JP2006100330A - Medical fluid treatment unit - Google Patents

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Koji Yoshibayashi
光司 吉林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a clean and safe medical fluid treatment unit by preventing mist and volatile components from flowing into the unit or flowing out therefrom, and to provide a medical fluid treatment unit capable of performing uniform treatment in the plane of a substrate being treated. <P>SOLUTION: The medical fluid treatment unit comprising a substrate supporting section rotating while mounting a substrate being treated, a means for supplying treatment liquid to the surface of the substrate being treated, a cover for preventing scattering of the treatment liquid from above the substrate being treated, and a first discharge means for discharging waste from below the substrate supporting section, and treating the substrate being treated with the treatment liquid is further provided with a container formed to cover at least the medical fluid treatment unit, and a second discharging means arranged on the bottom of the container through a barrier wall having a vent hole and discharging volatile components. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、薬液処理ユニットにかかり、特にスピンコータなどにおける薬液の漏れ防止にする。   The present invention is applied to a chemical processing unit, and in particular prevents leakage of chemical in a spin coater or the like.

例えば、ホトリソグラフィプロセスでは、スピナ式レジスト塗布装置などを用いてフォトレジストを半導体ウェハ表面に塗布している。このレジスト塗布は、半導体ウェハ上に均一な厚みになるように行う必要がある。塗布厚を均一にするためには、半導体ウェハのセンタリングの最適化、排気速度、空気の巻き込み、ノズル及びカップの形状、レジスト液の種類（特に粘度）等を高精度に制御する必要がある。   For example, in a photolithography process, a photoresist is applied to the surface of a semiconductor wafer using a spinner type resist coating apparatus or the like. This resist coating needs to be performed on the semiconductor wafer so as to have a uniform thickness. In order to make the coating thickness uniform, it is necessary to control semiconductor wafer centering optimization, exhaust speed, air entrainment, nozzle and cup shapes, resist liquid type (especially viscosity), etc. with high accuracy.

なかでも、はね返り異物を生じさせることなく、半導体ウェハの表面にレジスト膜を均一に形成する為には排気量の制御が重要であり、高精度の排気制御が要求されることから、排気ラインに風速センサ及びダンパーを設け、定められた頻度で排気量を測定しながら調整及びメンテナンスを行っている。   In particular, it is important to control the amount of exhaust in order to form a resist film uniformly on the surface of the semiconductor wafer without causing rebounding foreign matter, and high-precision exhaust control is required. A wind speed sensor and a damper are provided, and adjustment and maintenance are performed while measuring the displacement at a predetermined frequency.

例えば、排気量の制御を排気ラインに設けた風速センサ及びダンパーによって行う従来の排気制御技術は、排気ラインに設けられたダンパーがレジストミスト等によりダクトの機能を低下させ、正確な排気制御ができなくなり、手動によるダンパー開閉操作を強いられたり、調整及びメンテナンスを頻繁に行わねばならないという問題がある。   For example, the conventional exhaust control technology that controls the amount of exhaust by using a wind speed sensor and a damper provided in the exhaust line reduces the duct function by a resist mist, etc., and the damper provided in the exhaust line enables accurate exhaust control. There is a problem that a manual damper opening / closing operation is forced, and adjustment and maintenance must be frequently performed.

そこで、このような排気制御を改善するために種々の研究がなされている。
例えば、排気制御の完全自動化を企図してドレインチャンバーにリーク排気管を接続する場合、あるいは排気管に排気量測定管を接続し、排気管にダンパーを設けた場合にも不都合なく排気制御できるようにしたシステムが提案されている（特許文献１）。 Therefore, various studies have been made to improve such exhaust control.
For example, exhaust control can be performed without inconvenience even when a leak exhaust pipe is connected to the drain chamber for the purpose of fully automatic exhaust control, or when a displacement measuring pipe is connected to the exhaust pipe and a damper is provided in the exhaust pipe. A system has been proposed (Patent Document 1).

