JP2006100626A - Semiconductor light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体発光装置、特に詳細には、活性層がInGaAsyP1-yもしくはAlGaInAsyP1-yから構成されてなる半導体発光装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device in which an active layer is composed of InGaAs y P 1-y or AlGaInAs y P 1 -y .
現在、光ファイバを家庭まで接続した光ネットワーク（FTTH）が普及し始めており、ますます情報化社会が進展してきている。現状実用化されている光ファイバ通信は100Ｍｂｐｓ（ビット／秒）程度の通信速度であるが、今後はより高速性を高め、伝送情報量を増やすことが期待されている。 At present, an optical network (FTTH) in which optical fibers are connected to homes is becoming widespread, and an information-oriented society is increasingly developed. Optical fiber communication currently in practical use has a communication speed of about 100 Mbps (bits / second), but in the future, it is expected to increase the speed and increase the amount of transmission information.
このような光ファイバ通信の普及に伴い、現在主流である石英ファイバからコストの安いプラスチックファイバが注目を浴びている。その理由はファイバの値段が安い上に、コア径が太いことから半導体レーザとの結合が容易で、実装コストが低く抑えられるからである。 With the spread of such optical fiber communications, plastic fibers with low cost are attracting attention from quartz fibers which are currently mainstream. This is because the fiber price is low and the core diameter is large, so that it can be easily coupled with the semiconductor laser, and the mounting cost can be kept low.
プラスチックファイバで使用される光源としては、現在入手できる半導体レーザの中で最も損失の小さい波長650ｎｍ帯の赤色半導体レーザが有望とされている。しかし赤色半導体レーザは信頼性が低く、長距離の光通信で多く用いられている赤外半導体レーザが数十万時間の寿命を有しているのに対し、寿命がせいぜい数万時間であり、長寿命のものが存在しないのが実情である。 As a light source used in a plastic fiber, a red semiconductor laser with a wavelength of 650 nm, which has the smallest loss among currently available semiconductor lasers, is considered promising. However, red semiconductor lasers are unreliable, and infrared semiconductor lasers that are often used in long-distance optical communications have lifetimes of several hundred thousand hours, whereas lifetimes are at most tens of thousands of hours. The fact is that there is no long-life thing.
赤色半導体レーザの信頼性が低い原因としては、使用する材料であるAlGaInP系の結晶成長が難しくて結晶品質が低い、ドーピング制御が困難、等が考えられている。また、元々この波長帯の半導体レーザでは、量子井戸活性層にGaInP、障壁層にAlGaInPが用いられていることから伝導帯の電位障壁の高さΔＥcが小さく、電子がオーバーフローし易いこと、AlGaInPの熱抵抗が大きいために発熱し易いこと、等も信頼性低下の原因と考えられている。 The reason why the reliability of the red semiconductor laser is low is considered that it is difficult to grow an AlGaInP-based crystal as a material to be used, the crystal quality is low, and doping control is difficult. In addition, the semiconductor laser of this wavelength band originally uses GaInP for the quantum well active layer and AlGaInP for the barrier layer, so that the potential barrier height ΔEc in the conduction band is small, and electrons easily overflow. The fact that heat is easily generated due to the large thermal resistance is considered to be a cause of a decrease in reliability.
そこで、上に示した電位障壁の高さΔＥcが小さいという欠点を改善するために、特許文献１には、活性層にInGaAsP、クラッド層にAlGaInPを用いたダブルヘテロ構造の半導体レーザが提案されている。この半導体レーザは、活性層をInGaAsPとすることでΔＥcを大きくして、電子のオーバーフローを抑制するというものである。
ところが、上述した特許文献１の中で提案されている構造の半導体レーザ、具体的にはAl0.35Ga0.15In0.5P0.5クラッドとIn0.4Ga0.6As0.2P0.8活性層を備えた半導体レーザを本発明者が実際に作製してその特性を評価したところ、発振しきい値が比較的高くなり、結果的には通常のGaInP活性層を有する半導体レーザよりも特性が悪くなることが判った。
However, the semiconductor laser having the structure proposed in the above-mentioned
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、一般的な赤色半導体レーザで使用されているInGaPあるいはAlGaInPに代わる良質な活性層を備えて、活性層の経時劣化を抑制できる、信頼性の高い半導体発光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a high-quality active layer in place of InGaP or AlGaInP used in a general red semiconductor laser, and can suppress deterioration over time of the active layer. An object of the present invention is to provide a high semiconductor light emitting device.
