefore, the heat generated by the organic EL layer 60 can be easily conducted to the sealing substrate 30. Thereby, element deterioration resulting from heat generation can be suppressed, and the life of the organic EL layer 60 can be extended. Further, breakage and deformation due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 20 and the sealing substrate 30 can be prevented. In particular, in a large organic EL device, damage or deformation due to a difference in thermal expansion coefficient is likely to occur when the substrate 20 and the sealing substrate 30 are bonded, but in this embodiment, damage or deformation does not occur. Easy to manufacture.
Further, the heat generated by the light emission of the organic EL layer 60 can be radiated to the outside of the organic EL device 1 through the sealing resin layer 41. Here, since the sealing resin layer 41 contains a material having a low thermal expansion coefficient, the thermal expansion of the sealing resin layer 41 can be suppressed, and the influence of stress on the organic EL layer 60 can be reduced. Moreover, since the sealing resin layer 41 contains a material having high thermal conductivity, the sealing resin layer 41 can more easily transfer heat, and heat dissipation can be further improved.
Moreover, since the nickel film is formed on the surface of the sealing substrate 30, the heat dissipation of the sealing substrate 30 can be further improved, and the corrosion resistance can be improved.
Moreover, since the sealing resin layer 41 contains spacers, the distance between the substrate 20 and the sealing substrate 30 can be kept constant. Moreover, the difference in the in-plane strength of the substrate 20 caused by the difference in film thickness of the sealing resin layer 41 and the stress due to bonding can be made uniform, and deformation can be prevented. Since only the spacer is required to be included in the sealing resin layer 41, the thickness of the sealing resin layer 41 can be made uniform with a simple configuration.

次に、本発明の発光装置の第２〜第５実施形態について説明する。
当該第２〜第５実施形態においては、上記の第１実施形態に示した有機ＥＬ装置１と同一構成には同一符号を付して説明を簡略化している。 Next, second to fifth embodiments of the light emitting device of the present invention will be described.
In the said 2nd-5th embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as the organic EL apparatus 1 shown in said 1st Embodiment, and description is simplified.

（有機ＥＬ装置の第２実施形態）
まず、有機ＥＬ装置の第２実施形態について説明する。
図４は、本実施形態の有機ＥＬ装置における側断面の一部を示す図である。
図４に示すように、有機ＥＬ装置１は、上記の封止基板３０に替えて、封止缶３１が配置され、封止缶３１の外周部が封止樹脂層４１により接着された所謂缶封止の構成を有している。
ここで、封止缶３１の材料としては、第１実施形態の封止基板３０と同様の、熱膨張係数が２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／℃の特性を有する金属材料が採用される。このため、基板２０との熱膨張係数が略同じ熱膨張係数の差が小さく、熱収縮による破損や変形を抑制することが可能となる。本実施形態においては、０．５ｍｍの厚さの４２ニッケルアロイを封止缶３１として採用している。当該４２ニッケルアロイの熱膨張係数は、上記の金属合金の中でも最も無アルカリガラスに近い値を示すものであり、特に好ましい。また、当該４２ニッケルアロイは、他の合金よりも安価であり好ましい。更に、当該封止缶３１の表面には、メッキ等によって形成されたニッケル膜が形成されている。
また、封止缶３１において、有機ＥＬ層６０が配置されている側には、収容部３１ａが形成されている。更に、当該収容部３１ａ内には、絶縁性の液体材料７２が充填されている。本実施形態においては、フッ素系不活性液体を用いている。このような液体材料７２は、化学的に極めて安定であり、絶縁性を兼ね備えた材料である。従って、封止樹脂層４１および封止樹脂層４１と接触するように液体材料７２が充填されているが、これらの封止樹脂層４１や発光層６０に影響を及ぼすことは無い。
本実施形態では、収容部３１ａに液体材料が充填されているため、これを介して有機ＥＬ層６０で発生した熱を高い熱伝導性を有する封止缶３１に放出することが可能であり、高い放熱性能を有する。また、発光層６０上は封止樹脂層４１を介して液体材料７２を配置した空間となっているため、発光層６０が発熱した場合でも熱膨張による応力はこの空間により緩和される。このため、発光層６０にかかる応力を抑制できる。更に収容部３１ａ内に乾燥剤、脱酸素剤を配置することも可能で、長期に水分や酸素による影響を防止できる。
上述したように、本実施形態においては、缶封止構造を有する有機ＥＬ装置１を実現できると共に、上記の第１実施形態と同様の効果が得られる。 (Second Embodiment of Organic EL Device)
First, a second embodiment of the organic EL device will be described.
FIG. 4 is a view showing a part of a side cross section in the organic EL device of the present embodiment.
As shown in FIG. 4, the organic EL device 1 is a so-called can in which a sealing can 31 is disposed instead of the sealing substrate 30 and an outer peripheral portion of the sealing can 31 is bonded by a sealing resin layer 41. It has a sealing configuration.
Here, as the material of the sealing can 31, similar to the sealing plate 30 of the first embodiment, the thermal expansion coefficient of 2.0 × 10 -6 /℃~5.5×10 -6 / ℃ characteristics A metal material having the following is employed. For this reason, the difference in thermal expansion coefficient that is substantially the same as that of the substrate 20 is small, and breakage and deformation due to thermal contraction can be suppressed. In this embodiment, 42 nickel alloy having a thickness of 0.5 mm is adopted as the sealing can 31. The thermal expansion coefficient of the 42 nickel alloy shows a value closest to alkali-free glass among the above metal alloys, and is particularly preferable. The 42 nickel alloy is preferable because it is cheaper than other alloys. Furthermore, a nickel film formed by plating or the like is formed on the surface of the sealing can 31.
Moreover, in the sealing can 31, the accommodating part 31a is formed in the side by which the organic EL layer 60 is arrange | positioned. Further, the accommodating portion 31a is filled with an insulating liquid material 72. In the present embodiment, a fluorine-based inert liquid is used. Such a liquid material 72 is a material that is extremely chemically stable and also has an insulating property. Accordingly, the liquid material 72 is filled so as to come into contact with the sealing resin layer 41 and the sealing resin layer 41, but the sealing resin layer 41 and the light emitting layer 60 are not affected.
In the present embodiment, since the accommodating portion 31a is filled with the liquid material, the heat generated in the organic EL layer 60 can be released to the sealing can 31 having high thermal conductivity through this, High heat dissipation performance. Further, since the liquid material 72 is disposed on the light emitting layer 60 through the sealing resin layer 41, the stress due to thermal expansion is relieved by this space even when the light emitting layer 60 generates heat. For this reason, the stress concerning the light emitting layer 60 can be suppressed. Furthermore, it is possible to dispose a desiccant and an oxygen scavenger in the accommodating portion 31a, and the influence of moisture and oxygen can be prevented for a long time.
As described above, in the present embodiment, the organic EL device 1 having a can sealing structure can be realized, and the same effects as those in the first embodiment can be obtained.