このシステムによれば、ダンパー及び排気量検出用のセンサは従来のように排気側には設けず、リーク排気系に設け、排気系内の圧力がダンパーによる直接的な影響を受けないようにしており、圧力の変動に応じて的確にダンパーを開閉でき、膜厚精度等を向上させることが可能になると共に、定期的なダクト量のチェック、調整及びメンテナンスの作業量を低減することができる。   According to this system, the damper and the sensor for detecting the exhaust amount are not provided on the exhaust side as in the prior art, but are provided in the leak exhaust system so that the pressure in the exhaust system is not directly affected by the damper. Therefore, the damper can be opened and closed accurately according to the pressure fluctuation, the film thickness accuracy and the like can be improved, and the work amount of periodic duct amount check, adjustment and maintenance can be reduced.

しかしながらこのようなシステムでは、下方への廃液の排出はなされているものの、処理液の上方への揮発性成分などの流出は考慮されておらず、これが揮発性成分による装置の汚染、揮発性成分の戻りによるウェハへの付着などが問題となる。   However, in such a system, although the waste liquid is discharged downward, the outflow of volatile components and the like above the processing liquid is not taken into consideration. This is due to contamination of the apparatus by volatile components and volatile components. Adhering to the wafer due to the return of the problem becomes a problem.

例えば説明を容易にするために装置構成を簡略化したレジスト塗布装置の一例を図３に示す。この装置では、回転手段４を備えた支持台３に半導体ウェハ１０を載置し、ウンパーフィルタ２を介して形成されるダウンフローによって、排出手段７から下方に排気することにより、レジストのミストや揮発性成分が、装置外に流出するのを防止するようにしている。   For example, FIG. 3 shows an example of a resist coating apparatus with a simplified apparatus configuration for ease of explanation. In this apparatus, a semiconductor wafer 10 is placed on a support table 3 having a rotating means 4, and exhausted downward from the discharging means 7 by a downflow formed through the unper filter 2. And volatile components are prevented from flowing out of the apparatus.

特開平７−３７７７８号公報JP-A-7-37778

しかしながら、この場合、塗布装置は大気空間内に設けられており、レジスト供給部を覆うコータカップ６からもれたミストや揮発性成分が装置外に流出し易いという問題がある。
このように、基板の高速回転により発生するミストや、薬液が乾燥する場合に発生する揮発性成分の多くは、コータカップ６内もしくは下部に設置された排気口に一定の圧力で吸収されるが、ウェハ上に舞い込んだミスト及び揮発性成分は完全には排気されない場合、コータカップ外に漏れ出し、コータユニットが陽圧であったりダウンフローであった場合は、ミストや揮発性成分が装置内外に漏れ出してしまうという問題があった。
レジストなどの処理液は有機溶剤を含んだものが多く、人体に有害であるものが多い。
また、装置内に揮発性成分がよどむと、液化してウェハに付着し、膜質の低下を招いたり、また装置に付着して、装置を汚染する原因となっていた。 However, in this case, the coating apparatus is provided in the atmospheric space, and there is a problem that mist and volatile components leaking from the coater cup 6 that covers the resist supply section easily flow out of the apparatus.
Thus, most of the mist generated by the high-speed rotation of the substrate and the volatile components generated when the chemical solution is dried are absorbed at a constant pressure in the exhaust port installed in or below the coater cup 6. If the mist and volatile components that have flown onto the wafer are not exhausted completely, they will leak out of the coater cup. There was a problem of leaking out.
Many processing solutions such as resists contain organic solvents and are often harmful to the human body.
In addition, when volatile components are stagnated in the apparatus, the liquid is liquefied and adheres to the wafer, which causes deterioration of the film quality, or adheres to the apparatus and causes contamination of the apparatus.

なお、レジスト塗布の後、露光を行い、こののち現像を行うが、現像に際しても、塗布装置と同一構造の装置が用いられ、同様の問題があった。   In addition, after applying the resist, exposure is performed, and then development is performed. However, the same structure as that of the coating apparatus is used for the development.

本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、ミストや揮発性成分がユニット内外に流出するのを防止し、クリーンで安全な薬液処理ユニットを提供することを目的とする。
また、被処理基体面内で均一な処理を行なうことのできる薬液処理ユニットを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a clean and safe chemical processing unit that prevents mist and volatile components from flowing into and out of the unit.
It is another object of the present invention to provide a chemical processing unit capable of performing uniform processing within the surface of the substrate to be processed.

