JP2006124417A - 防汚層形成用組成物および反射防止積層体 - Google Patents
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Abstract
【課題】 指紋ふき取り性が優れる上に、基材にハードコート層を設けなくても耐摩耗性が優れる防汚層形成用組成物および反射防止積層体を提供する。
【解決手段】 本発明の防汚層形成用組成物は、少なくとも片末端に−SiR1 m(R2)3−m基(ただし、R1は加水分解性基を表し、R2は水素原子または炭素数3以下のアルキル基を表す。mは1〜3の整数を表す。)を有するパーフルオロポリエーテル(A)と、ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基および加水分解性基を有するポリジメチルシロキサン(B)とを含む。本発明の反射防止積層体1は、上述した防汚層形成用組成物からなる防汚層30と、防汚層30の下に形成された反射防止層20とを有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明の防汚層形成用組成物は、少なくとも片末端に−SiR1 m(R2)3−m基(ただし、R1は加水分解性基を表し、R2は水素原子または炭素数3以下のアルキル基を表す。mは1〜3の整数を表す。)を有するパーフルオロポリエーテル(A)と、ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基および加水分解性基を有するポリジメチルシロキサン(B)とを含む。本発明の反射防止積層体1は、上述した防汚層形成用組成物からなる防汚層30と、防汚層30の下に形成された反射防止層20とを有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、画面表示装置用反射防止積層体などにおける防汚層を構成する防汚層形成用組成物に関する。さらには、画面表示装置の表示窓などに設けられる反射防止積層体に関する。
画像表示装置では、表示窓における反射光の量を低減させて写り込みを低減させるための反射防止積層体を設けることがある。反射防止積層体として、たとえば、基材である透明基体上に、複数の無機層(たとえば、金属もしくは金属酸化物からなる層、SiO2 層等)からなる反射防止層が設けられたものが知られている(たとえば、特許文献1参照。)。
また、反射防止積層体には、反射防止層を保護し、防汚染性能を高めるために、フッ素系化合物からなり、撥油性を有する防汚層を表面に設けることがある。たとえば、特許文献2,3には、少なくとも片末端にアルコキシシリル基を有するパーフルオロポリエーテルを含む防汚層を設けることが開示されている。
このような防汚層を設けることにより、表面に指紋等の汚れが付着した場合でも容易に拭き取ることができる。
特開平6−34801号公報
特開平9−61605号公報
特開2004−21184号公報
また、反射防止積層体には、反射防止層を保護し、防汚染性能を高めるために、フッ素系化合物からなり、撥油性を有する防汚層を表面に設けることがある。たとえば、特許文献2,3には、少なくとも片末端にアルコキシシリル基を有するパーフルオロポリエーテルを含む防汚層を設けることが開示されている。
このような防汚層を設けることにより、表面に指紋等の汚れが付着した場合でも容易に拭き取ることができる。
ところで、防汚層は反射防止積層体の最表面に位置するため、耐摩耗性も要求されるが、特許文献2,3の反射防止積層体は、耐摩耗性が低かった。耐摩耗性を高めるためには、基材にハードコート層を設ければよいが、その場合には反射防止積層体を製造する際の工程数が増え、コスト高になった。
本発明は、指紋ふき取り性が優れる上に、基材にハードコート層を設けなくても耐摩耗性が優れる防汚層形成用組成物および反射防止積層体を提供する。
本発明は、指紋ふき取り性が優れる上に、基材にハードコート層を設けなくても耐摩耗性が優れる防汚層形成用組成物および反射防止積層体を提供する。
本発明の防汚層形成用組成物は、少なくとも片末端に加水分解性基を有するパーフルオロポリエーテル(A)と、
ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基および加水分解性基を有するポリジメチルシロキサン(B)とを含むことを特徴とする。
本発明の防汚層形成用組成物においては、前記ポリジメチルシロキサン(B)のフルオロアルキル基が、炭素数4〜20のパーフルオロアルキル基を有する基であることが好ましい。
本発明の反射防止積層体は、上述した防汚層形成用組成物から形成される防汚層と反射防止層とを有する反射防止積層体であって、該防汚層が最外層となっていることを特徴とする。
本発明の反射防止積層体においては、前記反射防止層上に直接、前記防汚層が形成されていて、かつ反射防止層の防汚層に接する層がSiO2を含有する層であることが好ましい。
また、本発明の反射防止積層体においては、前記反射防止層が乾式法により形成された層であることが好ましい。
ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基および加水分解性基を有するポリジメチルシロキサン(B)とを含むことを特徴とする。
本発明の防汚層形成用組成物においては、前記ポリジメチルシロキサン(B)のフルオロアルキル基が、炭素数4〜20のパーフルオロアルキル基を有する基であることが好ましい。
本発明の反射防止積層体は、上述した防汚層形成用組成物から形成される防汚層と反射防止層とを有する反射防止積層体であって、該防汚層が最外層となっていることを特徴とする。
本発明の反射防止積層体においては、前記反射防止層上に直接、前記防汚層が形成されていて、かつ反射防止層の防汚層に接する層がSiO2を含有する層であることが好ましい。
また、本発明の反射防止積層体においては、前記反射防止層が乾式法により形成された層であることが好ましい。
本発明の防汚層形成用組成物は、指紋ふき取り性が優れ、基材にハードコート層を設けなくても耐摩耗性が優れる防汚層を形成することができる。
本発明の反射防止積層体は、防汚層の指紋ふき取り性が優れる上に、基材にハードコート層を設けなくても耐摩耗性が優れる。
本発明の反射防止積層体は、防汚層の指紋ふき取り性が優れる上に、基材にハードコート層を設けなくても耐摩耗性が優れる。
(防汚層形成用組成物)
本発明の防汚層形成用組成物は、各種製品の表面に防汚層を形成するために使用される。例えば、この組成物やその溶液を各種製品の表面に塗布し、溶液を使用した場合は溶媒を蒸発除去して、この組成物の薄層を形成し、ケイ素原子に結合した加水分解性基に基づく反応を加熱等により行って防汚層を形成する。防汚層が形成される製品としては光学製品や光学部材などが好ましい。具体的には、光学製品や光学部材などにおける透明な表面部の汚染を防止するために本発明の防汚層形成用組成物による防汚層を設けることが好ましい。
