JP2006114641A - Semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a decline in tightening force of a screw mounted in a base plate in a semiconductor device having the base plate which is mainly formed of aluminum. <P>SOLUTION: The semiconductor device includes the base plate 1 mainly formed of aluminum and an insulation substrate formed on top of the base plate 1. The base plate 1 has a through-hole 20 to insert a fixing screw 14 for fixing the base plate 1 to a heat radiation fin 13, and a flat bush 2 which is installed in correspondence with the through-hole 20 and is mainly formed of copper or iron. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ベース板上に形成される半導体装置に関し、特に、当該ベース板を冷却装置へ固定するための構造に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor device formed on a base plate, and more particularly to a structure for fixing the base plate to a cooling device.

近年、地球環境保護への関心の高まりから、電子部品の製造に鉛半田を使用しない、いわゆる「鉛フリー」の取り組みが半導体業界および電子機器業界で広まりつつある。例えば、半導体素子を搭載する絶縁基板をヒートシンクとしてのベース板に固定するのに、従来は半田が用いられていたが、それに代わる技術として、溶湯接合法により絶縁基板にベース板を直接接合する技術が提案されている。即ち、ベース板の材料を溶湯の状態にし、鋳型内で絶縁基板と接触させて冷却することで、ベース板と絶縁基板とを一体的に形成するのである（例えば特許文献１）。   In recent years, due to increasing interest in protecting the global environment, so-called “lead-free” approaches that do not use lead solder in the manufacture of electronic components are spreading in the semiconductor industry and the electronic equipment industry. For example, solder was conventionally used to fix an insulating substrate on which a semiconductor element is mounted to a base plate as a heat sink, but as an alternative technique, a technique for directly joining the base plate to the insulating substrate by a molten metal bonding method Has been proposed. That is, the base plate and the insulating substrate are integrally formed by changing the material of the base plate into a molten state, bringing it into contact with the insulating substrate in the mold and cooling it (for example, Patent Document 1).

また、下記の特許文献２のように、セラミックスから成る絶縁基板にネジを通すための貫通孔を設け、当該絶縁基板とベース板とをネジ止めする技術も提案されている（例えば特許文献２）。特許文献２ではさらに、ネジの締着力による絶縁基板の破損を防止するために、絶縁基板の貫通孔に補強部材を設けている。   In addition, as in Patent Document 2 below, a technique has also been proposed in which a through hole for passing a screw is provided in an insulating substrate made of ceramics, and the insulating substrate and the base plate are screwed together (for example, Patent Document 2). . Further, in Patent Document 2, a reinforcing member is provided in the through hole of the insulating substrate in order to prevent the insulating substrate from being damaged by the fastening force of the screws.

特開２００２−７６５５１号公報JP 2002-76551 A 特開２００３−１９７８２４号公報JP 2003-197824 A

従来、ベース板の材料としては、主に銅（Ｃｕ）や鉄（Ｆｅ）が使用されてきたが、溶湯接合法で形成されるベース板の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）（以下、単に「アルミ」と称す）あるいはアルミニウム合金（以下、単に「アルミ合金」と称す）が用いられる。そのようなアルミを主成分とする材料は、比較的融点が低いため溶湯接合法に適用可能であり、且つ、熱伝導率が高くヒートシンクに適していることがその理由である。   Conventionally, copper (Cu) or iron (Fe) has been mainly used as the material of the base plate. However, as the material of the base plate formed by the molten metal bonding method, aluminum (Al) (hereinafter, simply “ An aluminum alloy (hereinafter referred to simply as “aluminum alloy”) is used. This is because such a material mainly composed of aluminum has a relatively low melting point and can be applied to a molten metal bonding method, and has a high thermal conductivity and is suitable for a heat sink.

またヒートシンクとしてのベース板は、さらに放熱性を高める目的で、冷却装置としての放熱フィンにネジを用いて固定される。そのため、ベース板にはネジを通すための貫通孔が設けられる。しかしベース板がアルミを主成分とする場合、アルミは耐力が比較的低いため、ネジの締着力による応力や、ベース板自身の熱膨張による応力に起因して、塑性変形が生じやすい。従来のアルミベース板の耐力は３６〜４０ＭＰａであり、ネジの締着力による応力（例えばＭ５ネジ（呼び径５ｍｍ）の場合で約４３ＭＰａ）と同程度しかない。因みに、従来のベース板に用いられていた銅ベース板の耐力は、２４０〜３００ＭＰａであった。   Further, the base plate as the heat sink is fixed to the heat radiating fin as the cooling device with screws for the purpose of further improving the heat dissipation. Therefore, the base plate is provided with a through hole for passing a screw. However, when the base plate is mainly composed of aluminum, since the yield strength of aluminum is relatively low, plastic deformation is likely to occur due to stress due to screw fastening force and stress due to thermal expansion of the base plate itself. A conventional aluminum base plate has a proof stress of 36 to 40 MPa, which is only about the same as a stress caused by a screw fastening force (for example, about 43 MPa in the case of an M5 screw (nominal diameter 5 mm)). Incidentally, the proof stress of the copper base plate used for the conventional base plate was 240 to 300 MPa.

ベース板が塑性変形すると、ネジの締着力が大きく低下して該ネジが緩み、ベース板と放熱フィンとの間の密着性が損なわれてしまう。ベース板と放熱フィンとの間の密着性が低下すると、半導体装置の放熱機能が劣化し、場合によっては半導体素子の破損を招いてしまう。通常、ベース板と放熱フィンとの間には、熱伝導性を高める目的で両者間の微小な隙間を埋めるよう放熱グリスが塗布されてはいるが、ネジの緩みが増大することによる放熱性の劣化は避けられない。   When the base plate is plastically deformed, the fastening force of the screw is greatly reduced, the screw is loosened, and the adhesion between the base plate and the radiation fin is impaired. When the adhesion between the base plate and the heat radiating fin is lowered, the heat radiating function of the semiconductor device is deteriorated, and in some cases, the semiconductor element is damaged. Usually, heat radiation grease is applied between the base plate and the heat radiation fins to fill the minute gap between them for the purpose of enhancing thermal conductivity. Deterioration is inevitable.

