JP2006094172A - Adjustment method for microwave device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、極低温状態で使用されるマイクロ波デバイスの調整方法に関する。 The present invention relates to a method for adjusting a microwave device used in a cryogenic state.
近年、移動無線システムにおいて、熱雑音特性の改善や高温超電導デバイスの使用などの点から、極低温冷凍機によって極低温状態まで冷却した状態で動作させるシステムが必要となってきている。その一例として、無線機の受信フロントエンドを熱遮断容器内に収納し、この熱遮断容器内を極低温冷却装置で極低温状態に冷却した無線機が提案されている。真空引きされたこの熱遮断容器内では、ケースで覆われた高温超伝導フィルタと極低温低雑音増幅器とがコールドヘッド上に搭載されており、このコールドヘッドを極低温冷却装置によって極低温に冷却する。高温超伝導フィルタや極低温低雑音増幅器のケースを極低温でも高い熱伝導率が得られる材料で構成することにより、コールドヘッドとケース間の熱伝導性を高め、ケースの冷却効率を高めて高温超伝導フィルタや極低温低雑音増幅器を安定した極低温状態に維持するものである(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, in a mobile radio system, a system that is operated in a state cooled to a cryogenic state by a cryogenic refrigerator has become necessary from the viewpoint of improving thermal noise characteristics and using a high-temperature superconducting device. As an example, a wireless device has been proposed in which a reception front end of a wireless device is housed in a heat shield container, and the heat shield container is cooled to a cryogenic state by a cryogenic cooling device. In this heat-insulated vessel that has been evacuated, a high-temperature superconducting filter and a cryogenic low-noise amplifier covered with a case are mounted on the cold head. The cold head is cooled to a cryogenic temperature by a cryogenic cooling device. To do. The case of the high temperature superconducting filter and the cryogenic low noise amplifier is made of a material that can obtain high thermal conductivity even at extremely low temperatures, thereby increasing the thermal conductivity between the cold head and the case and increasing the cooling efficiency of the case. A superconducting filter and a cryogenic low noise amplifier are maintained in a stable cryogenic state (see, for example, Patent Document 1).
このようなシステムに搭載される電子デバイスは、極低温状態で安定した電気的特性で動作することが必要である。例えば、フィルタ回路では、比誘電率や基板厚のわずかのずれにより、フィルタ特性に大きなばらつきが生ずる。しかし、微小な電子デバイスの製造段階において、規格内の電気的特性が得られるようにするためには、製造時のプロセスマージンが非常に厳しいものとなり、歩留まりの低下を招くことになる。このことから、電子デバイスに対し、その作成後に電気的特性を調整する技術が必要となる。 An electronic device mounted on such a system needs to operate with stable electrical characteristics in a cryogenic state. For example, in filter circuits, large variations in filter characteristics occur due to slight deviations in relative permittivity and substrate thickness. However, in order to obtain electrical characteristics within the standard at the manufacturing stage of a minute electronic device, the process margin at the time of manufacturing becomes very severe, resulting in a decrease in yield. For this reason, a technique for adjusting the electrical characteristics of the electronic device after its production is required.
ところで、マイクロ波のような高周波領域で扱われる電子デバイス(マイクロ波デバイス)では、その周波数特性を調整するための調整部が設けられ、電気的特性が規格内になるようにこの調整部を調整し、製品の歩留まりを高めることが行なわれるている。 By the way, in an electronic device (microwave device) handled in a high frequency region such as a microwave, an adjustment unit for adjusting the frequency characteristic is provided, and the adjustment unit is adjusted so that the electrical characteristic is within the standard. However, the yield of products is being increased.
例えば、常温で動作する高周波モジュール(特に、フィルタ回路)の場合には、伝送線路上に可変コンデンサを設け、この可変コンデンサのギャップ間隔を変化させてその静電容量を変化させることにより、周波数特性などの電気的特性を調整する方法がある。 For example, in the case of a high-frequency module (especially a filter circuit) that operates at room temperature, a variable capacitor is provided on the transmission line, and the capacitance is changed by changing the gap interval of the variable capacitor to change the frequency characteristics. There are methods for adjusting the electrical characteristics.
