JP2006091824A - Memory element and image processing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory element wherein recorded information is hardly lost even by light irradiation for reading recording, and also to provide an image processing method by which initialization, recording and erasure of memory element are made. <P>SOLUTION: In the memory element wherein a recording layer containing microcapsules each includes at least a photochromic compound and an electron receptive compound is formed on a supporting substrate, the electron receptive compound is a Lewis acid compound, and the number of carbon atoms of a long chain structure part other than a Lewis acid part is 12 or more. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、フォトクロミック化合物を記録材料として用いたフォトンモードの光メモリ素子に関し、詳しくは、光照射により記録、再生及び消去を繰り返し行うことが可能な書き換え型の光メモリ素子に関するものである。   The present invention relates to a photon mode optical memory element using a photochromic compound as a recording material, and more particularly to a rewritable optical memory element that can be repeatedly recorded, reproduced and erased by light irradiation.

近年、高密度大容量メモリ素子への要望が高まる中、光磁気メモリ素子や相変化型メモリ素子の開発に加え、フォトクロミック材料を記録材料として用いたものについても研究開発が行われている。フォトクロミック光メモリ素子は、一般に、ガラス、プラスチック等からなる基板上に、例えば、スピロピラン誘導体、フルギド誘導体、ジアリールエテン誘導体等のフォトクロミック材料を含む有機薄膜からなる記録層が形成され、必要に応じて、記録層の上又は記録層と支持基板との間に、例えば、アルミニウム、金等の金属反射膜からなる反射層が形成された構成である（図１参照）。   In recent years, with increasing demand for high-density and large-capacity memory devices, in addition to the development of magneto-optical memory devices and phase-change memory devices, research and development have also been conducted on materials using photochromic materials as recording materials. A photochromic optical memory element generally has a recording layer made of an organic thin film containing a photochromic material such as a spiropyran derivative, a fulgide derivative, or a diarylethene derivative formed on a substrate made of glass, plastic, or the like. Or a reflective layer made of a metallic reflective film such as aluminum or gold, for example, is formed between the recording layer and the support substrate (see FIG. 1).

図１（Ａ）のメモリ素子の場合には、例えば、透明基板側から、図１（Ｂ）のメモリ素子の場合には基板表面から、記録信号を読み取ることができ、この関係は、図４及び図５に示されるメモリ素子の場合にも同様に当てはまる。フォトクロミック材料は、一般的に、紫外光等の短波長光を照射することで、消色状態から可視光領域に吸収を持つ発色状態に変わり、可視光照射により、再び消色状態に戻り、この変化は可逆的に生じる。ここで、消色状態とは、上述の２つの状態のうち、短波長側に吸収を持つ状態のことを指し、吸収帯の一部が可視光領域にあって、若干の着色を持つような場合を含むものである。   In the case of the memory element of FIG. 1A, for example, a recording signal can be read from the transparent substrate side, and in the case of the memory element of FIG. The same applies to the memory element shown in FIG. Photochromic materials generally change from a decolored state to a colored state having absorption in the visible light region when irradiated with short-wavelength light such as ultraviolet light, and return to the decolored state again by irradiation with visible light. Changes occur reversibly. Here, the decolored state refers to a state having absorption on the short wavelength side of the above two states, and a part of the absorption band is in the visible light region and has a slight coloration. Including cases.

フォトクロミック光メモリへの記録、再生、消去も、上述のような現象を利用して行われ、紫外光を全面照射して記録層を発色状態にしておいて、可視光を照射して情報を記録するか、又は可視光を全面照射して記録層を消色状態にしておいて、紫外光を照射して情報を記録する。前者では、記録部分が消色状態、それ以外の部分が発色状態となり、後者では、記録部分が発色状態、それ以外の部分が消色状態となるので、いずれの場合も、適当な波長の光を照射して、記録部分と、それ以外の部分との反射光強度によるコントラスト差として情報を読み取ることができる。消去については、前者では、紫外光を照射して記録部分を発色状態に戻すことで、後者では、可視光を照射して記録部分を消色状態に戻すことで行われる。   Recording, reproduction, and erasing in the photochromic optical memory are also performed using the above-described phenomenon, and the recording layer is colored by irradiating the entire surface with ultraviolet light, and information is recorded by irradiating visible light. Alternatively, the entire surface is irradiated with visible light to make the recording layer decolored, and information is recorded by irradiating with ultraviolet light. In the former, the recorded part is in a decolored state and the other part is in a colored state, and in the latter, the recorded part is in a colored state and the other part is in a decolored state. The information can be read as the contrast difference due to the reflected light intensity between the recorded portion and the other portions. Erasing is performed in the former by irradiating ultraviolet light to return the recorded portion to a colored state, and in the latter by irradiating visible light to return the recorded portion to a decolored state.

しかしながら、記録の読み出し時に、フォトクロミック化合物が吸収を持つ波長領域の光を照射する必要があり、この光は、前述のコントラスト差を減少させ、ひいては記録を破壊してしまう可能性が高いという実用上の大きな問題点があり、この問題を防ぐためにいくつかの提案がなされてきている。   However, when reading a record, it is necessary to irradiate light in a wavelength region in which the photochromic compound has absorption, and this light reduces the above-described contrast difference, and thus has a high possibility of destroying the record. There have been some major problems, and several proposals have been made to prevent this problem.

特許文献１では、フォトクロミック化合物の吸光度変化以外の変化として、光吸収の無い長波長での旋光度変化を読み出しに用いる方法が提案され、非特許文献１では、屈折率異方性を生じさせ、これを用いて光吸収の無い長波長域の光で読み出しを行う方法が提案されているが、これらの方法では、光学的性質の変化が小さいために実用化が困難であるという問題がある。   In Patent Document 1, as a change other than the change in absorbance of the photochromic compound, a method of using an optical rotation change at a long wavelength without light absorption for reading is proposed, and in Non-Patent Document 1, a refractive index anisotropy is caused. There have been proposed methods for reading out using light in a long wavelength region without light absorption. However, these methods have a problem that their practical use is difficult because the change in optical properties is small.

非特許文献２では、液晶材料にキラルなフォトクロミック化合物を混合し、光異性化により、コレステリック液晶相を変化させる方法が提案されているが、時間の経過と共に液晶が流動し、メモリが不明確になり、さらに、メモリの熱安定性及び繰返し耐久性に問題がある。   Non-Patent Document 2 proposes a method of mixing a chiral photochromic compound with a liquid crystal material and changing the cholesteric liquid crystal phase by photoisomerization, but the liquid crystal flows over time and the memory is unclear. Furthermore, there is a problem in the thermal stability and repeated durability of the memory.

特許文献２では、液晶の流動性に伴う経時的劣化を防止するために、液晶材料として、高分子液晶を用いる方式が提案されているが、記録の完全な消去が難しい等の問題点がある。   Patent Document 2 proposes a method using a polymer liquid crystal as a liquid crystal material in order to prevent deterioration over time due to the fluidity of the liquid crystal. However, there is a problem that it is difficult to completely erase the recording. .

さらに、以下に示すような提案もなされている。   In addition, the following proposals have been made.

特許文献３には、フォトクロミック化合物を一成分とする側鎖型高分子液晶膜における、フォトクロミック化合物の光異性化に伴う屈折率の変化を用いて、フォトクロミック化合物が吸収を持たない波長領域の光で記録を再生することが記載され、特許文献４には、酸化／還元剤（四酢酸鉛、トリプロポ水素化ホウ素カリウム等）や、水素結合物質等の外部刺激により、コンフォメーションを可逆的に規制する部位と、フォトクロミック反応する部位を同一分子内に併せ持つフォトクロミック化合物を用い、光反応を制御することが記載され、特許文献５には、フォトクロミック化合物を含む記録層に隣接して色素分散高分子膜あるいは色素蒸着膜からなる光吸収層を設けることにより、記録光が照射されると、光吸収層が発熱し、記録層の高分子バインダーが軟化し、反応収率が向上することが記載されている。   In Patent Document 3, a change in refractive index accompanying photoisomerization of a photochromic compound in a side-chain polymer liquid crystal film containing a photochromic compound as one component is used to detect light in a wavelength region where the photochromic compound has no absorption. Patent Document 4 describes that the recording is reproduced, and in Patent Document 4, the conformation is reversibly regulated by an external stimulus such as an oxidizing / reducing agent (such as lead tetraacetate or potassium tripropoborohydride) or a hydrogen bonding substance. It is described that a photochromic compound having both a site and a photochromic reaction site in the same molecule is used to control the photoreaction, and Patent Document 5 discloses a dye-dispersed polymer film or a film adjacent to a recording layer containing a photochromic compound. By providing a light absorption layer made of a dye vapor deposition film, when the recording light is irradiated, the light absorption layer generates heat, and the recording layer Molecular binder is softened, the reaction yield is described to be improved.

しかし、これらの提案についても、実際の性能上の問題点、構成上の問題点があり、結局は、実用化されていない。
特開平１−２４６５３８号公報 特開平１−２５１３４４号公報 特開平５−２１６１８３号公報 特開平６−４９４４３号公報 特開平６−１０２６１６号公報 日本化学会第５８回春期年会１９８９年講演予稿集３１Ｈ３０ 日本化学会第５２回春期年会１９８６年講演予稿集 However, these proposals also have actual performance problems and configuration problems, which have not been put into practical use.
JP-A-1-246538 JP-A-1-251344 JP-A-5-216183 JP-A-6-49443 JP-A-6-102616 The 58th Annual Meeting of the Chemical Society of Japan 1989 Lecture Proceedings 31H30 Proceedings of the 52nd Annual Meeting of the Chemical Society of Japan 1986

本発明は、上記の従来技術が有する問題に鑑み、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくいメモリ素子並びに該メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法を提供することを目的とするものである。   SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-described problems of the prior art, the present invention provides a memory element in which recorded information is not easily lost even by irradiation of reading light for recording, and an image processing method for initializing, recording and erasing the memory element. It is intended.

請求項１に記載の発明は、少なくともフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物を含むマイクロカプセルを含有する記録層を支持基板上に形成したメモリ素子であって、前記電子受容性化合物は、ルイス酸化合物であり、ルイス酸部位を除く長鎖構造部位の炭素数が１２以上であることを特徴とする。   The invention according to claim 1 is a memory element in which a recording layer containing microcapsules containing at least a photochromic compound and an electron accepting compound is formed on a support substrate, wherein the electron accepting compound is a Lewis acid compound. And the carbon number of the long-chain structure portion excluding the Lewis acid portion is 12 or more.

請求項１に記載の発明によれば、少なくともフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物を含むマイクロカプセルを含有する記録層を支持基板上に形成したメモリ素子であって、前記電子受容性化合物は、ルイス酸化合物であり、ルイス酸部位を除く長鎖構造部位の炭素数が１２以上であるので、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくいメモリ素子を提供することができる。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a memory element in which a recording layer containing microcapsules containing at least a photochromic compound and an electron accepting compound is formed on a support substrate, wherein the electron accepting compound comprises a Lewis acid. Since the compound has a carbon number of 12 or more in the long chain structure site excluding the Lewis acid site, it is possible to provide a memory element in which recorded information is not easily lost even by irradiation of read light for recording.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のメモリ素子において、前記フォトクロミック化合物は、フルギド系化合物であることを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the memory element according to claim 1, wherein the photochromic compound is a fulgide-based compound.

請求項２に記載の発明によれば、前記フォトクロミック化合物は、フルギド系化合物であるので、電子受容性化合物の酸性基部位との相互作用の程度を制御しやすい芳香族部位を有する化合物を得ることができる。   According to invention of Claim 2, since the said photochromic compound is a fulgide type compound, the compound which has an aromatic site | part which is easy to control the degree of interaction with the acidic group site | part of an electron-accepting compound is obtained. Can do.

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のメモリ素子において、前記フルギド系化合物は、一般式   According to a third aspect of the present invention, in the memory element according to the second aspect, the fulgide compound has the general formula:

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ０１及びＲ０２は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わす）
で表される構造を有することを特徴とする。
Figure 2006091824
 (However, R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom or an aliphatic group.)
It has the structure represented by these.

請求項３に記載の発明によれば、前記フルギド系化合物は、上記一般式で表される構造を有するので、電子受容性化合物の酸性基部位との相互作用の程度を制御しやすい芳香族部位を有する化合物を得ることができる。   According to the invention described in claim 3, since the fulgide-based compound has a structure represented by the above general formula, an aromatic moiety that can easily control the degree of interaction with the acidic group moiety of the electron-accepting compound. Can be obtained.

請求項４に記載の発明は、請求項１に記載のメモリ素子において、前記フォトクロミック化合物は、ジアリールエテン系化合物であることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the memory element according to the first aspect, the photochromic compound is a diarylethene compound.

請求項４に記載の発明によれば、前記フォトクロミック化合物は、ジアリールエテン系化合物であるので、電子受容性化合物の酸性基部位との相互作用の程度を制御しやすい芳香族部位を有する化合物を得ることができる。   According to the invention described in claim 4, since the photochromic compound is a diarylethene compound, a compound having an aromatic moiety that can easily control the degree of interaction with the acidic group moiety of the electron accepting compound is obtained. Can do.

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のメモリ素子において、前記ジアリールエテン系化合物は、一般式   The invention according to claim 5 is the memory element according to claim 4, wherein the diarylethene compound is represented by the general formula:

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ０３及びＲ０４は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わす）
で表される構造を有することを特徴とする。
Figure 2006091824
 (However, R 03 and R 04 each independently represents a hydrogen atom or an aliphatic group.)
It has the structure represented by these.

請求項５に記載の発明によれば、前記ジアリールエテン系化合物は、上記一般式で表される構造を有するので、電子受容性化合物の酸性基部位との相互作用の程度を制御しやすい芳香族部位を有する化合物を得ることができる。   According to the invention described in claim 5, since the diarylethene compound has a structure represented by the above general formula, an aromatic moiety that can easily control the degree of interaction with the acidic moiety of the electron accepting compound. Can be obtained.

請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のメモリ素子において、前記ルイス酸化合物は、ホスホン酸化合物、脂肪族カルボン酸化合物及びフェノール化合物からなる群から選択された少なくとも一種であることを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the memory element according to any one of claims 1 to 5, wherein the Lewis acid compound is selected from the group consisting of a phosphonic acid compound, an aliphatic carboxylic acid compound, and a phenol compound. It is characterized by being at least one kind.

請求項６に記載の発明によれば、前記ルイス酸化合物は、ホスホン酸化合物、脂肪族カルボン酸化合物及びフェノール化合物からなる群から選択された少なくとも一種であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the invention of claim 6, since the Lewis acid compound is at least one selected from the group consisting of a phosphonic acid compound, an aliphatic carboxylic acid compound and a phenol compound, the degree of freedom in material design of the recording layer Can be increased.

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載のメモリ素子において、前記ホスホン酸化合物は、一般式
Ｒ１−ＰＯ（ＯＨ）２
（ただし、Ｒ１は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わす）
で表されるホスホン酸化合物であることを特徴とする。 The invention according to claim 7 is the memory element according to claim 6, wherein the phosphonic acid compound is represented by the general formula R 1 —PO (OH) 2.
(Wherein R 1 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms)
It is a phosphonic acid compound represented by these.

請求項７に記載の発明によれば、前記ホスホン酸化合物は、上記一般式で表されるホスホン酸化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the invention described in claim 7, since the phosphonic acid compound is a phosphonic acid compound represented by the above general formula, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased.

請求項８に記載の発明は、請求項６又は７に記載のメモリ素子において、前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式
Ｒ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＯＯＨ
（ただし、Ｒ２は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わす）
で表わされるα−ヒドロキシ脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする。 The invention according to claim 8 is the memory element according to claim 6 or 7, wherein the aliphatic carboxylic acid compound has the general formula R 2 —CH (OH) —COOH.
(Wherein R 2 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms)
It is the alpha-hydroxy aliphatic carboxylic acid compound represented by these.

請求項８に記載の発明によれば、前記脂肪族カルボン酸化合物は、上記一般式で表わされるα−ヒドロキシ脂肪族カルボン酸化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the eighth aspect of the present invention, since the aliphatic carboxylic acid compound is an α-hydroxy aliphatic carboxylic acid compound represented by the above general formula, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased. it can.

請求項９に記載の発明は、請求項６又は７に記載のメモリ素子において、前記脂肪族カルボン酸化合物は、炭素数１２以上の長鎖構造を持つカルボン酸化合物であって、その少なくともα位又はβ位の炭素にハロゲン基を持つ脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the memory element according to claim 6 or 7, wherein the aliphatic carboxylic acid compound is a carboxylic acid compound having a long chain structure having 12 or more carbon atoms, and at least the α-position thereof. Alternatively, it is an aliphatic carboxylic acid compound having a halogen group at the β-position carbon.

請求項９に記載の発明によれば、前記脂肪族カルボン酸化合物は、炭素数１２以上の長鎖構造を持つカルボン酸化合物であって、その少なくともα位又はβ位の炭素にハロゲン基を持つ脂肪族カルボン酸化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the invention described in claim 9, the aliphatic carboxylic acid compound is a carboxylic acid compound having a long chain structure having 12 or more carbon atoms, and has a halogen group at least at the α-position or β-position carbon. Since it is an aliphatic carboxylic acid compound, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased.

請求項１０に記載の発明は、請求項６又は７に記載のメモリ素子において、前記脂肪族カルボン酸化合物は、炭素数１２以上の長鎖構造を持つカルボン酸化合物であって、その少なくともα位、β位又はγ位の炭素がオキソ基となっている脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする。   According to a tenth aspect of the present invention, in the memory element according to the sixth or seventh aspect, the aliphatic carboxylic acid compound is a carboxylic acid compound having a long chain structure having 12 or more carbon atoms, and at least the α-position thereof. It is an aliphatic carboxylic acid compound in which the β-position or γ-position carbon is an oxo group.