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、アルミニウムを主成分とするベース板を有する半導体装置において、ベース板に装着されるネジの締着力の劣化を抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and in a semiconductor device having a base plate mainly composed of aluminum, suppresses deterioration of the fastening force of a screw attached to the base plate. An object is to provide a possible semiconductor device.

本発明に係る半導体装置は、アルミを主成分とするベース板と、前記ベース板上に形成された絶縁基板と、前記絶縁基板上に搭載された半導体素子とを備え、前記ベース板は、該ベース板を所定の冷却装置に固定するためのネジを受け入れ可能な貫通孔と、前記貫通孔に対応して配設され、銅あるいは鉄を主成分とするブッシュとを備えるものである。   A semiconductor device according to the present invention includes a base plate mainly composed of aluminum, an insulating substrate formed on the base plate, and a semiconductor element mounted on the insulating substrate, and the base plate includes A through-hole that can receive a screw for fixing the base plate to a predetermined cooling device, and a bush that is disposed corresponding to the through-hole and contains copper or iron as a main component.

本発明によれば、ベース板が、ネジを受け入れる貫通孔に銅あるいは鉄を主成分とするブッシュとを備えるので、ネジの締め付けによりベース板に印加される応力は該ブッシュに吸収され、ベース板に発生する応力は抑制される。従って、ベース板を放熱フィンに固定するための固定ネジの緩みを抑え、半導体装置の放熱性の劣化を抑制することができる。なお且つ、ベース板がアルミを主成分とする材料であるので、溶湯接合法によりベース板を形成でき、半導体装置製造の鉛フリー化にも寄与できる。   According to the present invention, since the base plate includes the bush mainly composed of copper or iron in the through hole that receives the screw, the stress applied to the base plate by tightening the screw is absorbed by the bush, and the base plate The stress generated in is suppressed. Therefore, loosening of the fixing screw for fixing the base plate to the heat radiating fin can be suppressed, and deterioration of heat dissipation of the semiconductor device can be suppressed. Moreover, since the base plate is made of a material mainly composed of aluminum, the base plate can be formed by a molten metal bonding method, which can contribute to lead-free manufacturing of semiconductor devices.

＜実施の形態１＞
図１〜図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。図１は当該半導体装置の断面図である。当該半導体装置は、図１に示すように、厚さ３〜５ｍｍｔのアルミベース板１上に設けられた厚さ０.３〜１.５ｍｍｔの絶縁基板２の上に形成される。アルミベース板１は、アルミを主成分とする材料、即ちアルミまたはアルミ合金から成っており、絶縁基板２は、窒化アルミ（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）あるいは窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）などから成る。絶縁基板２は、溶湯接合法によりアルミベース板１と一体的に形成されることで、アルミベース板１に直接接合している。即ち、アルミベース板１は、溶湯の状態のアルミまたはアルミ合金を鋳型内で絶縁基板２と接触させ、それを冷却することで形成される。 <Embodiment 1>
1-3 is a figure which shows the structure of the semiconductor device based on Embodiment 1 of this invention. FIG. 1 is a cross-sectional view of the semiconductor device. As shown in FIG. 1, the semiconductor device is formed on an insulating substrate 2 having a thickness of 0.3 to 1.5 mm provided on an aluminum base plate 1 having a thickness of 3 to 5 mm. Aluminum base plate 1 is made of a material mainly composed of aluminum, that is, made of aluminum or an aluminum alloy, an insulating substrate 2, aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3) or silicon nitride (Si 3 N 4 ) Etc. The insulating substrate 2 is directly joined to the aluminum base plate 1 by being integrally formed with the aluminum base plate 1 by a molten metal joining method. That is, the aluminum base plate 1 is formed by bringing molten aluminum or aluminum alloy into contact with the insulating substrate 2 in the mold and cooling it.

絶縁基板２の上には、厚さ０．３〜１ｍｍｔのアルミまたはアルミ合金から成る回路パターン３が形成されている。この回路パターン３も溶湯接合法により絶縁基板２と一体的に形成されている。回路パターン３の上には、半導体素子４が半田５を介して接合される。また、半導体素子４と回路パターン３とは、アルミワイヤ６を介しても電気的に接続している。さらに回路パターン３には、外部の他の回路との接続端子として機能する電極端子７が、半田８を介して接合される。   On the insulating substrate 2, a circuit pattern 3 made of aluminum or an aluminum alloy having a thickness of 0.3 to 1 mmt is formed. This circuit pattern 3 is also formed integrally with the insulating substrate 2 by a molten metal bonding method. On the circuit pattern 3, the semiconductor element 4 is bonded via the solder 5. The semiconductor element 4 and the circuit pattern 3 are also electrically connected via the aluminum wire 6. Further, electrode terminals 7 that function as connection terminals with other external circuits are joined to the circuit pattern 3 via solder 8.

また、アルミベース板１の外周部には、当該半導体装置の外壁となるパッケージケース９が接着剤１０を介して接着される。パッケージケース９の内部には、半導体素子４やアルミワイヤ６などを覆うようにシリコンゲル１１が充填されており、封止樹脂１２によって封止される。   Further, a package case 9 serving as an outer wall of the semiconductor device is bonded to the outer peripheral portion of the aluminum base plate 1 with an adhesive 10. The package case 9 is filled with silicon gel 11 so as to cover the semiconductor element 4, the aluminum wire 6, and the like, and is sealed with a sealing resin 12.