極低温で動作するマイクロ波デバイスに対しても、このような調整方法を適用することが試みられている。その一例として、超伝導フィルタの調整についての提案がなされている。これは、小型冷凍機によって冷却された容器内にフィルタが収納され、この容器の天井に取り付けられた螺子にサファイヤのトリミングロッドが接着され、ドライバでこの螺子を回転させることにより、トリミングロットが上下に移動してフィルタに近づいたり、離れたりすることができるようにしたものであって、このトリミングロッドの移動調整により、フィルタの調整ができるようにしたものである(例えば、非特許文献1)。 Attempts have also been made to apply such adjustment methods to microwave devices operating at cryogenic temperatures. As an example, a proposal for adjusting a superconducting filter has been made. This is because the filter is housed in a container cooled by a small refrigerator, a sapphire trimming rod is bonded to a screw attached to the ceiling of the container, and the screw is rotated by a screwdriver to move the trimming lot up and down. The filter can be moved closer to or away from the filter, and the filter can be adjusted by adjusting the movement of the trimming rod (for example, Non-Patent Document 1). .
図5はかかる従来のトリミングロッドを用いた調整方法を示す図であって、1は容器の天井、2はねじ取付部材、3は調整ねじ、4はトリミングロッド、5,6はストリップ導体、7は誘電体基板、8は導体板である。 FIG. 5 is a view showing an adjustment method using such a conventional trimming rod, wherein 1 is the ceiling of the container, 2 is a screw mounting member, 3 is an adjustment screw, 4 is a trimming rod, 5 and 6 are strip conductors, 7. Is a dielectric substrate, and 8 is a conductor plate.
同図において、容器の天井1には、開口が設けられてそこにねじ取付部材2が固定されており、このねじ取付部材2に調整ねじ3が取り付けられている。そして、この調整ねじ3の容器内側の先端には、特定の比誘電率ε0を有するトリミングロッド4が接着固定されており、調整ねじ3をドライバ(図示せず)で回転させることにより、トリミングロッド4を上下に移動させることができる。容器の天井1は、容器内が見えるように、アクリルなどの透明な基材で形成されている。
In the figure, an opening is provided in the
この容器内には、導体板8に誘電体基板7が積層された基板上にストリップ導体5,6のパターンが設けられてなるマイクロ波デバイス(例えば、高周波用フィルタ)が、トリミングロッド4と対向するようにして、収納されている。この容器は密閉され、その内部が真空化されて、図示しない冷凍機などにより、極低温に冷却されている。
In this container, a microwave device (for example, a high frequency filter) in which a pattern of
ストリップ導体5,6はトリミングロッド4を介して結合され、ストリップ導体5,6とトリミングロッド4との間の距離に応じて、ストリップ導体5,6間の静電容量(結合量)が異なる。従って、調整ねじ3をドライバで回転させて、ストリップ導体5,6とトリミングロッド4との間の距離を変化させることにより、ストリップ導体5,6間の結合量が変化してストリップ導体5,6や基板7,8などからなるフィルタ(マイクロ波デバイス)の電気的特性を変化させることができる。
The
そこで、調整ねじ3をドライバで回転させることにより、目視しながら、トリミングロッド4をストリップ導体5,6に近づけたり、遠ざけたりして、ストリップ導体5,6などからなるフィルタの電気的特性を、規格内になるように、調整することができる。
Therefore, by rotating the adjusting
なお、トリミングロッド4としては、一般に、Qが高く、温度変化に対して熱膨張特性が安定しているなどの利用から、サファイヤなどが用いられる。
しかしながら、上記のような調整方法では、調整の対象となるマイクロ波デバイスによっては、トリミングロッド4をストリップ導体5,6に接触するくらい近づけないと、特性を要求される規格内に調整できない場合もあるし、また、これらが接触してしまうような場合もあり、調整が微妙となって調整に手間と時間がかかるし、また、調整できない場合もある。
However, in the adjustment method as described above, depending on the microwave device to be adjusted, the characteristics may not be adjusted within the required standard unless the
極低温で動作させるマイクロ波デバイスを実用化するためには、極低温に保持した状態でその電気的特性を規格の範囲内にすることが必要であるが、上記従来の方法では、上記のことから、製造時のプロセスマージンが非常に厳しいものとなり、歩留まりが低下したり、調整作業に時間がかかるといった問題があった。 In order to put microwave devices that operate at extremely low temperatures into practical use, it is necessary to keep their electrical characteristics within the specified range while maintaining them at extremely low temperatures. As a result, the process margin at the time of manufacture becomes very severe, resulting in problems such as a decrease in yield and a long time for adjustment work.