本発明による半導体発光装置は、
第１導電型GaAs基板上に、少なくとも第１導電型AlGaInPクラッド層、AlGaInP光ガイド層、量子井戸活性層、AlGaInP光ガイド層、第２導電型AlGaInPクラッド層を有してなる半導体発光装置において、
前記活性層が、InGaAsyP1-yもしくはAlGaInAsyP1-yから構成され、
該InGaAsyP1-yもしくはAlGaInAsyP1-yにおけるＶ族元素中のAsの含有割合ｙが、０＜ｙ≦0.1の範囲にあることを特徴とするものである。
A semiconductor light-emitting device according to the present invention comprises:
In a semiconductor light emitting device comprising at least a first conductivity type AlGaInP cladding layer, an AlGaInP light guide layer, a quantum well active layer, an AlGaInP light guide layer, and a second conductivity type AlGaInP cladding layer on a first conductivity type GaAs substrate,
The active layer is composed of InGaAs y P 1-y or AlGaInAs y P 1-y ,
In the InGaAs y P 1 -y or AlGaInAs y P 1 -y , the As content ratio y in the group V element is in the range of 0 <y ≦ 0.1.
なお本発明の半導体発光装置において、上記Asの含有割合ｙは、より好ましくは0.03≦ｙ≦0.07、さらに好ましくは0.04≦ｙ≦0.06の範囲に設定される。 In the semiconductor light emitting device of the present invention, the As content ratio y is more preferably set in the range of 0.03 ≦ y ≦ 0.07, and more preferably 0.04 ≦ y ≦ 0.06.
また、本発明の半導体発光装置においては、
前記第２クラッド層内に、電流狭窄のための１対の第１導電型電流ブロック層が設けられ、
この電流ブロック層の各々に、発光部ストライプとほぼ平行に延びる溝が形成され、
前記基板の上に積層された半導体層の上に形成された電極が、素子面積よりも小さい面積のパッド電極で構成されていることが望ましい。
In the semiconductor light emitting device of the present invention,
A pair of first conductivity type current blocking layers for current confinement is provided in the second cladding layer,
Each of the current blocking layers is formed with a groove extending substantially parallel to the light emitting portion stripe,
It is desirable that the electrode formed on the semiconductor layer stacked on the substrate is composed of a pad electrode having an area smaller than the element area.
本発明者の研究によると、第１導電型GaAs基板上に、少なくとも第１導電型AlGaInPクラッド層、AlGaInP光ガイド層、量子井戸活性層、AlGaInP光ガイド層、第２導電型AlGaInPクラッド層を有してなる半導体発光装置において、活性層材料にInGaAsPもしくはAlGaInAsPを採用し、該InGaAsPもしくはAlGaInAsPのＶ族元素中に占めるAsの含有割合を10％以下（ただしAsは必ず含むものとする。つまり０＜ｙ≦0.1）に制御することによって良好な結晶品質が得られ、信頼性が格段に向上することが判明した。 According to the study by the present inventors, at least a first conductivity type AlGaInP cladding layer, an AlGaInP light guide layer, a quantum well active layer, an AlGaInP light guide layer, and a second conductivity type AlGaInP cladding layer are provided on the first conductivity type GaAs substrate. In the semiconductor light emitting device formed as described above, InGaAsP or AlGaInAsP is adopted as the active layer material, and the content ratio of As in the group V element of the InGaAsP or AlGaInAsP is 10% or less (note that As is always included, that is, 0 <y). It has been found that by controlling to ≦ 0.1), good crystal quality can be obtained and the reliability is remarkably improved.
