JP2006094940A - 生体内局所膜電位制御方法並びに制御装置及び神経機能回復方法並びに回復装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電流の供給により変動磁場を生成する変動磁場生成手段と、該変動磁場生成手段に電流を供給する電流供給部と、該変動磁場生成手段によって生成された変動磁場を変動電位に変換して生体に変動電位刺激を与える変動電位変換手段と、を含み、前記変動電位変換手段は、前記電流供給部からの電流供給によって前記変動磁場生成手段が生成した変動磁場を生体内局所において変動電位に変換して、該変動電位を生体に与えて、可逆的細胞脱分極又は拡延性抑制を生じさせることを特徴とする生体内局所電位変動装置とする。
【選択図】 図1
Description
本発明の目的は、局所における膜(直流)電位を安全に意図的に変化させることを可能とする生体内局所膜電位制御方法及び制御装置を提供することにある。さらに、その技術を応用することで、内在性幹細胞を活性化させる性質を有する連続的な細胞脱分極、或いは長期の拡延性抑制を生じさせ、その結果、脳梗塞や外傷などによって揖傷を受けた脳機能の回復、或いはアルツハイマー病、パーキンソン病、ハンチントン病、脊髄小脳変性症、筋萎縮性側索硬化症などの神経変性疾患或いはその他の原因による知能低下などの治療に有効な神経機能回復方法及び回復装置を提供することにある。
従って、何らかの理由によって、例えば、脳梗塞や外傷、或いはアルツハイマー病、パーキンソン病、ハンチントン病、脊髄小脳変性症、筋萎縮性側索硬化症などの神経変性疾患などによって、脳細胞が損傷を受けると、損傷を受けた脳や神経の機能を回復することは、一般的に困難である。
従って、患者の体内に投与された特許文献1に記載されるような薬剤組成物は、血液脳関門を通過しなければ脳内に到達することはできず、神経細胞の成長作用を示すことはできなかった。また、脳内或いはその他の臓器に成長発達後も存在する内在性神経幹(前駆)細胞を安全な手段を用いて意図的に***させ、神経細胞等の機能的細胞を安全な手法を用いて意図的に増加させることは不可能であった。
請求項2に係る発明は、生体内に留置した導電体に電位変動を生じさせ、それにより生体内局所における膜電位を制御することを特徴とする神経機能回復方法に関する。
請求項3に係る発明は、電流の供給により変動磁場を生成する変動磁場生成手段と、該変動磁場生成手段に電流を供給する電流供給部と、該変動磁場生成手段によって生成された変動磁場を変動電位に変換して生体に変動電位刺激を与える変動電位変換手段と、を含み、前記変動電位変換手段は、前記電流供給部からの電流供給によって前記変動磁場生成手段が生成した変動磁場を生体内局所において変動電位に変換して、該変動電位を生体に与えて、可逆的細胞脱分極又は伝播性抑制を生じさせることを特徴とする生体内局所膜電位制御装置に関する。
請求項4に係る発明は、前記変動磁場生成手段が生成する変動磁場が、パルス磁場であることを特徴とする請求項3に記載の生体内局所膜電位制御装置に関する。
請求項5に係る発明は、に係る発明は、前記変動磁場生成手段が生成する変動磁場が、周波数1〜3000Hz、パルス幅0.0001〜10000ms、平均磁場強度0.1〜100Tであることを特徴とする請求項3又は4に記載の生体内局所膜電位制御装置に関する。
請求項6に係る発明は、前記変動電位変換手段が、導電体を含むことを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載の生体内局所膜電位制御装置に関する。
請求項7に係る発明は、前記導電体の表面の一部又は全面が絶縁体によって覆われていることを特徴とする請求項6に記載の生体内局所膜電位制御装置に関する。
請求項8に係る発明は、電流の供給により変動磁場を生成する変動磁場生成手段と、該変動磁場生成手段に電流を供給する電流供給部と、該変動磁場生成手段によって生成された変動磁場を変動電位に変換して生体に変動電位刺激を与える変動電位変換手段と、を含み、前記変動電位変換手段は、前記電流供給部からの電流供給によって前記変動磁場生成手段が生成した変動磁場を生体内局所において変動電位に変換して、該変動電位を生体に与えて、可逆的細胞脱分極又は伝播性抑制を生じさせることを特徴とする神経機能回復装置に関する。