本発明の目的は、かかる問題を解消し、電気的特性の調整に要する手間や時間を低減し、高精度の調整ができるようにしたマイクロ波デバイスの調整方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for adjusting a microwave device that eliminates such problems, reduces labor and time required for adjusting electrical characteristics, and enables high-precision adjustment.
上記目的を達成するために、本発明は、内部が極低温状態にある容器内で、トリミングロッドを移動させることにより、マイクロ波デバイスの電気的特性を調整する調整方法であって、マイクロ波デバイスに所定の電気的特性を持たせるために必要なマイクロ波デバイス,トリミングロッド間の静電容量に応じて、トリミングロッドの比誘電率を変更可能としたものである。 In order to achieve the above object, the present invention provides an adjustment method for adjusting the electrical characteristics of a microwave device by moving a trimming rod in a container having an extremely low temperature inside. The relative permittivity of the trimming rod can be changed in accordance with the capacitance between the microwave device and the trimming rod necessary for giving the predetermined electrical characteristics.
ここで、本発明の原理を図2を用いて説明する。 Here, the principle of the present invention will be described with reference to FIG.
図2(a)はマイクロ波デバイスでの電磁界分布の様子を模式的に示すものであって、実線が電界分布を、破線が磁界分布を夫々示している。 FIG. 2A schematically shows the state of the electromagnetic field distribution in the microwave device, where the solid line indicates the electric field distribution and the broken line indicates the magnetic field distribution.
ストリップ導体5(6)は導体板8上に誘電体基板7を介して積層されており、ストリップ導体5(6)にマイクロ波が流れると、図示するように、ストリップ導体5(6)と導体板8との間に電界(実線)が発生し、ストリップ導体5(6)の周りに磁界(破線)が発生する。
The strip conductor 5 (6) is laminated on the
かかるマイクロ波デバイスに比誘電率εの誘電体のロッド9を近づけると、電磁界分布は図2(b)に示すようになり、図示しない他方のストリップ導体6との間の静電容量が変化する。この静電容量、即ち、ストリップ導体5,6間の結合容量は、誘電体のロッド9の比誘電率εと、このロッド9とスクリップ導体間5,6との間の距離に応じて異なるから、この距離を変化させることにより、結合容量が変化することは勿論のこと、ロッド9の比誘電率を変化させても、変化することになる。
When the
本発明は、この原理に基づくものであり、距離を変化させることによって所定の結合容量が得にくい、または、得ることができない場合には、ロッド9の比誘電率を変化させるものであって、比誘電率を変化させるためには、異なる比誘電率のロッドに交換するか、同じロッドで、電気的な手法により、比誘電率を変化させるものである。
The present invention is based on this principle, and when the predetermined coupling capacity is difficult to obtain or cannot be obtained by changing the distance, the relative permittivity of the
本発明によれば、従来技術のような製造プロセスマージンを厳格にすることをせず、歩留まりの低下を改善し、可能な限り調整時間を短縮し、構造的に大きくならず、製品コストを低減することができる、低温で動作するマイクロ波デバイスの調整方法を提供できる。 According to the present invention, the manufacturing process margin as in the prior art is not tightened, the yield reduction is improved, the adjustment time is shortened as much as possible, the structure is not enlarged, and the product cost is reduced. It is possible to provide a method for adjusting a microwave device operating at a low temperature.