請求項１０に記載の発明によれば、前記脂肪族カルボン酸化合物は、炭素数１２以上の長鎖構造を持つカルボン酸化合物であって、その少なくともα位、β位又はγ位の炭素がオキソ基となっている脂肪族カルボン酸化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the invention described in claim 10, the aliphatic carboxylic acid compound is a carboxylic acid compound having a long chain structure having 12 or more carbon atoms, and at least the α-position, β-position or γ-position carbon is oxo. Since it is an aliphatic carboxylic acid compound as a base, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased.

請求項１１に記載の発明は、請求項６又は７に記載のメモリ素子において、前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式   The invention according to claim 11 is the memory element according to claim 6 or 7, wherein the aliphatic carboxylic acid compound has the general formula.

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ３は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、Ｘは、オキシ基又はチオ基を表わし、Ｘがオキシ基の場合、ｎは１であり、Ｘがチオ基の場合、ｎは１又は２である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする。
Figure 2006091824
 (Wherein R 3 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms, X represents an oxy group or a thio group, n represents 1 when X is an oxy group, and n represents a case where X is a thio group. Is 1 or 2)
It is the aliphatic carboxylic acid compound represented by these.

請求項１１に記載の発明によれば、前記脂肪族カルボン酸化合物は、上記一般式で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the eleventh aspect of the invention, since the aliphatic carboxylic acid compound is an aliphatic carboxylic acid compound represented by the above general formula, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased.

請求項１２に記載の発明は、請求項６又は７に記載のメモリ素子において、前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式   The invention according to claim 12 is the memory element according to claim 6 or 7, wherein the aliphatic carboxylic acid compound has the general formula.

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わし、このうち少なくとも１つは、炭素数１２以上の長鎖構造である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする。
Figure 2006091824
 (However, R 4 , R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic group, and at least one of them is a long chain structure having 12 or more carbon atoms.)
It is the aliphatic carboxylic acid compound represented by these.

請求項１２に記載の発明によれば、前記脂肪族カルボン酸化合物は、上記一般式で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the twelfth aspect of the invention, since the aliphatic carboxylic acid compound is an aliphatic carboxylic acid compound represented by the above general formula, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased.

請求項１３に記載の発明は、請求項６又は７に記載のメモリ素子において、前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式   The invention according to claim 13 is the memory element according to claim 6 or 7, wherein the aliphatic carboxylic acid compound has the general formula.

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わし、このうち少なくとも１つは、炭素数１２以上の長鎖構造である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする。
Figure 2006091824
 (However, R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic group, and at least one of them is a long chain structure having 12 or more carbon atoms.)
It is the aliphatic carboxylic acid compound represented by these.

請求項１３に記載の発明によれば、前記脂肪族カルボン酸化合物は、上記一般式で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the thirteenth aspect of the present invention, since the aliphatic carboxylic acid compound is an aliphatic carboxylic acid compound represented by the above general formula, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased.

請求項１４に記載の発明は、請求項６又は７に記載のメモリ素子において、前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式   The invention according to claim 14 is the memory element according to claim 6 or 7, wherein the aliphatic carboxylic acid compound has the general formula.

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ９は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、ｎは０又は１であり、ｎが０の場合、ｍは２又は３であり、ｎが１の場合、ｍは１又は２である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする。
Figure 2006091824
 (However, R 9 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms, n is 0 or 1, when n is 0, m is 2 or 3, and when n is 1, m is 1 or 2)
It is the aliphatic carboxylic acid compound represented by these.

請求項１４に記載の発明によれば、前記脂肪族カルボン酸化合物は、上記一般式で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the fourteenth aspect of the present invention, since the aliphatic carboxylic acid compound is an aliphatic carboxylic acid compound represented by the above general formula, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased.

請求項１５に記載の発明は、請求項６乃至１４のいずれか一項に記載のメモリ素子において、前記フェノール化合物は、一般式   The invention according to claim 15 is the memory element according to any one of claims 6 to 14, wherein the phenol compound has a general formula.

Figure 2006091824
（ただし、Ｙは、チオ基、オキシ基、−ＣＯＮＨ−又は−ＣＯＯ−を表わし、Ｒ１０は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、ｌは１、２又は３である）
で表わされるフェノール化合物であることを特徴とする。
Figure 2006091824
 (Y represents a thio group, an oxy group, —CONH— or —COO—, R 10 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms, and l is 1, 2 or 3)
It is a phenol compound represented by these.

請求項１５に記載の発明によれば、前記フェノール化合物は、上記一般式で表わされるフェノール化合物であるので、記録層の材料設計の自由度を大きくすることができる。   According to the fifteenth aspect of the present invention, since the phenol compound is a phenol compound represented by the above general formula, the degree of freedom in material design of the recording layer can be increased.

請求項１６に記載の発明は、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のメモリ素子において、前記支持基板の上又は前記記録層と前記支持基板との間に反射層を設けたことを特徴とする。   According to a sixteenth aspect of the present invention, in the memory device according to any one of the first to fifteenth aspects, a reflective layer is provided on the support substrate or between the recording layer and the support substrate. Features.

請求項１６に記載の発明によれば、前記支持基板の上又は前記記録層と前記支持基板との間に反射層を設けたので、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくいメモリ素子を得ることができる。   According to the sixteenth aspect of the present invention, since the reflective layer is provided on the support substrate or between the recording layer and the support substrate, the record information is not easily lost even by irradiation of the read light of the record. An element can be obtained.

請求項１７に記載の発明は、請求項１６に記載のメモリ素子において、前記記録層よりも表面の近くに設けられた前記反射層の界面及び前記表面の少なくとも一方に第一の保護層を設けたことを特徴とする。   According to a seventeenth aspect of the present invention, in the memory element according to the sixteenth aspect, a first protective layer is provided on at least one of the interface and the surface of the reflective layer provided closer to the surface than the recording layer. It is characterized by that.

請求項１７に記載の発明によれば、前記記録層よりも表面の近くに設けられた前記反射層の界面及び前記表面の少なくとも一方に第一の保護層を設けたので、光メモリ素子としての耐久性が向上した優れた効果を奏することができる。   According to the seventeenth aspect of the present invention, since the first protective layer is provided on at least one of the interface and the surface of the reflective layer provided nearer to the surface than the recording layer, the durability as an optical memory element is achieved. The outstanding effect which the property improved can be show | played.

請求項１８に記載の発明は、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載のメモリ素子において、前記記録層は、少なくとも前記マイクロカプセルとバインダー材からなることを特徴とする。   According to an eighteenth aspect of the present invention, in the memory element according to any one of the first to seventeenth aspects, the recording layer includes at least the microcapsule and a binder material.

請求項１８に記載の発明によれば、前記記録層は、少なくとも前記マイクロカプセルとバインダー材からなるので、バインダーによる電子受容性化合物の酸性基部位とフォトクロミック化合物の芳香環部位の相互作用に対する悪影響が少なく、消色感度の可逆制御の阻害を抑制し、しかも耐久性のある記録層を得ることができる。   According to the invention of claim 18, since the recording layer is composed of at least the microcapsule and a binder material, the binder has an adverse effect on the interaction between the acidic group site of the electron accepting compound and the aromatic ring site of the photochromic compound. Therefore, it is possible to obtain a recording layer that has a small amount, inhibits reversible control of decolorization sensitivity, and is durable.

請求項１９に記載の発明は、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載のメモリ素子において、前記記録層は、前記マイクロカプセル中に赤外吸収剤を含むことを特徴とする。   According to a nineteenth aspect of the present invention, in the memory element according to any one of the first to eighteenth aspects, the recording layer includes an infrared absorber in the microcapsule.

請求項１９に記載の発明によれば、前記記録層は、前記マイクロカプセル中に赤外吸収剤を含むので、赤外吸収剤の発熱により効率的な熱処理が可能となり、光照射処理のみで消色感度の可逆制御ができる。   According to the nineteenth aspect of the present invention, since the recording layer contains an infrared absorber in the microcapsule, an efficient heat treatment can be performed by heat generation of the infrared absorber, and the recording layer can be erased only by the light irradiation treatment. Reversible control of color sensitivity is possible.

請求項２０に記載の発明は、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載のメモリ素子において、前記記録層は、少なくとも前記マイクロカプセルとバインダー材と赤外吸収剤からなることを特徴とする。   According to a twentieth aspect of the present invention, in the memory element according to any one of the first to seventeenth aspects, the recording layer includes at least the microcapsule, a binder material, and an infrared absorber. .

請求項２０に記載の発明によれば、前記記録層は、少なくとも前記マイクロカプセルとバインダー材と赤外吸収剤からなるので、赤外吸収剤の発熱により効率的な熱処理が可能となり、光照射処理のみで消色感度の可逆制御ができる。   According to the invention of claim 20, since the recording layer is composed of at least the microcapsules, a binder material, and an infrared absorber, an efficient heat treatment can be performed by heat generation of the infrared absorber, and light irradiation treatment is performed. It is possible to reversibly control the decoloring sensitivity only by

請求項２１に記載の発明は、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載のメモリ素子において、前記支持基板上に赤外吸収剤を含む発熱層を有することを特徴とする。   According to a twenty-first aspect of the present invention, in the memory element according to any one of the first to eighteenth aspects, a heat generating layer containing an infrared absorber is provided on the support substrate.

請求項２１に記載の発明によれば、前記支持基板上に赤外吸収剤を含む発熱層を有するので、赤外吸収剤の発熱により効率的な熱処理が可能となり、光照射処理のみで消色感度の可逆制御ができる。   According to the twenty-first aspect of the present invention, since the heat generating layer containing the infrared absorbent is provided on the support substrate, efficient heat treatment can be performed by the heat generated by the infrared absorbent, and the color disappears only by the light irradiation treatment. Sensitivity can be reversibly controlled.

請求項２２に記載の発明は、請求項２１に記載のメモリ素子において、前記記録層よりも表面の近くに設けられた前記発熱層の界面に第二の保護層を設けたことを特徴とする。   According to a twenty-second aspect of the present invention, in the memory element according to the twenty-first aspect, a second protective layer is provided at the interface of the heat generating layer provided nearer to the surface than the recording layer. .

請求項２２に記載の発明によれば、前記記録層よりも表面の近くに設けられた前記発熱層の界面に第二の保護層を設けたので、光メモリ素子としての耐久性が向上した優れた効果を奏することができる。   According to the invention of claim 22, since the second protective layer is provided at the interface of the heat generating layer provided nearer to the surface than the recording layer, the durability as an optical memory element is improved. There is an effect.

請求項２３に記載の発明は、メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法において、請求項１乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、全面に紫外光を照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を発色させる初期化工程、前記記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、前記所定の領域に前記紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させる消去工程を施すことを特徴とする。   The invention according to claim 23 is the image processing method for initializing, recording and erasing the memory element, and at least the entire surface is irradiated with ultraviolet light with respect to the memory element according to any one of claims 1 to 22. An initializing step of irradiating the photochromic compound contained in the recording layer to color, a part or the whole of the recording layer is temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and the developed photochromic compound A recording in which a predetermined region is irradiated with visible light including a wavelength region corresponding to an absorption band and decolored, and then the region including the heating unit is temporarily heated to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound. And an erasing step of irradiating the predetermined region with the ultraviolet light to develop the photochromic compound.

請求項２３に記載の発明によれば、請求項１乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、全面に紫外光を照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を発色させる初期化工程、前記記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、前記所定の領域に前記紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させる消去工程を施すので、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくくすることができる。   According to the invention described in Item 23, at least the entire surface is irradiated with ultraviolet light to cause the photochromic compound contained in the recording layer to develop color to the memory element according to any one of Items 1 to 22. Initialization step, a part or the entire surface of the recording layer is temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound is given. After irradiating the region and decoloring, a recording step of temporarily heating the region including the heating part to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound, irradiating the predetermined region with the ultraviolet light Since the erasing process for coloring the photochromic compound is performed, it is possible to make it difficult to lose the recorded information even by irradiation of the reading light for recording.

請求項２４に記載の発明は、メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法において、請求項１乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、記録層全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を全面に照射して前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物を消色させる初期化工程、所定の領域に紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させた後、前記紫外光照射部分を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、前記記録層の一部又は全面を前記電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を前記所定の領域に照射して消色させた後、少なくとも前記加熱部を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する消去工程を施すことを特徴とする。   According to a twenty-fourth aspect of the present invention, there is provided an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element. Temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the receptive compound and contained in the recording layer by irradiating the entire surface with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the photochromic compound contained in the recording layer. An initialization step for decoloring the photochromic compound, after irradiating a predetermined region with ultraviolet light to develop the color of the photochromic compound, the region including the ultraviolet light irradiated portion is brought to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound. Temporarily heating a recording step, a part or the whole of the recording layer is temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and the developed photochromic After irradiating the predetermined region with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the object and decolorizing, at least the region including the heating part is temporarily at a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound. An erasing step of heating is performed.

請求項２４に記載の発明によれば、請求項１乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、記録層全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を全面に照射して前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物を消色させる初期化工程、所定の領域に紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させた後、前記紫外光照射部分を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、前記記録層の一部又は全面を前記電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を前記所定の領域に照射して消色させた後、少なくとも前記加熱部を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する消去工程を施すので、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくくすることができる。   According to the invention described in Item 24, at least the entire surface of the recording layer is temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound with respect to the memory element according to any one of Items 1 to 22. And an initializing step for erasing the photochromic compound contained in the recording layer by irradiating the entire surface with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the photochromic compound contained in the recording layer; A recording step of irradiating ultraviolet light to color the photochromic compound and then temporarily heating a region including the ultraviolet light irradiated portion to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound, a part of the recording layer Alternatively, the entire surface is temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound is applied to the predetermined region. Is erased by applying an erasing process to temporarily heat the region including at least the heating portion to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound. Can be hard to lose.

請求項２５に記載の発明は、メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法において、請求項１９乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、全面に紫外光を照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を発色させる初期化工程、赤外光を照射して前記記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、前記赤外光を照射して前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、前記所定の領域に前記紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させる消去工程を施すことを特徴とする。   The invention according to claim 25 is an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element, and at least ultraviolet light is applied to the entire surface of the memory element according to any one of claims 19 to 22. An initializing step for irradiating the photochromic compound contained in the recording layer to develop a color, and irradiating with infrared light to temporarily heat a part or the entire surface of the recording layer to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound. Irradiating a predetermined region with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound to erase the color, and then irradiating the infrared light to irradiate the region including the heating unit with the electron-accepting region. A recording step of temporarily heating to a temperature lower than the melting temperature of the organic compound, and an erasing step of irradiating the predetermined region with the ultraviolet light to develop the photochromic compound.

請求項２５に記載の発明によれば、請求項１９乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、全面に紫外光を照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を発色させる初期化工程、赤外光を照射して前記記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、前記赤外光を照射して前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、前記所定の領域に前記紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させる消去工程を施すので、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくくすることができる。   According to the invention described in claim 25, at least the entire surface is irradiated with ultraviolet light to cause the photochromic compound contained in the recording layer to develop a color to the memory element according to any one of claims 19 to 22. Initialization step: Irradiating infrared light to temporarily heat a part or the entire surface of the recording layer to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound After irradiating a predetermined region with visible light containing a color and decoloring, the infrared light is irradiated to temporarily heat the region including the heating part to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound. Since the recording step and the erasing step of irradiating the predetermined region with the ultraviolet light to develop the photochromic compound are performed, it is possible to make it difficult to lose the recorded information even by irradiation of the recording read light.

請求項２６に記載の発明は、メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法において、請求項１９乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、赤外光を照射して記録層全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を全面に照射して前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物を消色させる初期化工程、所定の領域に紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させた後、前記赤外光を照射して前記紫外光照射部分を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、前記赤外光を照射して前記記録層の一部又は全面を前記電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を前記所定の領域に照射して消色させた後、前記赤外光を照射して少なくとも前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する消去工程を施すことを特徴とする。   The invention according to claim 26 is an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element, and at least irradiates the memory element according to any one of claims 19 to 22 with infrared light. And then temporarily heating the entire surface of the recording layer to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and irradiating the entire surface with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the photochromic compound contained in the recording layer. An initialization step for decolorizing the photochromic compound contained in the recording layer, after irradiating a predetermined region with ultraviolet light to develop the photochromic compound, and then irradiating the infrared light to irradiate the ultraviolet light irradiated portion. A recording step of temporarily heating the included region to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound, irradiating the infrared light to partially or entirely cover the recording layer, the melting temperature of the electron-accepting compound Temporarily heating to the above temperature, irradiating the predetermined region with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound, and then irradiating the infrared light An erasing step of temporarily heating at least a region including the heating portion to a temperature lower than a melting temperature of the electron-accepting compound is performed.

請求項２６に記載の発明によれば、請求項１９乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、赤外光を照射して記録層全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を全面に照射して前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物を消色させる初期化工程、所定の領域に紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させた後、前記赤外光を照射して前記紫外光照射部分を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、前記赤外光を照射して前記記録層の一部又は全面を前記電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を前記所定の領域に照射して消色させた後、前記赤外光を照射して少なくとも前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する消去工程を施すので、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくくすることができる。   According to the twenty-sixth aspect of the present invention, at least the memory layer according to any one of the nineteenth to twenty-second aspects is irradiated with infrared light so that the entire surface of the recording layer is equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound. Initially, the entire surface is irradiated with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the photochromic compound contained in the recording layer to erase the photochromic compound contained in the recording layer. Forming a photochromic compound by irradiating ultraviolet light to a predetermined region, and then irradiating the infrared light to form a region including the ultraviolet light irradiated portion at a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound. A recording step of temporarily heating the recording layer, irradiating the infrared light to partially heat or partially heat the recording layer to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, After irradiating the predetermined region with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the compound and decolorizing, the region including at least the heating portion is irradiated with the infrared light to form the region of the electron-accepting compound. Since an erasing step of temporarily heating to a temperature lower than the melting temperature is performed, it is possible to make it difficult to lose recorded information even by irradiation of read light for recording.