請求項9に係る発明は、前記変動磁場生成手段が生成する変動磁場が、パルス磁場であることを特徴とする請求項8に記載の神経機能回復装置に関する。
請求項10に係る発明は、前記変動磁場生成手段が生成する変動磁場が、周波数1〜3000Hz、パルス幅0.0001〜10000ms、平均磁場強度0.1〜100Tであることを特徴とする請求項8又は9に記載の神経機能回復装置に関する。
請求項11に係る発明は、前記変動電位変換手段が、導電体を含むことを特徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の神経機能回復装置に関する。
請求項12に係る発明は、前記導電体の表面の一部又は全面が絶縁体によって覆われていることを特徴とする請求項11に記載の神経機能回復装置に関する。
生体内局所膜電位制御方法及び制御装置は、目的とする細胞集団に一過性可逆的細胞脱分極或いは拡延性抑制を意図的に生じさせることで、様々な疾患の治療や予防を可能とする方法及び装置である。一過性可逆的細胞脱分極、或いは、拡延性抑制が連続的に加わることで、内在性神経幹(前駆)細胞、その他の幹細胞、或いはその他の***、増殖が可能な細胞の***、増殖活性が高まり、その結果、目的とする細胞集団を意図的に***、増殖させることができる。
この***可能な細胞には、末梢神経或いは中枢神経細胞や心臓等の構成細胞を生み出す細胞、すなわち、再生不可能と考えられていた細胞集団を産生する幹(前駆)細胞も含まれる。この神経機能回復方法及び装置により、幹(前駆)細胞の***、増殖を活性化し、さらに成長・栄養因子の産生を増加させることで、機能低下に陥った臓器を再生させることができる。従って、本発明に係る神経機能回復方法及び装置は、脳梗塞等の各種疾患や外傷によって損傷を受けた脳の治療、或いはアルツハイマー病、パーキンソン病、ハンチントン病、脊髄小脳変性症、筋萎縮性側索硬化症などの神経変性疾患、慢性疼痛、或いはその他の原因による知能低下などの治療、動脈硬化等による局所脳循環不全に対する治療を目的として用いることができる。
脳においては伝播性の一過性可逆性脱分極現象である拡延性抑制を繰り返し生じさせることによって脳由来神経栄養因子を増加させることが可能であり、神経突起の伸展促進作用による低下した脳機能改善や鬱病の治療を目的として用いることができる。一方、脳以外の臓器に生体内局所細胞脱分極発生法を用いた連続的な脱分極刺激を行った場合、当該臓器における内在性幹(前駆)細胞を***、増殖させることで再生を計る、各種細胞臓器再生治療目的に用いることも可能である。
本発明に係る生体内局所膜電位制御方法は、生体局所において様々なレベルと性質を有する電位変動を意図的に生じさせることを特徴とする。
本発明者は、数時間のみではなく、数日間に及ぶ連続的拡延性抑制の発現誘導が、脳内において新たな神経細胞を増加させることを見出した。即ち、一定期間連続的に拡延性抑制を生じさせることによって、脳内在性神経幹(前駆)細胞の***活動が活性化する。一方、同刺激は、脳内での脳由来神経栄養因子をも増加させる。この脳由来神経栄養因子の増加は、神経突起の伸展を促し或いは、中枢神経系に内在する神経幹(前駆)細胞の細胞***によって生じた細胞群を神経細胞への分化を促進させる働きを有する。すなわち、長期に及ぶ連続的拡延性抑制の誘導により、脳内では通常極限られた範囲でわずかに生じている神経の新生が促進される。生体内局所膜電位制御方法を適切に応用することで初めて生体における治療、予防効果がもたらされる。
従って、本発明に係る生体内局所膜電位制御方法は、神経機能回復方法として適用することができる。
生体局所直流電位を変化させる程度は特に限定されないが、1回あたりの変動に関しては、変動電位刺激により、通常は、−5〜−100mV程度に維持(分極)されている細胞内電位を5〜100mV程度変化(脱分極)させればよい。この局所脱分極が一定の閾値に達することで、脳では、拡延性抑制(伝搬性電位変動波)が生じる。
生体に電位変動を与える方法は特に限定されないが、例えば、変動磁場内に置かれることで、生体に変動電位刺激を与えることができる(即ち、変動磁場を変動電位に変換することができる)変動電位変換手段を脳などの生体局所に配置して、この変動電位変換手段に外部から変動磁場を与える方法を例示することができる。