アルミベース板１は、半導体素子４などで発生した熱を放熱するためのヒートシンクとして機能するが、通常は放熱性をさらに高めるために、図１の如くアルミベース板１の下に冷却装置としての放熱フィン１３が装着される。アルミベース板１と放熱フィン１３との間には、両者間の微小な隙間を埋めるように放熱グリス（不図示）が１００μｍ程度塗布され、それによりアルミベース板１と放熱フィン１３との間の熱伝導性を高めている。   The aluminum base plate 1 functions as a heat sink for dissipating heat generated in the semiconductor element 4 or the like. Usually, in order to further improve heat dissipation, the aluminum base plate 1 is provided as a cooling device below the aluminum base plate 1 as shown in FIG. The radiation fin 13 is attached. Between the aluminum base plate 1 and the heat radiating fins 13, about 100 .mu.m of heat radiating grease (not shown) is applied so as to fill a minute gap between them. Increases thermal conductivity.

図２は、図１の当該半導体装置の上面図であり、図１は図２に示すＡ−Ａ線に沿った断面に相当する。また図３は、図２に示すＢ−Ｂ線に沿った断面であり、アルミベース板１における放熱フィン１３との固定構造を示している。アルミベース板１は、固定ネジ１４、平ワッシャ１５およびスプリングワッシャ１６を用いて放熱フィン１３に固定される。つまり図２および図３に示すように、固定ネジ１４がアルミベース板１に設けられた貫通孔２０を通り、放熱フィン１３に設けられたネジ穴１３１に螺入されることでアルミベース板１が固定される。このとき、固定ネジ１４のネジ頭とアルミベース板１との間に固定ネジ１４および平ワッシャ１５が入れられる。   2 is a top view of the semiconductor device of FIG. 1, and FIG. 1 corresponds to a cross section taken along line AA shown in FIG. FIG. 3 is a cross section taken along line BB shown in FIG. 2 and shows a fixing structure of the aluminum base plate 1 with the heat dissipating fins 13. The aluminum base plate 1 is fixed to the heat radiating fins 13 using fixing screws 14, flat washers 15 and spring washers 16. That is, as shown in FIGS. 2 and 3, the fixing screw 14 passes through the through hole 20 provided in the aluminum base plate 1 and is screwed into the screw hole 131 provided in the heat radiating fin 13, whereby the aluminum base plate 1. Is fixed. At this time, the fixing screw 14 and the flat washer 15 are inserted between the screw head of the fixing screw 14 and the aluminum base plate 1.

本実施の形態に係るアルミベース板１は、図３の如く、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０の上部に、厚さ０．３〜２ｍｍの平ブッシュ２１を有している。平ブッシュ２１の外径は、それに接する平ワッシャ１５の外径よりも大きくなっている。当該平ブッシュ２１は、銅よりも耐力が高い銅あるいは銅合金、または、鉄あるいは鉄合金から成っている。平ブッシュ２１は溶湯接合法を用いてアルミベース板１と一体的に形成する。即ち、溶湯のアルミまたはアルミ合金を用いてアルミベース板１を形成する際に、絶縁基板２と共に平ブッシュ２１も鋳型内に入れておくことで、アルミベース板１は平ブッシュ２１に接合して形成される。   As shown in FIG. 3, the aluminum base plate 1 according to the present embodiment has a flat bush 21 having a thickness of 0.3 to 2 mm above the through hole 20 that receives the fixing screw 14. The outer diameter of the flat bush 21 is larger than the outer diameter of the flat washer 15 in contact therewith. The flat bush 21 is made of copper or a copper alloy, or iron or an iron alloy having higher proof strength than copper. The flat bush 21 is formed integrally with the aluminum base plate 1 using a molten metal joining method. That is, when the aluminum base plate 1 is formed using molten aluminum or an aluminum alloy, the flat bush 21 is also put in the mold together with the insulating substrate 2 so that the aluminum base plate 1 is joined to the flat bush 21. It is formed.

本実施の形態のように、アルミベース板１が、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０の上部に、耐力の高い銅あるいは鉄を主成分とする平ブッシュ２１を有することにより、固定ネジ１４の締め付けにより平ワッシャ１５を介してアルミベース板１に印加される応力は平ブッシュ２１に吸収され、アルミベース板１に発生する応力は抑制される。例えば、平ブッシュ２１の外径が平ワッシャ１５の外径よりも約１ｍｍ大きい場合には、固定ネジ１４の締め付けに起因してアルミベース板１に発生する応力が約３０％減少し、同じく約２ｍｍ大きい場合には約４０％減少することが、本発明者等により確認された。   As in the present embodiment, the aluminum base plate 1 has the flat bush 21 mainly composed of copper or iron having high yield strength at the upper part of the through hole 20 that receives the fixing screw 14, thereby tightening the fixing screw 14. Thus, the stress applied to the aluminum base plate 1 via the flat washer 15 is absorbed by the flat bush 21 and the stress generated in the aluminum base plate 1 is suppressed. For example, when the outer diameter of the flat bush 21 is about 1 mm larger than the outer diameter of the flat washer 15, the stress generated in the aluminum base plate 1 due to the fastening of the fixing screw 14 is reduced by about 30%. It has been confirmed by the present inventors that when it is 2 mm larger, it is reduced by about 40%.

また図４は、本発明の効果を示すための実験結果を示すグラフである。当該実験では、半導体装置のベース板を放熱フィンに４本の固定ネジで一定のトルクをもって固定したものに対し、−４０〜１２５℃のヒートサイクルの熱履歴を与え、該固定ネジの緩みトルクの変化を測定した。図４のグラフにおいて、緩みトルク低下率（％）は「（熱履歴後の緩みトルク／初期の緩みトルク−１）×１００」として算出されている。   Moreover, FIG. 4 is a graph which shows the experimental result for showing the effect of this invention. In this experiment, a base plate of a semiconductor device is fixed to a heat radiating fin with four fixing screws with a constant torque, a heat history of a heat cycle of −40 to 125 ° C. is given, and the loosening torque of the fixing screws is given. Changes were measured. In the graph of FIG. 4, the loose torque reduction rate (%) is calculated as “(loose torque after thermal history / initial loose torque−1) × 100”.