（有機ＥＬ装置の第３実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の第３実施形態について説明する。
図５は、本実施形態の有機ＥＬ装置の平面図であって、発光機能層１１０が形成されている面から見た図である。図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置における側断面の一部を示す図である。図７は、本実施形態の有機ＥＬ装置の平面図であって、封止基板３０の外面から見た図である。 (Third embodiment of organic EL device)
Next, a third embodiment of the organic EL device will be described.
FIG. 5 is a plan view of the organic EL device of the present embodiment, as viewed from the surface on which the light emitting functional layer 110 is formed. FIG. 6 is a view showing a part of a side cross section in the organic EL device of the present embodiment. FIG. 7 is a plan view of the organic EL device of the present embodiment, as viewed from the outer surface of the sealing substrate 30.

図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、複数の発光機能層１１０が形成された４枚の素子基板２０が縦横２行２列に配列され、これら４枚の素子基板２０が支持基板２２上に固定されている。このように、複数の基板を組み合わせてより大型の基板を形成する手法は「タイリング」と呼ばれ、歩留まり上有利な小型の素子基板で大きな表示領域が実現できるために、例えば大型テレビジョン等の用途に用いる有機ＥＬパネルの製造に好適なものである。素子基板２０及び支持基板２２の材質としては、日本電気硝子社製のＯＡ−１０を用いている。各素子基板２０には、複数の発光機能層１１０がマトリクス状に配置された表示領域４が設けられ、本実施形態では素子基板２０が２行２列に配列されるため、隣接する２辺（例えば図５の右上の素子基板２０では左辺と下辺）が他の素子基板２０と接続される辺となる。そして、それ以外の辺（例えば図５の右上の素子基板２０では右辺と上辺）に沿ってデータ側駆動回路、走査側駆動回路等の駆動回路や各種配線（ともに図示略）が設けられ、更に複数の実装接続用端子２４が所定のピッチで配置された端子部２５が設けられている。この端子部２５には、後工程で駆動用ＩＣ等の電子部品が搭載された駆動用のフレキシブル基板が接続される。   As shown in FIG. 5, in the organic EL device 1 of the present embodiment, four element substrates 20 on which a plurality of light emitting functional layers 110 are formed are arranged in two rows and two columns vertically and horizontally, and these four element substrates 20 are arranged. Is fixed on the support substrate 22. In this way, a method of forming a larger substrate by combining a plurality of substrates is called “tiling”, and a large display area can be realized with a small element substrate advantageous in terms of yield. It is suitable for the manufacture of an organic EL panel used in the above applications. As a material of the element substrate 20 and the support substrate 22, OA-10 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. is used. Each element substrate 20 is provided with a display region 4 in which a plurality of light emitting functional layers 110 are arranged in a matrix. In this embodiment, the element substrates 20 are arranged in two rows and two columns, so two adjacent sides ( For example, in the upper right element substrate 20 in FIG. 5, the left side and the lower side) are sides connected to other element substrates 20. A drive circuit such as a data side drive circuit, a scan side drive circuit, and various wirings (both not shown) are provided along other sides (for example, the right side and the upper side in the upper right element substrate 20 in FIG. 5). A terminal portion 25 is provided in which a plurality of mounting connection terminals 24 are arranged at a predetermined pitch. The terminal portion 25 is connected to a driving flexible board on which electronic components such as a driving IC are mounted in a later process.