前述した特許文献１において具体的に提案されている実施例では、活性層を構成するInGaAsPのＶ族元素中でのAs含有割合は20％となっている。しかしこの組成のInGaAsPをGaAs基板上に作製すると、結晶組成がミシビリティ・ギャップと呼ばれる領域内となるため、各元素が固相内で均一に分散した混晶が得られにくく、結晶品質が低下する。これが原因で、特許文献１に示された半導体レーザでは良好な特性が得られなかったものと考えられる。それに対して、活性層を構成するInGaAsPもしくはAlGaInAsPのＶ族元素中に占めるAsの含有割合を10％以下にすると、結晶組成がミシビリティ・ギャップ領域から離れるために結晶品質の劣化が抑制されて、活性層に採用しても十分な信頼性が得られると考えられる。
In the embodiment specifically proposed in
以下、上記「10％」という数値の根拠について説明する。図３は、In0.6Ga0.4AsyP1-y歪量子井戸層からなる活性層を、そのAsの割合を種々に変えて作製した半導体レーザについて、各々の劣化率を測定した結果を示すものである。これらの半導体レーザにおいては基本的にクラッド層を(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.7)、光ガイド層を(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.5)から形成し、量子井戸数は３とした。また共振器長は300μｍ、端面反射率は前面30％、後面70％とし、ジャンクションアップ方式でSiヒートシンク、直径5.6ｍｍの小型パッケージに順に実装した。なお発振波長は、25℃−１ｍＷ出力時に660ｎｍとなるようにした。また通電試験条件は50℃−５ｍＷのAPC（Automatic Power Control）駆動とした。なお同図における縦軸の劣化率は、APC駆動による電流増加の割合を駆動時間で割ったものである。またここでは、劣化特性の傾向を把握するために上記Asの割合が０％の半導体レーザも作製し、それについても測定を行ったが、その半導体レーザは勿論本発明に含まれない。 Hereinafter, the basis of the above numerical value of “10%” will be described. FIG. 3 shows the results of measuring the respective deterioration rates of semiconductor lasers produced by changing the As ratio of active layers composed of In 0.6 Ga 0.4 As y P 1-y strained quantum well layers. It is. In these semiconductor lasers, the cladding layer is basically (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P (x = 0.7) and the light guide layer is (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P (x = 0.5 The number of quantum wells is 3. The resonator length was 300 μm, the end face reflectance was 30% on the front side, and the rear surface was 70%. The junction was mounted on a Si heat sink and a small package with a diameter of 5.6 mm in order. The oscillation wavelength was set to 660 nm at 25 ° C. and 1 mW output. The energization test conditions were 50 ° C.-5 mW APC (Automatic Power Control) drive. Note that the deterioration rate on the vertical axis in the figure is obtained by dividing the rate of current increase by APC driving by the driving time. Further, here, in order to grasp the tendency of the degradation characteristics, a semiconductor laser having the above As ratio of 0% was also manufactured and measured. However, the semiconductor laser is not included in the present invention.
本発明者は、この図３に示される通り、Asの含有割合を10％以下にすることで、現在実用化されているInGaPを活性層に用いた赤色半導体レーザ（劣化率はほぼ1.0×10-5／ｈ）よりも劣化率が低減することを発見した。これにより本発明においては、Asの含有割合を最大でも10％とするものである。これは、Asの含有割合を大きくし過ぎないことで、前述したミシビリティ・ギャップの問題から逃れられているためと考えられる。また、前述した特許文献１に提案されたものと同様に、基本的にはAsを混入することで活性層が熱的に安定化し、成長中のリン抜けが抑制される効果、及びP系材料が持つ材料としての脆弱性が改善される効果も得られていると考えられる。
As shown in FIG. 3, the inventor of the present invention reduced the As content to 10% or less, so that a red semiconductor laser using InGaP, which is currently in practical use, as the active layer (deterioration rate is approximately 1.0 × 10 -5 / h) was found to reduce the deterioration rate. Thereby, in the present invention, the content ratio of As is 10% at the maximum. This is thought to be because the content ratio of As is not increased too much, thereby avoiding the aforementioned problem of miscibility gap. In addition, similar to the one proposed in
また図３から判る通り、劣化率はAsの含有割合が５％近辺のときに最小となり、Asの含有割合がそれより小さくなると大きくなる傾向にある。これは、Asの含有量が余りに少ないと、Asによって伝導帯の電位障壁の高さΔＥcを下げる効果が薄れるためであると考えられる。 As can be seen from FIG. 3, the deterioration rate tends to be minimum when the As content is around 5%, and tends to increase when the As content is smaller. This is presumably because the effect of lowering the potential barrier height ΔEc of the conduction band is weakened by As if the content of As is too small.