本発明の防汚層形成用組成物は、各種製品の表面に防汚層を形成するために使用される。例えば、この組成物やその溶液を各種製品の表面に塗布し、溶液を使用した場合は溶媒を蒸発除去して、この組成物の薄層を形成し、ケイ素原子に結合した加水分解性基に基づく反応を加熱等により行って防汚層を形成する。防汚層が形成される製品としては光学製品や光学部材などが好ましい。具体的には、光学製品や光学部材などにおける透明な表面部の汚染を防止するために本発明の防汚層形成用組成物による防汚層を設けることが好ましい。
[パーフルオロポリエーテル(A)]
パーフルオロポリエーテル(A)は、繰り返し単位として―(Rf1O)−構造を有するものである。ここで、Rf1は、炭素数4以下のパーフルオロアルキレンを表し、たとえば、−CF2−、−CF2CF2−、CF2CF2CF2−、−CF(CF3)CF2−、−CF2CF(CF3)−等を表す。これらの中でも、形成される防汚層の防汚性が特に良好となることから、−CF2CF2CF2−を含むことが好ましい。また、2以上の異なるRf1が混在していても構わない。
パーフルオロポリエーテル(A)の数平均分子量は500〜10,000であることが好ましい。
パーフルオロポリエーテル(A)は、繰り返し単位として―(Rf1O)−構造を有するものである。ここで、Rf1は、炭素数4以下のパーフルオロアルキレンを表し、たとえば、−CF2−、−CF2CF2−、CF2CF2CF2−、−CF(CF3)CF2−、−CF2CF(CF3)−等を表す。これらの中でも、形成される防汚層の防汚性が特に良好となることから、−CF2CF2CF2−を含むことが好ましい。また、2以上の異なるRf1が混在していても構わない。
パーフルオロポリエーテル(A)の数平均分子量は500〜10,000であることが好ましい。
また、このパーフルオロポリエーテル(A)は、少なくとも片末端に−SiR1 m(R2)3−m基を有するものである。
ここで、R1はアルコキシ基、アシル基、塩素原子、イソシアネート基、−N(R3)2などの加水分解性基を表す(R3はアルキル基または水素原子を表し、2つのR3は異なっていてもよい)。アルコキシ基およびR3の炭素数は3以下が好ましく、アシル基の炭素数は6以下が好ましい。特に好ましい加水分解性基は炭素数3以下のアルコキシ基である。
炭素数3以下のアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。アルコキシ基の中でもメトキシ基が好ましい。
また、R2は水素原子または炭素数3以下のアルキル基、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基を表す。アルキル基の中でも、メチル基が好ましい。
mは1〜3の整数を表し、2または3であることが好ましく、3であることが特に好ましい。
R1がメトキシ基であり、かつmが3である場合には、形成される防汚層の耐磨耗性がより高くなることから特に好ましい。
ここで、R1はアルコキシ基、アシル基、塩素原子、イソシアネート基、−N(R3)2などの加水分解性基を表す(R3はアルキル基または水素原子を表し、2つのR3は異なっていてもよい)。アルコキシ基およびR3の炭素数は3以下が好ましく、アシル基の炭素数は6以下が好ましい。特に好ましい加水分解性基は炭素数3以下のアルコキシ基である。
炭素数3以下のアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。アルコキシ基の中でもメトキシ基が好ましい。
また、R2は水素原子または炭素数3以下のアルキル基、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基を表す。アルキル基の中でも、メチル基が好ましい。
mは1〜3の整数を表し、2または3であることが好ましく、3であることが特に好ましい。
R1がメトキシ基であり、かつmが3である場合には、形成される防汚層の耐磨耗性がより高くなることから特に好ましい。
このパーフルオロポリエーテル(A)は、−SiR1 m(R2)3−m基を片末端に有してもよいし、両末端に有してもよい。防汚性能がより高くなる点では、片末端にのみ有することが好ましい。さらに、下地との密着性が良好になることから、−SiR1 m(R2)3−m基が片末端に2以上あることが好ましい。
パーフルオロポリエーテル(A)の具体的な化学構造としては、たとえば、式(1),(2)の構造が挙げられる。
式(1)および式(2)において、Rfはパーフルオロアルキル基を表し、Zはフッ素またはトリフルオロメチル基を表す。a,b,c,d,eはそれぞれ独立して0または1以上の整数を表す。Xは水素、臭素、ヨウ素のいずれかを表し、Yは水素または炭素数1〜4のアルキル基を表す。
このようなパーフルオロポリエーテル(A)の具体例としては、ダイキン工業社製の商品名オプツールDSX等が挙げられる。
[ポリジメチルシロキサン(B)]
ポリジメチルシロキサン(B)は、ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基と加水分解性基とを有するものである。フルオロアルキル基や加水分解性基は、ポリジメチルシロキサン鎖の末端や側鎖のケイ素原子に結合していてもよい。好ましくは、これらは主鎖のケイ素原子に結合し、具体的には、繰り返し単位として下記式(3)および式(4)で表される構造を有するものが好ましい。
−(Si(CH3)2O)− (3)
−(Si(Rf2)(W)O)− (4)
ポリジメチルシロキサン(B)は、ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基と加水分解性基とを有するものである。フルオロアルキル基や加水分解性基は、ポリジメチルシロキサン鎖の末端や側鎖のケイ素原子に結合していてもよい。好ましくは、これらは主鎖のケイ素原子に結合し、具体的には、繰り返し単位として下記式(3)および式(4)で表される構造を有するものが好ましい。
−(Si(CH3)2O)− (3)
−(Si(Rf2)(W)O)− (4)
式(4)において、Rf2はフルオロアルキル基であり、炭素数4〜20のパーフルオロアルキル基を有する基であることが好ましい。さらに、Rf2は、−R−RFで表されるフルオロアルキル基であることが好ましい。RFはパーフルオロアルキル基、Rは炭素数3以下のアルキレン基である。
RFは、炭素数4〜20のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、炭素数6〜12のパーフルオロアルキル基であることがより好ましい。パーフルオロアルキル基RFの炭素数が4以上であれば、形成される防汚層の防汚性がより高くなり、20以下であれば入手が容易である。
Rf2の具体例としては、たとえば、−CH2CH2C6F13、−CH2CH2CH2C6F13、−CH2CH2C8F17、−CH2CH2C10F21等が挙げられる。