４枚の素子基板２０上には所定の間隔をもって封止基板３０が封止樹脂層４１により接着されている。封止基板３０の材料としては、第１実施形態と同様、熱膨張係数が２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／℃の特性を有する金属材料が採用される。このため基板２０との熱膨張係数の差が小さく、熱収縮による破損や変形を抑制することが可能となる。本実施形態においては、０．５ｍｍの厚さの４２ニッケルアロイを封止基板３０として採用している。当該４２ニッケルアロイの熱膨張係数は、上記の金属合金の中でも最も無アルカリガラスに近い値を示すものであり、特に好ましい。また、当該４２ニッケルアロイは、他の合金よりも安価であり好ましい。更に、当該封止缶３１の表面には、メッキ等によって形成されたニッケル膜が形成されている。
素子基板２０の有機ＥＬ層６０を形成した面の側には、素子基板２０と封止基板３０の間隔を一定に保つためのスペーサを、素子基板作成工程中に設けている。
また、封止樹脂層４１には、鉄−ニッケル−コバルトの合金であるスーパーインバーの粉末を含むものを用いている。このため、封止樹脂層４１は熱伝導率が高く、有機ＥＬ層６０で発生した熱を効率的に封止部材３０に伝えることが可能なため、高い放熱性能を得ることができる。更には、封止樹脂層４１の熱膨張を抑えることが可能であり、有機ＥＬ層６０の発熱により温度が上昇した場合でも、封止樹脂層４１の熱膨張に起因して有機ＥＬ層６０にかかる応力を低減し、発光特性及び信頼性への影響を抑えることが可能である。
また、封止基板３０の大きさは４枚の素子基板２０全体よりも一回り小さいものであり、各素子基板２０上の端子部２５が封止基板３０の外側に位置している。 On the four element substrates 20, a sealing substrate 30 is bonded with a sealing resin layer 41 at a predetermined interval. As a material for the sealing substrate 30, similarly to the first embodiment, a metal material having a thermal expansion coefficient has the properties of 2.0 × 10 -6 /℃~5.5×10 -6 / ℃ is employed. For this reason, the difference of the thermal expansion coefficient with the board | substrate 20 is small, and it becomes possible to suppress the damage and deformation | transformation by heat contraction. In this embodiment, 42 nickel alloy having a thickness of 0.5 mm is employed as the sealing substrate 30. The thermal expansion coefficient of the 42 nickel alloy shows a value closest to alkali-free glass among the above metal alloys, and is particularly preferable. The 42 nickel alloy is preferable because it is cheaper than other alloys. Furthermore, a nickel film formed by plating or the like is formed on the surface of the sealing can 31.
On the side of the element substrate 20 on which the organic EL layer 60 is formed, a spacer for keeping the distance between the element substrate 20 and the sealing substrate 30 constant is provided during the element substrate forming process.
Further, as the sealing resin layer 41, a material containing Super Invar powder which is an iron-nickel-cobalt alloy is used. For this reason, since the sealing resin layer 41 has a high thermal conductivity and can efficiently transmit the heat generated in the organic EL layer 60 to the sealing member 30, high heat dissipation performance can be obtained. Furthermore, it is possible to suppress the thermal expansion of the sealing resin layer 41, and even when the temperature rises due to heat generation of the organic EL layer 60, the thermal expansion of the sealing resin layer 41 leads to the organic EL layer 60. Such stress can be reduced, and the influence on the light emission characteristics and reliability can be suppressed.
Further, the size of the sealing substrate 30 is slightly smaller than the whole of the four element substrates 20, and the terminal portions 25 on each element substrate 20 are located outside the sealing substrate 30.