そこで本発明は、被処理基体を載置し、回転する基体支持部と、前記被処理基体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記被処理基体の上方から飛散する処理液の飛散を防止する飛散防止カバーと、前記基体支持部よりも下方から、廃棄物を排出する第１の排出手段とを含み、前記被処理基体を前記処理液で処理する薬液処理ユニットであって、少なくとも前記被処理基体、前記基体支持部及び飛散防止カバーを覆うように形成された容器と、前記容器の底部に排気孔を有する隔壁を介して配設され、揮発性成分を排出する第２の排出手段とを具備したことを特徴とする。
この構成によれば、薬液処理ユニットの主要部全体を容器で覆い、前記容器の底部の隔壁に設けられた排気孔を介して、第２の排出手段から揮発性成分を含む廃棄物を排出するようにしているため、ユニット内外に揮発性成分が飛散するのを防止し、すみやかに排気処理をすることができるため、ミストや揮発性成分が装置内外に漏れ出してしまうのを防止することができる。 In view of the above, the present invention provides a substrate support portion for mounting and rotating a substrate to be processed, a treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid to the surface of the substrate to be treated, and a treatment liquid scattered from above the substrate to be treated. A chemical solution processing unit that includes a scattering prevention cover for preventing scattering and a first discharge means for discharging waste from below the substrate support part, and the substrate to be processed is treated with the treatment solution. A container formed so as to cover at least the substrate to be processed, the substrate support and the anti-scattering cover; and a second wall which is disposed through a partition wall having an exhaust hole at the bottom of the container and discharges a volatile component. And a discharging means.
According to this configuration, the entire main part of the chemical treatment unit is covered with the container, and the waste containing volatile components is discharged from the second discharge means through the exhaust hole provided in the partition wall at the bottom of the container. As a result, volatile components can be prevented from scattering inside and outside the unit, and exhaust processing can be performed promptly, thus preventing mist and volatile components from leaking into and out of the device. it can.

また本発明の薬液処理ユニットは、前記容器が上面にダウンフロー形成手段を具備してなる蓋体を有するものを含む。
この構成によれば、容器上面からダウンフローにより揮発性成分を効率よく下流側に導くことができる。この場合は必ずしも密閉空間を形成していなくても、ダウンフローにより揮発性成分を効率よく下流側に導くことができるため、揮発性成分の流出を防ぐことができる。 Moreover, the chemical | medical solution processing unit of this invention contains what has the cover body in which the said container comprises the downflow formation means on the upper surface.
According to this configuration, the volatile component can be efficiently led to the downstream side from the upper surface of the container by downflow. In this case, even if the sealed space is not necessarily formed, the volatile component can be efficiently led to the downstream side by the downflow, and thus the outflow of the volatile component can be prevented.

また本発明の薬液処理ユニットは、前記隔壁全面に排気孔が配列されているものを含む。
この構成によれば、排気孔を介して効率よく排気が実現される。ここで排気孔は隔壁に均一に形成されているのが望ましい。 Further, the chemical treatment unit of the present invention includes a unit in which exhaust holes are arranged on the entire surface of the partition wall.
According to this configuration, exhaust is efficiently realized through the exhaust hole. Here, the exhaust holes are preferably formed uniformly in the partition wall.

また本発明の薬液処理ユニットは、前記容器は密閉空間を構成しているものを含む。
この構成によれば、外部への処理液あるいはその揮発性成分の流出を確実に防ぐことができる。 Moreover, the chemical | medical solution processing unit of this invention contains what the said container comprises the sealed space.
According to this structure, the outflow of the processing liquid or its volatile component to the outside can be reliably prevented.

また本発明の薬液処理ユニットは、前記第１または第２の排出手段が、ミストの発生状況を検出するミストセンサを具備したものを含む。
この構成によれば、薬液処理時のミスト発生状況を把握することができ、プロセスの最適化あるいはトラブルの検出が容易に可能となる。 Moreover, the chemical | medical solution processing unit of this invention contains what the said 1st or 2nd discharge means comprised the mist sensor which detects the generation | occurrence | production state of mist.
According to this configuration, it is possible to grasp the state of mist generation during the chemical solution processing, and process optimization or trouble detection can be easily performed.