RFは、炭素数4〜20のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、炭素数6〜12のパーフルオロアルキル基であることがより好ましい。パーフルオロアルキル基RFの炭素数が4以上であれば、形成される防汚層の防汚性がより高くなり、20以下であれば入手が容易である。
Rf2の具体例としては、たとえば、−CH2CH2C6F13、−CH2CH2CH2C6F13、−CH2CH2C8F17、−CH2CH2C10F21等が挙げられる。
Wは前記R1と同様の加水分解性基であり、アルコキシ基、塩素原子、N(R3)2が好ましく、特に、炭素数3以下のアルコキシ基が好ましい。パーフルオロポリエーテル(A)やポリジメチルシロキサン(B)における加水分解性基は、加水分解によって水酸基となり、ケイ素原子に結合した水酸基(シラノール基)の2つは次いで縮合してシロキサン結合を生成する。従って、この加水分解縮合反応により、上記(A)と(B)が結合し、また(A)同士や(B)同士が結合すると考えられる。
このようなポリジメチルシロキサン(B)の具体例としては、信越化学社製X−24−9271等が挙げられる。
防汚層形成用組成物におけるパーフルオロポリエーテル(A)とポリジメチルシロキサン(B)との比は、それぞれの有効成分質量比として、(A):(B)=10:90〜70:30であることが好ましく、20:80〜50:50であることがより好ましい。
(A)を10質量%以上とすることで、十分な指紋拭取り性を確保でき、(B)を30質量%以上とすることで、耐摩耗性を確保できる。
(A)を10質量%以上とすることで、十分な指紋拭取り性を確保でき、(B)を30質量%以上とすることで、耐摩耗性を確保できる。
また、防汚層形成用組成物は、架橋促進剤を含んでいてもよい。防汚層形成用組成物が架橋促進剤を含めば、防汚層を形成した際に架橋が促進されて耐磨耗性がより高くなる。架橋促進剤としては、パーフルオロポリエーテル(A)のR1またはポリジメチルシロキサン(B)の加水分解性基と反応するものであればよい。架橋促進剤の中でも、耐摩耗性をさらに向上できることから、特に、ケイ素原子に結合した加水分解性基を2つ以上有するケイ素化合物が好ましい。たとえば、トリメトキシシラン、テトラメトキシシラン等が挙げられる。
本発明の防汚層形成用組成物では、防汚層を形成する際に加水分解縮合反応が生じて架橋すると考えられる。従って、本発明の防汚層形成用組成物によれば、指紋拭取り性が優れると同時に、基材にハードコート層を設けなくても、耐摩耗性が優れる防汚層を形成できる。
(反射防止積層体)
次に、本発明の反射防止積層体について説明する。
本発明の反射防止積層体は、前記防汚層形成用組成物から形成された防汚層と反射防止層を有し、該防汚層が最外層となっている積層体である。この反射防止積層体は、通常基材を有し、反射防止層は、該基材の表面に形成されている。反射防止層は1層ないし多層の薄層からなり、1層からなる場合には、基材とは異なる屈折率の材料からなる層で、基材より低屈折率の材料からなることが好ましい。より好ましくは、高屈折材料からなる高屈折率層の1層以上と、該高屈折率材料と比較して相対的に低屈折率の材料からなる低屈折率層の1層以上とが交互に積層され、高屈折率層と低屈折率層の合計が2〜8層、特に3〜6層構造の多層構造の反射防止層である。
次に、本発明の反射防止積層体について説明する。
本発明の反射防止積層体は、前記防汚層形成用組成物から形成された防汚層と反射防止層を有し、該防汚層が最外層となっている積層体である。この反射防止積層体は、通常基材を有し、反射防止層は、該基材の表面に形成されている。反射防止層は1層ないし多層の薄層からなり、1層からなる場合には、基材とは異なる屈折率の材料からなる層で、基材より低屈折率の材料からなることが好ましい。より好ましくは、高屈折材料からなる高屈折率層の1層以上と、該高屈折率材料と比較して相対的に低屈折率の材料からなる低屈折率層の1層以上とが交互に積層され、高屈折率層と低屈折率層の合計が2〜8層、特に3〜6層構造の多層構造の反射防止層である。
多層構造の反射防止層において、各層の材料の屈折率の高低は相対的なものであり、隣接する層に比較して屈折率に差があることを意味する。高屈折率層と低屈折率層の屈折率差は0.1以上が好ましい。また、多層構造の反射防止層の各層は後述する乾式法により形成された層であることが好ましい。ただし、防汚層が接する層は湿式法で形成された層であってもよい。また、防汚層が接する層はSiO2を含有する層であることが好ましい。すなわち、防汚層が接する層は、乾式法で形成されたSiO2を含有する層または湿式法で形成されたSiO2を含有する層であることが好ましい。
基材がフィルム状またはシート状の基材である場合、反射防止層はその基材の両面に形成されていてもよく、片面に形成されていてもよい。防汚層は、基材の両面に形成された反射防止層の両最外層に存在していてもよいし、一方の反射防止層の最外層に存在していてもよい。本発明の反射防止積層体としては、基材の片面に反射防止層と防汚層とを有する反射防止積層体が好ましい。
本発明の反射防止積層体は、各種製品の表面に、防汚層を有する反射防止層を形成するために使用される。また、シート状等の本発明の反射防止積層体はそれ自身を窓材などとして使用できる。特に、光学製品や光学部材などにおける透明な表面部に汚染防止と反射防止の機能を付与するために本発明の反射防止積層体を積層して使用されることが好ましい。例えば、画像表示装置の表示窓の表面や画像表示装置の表示面の前面に取り付けられる保護板やフィルターの表面に本発明の反射防止積層体を積層して使用される。また、シート状等の本発明の反射防止積層体はそれ自身を保護板として画像表示装置の表示面の前面に設けることもできる。
図1に、本発明の反射防止積層体の一実施形態を示す。本実施形態の反射防止積層体1は、基材10上に、第1の高屈折率の層21、第1の低屈折率層22、第2の高屈折率層23、第2の低屈折率層24からなる反射防止層20と、防汚層30とがこの順で積層されているものである。
以下、本発明の反射防止積層体の一実施形態である図1の反射防止積層体を例として各構成について詳述する。
以下、本発明の反射防止積層体の一実施形態である図1の反射防止積層体を例として各構成について詳述する。
<基材>
基材10はどのようなものでも構わない。ただし、光学特性を考慮すれば、透明基体(たとえばガラス基板、プラスチック基板など)が好ましい。
また、基材10の形状は要求特性(たとえば、強度、軽量性)等によって適宜決定されるため特に限定されないが、フィルム状もしくはシート状であることが好ましく、その厚さは、通常、0.01〜10mmの範囲であることが好ましい。
基材10はどのようなものでも構わない。ただし、光学特性を考慮すれば、透明基体(たとえばガラス基板、プラスチック基板など)が好ましい。