更に、本実施形態においては、封止基板３０に梁状の凹凸（凹凸部）３０ａを設けている。本実施形態で用いている４２ニッケルアロイは、加工性が良好で、この様な形状をプレス等の方法で容易に精度良く形成できる。このような凹凸３０ａを設けることにより、封止基板３０の剛性を向上できるため、素子基板２０との貼り合わせ時の作業性、精度の管理が容易になる。また、貼り合わせた後の剛性及び機械的強度を向上できるため、タイリングによって大型化した有機ＥＬ装置１においては、機械的強度の確保の点でも非常に有用である。更に、封止基板３０の表面積が増加するため、放熱性を更に向上できる。
この様な封止基板３０に設ける凹凸３０ａは、本実施形態にある様な梁状のものの他、格子状、波状、のものも適宜使用することが可能である。更に、凹凸３０ａを細かいものとしたり、梁状の大きな凹凸に細かな凹凸を組み合わせたりして、更に封止基板３０の表面積を増やす様な形状としてもよい。これにより、更なる放熱性の向上と剛性の向上を図ることもできる。
基板２０と封止基板３０の貼り合わせは、基板２０の有機ＥＬ層６０を形成した側の面上に有機ＥＬ層６０を覆う様に封止樹脂層４１を配置した後、減圧雰囲気下において封止基板３０を封止樹脂層４１上に配置し、接着することによって行っている。この様に減圧雰囲気下で接着を行うことにより、封止樹脂層４１と基板２０との間、もしくは、封止樹脂層４１と封止板３０との間に気泡が入るのを防止できる。このため、気泡を介して有機ＥＬ層６０に酸素及び水分が侵入するのを防止し、有機ＥＬ層６０の発光特性や寿命が低下するのを抑制できる。特に本実施形態の様に封止板に凹凸３０ａを設けた場合、封止板３０と封止樹脂層４１の間に気泡が入り易いため、特に有効である。 Furthermore, in the present embodiment, the sealing substrate 30 is provided with beam-like irregularities (irregularities) 30a. The 42 nickel alloy used in this embodiment has good workability, and such a shape can be easily and accurately formed by a method such as pressing. By providing such irregularities 30a, the rigidity of the sealing substrate 30 can be improved, so that the workability and accuracy of the bonding with the element substrate 20 can be easily managed. In addition, since the rigidity and mechanical strength after bonding can be improved, the organic EL device 1 enlarged by tiling is very useful in terms of securing the mechanical strength. Furthermore, since the surface area of the sealing substrate 30 increases, the heat dissipation can be further improved.
As the unevenness 30a provided on the sealing substrate 30 as described above, a lattice shape, a wave shape, or the like can be used as appropriate in addition to the beam shape as in the present embodiment. Furthermore, it is good also as a shape which makes the unevenness | corrugation 30a fine, or combines a fine unevenness | corrugation with a beam-like large unevenness | corrugation, and also increases the surface area of the sealing substrate 30. FIG. Thereby, the further improvement of heat dissipation and rigidity can also be aimed at.
The bonding of the substrate 20 and the sealing substrate 30 is performed by placing the sealing resin layer 41 on the surface of the substrate 20 on which the organic EL layer 60 is formed so as to cover the organic EL layer 60, and then sealing in a reduced pressure atmosphere. The stop substrate 30 is disposed on the sealing resin layer 41 and bonded. By adhering in such a reduced pressure atmosphere, bubbles can be prevented from entering between the sealing resin layer 41 and the substrate 20 or between the sealing resin layer 41 and the sealing plate 30. For this reason, it can prevent that oxygen and a water | moisture content penetrate | invade into the organic EL layer 60 via a bubble, and can suppress that the light emission characteristic and lifetime of the organic EL layer 60 fall. In particular, when the unevenness 30a is provided on the sealing plate as in the present embodiment, since air bubbles easily enter between the sealing plate 30 and the sealing resin layer 41, it is particularly effective.

（有機ＥＬ装置の第４実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の第４実施形態について説明する。
図８は、本実施形態の有機ＥＬ装置における側断面の一部を示す図である。 (Fourth Embodiment of Organic EL Device)
Next, a fourth embodiment of the organic EL device will be described.
FIG. 8 is a view showing a part of a side cross section in the organic EL device of the present embodiment.

図８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置では、フィン部材（凹凸部）３０ｂを、封止基板３０における有機ＥＬ層６０が配置されていない側の面、即ち、封止基板３０の背面側に設けている。その他の構成は、実施形態１と同様である。フィン部材３０ｂを設けることによって封止基板３０から放熱する面積が大きくすることができ、放熱性を向上できる。
フィン部材３０ｂの材質としては、熱伝導性が高く安価なアルミニウムを用いている。フィン部材３０ｂの材質としては、他にも銅等、熱伝導性が高く加工性が良好な材料であれば適宜使用できる。アルミニウムの熱膨張係数は封止基板３０に用いられている４２ニッケルアロイに比べかなり大きい。フィン部材３０ｂの熱膨張による封止基板３０への影響を低減するため、フィン部材３０ｂは、複数に分割し、封止基板３０の表面に接着させず、密着させるように設けている。フィン部材３０ｂと封止基板３０との間の熱抵抗を減らすために、フィン部材３０ｂと封止基板３０との間にペースト状部材を配置してもよい。 As shown in FIG. 8, in the organic EL device of the present embodiment, the fin member (uneven portion) 30b is formed on the surface of the sealing substrate 30 on which the organic EL layer 60 is not disposed, that is, on the sealing substrate 30. Provided on the back side. Other configurations are the same as those of the first embodiment. By providing the fin member 30b, an area for radiating heat from the sealing substrate 30 can be increased, and heat dissipation can be improved.
As the material of the fin member 30b, aluminum having high thermal conductivity and low cost is used. As the material of the fin member 30b, any other material such as copper that has high thermal conductivity and good workability can be used as appropriate. The thermal expansion coefficient of aluminum is considerably larger than that of 42 nickel alloy used for the sealing substrate 30. In order to reduce the influence of the thermal expansion of the fin member 30 b on the sealing substrate 30, the fin member 30 b is divided into a plurality of pieces and is provided in close contact with the surface of the sealing substrate 30 without being bonded. In order to reduce the thermal resistance between the fin member 30 b and the sealing substrate 30, a paste-like member may be disposed between the fin member 30 b and the sealing substrate 30.

