JP2006126873A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】TFTアレイ基板上に、画素電極、これに接続された半導体層(1a)を含むTFT、該TFTに接続された走査線(3a)及びデータ線(6a)とを備えている。このうち走査線は、半導体層中のチャネル領域(1a´)に対向するゲート電極としての幅狭部(3aa)及び前記チャネル領域に対向しない幅広部(3ab)を含む。幅広部は、遮光性材料から構成すると好ましい。
【選択図】図4
Description
また、本発明の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、
該画素電極にスイッチング動作により画像信号を供給する画素用トランジスタと、
該画素用トランジスタに前記画像信号を供給する第1配線と、前記画素用トランジスタに前記スイッチング動作を制御するための走査信号を供給する第2配線と、前記第1配線と前記画素用トランジスタとの間に配置され前記画素用トランジスタに重なる遮光膜と、
前記画素用トランジスタのチャネル領域に対向するゲート電極としての幅狭部及び該幅狭部よりも幅広であり、かつ、前記チャネル領域に対向しない幅広部を含むとともに、前記幅広部の領域に形成されたコンタクトホールにより前記第2配線に電気的に接続された電極部とを備えたことを特徴とする。
まず、本発明の第1実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図1から図3を参照して説明する。ここに、図1は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。また、図2は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図3は、図2のA−A´断面図である。なお、図3においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
以下では、本発明の第2の実施形態について、図6及び図7を参照しながら説明する。ここに、図6及び図7は、それぞれ図2及び図4と同趣旨の図であって、同図とは走査線等の形態が異なるものを示す平面図及び斜視図である。なお、この第2実施形態に係る電気光学装置の構成は、後の説明で特に断りがない限り、上述の第1実施形態と全く同様であるので、図面上同一の符号が示されているものについては、その説明を省略することとする。
以下では、以上のように構成された各種実施形態における電気光学装置の全体構成を図8及び図9を参照して説明する。なお、図8は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板20の側からみた平面図であり、図9は図8のH−H´断面図である。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図10は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
1a´…チャネル領域
1b…低濃度ソース領域
1c…低濃度ドレイン領域
1d…高濃度ソース領域
1e…高濃度ドレイン領域
3a…走査線
3aa…幅狭部
3ab…幅広部
6a…データ線
9a…画素電極
10…TFTアレイ基板
11a…下側遮光膜
30…TFT
301…電極部
301a…幅狭部
301b…幅広部
Claims (12)
- 基板上に、画素電極と、
該画素電極にスイッチング動作により画像信号を供給する画素用トランジスタと、
該画素用トランジスタに前記画像信号を供給する第1配線と、前記画素用トランジスタに前記スイッチング動作を制御するための走査信号を供給する第2配線と、前記第1配線と前記画素用トランジスタとの間に配置され前記画素用トランジスタに重なる遮光膜と、
前記画素用トランジスタのチャネル領域に対向するゲート電極としての幅狭部及び該幅狭部よりも幅広であり、かつ、前記チャネル領域に対向しない幅広部を含むとともに、前記幅広部の領域に形成されたコンタクトホールにより前記第2配線に電気的に接続された電極部とを備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記電極部と前記第2配線との電気的な接続は、前記チャネル領域に対向する位置でコンタクトホールを介して行われていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記幅広部の少なくとも一部は、平面的にみて、前記第1配線と重なり合う領域を有することを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記幅広部は、前記幅狭部から延設されてなる部分を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記幅広部は、前記幅狭部から接続されてなる部分を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記幅広部は、遮光性材料からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第2配線又は前記電極部は、多層構造を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記幅広部は、前記幅狭部の縁部から見て、前記チャネル領域の延在する方向の一方又は両方に延在していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記画素電極はマトリクス状に配列されてなり、
前記チャネル領域は、平面的にみて前記第2配線を挟んで相隣接する画素電極間を縫って延びる長手状の第1間隙と、前記第1配線を挟んで相隣接する画素電極間を縫って延びる長手状の第2間隙とが交わる交点領域内に形成されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記チャネル領域並びにソース領域及びドレイン領域が、前記第2間隙に沿って延在するように形成されており、
前記幅狭部の幅は、前記チャネル領域の第2間隙に沿った長さに一致するとともに、
前記幅広部の幅は、前記長さよりも大きい値を有することを特徴とする請求項9に記載の電気光学装置。 - 前記画素用トランジスタの下側に、下側遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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