本発明によれば、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくいメモリ素子並びに該メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a memory element in which recorded information is not easily lost even by irradiation of read light for recording, and an image processing method for initializing, recording and erasing the memory element.

本発明の課題は、本発明の第１のカテゴリーの技術、第１のカテゴリーの技術がさらに改善された本発明の第２のカテゴリーの技術により解決される。
（第１のカテゴリーの技術）
本発明の特徴の一つは、（１）少なくともフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物を含むマイクロカプセルを含有する記録層を支持基板上に形成したメモリ素子であって、電子受容性化合物が炭素数１２以上の脂肪族基を持つルイス酸化合物とすることである。必要に応じて、さらに記録層の上又は記録層と支持基板との間に反射層を設けることができる。また、本発明のもう一つの特徴は、（２）記録層が、少なくともマイクロカプセルとバインダー材からなることである。ルイス酸化合物は、ホスホン酸化合物、脂肪族カルボン酸化合物及びフェノール化合物からなる群から選択された少なくとも一種であることが好ましい。 The problems of the present invention are solved by the first category of the present invention, the second category of the present invention in which the first category is further improved.
(First category of technology)
One of the features of the present invention is (1) a memory element in which a recording layer containing microcapsules containing at least a photochromic compound and an electron accepting compound is formed on a support substrate, wherein the electron accepting compound has 12 carbon atoms. It is a Lewis acid compound having the above aliphatic group. If necessary, a reflective layer can be further provided on the recording layer or between the recording layer and the support substrate. Another feature of the present invention is that (2) the recording layer comprises at least microcapsules and a binder material. The Lewis acid compound is preferably at least one selected from the group consisting of phosphonic acid compounds, aliphatic carboxylic acid compounds and phenolic compounds.

本発明のさらにもう一つの特徴は、（３）メモリ素子（１）及び（２）に対し、少なくとも全面に紫外光を照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を発色させる初期化工程、記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、上述の加熱部を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、所定の領域に紫外光を照射してフォトクロミック化合物を発色させる消去工程を施すことにより、メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法を提供することである。   Still another feature of the present invention is that (3) an initialization process for recording the photochromic compound contained in the recording layer by irradiating at least the entire surface with ultraviolet light to the memory elements (1) and (2), recording Temporarily heating a part or the entire surface of the layer to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and irradiating a predetermined region with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound to erase the color After that, a recording step for temporarily heating the region including the heating portion described above to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound, and an erasing step for irradiating the predetermined region with ultraviolet light to develop a photochromic compound are performed. Accordingly, an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element is provided.

これにより、消色感度の可逆制御が可能となり、紫外光を全面照射して記録層を発色状態にしておいて、可視光を照射して情報を記録する方式においては、一時的に消色感度が大きな状態にして記録し、その後、感度が小さな状態に切り替えて読み出し時の可視光照射によって記録が破壊されにくいようにすることが可能となる。これは、次のように説明される。   As a result, reversible control of the decolorization sensitivity becomes possible, and in the method of recording information by irradiating visible light and keeping the recording layer in a colored state by irradiating the entire surface with ultraviolet light, the decolorization sensitivity is temporarily Is recorded in a large state, and thereafter, the sensitivity is switched to a small state so that the recording is not easily destroyed by irradiation with visible light at the time of reading. This is explained as follows.

フォトクロミック化合物の消色感度は、消色反応量子収率（φＣＥ）に直接的に依存するものであり、消色感度の変化を扱うことは、ほぼφＣＥの変化を扱うことに他ならない。以下では、φＣＥの変化が消色感度の変化であるとして、記述する。   The decolorization sensitivity of the photochromic compound is directly dependent on the decolorization reaction quantum yield (φCE), and handling the change in the decolorization sensitivity is almost handling the change in φCE. In the following description, it is assumed that the change in φCE is the change in decoloring sensitivity.

フォトクロミック化合物として、まず、フルギド化合物を例にとると、一般に、フルギド化合物の消色感度は、一般式（Ｉ）、   As a photochromic compound, first, taking a fulgide compound as an example, in general, the decolorization sensitivity of the fulgide compound is represented by the general formula (I),

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香環、複素芳香環等であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４のうち、少なくとも一つは、芳香環又は複素芳香環を含む構造とする）
一般式（ＩＩ）
Figure 2006091824
 (However, R < 11 >, R <12> , R <13> and R <14> are respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic ring, a heteroaromatic ring, and R < 11 >, R <12> , R <13> and R <14>. Of which at least one has an aromatic ring or a heteroaromatic ring)
Formula (II)

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香環、複素芳香環等であり、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８のうち、少なくとも一つは、芳香環又は複素芳香環を含む構造とする）
及び後述する芳香環部位の化学構造に基づく電子的性状（電子供与性・受容性）により大きく異なる。具体的には、芳香環部位の電子供与性が大きい構造ほど、消色感度は小さく、電子供与性が小さい構造ほど、消色感度は大きい傾向がある。そして、ある特定の構造の化合物についても、その分子を取り囲む媒体の電子的性状によって消色感度は変化し得る。つまり、媒体との相互作用により、芳香環部位の電子的性状が見かけ上変化するということであり、媒体中の電子受容性部位とフルギド化合物の芳香環部位との電子授受の相互作用の程度が大きくなれば、芳香環部位の電子供与性が減少して消色感度は増大する。逆に、相互作用の程度が小さくなれば、芳香環部位の電子供与性が増大して消色感度は減少する。したがって、相互作用の程度を制御すれば、消色感度の制御が可能となる。これが（１）に記載した構造の電子受容性化合物とフォトクロミック化合物とを含む記録層に対し、（３）に記載した工程を施すことで可能となり、以下のように説明できる。
Figure 2006091824
 (However, R 15 , R 16 , R 17 , R 18 and R 19 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic ring, a heteroaromatic ring, etc., and R 15 , R 16 , R At least one of 17 and R 18 has a structure containing an aromatic ring or a heteroaromatic ring)
And greatly differ depending on the electronic properties (electron donating property / accepting property) based on the chemical structure of the aromatic ring moiety described later. Specifically, the structure having a higher electron donating property of the aromatic ring portion has a lower decoloring sensitivity, and the structure having a lower electron donating property tends to have a higher decoloring sensitivity. The decolorization sensitivity of a compound having a specific structure can change depending on the electronic properties of the medium surrounding the molecule. In other words, the electronic properties of the aromatic ring moiety apparently change due to the interaction with the medium, and the degree of interaction of electron transfer between the electron accepting moiety in the medium and the aromatic ring moiety of the fulgide compound is If it is increased, the electron donating property of the aromatic ring portion is decreased and the decolorization sensitivity is increased. Conversely, if the degree of interaction is reduced, the electron donating property of the aromatic ring moiety is increased and the decolorization sensitivity is decreased. Therefore, the decolorization sensitivity can be controlled by controlling the degree of interaction. This can be achieved by applying the process described in (3) to the recording layer containing the electron-accepting compound having the structure described in (1) and the photochromic compound, which can be explained as follows.

メモリ素子の記録層中のフルギド化合物は、紫外光照射によって発色する。その後、記録層を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度（Ｉ）に一時的に加熱することにより、電子受容性化合物がある程度規則的に集合した状態が形成され、電子受容性化合物の酸性基部位がフルギド化合物の芳香環部位と密に相互作用を持った状態で安定化する（以下では、この状態を「状態Ａ」と呼ぶ）。この状態のモデル図を図２に示す。これは、消色感度が大きい状態であり、この状態において可視光を照射することにより、少ないエネルギーで短時間に記録工程が行われる。さらに、この後、記録層を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度（ＩＩ）に一時的に加熱することにより（電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱して徐冷してもよい）、電子受容性化合物の酸性基部位同士が密に集合し、フルギド化合物の芳香環部位との相互作用が小さい状態で安定化する（以下では、この状態を「状態Ｂ」と呼ぶ）。この状態のモデル図を図３に示す。これは、消色感度が小さい状態であり、したがって、読み出し光による消色が起こりにくい、記録保持性が高い状態となる。これまで消色感度について説明してきたが、発色感度については、状態Ａ及び状態Ｂによる変化は、ほとんどない。   The fulgide compound in the recording layer of the memory element is colored by irradiation with ultraviolet light. Thereafter, the recording layer is temporarily heated to a temperature (I) equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, whereby a state in which the electron-accepting compound is assembled to a certain degree is formed. The site is stabilized in a state of having a close interaction with the aromatic ring site of the fulgide compound (hereinafter, this state is referred to as “state A”). A model diagram of this state is shown in FIG. This is a state in which the decolorization sensitivity is high, and the recording process is performed in a short time with a small amount of energy by irradiating visible light in this state. Further, thereafter, the recording layer is temporarily heated to a temperature (II) lower than the melting temperature of the electron-accepting compound (by temporarily heating to a temperature higher than the melting temperature of the electron-accepting compound and gradually cooling it). The acidic group sites of the electron-accepting compound are closely gathered and stabilized in a state where the interaction with the aromatic ring site of the fulgide compound is small (hereinafter, this state is referred to as “state B”). ). A model diagram of this state is shown in FIG. This is a state in which the decolorization sensitivity is low, and therefore, it is difficult to cause decoloration by the readout light, and a high record retention state is obtained. The decolorization sensitivity has been described so far, but there is almost no change in the color development sensitivity due to the state A and the state B.

状態Ａを得るべく、電子受容性化合物の溶融温度以上の温度（Ｉ）に一時的に加熱する工程においては、フルギド化合物の溶融温度が電子受容性化合物の溶融温度よりも高い場合は、フルギド系化合物の溶融温度以上の温度に加熱することが好ましいが、電子受容性化合物の溶融温度より高ければ問題はない。加熱後は、急冷することが好ましい。徐冷すると、状態Ｂに変化する確率が増えてくる。これは、状態Ａを得るための加熱温度領域よりも低温の領域に状態Ｂを得るための加熱温度領域が存在するためである。したがって、状態Ａにある記録層を特定の温度領域に加熱することにより、状態Ｂを得ることができる。状態Ａを得るために、電子受容性化合物の溶融温度以上の温度（Ｉ）に一時的に加熱する工程及び状態Ｂを得るために、電子受容性化合物の溶融温度未満の温度（ＩＩ）に一時的に加熱する工程における加熱温度の設定は、用いるフルギド化合物と電子受容性化合物及びバインダー材の種類や組み合わせに応じて、適切に設定されることになる。   In the step of temporarily heating to a temperature (I) equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound in order to obtain the state A, if the melting temperature of the fulgide compound is higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, Although it is preferable to heat to a temperature higher than the melting temperature of the compound, there is no problem as long as it is higher than the melting temperature of the electron-accepting compound. It is preferable to cool rapidly after heating. When gradually cooled, the probability of changing to state B increases. This is because the heating temperature region for obtaining the state B exists in a region lower than the heating temperature region for obtaining the state A. Therefore, the state B can be obtained by heating the recording layer in the state A to a specific temperature region. In order to obtain the state A, the step of temporarily heating to a temperature (I) equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound; and to obtain the state B, temporarily to a temperature (II) less than the melting temperature of the electron-accepting compound. The heating temperature in the heating step is appropriately set according to the type and combination of the fulgide compound, the electron accepting compound and the binder material to be used.

本発明のもう一つの特徴は、（４）上述のような構成のメモリ素子に対し、少なくとも、記録層全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、記録層に含有されるフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を全面に照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を消色させる初期化工程、所定の領域に紫外光を照射してフォトクロミック化合物を発色させた後、紫外光照射部分を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、少なくとも上述の加熱部を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する消去工程を施すことにより、メモリ素子の初期化、記録及び消去を行うことである。   Another feature of the present invention is that (4) at least the entire surface of the recording layer is temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound in the memory element having the above-described configuration, and is contained in the recording layer. Initialization process of irradiating the entire surface with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the photochromic compound to be erased to erase the photochromic compound contained in the recording layer, and irradiating the predetermined region with ultraviolet light to photochromic compound After the color development, a recording step of temporarily heating the region including the ultraviolet light irradiated portion to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound, a part or the entire surface of the recording layer above the melting temperature of the electron-accepting compound Temporarily heating to a temperature, irradiating a predetermined region with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound, and then decoloring, then at least a region including the above-described heating unit. By the performing erasing step of temporarily heated to a temperature below the melting temperature of the electron-accepting compound, the initialization of the memory device is to perform recording and erasing.

これにより、消色感度の可逆制御が可能となり、可視光を全面照射して記録層を消色状態にしておいて、紫外光を照射して情報を記録する方式においては、記録後に、その記録部分を含む領域を感度が小さな状態に切り替えて、読み出し時の可視光照射によって記録が破壊されないようにし、消去時には、一時的に消色感度が大きな状態にして、可視光を照射して情報を消去することが可能となる。   This enables reversible control of the decolorization sensitivity. In a method of recording information by irradiating ultraviolet light and leaving the recording layer in a decolored state by irradiating the entire surface with visible light, the recording is performed after recording. Switch the area including the part to a state with low sensitivity so that the record is not destroyed by irradiation with visible light at the time of reading. It can be erased.

フォトクロミック化合物と電子受容性化合物の相互作用と消色感度の関係、相互作用を切り替えるための熱処理に関しては、（３）に関する上述の説明と同様である。
（第２のカテゴリーの技術）
本発明のさらに改良されたもう一つの特徴は、（５）少なくともフォトクロミック化合物、電子受容性化合物及び赤外吸収剤を含むマイクロカプセルを含有する記録層を支持基板上に設け、必要に応じて、さらに記録層の上又は記録層と支持基板との間に反射層を設けたメモリ素子であって、電子受容性化合物が炭素数１２以上の脂肪族基をもつルイス酸化合物であるメモリ素子を提供することである。 The relationship between the interaction between the photochromic compound and the electron-accepting compound, the decoloring sensitivity, and the heat treatment for switching the interaction are the same as described above with respect to (3).
(Second category of technology)
Another further improved feature of the present invention is that (5) a recording layer containing microcapsules containing at least a photochromic compound, an electron accepting compound and an infrared absorber is provided on a support substrate, and if necessary, Further provided is a memory element in which a reflective layer is provided on a recording layer or between a recording layer and a supporting substrate, wherein the electron-accepting compound is a Lewis acid compound having an aliphatic group having 12 or more carbon atoms. It is to be.

本発明のさらにもう一つの特徴は、（６）少なくともフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物を含むマイクロカプセルと、バインダー材及び赤外吸収剤を含有する記録層を支持基板上に形成し、必要に応じて、さらに記録層の上又は記録層と支持基板との間に反射層を設けたメモリ素子であって、電子受容性化合物が炭素数１２以上の脂肪族基を持つルイス酸化合物とすることである。   Yet another feature of the present invention is that (6) a microcapsule containing at least a photochromic compound and an electron-accepting compound, a recording layer containing a binder material and an infrared absorber is formed on a support substrate, and if necessary Further, a memory element in which a reflective layer is provided on the recording layer or between the recording layer and the support substrate, wherein the electron-accepting compound is a Lewis acid compound having an aliphatic group having 12 or more carbon atoms. is there.

本発明のさらにもう一つの特徴は、（７）少なくともフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物を含むマイクロカプセルを含有する記録層と、赤外吸収剤を含む発熱層とを支持基板上に設け、必要に応じて、さらに記録層の上又は記録層と支持基板との間に反射層を設けたメモリ素子であって、電子受容性化合物が炭素数１２以上の脂肪族基を持つルイス酸化合物であるメモリ素子が提供されることである。   Still another feature of the present invention is that (7) a recording layer containing microcapsules containing at least a photochromic compound and an electron-accepting compound and a heat generating layer containing an infrared absorber are provided on a supporting substrate, Accordingly, a memory element in which a reflective layer is further provided on the recording layer or between the recording layer and the support substrate, wherein the electron-accepting compound is a Lewis acid compound having an aliphatic group having 12 or more carbon atoms. An element is provided.

また、本発明のさらにもう一つの特徴は、（８）上述のようなメモリ素子（５）、（６）又は（７）のメモリ素子に対し、少なくとも全面に紫外光を照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を発色させる初期化工程、赤外光を照射して記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を、所定の領域に照射して消色させた後、赤外光を照射して、上述の加熱部を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、所定の領域に紫外光を照射して、フォトクロミック化合物を発色させる消去工程を施すことにより、メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法を提供することである。   Still another feature of the present invention is that (8) the memory element (5), (6) or (7) as described above is irradiated on the recording layer by irradiating at least the entire surface with ultraviolet light. Initialization process for coloring the contained photochromic compound, absorption of the colored photochromic compound by irradiating infrared light and temporarily heating a part or the entire surface of the recording layer to a temperature higher than the melting temperature of the electron-accepting compound After irradiating a predetermined region with visible light including a wavelength region corresponding to the band to erase the color, irradiating with infrared light, the region including the heating part is less than the melting temperature of the electron-accepting compound. Provided is an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element by performing a recording step of temporarily heating to a temperature and an erasing step of irradiating a predetermined region with ultraviolet light to develop a photochromic compound. Is that .