また本発明の薬液処理ユニットは、前記処理液供給手段は、所望の粘度のレジストを、前記被処理基体表面に供給するように構成されたスピンコータであるものを含む。
特にレジスト塗布時におけるミストの発生あるいはそのよどみはレジストの膜厚の均一性低下の原因となり、これはフォトリソグラフィの解像度の劣化を招くことになるが、本発明の構成により、より均一性が高く高品質の塗布膜形成が可能となり、パターン精度の向上を図ることができる。 In the chemical processing unit of the present invention, the processing liquid supply means includes a spin coater configured to supply a resist having a desired viscosity to the surface of the substrate to be processed.
In particular, the occurrence of mist or stagnation during resist coating causes a reduction in the uniformity of the resist film thickness, which leads to a deterioration in the resolution of photolithography. However, the configuration of the present invention increases the uniformity. A high-quality coating film can be formed, and the pattern accuracy can be improved.

また本発明の薬液処理ユニットは、前記処理液供給手段は、現像装置であるものを含む。
現像工程あるいは定着工程では、大量の有機溶剤を使用することになるが、効率よく排気することにより、室内への有機溶剤成分の流出を防止することができ、安全でクリーンな環境を維持することが可能となる。 In the chemical processing unit of the present invention, the processing liquid supply means is a developing device.
A large amount of organic solvent is used in the development process or the fixing process, but it is possible to prevent the outflow of organic solvent components into the room by efficient exhaust, and to maintain a safe and clean environment. Is possible.

上記構成によれば、第２の排出手段によってユニットの下方から揮発性成分を含む廃棄物を強制的に排気しているため、ユニット内外に揮発性成分が飛散するのを防止し、すみやかに排気処理をすることができるため、ミストや揮発性成分が装置内外に漏れ出すのを防止することができ、人体に有害なレジストなどの処理液との接触を防止することができる。また、装置内に揮発性成分がよどむのを防止し、液化してウェハに付着し、膜質の低下を招いたり、また装置に付着して、装置を汚染するというようなおそれもなくなり、クリーンな装置環境を形成することができる。   According to the above configuration, since the waste containing the volatile component is forcibly exhausted from the lower side of the unit by the second exhaust means, the volatile component is prevented from being scattered inside and outside the unit, and the exhaust is promptly exhausted. Since it can be processed, mist and volatile components can be prevented from leaking into and out of the apparatus, and contact with a processing solution such as a resist harmful to the human body can be prevented. It also prevents stagnation of volatile components in the device, eliminates the risk of liquefying and adhering to the wafer, causing film quality deterioration, and adhering to the device to contaminate the device. A device environment can be formed.

次に本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
この薬液処理ユニットは図１（ａ）および（ｂ）に示すように、スピンコータを構成するもので、薬液処理部Ｓを覆うように形成された容器１と、この容器１の底部に排気孔８を有する隔壁９を介して配設され、揮発性成分および廃液を排出する第２の排出手段１１を具備したことを特徴とするもので、この第２の排出手段１１によって薬液処理部Ｓの下方から揮発性成分を含む廃棄物を強制的に排気するようにしたことを特徴とする。 Next, an embodiment of the present invention will be described.
(Embodiment 1)
As shown in FIGS. 1A and 1B, this chemical processing unit constitutes a spin coater, and a container 1 formed so as to cover the chemical processing unit S and an exhaust hole 8 at the bottom of the container 1. And a second discharge means 11 for discharging a volatile component and a waste liquid. The second discharge means 11 is provided below the chemical treatment section S. It is characterized in that waste containing volatile components is forcibly exhausted.