また、基材10の形状は要求特性(たとえば、強度、軽量性)等によって適宜決定されるため特に限定されないが、フィルム状もしくはシート状であることが好ましく、その厚さは、通常、0.01〜10mmの範囲であることが好ましい。
透明基体としては、具体的には、たとえば、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、その他の各種ガラスなどからなる透明ガラス板;透明で可撓性を有し、熱可塑性樹脂フィルムなどの高分子フィルム;等が挙げられる。
上記高分子フィルムを構成する樹脂としては、具体的には、たとえば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレートなどの芳香族ポリエステル;ナイロン6、ナイロン66などの脂肪族ポリアミド;芳香族ポリアミド;ポリメチルメタクリレート(PMMA)などのポリアクリレート;ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン;ポリカーボネート(PC)、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、金属イオン架橋エチレンメタクリル酸共重合体、トリアセテート、セロファン等が挙げられる。これらは1種のみを用いても、2種以上を併用してもよい。
これらのうち、芳香族ポリエステルが好ましく、耐熱性、機械的強度に優れる二軸延伸フィルムを形成し得るポリエチレンテレフタレートがより好ましい。
これらのうち、芳香族ポリエステルが好ましく、耐熱性、機械的強度に優れる二軸延伸フィルムを形成し得るポリエチレンテレフタレートがより好ましい。
また、基材10は、既製品である陰極線管(CRT)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、液晶ディスプレイ(LCD)、ライトエミッションディスプレイ(LED)、エレクトロクロミックディスプレイ(ECD)、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プロジェクションディスプレイ等の画像表示装置の表示窓であってもよい。
本発明は、基材10上にハードコート層を形成しなくても、耐摩耗性に優れるものであるが、ハードコート層を形成しても構わない。基材10上にハードコート層を形成すれば、反射防止積層体の耐摩耗性がより高くなる。
ハードコート層の具体例としては、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルウレタン系樹脂等の樹脂材料やケイ素(Si)、チタン(Ti)、アンチモン(Sb)等の金属の酸化物を主成分とする層が挙げられる。また、ハードコート層の厚さは、0.5〜20μmであることが好ましく、2〜10μmであることがより好ましい。
ハードコート層の形成方法としては、上記樹脂材料の未硬化物または上記金属酸化物を含有する塗布溶液を公知の塗布方法により基材10上に塗布し、乾燥させ、上記樹脂材料の未硬化物を含有する塗布溶液を用いた場合にはさらにラジカル重合させる方法を採ることができる。塗布溶液の塗布方法としては、バーコート法、ドクターブレード法、リバースロールコート法、グラビアロールコート法、コンマコート法、コンマリバース法、リップコート法、ダイコート法等が挙げられる。
このようなハードコート層を基材10上に形成することにより、特に基材10が熱可塑性樹脂フィルムである場合に、耐摩耗性がとりわけ向上する。
ハードコート層の具体例としては、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルウレタン系樹脂等の樹脂材料やケイ素(Si)、チタン(Ti)、アンチモン(Sb)等の金属の酸化物を主成分とする層が挙げられる。また、ハードコート層の厚さは、0.5〜20μmであることが好ましく、2〜10μmであることがより好ましい。
ハードコート層の形成方法としては、上記樹脂材料の未硬化物または上記金属酸化物を含有する塗布溶液を公知の塗布方法により基材10上に塗布し、乾燥させ、上記樹脂材料の未硬化物を含有する塗布溶液を用いた場合にはさらにラジカル重合させる方法を採ることができる。塗布溶液の塗布方法としては、バーコート法、ドクターブレード法、リバースロールコート法、グラビアロールコート法、コンマコート法、コンマリバース法、リップコート法、ダイコート法等が挙げられる。
このようなハードコート層を基材10上に形成することにより、特に基材10が熱可塑性樹脂フィルムである場合に、耐摩耗性がとりわけ向上する。
<反射防止層>
反射防止層20における第1の高屈折率層21および第2の高屈折率層23は、屈折率が1.6〜2.9であり、1.8〜2.4であることが好ましい。
また、第1の高屈折率層21の膜厚は10〜40nmであることが好ましく、10〜30nmであることがより好ましい。第2の高屈折率層23の膜厚は90〜140nmであることが好ましく、100〜120nmであることがより好ましい。
反射防止層20における第1の高屈折率層21および第2の高屈折率層23は、屈折率が1.6〜2.9であり、1.8〜2.4であることが好ましい。
また、第1の高屈折率層21の膜厚は10〜40nmであることが好ましく、10〜30nmであることがより好ましい。第2の高屈折率層23の膜厚は90〜140nmであることが好ましく、100〜120nmであることがより好ましい。
第1の高屈折率層21および第2の高屈折率層23を形成する材料としては、マグネシウム(Mg)、スカンジウム(Sc)、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、インジウム(In)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、セリウム(Ce)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、ビスマス(Bi)、およびトリウム(Th)からなる群から選択される少なくとも1種の元素の酸化物;Siおよび/またはTiの窒化物;Znの硫化物;等が挙げられる。
具体的には、MgO、ScO3 、TiO2 (2.40)、ZnO(1.90〜2.00)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(1.93、以下、単に「AZO」という。)、Ga2O3 、Y2O3 (1.80)、ZrO2 (2.00〜2.10)、Nb2O5 (2.35)、In2O3 (2.00)、スズドープ酸化インジウム(2.06、以下、単に「ITO」という。)、SnO2 (2.00)、Sb2O5 (1.70)、CeO2 (2.02)、HfO2 (2.00)、Ta2O5 (2.10〜2.20)、Bi2O3 、ThO2 、Si3N4 (2.00)、TiN(2.03)、ZnS(2.30)が好適に例示される。なお、括弧内の数字は屈折率である。