（有機ＥＬ装置の第５実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の第５実施形態について説明する。
図９は、本実施形態の有機ＥＬ装置の平面図であって、発光機能層１１０が形成されている面から見た図である。
本実施形態は、第３実施形態と同様に複数の基板２０をタイリングにより支持基板２２上に貼り合わせたものを用いている。第３実施形態と説明が重複する部分については、説明を省略する。 (Fifth Embodiment of Organic EL Device)
Next, a fifth embodiment of the organic EL device will be described.
FIG. 9 is a plan view of the organic EL device of the present embodiment, as viewed from the surface on which the light emitting functional layer 110 is formed.
In the present embodiment, as in the third embodiment, a plurality of substrates 20 bonded to the support substrate 22 by tiling are used. The description of the same parts as those in the third embodiment is omitted.

図９に示すように、本実施形態は、封止基板３０の周縁部と中央部とで接着剤が２重構造となっており、封止基板３０の周縁部（例えば縁から数ｍｍ〜１ｃｍ程度の範囲）には第２接着剤４２ｂが配置され、第２接着剤４２ｂの内側の領域には第１接着剤４２ａが充填されている。なお、本実施形態においては、第１接着剤４２ａ及び第２接着剤４２ｂを合わせたものは、上記実施形態の封止樹脂層４１に相当するものである。
第１接着剤４２ａは、熱硬化性を有するアクリル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリオレフィン系などの樹脂材料から構成される一方、第２接着剤４２ｂは、２液硬化性を有するアクリル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリオレフィン系などの樹脂材料から構成されている。例えば第１接着剤４２ａにアクリル系封止樹脂を用い、第２接着剤４２ｂにエポキシ系を用いるなど、異なる樹脂材料の封止樹脂を用いてもかまわないが、樹脂の持つ各種特性が似通ったものを用いることが望ましい。
ここで、第２接着剤４２ｂは、第１接着剤４２ａよりも粘性が高くなっている。また、当該第２接着剤４２ｂは、酸素や水分の透過率が低い材料が好ましく、第１接着剤４２ａは、熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さく、弾性率が小さいことが好ましい。このようにすることで、有機ＥＬ層６０にかかる応力を最小限にすると共に封止性能を向上できる。また、このような第１接着剤４２ａ及び第２接着剤４２ｂを形成する際には、減圧雰囲気下において行われる。 As shown in FIG. 9, in the present embodiment, the adhesive has a double structure at the peripheral portion and the central portion of the sealing substrate 30, and the peripheral portion of the sealing substrate 30 (for example, several mm to 1 cm from the edge). The second adhesive 42b is disposed in the range of the extent, and the region inside the second adhesive 42b is filled with the first adhesive 42a. In the present embodiment, the combination of the first adhesive 42a and the second adhesive 42b corresponds to the sealing resin layer 41 of the above embodiment.
The first adhesive 42a is composed of a thermosetting acrylic, epoxy, urethane, polyolefin, or other resin material, while the second adhesive 42b is a two-component curable acrylic or epoxy resin. It is composed of resin materials such as polyurethane, urethane and polyolefin. For example, an acrylic sealing resin may be used for the first adhesive 42a and an epoxy resin may be used for the second adhesive 42b. However, various properties of the resin are similar. It is desirable to use one.
Here, the second adhesive 42b has a higher viscosity than the first adhesive 42a. The second adhesive 42b is preferably made of a material having a low oxygen and moisture permeability, and the first adhesive 42a preferably has a high thermal conductivity, a low thermal expansion coefficient, and a low elastic modulus. By doing so, the stress applied to the organic EL layer 60 can be minimized and the sealing performance can be improved. Moreover, when forming such 1st adhesive agent 42a and 2nd adhesive agent 42b, it is performed in a pressure-reduced atmosphere.

また、製造工程中において、第２接着剤４２ｂには、第２接着剤４２ｂによって囲まれた内側の空間と外側の空間とを連通させる連通孔４３が設けられている。本実施形態の場合、連通孔４３は各素子基板２０に２箇所ずつ形成されており、いずれの連通孔４３も端子部２５にかからない位置に形成されている。なお、完成状態においてはこの連通孔４３は第１接着剤４２ａもしくは第２接着剤４２ｂで封止されている。   Further, during the manufacturing process, the second adhesive 42b is provided with a communication hole 43 that allows communication between the inner space surrounded by the second adhesive 42b and the outer space. In the case of the present embodiment, two communication holes 43 are formed in each element substrate 20, and any of the communication holes 43 is formed at a position that does not reach the terminal portion 25. In the completed state, the communication hole 43 is sealed with the first adhesive 42a or the second adhesive 42b.