一般に光通信用に必要な寿命は10万時間以上と言われており、半導体レーザの寿命を動作電流が初期値の1.2倍になる時点と定義した場合、10万時間以上の寿命を得るために劣化率としては、２×10-6／ｈ｛＝（1.2−１）／（１×105ｈ）｝が必要である。図３よりこの劣化率を実現するためには、Asの含有割合を３〜７％とすればよいことが解る。また、Asの含有割合を４〜６％の範囲に設定すれば、さらに高い信頼性が得られるようになる。 In general, the life required for optical communication is said to be 100,000 hours or more. To define the life of a semiconductor laser as the point when the operating current is 1.2 times the initial value, to obtain a life of 100,000 hours or more. As the deterioration rate, 2 × 10 −6 / h {= (1.2−1) / (1 × 10 5 h)} is required. It can be seen from FIG. 3 that the content ratio of As should be 3 to 7% in order to realize this deterioration rate. Further, if the As content is set in the range of 4 to 6%, higher reliability can be obtained.
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１は、本発明の第１の実施形態による半導体レーザの概略立断面形状を示すものであり、また図２にはこの半導体レーザの発光層近傍のバンドダイアグラムを示す。図１に示されている通り本実施形態の半導体レーザは、例えば (100)から(011)方向に15°傾けたオフ基板であるn-GaAs基板１の上に、厚さ1μｍのn- (AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.7)クラッド層２、発光層３、厚さ0.2μｍのp-(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.7)第１クラッド層４、厚さ10ｎｍのp-InGaPエッチングストップ層５、厚さ0.8μｍのp-(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.7)第２クラッド層６、厚さ10ｎｍのp-InGaPヘテロバリヤ層７、厚さ1μｍのp-GaAsコンタクト層10がこの順に積層されてなる発光領域を有する。なお以上の通り本実施形態では、第１導電型がｎ型、第２導電型がｐ型である。
FIG. 1 shows a schematic vertical sectional shape of a semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a band diagram in the vicinity of a light emitting layer of the semiconductor laser. As shown in FIG. 1, the semiconductor laser according to the present embodiment is formed on an n-
上記の発光層３は図２にも示されている通り、厚さ100ｎｍの(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.5)光ガイド層110、厚さ6ｎｍのIn0.6Ga0.4As0.05P0.95歪量子井戸層111並びに厚さ５ｎｍの(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.5)障壁層112で構成される多重量子井戸活性層、および厚さ100ｎｍの(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.5)光ガイド層113から構成されている。つまり本実施形態において、InGaAsP歪量子井戸層におけるＶ族元素中のAsの含有割合ｙは５％である。
As shown in FIG. 2, the
また、上記発光領域の両脇に存在する電流狭窄領域は、n-GaAs基板１上に前記発光領域を構成するn- (AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.7)クラッド層２〜p-InGaPエッチングストップ層５が同じ層構成で積層され、その上に厚さ0.8μｍのn-GaAs電流ブロック層９および厚さ1μｍのp-GaAsコンタクト層10がこの順に積層された構造となっている。
The current confinement regions existing on both sides of the light emitting region are n- (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P (x = 0.7) clad layers constituting the light emitting region on the n-
なお、InGaAsP歪量子井戸活性層の層数は３である。そして共振器長は300μｍ、端面反射率は前面30％、後面70％である。 Note that the number of InGaAsP strained quantum well active layers is three. The resonator length is 300 μm, the end face reflectance is 30% on the front surface, and 70% on the rear surface.
また電流狭窄領域内には、２本の溝Ｖがリッジ状ストライプと平行に形成されている。これらの溝Ｖは電流ブロック層９のｐｎ接合界面における寄生容量を電気的に分離・低減するためのもので、n-GaAs基板１にまで到達する深さを有している。それらの溝Ｖどうしの間隔は20μｍである。また溝Ｖの表面には絶縁膜11が形成され、その上にｐ電極12が形成されている。このｐ電極12は、素子面積つまりn-GaAs基板１上に積層された半導体層の面積よりも小さいパッド電極として、p-GaAsコンタクト層10〜絶縁膜11〜ｐ電極12における寄生容量も低減できる構造とされている。
In the current confinement region, two grooves V are formed in parallel with the ridge stripe. These grooves V are for electrically isolating and reducing the parasitic capacitance at the pn junction interface of the
本素子はSiヒートシンク上にジャンクションアップ方式で実装され、パッド電極12上に配置したワイヤから給電されて駆動する。
This element is mounted on a Si heat sink by a junction-up method, and is driven by being fed from a wire disposed on the
本実施形態の半導体レーザの特性は、しきい値電流24ｍＡ、スロープ効率0.5Ｗ／Ａと良好であった。また、プラスチックファイバを用いた光通信に必要な光出力１ｍＷにおける動作電流は約26ｍＡであり、この時の発振波長は25℃下で660ｎｍであった。本素子を50℃、１ｍＷにおける通電試験にかけた結果、推定寿命として約20万時間の良好な特性が見積もられた。 The characteristics of the semiconductor laser of this embodiment were good with a threshold current of 24 mA and a slope efficiency of 0.5 W / A. The operating current at an optical output of 1 mW required for optical communication using a plastic fiber was about 26 mA, and the oscillation wavelength at this time was 660 nm at 25 ° C. As a result of subjecting this device to an energization test at 50 ° C. and 1 mW, a good characteristic of about 200,000 hours was estimated as an estimated life.