本発明のさらにもう一つの特徴は、（９）上述のようなメモリ素子（５）、（６）又は（７）のメモリ素子に対し、少なくとも、赤外光を照射して、記録層全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、記録層に含有されるフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を全面に照射して、記録層に含有されるフォトクロミック化合物を消色させる初期化工程、所定の領域に紫外光を照射してフォトクロミック化合物を発色させた後、赤外光を照射して、紫外光照射部分を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、赤外光を照射して、記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、赤外光を照射して、少なくとも上述の加熱部を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する消去工程を施すことを特徴とするメモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法を提供することである。   Still another feature of the present invention is that (9) the memory element (5), (6) or (7) as described above is irradiated with at least infrared light to irradiate the entire surface of the recording layer. Temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and irradiated on the entire surface with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the photochromic compound contained in the recording layer, and contained in the recording layer Initialization process for decoloring photochromic compounds, irradiating a predetermined area with ultraviolet light to develop the color of the photochromic compound, and then irradiating with infrared light to melt the electron-accepting compound in the area containing the ultraviolet light irradiated part A recording step of temporarily heating to a temperature below the temperature, a photochromic compound that develops color by irradiating infrared light and temporarily heating a part or the entire surface of the recording layer to a temperature higher than the melting temperature of the electron-accepting compound In the absorption band After irradiating a predetermined region with visible light including a corresponding wavelength range to erase the color, irradiating with infrared light, and at least the region including the heating part described above is set to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound. An object of the present invention is to provide an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element, characterized by performing an erasing step of temporarily heating.

状態Ａを得るために、電子受容性化合物の溶融温度以上の温度（Ｉ）に一時的に加熱する工程及び状態Ｂを得るために、電子受容性化合物の溶融温度未満の温度（ＩＩ）に一時的に加熱する工程は、赤外光を照射することにより、（５）及び（６）の記録層に含まれる赤外吸収剤又は（７）の発熱層に含まれる赤外吸収剤が発熱することで可能となる。   In order to obtain the state A, the step of temporarily heating to a temperature (I) equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound; and to obtain the state B, temporarily to a temperature (II) less than the melting temperature of the electron-accepting compound. In the step of heating, the infrared absorber contained in the recording layer of (5) and (6) or the infrared absorber contained in the heat generating layer of (7) generates heat by irradiating with infrared light. This is possible.

赤外吸収剤としては、赤外吸収色素等を用いることができ、特に、７００ｎｍ以上の赤外域に吸収を持つナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、金属錯体系色素等の色素を好適に用いることができる。   As the infrared absorber, an infrared absorbing dye or the like can be used. In particular, a dye such as a naphthalocyanine dye, a cyanine dye or a metal complex dye having absorption in the infrared region of 700 nm or more is preferably used. Can do.

赤外光を照射する光源としては、赤外ランプと不要な波長域の光をカットするための光学フィルターを組み合わせた構成の光源を用いてもよいし、ＬＥＤ、ＬＤ等の特定波長域の光を発する発光素子を用いてもよい。メモリ素子全面を照射するような場合は、照射サイズの大きな光源を用いたり、光源素子を並べてアレイ状に構成したり、適当な光学系を用いて所定の照射サイズに調整してもよい。また、メモリ素子の微小な特定箇所を照射する場合は、同様に適当な光学系を用いて所定の照射サイズに調整すればよい。   As a light source for irradiating infrared light, a light source having a combination of an infrared lamp and an optical filter for cutting light in an unnecessary wavelength range may be used, or light in a specific wavelength range such as an LED or LD. A light-emitting element that emits light may be used. When irradiating the entire surface of the memory element, a light source with a large irradiation size may be used, or the light source elements may be arranged in an array, or may be adjusted to a predetermined irradiation size using an appropriate optical system. Further, when irradiating a minute specific portion of the memory element, it may be adjusted to a predetermined irradiation size using an appropriate optical system.

記録層の加熱温度は、赤外光の照射強度や照射時間を調整することによって制御できる。   The heating temperature of the recording layer can be controlled by adjusting the irradiation intensity and irradiation time of infrared light.

本発明の他の特徴は、（１０）記録層の構成要素として用いるフォトクロミック化合物として、フルギド系化合物を用いることである。フルギド系化合物は、よく知られているように、発色状態が熱的に安定な「熱不可逆型」のフォトクロミック材料であり、本発明におけるメモリ素子の記録層の構成要素として、以下に示すように好適である。   Another feature of the present invention is (10) the use of a fulgide-based compound as a photochromic compound used as a component of the recording layer. As is well known, the fulgide-based compound is a “thermal irreversible” photochromic material in which the color development state is thermally stable, and as a constituent element of the recording layer of the memory element in the present invention, as shown below Is preferred.

本発明において用いられるフルギド系化合物としては、一般式（Ｉ）で示すフルギド化合物や、一般式（ＩＩ）で示すフルギド化合物を始めとして、これらの化合物を構造中に含みフォトクロミック性を示す化合物が挙げられる。   Examples of the fulgide compound used in the present invention include fulgide compounds represented by the general formula (I) and fulgide compounds represented by the general formula (II), and compounds having these compounds in the structure and exhibiting photochromic properties. It is done.

上述したように、フルギド系化合物においては、消色感度に関する支配因子である消色反応量子収率（φＣＥ）は、芳香環部位の化学構造に基づく電子的性状（電子供与性・受容性）により大きく異なり、芳香環部位の電子供与性が大きい構造ほど、消色感度は小さく、電子供与性が小さい構造ほど、消色感度は大きい。そして、ある特定の構造の化合物についても、その分子を取り囲む媒体の電子的性状によって、その相互作用により芳香環部位の電子的性状が見かけ上変化し、媒体中の電子受容性部位とフルギド系化合物の芳香環部位との相互作用の程度が大きくなれば、芳香環部位の電子供与性が減少して消色感度は増大する。逆に、相互作用の程度が小さくなれば、芳香環部位の電子供与性が増大して消色感度は減少する。したがって、相互作用の程度を制御すれば、消色感度の制御が可能となる。   As described above, in the fulgide-based compound, the decolorization reaction quantum yield (φCE), which is the governing factor regarding the decolorization sensitivity, depends on the electronic properties (electron donating property / accepting property) based on the chemical structure of the aromatic ring site. The structure having a large electron donating property of the aromatic ring portion is greatly different, and the decoloring sensitivity is small, and the structure having a small electron donating property is high in decoloring sensitivity. And even for a compound with a specific structure, the electronic properties of the aromatic ring site apparently change due to the electronic properties of the medium surrounding the molecule, and the electron accepting site in the medium and the fulgide compound As the degree of interaction with the aromatic ring moiety increases, the electron donating property of the aromatic ring moiety decreases and the decolorization sensitivity increases. Conversely, if the degree of interaction is reduced, the electron donating property of the aromatic ring moiety is increased and the decolorization sensitivity is decreased. Therefore, the decolorization sensitivity can be controlled by controlling the degree of interaction.

本発明において、フルギド系化合物が一般式（ＩＩＩ）   In the present invention, the fulgide-based compound is represented by the general formula (III)

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ０１及びＲ０２は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わす）
で示す構造を有する場合に、特に有効に芳香環部位の電子的性状（電子供与性・受容性）を大きく変化させることが可能となる。また、一般式（ＩＩＩ）で示す構造を２つ以上有する場合に、電子的性状を特に大きく変化させることが可能となる。これにより、有効な消色感度の制御が可能となる。
Figure 2006091824
 (However, R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom or an aliphatic group.)
In particular, the electronic properties (electron donating property / accepting property) of the aromatic ring moiety can be greatly changed particularly effectively. In addition, when two or more structures represented by the general formula (III) are included, the electronic properties can be changed particularly greatly. Thereby, effective decolorization sensitivity can be controlled.

このようなフルギド系化合物の具体例としては、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−オキサゾリル）−２−トリフルオロメチルエチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（５−メチル−３−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−イソオキサゾリル）−２−トリフルオロメチルエチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−チアゾリル）−２−トリフルオロメチルエチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−オキサゾリル）−２−トリフルオロメチルエチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（５−メチル−３−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−イソオキサゾリル）−２−トリフルオロメチルエチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−チアゾリル）−２−トリフルオロメチルエチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−オキサゾリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−チアゾリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノスチリル−４−オキサゾリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（５−メチル−（４−ｐ−ジメチルアミノフェニル）ブダジエン−１−イル）−４−オキサゾリル］エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−オキサゾリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−４−チアゾリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノスチリル−４−オキサゾリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（５−メチル−（４−ｐ−ジメチルアミノフェニル）ブダジエン−１−イル）−４−オキサゾリル］エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（２，５−ジメチル−１−ｐ−ジメチルアミノフェニル−３−ピロリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−１−フェニル−３−ピロリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（１，２−ジメチル−５−ジメチルアミノ−３−インドリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［２，６−ジメチル−３，５−ビス（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンジリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物、２−［１−（２，５−ジメチル−１−ｐ−ジメチルアミノフェニル−３−ピロリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（５−メチル−２−ｐ−ジメチルアミノフェニル−１−フェニル−３−ピロリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［１−（１，２−ジメチル−５−ジメチルアミノ−３−インドリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド、２−［２，６−ジメチル−３，５−ビス（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンジリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド等が挙げられる。   Specific examples of such fulgide compounds include 2- [1- (5-methyl-2-p-dimethylaminophenyl-4-oxazolyl) -2-trifluoromethylethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride. 2- [1- (5-methyl-3-p-dimethylaminophenyl-4-isoxazolyl) -2-trifluoromethylethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride, 2- [1- (5- Methyl-2-p-dimethylaminophenyl-4-thiazolyl) -2-trifluoromethylethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride, 2- [1- (5-methyl-2-p-dimethylaminophenyl- 4-Oxazolyl) -2-trifluoromethylethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimid 2- [1- (5-methyl-3-p-dimethylaminophenyl-4-isoxazolyl) -2-trifluoromethylethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide, 2- [1- (5-methyl-2-p-dimethylaminophenyl-4-thiazolyl) -2-trifluoromethylethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide, 2- [1- (5-Methyl-2-p-dimethylaminophenyl-4-oxazolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride, 2- [1- (5-methyl-2-p-dimethylaminophenyl-4-thiazolyl) ) Ethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride, 2- [1- (5-methyl-2-p-dimethylaminostyryl) 4-Oxazolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride, 2- [1- (5-methyl- (4-p-dimethylaminophenyl) butadien-1-yl) -4-oxazolyl] ethylidene] -3 -Isopropylidene succinic anhydride, 2- [1- (5-methyl-2-p-dimethylaminophenyl-4-oxazolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide, 2 -[1- (5-methyl-2-p-dimethylaminophenyl-4-thiazolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide, 2- [1- (5-methyl- 2-p-dimethylaminostyryl-4-oxazolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylamino Nophenylimide, 2- [1- (5-methyl- (4-p-dimethylaminophenyl) butadien-1-yl) -4-oxazolyl] ethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylamino Phenylimide, 2- [1- (2,5-dimethyl-1-p-dimethylaminophenyl-3-pyrrolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride, 2- [1- (5-methyl-2) -P-dimethylaminophenyl-1-phenyl-3-pyrrolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride, 2- [1- (1,2-dimethyl-5-dimethylamino-3-indolyl) ethylidene] -3-Isopropylidene succinic anhydride, 2- [2,6-dimethyl-3,5-bis (p-dimethylaminostyryl) benzylidene] -3-iso Ropyridene succinic anhydride, 2- [1- (2,5-dimethyl-1-p-dimethylaminophenyl-3-pyrrolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide, 2- [1- (5-Methyl-2-p-dimethylaminophenyl-1-phenyl-3-pyrrolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide, 2- [1- (1 , 2-Dimethyl-5-dimethylamino-3-indolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide, 2- [2,6-dimethyl-3,5-bis (p- Dimethylaminostyryl) benzylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide and the like.

本発明のさらに他の特徴は、（１１）記録層の構成要素として用いるフォトクロミック化合物として、ジアリールエテン系化合物を用いることである。ジアリールエテン系化合物は、よく知られているように、発色状態が熱的に安定な「熱不可逆型」のフォトクロミック材料であり、フルギド化合物と同様、本発明におけるメモリ素子の記録層の構成要素として好適である。   Still another feature of the present invention is (11) the use of a diarylethene compound as a photochromic compound used as a component of the recording layer. As is well known, a diarylethene compound is a “thermal irreversible” photochromic material in which the color development state is thermally stable, and like a fulgide compound, it is suitable as a component of the recording layer of the memory element in the present invention. It is.

本発明において用いられるジアリールエテン系化合物としては、一般式（ＩＶ）   Examples of the diarylethene compound used in the present invention include those represented by the general formula (IV)

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４及びＲ２５は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香環、複素芳香環等である。また、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して酸素原子、硫黄原子又は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香環、複素芳香環等が結合している窒素原子である）
で示す化合物を始めとして、これらの化合物を構造中に含みフォトクロミック性を示す化合物が挙げられる。
Figure 2006091824
 (However, R 20 , R 21 , R 22 , R 23 , R 24 and R 25 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic ring, a heteroaromatic ring, etc. X and Y is each independently a nitrogen atom to which an oxygen atom, a sulfur atom or a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic ring, a heteroaromatic ring, etc. are bonded.
In addition to the compounds represented by (1), compounds having these compounds in the structure and exhibiting photochromic properties can be mentioned.

ジアリールエテン系化合物においては、消色感度に関する支配因子である消色反応量子収率（φＣＥ）は、一般式（ＩＶ）における２つの５員環と、それぞれＲ２１、Ｒ２２及びＲ２４、Ｒ２５を含む部位の化学構造に基づく電子的性状（電子供与性・受容性）により大きく異なり、それらの部位の電子供与性が大きい構造ほど、消色感度は小さく、電子供与性が小さい構造ほど、消色感度は大きい。そして、ある特定の構造のジアリールエテン化合物についても、その分子を取り囲む媒体の電子的性状によって、その相互作用により前述の部位の電子的性状が見かけ上変化し、媒体中の電子受容性部位との相互作用の程度が大きくなれば、前述の部位の電子供与性が減少して消色感度は増大する。逆に、相互作用の程度が小さくなれば、前述の部位の電子供与性が増大して消色感度は減少する。したがって、相互作用の程度を制御すれば、消色感度の制御が可能となる。 In the diarylethene compound, the decolorization reaction quantum yield (φCE), which is the governing factor for decolorization sensitivity, is the two 5-membered rings in the general formula (IV), R 21 , R 22 and R 24 , R 25 , respectively. The structure differs greatly depending on the electronic properties (electron donating property / accepting property) based on the chemical structure of the site containing, and the structure with the higher electron donating property at these sites has the lower decolorization sensitivity and the structure with the lower electron donating property. Color sensitivity is high. Also, for a diarylethene compound having a specific structure, the electronic properties of the aforementioned sites are apparently changed due to the interaction with the electronic properties of the medium surrounding the molecule. If the degree of action increases, the electron donating property of the aforementioned part decreases and the decoloring sensitivity increases. On the other hand, if the degree of interaction is reduced, the electron donating property of the aforementioned portion increases and the decolorization sensitivity decreases. Therefore, the decolorization sensitivity can be controlled by controlling the degree of interaction.

本発明において、ジアリールエテン系化合物が、一般式（Ｖ）   In the present invention, the diarylethene compound is represented by the general formula (V)

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ０３及びＲ０４は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わす）
で示す構造を有する場合に特に有効に芳香環部位の電子的性状（電子供与性・受容性）を大きく変化させることが可能となり、有効な消色感度の制御が可能となる。
Figure 2006091824
 (However, R 03 and R 04 each independently represents a hydrogen atom or an aliphatic group.)
In particular, the electronic properties (electron donating property / accepting property) of the aromatic ring moiety can be greatly changed and the effective decoloring sensitivity can be controlled.

このようなジアリールエテン系化合物の具体例としては、１，２−ビス（２−メチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−エチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−イソプロピル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−ｔ−ブチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２，４−ジメチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−エチル−４−メチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−イソプロピル−４−メチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−ｔ−ブチル−４−メチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−メチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−オキサゾリル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−エチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−オキサゾリル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−イソプロピル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−オキサゾリル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン、１，２−ビス（２−ｔ−ブチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−オキサゾリル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン等が挙げられる。   Specific examples of such diarylethene compounds include 1,2-bis (2-methyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-thienyl) -3,3,4,4,5,5-hexa. Fluorocyclopentene, 1,2-bis (2-ethyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-thienyl) -3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis ( 2-Isopropyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-thienyl) -3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis (2-tert-butyl-5- ( 4-Dimethylamino) phenyl-3-thienyl) -3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis (2,4-dimethyl-5- (4-dimethylamino) phenyl- 3-thie ) -3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis (2-ethyl-4-methyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-thienyl) -3, 3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis (2-isopropyl-4-methyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-thienyl) -3,3,4,4 , 5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis (2-tert-butyl-4-methyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-thienyl) -3,3,4,4,5 5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis (2-methyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-oxazolyl) -3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2 -Bis (2-ethyl- -(4-Dimethylamino) phenyl-3-oxazolyl) -3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis (2-isopropyl-5- (4-dimethylamino) phenyl- 3-oxazolyl) -3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene, 1,2-bis (2-tert-butyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-oxazolyl) -3, Examples include 3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene.