また、本発明によれば、調整するデバイスによっては、トリミングロッドとマイクロストリップラインとが接触する位近づけないと、要求規格内に調整することができなったり、調整機構とデバイスとが接触したりする、といった構造上の問題が改善できる。 Further, according to the present invention, depending on the device to be adjusted, if the trimming rod and the microstrip line are not close enough to contact each other, the adjustment cannot be performed within the required standard, or the adjustment mechanism and the device may be in contact with each other. It is possible to improve structural problems such as
また、本発明によれば、極低温に冷却して動作するマイクロ波デバイスを実用化させるために必要とする、極低温に保持した状態でその電気的な特性を規格の範囲内にすることを、製造時のプロセスマージンを少なくして、可能とする。 In addition, according to the present invention, it is necessary for putting a microwave device that operates by cooling to a cryogenic temperature into practical use, and keeping its electrical characteristics within a standard range while maintaining the cryogenic temperature. It is possible to reduce the process margin during manufacturing.
また、本発明によると、冷却して動作させるマイクロ波デバイスを使用する装置において、このマイクロ波デバイスの歩留まりを改善するための調整機構部分の誘電率を考慮することにより、短時間で精度良くマイクロ波デバイスの調整が可能であって、マイクロ波デバイスの所望の電気的特性を短時間でかつ精度良く実現可能とする。従って、極低温に冷却して動作させるマイクロ波デバイスに所望の比誘電率を持った調整機構を設けることにより、設計時間の短縮や極低温で動作させる電子デバイスの製品コストの低減を可能とし、極低温で動作させるマイクロ波デバイスの調整を簡単にすることができる。 In addition, according to the present invention, in an apparatus using a microwave device that is operated by being cooled, the dielectric constant of the adjustment mechanism portion for improving the yield of the microwave device is taken into consideration, so that the accuracy can be improved in a short time. The wave device can be adjusted, and desired electrical characteristics of the microwave device can be realized in a short time with high accuracy. Therefore, by providing an adjustment mechanism with the desired relative permittivity for microwave devices that are cooled and operated at cryogenic temperatures, it is possible to shorten the design time and reduce the product cost of electronic devices that operate at extremely low temperatures. It is possible to easily adjust the microwave device operated at a cryogenic temperature.
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明によるマイクロ波デバイスの調整方法の第1の実施形態を示す図であって、同図(a)は側面図、同図(b)は上面図であり、4aはねじ穴、10はトリミングロッド、10aはねじである。なお、図5に対応する部分には同一符号を付けている。 FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a method for adjusting a microwave device according to the present invention, in which FIG. 1 (a) is a side view, FIG. 1 (b) is a top view, 4a is a screw hole, 10 is a trimming rod and 10a is a screw. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part corresponding to FIG.