図４のように、従来のアルミベース板（固定ネジを受け入れる貫通孔にブッシュを有していないもの）では、１００ヒートサイクル後には緩みトルクが約３０％低下した。また従来の銅ベース板では、１００ヒートサイクル後にも緩みトルクの低下は約１０％程度であった。一方、図１〜図３に示した平ブッシュ２１を有するアルミベース板１の場合には、１００ヒートサイクル後の緩みトルクの低下は、銅ベース板とほぼ同じ約１０％程度であった。つまり本実施の形態によれば、ベース板の材料としてアルミおよびアルミ合金を使用しつつ、銅のベース板と同程度に固定ネジの締着力の低下を抑制できる。   As shown in FIG. 4, in the conventional aluminum base plate (those having no bush in the through hole for receiving the fixing screw), the loosening torque decreased by about 30% after 100 heat cycles. In the conventional copper base plate, the loosening torque was reduced by about 10% even after 100 heat cycles. On the other hand, in the case of the aluminum base plate 1 having the flat bush 21 shown in FIGS. 1 to 3, the decrease in the loosening torque after 100 heat cycles was about 10%, which is almost the same as that of the copper base plate. That is, according to the present embodiment, it is possible to suppress a decrease in the fastening force of the fixing screw to the same extent as that of the copper base plate, while using aluminum and an aluminum alloy as the base plate material.

従って、本実施の形態によれば、アルミを主成分とする材料を用いた溶湯接合法によりベース板を形成することで半導体装置製造の鉛フリー化に寄与しつつ、ベース板を放熱フィンに固定するための固定ネジの緩みを銅のベース板と同じ程度に抑えて半導体装置の放熱性の劣化を抑制することが可能である。   Therefore, according to the present embodiment, the base plate is fixed to the heat radiating fin while contributing to lead-free semiconductor device manufacturing by forming the base plate by a molten metal bonding method using a material mainly composed of aluminum. Therefore, it is possible to suppress the looseness of the fixing screw to the same extent as that of the copper base plate and to suppress the deterioration of the heat dissipation of the semiconductor device.

本実施の形態においては、図３のように平ブッシュ２１はアルミベース板１の上面に露出するように設けられている。また、平ブッシュ２１はアルミベース板１と溶湯接合法により一体的に形成されているので、該平ブッシュ２１はアルミベース板１に固定されている。よって、例えば固定ネジ１４の締め付け時に平ワッシャ１５が共回りしても、平ブッシュ２１がアルミベース板１の上面を平ワッシャ１５から保護するので、平ワッシャ１５がアルミベース板１の上面を損傷させることは防止される。それによっても、固定ネジ１４の緩みを抑制する効果が得られる。   In the present embodiment, the flat bush 21 is provided so as to be exposed on the upper surface of the aluminum base plate 1 as shown in FIG. Further, since the flat bush 21 is integrally formed with the aluminum base plate 1 by a molten metal joining method, the flat bush 21 is fixed to the aluminum base plate 1. Therefore, for example, even when the flat washer 15 rotates together when the fixing screw 14 is tightened, the flat bush 21 protects the upper surface of the aluminum base plate 1 from the flat washer 15, so that the flat washer 15 damages the upper surface of the aluminum base plate 1. This is prevented. This also has the effect of suppressing the loosening of the fixing screw 14.

＜実施の形態２＞
図５は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態１の平ブッシュ２１に代えて、鍔（フランジ）を有するフランジブッシュ２２を適用する。その他の構造は、実施の形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、図５において、図３に示したものと同様の要素には同一符号を付してある。 <Embodiment 2>
FIG. 5 is a diagram showing a fixing structure with a heat radiating fin in the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, a flange bush 22 having a flange (flange) is applied instead of the flat bush 21 of the first embodiment. Since the other structure is the same as that of Embodiment 1, description here is abbreviate | omitted. In FIG. 5, the same elements as those shown in FIG.

即ち、本実施の形態に係るアルミベース板１は、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０内に、アルミベース板１を貫通するフランジブッシュ２２を有している。当該フランジブッシュ２２は、アルミベース板１の上面側の端にフランジを有している。該フランジの部分の上面はアルミベース板１の上面に露出しており、その外径は平ワッシャ１５の外径よりも大きくなっている。フランジブッシュ２２も、アルミより耐力の高い銅あるいは鉄を主成分としており、絶縁基板２と共に溶湯接合法によりアルミベース板１と一体的に形成されている。   That is, the aluminum base plate 1 according to the present embodiment has a flange bush 22 that penetrates the aluminum base plate 1 in the through hole 20 that receives the fixing screw 14. The flange bushing 22 has a flange at the end on the upper surface side of the aluminum base plate 1. The upper surface of the flange portion is exposed on the upper surface of the aluminum base plate 1, and the outer diameter thereof is larger than the outer diameter of the flat washer 15. The flange bush 22 is also mainly composed of copper or iron, which has higher yield strength than aluminum, and is integrally formed with the aluminum base plate 1 together with the insulating substrate 2 by a molten metal bonding method.

アルミベース板１が、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０に、耐力の高い銅あるいは鉄を主成分とするフランジブッシュ２２を有することにより、固定ネジ１４の締め付けにより平ワッシャ１５を介してアルミベース板１に印加される応力はフランジブッシュ２２に吸収され、アルミベース板１に発生する応力は抑制される。   The aluminum base plate 1 has a flange bush 22 mainly composed of copper or iron having a high yield strength in the through hole 20 that receives the fixing screw 14, so that the aluminum base plate 1 is tightened via the flat washer 15 by tightening the fixing screw 14. The stress applied to 1 is absorbed by the flange bush 22 and the stress generated in the aluminum base plate 1 is suppressed.