本発明において用いられる電子受容性化合物としては、基本的に分子内に、フルギド系化合物又はジアリールエテン系化合物の芳香環部位と相互作用して芳香環部位の電子的性状に変化を与えうる構造と、分子間の凝集力をコントロールする長い、例えば、脂肪族鎖状構造部分等を含む長鎖構造部位を合わせ持つルイス酸化合物であり、ルイス酸部位を除く長鎖構造部位の炭素数が１２以上のホスホン酸化合物、脂肪族カルボン酸化合物及びフェノール化合物からなる群から選択された少なくとも一種であることが好ましい。長鎖構造部位には、直鎖状又は分枝状のアルキル基、アルケニル基が包含され、ハロゲン基、アルコキシ基、エステル基等の置換基を有していてもよい。   The electron-accepting compound used in the present invention basically has a structure that can interact with the aromatic ring moiety of the fulgide-based compound or diarylethene-based compound in the molecule to change the electronic properties of the aromatic ring moiety, A Lewis acid compound that has a long chain structure part that includes a long chain structure part including an aliphatic chain structure part or the like that controls cohesion between molecules, and has 12 or more carbon atoms in the long chain structure part excluding the Lewis acid part It is preferably at least one selected from the group consisting of phosphonic acid compounds, aliphatic carboxylic acid compounds and phenolic compounds. The long chain structure site includes a linear or branched alkyl group or alkenyl group, and may have a substituent such as a halogen group, an alkoxy group, or an ester group.

ホスホン酸化合物としては、一般式（ＶＩ）
Ｒ１−ＰＯ（ＯＨ）２ （ＶＩ）
（ただし、Ｒ１は、脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造を表わす）
で表わされるホスホン酸化合物が用いられる。 As the phosphonic acid compound, a compound represented by the general formula (VI)
R 1 —PO (OH) 2 (VI)
(However, R 1 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group)
The phosphonic acid compound represented by these is used.

一般式（ＶＩ）で表わされるホスホン酸化合物の具体例としては、例えば、ドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、エイコシルホスホン酸、ドコシルホスホン酸、テトラコシルホスホン酸、ヘキサコシルホスホン酸、オクタコシルホスホン酸等が挙げられる。   Specific examples of the phosphonic acid compound represented by the general formula (VI) include, for example, dodecylphosphonic acid, tetradecylphosphonic acid, hexadecylphosphonic acid, octadecylphosphonic acid, eicosylphosphonic acid, docosylphosphonic acid, tetracosyl. Examples include phosphonic acid, hexacosylphosphonic acid, and octacosylphosphonic acid.

脂肪族カルボン酸化合物としては、一般式（ＶＩＩ）
Ｒ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＯＯＨ （ＶＩＩ）
（ただし、Ｒ２は、脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造を表わす）
で表わされるα−ヒドロキシ脂肪族カルボン酸化合物が用いられる。 Examples of the aliphatic carboxylic acid compound include those represented by the general formula (VII)
R 2 —CH (OH) —COOH (VII)
(Wherein R 2 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group)
An α-hydroxy aliphatic carboxylic acid compound represented by the formula:

一般式（ＶＩＩ）で表わされるα−ヒドロキシ脂肪族カルボン酸化合物としては、例えば、α−ヒドロキシドデカン酸、α−ヒドロキシテトラデカン酸、α−ヒドロキシヘキサデカン酸、α−ヒドロキシオクタデカン酸、α−ヒドロキシペンタデカン酸、α−ヒドロキシエイコサン酸、α−ヒドロキシドコサン酸、α−ヒドロキシテトラコサン酸、α−ヒドロキシヘキサコサン酸、α−ヒドロキシオクタコサン酸等が挙げられる。   Examples of the α-hydroxy aliphatic carboxylic acid compound represented by the general formula (VII) include α-hydroxydodecanoic acid, α-hydroxytetradecanoic acid, α-hydroxyhexadecanoic acid, α-hydroxyoctadecanoic acid, α-hydroxypentadecanoic acid. , Α-hydroxyeicosanoic acid, α-hydroxydocosanoic acid, α-hydroxytetracosanoic acid, α-hydroxyhexacosanoic acid, α-hydroxyoctacosanoic acid and the like.

脂肪族カルボン酸化合物としては、ハロゲン基で置換された脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造を持つカルボン酸化合物で、その少なくともα位又はβ位の炭素にハロゲン基を持つものが用いられる。このようなカルボン酸化合物の具体例としては、例えば、２−ブロモヘキサデカン酸、２−ブロモヘプタデカン酸、２−ブロモオクタデカン酸、２−ブロモエイコサン酸、２−ブロモドコサン酸、２−ブロモテトラコサン酸、３−ブロモオクタデカン酸、３−ブロモエイコサン酸、２，３−ジブロモオクタデカン酸、２−フルオロドデカン酸、２−フルオロテトラデカン酸、２−フルオロヘキサデカン酸、２−フルオロオクタデカン酸、２−フルオロエイコサン酸、２−フルオロドコサン酸、２−ヨードヘキサデカン酸、２−ヨードオクタデカン酸、３−ヨードヘキサデカン酸、３−ヨードオクタデカン酸、パーフルオロオクタデカン酸等が挙げられる。   As the aliphatic carboxylic acid compound, a carboxylic acid compound having a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group substituted with a halogen group, and having a halogen group at least at the α-position or β-position carbon. Is used. Specific examples of such carboxylic acid compounds include, for example, 2-bromohexadecanoic acid, 2-bromoheptadecanoic acid, 2-bromooctadecanoic acid, 2-bromoeicosanoic acid, 2-bromodocosanoic acid, 2-bromotetracosanoic acid. Acid, 3-bromooctadecanoic acid, 3-bromoeicosanoic acid, 2,3-dibromooctadecanoic acid, 2-fluorododecanoic acid, 2-fluorotetradecanoic acid, 2-fluorohexadecanoic acid, 2-fluorooctadecanoic acid, 2-fluoro Examples include eicosanoic acid, 2-fluorodocosanoic acid, 2-iodohexadecanoic acid, 2-iodooctadecanoic acid, 3-iodohexadecanoic acid, 3-iodooctadecanoic acid, and perfluorooctadecanoic acid.

脂肪族カルボン酸化合物としては、炭素鎖中にオキソ基を持つ脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造を持つカルボン酸化合物で、その少なくともα位、β位又はγ位の炭素がオキソ基となっているものが用いられる。このようなカルボン酸化合物の具体例としては、例えば、２−オキソドデカン酸、２−オキソテトラデカン酸、２−オキソヘキサデカン酸、２−オキソオクタデカン酸、２−オキソエイコサン酸、２−オキソテトラコサン酸、３−オキソドデカン酸、３−オキソテトラデカン酸、３−オキソヘキサデカン酸、３−オキソオクタデカン酸、３−オキソエイコサン酸、３−オキソテトラコサン酸、４−オキソヘキサデカン酸、４−オキソオクタデカン酸、４−オキソドコサン酸等が挙げられる。   The aliphatic carboxylic acid compound is a carboxylic acid compound having a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group having an oxo group in the carbon chain, and at least the α-position, β-position, or γ-position carbon thereof. An oxo group is used. Specific examples of such carboxylic acid compounds include, for example, 2-oxododecanoic acid, 2-oxotetradecanoic acid, 2-oxohexadecanoic acid, 2-oxooctadecanoic acid, 2-oxoeicosanoic acid, 2-oxotetracosanoic acid. Acid, 3-oxododecanoic acid, 3-oxotetradecanoic acid, 3-oxohexadecanoic acid, 3-oxooctadecanoic acid, 3-oxoeicosanoic acid, 3-oxotetracosanoic acid, 4-oxohexadecanoic acid, 4-oxooctadecane Examples include acid and 4-oxodocosanoic acid.

脂肪族カルボン酸化合物としては、一般式（ＶＩＩＩ）   Examples of the aliphatic carboxylic acid compound include those represented by the general formula (VIII)

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ３は、脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、Ｘは、オキシ基又はチオ基を表わし、Ｘがオキシ基の場合は、ｎは１、Ｘがチオ基の場合は、ｎは１又は２を表わす）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物が用いられる。
Figure 2006091824
 (However, R 3 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group, X represents an oxy group or a thio group, and when X is an oxy group, n is 1 and X is a thio group. In the case of a group, n represents 1 or 2)
The aliphatic carboxylic acid compound represented by these is used.

一般式（ＶＩＩＩ）で表わされる脂肪族カルボン酸化合物の具体例としては、例えば、２−（ドデシルオキシ）コハク酸、２−（テトラデシルオキシ）コハク酸、２−（ヘキサデシルオキシ）コハク酸、２−（オクタデシルオキシ）コハク酸、２−（エイコシルオキシ）コハク酸、２−（ドコシルオキシ）コハク酸、２−（テトラコシルオキシ）コハク酸、２−（ドデシルチオ）コハク酸、２−（テトラデシルチオ）コハク酸、２−（ヘキサデシルオキシ）コハク酸、２−（オクタデシルチオ）コハク酸、２−（エイコシルチオ）コハク酸、２−（ドコシルチオ）コハク酸、２−（テトラコシルチオ）コハク酸、２−（ドデシルジチオ）コハク酸、２−（テトラデシルジチオ）コハク酸、２−（ヘキサデシルジチオ）コハク酸、２−（オクタデシルジチオ）コハク酸、２−（エイコシルジチオ）コハク酸、２−（ドコシルジチオ）コハク酸、２−（テトラコシルジチオ）コハク酸等が挙げられる。   Specific examples of the aliphatic carboxylic acid compound represented by the general formula (VIII) include, for example, 2- (dodecyloxy) succinic acid, 2- (tetradecyloxy) succinic acid, 2- (hexadecyloxy) succinic acid, 2- (octadecyloxy) succinic acid, 2- (eicosyloxy) succinic acid, 2- (docosyloxy) succinic acid, 2- (tetracosyloxy) succinic acid, 2- (dodecylthio) succinic acid, 2- (tetra Decylthio) succinic acid, 2- (hexadecyloxy) succinic acid, 2- (octadecylthio) succinic acid, 2- (eicosylthio) succinic acid, 2- (docosylthio) succinic acid, 2- (tetracosylthio) succinic acid 2- (dodecyldithio) succinic acid, 2- (tetradecyldithio) succinic acid, 2- (hexadecyldithio) succinic acid, 2- (octa Shirujichio) succinic acid, 2- (Eikoshirujichio) succinic acid, 2- (Dokoshirujichio) succinic acid, 2- (tetracosyl dithio) and succinic acid.

脂肪族カルボン酸化合物としては、一般式（ＩＸ）   Examples of the aliphatic carboxylic acid compound include those represented by the general formula (IX)

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わし、このうち、少なくとも１つは、脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物が用いられる。
Figure 2006091824
 (However, R 4 , R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic group, and at least one of them is a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group)
The aliphatic carboxylic acid compound represented by these is used.

一般式（ＩＸ）で表わされる脂肪族カルボン酸化合物の具体例としては、例えば、ドデシルコハク酸、トリデシルコハク酸、テトラデシルコハク酸、ペンタデシルコハク酸、オクタデシルコハク酸、エイコシルコハク酸、ドコシルコハク酸、２，３−ジヘキサデシルコハク酸、２，３−ジオクタデシルコハク酸、２−メチル−３−ドデシルコハク酸、２−メチル−３−テトラデシルコハク酸、２−メチル−３−ヘキサデシルコハク酸、２−メチル−３−ドデシルコハク酸、２−エチル−３−ドデシルコハク酸、２−プロピル−３−ドデシルコハク酸、２−オクチル−３−ヘキサデシルコハク酸、２−テトラデシル−３−オクタデシルコハク酸等が挙げられる。   Specific examples of the aliphatic carboxylic acid compound represented by the general formula (IX) include, for example, dodecyl succinic acid, tridecyl succinic acid, tetradecyl succinic acid, pentadecyl succinic acid, octadecyl succinic acid, eicosyl succinic acid, docosyl succinic acid. Acid, 2,3-dihexadecyl succinic acid, 2,3-dioctadecyl succinic acid, 2-methyl-3-dodecyl succinic acid, 2-methyl-3-tetradecyl succinic acid, 2-methyl-3-hexadecyl Succinic acid, 2-methyl-3-dodecyl succinic acid, 2-ethyl-3-dodecyl succinic acid, 2-propyl-3-dodecyl succinic acid, 2-octyl-3-hexadecyl succinic acid, 2-tetradecyl-3- Examples include octadecyl succinic acid.

脂肪族カルボン酸化合物としては、一般式（Ｘ）   As an aliphatic carboxylic acid compound, general formula (X)

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わし、このうち、少なくとも１つは、脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物が用いられる。
Figure 2006091824
 (However, R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic group, and at least one of them is a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group)
The aliphatic carboxylic acid compound represented by these is used.

一般式（Ｘ）で表わされる脂肪族カルボン酸化合物の具体例としては、例えば、ドデシルマロン酸、テトラデシルマロン酸、ヘキサデシルマロン酸、オクタデシルマロン酸、エイコシルマロン酸、ドコシルマロン酸、テトラコシルマロン酸、ジドデシルマロン酸、ジテトラデシルマロン酸、ジヘキサデシルマロン酸、ジオクタデシルマロン酸、ジエイコシルマロン酸、ジドコシルマロン酸、メチルオクタデシルマロン酸、メチルエイコシルマロン酸、メチルドコシルマロン酸、メチルテトラコシルマロン酸、エチルオクタデシルマロン酸、エチルエイコシルマロン酸、エチルドコシルマロン酸、エチルテトラコシルマロン酸等が挙げられる。   Specific examples of the aliphatic carboxylic acid compound represented by the general formula (X) include, for example, dodecylmalonic acid, tetradecylmalonic acid, hexadecylmalonic acid, octadecylmalonic acid, eicosylmalonic acid, docosylmalonic acid, tetracosyl. Malonic acid, didodecylmalonic acid, ditetradecylmalonic acid, dihexadecylmalonic acid, dioctadecylmalonic acid, dieicosylmalonic acid, didocosylmalonic acid, methyloctadecylmalonic acid, methyleicosylmalonic acid, methyldocosylmalonic acid Methyltetracosylmalonic acid, ethyloctadecylmalonic acid, ethyleicosylmalonic acid, ethyldocosylmalonic acid, ethyltetracosylmalonic acid and the like.

脂肪族カルボン酸化合物としては、一般式（ＸＩ）   Examples of the aliphatic carboxylic acid compound include those represented by the general formula (XI)

Figure 2006091824
（ただし、Ｒ９は、脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、ｎは０又は１であり、ｎが０の場合、ｍは２又は３であり、ｎが１の場合、ｍは１又は２である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物が用いられる。
Figure 2006091824
 (However, R 9 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group, n is 0 or 1, and when n is 0, m is 2 or 3, and n is 1. Where m is 1 or 2)
The aliphatic carboxylic acid compound represented by these is used.

一般式（ＸＩ）で表わされる脂肪族カルボン酸化合物の具体例としては、例えば、２−ドデシルグルタル酸、２−ヘキサデシルグルタル酸、２−オクタデシルグルタル酸、２−エイコシルグルタル酸、２−ドコシルグルタル酸、２−ドデシルアジピン酸、２−ペンタデシルアジピン酸、２−オクタデシルアジピン酸、２−エイコシルアジピン酸、２−ドコシルアジピン酸等が挙げられる。   Specific examples of the aliphatic carboxylic acid compound represented by the general formula (XI) include, for example, 2-dodecyl glutaric acid, 2-hexadecyl glutaric acid, 2-octadecyl glutaric acid, 2-eicosyl glutaric acid, 2-doco Examples include silglutaric acid, 2-dodecyladipic acid, 2-pentadecyladipic acid, 2-octadecyladipic acid, 2-eicosyladipic acid, and 2-docosyladipic acid.

フェノール化合物としては、一般式（ＸＩＩ）   As a phenol compound, general formula (XII)

Figure 2006091824
（ただし、Ｙは、チオ基、オキシ基、−ＣＯＮＨ−又は−ＣＯＯ−を表わし、Ｒ１０は、脂肪族基等を含む炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、ｌは１、２又は３である）
で表わされるフェノール化合物が用いられる。
Figure 2006091824
 (Y represents a thio group, an oxy group, —CONH— or —COO—, R 10 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms including an aliphatic group, and l is 1, 2 or 3) Is)
The phenol compound represented by these is used.

一般式（ＸＩＩ）で表わされるフェノール化合物の具体例としては、例えば、ｐ−（ドデシルチオ）フェノール、ｐ−（テトラデシルチオ）フェノール、ｐ−（ヘキサデシルチオ）フェノール、ｐ−（オクタデシルチオ）フェノール、ｐ−（エイコシルチオ）フェノール、ｐ−（ドコシルチオ）フェノール、ｐ−（テトラコシルチオ）フェノール、ｐ−（ドデシルオキシ）フェノール、ｐ−（テトラデシルオキシ）フェノール、ｐ−（ヘキサデシルオキシ）フェノール、ｐ−（オクタデシルオキシ）フェノール、ｐ−（エイコシルオキシ）フェノール、ｐ−（ドコシルオキシ）フェノール、ｐ−（テトラコシルオキシ）フェノール、ｐ−ドデシルカルバモイルフェノール、ｐ−テトラデシルカルバモイルフェノール、ｐ−ヘキサデシルカルバモイルフェノール、ｐ−オクタデシルカルバモイルフェノール、ｐ−エイコシルカルバモイルフェノール、ｐ−ドコシルカルバモイルフェノール、ｐ−テトラコシルカルバモイルフェノール、没食子酸ヘキサデシルエステル、没食子酸オクタデシルエステル、没食子酸エイコシルエステル、没食子酸ドコシルエステル、没食子酸テトラコシルエステル等が挙げられる。   Specific examples of the phenol compound represented by the general formula (XII) include, for example, p- (dodecylthio) phenol, p- (tetradecylthio) phenol, p- (hexadecylthio) phenol, p- (octadecylthio) phenol, p -(Eicosylthio) phenol, p- (docosylthio) phenol, p- (tetracosylthio) phenol, p- (dodecyloxy) phenol, p- (tetradecyloxy) phenol, p- (hexadecyloxy) phenol, p- (Octadecyloxy) phenol, p- (eicosyloxy) phenol, p- (docosyloxy) phenol, p- (tetracosyloxy) phenol, p-dodecylcarbamoylphenol, p-tetradecylcarbamoylphenol, p-hexadecylcarba Ylphenol, p-octadecylcarbamoylphenol, p-eicosylcarbamoylphenol, p-docosylcarbamoylphenol, p-tetracosylcarbamoylphenol, gallic acid hexadecyl ester, gallic acid octadecyl ester, gallic acid eicosyl ester, gallic acid doco Examples include syl esters and gallic acid tetracosyl esters.