特に本発明では、変動電位変換手段に与えられる変動磁場刺激はパルス磁場刺激であることが好ましい。パルス磁場の一例としては、周波数が1〜3000Hz、好ましくは1〜50Hz、パルス幅が0.0001〜10000ms、好ましくは0.1〜3000ms、平均磁場強度が0.1〜100T、好ましくは0.5〜10Tであるパルス磁場を例示することができる。
尚、変動磁場を変動電位変換手段に与えた際に変動電位変換手段が生体に与える電位変動は、変動電位変換手段に与えられる変動磁場刺激の大きさ、変動磁場を生成する装置と変動電位変換手段との位置関係や距離、変動電位変換手段の形態などに応じて変化する。従って、前記した変動磁場刺激のパラメータ値は一例であり、変動電位変換手段から生体に与えられる電位変動が生体に可逆的細胞脱分極又は拡延性抑制を生じさせることができる電位変動となるような変動磁場刺激が、変動電位変換手段に与えられればよい。
脳や神経幹(前駆)細胞などの生体に電位変動を与える期間は特に限定されないが、1日当り1時間〜24時間の連続或いは、断続刺激を1〜30日間程度与えればよい。
また電位変動は、この他の細胞***によって再生を期待する臓器に与えることもできる。
本発明に係る制御装置(10)は、電流の供給によって変動磁場を生成することができる変動磁場生成手段(12)と、変動磁場生成手段(12)に電流を供給する電流供給部(11)と、変動磁場生成手段(12)によって生成された変動磁場を変動電位に変換して生体に電位変動を与えることができる変動電位変換手段(13)と、を含む。
電源部(11a)は所要の電流を供給するために設けられており、例えば、アルカリイオン電池、リチウムイオン電池、100V電源、200V電源、バッテリーなどが用いられる。
出力部(11c)は、制御部(11b)の制御によって、変動磁場生成手段(12)に所要の電流を出力する。
出力部(11c)と変動磁場生成手段(12)はリード線などにより接続されている。
変動電位変換手段(13)は、変動磁場生成手段(12)によって生成された変動磁場を変動電位に変換して生体に変動電位刺激を与えることができる。通常の場合、変動電位変換手段(13)は、変動磁場生成手段(12)と物理的空間的に離れて配置される。
変動電位変換手段(13)としては、変動磁場内に置かれることによって生体に変動電位刺激を与えることができるものであればよい。変動磁場内に置かれることによって変動電位を生成することができるものとしては、例えば、導電体を例示することができ、具体的には、ステンレス、鉄、アルミニウム、銅、金、銀などの金属、或いは導電性ポリアセチレン、導電性ポリチオフェン、導電性ポリピロールなどの導電性ポリマーなどを例示することができる。
変動電位変換手段(13)の形態は特に限定されず、例えば、球形、ネジ型、プレート状、膜状、或いはこれらの形状を組み合わせた形状を例示することができる。
変動電位変換手段(13)は、生成した変動電位が生体内の目的とする生体(細胞)膜に到達するように、必要に応じて、リード線、或いは変動電位変換手段(13)の一定部分を覆う絶縁体が付属する。
図2の(a)に示す変動電位変換手段(13)では、導電体(13a)の一部表面のみが露出するように、導電体(13a)のその他の表面は絶縁体(13b)により被覆されている。図2の(a)に示す変動電位変換手段(13)は、絶縁体(13b)によって被覆されていない導電体(13a)の一部表面が、変動電位刺激を与える目的部位或いはその近傍と直接接触するように配置される。
図2の(b)に示す変動電位変換手段(13)では、導電体(13a)の全表面は絶縁体(13b)により被覆されているとともに、リード線(13c)が設けられており、リード線(13c)の一方の端部は導電体(13a)に接続されている。リード線(13c)の他方の端部は、電位変動を与える目的部位或いはその近傍に配置される。
複数個配置される変動電位変換手段(13)は、全ての変動電位変換手段(13)が同じ形態であっても構わないし、異なる形態であっても構わない。また、その個数は特に限定されない。
変動電位変換手段(13)は、変動磁場を受けることによって生成された変動電位刺激を生体に与えることができるように配置されていれば特に限定されず、変動電位変換手段(13)は皮下に埋め込むことも可能であるし、また体外に配置することもできる。