これらの材料から形成される第1の高屈折率層21としては、ITOまたはAZOから形成される層であることが好ましく、第2の高屈折率層23としては、TiO2 、AZOまたはNb2O5 から形成される層や、AZO膜上にTiO2 膜が形成された2層からなる層(AZO/TiO2 )、AZO膜上にNb2O5 膜が形成された2層からなる層(AZO/Nb2 O5 )であることが好ましい。
具体的には、MgO、ScO3 、TiO2 (2.40)、ZnO(1.90〜2.00)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(1.93、以下、単に「AZO」という。)、Ga2O3 、Y2O3 (1.80)、ZrO2 (2.00〜2.10)、Nb2O5 (2.35)、In2O3 (2.00)、スズドープ酸化インジウム(2.06、以下、単に「ITO」という。)、SnO2 (2.00)、Sb2O5 (1.70)、CeO2 (2.02)、HfO2 (2.00)、Ta2O5 (2.10〜2.20)、Bi2O3 、ThO2 、Si3N4 (2.00)、TiN(2.03)、ZnS(2.30)が好適に例示される。なお、括弧内の数字は屈折率である。
これらの材料から形成される第1の高屈折率層21としては、ITOまたはAZOから形成される層であることが好ましく、第2の高屈折率層23としては、TiO2 、AZOまたはNb2O5 から形成される層や、AZO膜上にTiO2 膜が形成された2層からなる層(AZO/TiO2 )、AZO膜上にNb2O5 膜が形成された2層からなる層(AZO/Nb2 O5 )であることが好ましい。
反射防止層20における第1の低屈折率層22は、屈折率が1.3〜2.0であり、1.4〜1.8であることが好ましい。また、第1の低屈折率層22の膜厚は10〜50nmであることが好ましく、20〜40nmであることがより好ましい。
第1の低屈折率層22を形成する材料としては、上記第1の高屈折率層21および第2の高屈折率層23よりも屈折率が低いという観点から、Alおよび/またはSiの酸化物;リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、Mg、アルミニウム(Al)、カリウム(K)、カルシウム(Ca)、Y、セシウム(Cs)、ランタン(La)、CeおよびThからなる群から選択される少なくとも1種の元素のフッ化物;等が挙げられる。
具体的には、SiO2 (1.46)、Al2O3 (1.60)、LiF、NaF、Na3 AlF6 (1.35)、Na5Al3F14、MgF2 (1.38)、AlF3 (1.30)、KF(1.30〜1.40)、CaF2 、YF3 、CsF(1.60)、LaF3 (1.58)、CeF3 (1.62)、ThF4 が好適に例示される。なお、括弧内の数字は屈折率である。
これらの材料から形成される第1の低屈折率層22としては、SiO2 を主成分として含有する層であることが好ましい。
具体的には、SiO2 (1.46)、Al2O3 (1.60)、LiF、NaF、Na3 AlF6 (1.35)、Na5Al3F14、MgF2 (1.38)、AlF3 (1.30)、KF(1.30〜1.40)、CaF2 、YF3 、CsF(1.60)、LaF3 (1.58)、CeF3 (1.62)、ThF4 が好適に例示される。なお、括弧内の数字は屈折率である。
これらの材料から形成される第1の低屈折率層22としては、SiO2 を主成分として含有する層であることが好ましい。
第2の低屈折率層24は、屈折率が1.3〜2.0であることが好ましく、1.3〜1.6であることがより好ましい。
また、第2の低屈折率層24の膜厚は80〜150nmであることが好ましく、90〜120nmであることがより好ましい。
また、第2の低屈折率層24の膜厚は80〜150nmであることが好ましく、90〜120nmであることがより好ましい。
第2の低屈折率層24を形成する材料としては、第1の低屈折率層22と同様のものが挙げられる。
また、第2の低屈折率層24を湿式塗工法により形成する場合には、第2の低屈折率層24を形成する材料として、パーヒドロポリシラザン(以下、単に「ポリシラザン」という。)、ポリシランなどの無機ポリマー;アルコキシシランなどの加水分解により重縮合物を形成する化合物(以下、単に「加水分解性化合物」ともいう。);それらのオリゴマー;等を使用することもできる。
アルコキシシランとしては、具体的には、たとえば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン(以下、単に「TEOS]という。)、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等が挙げられる。オリゴマーとしては、具体的には、たとえば、ポリテトラメトキシシラン、ポリエトキシシラン等が挙げられる。
また、第2の低屈折率層24を湿式塗工法により形成する場合には、第2の低屈折率層24を形成する材料として、パーヒドロポリシラザン(以下、単に「ポリシラザン」という。)、ポリシランなどの無機ポリマー;アルコキシシランなどの加水分解により重縮合物を形成する化合物(以下、単に「加水分解性化合物」ともいう。);それらのオリゴマー;等を使用することもできる。
アルコキシシランとしては、具体的には、たとえば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン(以下、単に「TEOS]という。)、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等が挙げられる。オリゴマーとしては、具体的には、たとえば、ポリテトラメトキシシラン、ポリエトキシシラン等が挙げられる。
さらに、第2の低屈折率層24を形成する材料は、バインダー樹脂、無機物粒子等の添加物を含有していてもよい。
バインダー樹脂としては、具体的には、たとえば、ポリエステル、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、紫外線硬化樹脂などの樹脂;これらの樹脂を形成するために用いられるモノマーおよび/またはオリゴマー;等が挙げられる。より具体的には、ジメチルシリコーン、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸ナトリウム、アルギン酸アンモニウム、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸ナトリウム、キトサン、エチルセルロース、ニトロセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル系樹脂およびエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種のみを用いても、2種以上を併用してもよい。ただし、第2の低屈折率層24を形成する材料は無機物を主成分とするものであるため、上記バインダー樹脂は実質的に使用しないことが好ましい。