上述したように、本実施形態においては、第１接着剤４２ａと第２接着剤４２ｂとが形成されていることから、外側に形成されている第２接着剤４２ｂが、硬化前の流動性を持った状態で存在する第１接着剤４２ａが外側に向けて流れ出すのを堰き止める。この作用により、封止樹脂が封止基板３０の外側にはみ出すことにより、例えば端子２４、２５上を覆ったり、実装不良が発生したりするのを防止できる。また、例えば中央部を含む樹脂全体を一気に硬化させると硬化収縮が生じ、支持基板２２が撓んだ状態で固定されてしまうが、本実施形態においては中央部の第１接着剤４２ａが後から硬化するため、第２接着剤４２ｂの硬化時間の中で素子基板と封止部材の撓みや応力が自然と緩和される。   As described above, in the present embodiment, since the first adhesive 42a and the second adhesive 42b are formed, the second adhesive 42b formed on the outside exhibits fluidity before curing. The first adhesive 42a existing in the holding state is blocked from flowing outward. By this action, it is possible to prevent the sealing resin from protruding outside the sealing substrate 30 to cover, for example, the terminals 24 and 25 or cause a mounting failure. Further, for example, when the entire resin including the central portion is cured at once, curing shrinkage occurs, and the support substrate 22 is fixed in a bent state. In the present embodiment, the first adhesive 42a in the central portion is later Since it hardens | cures, the bending and stress of an element substrate and a sealing member are relieved naturally in the hardening time of the 2nd adhesive agent 42b.

また、本実施形態においては、減圧雰囲気下で、基板２０と封止基板３０を貼り合わせることにより、基板２０と封止基板３０との間に気泡が入るのを防止できる。従って、有機ＥＬ装置１の内部に気泡が残留することがなく、有機ＥＬ層６０への酸素や水分の侵入を抑制し、発光特性や発光寿命の低下を抑制できる。   In the present embodiment, bubbles can be prevented from entering between the substrate 20 and the sealing substrate 30 by bonding the substrate 20 and the sealing substrate 30 under a reduced pressure atmosphere. Therefore, bubbles do not remain inside the organic EL device 1, and the intrusion of oxygen and moisture into the organic EL layer 60 can be suppressed, and the decrease in light emission characteristics and light emission lifetime can be suppressed.

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

Figure 2006128022
Figure 2006128022

表１は、有機ＥＬ装置の封止基板３０の材料として、（１）アルミニウム、（２）ＳＵＳ３０４、（３）５２ニッケルアロイ、（４）コバール、（５）４２ニッケルアロイ、（６）３６ニッケルアロイ、（７）スーパーインバー、の各々を採用した場合において、有機ＥＬ装置の変形や破損の有無を実験した結果を示している。
また、ここでは、基板対角が１０インチの場合と、２０インチの場合との各々について実験を行っている。また、基板２０の材質としては、日本電気硝子社製のＯＡ−１０を採用し、熱硬化型の接着剤（６０℃で硬化）を用いて貼り合わせている。ここで、封止基板３０の厚みは０．５ｍｍ、基板２０の厚みは０．５ｍｍとしている。また、表１の実験結果は、接着剤を６０℃で硬化後、室温で測定した結果を示している。
なお、この実験においては、「×」、「○」、「◎」の判定をしている。ここで、「×」は、基板破壊や大きな反りが生じるという判定結果である。また、「○」は、反りが発生するがその量が小さいという判定結果である。また、「◎」は、殆ど変形は見られないという判定結果である。 Table 1 shows (1) aluminum, (2) SUS304, (3) 52 nickel alloy, (4) kovar, (5) 42 nickel alloy, and (6) 36 nickel as materials for the sealing substrate 30 of the organic EL device. FIG. 6 shows the results of experiments on whether or not the organic EL device is deformed or broken when each of Alloy and (7) Super Invar is employed.
Here, an experiment is performed for each of the cases where the substrate diagonal is 10 inches and 20 inches. Further, as a material of the substrate 20, OA-10 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. is adopted, and the substrates 20 are bonded using a thermosetting adhesive (cured at 60 ° C.). Here, the thickness of the sealing substrate 30 is 0.5 mm, and the thickness of the substrate 20 is 0.5 mm. Moreover, the experimental result of Table 1 has shown the result measured at room temperature, after hardening | curing an adhesive agent at 60 degreeC.
In this experiment, “x”, “◯”, and “◎” are determined. Here, “x” is a determination result that the substrate is broken or a large warp occurs. “◯” is a determination result that warpage occurs but the amount thereof is small. In addition, “」 ”is a determination result that almost no deformation is observed.