変動電位変換手段(13)を皮下に埋め込む場合、変動電位変換手段(13)が配置される位置は特に限定されないが、変動電位刺激の到達部位が脳皮質、海馬、基底核、中脳、小脳、延髄などとなるように、これらの目的箇所或いはその近傍に変動電位変換手段(13)の一部(絶縁体で覆われていない部分)が接触するように配置することができる。
この他、細胞***による組織再生、臓器再生或いは血管再生を期待する臓器或いは血管を構築する細胞集団に接するような位置に配置したり、目的箇所から離れた位置に埋め込んだ変動電位変換手段(13)で生成した電位変動を、皮下に埋め込んだリード線を介して目的箇所或いはその近傍に誘導したりしても構わない。皮下に埋め込んだ場合は、長期間の電位変動に適している。
変動電位変換手段(13)を体外に配置する場合は、例えば、細胞***による組織再生或いは、臓器再生を期待する臓器或いは、血管の近傍の皮膚と接するように配置して、この変動電位変換手段(13)で生成した変動電位を、皮下に埋め込んだリード線を介して目的箇所に誘導すればよい。体外に配置した場合は、短期間の変動電位生成に適している。
また図4に示すように、変動電位変換手段(13)を頭皮(a)表面に配置するとともに、頭骨に穿孔して孔部を設けて、この孔部からリード線(13c)を硬膜(c)に接続する方法を例示することができる。尚、図4に示す変動電位変換手段(13)の周囲は絶縁体で覆われており、変動磁場を受けることによって生成した電位変動は、リード線(13c)を通じて硬膜に到達することができる。
変動磁場生成手段(12)に、電源供給部(11)から電流が供給されることによって、変動磁場生成手段(12)は変動磁場を生成する。
生体には、変動磁場内に置かれることによって電位変動を生成することができる変動電位変換手段(13)の複数個が、所要の位置に配置されている。図1の例では、電位変動を脳(B)に与える場合が示されており、合計4個の変動電位変換手段(13)が片側脳(B)の硬膜と接するように配置されている(配置する変動電位手段の個数は特に限定されない)。
変動磁場生成手段(12)によって生成した変動磁場内に変動電位変換手段(13)を置くことにより、変動電位変換手段(13)において変動電位が生じる。この変動電位は脳神経細胞に対する脱分極性刺激となり、その刺激が一定の閾値に達すると脳(B)には拡延性抑制が生じる。
長期にわたって連続的に拡延性抑制が生じることにより、内在性神経幹(前駆)細胞の***活動、及び、脳由来神経栄養因子の産生を増加させることができる。これにより、脳(B)内では機能回復に関連する神経突起の進展や新たな神経細胞の産生等が促進される。従って、本発明に係る制御装置(1)は、神経機能回復装置として利用することができる。
(試験例)
8〜9週齢のSprague−Dawley系雄性ラットの頭蓋に、変動電位変換手段として、直径2mmの球形金属導電体(ステンレス製)4個を硬膜に接するように頭蓋骨に穿った小孔内に外科的に留置し、外面より接着剤を用いて骨内に固定した。変動電位変換手段の一部表面が脳表面を覆う硬膜に接するよう配置することで、変動電位変換手段により生成した電位変動は、硬膜を介して脳に達することが可能となった。
変動電位変換手段を固定した後、頭部皮膚は縫合、閉創した。この処置後、この変動電位変換手段に対して、体外より、刺激頻度25パルス/秒、パルス幅0.2m秒、磁束変化率が毎秒30〜120kTである変動磁場を1回連続2秒間、10分間隔に計18回与えることで脳局所の電位を変動させ、拡延性抑制の誘発を試みた。変動磁場による電位変動後、3日後に脳を取り出し、脳内での拡延性抑制が出現したことの組織学的指標となるグリア線維性酸性蛋白質(GFAP)或いは、脳由来神経栄養因子(BDNF)の発現を観察した。
グリア線維性酸性蛋白質(GFAP)の観察に使用したラットの脳の顕微鏡写真を図5に、脳由来神経栄養因子(BDNF)の観察に使用したラットの脳の顕微鏡写真を図6に、それぞれ示す。図5及び6の(1)は、比較対照のラットの脳を示す顕微鏡写真であり、図5及び6の(2)が球形金属導電体で変動電位刺激を与えたラットの脳を示す顕微鏡写真である。