他は図３に示した従来の薬液処理ユニットと同様に構成されている。すなわち、被処理基体としてのシリコンウェハ１０を載置し、回転する回転手段４と支持台３とからなる基体支持部と、このシリコンウェハ１０の表面にレジストを供給するノズルを備えたレジスト供給手段からなる処理液供給手段５と、このシリコンウェハ１０の上方から飛散するレジストの飛散を防止するコータカップ６からなる飛散防止カバーと、このシリコンウェハよりも下方から、廃棄物を排出する第１の排出手段７とを含む。ここで図１（ａ）は断面概要図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ‘断面図である。   The other configuration is the same as that of the conventional chemical solution processing unit shown in FIG. That is, a resist supply means comprising a substrate support portion comprising a rotating means 4 and a support base 3 for placing and rotating a silicon wafer 10 as a substrate to be processed, and a nozzle for supplying a resist to the surface of the silicon wafer 10. A processing solution supply means 5 comprising: a scattering prevention cover comprising a coater cup 6 for preventing the resist from scattering from above the silicon wafer 10; and a first for discharging waste from below the silicon wafer. And discharging means 7. Here, FIG. 1A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG.

なお図１（ｂ）に示すように、隔壁９には均一に多数個の排気孔が設けられている。   As shown in FIG. 1B, the partition wall 9 is provided with a large number of uniform exhaust holes.

ここで、コータカップ６は二重構造を成し、その中心部にはシリコンウェハ１０を保持して回転させるためのスピンナモータ（図示せず）が配設されている。そしてこのコータカップ６の下部には、隔壁９を介してドレインチャンバ１３（排気チャンバ）が配設され、このドレインチャンバ１３の下端には排出口１１が設けられ、第２の排出手段１１を構成している。   Here, the coater cup 6 has a double structure, and a spinner motor (not shown) for holding and rotating the silicon wafer 10 is disposed at the center thereof. A drain chamber 13 (exhaust chamber) is disposed below the coater cup 6 via a partition wall 9, and a discharge port 11 is provided at the lower end of the drain chamber 13 to constitute the second discharge means 11. is doing.

そしてレジスト塗布に際しては、以上説明した薬液処理ユニットに、シリコンウェハ１０をセットして、容器１を閉じ、ウルパフィルタ２によってダウンフローを形成しつつ、コータカップ６の上部から処理液供給手段５のノズルより所定量のレジスト液を吐出する。そして所定の回転速度でスピンナモータを回転し、塗布を行う。このとき、使用済みのレジスト及びその揮発性成分はドレインチャンバ１３内へ回収される。   When applying the resist, the silicon wafer 10 is set in the chemical processing unit described above, the container 1 is closed, and the down flow is formed by the Urpa filter 2, while the processing liquid supply means 5 is provided from the upper part of the coater cup 6. A predetermined amount of resist solution is discharged from the nozzle. Then, the spinner motor is rotated at a predetermined rotation speed to perform application. At this time, the used resist and its volatile components are collected into the drain chamber 13.

ドレインチャンバ１３では、回収された揮発性成分を含む液体分が排気Ａとして排出口１１から取り出される。
一方第１の排出手段７からは下方に落ちた余剰レジストが排気Ｂとして排出される。 In the drain chamber 13, the recovered liquid component containing volatile components is taken out from the outlet 11 as exhaust A.
On the other hand, the surplus resist that has fallen downward is discharged as exhaust B from the first discharge means 7.

このようにして、外部へのレジストあるいはその揮発性成分の流出はなく、第１及び第２の排出手段を介して効率よく外部に導出される。   In this way, there is no outflow of the resist or its volatile component to the outside, and it is efficiently led out through the first and second discharging means.

この構成により、処理液供給部近傍から飛散するレジストあるいはその揮発性成分は、容器底部に設けられた隔壁９に均一に設けられた多数個の排気孔８を介してドレインチャンバー１３に導出され、効率よく排気がなされる。   With this configuration, the resist or its volatile component scattered from the vicinity of the processing liquid supply unit is led out to the drain chamber 13 through a large number of exhaust holes 8 provided uniformly in the partition wall 9 provided at the bottom of the container. Exhaust is done efficiently.