図1(a)において、図5に示した従来技術と同様、容器の天井1にねじ取付部材2が固定され、これに調整ねじ3が取り付けられている。また、容器内(ここでは、天井1の部分のみを示している)は図示しない冷凍機によって極低温に冷却されており、この容器内にストリップ導体5,6などからなるマイクロ波デバイスが収納されている。
In FIG. 1A, as in the prior art shown in FIG. 5, a
調整ねじ3の容器内側の先端(以下、下端という)には、トリミングロッド4が接着固定されているが、さらに、このトリミングロッド4の先端は、他のトリミングロッド10が着脱できるようにしている。このため、トリミングロッド4の先端には、例えば、ねじ穴4aが設けられ、また、これに取り付ける他のトリミングロッド10の一方の面(上面)にねじ10aが形成されており、このねじ10aをねじ穴4aにねじ込むことにより、トリミングロッド10をトリミングロッド4の先端に取り付けることができるし、また、取り外すこともできる。
A trimming
トリミングロッド4の下端が、また、これにトリミングロッド10が取り付けられたときには、このトリミングロッド10の下端が、図1(b)に示すように、ストリップ導体5,6にまたがって対向するように、ストリップ導体5,6とトリミングロッド4,10の位置関係が設定されており、ドライバ(図示せず)で調整ねじ3を回転させることにより、トリミングロッド4またはトリミングロッド4,10が上下に移動して、ストリップ導体5,6とトリミングロッド4または10の下端との間の距離(間隔)を変化させることができる。
The lower end of the trimming
ストリップ導体5,6の誘電体基板7としては、例えば、誘電損失(tanδ)が充分小さく、極低温でも、特性が安定し、熱膨張性がない(即ち、これに堆積するパターン(即ち、ストリップ導体)と同じ)セラミックスなどが用いられるが、堆積するパターンが高温超電導体であるYBCOの場合には、誘電体基板7として、MgOやサファイア(α−Al2O3)を用いることが報告されている。
As the
この第1の実施形態では、トリミングロッド4も容器内に収納されたマイクロ波デバイスの電気的特性の調整に用いることができるものであって、このトリミングロッド4の比誘電率がマイクロ波デバイスの電気的特性を規格の範囲内に設定できるストリップ導体5,6の所定の結合容量を実現し得るものである場合には、調整ねじ3にトリミングロッド4のみが取り付けられた状態で調整ねじ3をドライバで回転させることにより、このトリミングロッド4をストリップ導体5,6に近接させない位置でこの所定の結合容量を得ることができ、このマイクロ波デバイスの電気的特性を規格内に収めることができる。
In the first embodiment, the trimming
このトリミングロッド4では、ストリップ導体5,6間の結合容量をマイクロ波デバイスの電気的特性が規格の範囲内に入るようにすることができない場合には、このトリミングロッド4とは比誘電率が異なるトリミングロッド10を、上記のようにして、トリミングロッド4の下端に取り付ける。ここで、トリミングロッド4の比誘電率が、ストリップ導体5,6からなるマイクロ波デバイスの電気的特性を規格の範囲内に収めるには小さ過ぎる場合には(この場合には、トリミングロッド4をストリップ導体5,6に触れる位に接近させても、また、触れるようにしても、所要の静電容量(結合容量)が得られない)、トリミングロッド4よりも大きい比誘電率のトリミングロッド10をこのトリミングロッド4の下端に取り付ける。また、トリミングロッド4の比誘電率が、ストリップ導体5,6からなるマイクロ波デバイスの電気的特性を規格の範囲内に収めるには大き過ぎる場合には(この場合には、トリミングロッド4をストリップ導体5,6から可能な最大限まで離しても、所要の静電容量(結合容量)が得られない)、トリミングロッド4よりも小さい比誘電率のトリミングロッド10をこのトリミングロッド4の下端に取り付ける。
In this trimming
このように、トリミングロッド4にこれとは異なる比誘電率のトリミングロッド10を取り付けた状態とすることにより、トリミングロッド10をストリップ導体5,6に近接させずにドライバによる調整ねじ3の回転を円滑にかつ微細に行なえる範囲内で、マイクロ波デバイスの電気的特性を、規格の範囲内に入るように、調整することができる。このようにマイクロ波デバイスの電気的特性を調整を可能とするトリミングロッドの比誘電率を、以下、マイクロ波デバイスの調整に適合した比誘電率という。
Thus, by setting the trimming
トリミングロッド10がストリップ導体5,6に触れるように近接している場合には、ドライバによる調整ねじ3のわずかな回転により、トリミングロッド10がストリップ導体5,6に突き当たってしまい、微細な調整ができない。これに対し、この第1の実施形態では、予め種々の比誘電率のトリミングロッド10を用意しておき、調整の対象となるマイクロ波デバイスの調整に適合した比誘電率のトリミングロッド10を選択して用いることにより、このマイクロ波デバイスの電気的特性を調整するものであるから、トリミングロッド4のみを用いた場合とは異なるストリップ導体5,6との間の間隔でトリミングロッド10の位置調整、即ち、静電容量の調整ができるので、微細な調整をスムーズに行なうことができ、調整の手間を軽減し、調整に要する時間を短縮することができる。
When the trimming
なお、トリミングロッド10のトリミングロッド4への取り付けや取り外し、また、取り付けたトリミングロッド10の比誘電率がマイクロ波デバイスの調整に適合しない場合のトリミングロッド10の交換は、例えば、容器からその天井1を取り外すことによって行なうことができる。あるいはまた、トリミングロッド10がねじ取付部材2を通過できる形状,大きさのものとすることにより、トリミングロッド4,10が取り付けられたまま、調整ねじ3を回転させながらねじ取付部材2から取り外すようにしてもよく、これにより、トリミングロッド10のトリミングロッド4への取り付け,取り外しやトリミングロッド10の交換を行なうことができる。