摘出した脳を組織学的に観察した結果、刺激側脳内での広範囲にわたるGFAP及び脳由来神経栄養因子の増加が確認された。即ち、変動磁場を用いた細胞脱分極発生法は脳内において拡延性抑制を生じさせたことが明らかとなった。
本発明に係る生体内局所膜電位制御装置及び神経機能回復装置は、一過性可逆的細胞脱分極刺激を用いた連続的な拡延性抑制を生じさせることが可能であり、その結果、脳由来神経栄養因子の産生を高め、神経細胞を新生させることができる。
また本発明に係る神経機能回復装置は、アルツハイマー病、パーキンソン病、ハンチントン病、脊髄小脳変性症、筋萎縮性側索硬化症などの神経変性疾患或いはその他の原因による脳機能低下などの治療装置として用いることができる。また、各種ストレスに対する脳の抵抗性を高めるため、様々な脳神経損傷・障害の軽減装置として利用することができる。さらに一過性可逆的細胞脱分極又は拡延性抑制の産生は脳神経細胞或いはその他の細胞を新たに産生させるため、脳梗塞や外傷などによって揖傷を受けた脳或いはその他の臓器の機能回復装置や臓器再生装置として利用することができる。
11 電気信号生成手段
11a 電源部
11b 制御部
11c 出力部
12 変動磁場生成手段
13 変動電位変換手段
13a 導電体
13b 絶縁体
13c リード線
B 脳
a 頭皮
b 頭骨
c 硬膜
d くも膜
e くも膜下腔
f 軟膜
g 大脳皮質
Claims (12)
- 生体内に留置した導電体に電位変動を生じさせ、それにより生体内局所における膜電位を制御することを特徴とする生体内局所膜電位制御方法。
- 生体内に留置した導電体に電位変動を生じさせ、それにより生体内局所における膜電位を制御することを特徴とする神経機能回復方法。
- 電流の供給により変動磁場を生成する変動磁場生成手段と、該変動磁場生成手段に電流を供給する電流供給部と、該変動磁場生成手段によって生成された変動磁場を変動電位に変換して生体に変動電位刺激を与える変動電位変換手段と、を含み、
前記変動電位変換手段は、前記電流供給部からの電流供給によって前記変動磁場生成手段が生成した変動磁場を生体内局所において変動電位に変換して、該変動電位を生体に与えて、可逆的細胞脱分極又は伝播性抑制を生じさせることを特徴とする生体内局所膜電位制御装置。 - 前記変動磁場生成手段が生成する変動磁場が、パルス磁場であることを特徴とする請求項3に記載の生体内局所膜電位制御装置。
- 前記変動磁場生成手段が生成する変動磁場が、周波数1〜3000Hz、パルス幅0.0001〜10000ms、平均磁場強度0.1〜100Tであることを特徴とする請求項3又は4に記載の生体内局所膜電位制御装置。
- 前記変動電位変換手段が、導電体を含むことを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載の生体内局所膜電位制御装置。
- 前記導電体の表面の一部又は全面が絶縁体によって覆われていることを特徴とする請求項6に記載の生体内局所膜電位制御装置。
- 電流の供給により変動磁場を生成する変動磁場生成手段と、該変動磁場生成手段に電流を供給する電流供給部と、該変動磁場生成手段によって生成された変動磁場を変動電位に変換して生体に変動電位刺激を与える変動電位変換手段と、を含み、
前記変動電位変換手段は、前記電流供給部からの電流供給によって前記変動磁場生成手段が生成した変動磁場を生体内局所において変動電位に変換して、該変動電位を生体に与えて、可逆的細胞脱分極又は伝播性抑制を生じさせることを特徴とする神経機能回復装置。 - 前記変動磁場生成手段が生成する変動磁場が、パルス磁場であることを特徴とする請求項8に記載の神経機能回復装置。
- 前記変動磁場生成手段が生成する変動磁場が、周波数1〜3000Hz、パルス幅0.0001〜10000ms、平均磁場強度0.1〜100Tであることを特徴とする請求項8又は9に記載の神経機能回復装置。
- 前記変動電位変換手段が、導電体を含むことを特徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の神経機能回復装置。
- 前記導電体の表面の一部又は全面が絶縁体によって覆われていることを特徴とする請求項11に記載の神経機能回復装置。
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