なお、本実施形態ではn-GaAs基板１として、(100)から(011)方向に15°傾けたオフ基板を使用したが、この傾斜角度に関しては５°、７°、９°、11°、13°、15°、20°とした基板を用いて同様な半導体レーザを作製しており、この範囲内であれば同様な結果が得られている。
In this embodiment, as the n-
またエッチングストップ層５の材料として使用したp-InGaPには、導波損失を低減する目的から引張歪のInGaPを用いる方がより望ましい。
For p-InGaP used as the material for the
さらに本実施形態では、リッジ形成後にn-GaAsで埋め込む構造を採用したが、横モード制御方法としては他の方法を採用しても構わない。例えば埋め込む材料をn-AlInPにすることにより共振器損失が低減し、それにより優れた特性が得られる。あるいはリッジ構造を採用しても同様の効果が得られる。 Further, in this embodiment, a structure embedded with n-GaAs after the ridge formation is adopted, but other methods may be adopted as the transverse mode control method. For example, by using n-AlInP as the embedding material, the resonator loss is reduced, and thereby excellent characteristics can be obtained. Alternatively, the same effect can be obtained even if a ridge structure is adopted.
以上、光ガイド層におけるIII族元素中のAl組成を0.25とした実施形態について説明したが、その他にこのAl組成を0.4、0.45、0.55、0.6と変えても、各組成において量子井戸活性層の幅を微調整することにより、25℃において良好な特性を得ることができる。 As described above, the embodiment in which the Al composition in the group III element in the light guide layer is set to 0.25 has been described, but in addition to this, even if this Al composition is changed to 0.4, 0.45, 0.55, and 0.6, the quantum well active layer in each composition By finely adjusting the width, good characteristics can be obtained at 25 ° C.
次に、本発明の第２の実施形態による半導体レーザについて説明する。この半導体レーザの基本的な構造は第１実施形態のものと同じであるが、発光層の構造が異なり、ここでは、ｎクラッド層２に続けて、厚さ0.1μｍの(AlxGa1-x)InAsy P 1-y (x=0.5、y=0.03)光ガイド層、Al0.05Ga0.35In0.6As0.05P0.95歪量子井戸層と(AlxGa1-x)InAsy P 1-y (x=0.5、y=0.03)障壁層とで構成される多重量子井戸活性層、および厚さ0.1μｍの(AlxGa1-x)InAsy P 1-y (x=0.5、y=0.03)光ガイド層が積層された構造となっている。
Next, a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention will be described. The basic structure of this semiconductor laser is the same as that of the first embodiment, but the structure of the light emitting layer is different. Here, following the n clad
本実施形態では量子井戸活性層にAlが含まれているために、発振波長を短波長化することができ、プラスチックファイバの損失が低くなる波長付近で発振可能となる。なお本実施形態において共振器長は250μｍ、端面反射率は前面70％、後面90％である。 In this embodiment, since Al is contained in the quantum well active layer, the oscillation wavelength can be shortened, and oscillation is possible in the vicinity of the wavelength at which the loss of the plastic fiber is reduced. In this embodiment, the resonator length is 250 μm, the end face reflectance is 70% on the front surface, and 90% on the rear surface.
本実施形態の半導体レーザの特性は、しきい値電流18ｍＡ、スロープ効率0.2Ｗ／Ａであった。また、プラスチックファイバを用いた光通信に必要な光出力１ｍＷにおける動作電流は約23ｍＡであった。本素子を50℃、１ｍＷにおける通電試験にかけた結果、推定寿命として約10万時間の良好な特性が見積もられた。 The characteristics of the semiconductor laser of this embodiment were a threshold current of 18 mA and a slope efficiency of 0.2 W / A. The operating current at an optical output of 1 mW required for optical communication using a plastic fiber was about 23 mA. As a result of subjecting this device to an energization test at 50 ° C. and 1 mW, a good characteristic of about 100,000 hours was estimated as an estimated life.