また、本実施の形態のフランジブッシュ２２は、アルミベース板１を貫通しており、即ちフランジブッシュ２２の長さはアルミベース板１の厚さと同等である。よって、固定ネジ１４の締め付け時の応力や熱履歴による応力はフランジブッシュ２２に直接的に印加されるので、それらはフランジブッシュ２２により効率的に吸収される。よって、本実施の形態によれば実施の形態１よりもさらに、アルミベース板１に発生する応力を抑制し、固定ネジの緩みを抑えて半導体装置の放熱性の劣化を抑制することができる。   Further, the flange bush 22 of the present embodiment penetrates the aluminum base plate 1, that is, the length of the flange bush 22 is equal to the thickness of the aluminum base plate 1. Therefore, since stress at the time of fastening of the fixing screw 14 and stress due to thermal history are directly applied to the flange bushing 22, they are efficiently absorbed by the flange bushing 22. Therefore, according to the present embodiment, the stress generated in the aluminum base plate 1 can be further suppressed as compared with the first embodiment, the looseness of the fixing screw can be suppressed, and the heat dissipation of the semiconductor device can be suppressed.

なお、フランジブッシュ２２がアルミベース板１を貫通するので、その下側端が放熱フィン１３に接することになるが、通常、放熱フィン１３には約２００ＭＰａ以上の耐力のアルミ合金が使用されるため、そのような放熱フィン１３を使用していれば当該下側端で放熱フィン１３の表面が損傷させることはない。   In addition, since the flange bush 22 penetrates the aluminum base plate 1, its lower end comes into contact with the heat radiating fins 13. Usually, the heat radiating fins 13 use an aluminum alloy having a proof stress of about 200 MPa or more. If such a radiation fin 13 is used, the surface of the radiation fin 13 will not be damaged at the lower end.

上記のように、フランジブッシュ２２が有するフランジはアルミベース板１の上面に露出するように設けられている。また、フランジブッシュ２２はアルミベース板１と溶湯接合法により一体的に形成されているので、フランジブッシュ２２はアルミベース板１に固定されている。よって、例えば固定ネジ１４の締め付け時に平ワッシャ１５が共回りしても、フランジブッシュ２２のフランジがアルミベース板１の上面を平ワッシャ１５から保護するので、平ワッシャ１５がアルミベース板１の上面を損傷させることは防止される。それによっても、固定ネジ１４の緩みを抑制する効果が得られる。   As described above, the flange of the flange bush 22 is provided so as to be exposed on the upper surface of the aluminum base plate 1. Further, since the flange bush 22 is integrally formed with the aluminum base plate 1 by a molten metal joining method, the flange bush 22 is fixed to the aluminum base plate 1. Therefore, for example, even if the flat washer 15 rotates together when the fixing screw 14 is tightened, the flange of the flange bush 22 protects the upper surface of the aluminum base plate 1 from the flat washer 15. It is prevented from being damaged. This also has the effect of suppressing the loosening of the fixing screw 14.

＜実施の形態３＞
図６は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態１の平ブッシュ２１に代えて、両端にフランジを有する両端フランジブッシュ２３を適用する。その他の構造は、実施の形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、図６において、図３に示したものと同様の要素には同一符号を付してある。 <Embodiment 3>
FIG. 6 is a diagram showing a fixing structure with a heat radiating fin in the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, instead of the flat bush 21 of the first embodiment, a both-end flange bushing 23 having flanges at both ends is applied. Since the other structure is the same as that of Embodiment 1, description here is abbreviate | omitted. In FIG. 6, the same elements as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals.

即ち、本実施の形態に係るアルミベース板１は、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０内に、アルミベース板１を貫通する両端フランジブッシュ２３を有している。当該両端フランジブッシュ２３は、アルミベース板１の上面側の端および下面側の端の両方にフランジを有している。上側端のフランジ部分の上面はアルミベース板１の上面に露出しており、該フランジ部分の外径は、それに接する平ワッシャ１５の外径よりも大きくなっている。両端フランジブッシュ２３も、アルミよりも耐力の高い銅あるいは鉄を主成分とする材料から成っており、絶縁基板２と共に溶湯接合法によりアルミベース板１と一体的に形成されている。   That is, the aluminum base plate 1 according to the present embodiment has both end flange bushings 23 that penetrate the aluminum base plate 1 in the through holes 20 that receive the fixing screws 14. The both end flange bushings 23 have flanges on both the upper surface side end and the lower surface side end of the aluminum base plate 1. The upper surface of the flange portion at the upper end is exposed on the upper surface of the aluminum base plate 1, and the outer diameter of the flange portion is larger than the outer diameter of the flat washer 15 in contact therewith. Both end flange bushings 23 are also made of a material mainly composed of copper or iron, which has higher yield strength than aluminum, and are integrally formed with the aluminum base plate 1 together with the insulating substrate 2 by a molten metal joining method.

アルミベース板１が、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０に、耐力の高い両端フランジブッシュ２３を有することにより、固定ネジ１４の締め付けにより平ワッシャ１５を介してアルミベース板１に印加される応力は両端フランジブッシュ２３に吸収され、アルミベース板１に発生する応力は抑制される。   Since the aluminum base plate 1 has the flange bushes 23 having high strength in the through holes 20 that receive the fixing screws 14, the stress applied to the aluminum base plate 1 through the flat washers 15 by tightening the fixing screws 14 is The stress generated in the aluminum base plate 1 by being absorbed by the both end flange bushings 23 is suppressed.

また、両端フランジブッシュ２３は、アルミベース板１を貫通しており、即ち両端フランジブッシュ２３の長さはアルミベース板１の厚さと同等であるので、実施の形態２と同様に、固定ネジ１４の締め付け時の応力や熱履歴による応力は、両端フランジブッシュ２３により効率的に吸収される。よって、アルミベース板１に発生する応力は、実施の形態１よりもさらに抑制される。両端フランジブッシュ２３はアルミベース板１を貫通しているので、下側端が放熱フィン１３に接することになるが、両端フランジブッシュ２３はその下側端にもフランジを有しているので、仮に、放熱フィン１３の耐力が低い場合でも、当該下側端で放熱フィン１３の表面が損傷させることは抑制される。   Further, both end flange bushings 23 penetrate the aluminum base plate 1, that is, the length of both end flange bushings 23 is equal to the thickness of the aluminum base plate 1, so that the fixing screws 14 are the same as in the second embodiment. The stress at the time of tightening and the stress due to the thermal history are efficiently absorbed by the flange bushes 23 at both ends. Therefore, the stress generated in the aluminum base plate 1 is further suppressed as compared with the first embodiment. Since both end flange bushings 23 penetrate the aluminum base plate 1, the lower end comes into contact with the heat radiating fins 13. However, both end flange bushings 23 also have flanges at their lower ends. Even when the proof stress of the radiating fin 13 is low, the surface of the radiating fin 13 is prevented from being damaged at the lower end.