したがって、処理ユニット室内への揮発性成分のよどみを防ぐことができるため、シリコンウェハ表面へのレジストの付着をなくし、高品質のレジスト膜を形成することができる。また、第１及び第２の排出手段により排気するため、外気あるいは室内への揮発性成分の流出を防ぐことができ、外気の汚染を防ぐことができる。また、効率よく余剰処理液成分および揮発性成分を排出することができるため、装置内部への処理液などの付着を防止することができる。したがって装置の調整及びメンテナンスを低減することができる。
なお第１及び第２の排出手段は、ユニット下で合流するようにしてもよい。 Therefore, stagnation of volatile components in the processing unit chamber can be prevented, so that adhesion of resist to the silicon wafer surface can be eliminated and a high-quality resist film can be formed. Further, since the exhaust is performed by the first and second exhaust means, the outflow of volatile components to the outside air or the room can be prevented, and contamination of the outside air can be prevented. Moreover, since an excess process liquid component and a volatile component can be discharged | emitted efficiently, adhesion of the process liquid etc. to the inside of an apparatus can be prevented. Therefore, adjustment and maintenance of the apparatus can be reduced.
Note that the first and second discharging means may be joined together under the unit.

（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２の薬液処理ユニットについて説明する。
この薬液処理ユニットは図２に断面図を示すように、ドレインチャンバ１３の第２の排出手段１１の近傍にミスト量をカウントするミストカウンタ１２を配設したことを特徴とするものである。また本実施の形態では密閉空間ではなく容器１の上部に開口Ｏを具備した構成となっており、密閉はしないがウルパフィルタ２からダウンフロー流が形成され、効率よく下方のドレインチャンバ１３に排気Ａとして排気されるようになっている。他部の構成については前記実施の形態１と同様に形成される。 (Embodiment 2)
Next, the chemical solution processing unit according to the second embodiment of the present invention will be described.
This chemical processing unit is characterized in that a mist counter 12 for counting the amount of mist is disposed in the vicinity of the second discharge means 11 of the drain chamber 13 as shown in a sectional view in FIG. Further, in the present embodiment, the opening O is provided in the upper part of the container 1 instead of the sealed space, and although not sealed, a downflow flow is formed from the Ulpa filter 2 and efficiently exhausted to the drain chamber 13 below. Exhaust as A. The other parts are formed in the same manner as in the first embodiment.

このミスト量をカウントし、ミストの発生状況を検出し、レジストの粘度などの調整、内部圧力の調整等を行い、プロセスの最適化をはかることができる。   The amount of mist is counted, the occurrence state of mist is detected, the viscosity of the resist is adjusted, the internal pressure is adjusted, etc., and the process can be optimized.

また、このミスト量をカウントし第１及び第２の排出手段の排気パワーを調整するようにしてもよい。つまり、ミスト量が多いときは第２の排出手段の排気パワーをより強くし、高パワーで排気を行い、ミスト量が少ないときは第２の排出手段の排気パワーを弱くし、排気力を弱めるようにしてもよい。   The mist amount may be counted to adjust the exhaust power of the first and second discharge means. That is, when the amount of mist is large, the exhaust power of the second discharge means is made stronger and exhausted at a high power, and when the amount of mist is small, the exhaust power of the second discharge means is weakened and the exhaust power is weakened. You may do it.

なお前記実施の形態では、１つの容器内に１つの薬液処理部が形成されたものについて説明したが、第１及び第２の排出手段を備えた１つの容器内に多数個の薬液処理部が形成されたものについても適用可能であることはいうまでもない。
この場合、ミストカウンタは薬液処理部後毎に配置しておくようにするのが望ましい。これにより、処理のばらつきなど処理状況を把握することができる。
また、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 In the above-described embodiment, the case where one chemical solution processing unit is formed in one container has been described. However, a large number of chemical solution processing units are provided in one container including the first and second discharge means. Needless to say, the present invention can also be applied to the formed one.
In this case, it is desirable to arrange the mist counter after each chemical processing section. Thereby, it is possible to grasp the processing status such as processing variation.
Moreover, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

なお、前記実施の形態では，レジスト塗布装置について説明したが、スピナ式の現像装置やスピナ式の洗浄装置のように排気系を有する薬液処理ユニット全般に適用可能である。   In the above-described embodiment, the resist coating apparatus has been described. However, the present invention can be applied to a general chemical processing unit having an exhaust system such as a spinner type developing apparatus and a spinner type cleaning apparatus.