バインダー樹脂としては、具体的には、たとえば、ポリエステル、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、紫外線硬化樹脂などの樹脂;これらの樹脂を形成するために用いられるモノマーおよび/またはオリゴマー;等が挙げられる。より具体的には、ジメチルシリコーン、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸ナトリウム、アルギン酸アンモニウム、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸ナトリウム、キトサン、エチルセルロース、ニトロセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル系樹脂およびエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種のみを用いても、2種以上を併用してもよい。ただし、第2の低屈折率層24を形成する材料は無機物を主成分とするものであるため、上記バインダー樹脂は実質的に使用しないことが好ましい。
無機物粒子は、平均粒子径が0. 01〜0.1μmの範囲の粒子であれば特に限定されず、その具体例としては、シリカ(ポーラスシリカを含む)、酸化スズ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、セリア、イットリア、マグネシア等の酸化物粒子が挙げられる。これらは1種のみを用いても、2種以上を併用してもよい。
このような無機物粒子は、第2の低屈折率層24を形成する材料の総質量に対して、10〜80質量%の割合で含有していることが好ましい。無機物粒子の含有量がこの範囲であれば、得られる反射防止積層体の反射防止効果が十分に発揮される。
このような無機物粒子は、第2の低屈折率層24を形成する材料の総質量に対して、10〜80質量%の割合で含有していることが好ましい。無機物粒子の含有量がこの範囲であれば、得られる反射防止積層体の反射防止効果が十分に発揮される。
上記の第2の低屈折率層24を形成する材料の中でも、SiO2 を主成分として含有する層であることが好ましい。防汚層30側に位置する第2の低屈折率層24が、SiO2を主成分として含有する層であれば、防汚層30と反射防止層20の密着性が良好になり、耐摩耗性が優れると考えられる。
反射防止層20においては、各層の屈折率の差は、n1−n2>0、n3−n2>0であり、n1−n2≧0. 1、n3−n2≧0. 1であることが好ましい。また、n3−n4>0であり、n3−n4≧0. 1であることが好ましい。
n1:第1の高屈折率層21の屈折率
n2:第1の低屈折率層22の屈折率
n3:第2の高屈折率層23の屈折率
n4:第2の低屈折率層24の屈折率
n1:第1の高屈折率層21の屈折率
n2:第1の低屈折率層22の屈折率
n3:第2の高屈折率層23の屈折率
n4:第2の低屈折率層24の屈折率
このよう反射防止層20によれば、得られる反射防止積層体の反射防止効果が十分となり、具体的には、反射防止積層体の視感反射率が1.5%未満となり、可視光線透過率が85%以上となる。また、この反射防止層は、各層の膜厚が上記の通りであるため、機械的強度を十分に有している。
<防汚層>
防汚層30は、上述した防汚層形成用組成物から形成される層である。防汚層30の膜厚は、下地の性質、要求性能によって適宜調整すればよく、反射防止性能、汚染防止性能、表面硬度との観点からは、0.1〜50nmであることが好ましく、3〜20nmであることがより好ましい。膜厚を0.1nm以上とすることで、良好な汚染防止性能が得られ、50nm以下にすることで、反射防止性能、耐摩耗性を良好に保つことができる。
防汚層30は、上述した防汚層形成用組成物から形成される層である。防汚層30の膜厚は、下地の性質、要求性能によって適宜調整すればよく、反射防止性能、汚染防止性能、表面硬度との観点からは、0.1〜50nmであることが好ましく、3〜20nmであることがより好ましい。膜厚を0.1nm以上とすることで、良好な汚染防止性能が得られ、50nm以下にすることで、反射防止性能、耐摩耗性を良好に保つことができる。
<反射防止積層体の製造方法>
上述した反射防止積層体1は、たとえば、基材10上に、第1の高屈折率層21、第1の低屈折率層22、第2の高屈折率層23、第2の低屈折率層24を順次積層して反射防止層20を形成し、反射防止層20上に防汚層30を湿式塗工法により設けることで得られる。
上述した反射防止積層体1は、たとえば、基材10上に、第1の高屈折率層21、第1の低屈折率層22、第2の高屈折率層23、第2の低屈折率層24を順次積層して反射防止層20を形成し、反射防止層20上に防汚層30を湿式塗工法により設けることで得られる。
反射防止層20の形成方法としては、耐摩耗性がより優れることから、化学蒸着法、物理蒸着法等の乾式法が好ましい。さらに、物理蒸着法の中でもスパッタリング法が好ましい。
スパッタリング法としては、具体的には、直流(DC)スパッタリング法、交流(AC)スパッタリング法が挙げられる。
プロセスが安定しており、大面積への成膜が容易であるという観点からは、DCスパッタリング法(特に、マグネトロンDCスパッタリング法)が好ましい。また、導電性ターゲットからSiO2 膜を成膜する場合においては、顕著なアーキングがなく、安定した成膜できる観点から、ACスパッタリング法が好ましい。
また、スパッタリング法においては、反応性のガスを用いてスパッタすることもでき、スパッタする前に基体表面の洗浄を目的として、たとえば、イオンビームソースによる乾式洗浄等を行ってもよい。
スパッタリング法としては、具体的には、直流(DC)スパッタリング法、交流(AC)スパッタリング法が挙げられる。
プロセスが安定しており、大面積への成膜が容易であるという観点からは、DCスパッタリング法(特に、マグネトロンDCスパッタリング法)が好ましい。また、導電性ターゲットからSiO2 膜を成膜する場合においては、顕著なアーキングがなく、安定した成膜できる観点から、ACスパッタリング法が好ましい。
また、スパッタリング法においては、反応性のガスを用いてスパッタすることもでき、スパッタする前に基体表面の洗浄を目的として、たとえば、イオンビームソースによる乾式洗浄等を行ってもよい。
また、反射防止層20の形成方法としては、第1の高屈折率層21、第1の低屈折率層22、第2の高屈折率層23を乾式法で積層した後、第2の低屈折率層24を湿式塗工法により形成してもよい。
第2の低屈折率層24を湿式塗工法により形成する場合には、第2の低屈折率層24を形成する材料を溶剤に溶解させた塗工溶液を用いる。