なお本実施形態では、活性層に圧縮歪性のAlGaInAsPを用いたが、引張歪性の材料を用いても構わない。 In this embodiment, compressive strainable AlGaInAsP is used for the active layer, but a tensile strainable material may be used.
１ n-GaAs基板
２ n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.7)クラッド層
３ 発光層（光ガイド層＋活性層）
４ p-(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.7)第１クラッド層
５ p-InGaPエッチングストップ層
６ p-(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.7)第２クラッド層
７ p-InGaPヘテロバリヤ層
9 n-GaAsブロック層
10 p-GaAsコンタクト層
11 絶縁膜
12 ｐ電極
13 ｎ電極
110 (AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.5)光ガイド層
111 In0.6Ga0.4As0.05P0.95歪量子井戸層
112 (AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.5)障壁層
113 (AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0.5)光ガイド層
1 n-GaAs substrate 2 n- (AlxGa1-x) 0.5In0.5P (x = 0.7)
4 p- (AlxGa1-x) 0.5In0.5P (x = 0.7) first cladding layer 5 p-InGaP etching stop layer 6 p- (AlxGa1-x) 0.5In0.5P (x = 0.7) second cladding layer 7 p-InGaP heterobarrier layer
9 n-GaAs block layer
10 p-GaAs contact layer
11 Insulating film
12 p-electrode
13 n-electrode
110 (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P (x = 0.5) light guide layer
111 In 0.6 Ga 0.4 As 0.05 P 0.95 Strained quantum well layer
112 (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P (x = 0.5) barrier layer
113 (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P (x = 0.5) light guide layer
Claims (4)
前記活性層がInGaAsyP1-yもしくはAlGaInAsyP1-yから構成され、
該InGaAsyP1-yもしくはAlGaInAsyP1-yにおけるＶ族元素中のAsの含有割合ｙが、０＜ｙ≦0.1の範囲にあることを特徴とする半導体発光装置。 In a semiconductor light emitting device comprising at least a first conductivity type AlGaInP cladding layer, an AlGaInP light guide layer, a quantum well active layer, an AlGaInP light guide layer, and a second conductivity type AlGaInP cladding layer on a first conductivity type GaAs substrate,
The active layer is composed of InGaAs y P 1-y or AlGaInAs y P 1-y ,
A semiconductor light emitting device, wherein the In content y in the group V element in the InGaAs y P 1-y or AlGaInAs y P 1-y is in the range of 0 <y ≦ 0.1.
この電流ブロック層の各々に、発光部ストライプとほぼ平行に延びる溝が形成され、
前記基板の上に積層された半導体層の上に形成された電極が、素子面積よりも小さい面積のパッド電極で構成されていることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の半導体発光装置。 A pair of first conductivity type current blocking layers for current confinement is provided in the second cladding layer,
Each of the current blocking layers is formed with a groove extending substantially parallel to the light emitting portion stripe,
4. The semiconductor according to claim 1, wherein the electrode formed on the semiconductor layer stacked on the substrate is composed of a pad electrode having an area smaller than an element area. Light emitting device.
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| JP2004285738A Withdrawn JP2006100626A (en) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | Semiconductor light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006100626A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045118A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Stanley Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| EP2327692A1 (en) | 2005-08-30 | 2011-06-01 | Takeda Pharmaceutical Company Limited | 1-heterocyclylsulfonyl, 2-aminomethyl, 5-(hetero-)aryl substituted 1-H-pyrrole derivatives as acid secretion inhibitors |
| JP2017017365A (en) * | 2007-12-21 | 2017-01-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | Laser light source and method for manufacturing laser light source |
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004285738A patent/JP2006100626A/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2327692A1 (en) | 2005-08-30 | 2011-06-01 | Takeda Pharmaceutical Company Limited | 1-heterocyclylsulfonyl, 2-aminomethyl, 5-(hetero-)aryl substituted 1-H-pyrrole derivatives as acid secretion inhibitors |
| JP2017017365A (en) * | 2007-12-21 | 2017-01-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | Laser light source and method for manufacturing laser light source |
| JP2010045118A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Stanley Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
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