本発明の実施の形態１の薬液処理ユニットを示す図である。It is a figure which shows the chemical | medical solution processing unit of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２の薬液処理ユニットを示す図である。It is a figure which shows the chemical | medical solution processing unit of Embodiment 2 of this invention. 従来例のレジスト塗布装置を示す図である。It is a figure which shows the resist coating apparatus of a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

１ 容器
２ ウルパフィルタ
３ 支持台
４ 回転手段
５ 処理液供給手段（ノズル）
６ コータカップ
７ 第１の排出手段
８ 排気孔
９ 隔壁膜
１０ シリコンウェハ
１１ 排気口
１２ ミストカウンタ
１３ ドレインチャンバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Container 2 Urpa filter 3 Support stand 4 Rotating means 5 Process liquid supply means (nozzle)
6 Coater cup 7 First discharge means 8 Exhaust hole 9 Partition film 10 Silicon wafer 11 Exhaust port 12 Mist counter 13 Drain chamber

Claims (7)

被処理基体を載置し、回転する基体支持部と、
前記被処理基体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記被処理基体の上方から飛散する処理液の飛散を防止する飛散防止カバーと、
前記基体支持部よりも下方から、廃棄物を排出する第１の排出手段とを含み、
前記被処理基体を前記処理液で処理する薬液処理ユニットであって、
少なくとも前記被処理基体、前記基体支持部及び飛散防止カバーを覆うように形成された容器と、
前記容器の底部に排気孔を有する隔壁を介して配設され、揮発性成分を排出する第２の排出手段とを具備したことを特徴とする薬液処理ユニット。 A substrate support section for mounting and rotating a substrate to be processed;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid to the surface of the substrate to be treated;
A splash-preventing cover for preventing the treatment liquid splashing from above the substrate to be treated;
First discharge means for discharging waste from below the base support part,
A chemical processing unit for processing the substrate to be processed with the processing liquid,
A container formed so as to cover at least the substrate to be treated, the substrate support portion and the scattering prevention cover;
A chemical processing unit, comprising: a second discharge unit that is disposed through a partition wall having an exhaust hole at the bottom of the container and discharges a volatile component. 請求項１に記載の薬液処理ユニットであって、
前記容器は上面にダウンフロー形成手段を具備してなる蓋体を有することを特徴とする薬液処理ユニット。 It is a chemical | medical solution processing unit of Claim 1, Comprising:
The chemical solution processing unit, wherein the container has a lid body having a downflow forming means on the upper surface. 請求項１に記載の薬液処理ユニットであって、
前記隔壁全面に排気孔が配列されていることを特徴とする薬液処理ユニット。 It is a chemical | medical solution processing unit of Claim 1, Comprising:
A chemical solution processing unit, wherein exhaust holes are arranged on the entire surface of the partition wall. 請求項１に記載の薬液処理ユニットであって、
前記容器は密閉空間を構成していることを特徴とする薬液処理ユニット。 It is a chemical | medical solution processing unit of Claim 1, Comprising:
The chemical solution processing unit, wherein the container constitutes a sealed space. 請求項１乃至４のいずれかに記載の薬液処理ユニットであって、
前記第１または第２の排出手段は、ミストの発生状況を検出するミストセンサを具備したことを特徴とする薬液処理ユニット。 It is a chemical | medical solution processing unit in any one of Claims 1 thru | or 4, Comprising:
The chemical liquid processing unit, wherein the first or second discharging means includes a mist sensor for detecting a mist generation state. 請求項１乃至５のいずれかに記載の薬液処理ユニットであって、
前記処理液供給手段は、所望の粘度のレジストを、前記被処理基体表面に供給するように構成されたスピンコータであることを特徴とする薬液処理ユニット。 The chemical treatment unit according to any one of claims 1 to 5,
The chemical liquid processing unit, wherein the processing liquid supply means is a spin coater configured to supply a resist having a desired viscosity to the surface of the substrate to be processed. 請求項１乃至５のいずれかに記載の薬液処理ユニットであって、
前記処理液供給手段は、現像装置であることを特徴とする薬液処理ユニット。 The chemical treatment unit according to any one of claims 1 to 5,
The chemical processing unit, wherein the processing liquid supply means is a developing device.
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