上記溶剤は、上記第2の低屈折率層24を形成する材料により適宜決定されるため特に限定されず、公知の溶剤を用いることができる。その具体例としては、ポリシラザン、ポリシランなどの無機ポリマーを用いた場合には、ジブチルエーテルが挙げられ、TEOSなどの加水分解性化合物を用いた場合には、エタノールと水との混合溶剤、エタノールと硝酸との混合溶剤等(すなわち、塗工溶液として加水分解物が分散した溶液となる溶剤等)が挙げられる。
第2の低屈折率層24を湿式塗工法により形成する場合には、第2の低屈折率層24を形成する材料を溶剤に溶解させた塗工溶液を用いる。
上記溶剤は、上記第2の低屈折率層24を形成する材料により適宜決定されるため特に限定されず、公知の溶剤を用いることができる。その具体例としては、ポリシラザン、ポリシランなどの無機ポリマーを用いた場合には、ジブチルエーテルが挙げられ、TEOSなどの加水分解性化合物を用いた場合には、エタノールと水との混合溶剤、エタノールと硝酸との混合溶剤等(すなわち、塗工溶液として加水分解物が分散した溶液となる溶剤等)が挙げられる。
第2の低屈折率層24または防汚層30を形成する際の湿式塗工法としては、たとえば、ディップコート法、コンマコート法、リップコート法、フローコート法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、ブレードコート法、エアーナイフコート法、スピンコート法、スリットコート法、マイクログラビアコート法、ダイコート法等が挙げられる。
防汚層30は、反射防止層20の上にそのまま形成してもよいし、反射防止層20の表面を洗浄してから形成してもよい。洗浄方法としては、界面活性剤による汚れ除去、有機溶剤による油汚れ除去などが挙げられる。また、密着性や耐久性の向上を目的とした前処理を施してもよい。かかる前処理としては、たとえば酸、アルカリなどによる薬品処理や活性化ガスによる処理などが挙げられる。
以上説明した反射防止積層体は、上記防汚層形成用組成物からなる防汚層を有するため、指紋ふき取り性が優れる上に、基材にハードコート層を設けなくても耐摩耗性が優れる。
(実施例1)
[防汚層形成用組成物の調製]
15gのオプツールDSX(商品名、ダイキン工業社製、有効成分:20質量%、溶媒:ダイキン工業社製デムナムソルベント(登録商標))、150gのX−24−9271(商品名、信越化学社製、有効成分:3%、溶媒:メタキシレンヘキサフルオライド)、および、4835gのパーフルオロオクタンを混合し、有効成分0.15質量%である防汚層形成用組成物を調製した。
[防汚層形成用組成物の調製]
15gのオプツールDSX(商品名、ダイキン工業社製、有効成分:20質量%、溶媒:ダイキン工業社製デムナムソルベント(登録商標))、150gのX−24−9271(商品名、信越化学社製、有効成分:3%、溶媒:メタキシレンヘキサフルオライド)、および、4835gのパーフルオロオクタンを混合し、有効成分0.15質量%である防汚層形成用組成物を調製した。
[反射防止層の形成]
基材である厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A4100、東洋紡績社製)の表面をイオンビームソースにより乾式洗浄した。該乾式洗浄は、アルゴンガスに酸素ガス33%(体積)を混合して、イオンビームソース100Wによりイオン化されたArイオンおよび酸素イオンをPETフィルム表面に照射した。
次に、アルゴンガスに酸素ガスを2%(体積)の割合で混合した混合気体をスパッタリング装置内に導入し、ITOターゲット(酸化インジウム:酸化スズ=90:10(質量比))を用いたマグネトロンスパッタ法により、乾式洗浄したPETフィルム表面に膜厚20nmのITO層(第1の高屈折率層:屈折率2.06)を成膜した。このスパッタリングでは、0.35Paの圧力で周波数100kHz、反転パルス幅1.0μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を1.5W/cm2とした。
次に、アルゴンガスに酸素ガス40%(体積)の割合で混合した混合気体をスパッタリング装置内に導入し、旭硝子セラミックス社製SiCターゲットを使用したマグネトロンスパッタ法により膜厚30nmのSiO2層(第1の低屈折率層:屈折率1.46)を第1の高屈折率層上に成膜した。このスパッタリングでは、0.35Paの圧力で周波数100kHz、反転パルス幅2.5μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を3.5W/cm2 とした。
次に、アルゴンガスに酸素ガス5%(体積)を混合した混合気体をスパッタリング装置内に導入し、酸化アルミニウムを5%添加した酸化亜鉛ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法により膜厚120nmのAZO層(第2の高屈折率層:屈折率1.93)を第1の低屈折率層上に成膜した。このスパッタリングでは、0.35Paの圧力で周波数100kHz、反転パルス幅1.0μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を4.0W/cm2 とした。
次に、前記第1の低屈折率層を形成したのと同様の方法で、膜厚90nmのSiO2層(第2の低屈折率層:屈折率1.46)を第2の高屈折率層上に形成して反射防止層を形成した。
基材である厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A4100、東洋紡績社製)の表面をイオンビームソースにより乾式洗浄した。該乾式洗浄は、アルゴンガスに酸素ガス33%(体積)を混合して、イオンビームソース100Wによりイオン化されたArイオンおよび酸素イオンをPETフィルム表面に照射した。
次に、アルゴンガスに酸素ガスを2%(体積)の割合で混合した混合気体をスパッタリング装置内に導入し、ITOターゲット(酸化インジウム:酸化スズ=90:10(質量比))を用いたマグネトロンスパッタ法により、乾式洗浄したPETフィルム表面に膜厚20nmのITO層(第1の高屈折率層:屈折率2.06)を成膜した。このスパッタリングでは、0.35Paの圧力で周波数100kHz、反転パルス幅1.0μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を1.5W/cm2とした。
次に、アルゴンガスに酸素ガス40%(体積)の割合で混合した混合気体をスパッタリング装置内に導入し、旭硝子セラミックス社製SiCターゲットを使用したマグネトロンスパッタ法により膜厚30nmのSiO2層(第1の低屈折率層:屈折率1.46)を第1の高屈折率層上に成膜した。このスパッタリングでは、0.35Paの圧力で周波数100kHz、反転パルス幅2.5μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を3.5W/cm2 とした。