表１の結果が示すように、基板対角１０インチの場合では、（１）アルミニウムと（２）ＳＵＳ３０４は「×」の判定となり、（３）５２ニッケルアロイと（７）スーパーインバーは「○」の判定となり、（４）コバール、（５）４２ニッケルアロイ、及び（６）３６ニッケルアロイは「◎」の判定となった。
また、基板対角２０インチの場合では、（１）アルミニウム、（２）ＳＵＳ３０４、（３）５２ニッケルアロイ、及び（７）スーパーインバーは「×」の判定となり、（４）コバールと、（６）３６ニッケルアロイは「○」の判定となり、（５）４２ニッケルアロイは「◎」の判定となった。 As shown in the results of Table 1, in the case of the substrate diagonal of 10 inches, (1) aluminum and (2) SUS304 are judged as “x”, and (3) 52 nickel alloy and (7) super invar are “◯”. (4) Kovar, (5) 42 nickel alloy, and (6) 36 nickel alloy were judged as “◎”.
In the case of a substrate diagonal of 20 inches, (1) aluminum, (2) SUS304, (3) 52 nickel alloy, and (7) super invar are judged as “x”, and (4) Kovar and (6 36) Nickel alloy was judged as “◯”, and (5) 42 Nickel alloy was judged as “◎”.

このように以上の結果から、基板対角１０インチと基板対角２０インチとの両方において、「○」もしくは「◎」の判定がされた材料は、（４）コバール、（５）４２ニッケルアロイ、（６）３６ニッケルアロイであった。この材料の熱膨張係数を見ると、２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／Ｋとなっており、この範囲の熱膨張係数であれば、有機ＥＬ装置の変形を最小限に抑えることができ、また、破損を防止できる。 Thus, from the above results, the materials for which “◯” or “◎” is determined in both the 10-inch substrate diagonal and the 20-inch substrate diagonal are (4) Kovar and (5) 42 nickel alloy. (6) 36 nickel alloy. Looking at the thermal expansion coefficient of the material, has a 2.0 × 10 -6 /℃~5.5×10 -6 / K , if the thermal expansion coefficient in this range, the deformation of the organic EL device It can be minimized and damage can be prevented.

（電子機器）
図１０は、本発明に係る電子機器の一例である薄型大画面テレビ１２００の斜視構成図である。同図に示す薄型大画面テレビ１２００は、先の実施形態の有機ＥＬ装置からなる表示部１２０１と、筐体１２０１と、スピーカ等の音声出力部１２０３とを主体として構成されている。そして、この薄型大画面テレビでは、先の実施形態の有機ＥＬ装置を備えていることから、表示画面に変形が生じておらず、平坦な画面となっている、また、表示部の信頼性にも優れたものとなっている。
本発明に係る有機ＥＬ装置は、図１０に示すテレビの表示部のみならず、種々の電子機器の表示部に適用することができ、例えば、携帯用電子機器、パーソナルコンピュータ等の表示部に好適に用いることができる。 (Electronics)
FIG. 10 is a perspective configuration diagram of a thin large-screen television 1200 that is an example of the electronic apparatus according to the invention. A thin large-screen television 1200 shown in the figure is mainly configured by a display unit 1201 including the organic EL device of the previous embodiment, a housing 1201, and an audio output unit 1203 such as a speaker. And since this thin large-screen television is equipped with the organic EL device of the previous embodiment, the display screen is not deformed and is a flat screen, and the reliability of the display unit is improved. Is also excellent.
The organic EL device according to the present invention can be applied not only to the display unit of the television shown in FIG. 10 but also to the display unit of various electronic devices. For example, the organic EL device is suitable for display units of portable electronic devices, personal computers, and the like. Can be used.

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施形態で例示した有機ＥＬ装置各部の具体的な構成、構成材料はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。また、上記実施形態では、発光層に有機ＥＬ材料を用いた例を示したが、発光層に無機ＥＬ材料を用いたもの（即ち、無機ＥＬ表示装置）に対して本発明を適用することも勿論可能である。また、上記実施形態では、本発明のＥＬ装置を表示装置とした例を示したが、本発明はそれ以外の用途、例えば、液晶表示装置の光源用のＥＬ装置や、光書き込み型のレーザープリンタ及び光通信に用いる光源等にも適用可能である。   The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the specific configuration and material of each part of the organic EL device exemplified in the above embodiment are merely examples, and can be changed as appropriate. In the above embodiment, an example in which an organic EL material is used for the light emitting layer has been described. However, the present invention may be applied to a device using an inorganic EL material for the light emitting layer (that is, an inorganic EL display device). Of course it is possible. Further, in the above-described embodiment, an example in which the EL device of the present invention is used as a display device has been described. It is also applicable to a light source used for optical communication.