上述のメモリ素子の記録層における、フルギド系化合物、ジアリールエテン系化合物等のフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物を含むマイクロカプセルの形成方法としては、界面重合法、ｉｎ−ｓｉｔｕ重合法、コアセルベーション法等の従来のよく知られている方法でよく、特に制限はなく、例えば、以下のような手順で形成できる。   As a method for forming a microcapsule containing a photochromic compound such as a fulgide compound or a diarylethene compound and an electron accepting compound in the recording layer of the memory element described above, an interfacial polymerization method, an in-situ polymerization method, a coacervation method, or the like The conventional well-known method may be used, and is not particularly limited. For example, it can be formed by the following procedure.

上述のフォトクロミック化合物と電子受容性化合物の熱溶融物又は共通溶媒に溶解させた溶液を、カプセルのシェル（皮膜）形成材料と、必要に応じて、界面活性剤、保護コロイド、ｐＨ調整剤、電解質等を含有させた水又は有機溶媒中に加え、高速攪拌により乳化又は分散させて所望のサイズの微粒子とし、上述のような一般的な方法で微粒子と水又は有機溶媒との界面においてシェルを形成すればよい。シェル形成材料としては、例えば、ポリ尿素、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ゼラチン、エチルセルロース、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル等の高分子化合物が挙げられる。また、シェル（皮膜）形成後に、例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、アルデヒド系化合物、イソシアネート系化合物等で処理して架橋してもよい。架橋によって、シェルをより強固にでき、耐熱性を向上することができる。さらに、その表面を、アラビアゴム、ゼラチン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリアクリル酸ソーダ、ポリアクリル酸アマイド、スチレン−無水マレイン酸共重合物、エチレン−無水マレイン酸共重合物等の親水性高分子化合物により被覆すれば、シェルは、より一層強固なものになる。   A solution of the above-mentioned photochromic compound and electron-accepting compound dissolved in a hot melt or a common solvent is used as a capsule shell (film) forming material and, if necessary, a surfactant, a protective colloid, a pH adjuster, an electrolyte. In addition to water or organic solvent containing etc., it is emulsified or dispersed by high-speed stirring to form fine particles of the desired size, and a shell is formed at the interface between the fine particles and water or organic solvent by the general method described above. do it. Examples of the shell forming material include polymer compounds such as polyurea, polyamide, polyester, polyurethane, epoxy resin, urea resin, melamine resin, gelatin, ethyl cellulose, polystyrene, and polyvinyl acetate. Moreover, after forming the shell (film), for example, melamine resin, urea resin, epoxy resin, aldehyde compound, isocyanate compound or the like may be used for crosslinking. By crosslinking, the shell can be made stronger and the heat resistance can be improved. Furthermore, the surface is made of gum arabic, gelatin, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol, carboxymethyl cellulose, methyl cellulose, ethyl cellulose, polyacrylic acid soda, polyacrylic acid amide, styrene-maleic anhydride copolymer, ethylene-maleic anhydride copolymer. If it coats with hydrophilic polymer compounds, such as a thing, a shell will become still stronger.

フォトクロミック化合物と電子受容性化合物の混合比については、用いる各材料の組み合わせにより適切な混合比が異なる場合があり、一概には言えないが、フォトクロミック化合物：５〜３０質量％、電子受容性化合物：２０〜８０質量％の範囲で混合した場合に好ましい結果が得られることが多い。   Regarding the mixing ratio of the photochromic compound and the electron-accepting compound, an appropriate mixing ratio may vary depending on the combination of the materials used, and it cannot be generally stated, but the photochromic compound: 5 to 30% by mass, the electron-accepting compound: When mixing in the range of 20 to 80% by mass, preferable results are often obtained.

上述のように得られたマイクロカプセルは、不要な水又は有機溶媒を除いた後、さらに、必要に応じて、加熱又は減圧する等してマイクロカプセル中の溶媒を除去し、適当な分散媒に分散させて、例えば、印刷法、スピンコート法、ブレード法等の塗布法に類する方法で支持基板上に置き、記録層を形成することができる。   After removing unnecessary water or organic solvent, the microcapsules obtained as described above are further heated or depressurized, if necessary, to remove the solvent in the microcapsules and prepare an appropriate dispersion medium. The recording layer can be formed by dispersing and placing on a support substrate by a method similar to a coating method such as a printing method, a spin coating method, or a blade method.

支持基板の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート等のような透明材料及びこれらに白又は他の色に着色した材料、紙等の不透明材料が挙げられる。   Examples of the material for the support substrate include transparent materials such as polyethylene terephthalate, polyethersulfone, and polycarbonate, materials colored in white or other colors, and opaque materials such as paper.

マイクロカプセルのサイズとしては、粒子径が０．１〜５０μｍ程度であることが好ましい。   The size of the microcapsule is preferably about 0.1 to 50 μm in particle size.

このようにマイクロカプセル化することで、フォトクロミック化合物と電子受容性化合物との相互作用を疎外し得る他の媒体構成要素の影響を抑制し、熱処理による両化合物の相互作用の確実な制御が可能となり、消色感度の確実な可逆切り替えが可能となる。   By microencapsulating in this way, the influence of other media components that can alienate the interaction between the photochromic compound and the electron-accepting compound can be suppressed, and the interaction between the two compounds can be reliably controlled by heat treatment. In addition, the reversible switching of the decolorization sensitivity is possible.

加熱手段としては、ヒートローラー、サーマルヘッド、ハロゲンヒーター、セラミックヒーター、石英管ヒーター等を始めとする従来のヒーター類を用いることができ、ヒーター類の加熱温度、メモリ素子との近接距離と時間、当接圧と時間等の条件により、記録層の加熱温度、加熱時間等を調整できる。   As the heating means, conventional heaters such as a heat roller, a thermal head, a halogen heater, a ceramic heater, a quartz tube heater, etc. can be used, the heating temperature of the heaters, the proximity distance and time with the memory element, The recording layer heating temperature, heating time, and the like can be adjusted according to conditions such as contact pressure and time.

また、上述のメモリ素子の中で記録層の形成において用いられるバインダー材としては、成膜可能であり、硬化後の透明性に優れる樹脂材料を用いることが好ましい。このような樹脂材料として、例えば、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。また、この他に、フェノキシ樹脂、芳香族ポリエステル、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等を用いることもできる。これらのようなバインダー材を適当な溶媒に溶解させた溶液にマイクロカプセルを分散させ、例えば、印刷法、スピンコート法、ブレード法等の塗布法で支持基板上に成膜することができる。これにより、マイクロカプセル相互及びマイクロカプセルと支持基板との付着性が向上し、膜としての物理強度が大きな記録層、そしてメモリ素子が得られる。   Further, as the binder material used in forming the recording layer in the memory element described above, it is preferable to use a resin material that can be formed into a film and has excellent transparency after curing. Examples of such a resin material include polystyrene, polyester, polycarbonate, polymethyl methacrylate, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and polyvinyl acetate. In addition, a phenoxy resin, an aromatic polyester, a phenol resin, an epoxy resin, or the like can be used. The microcapsules can be dispersed in a solution obtained by dissolving such a binder material in an appropriate solvent, and can be formed on the supporting substrate by a coating method such as a printing method, a spin coating method, or a blade method. Thereby, the adhesion between the microcapsules and between the microcapsules and the support substrate is improved, and a recording layer and a memory element having a large physical strength as a film can be obtained.

赤外吸収色素としては、７００ｎｍ以上の赤外域に吸収を持つナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、金属錯体系色素等を用いることができる。（５）のメモリ素子におけるように赤外吸収剤をマイクロカプセル中に含ませる場合、フォトクロミック化合物、電子受容性化合物及び赤外吸収色素の混合比については、用いる各材料の組み合わせにより適切な混合比が異なる場合があり、一概には言えないが、フォトクロミック化合物：５〜３０質量％、電子受容性化合物：２０〜８０質量％、赤外吸収色素：５〜３０質量％の範囲で混合した場合に好ましい結果が得られることが多い。   As the infrared absorbing dye, naphthalocyanine dyes, cyanine dyes, metal complex dyes and the like having absorption in the infrared region of 700 nm or more can be used. When the infrared absorber is contained in the microcapsule as in the memory element of (5), the mixing ratio of the photochromic compound, the electron-accepting compound, and the infrared-absorbing dye is appropriate depending on the combination of the materials used. May be different and can not be generally stated, but when mixed in the range of photochromic compound: 5-30% by mass, electron accepting compound: 20-80% by mass, infrared absorbing dye: 5-30% by mass Often favorable results are obtained.

赤外光を照射することにより、マイクロカプセル中に含まれる赤外吸収色素が発熱することで、（１）及び（２）において、状態Ａを得るために、電子受容性化合物の溶融温度以上の温度（Ｉ）に一時的に加熱する工程及び状態Ｂを得るために、電子受容性化合物の溶融温度未満の温度（ＩＩ）に一時的に加熱する工程が可能となる。赤外吸収色素がフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物と共にマイクロカプセル中に存在するため、赤外吸収色素の発熱により効率的な熱処理が可能となる。   By irradiating infrared light, the infrared absorbing dye contained in the microcapsule generates heat, and in (1) and (2), in order to obtain the state A, the melting point of the electron accepting compound is higher than the melting temperature. In order to obtain the process of temporarily heating to the temperature (I) and the state B, a process of temporarily heating to the temperature (II) below the melting temperature of the electron-accepting compound becomes possible. Since the infrared absorbing dye is present in the microcapsule together with the photochromic compound and the electron accepting compound, efficient heat treatment can be performed by heat generation of the infrared absorbing dye.

赤外光を照射する光源としては、赤外ランプと不要な波長域の光をカットするための光学フィルターを組み合わせた構成の光源を用いてもよいし、所定の領域のみを加熱する場合はＬＥＤ、ＬＤ等の特定波長域の光を発する発光素子を用いてもよい。   As a light source for irradiating infrared light, a light source having a combination of an infrared lamp and an optical filter for cutting light in an unnecessary wavelength range may be used. When heating only a predetermined region, an LED is used. A light emitting element that emits light in a specific wavelength region such as an LD may be used.

記録層の形成において、バインダー材を用いて成膜する方法について上述したが、（６）のメモリ素子におけるように、赤外吸収剤をバインダー材中に含ませる場合には、上述の方法において、予めバインダー材と赤外吸収色素を共に適当な溶媒に溶解させておくことにより、バインダー材部分に赤外吸収色素が均一に分散した記録層が得られる。マイクロカプセル中ではなく、バインダー材部分に赤外吸収色素を含有させるものであり、マイクロカプセルの形成の自由度は大きい。感光層中のバインダー材は、重量でマイクロカプセルの０．１〜１００倍とすることが好ましい。赤外光を照射することで加熱工程を行うことが可能となる。   In the formation of the recording layer, the method for forming a film using a binder material has been described above. However, in the case of including an infrared absorber in the binder material as in the memory element of (6), in the above method, By previously dissolving the binder material and the infrared absorbing dye in an appropriate solvent, a recording layer in which the infrared absorbing dye is uniformly dispersed in the binder material portion can be obtained. Infrared-absorbing dye is contained in the binder material, not in the microcapsules, and the degree of freedom in forming the microcapsules is great. The binder material in the photosensitive layer is preferably 0.1 to 100 times the microcapsule by weight. It becomes possible to perform a heating process by irradiating with infrared light.

（１）、（２）、（５）、（６）のメモリ素子の構成としては、支持基板上の記録層の上に反射層を設けたものであって、この場合、所望により設けられる保護層は、記録層と反射層の間又は反射層上に設けられていてもよく（図４）、支持基板上に、順に反射層、記録層、保護層を設けたもの（図５）でもよい。図４に示すメモリ素子の場合には、照射光を支持基板側から照射するのが好適であり、図５に示すメモリ素子の場合には、照射光を逆に支持基板上に設けられた層の上から照射するのが好適である。   The memory elements (1), (2), (5), and (6) are configured by providing a reflective layer on a recording layer on a support substrate. In this case, protection provided as desired. The layer may be provided between the recording layer and the reflective layer or on the reflective layer (FIG. 4), or may be provided with a reflective layer, a recording layer, and a protective layer in order on the support substrate (FIG. 5). . In the case of the memory element shown in FIG. 4, it is preferable to irradiate the irradiation light from the support substrate side. In the case of the memory element shown in FIG. 5, the layer provided on the support substrate on the contrary. It is preferable to irradiate from above.

（７）のメモリ素子のように、赤外吸収剤を含む発熱層を設ける場合、発熱層を構成する材料としては、赤外吸収剤の他に、必要に応じて、バインダー材を用いてもよく、例えば、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。また、この他に、フェノキシ樹脂、芳香族ポリエステル、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等を用いることもできる。発熱層は、赤外吸収剤を、用いるバインダー材と共に適当な溶媒に溶解させて塗布法等で形成すればよい。   When a heat generating layer containing an infrared absorber is provided as in the memory element of (7), as a material constituting the heat generating layer, a binder material may be used as necessary in addition to the infrared absorber. For example, polystyrene, polyester, polycarbonate, polymethyl methacrylate, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl acetate, and the like can be given. In addition, a phenoxy resin, an aromatic polyester, a phenol resin, an epoxy resin, or the like can be used. The heat generating layer may be formed by dissolving the infrared absorber in a suitable solvent together with the binder material to be used by a coating method or the like.

発熱層の構成要素となる赤外吸収剤及びバインダー材の混合比についても、用いる各材料の組み合わせにより適切な混合比が異なる場合があり、一概には言えないが、赤外吸収剤：２０〜８０％、バインダー材：２０〜８０％の範囲で混合した場合に好ましい結果が得られることが多い。   Regarding the mixing ratio of the infrared absorber and the binder material constituting the heat generating layer, the appropriate mixing ratio may differ depending on the combination of the materials used. When mixed in the range of 80%, binder material: 20 to 80%, preferable results are often obtained.

発熱層は、赤外光を照射することで、（１）、（２）、（５）、（６）のメモリ素子の場合と同様に加熱工程を行うことが可能となる。   By irradiating the heat generation layer with infrared light, the heating step can be performed as in the case of the memory elements of (1), (2), (5), and (6).

（７）のメモリ素子の構成としては、支持基板上に、順に記録層、発熱層、反射層を設け、さらに所望により、保護層を、例えば、記録層と発熱層の間、発熱層と反射層の間又は反射層上に設けてもよいし（図６参照）、支持基板上に、順に発熱層、記録層、反射層を設け、さらに所望により、保護層を、例えば、記録層と反射層の間又は反射層上に設けてもよいし（図７参照）、支持基板上に、順に反射層、記録層、発熱層を設け、さらに所望により、保護層を、例えば、記録層と発熱層の間又は発熱層上に設けてもよいし（図８参照）、支持基板上に、順に反射層、発熱層、記録層を設け、さらに所望により、保護層を、例えば、記録層上に設けてもよい（図９参照）。   As a configuration of the memory element of (7), a recording layer, a heat generating layer, and a reflective layer are provided in this order on a support substrate, and a protective layer is optionally provided between the recording layer and the heat generating layer, for example, between the heat generating layer and the reflective layer. It may be provided between the layers or on the reflective layer (see FIG. 6), and a heat generating layer, a recording layer, and a reflective layer are provided in this order on the support substrate, and a protective layer, for example, a reflective layer and a reflective layer is optionally provided. It may be provided between the layers or on the reflective layer (see FIG. 7), and on the support substrate, a reflective layer, a recording layer, and a heat generating layer are provided in this order, and a protective layer, for example, a recording layer and a heat generating layer, if desired. It may be provided between the layers or on the heat generating layer (see FIG. 8), and a reflective layer, a heat generating layer, and a recording layer are sequentially provided on the support substrate, and a protective layer may be provided on the recording layer, for example, if desired. It may be provided (see FIG. 9).

図６及び図７に示すメモリ素子の場合には、照射光を支持基板側から照射するのが好適であり、図８及び図９に示すメモリ素子の場合には、照射光を逆に支持基板上に設けられた層の上から照射するのが好適である。   In the case of the memory element shown in FIGS. 6 and 7, it is preferable to irradiate the irradiation light from the support substrate side. In the case of the memory element shown in FIGS. It is preferable to irradiate from above the layer provided.

記録層及び発熱層を形成する方法としては、印刷法、スピンコート法、ブレード法等の塗布法に類する方法の他に、蒸着法を用いることができる。記録層及び発熱層の厚みについては、０．５μｍ〜１０μｍ程度が好ましい。   As a method for forming the recording layer and the heat generating layer, a vapor deposition method can be used in addition to a method similar to a coating method such as a printing method, a spin coating method, and a blade method. The thickness of the recording layer and the heat generating layer is preferably about 0.5 μm to 10 μm.

紫外光を照射する光源としては、水銀ランプ、キセノンランプ等に光学フィルターを組み合わせて所望の波長域の紫外光を取り出して用いてもよいし、ＬＥＤ、ＬＤ等の特定波長域の光を発する発光素子を用いてもよく、また、メモリ素子全面を照射する場合あるいは所定の領域のみ照射する場合等で適宜選択すればよい。   As a light source for irradiating ultraviolet light, a mercury lamp, a xenon lamp, or the like may be combined with an optical filter to extract and use ultraviolet light in a desired wavelength range, or light emission that emits light in a specific wavelength range such as an LED or LD. An element may be used, and may be selected as appropriate when the entire surface of the memory element is irradiated or only a predetermined region is irradiated.