次に、アルゴンガスに酸素ガス5%(体積)を混合した混合気体をスパッタリング装置内に導入し、酸化アルミニウムを5%添加した酸化亜鉛ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法により膜厚120nmのAZO層(第2の高屈折率層:屈折率1.93)を第1の低屈折率層上に成膜した。このスパッタリングでは、0.35Paの圧力で周波数100kHz、反転パルス幅1.0μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を4.0W/cm2 とした。
次に、前記第1の低屈折率層を形成したのと同様の方法で、膜厚90nmのSiO2層(第2の低屈折率層:屈折率1.46)を第2の高屈折率層上に形成して反射防止層を形成した。
[防汚層の形成]
以上のようにして形成した反射防止層上に、上記防汚層形成用組成物をグラビアコート法により塗工し、140℃で1分間熱処理して、膜厚10nmの防汚層を形成して、反射防止積層体を得た。
以上のようにして形成した反射防止層上に、上記防汚層形成用組成物をグラビアコート法により塗工し、140℃で1分間熱処理して、膜厚10nmの防汚層を形成して、反射防止積層体を得た。
(比較例1)
実施例1と同様の方法で反射防止層を形成した後、防汚層を形成せず、基材と反射防止層からなる積層体を反射防止積層体とした。
実施例1と同様の方法で反射防止層を形成した後、防汚層を形成せず、基材と反射防止層からなる積層体を反射防止積層体とした。
(比較例2)
防汚層形成用組成物として、15gのオプツールDSX(商品名、ダイキン工業社製、有効成分:20質量%、溶媒:ダイキン工業社製デムナムソルベント(登録商標))を1985gのパーフルオロオクタンで希釈したものを用いた以外は、実施例1と同様にして反射防止積層体を得た。
防汚層形成用組成物として、15gのオプツールDSX(商品名、ダイキン工業社製、有効成分:20質量%、溶媒:ダイキン工業社製デムナムソルベント(登録商標))を1985gのパーフルオロオクタンで希釈したものを用いた以外は、実施例1と同様にして反射防止積層体を得た。
(比較例3)
防汚層形成用組成物として、150gのX−24−9271(商品名、信越化学社製、有効成分:3質量%、溶媒:メタキシレンヘキサフルオライド)を2850gのメタキシレンヘキサフルオライドで希釈したものを用いた以外は、実施例1と同様にして反射防止積層体を得た。
防汚層形成用組成物として、150gのX−24−9271(商品名、信越化学社製、有効成分:3質量%、溶媒:メタキシレンヘキサフルオライド)を2850gのメタキシレンヘキサフルオライドで希釈したものを用いた以外は、実施例1と同様にして反射防止積層体を得た。
[反射防止積層体の評価]
実施例1および比較例1〜3の反射防止積層体について、下記のように評価した。その結果を表1に示す。
(1)視感反射率
得られた反射防止積層体の反射率を、島津製作所社製分光光度計UV3150PCを用いて測定した。反射率の測定結果から視感反射率(JIS Z 8701において規定されている反射の刺激値Y)を求めた。
(2)指紋拭き取り性
防汚層表面に付着した指紋をセルロース製不織布(ベンコットM−3:旭化成社製)で拭き取り、その取れ易さを目視判定した。判定基準は次の通りとした。
〇:指紋を完全に拭き取ることができた。
△:指紋の拭き取り跡が残った。
×:指紋を拭き取ることができなかった。
(3)耐磨耗性
防汚層表面をセルロース製不織布(ベンコットM−3:旭化成社製)により荷重500gfで1000往復擦った後に、傷の有無を目視判定した。判定基準を以下に示す。
〇:傷は無かった。
△:若干傷がついていた。
×:著しく傷がついていた。
実施例1および比較例1〜3の反射防止積層体について、下記のように評価した。その結果を表1に示す。
(1)視感反射率
得られた反射防止積層体の反射率を、島津製作所社製分光光度計UV3150PCを用いて測定した。反射率の測定結果から視感反射率(JIS Z 8701において規定されている反射の刺激値Y)を求めた。
(2)指紋拭き取り性
防汚層表面に付着した指紋をセルロース製不織布(ベンコットM−3:旭化成社製)で拭き取り、その取れ易さを目視判定した。判定基準は次の通りとした。
〇:指紋を完全に拭き取ることができた。
△:指紋の拭き取り跡が残った。
×:指紋を拭き取ることができなかった。
(3)耐磨耗性
防汚層表面をセルロース製不織布(ベンコットM−3:旭化成社製)により荷重500gfで1000往復擦った後に、傷の有無を目視判定した。判定基準を以下に示す。
〇:傷は無かった。
△:若干傷がついていた。
×:著しく傷がついていた。
防汚層が特定のパーフルオロポリエーテル(A)と特定のポリジメチルシロキサン(B)とを含む実施例1の反射防止積層体は、指紋拭き取り性と耐摩耗性とが共に優れていた。
一方、防汚層を持たない比較例1の反射防止積層体は、指紋拭き取り性が低かった。また、防汚層が特定のパーフルオロポリエーテル(A)のみを含む比較例2の反射防止積層体は、耐摩耗性が低かった。さらに、防汚層が特定のポリジメチルシロキサン(B)のみを含む比較例3の反射防止積層体は、指紋拭き取り性が低かった。
視感反射率についてはいずれの反射防止積層体も良好な結果を示した。
一方、防汚層を持たない比較例1の反射防止積層体は、指紋拭き取り性が低かった。また、防汚層が特定のパーフルオロポリエーテル(A)のみを含む比較例2の反射防止積層体は、耐摩耗性が低かった。さらに、防汚層が特定のポリジメチルシロキサン(B)のみを含む比較例3の反射防止積層体は、指紋拭き取り性が低かった。
視感反射率についてはいずれの反射防止積層体も良好な結果を示した。
1 反射防止積層体、10 基材、20 反射防止層、21 第1の高屈折率層、22 第1の低屈折率層、23 第2の高屈折率層、24 第2の低屈折率層、30 防汚層
Claims (5)
- 少なくとも片末端に−SiR1 m(R2)3−m基(ただし、R1は加水分解性基を表し、R2は水素原子または炭素数3以下のアルキル基を表す。mは1〜3の整数を表す。)を有するパーフルオロポリエーテル(A)と、
ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基および加水分解性基を有するポリジメチルシロキサン(B)とを含むことを特徴とする防汚層形成用組成物。 - 前記ポリジメチルシロキサン(B)のフルオロアルキル基が、炭素数4〜20のパーフルオロアルキル基を有する基である、請求項1に記載の防汚層形成用組成物。
- 請求項1または2に記載の防汚層形成用組成物から形成される防汚層と反射防止層とを有する反射防止積層体であって、該防汚層が最外層となっている反射防止積層体。
- 前記反射防止層上に直接、前記防汚層が形成されていて、かつ反射防止層の防汚層に接する層がSiO2を含有する層である請求項3に記載の反射防止積層体。
- 前記反射防止層が乾式法により形成された層である、請求項3または4に記載の反射防止積層体。
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