The trimming
また、誘電体として、誘電損失tanδが小さく、比誘電率が21,39,88といったような非常に高く、また、極低温で利用できるものが知られており、トリミングロッド4としては、比誘電率が9.9のサファイア(α−Al2O3)を用いるが、トリミングロッド10として、かかる比誘電率の誘電体を用いることができる。
In addition, dielectric materials having a small dielectric loss tan δ and a very high dielectric constant such as 21, 39, and 88 that can be used at extremely low temperatures are known. Although sapphire (α-Al 2 O 3 ) having a ratio of 9.9 is used, a dielectric having such a relative dielectric constant can be used as the trimming
図3は本発明によるマイクロ波デバイスの調整方法の第2の実施形態を示す図であって、11はトリミングロッドであり、前出図面に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。 FIG. 3 is a diagram showing a second embodiment of the method for adjusting a microwave device according to the present invention, in which 11 is a trimming rod, and parts corresponding to those in the previous drawings are given the same reference numerals and redundant explanations are given. Omitted.
同図において、この第2の実施形態は、トリミングロッド11を調整ねじ3に直接着脱可能であって、マイクロ波デバイスの電気的特性の調整に適合した比誘電率のトリミングロッド11を選択的に取り付けることができるようにしたものである。このトリミングロッド11の調整ねじ3の取り付け手段としては、例えば、図1に示すようなトリミングロッド10の調整ねじ3への取付手段(ねじ穴4a,ねじ10a)を適用することができる。
In this figure, in the second embodiment, the trimming
また、調整ねじ3は、図示しないドライバで回転させることにより、これに取り付けられたトリミングロッド11とともに、ねじ取付部材2から容器の外部に取り外すことができ、これにより、トリミングロッドの調整ねじ3への取り付けや取り外しを行なうことができる。
Further, the adjusting
この第2の実施形態では、種々の比誘電率のトリミングロッド11を用意しておき、調整の対象となるマイクロ波デバイス(ストリップ導体5,6など)に適合した比誘電率のトリミングロッドを選択して調整ねじ3に取り付けた後、この調整ねじ3を、トリミングロッド11を容器内に差し込んで、ねじ取付部材2にねじ込みセットし、調整ねじ3をドライバで回転させてトリミングロッド11のストリップ導体5,6との間の間隔を調整することにより、ストリップ導体5,6間の結合容量を調整してこのマイクロ波デバイスの電気的特性を規格内に調整することができる。
In the second embodiment, trimming
この場合も、このトリミングロッド11の比誘電率がこのマイクロ波デバイスの電気的特性の調整に適合したものであるから、トリミングロッド11が、ストリップ導体5,6から間隔を明けて、調整ねじ3の回転で円滑に微細な調整も可能な位置でかかる電気的特性の調整が可能となり、調整の手間を軽減し、調整時間も短縮できて、しかも、使用するトリミングロッド11の交換も容易である。
Also in this case, since the relative dielectric constant of the trimming
また、この第2の実施形態では、トリミングロッド11の長さを図1におけるトリミングロッド10をトリミングロッド4に取り付けたトリミングロッド全体の長さよりも短くすることができ、このため、図1に示す第1の実施形態に比べ、ストリップ導体5,6からの容器の天井1の高さを低くすることができるから、容器の小型化、従って、装置の小型化を図れる。
Further, in this second embodiment, the length of the trimming
図4は本発明によるマイクロ波デバイスの調整方法の第3の実施形態を示す図であって、12はトリミングロッド、13は可変電圧源である。なお、前出図面に対応する部分には同一符号を付けている。 FIG. 4 is a diagram showing a third embodiment of a method for adjusting a microwave device according to the present invention, wherein 12 is a trimming rod, and 13 is a variable voltage source. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part corresponding to above-mentioned drawing.