また、両端フランジブッシュ２３はその下側端にもフランジを有しているので、両端フランジブッシュ２３がアルミベース板１から脱落してしまうことが防止される。   In addition, since both end flange bushings 23 also have flanges at their lower ends, both end flange bushings 23 are prevented from falling off the aluminum base plate 1.

＜実施の形態４＞
図７は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態１の平ブッシュ２１に代えて、その側面に凹凸を設けたナーリングブッシュ２４を適用する。その他の構造は、実施の形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、図７において、図３に示したものと同様の要素には同一符号を付してある。 <Embodiment 4>
FIG. 7 is a diagram showing a fixing structure with the radiation fin in the semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention. In the present embodiment, instead of the flat bush 21 of the first embodiment, a knurling bush 24 provided with irregularities on its side surface is applied. Since the other structure is the same as that of Embodiment 1, description here is abbreviate | omitted. In FIG. 7, the same elements as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals.

ナーリングブッシュ２４は側面に凹凸を有しているので、当該ナーリングブッシュ２４がアルミベース板１から脱落してしまうことが防止される。また図７のように、ナーリングブッシュ２４は、実施の形態２のフランジブッシュ２２と同様に、アルミベース板１の上面側の端にフランジを有しているので、実施の形態２と同様の効果も奏することは明らかである。   Since the knurling bush 24 has irregularities on its side surfaces, the knurling bush 24 is prevented from falling off the aluminum base plate 1. Further, as shown in FIG. 7, the knurling bush 24 has a flange at the end on the upper surface side of the aluminum base plate 1 similarly to the flange bush 22 of the second embodiment. It is clear that

＜実施の形態５＞
本実施の形態では、アルミベース板１と一体形成されるブッシュの上面の高さを、当該アルミベース板１の上面の高さよりも高くする。 <Embodiment 5>
In the present embodiment, the height of the upper surface of the bush formed integrally with the aluminum base plate 1 is made higher than the height of the upper surface of the aluminum base plate 1.

図８は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。図８では、実施の形態２のフランジブッシュ２２の上面を、その周囲のアルミベース板１の上面よりも高くした例を示している。但し、本実施の形態の適用はこの構造に限られるものではなく、例えば、実施の形態１，３，４のアルミベース板１が有する各ブッシュ（平ブッシュ２１、フランジブッシュ２２、両端フランジブッシュ２３）の上面を、アルミベース板１の上面よりも高くしてもよい。   FIG. 8 is a diagram showing a fixing structure with a heat radiating fin in the semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 8 shows an example in which the upper surface of the flange bush 22 of the second embodiment is made higher than the upper surface of the surrounding aluminum base plate 1. However, the application of the present embodiment is not limited to this structure. For example, the bushes (flat bush 21, flange bush 22, both end flange bush 23 of the aluminum base plate 1 of the first, third, and fourth embodiments). ) May be made higher than the upper surface of the aluminum base plate 1.

実施の形態２で示した図５のように、アルミベース板１の上面とフランジブッシュ２２の上面とを同じに形成しようとした場合、溶湯接合法を用いてアルミベース板１をフランジブッシュ２２と一体的に形成する際に、製造ばらつきによりアルミベース板１の上面がフランジブッシュ２２の上面よりも高く形成されることが懸念される。そして平ワッシャ１５が、フランジブッシュ２２の上面よりも高いアルミベース板１に乗り上げてしまうと、正常にアルミベース板１を放熱フィン１３に固定することが困難になる。   When the upper surface of the aluminum base plate 1 and the upper surface of the flange bushing 22 are formed to be the same as shown in FIG. 5 shown in the second embodiment, the aluminum base plate 1 is attached to the flange bushing 22 using a molten metal joining method. When forming integrally, there is a concern that the upper surface of the aluminum base plate 1 is formed higher than the upper surface of the flange bushing 22 due to manufacturing variations. When the flat washer 15 rides on the aluminum base plate 1 higher than the upper surface of the flange bushing 22, it is difficult to normally fix the aluminum base plate 1 to the heat radiating fins 13.

そこで本実施の形態では、図８のように、フランジブッシュ２２の上面をその周囲のアルミベース板１の上面よりも高さｄだけ高く形成している。それにより、平ワッシャ１５がアルミベース板１に乗り上げてしまうことが回避でき、アルミベース板１の放熱フィン１３への固定を確実に行うことができる。従って、アルミベース板１と放熱フィン１３との間の密着性の不備による半導体装置の放熱性の劣化を防止することができる。   Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 8, the upper surface of the flange bush 22 is formed to be higher than the upper surface of the surrounding aluminum base plate 1 by a height d. Thus, the flat washer 15 can be prevented from riding on the aluminum base plate 1, and the aluminum base plate 1 can be reliably fixed to the radiation fins 13. Accordingly, it is possible to prevent the heat dissipation of the semiconductor device from being deteriorated due to inadequate adhesion between the aluminum base plate 1 and the heat dissipation fins 13.

＜実施の形態６＞
図９は、本発明の実施の形態６に係る半導体装置における固定ネジを受け入れる貫通孔の構造を示す図である。同図において、図３に示したものと同様の要素には同一符号を付している。 <Embodiment 6>
FIG. 9 is a diagram showing the structure of the through hole that receives the fixing screw in the semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention. In the figure, the same elements as those shown in FIG.