可視光を照射する光源としては、白色光光源に光学フィルターを組み合わせた構成のランプ類を用いてもよいし、ＬＥＤ、ＬＤ等の特定波長域の光を発する発光素子を用いてもよく、また、メモリ素子全面を照射する場合あるいは所定の領域のみ照射する場合等で適宜選択すればよい。   As a light source for irradiating visible light, lamps having a configuration in which an optical filter is combined with a white light source may be used, or a light emitting element that emits light in a specific wavelength region such as an LED or LD may be used. The selection may be made as appropriate depending on whether the entire surface of the memory element is irradiated or only a predetermined region is irradiated.

記録層を、電子受容性化合物の溶融温度以上の温度又は溶融温度未満の温度に一時的に加熱する方法としては、所定の領域のみを加熱する場合は、長波長領域の可視光又は赤外光を発するＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子を用いることができ、また、全面を加熱する場合には、前述の発光素子に加え、ヒートローラー、サーマルヘッド、ハロゲンヒーター、セラミックヒーター、石英管ヒーター等を始めとするヒーター類を用いることができる。   As a method of temporarily heating the recording layer to a temperature higher than the melting temperature of the electron-accepting compound or a temperature lower than the melting temperature, when heating only a predetermined region, visible light or infrared light in a long wavelength region is used. Light emitting elements such as LEDs and LDs that emit light can be used. When heating the entire surface, in addition to the above light emitting elements, heat rollers, thermal heads, halogen heaters, ceramic heaters, quartz tube heaters, etc. The following heaters can be used.

本発明のもう一つの特徴は、上記のように、メモリ素子の表面（図４〜９参照）、反射層の界面（図５〜７参照）又は発熱層の界面（図８参照）に保護層を設けることである。保護層の材料としては、透明性が高く、硬度が高い点で、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）等が好適に用いられる。反射層の界面に保護層を設ける場合は、保護層の透明性が高くなくてもよい。保護層を形成することにより、記録層は、水分、特定のガス等による、記録層を構成する化合物の、必要な機能の発現に関わる反応に対する悪影響を低減することが可能となり、また、機械的損傷からも有効に保護されて耐久性が向上する。反射層の厚みは、５００〜３０００Å程度が好ましい。   Another feature of the present invention is that, as described above, a protective layer is provided on the surface of the memory element (see FIGS. 4 to 9), the interface of the reflective layer (see FIGS. 5 to 7), or the interface of the heat generating layer (see FIG. 8). It is to provide. As the material for the protective layer, silicone resin, acrylic resin, PVA (polyvinyl alcohol), and the like are preferably used in terms of high transparency and high hardness. When providing a protective layer at the interface of the reflective layer, the transparency of the protective layer may not be high. By forming the protective layer, the recording layer can reduce the adverse effects of moisture, specific gas, etc. on the reaction related to the expression of necessary functions of the compounds constituting the recording layer. Effectively protected from damage, durability is improved. The thickness of the reflective layer is preferably about 500 to 3000 mm.

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
（実施例１）
フォトクロミック化合物として、２−［１−（１、２−ジメチル−５−ジメチルアミノ−３−インドリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸無水物（以下、ＰＣ１と呼ぶ）を用い、電子受容性化合物として、ドコシルホスホン酸を用いた。１重量部のＰＣ１と９重量部のドコシルホスホン酸をテトラヒドロフランに溶解させ、界面活性剤を含む水溶液中に加え、高速攪拌して乳化させた。これをメラミン−ホルムアルデヒドプレポリマーを含む水溶液中に投入し、さらに酢酸を加えてｐＨを４．５に調整した後、低速で攪拌しながら７０℃で反応させることにより、分散液界面でプレポリマーが重合し、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂の皮膜を形成し、粒子径が約３μｍのマイクロカプセルが得られた。この分散液をＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）基板上にキャストしてマイクロカプセルが配列した膜を形成し、減圧下で乾燥させて記録層を形成した後、ＰＶＡによる保護層（２μｍ）及びアルミニウムによる反射膜（１０００Å）を形成し、光メモリ素子を作製した。
＜初期化工程＞
この記録層全面に基板側から紫外光を照射したところ、照射部のＰＣ１が発色してシアン色を呈した。
＜記録工程＞
次に、記録層が一時的に１１０℃に達する条件で全面を反射層側からヒートローラーで加熱処理したところ、記録層は、青色を呈した。この状態の記録層の一部に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、照射部のＰＣ１が消色し、ほぼ無色に変化した。次に、記録層が一時的に８０℃に達する条件で全面をヒートローラーで加熱処理したところ、半導体レーザー照射部は、薄黄色を呈し、それ以外の部分は、シアン色を呈した。
＜再生工程＞
両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーをそれぞれ照射したところ、反射光の強度には、両者で著しい差異が認められた。引き続き、両部分にレーザー光を長時間照射したが、両部分とも全く変化は見られなかった。
＜消去工程＞
次に、両部分に紫外光を照射したところ、薄黄色を呈していた部分がシアン色に変化したため、全体が一様にシアン色を呈した状態になった。 Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.
Example 1
As a photochromic compound, 2- [1- (1,2-dimethyl-5-dimethylamino-3-indolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic anhydride (hereinafter referred to as PC1) is used, and an electron-accepting compound As, docosylphosphonic acid was used. 1 part by weight of PC1 and 9 parts by weight of docosylphosphonic acid were dissolved in tetrahydrofuran, added to an aqueous solution containing a surfactant, and emulsified by stirring at high speed. This was put into an aqueous solution containing a melamine-formaldehyde prepolymer, further adjusted to pH 4.5 by adding acetic acid, and then reacted at 70 ° C. while stirring at low speed, so that the prepolymer was formed at the dispersion interface. Polymerization was performed to form a melamine-formaldehyde resin film, and microcapsules having a particle size of about 3 μm were obtained. This dispersion is cast on a PES (polyether sulfone) substrate to form a film in which microcapsules are arranged, dried under reduced pressure to form a recording layer, and then a protective layer (2 μm) made of PVA and aluminum. A reflective film (1000 mm) was formed to produce an optical memory element.
<Initialization process>
When the entire surface of the recording layer was irradiated with ultraviolet light from the substrate side, the PC1 in the irradiated portion was colored to give a cyan color.
<Recording process>
Next, when the entire surface was heated with a heat roller from the reflective layer side under the condition that the recording layer temporarily reached 110 ° C., the recording layer exhibited a blue color. When a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm was irradiated to a part of the recording layer in this state, the PC1 in the irradiated portion was decolored and turned almost colorless. Next, when the entire surface was heat-treated with a heat roller under the condition that the recording layer temporarily reached 80 ° C., the semiconductor laser irradiation portion exhibited a light yellow color and the other portions exhibited a cyan color.
<Regeneration process>
When both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the intensity of the reflected light was significantly different between the two. Subsequently, both portions were irradiated with laser light for a long time, but no change was observed in both portions.
<Erase process>
Next, when both portions were irradiated with ultraviolet light, the light yellow portion changed to cyan, so that the entire portion was uniformly cyan.

上述の記録、再生及び消去の各工程を何度も繰り返し行うことができ、その場合の各工程における挙動は、上述の通りであった。
（実施例２）
フォトクロミック化合物として、ＰＣ１を用い、電子受容性化合物として、ドコシルホスホン酸（溶融温度１０８℃）を用いた。１重量部のＰＣ１と９重量部のドコシルホスホン酸をテトラヒドロフランに溶解させ、保護コロイド水溶液中に加え、高速攪拌して乳化させた。炭酸ナトリウムを加えてｐＨを９とした後、尿素−ホルムアルデヒドプレポリマーを加え、さらに酢酸を加えてｐＨを４に調整した後、６０℃で反応させることにより、分散液界面でプレポリマーが重合して、尿素−ホルムアルデヒド樹脂の皮膜を形成し、粒子径が約５μｍのマイクロカプセルが得られた。この分散液からマイクロカプセルを取り出して減圧下で乾燥させ、ポリカーボネート溶液に分散させてＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）基板上にキャストして記録層（２μｍ）を形成した後、ＰＶＡによる保護層（２μｍ）及びアルミニウムによる反射膜（１０００Å）を形成し、光メモリ素子を作製した。
＜初期化工程＞
この記録層全面に基板側から紫外光を照射したところ、照射部のＰＣ１が発色してシアン色を呈した。
＜記録工程＞
次に、記録層が一時的に１１０℃に達する条件で全面を反射層側からヒートローラーで加熱処理したところ、記録層は青色を呈した。この状態の記録層の一部に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、照射部のＰＣ１が消色し、ほぼ無色に変化した。次に、記録層が一時的に８０℃に達する条件で全面をヒートローラーで加熱処理したところ、半導体レーザー照射部は薄黄色を呈し、それ以外の部分は、シアン色を呈した。
＜再生工程＞
両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーをそれぞれ照射したところ、反射光の強度には、両者で著しい差異が認められた。引き続き、両部分にレーザー光を長時間照射したが、両部分とも全く変化は見られなかった。
＜消去工程＞
次に、両部分に紫外光を照射したところ、薄黄色を呈していた部分がシアン色に変化したため、全体が一様にシアン色を呈した状態になった。 The above-described recording, reproducing and erasing steps can be repeated many times, and the behavior in each step in this case is as described above.
(Example 2)
PC1 was used as the photochromic compound, and docosylphosphonic acid (melting temperature 108 ° C.) was used as the electron-accepting compound. 1 part by weight of PC1 and 9 parts by weight of docosylphosphonic acid were dissolved in tetrahydrofuran, added to a protective colloid aqueous solution, and emulsified by stirring at high speed. Sodium carbonate is added to adjust the pH to 9, urea-formaldehyde prepolymer is added, acetic acid is added to adjust the pH to 4, and the prepolymer is polymerized at the dispersion interface by reacting at 60 ° C. As a result, a film of urea-formaldehyde resin was formed, and microcapsules having a particle size of about 5 μm were obtained. Microcapsules were taken out from this dispersion, dried under reduced pressure, dispersed in a polycarbonate solution, cast on a PES (polyethersulfone) substrate to form a recording layer (2 μm), and then a protective layer (2 μm) made of PVA. ) And an aluminum reflective film (1000 mm) were formed to produce an optical memory element.
<Initialization process>
When the entire surface of the recording layer was irradiated with ultraviolet light from the substrate side, the PC1 in the irradiated portion was colored to give a cyan color.
<Recording process>
Next, when the entire surface was heated with a heat roller from the reflective layer side under the condition that the recording layer temporarily reached 110 ° C., the recording layer exhibited a blue color. When a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm was irradiated to a part of the recording layer in this state, the PC1 in the irradiated portion was decolored and turned almost colorless. Next, when the entire surface of the recording layer was heat-treated with a heat roller under the condition that the temperature reached 80 ° C., the semiconductor laser irradiation portion exhibited a light yellow color, and the other portions exhibited a cyan color.
<Regeneration process>
When both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the intensity of the reflected light was significantly different between the two. Subsequently, both portions were irradiated with laser light for a long time, but no change was observed in both portions.
<Erase process>
Next, when both portions were irradiated with ultraviolet light, the light yellow portion changed to cyan, so that the entire portion was uniformly cyan.

上述の記録、再生及び消去の各工程を何度も繰り返し行うことができ、その場合の各工程における挙動は、上述の通りであった。
（実施例３）
実施例２と同様に、光メモリ素子を作製した。
＜初期化工程＞
この光メモリ素子に対し、記録層が一時的に１１０℃に達する条件で全面を反射層側からヒートローラーで加熱処理し、赤色のランプ光源を用いて全面を基板側から照射したところ、ＰＣ１が消色してほぼ無色になった。
＜記録工程＞
次に、この状態の記録層の一部に紫外光を照射したところ、照射部のＰＣ１が発色して青色を呈した。さらに、照射部を含む領域の記録層が一時的に８０℃に達する条件で全面をヒートローラーで加熱処理したところ、照射部はシアン色に、それ以外の部分は、薄黄色に変化した。
＜再生工程＞
両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーをそれぞれ照射したところ、反射光の強度には、両者で著しい差異が認められた。引き続き、両部分にレーザー光を長時間照射したが、両部分とも全く変化は見られなかった。
＜消去工程＞
記録層が一時的に１１０℃に達する条件で全面を反射層側からヒートローラーで加熱処理したところ、シアン色だった部分は、青色に、薄黄色だった部分は、ほぼ無色に変化した。次に、両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、ほぼ無色だった部分は、変化がなく、青色を呈していた部分が、ほぼ無色に変化したため、両部分が同様の状態になった。さらに、記録層が一時的に８０℃に達する条件で全面を反射層側からヒートローラーで加熱処理したところ、ほぼ無色の部分は、薄黄色を呈した。 The above-described recording, reproducing and erasing steps can be repeated many times, and the behavior in each step in this case is as described above.
(Example 3)
An optical memory element was fabricated in the same manner as in Example 2.
<Initialization process>
When the entire surface of the optical memory element was heated with a heat roller from the reflective layer side under the condition that the recording layer temporarily reached 110 ° C., and the entire surface was irradiated from the substrate side using a red lamp light source, the PC1 was turned off. Colored and almost colorless.
<Recording process>
Next, when a part of the recording layer in this state was irradiated with ultraviolet light, the PC1 of the irradiated portion was colored to exhibit a blue color. Furthermore, when the entire surface of the recording layer including the irradiated portion was heated with a heat roller under the condition that the temperature reached 80 ° C., the irradiated portion changed to cyan and the other portions changed to light yellow.
<Regeneration process>
When both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the intensity of the reflected light was significantly different between the two. Subsequently, both portions were irradiated with laser light for a long time, but no change was observed in both portions.
<Erase process>
When the entire surface of the recording layer was heated at 110 ° C. with a heat roller from the reflective layer side, the cyan portion changed to blue and the light yellow portion changed to almost colorless. Next, when both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the almost colorless portion was not changed, and the blue portion was changed to almost colorless, so both portions were in the same state. became. Further, when the entire surface was heated with a heat roller from the reflective layer side under the condition that the recording layer temporarily reached 80 ° C., the almost colorless portion was light yellow.

上述の記録、再生及び消去の各工程を何度も繰り返し行うことができ、その場合の各工程における挙動は、上述の通りであった。
（実施例４）
フォトクロミック化合物として、２−［１−（２、５−ジメチル−１−ｐ−ジメチルアミノフェニル−３−ピロリル）エチリデン］−３−イソプロピリデンコハク酸−Ｎ−ｐ−ジメチルアミノフェニルイミド（以下、ＰＣ２と呼ぶ）を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。
＜初期化工程＞
この記録層全面に基板側から紫外光を照射したところ、照射部のＰＣ２が発色して青色を呈した。
＜記録工程＞
次に、記録層が一時的に１１０℃に達する条件で全面を反射層側からヒートローラーで加熱処理したところ、記録層は、紫色を呈した。この状態の記録層の一部に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、照射部のＰＣ２が消色し、ほぼ無色に変化した。次に、記録層が一時的に８０℃に達する条件で全面をヒートローラーで加熱処理したところ、半導体レーザー照射部は、無色のまま変わらず、それ以外の部分は、青色を呈した。
＜再生工程＞
両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーをそれぞれ照射したところ、反射光の強度には、両者で著しい差異が認められた。引き続き、両部分にレーザー光を長時間照射したが、両部分とも全く変化は見られなかった。
＜消去工程＞
次に、両部分に紫外光を照射したところ、無色の部分が青色に変化したため、全体が一様に青色を呈した状態になった。 The above-described recording, reproducing and erasing steps can be repeated many times, and the behavior in each step in this case is as described above.
Example 4
As a photochromic compound, 2- [1- (2,5-dimethyl-1-p-dimethylaminophenyl-3-pyrrolyl) ethylidene] -3-isopropylidene succinic acid-Np-dimethylaminophenylimide (hereinafter referred to as PC2). An optical memory element was fabricated in the same manner as in Example 2 except that the above was used.
<Initialization process>
When the entire surface of the recording layer was irradiated with ultraviolet light from the substrate side, PC2 in the irradiated portion was colored to exhibit a blue color.
<Recording process>
Next, when the entire surface was heated with a heat roller from the reflective layer side under the condition that the recording layer temporarily reached 110 ° C., the recording layer was purple. When a part of the recording layer in this state was irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the PC2 in the irradiated portion was decolored and turned almost colorless. Next, when the entire surface of the recording layer was heat-treated with a heat roller under the condition that the temperature reached 80 ° C., the semiconductor laser irradiation portion remained colorless and the other portions were blue.
<Regeneration process>
When both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the intensity of the reflected light was significantly different between the two. Subsequently, both portions were irradiated with laser light for a long time, but no change was observed in both portions.
<Erase process>
Next, when both portions were irradiated with ultraviolet light, the colorless portion changed to blue, so that the whole became uniformly blue.