同図において、トリミングロッド12は比誘電率が可変に構成されたものであって、可変電圧源13から電圧が印加され、この印加電圧を変化させることにより、トリミングロッド12の比誘電率が変化する。また、このトリミングロッド12は、調整ねじ3に固定されたトリミングロッド4の下端に取り外し不能に固定して取り付けられている。このようなトリミングロッド12としては、例えば、SrTiO3を用いたものであって、印加電圧を低くすると、比誘電率が大きくなる。
In the figure, the trimming
ストリップ導体5,6などによるマイクロ波デバイスの電気的特性を調整する場合には、調整ねじ3によって微細な位置調整が円滑に行なうことができる位置にトリミングロッド12を設定し、しかる後、可変電圧源13を調整してトリミングロッド12への印加電圧を変化させ、トリミングロッド12の比誘電率がマイクロ波デバイスの調整に適合した値となるようにする。そして、ドライバで調整ねじ3を回転させてトリミングロッド12の高さの微調整を行ない、マイクロ波デバイスの電気的特性が規格の範囲に入るようにする。勿論、可変電圧源13の電圧調整でマイクロ波デバイスの電気的特性を微調整できる場合には、上記の調整ねじ3による電気的特性の微調整は必要ない。
When adjusting the electrical characteristics of the microwave device by the
なお、図4では、調整ねじ3に固定されてトリミングロッド4に比誘電率が可変のトリミングロッド12を取り付けた構成としたが、図3に示す第2の実施形態のように、調整ねじ3に直接比誘電率が可変のトリミングロッドを取り付けるようにしてもよい。
In FIG. 4, the trimming
また、図4において、トリミングロッド4に取り付けられているトリミングロッド12(あるいは、図3に示すように、調整ねじ3に直接取り付けられる比誘電率が可変のトリミングロッド)は交換可能とし、かつ比誘電率の可変範囲が種々のトリミングロッドを用意しておき、取り付けられて使用されるかかるトリミングロッドの比誘電率の可変範囲でマイクロ波デバイスの電気的特性を規格の範囲内に調整できない場合には、比誘電率の可変範囲が異なる他のトリミングロッドと交換することができるようにすることもできる。
In FIG. 4, the trimming
1 容器の天井
2 ねじ取付部材
3 調整ねじ
4 トリミングロッド
5,6 マイクロストリップライン
7 誘電体基板
8 平面導体板
9〜12 トリミングロッド
13 可変電圧源
DESCRIPTION OF
Claims (1)
該マイクロ波デバイスに所定の電気的特性を持たせるために必要な該マイクロ波デバイス,該トリミングロッド間の静電容量に応じて、該トリミングロッドの比誘電率を変更可能としたことを特徴とするマイクロ波デバイスの調整方法。 In an adjustment method for adjusting the electrical characteristics of the microwave device by moving the trimming rod in a container having an extremely low temperature inside,
The relative permittivity of the trimming rod can be changed according to the capacitance between the microwave device and the trimming rod necessary for giving the microwave device predetermined electrical characteristics. To adjust microwave device.
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ID=36234713
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