本実施の形態では、実施の形態２で示したフランジブッシュ２２が、図９のようにアルミベース板１のコーナー部に配設されている。その場合、実施の形態２の構成では、フランジブッシュ２２のフランジの側面でアルミベース板１の形状が非常に鋭くなるので、使用者が当該アルミベース板１に触れたときに、指を損傷する危険がある。そこで、本実施の形態では、図９のように、フランジブッシュ２２が配設されるアルミベース板１のコーナー部に、フランジブッシュ２２のフランジの側面の一部が露出するよう局所的に薄くした、いわゆる「肉盗み」した部分３０（以下「肉盗み部３０」）を形成する。   In the present embodiment, the flange bush 22 shown in the second embodiment is disposed at the corner portion of the aluminum base plate 1 as shown in FIG. In that case, in the configuration of the second embodiment, the shape of the aluminum base plate 1 becomes very sharp on the side surface of the flange of the flange bush 22, so that the finger is damaged when the user touches the aluminum base plate 1. There is danger. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 9, the thickness is locally thin so that a part of the side surface of the flange of the flange bush 22 is exposed at the corner of the aluminum base plate 1 where the flange bush 22 is disposed. In other words, a so-called “meat stealing” portion 30 (hereinafter “meat stealing portion 30”) is formed.

フランジブッシュ２２が配設されるアルミベース板１のコーナー部に肉盗み部３０を設けることで、フランジブッシュ２２のフランジの側面で、アルミベース板１の形状が鋭くなることが防止される。従って、使用者が半導体装置に扱う場合の安全性が向上する。   By providing the meat stealing portion 30 at the corner portion of the aluminum base plate 1 where the flange bushing 22 is disposed, the shape of the aluminum base plate 1 is prevented from being sharp on the side surface of the flange of the flange bushing 22. Therefore, the safety when the user handles the semiconductor device is improved.

＜実施の形態７＞
図１０および図１１は、本発明の実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す図である。同図において、図１〜図３に示したものには、同様の要素には同一符号を付している。本実施の形態においても、半導体装置の上面図は実施の形態１で示した図２のとおりであり、図１０はそのＡ−Ａ線に沿った断面に相当し、図１１はそのＢ−Ｂ線に沿った断面に相当している。 <Embodiment 7>
10 and 11 are diagrams showing the configuration of the semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention. In the same figure, the same elements as those shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals. Also in this embodiment, the top view of the semiconductor device is as shown in FIG. 2 shown in Embodiment 1, FIG. 10 corresponds to a cross section along the line AA, and FIG. It corresponds to a cross section along the line.

本実施の形態に係るアルミベース板１は、銅あるいは鉄を主成分とする図１２に示す補強板２５を内部に有している。図１０の如く、補強板２５はアルミベース板１の厚さのほぼ中央に位置し、アルミベース板１の大半の領域に配設されている。補強板２５は、アルミベース板１に設けられる貫通孔２０に対応した位置（本実施の形態では補強板２５の四隅）に、平ブッシュ部２５ａを有している。つまり図１１のように、アルミベース板１の貫通孔２０に、補強板２５の一部分である平ブッシュ部２５ａが配設されることになる。補強板２５は、絶縁基板２と共に溶湯接合法によりアルミベース板１と一体的に形成される。   The aluminum base plate 1 according to the present embodiment has a reinforcing plate 25 shown in FIG. 12 mainly composed of copper or iron. As shown in FIG. 10, the reinforcing plate 25 is located substantially at the center of the thickness of the aluminum base plate 1, and is disposed in the most area of the aluminum base plate 1. The reinforcing plate 25 has flat bush portions 25a at positions corresponding to the through holes 20 provided in the aluminum base plate 1 (four corners of the reinforcing plate 25 in the present embodiment). That is, as shown in FIG. 11, the flat bush portion 25 a which is a part of the reinforcing plate 25 is disposed in the through hole 20 of the aluminum base plate 1. The reinforcing plate 25 is formed integrally with the aluminum base plate 1 together with the insulating substrate 2 by a molten metal bonding method.

アルミベース板１の材料として純度の高いアルミを使用した場合、その剛性が低いため溶湯成形される際に、アルミベース板１の反りや変形が懸念されるが、本実施の形態によればアルミベース板１の内部に比較的剛性の高い補強板２５が配設されるので、その問題を抑制することができる。   When high-purity aluminum is used as the material of the aluminum base plate 1, there is a concern about warping or deformation of the aluminum base plate 1 when molten metal is formed because of its low rigidity. Since the relatively rigid reinforcing plate 25 is disposed inside the base plate 1, the problem can be suppressed.

また、補強板２５の一部である平ブッシュ部２５ａが、実施の形態１の平ブッシュ２１と同様に機能するので、固定ネジ１４の締め付けにより平ワッシャ１５を介してアルミベース板１に印加される応力は平ブッシュ部２５ａに吸収され、アルミベース板１に発生する応力は抑制される。よって、固定ネジ１４の緩みを抑えて半導体装置の放熱性の劣化を抑制することができる。   Further, since the flat bush portion 25a which is a part of the reinforcing plate 25 functions in the same manner as the flat bush 21 of the first embodiment, it is applied to the aluminum base plate 1 through the flat washer 15 by tightening the fixing screw 14. Is absorbed by the flat bush portion 25a, and the stress generated in the aluminum base plate 1 is suppressed. Therefore, it is possible to suppress the looseness of the fixing screw 14 and suppress the deterioration of heat dissipation of the semiconductor device.

図１３および図１４は、補強板２５の構成の例を示す図である。例えば図１３の如く、補強板２５に開口部２５ｂを設けてもよい。この場合は開口部２５ｂ内にもアルミベース板１の一部が充填されることになるので、アルミベース板１と補強板２５とが剥がれ難くなるという利点がある。さらに、補強板２５の材料として鉄を用いる場合、鉄はアルミよりも熱伝導率が低いので放熱性が劣化する恐れがあるが、補強板２５に開口部２５ｂを設けることにより、その問題が軽減される。   13 and 14 are diagrams illustrating an example of the configuration of the reinforcing plate 25. FIG. For example, as shown in FIG. 13, the opening 25 b may be provided in the reinforcing plate 25. In this case, since a part of the aluminum base plate 1 is also filled in the opening 25b, there is an advantage that the aluminum base plate 1 and the reinforcing plate 25 are difficult to peel off. Furthermore, when iron is used as the material of the reinforcing plate 25, iron has a lower thermal conductivity than aluminum, and thus heat dissipation may be deteriorated. However, by providing the opening 25b in the reinforcing plate 25, the problem is reduced. Is done.