本発明の第１実施形態に示す有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図。The schematic diagram which shows the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus shown in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態に示す有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the structure of the organic electroluminescent apparatus shown in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態に示す有機ＥＬ装置の表示領域の側断面図。1 is a side sectional view of a display area of an organic EL device shown in a first embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態に示す有機ＥＬ装置の表示領域の側断面図。The sectional side view of the display area of the organic electroluminescent apparatus shown in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に示す有機ＥＬ装置の平面図。The top view of the organic electroluminescent apparatus shown in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に示す有機ＥＬ装置の表示領域の側断面図。The sectional side view of the display area of the organic electroluminescent apparatus shown in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に示す有機ＥＬ装置の平面図。The top view of the organic electroluminescent apparatus shown in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に示す有機ＥＬ装置の表示領域の側断面図。The sectional side view of the display area of the organic electroluminescent apparatus shown in 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態に示す有機ＥＬ装置の平面図。The top view of the organic electroluminescent apparatus shown in 5th Embodiment of this invention. 本発明の有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図。The figure which shows an electronic device provided with the organic electroluminescent apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 有機ＥＬ装置（発光装置）、２０ 素子基板（基板）、２２ 支持基板（基板）、３０ 封止基板（封止部材）、３０ａ 凹凸（凹凸部）、３０ｂ フィン部材（凹凸部）、３１ 封止缶（封止部材）、４１ 封止樹脂層（樹脂層）、４２ａ 第１接着剤、４２ｂ 第２接着剤、６０ 有機ＥＬ層（発光素子）、１２００ 薄型大画面テレビ（電子機器）

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL device (light emitting device), 20 Element substrate (substrate), 22 Support substrate (substrate), 30 Sealing substrate (sealing member), 30a Unevenness (uneven portion), 30b Fin member (uneven portion), 31 Seal Stopper (sealing member), 41 Sealing resin layer (resin layer), 42a First adhesive, 42b Second adhesive, 60 Organic EL layer (light emitting element), 1200 Thin large screen TV (electronic equipment)

Claims (14)

発光素子が形成された基板と、前記基板に対向配置されると共に前記発光素子を覆うように配置された封止部材と、を具備する発光装置であって、
前記封止部材は、熱膨張係数が２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／℃の金属材料からなることを特徴とする発光装置。 A light-emitting device comprising: a substrate on which a light-emitting element is formed; and a sealing member disposed so as to face the substrate and cover the light-emitting element,
The sealing member, the light emitting device, wherein the coefficient of thermal expansion is made of a metallic material 2.0 × 10 -6 /℃~5.5×10 -6 / ℃ . 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element comprises an organic electroluminescence element. 前記封止部材は、鉄−ニッケル合金、或いは鉄−ニッケル−コバルト合金からなり、
前記基板は、無アルカリガラスからなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The sealing member is made of an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy,
The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate is made of alkali-free glass. 前記封止部材の材料は、コバール、４２ニッケルアロイ、及び３６ニッケルアロイのうちのいずれかであることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 3, wherein a material of the sealing member is any one of Kovar, 42 nickel alloy, and 36 nickel alloy. 前記発光素子を覆うように樹脂層を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, further comprising a resin layer so as to cover the light emitting element. 前記樹脂層には、熱伝導性が高い材料が含有されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 5, wherein the resin layer contains a material having high thermal conductivity. 前記樹脂層には、熱膨張係数が小さい材料が含有されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 5, wherein the resin layer contains a material having a small thermal expansion coefficient. 前記封止部材には凹凸部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein an uneven portion is formed on the sealing member. 前記封止部材の表面には、ニッケルからなる金属層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein a metal layer made of nickel is formed on a surface of the sealing member. 前記基板と、前記封止部材との間には、前記基板と前記封止部材との間隔を保持するスペーサが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 1, wherein a spacer is disposed between the substrate and the sealing member to maintain a distance between the substrate and the sealing member. 前記樹脂層には、前記基板と前記封止部材との間隔を保持するスペーサが含有されていることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 5 to 7, wherein the resin layer contains a spacer for maintaining a distance between the substrate and the sealing member. 発光素子が形成された基板と、前記基板に対向配置されると共に前記発光素子を覆うように配置された封止部材と、を具備する発光装置の製造方法であって、
前記封止部材は、熱膨張係数が２．０×１０−６／℃〜５．５×１０−６／℃の金属材料からなることを特徴とする発光装置の製造方法。 A manufacturing method of a light-emitting device comprising: a substrate on which a light-emitting element is formed; and a sealing member disposed so as to face the substrate and cover the light-emitting element,
The sealing member, the method of manufacturing the light emitting device, wherein the coefficient of thermal expansion is made of a metallic material 2.0 × 10 -6 /℃~5.5×10 -6 / ℃ . 前記基板と前記封止部材との間に接着剤を配置して、前記基板と前記封止部材とを貼り合わせる工程を更に含み、
当該貼り合わせ工程は、減圧雰囲気下において行うことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置の製造方法。 Further comprising a step of placing an adhesive between the substrate and the sealing member, and bonding the substrate and the sealing member together;
The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 12, wherein the bonding step is performed in a reduced-pressure atmosphere. 請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 11.
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