また、図１４の如く補強板２５の外縁部を折り曲げ、フランジ部２５ｃを形成してもよい。フランジ部２５ｃを設けることにより補強板２５の強度が増すので、アルミベース板１の反りや変形を抑制する効果がさらに向上する。   Further, as shown in FIG. 14, the outer edge portion of the reinforcing plate 25 may be bent to form the flange portion 25c. Since the strength of the reinforcing plate 25 is increased by providing the flange portion 25c, the effect of suppressing warpage and deformation of the aluminum base plate 1 is further improved.

実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor device according to a first embodiment. 実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor device according to a first embodiment. 実施の形態１に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a fixing structure with a heat radiating fin in the semiconductor device according to the first embodiment. 本発明の効果を示すための実験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the experimental result for showing the effect of this invention. 実施の形態２に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a fixing structure with a heat radiating fin in a semiconductor device according to a second embodiment. 実施の形態３に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a fixing structure with a heat radiating fin in a semiconductor device according to a third embodiment. 実施の形態４に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a fixing structure with a heat radiating fin in a semiconductor device according to a fourth embodiment. 実施の形態５に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a fixing structure with a heat radiating fin in a semiconductor device according to a fifth embodiment. 実施の形態６に係る半導体装置における固定ネジを受け入れる貫通孔の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the through-hole which receives the fixing screw in the semiconductor device which concerns on Embodiment 6. FIG. 実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a semiconductor device according to a seventh embodiment. 実施の形態７に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。It is a figure which shows the fixation structure with the radiation fin in the semiconductor device which concerns on Embodiment 7. FIG. 実施の形態７の補強板の構成の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a configuration of a reinforcing plate according to a seventh embodiment. 実施の形態７の補強板の構成の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a configuration of a reinforcing plate according to a seventh embodiment. 実施の形態７の補強板の構成の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a configuration of a reinforcing plate according to a seventh embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ アルミベース板、２ 絶縁基板、１３ 放熱フィン、１４ 固定ネジ、１５ 平ワッシャ、１６ スプリングワッシャ、２０ 貫通孔、２１ 平ブッシュ、２２ フランジブッシュ、２３ 両端フランジブッシュ、２４ ナーリングブッシュ、２５ 補強板、２５ａ 平ブッシュ部、２５ｂ 開口部、２５ｃ フランジ部、３０ 肉盗み部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Aluminum base board, 2 Insulation board, 13 Radiation fin, 14 Fixing screw, 15 Flat washer, 16 Spring washer, 20 Through-hole, 21 Flat bush, 22 Flange bush, 23 Both end flange bush, 24 Knurling bush, 25 Reinforcement plate, 25a flat bush part, 25b opening part, 25c flange part, 30 meat stealing part.

Claims (10)

アルミを主成分とするベース板と、
前記ベース板上に形成された絶縁基板と、
前記絶縁基板上に搭載された半導体素子とを備え、
前記ベース板は、
該ベース板を所定の冷却装置に固定するためのネジを受け入れ可能な貫通孔と、
前記貫通孔に対応して配設され、銅あるいは鉄を主成分とするブッシュとを備える
ことを特徴とする半導体装置。 A base plate mainly composed of aluminum;
An insulating substrate formed on the base plate;
A semiconductor element mounted on the insulating substrate;
The base plate is
A through hole capable of receiving a screw for fixing the base plate to a predetermined cooling device;
A semiconductor device comprising: a bushing that is disposed corresponding to the through hole and that contains copper or iron as a main component. 請求項１記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、前記ベース板の上面に露出している
ことを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the bush is exposed on an upper surface of the base plate. 請求項２記載の半導体装置であって、
前記ブッシュの上面の高さは、その周囲の前記ベース板の上面の高さよりも高い
ことを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 2,
The height of the upper surface of the bush is higher than the height of the upper surface of the base plate around the bush. 請求項１から請求項３のいずれか記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、当該ベース板を貫通している
ことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device according to any one of claims 1 to 3,
The bushing penetrates through the base plate. 請求項１から請求項４のいずれか記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、少なくとも一端にフランジを有している
ことを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein:
The bushing has a flange at least at one end thereof. 請求項５記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、前記ベース板のコーナー部近傍に配設されており、
前記ベース板の前記コーナー部は、前記フランジの側面の一部が露出するように、局所的に薄く形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 5,
The bush is disposed in the vicinity of a corner portion of the base plate,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the corner portion of the base plate is locally thin so that a part of a side surface of the flange is exposed. 請求項１から請求項６のいずれか記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、側面に凹凸を有している
ことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device according to any one of claims 1 to 6,
The bush has a concavo-convex on a side surface thereof. 請求項１から請求項２のいずれか記載の半導体装置であって、
前記ベース板は、銅あるいは鉄を主成分とする補強板を内部に有しており、
前記ブッシュは、前記補強板の一部に属している
ことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device according to claim 1, wherein:
The base plate has a reinforcing plate mainly composed of copper or iron inside,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the bush belongs to a part of the reinforcing plate. 請求項８記載の半導体装置であって、
前記補強板は、少なくとも一つの開口を有している
ことを特徴とする半導体装置。 9. The semiconductor device according to claim 8, wherein
The semiconductor device according to claim 1, wherein the reinforcing plate has at least one opening. 請求項８または請求項９記載の半導体装置であって、
前記補強板は、外縁部にフランジを有している
ことを特徴とする半導体装置。
A semiconductor device according to claim 8 or 9, wherein
The reinforcing plate has a flange at an outer edge portion.
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