上述の記録、再生及び消去の各工程を何度も繰り返し行うことができ、その場合の各工程における挙動は、上述の通りであった。
（実施例５）
フォトクロミック化合物として、１，２−ビス（２−メチル−５−（４−ジメチルアミノ）フェニル−３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン（以下、ＰＣ３と呼ぶ）を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。
＜初期化工程＞
この記録層全面に基板側から紫外光を照射したところ、照射部のＰＣ３が発色して青色を呈した。
＜記録工程＞
次に、記録層が一時的に１１０℃に達する条件で全面を反射層側からヒートローラーで加熱処理したところ、記録層は、紫色を呈した。この状態の記録層の一部に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、照射部のＰＣ３が消色し、ほぼ無色に変化した。次に、記録層が一時的に８０℃に達する条件で全面をヒートローラーで加熱処理したところ、半導体レーザー照射部は、無色のまま変わらず、それ以外の部分は、青色を呈した。
＜再生工程＞
両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーをそれぞれ照射したところ、反射光の強度には、両者で著しい差異が認められた。引き続き、両部分にレーザー光を長時間照射したが、両部分とも全く変化は見られなかった。
＜消去工程＞
次に、両部分に紫外光を照射したところ、無色の部分が青色に変化したため、全体が一様に青色を呈した状態になった。 The above-described recording, reproducing and erasing steps can be repeated many times, and the behavior in each step in this case is as described above.
(Example 5)
As a photochromic compound, 1,2-bis (2-methyl-5- (4-dimethylamino) phenyl-3-thienyl) -3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopentene (hereinafter referred to as PC3). An optical memory element was fabricated in the same manner as in Example 2 except that (2) was used.
<Initialization process>
When the entire surface of the recording layer was irradiated with ultraviolet light from the substrate side, the PC3 in the irradiated portion was colored to exhibit a blue color.
<Recording process>
Next, when the entire surface was heated with a heat roller from the reflective layer side under the condition that the recording layer temporarily reached 110 ° C., the recording layer was purple. When a part of the recording layer in this state was irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the PC3 in the irradiated portion was decolored and turned almost colorless. Next, when the entire surface of the recording layer was heat-treated with a heat roller under the condition that the temperature reached 80 ° C., the semiconductor laser irradiation portion remained colorless and the other portions were blue.
<Regeneration process>
When both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the intensity of the reflected light was significantly different between the two. Subsequently, both portions were irradiated with laser light for a long time, but no change was observed in both portions.
<Erase process>
Next, when both portions were irradiated with ultraviolet light, the colorless portion changed to blue, so that the whole became uniformly blue.

上述の記録、再生及び消去の各工程を何度も繰り返し行うことができ、その場合の各工程における挙動は、上述の通りであった。
（実施例６）
電子受容性化合物として、α−ヒドロキシテトラデカン酸を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例２と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例２の場合よりも若干多くの時間を要した以外は、実施例１とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例７）
電子受容性化合物として、２−フルオロオクタデカン酸を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例２と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例２の場合の２倍弱の時間を要した以外は、実施例２とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例８）
電子受容性化合物として、２−オキソオクタデカン酸を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例２と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例２の場合の２倍弱程度の時間を要した以外は、実施例２とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例９）
電子受容性化合物として、２−（オクタデシルチオ）コハク酸を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例２と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、実施例２とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例１０）
電子受容性化合物として、オクタデシルコハク酸を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例２と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例２の場合よりも若干多くの時間を要した以外は、実施例２とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例１１）
電子受容性化合物として、オクタデシルマロン酸を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例２と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、実施例２とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例１２）
電子受容性化合物として、２−オクタデシルグルタル酸を用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例２と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、実施例２とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例１３）
電子受容性化合物として、ｐ−（オクタデシルチオ）フェノールを用いた以外は、実施例２と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例２と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例２の場合の２倍程度の時間を要した以外は、実施例２とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例１４）
フォトクロミック化合物として、ＰＣ１を用い、電子受容性化合物として、ドコシルホスホン酸を用い、赤外吸収色素として、Ｎｉ金属錯体系色素：三井化学ＰＡ−１００６（以下、Ｄ１と呼ぶ）を用いた。１重量部のＰＣ１と９重量部のドコシルホスホン酸と１重量部のＤ１をテトラヒドロフランに溶解させ、保護コロイド水溶液中に加え、高速攪拌して乳化させた。炭酸ナトリウムを加えてｐＨを９とした後、尿素−ホルムアルデヒドプレポリマーを加え、さらに酢酸を加えてｐＨを４に調整した後、６０℃で反応させることにより、分散液界面でプレポリマーが重合して、尿素−ホルムアルデヒド樹脂の皮膜を形成し、粒子径が約５μｍのマイクロカプセルが得られた。この分散液からマイクロカプセルを取り出して減圧下で乾燥させ、ポリカーボネート溶液に分散させてＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）基板上にキャストして記録層（２μｍ）を形成した後、ＰＶＡによる保護層（２μｍ）及びアルミニウムによる反射膜（１０００Å）を形成し、光メモリ素子を作製した。
＜初期化工程＞
この記録層全面に基板側から紫外光を照射したところ、照射部のＰＣ１が発色してシアン色を呈した。
＜記録工程＞
次に、記録層に発光波長８２５ｎｍの半導体レーザーを５０Ｗ／ｍｍ２の照度で１ミリ秒照射したところ、記録層が一時的に１１０℃に達し、記録層は、青色を呈した。この状態の記録層の一部に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、照射部のＰＣ１が消色し、ほぼ無色に変化した。次に、記録層に、発光波長８２５ｎｍの半導体レーザーを０．５Ｗ／ｍｍ２の照度で２０ミリ秒照射したところ、記録層が一時的に８０℃に達し、消色部は薄黄色を呈し、それ以外の部分は、シアン色を呈した。
＜再生工程＞
両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーをそれぞれ照射したところ、反射光の強度には、両者で著しい差異が認められた。引き続き、両部分に、発光波長６５０ｎｍのレーザー光を長時間照射したが、両部分とも全く変化は見られなかった。
＜消去工程＞
次に、両部分に紫外光を照射したところ、薄黄色を呈していた部分がシアン色に変化したため、全体が一様にシアン色を呈した状態になった。 The above-described recording, reproducing and erasing steps can be repeated many times, and the behavior in each step in this case is as described above.
(Example 6)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 2 except that α-hydroxytetradecanoic acid was used as the electron accepting compound. As in Example 2, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were carried out. As a result, it took a little more time for the decoloring of PC1 of the semiconductor laser irradiation part in the recording process than in the case of Example 2. Except for the necessity, almost the same result as in Example 1 was obtained.
(Example 7)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 2 except that 2-fluorooctadecanoic acid was used as the electron accepting compound. As in Example 2, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were carried out. As a result, the PC1 of the semiconductor laser irradiation part in the recording process was almost twice as long as in the case of Example 2. Except for the necessity, almost the same result as in Example 2 was obtained.
(Example 8)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 2 except that 2-oxooctadecanoic acid was used as the electron accepting compound. Similar to the second embodiment, the initialization process, the recording process, the reproducing process, and the erasing process were performed. Except for that, almost the same result as in Example 2 was obtained.
Example 9
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 2 except that 2- (octadecylthio) succinic acid was used as the electron accepting compound. When the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed in the same manner as in Example 2, almost the same results as in Example 2 were obtained.
(Example 10)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 2 except that octadecyl succinic acid was used as the electron accepting compound. As in Example 2, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were carried out. As a result, it took a little more time for the decoloring of PC1 of the semiconductor laser irradiation part in the recording process than in the case of Example 2. Except for the necessity, almost the same result as in Example 2 was obtained.
(Example 11)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 2 except that octadecylmalonic acid was used as the electron accepting compound. When the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed in the same manner as in Example 2, almost the same results as in Example 2 were obtained.
(Example 12)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 2 except that 2-octadecylglutaric acid was used as the electron accepting compound. When the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed in the same manner as in Example 2, almost the same results as in Example 2 were obtained.
(Example 13)
An optical memory element was produced in the same manner as in Example 2 except that p- (octadecylthio) phenol was used as the electron-accepting compound. As in Example 2, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed. As a result, the time required for erasing the PC1 of the semiconductor laser irradiation unit in the recording process was about twice as long as that in Example 2. Except for the necessity, almost the same result as in Example 2 was obtained.
(Example 14)
PC1 was used as the photochromic compound, docosylphosphonic acid was used as the electron-accepting compound, and Ni metal complex dye: Mitsui Chemicals PA-1006 (hereinafter referred to as D1) was used as the infrared absorbing dye. 1 part by weight of PC1, 9 parts by weight of docosylphosphonic acid and 1 part by weight of D1 were dissolved in tetrahydrofuran, added to a protective colloid aqueous solution, and emulsified by stirring at high speed. Sodium carbonate is added to adjust the pH to 9, urea-formaldehyde prepolymer is added, acetic acid is added to adjust the pH to 4, and the prepolymer is polymerized at the dispersion interface by reacting at 60 ° C. As a result, a film of urea-formaldehyde resin was formed, and microcapsules having a particle size of about 5 μm were obtained. Microcapsules were taken out from this dispersion, dried under reduced pressure, dispersed in a polycarbonate solution, cast on a PES (polyethersulfone) substrate to form a recording layer (2 μm), and then a protective layer (2 μm) made of PVA. ) And an aluminum reflective film (1000 mm) were formed to produce an optical memory element.
<Initialization process>
When the entire surface of the recording layer was irradiated with ultraviolet light from the substrate side, the PC1 in the irradiated portion was colored to give a cyan color.
<Recording process>
Next, when the recording layer was irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 825 nm at an illuminance of 50 W / mm 2 for 1 millisecond, the recording layer temporarily reached 110 ° C., and the recording layer exhibited a blue color. When a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm was irradiated to a part of the recording layer in this state, the PC1 in the irradiated portion was decolored and turned almost colorless. Next, when the recording layer was irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 825 nm at an illuminance of 0.5 W / mm 2 for 20 milliseconds, the recording layer temporarily reached 80 ° C., and the decolored portion exhibited a light yellow color. The other parts were cyan.
<Regeneration process>
When both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the intensity of the reflected light was significantly different between the two. Subsequently, both portions were irradiated with a laser beam having an emission wavelength of 650 nm for a long time, but no change was observed in both portions.
<Erase process>
Next, when both portions were irradiated with ultraviolet light, the light yellow portion changed to cyan, so that the entire portion was uniformly cyan.

上述の記録、再生及び消去の各工程は、何度も繰り返し行うことができ、その場合の各工程における挙動は、上述の通りであった。
（実施例１５）
実施例２と同様に、マイクロカプセルを作製した。次に、ポリカーボネート溶液にＤ１を添加し、これに、さらにマイクロカプセルを分散させて、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）基板上にキャストして記録層（２μｍ）を形成した後、ＰＶＡによる保護層（２μｍ）及びアルミニウムによる反射膜（１０００Å）を形成し、光メモリ素子を作製した。 The recording, reproducing and erasing processes described above can be repeated many times, and the behavior in each process in that case is as described above.
(Example 15)
Microcapsules were produced in the same manner as in Example 2. Next, D1 is added to the polycarbonate solution, microcapsules are further dispersed therein, cast onto a PES (polyethersulfone) substrate to form a recording layer (2 μm), and then a protective layer (PVA) ( 2 μm) and a reflective film (1000 mm) made of aluminum were formed to produce an optical memory element.

実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、実施例１４と同様の結果が得られた。
（実施例１６）
実施例２と同様にして、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）基板上に記録層を形成した後、その上に、Ｄ１とポリカーボネートを同重量部含む発熱層（２μｍ）を形成し、さらにＰＶＡによる保護層（２μｍ）及びアルミニウムによる反射膜（１０００Å）を形成し、光メモリ素子を作製した。 Similar to Example 14, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed, and the same results as in Example 14 were obtained.
(Example 16)
In the same manner as in Example 2, a recording layer was formed on a PES (polyether sulfone) substrate, and then a heating layer (2 μm) containing the same weight part of D1 and polycarbonate was formed thereon, and further protected by PVA. A layer (2 μm) and a reflective film (1000 mm) made of aluminum were formed to produce an optical memory element.

実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、実施例１４と同様の結果が得られた。
（実施例１７）
実施例１４と同様に、光メモリ素子を作製した。
＜初期化工程＞
この光メモリ素子に対し、基板側から全面に発光波長８２５ｎｍの半導体レーザーを５０Ｗ／ｍｍ２の照度で１ミリ秒照射し、続いて赤色のランプ光源を用いて照射したところ、ＰＣ１が消色して、ほぼ無色になった。
＜記録工程＞
次に、この状態の記録層の一部に紫外光を照射したところ、照射部のＰＣ１が発色して青色を呈した。さらに、照射部を含む領域の記録層に発光波長８２５ｎｍの半導体レーザーを０．５Ｗ／ｍｍ２の照度で２０ミリ秒照射したところ、照射部は、シアン色に、それ以外の部分は、薄黄色に変化した。
＜再生工程＞
両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーをそれぞれ照射したところ、反射光の強度には、両者で著しい差異が認められた。引き続き、両部分に、発光波長６５０ｎｍのレーザー光を長時間照射したが、両部分とも全く変化は見られなかった。
＜消去工程＞
光メモリ素子の全面に、発光波長８２５ｎｍの半導体レーザーを５０Ｗ／ｍｍ２の照度で１ミリ秒照射したところ、シアン色だった部分は、青色に、薄黄色だった部分は、ほぼ無色に変化した。次に、両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、ほぼ無色だった部分は、変化がなく、青色を呈していた部分が、ほぼ無色に変化したため、両部分が同様の状態になった。さらに、発光波長８２５ｎｍの半導体レーザーを０．５Ｗ／ｍｍ２の照度で２０ミリ秒照射したところ、ほぼ無色の部分は、薄黄色を呈した。 Similar to Example 14, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed, and the same results as in Example 14 were obtained.
(Example 17)
An optical memory element was fabricated in the same manner as in Example 14.
<Initialization process>
When this optical memory element was irradiated from the substrate side with a semiconductor laser having an emission wavelength of 825 nm at an illuminance of 50 W / mm 2 for 1 millisecond, and then using a red lamp light source, PC1 was decolored. Almost colorless.
<Recording process>
Next, when a part of the recording layer in this state was irradiated with ultraviolet light, the PC1 of the irradiated portion was colored to exhibit a blue color. Furthermore, when the recording layer in the region including the irradiated portion was irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 825 nm at an illuminance of 0.5 W / mm 2 for 20 milliseconds, the irradiated portion was cyan, and the other portions were light yellow. Changed.
<Regeneration process>
When both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the intensity of the reflected light was significantly different between the two. Subsequently, both portions were irradiated with a laser beam having an emission wavelength of 650 nm for a long time, but no change was observed in both portions.
<Erase process>
When the entire surface of the optical memory element was irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 825 nm at an illuminance of 50 W / mm 2 for 1 millisecond, the cyan portion turned blue and the light yellow portion turned almost colorless. Next, when both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the almost colorless portion was not changed, and the blue portion was changed to almost colorless, so both portions were in the same state. became. Further, when a semiconductor laser having an emission wavelength of 825 nm was irradiated at an illuminance of 0.5 W / mm 2 for 20 milliseconds, the almost colorless portion exhibited a light yellow color.

上述の記録、再生及び消去の各工程は、何度も繰り返し行うことができ、その場合の各工程における挙動は、上述の通りであった。
（実施例１８）
フォトクロミック化合物として、ＰＣ２を用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。
＜初期化工程＞
この記録層全面に、基板側から紫外光を照射したところ、照射部のＰＣ２が発色して青色を呈した。
＜記録工程＞
次に、記録層に、発光波長８２５ｎｍの半導体レーザーを５０Ｗ／ｍｍ２の照度で１ミリ秒照射したところ、記録層は、紫色を呈した。この状態の記録層の一部に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、照射部のＰＣ２が消色し、ほぼ無色に変化した。次に、記録層に、発光波長８２５ｎｍの半導体レーザーを０．５Ｗ／ｍｍ２の照度で２０ミリ秒照射したところ、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザー照射部は、無色のまま変わらず、それ以外の部分は、青色を呈した。
＜再生工程＞
両部分に、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザーをそれぞれ照射したところ、反射光の強度には、両者で著しい差異が認められた。引き続き、両部分に、発光波長６５０ｎｍのレーザー光を長時間照射したが、両部分とも全く変化は見られなかった。
＜消去工程＞
次に、両部分に紫外光を照射したところ、無色の部分が青色に変化したため、全体が一様に青色を呈した状態になった。 The recording, reproducing and erasing processes described above can be repeated many times, and the behavior in each process in that case is as described above.
(Example 18)
An optical memory element was fabricated in the same manner as in Example 14 except that PC2 was used as the photochromic compound.
<Initialization process>
When the entire surface of the recording layer was irradiated with ultraviolet light from the substrate side, the PC2 in the irradiated portion was colored to exhibit a blue color.
<Recording process>
Next, when the recording layer was irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 825 nm at an illuminance of 50 W / mm 2 for 1 millisecond, the recording layer exhibited a purple color. When a part of the recording layer in this state was irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the PC2 in the irradiated portion was decolored and turned almost colorless. Next, when the recording layer was irradiated with a semiconductor laser with an emission wavelength of 825 nm at an illuminance of 0.5 W / mm 2 for 20 milliseconds, the irradiated portion of the semiconductor laser with an emission wavelength of 650 nm remained colorless and the other portions Exhibited a blue color.
<Regeneration process>
When both portions were irradiated with a semiconductor laser having an emission wavelength of 650 nm, the intensity of the reflected light was significantly different between the two. Subsequently, both portions were irradiated with a laser beam having an emission wavelength of 650 nm for a long time, but no change was observed in both portions.
<Erase process>
Next, when both portions were irradiated with ultraviolet light, the colorless portion changed to blue, so that the whole became uniformly blue.

上述の記録、再生及び消去の各工程は、何度も繰り返し行うことができ、その場合の各工程における挙動は、上述の通りであった。
（実施例１９）
電子受容性化合物として、α−ヒドロキシテトラデカン酸を用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における発光波長６５０ｎｍの半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例１４の場合よりも若干多くの時間を要した以外は、実施例１４とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例２０）
電子受容性化合物として、２−フルオロオクタデカン酸を用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における発光波長６５０ｎｍの半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例１４の場合の２倍弱の時間を要した以外は、実施例１４とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例２１）
電子受容性化合物として、２−オキソオクタデカン酸を用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における発光波長６５０ｎｍの半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例１４の場合の２倍弱程度の時間を要した以外は、実施例１４とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例２２）
電子受容性化合物として、２−（オクタデシルチオ）コハク酸を用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、実施例１４とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例２３）
電子受容性化合物として、オクタデシルコハク酸を用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における発光波長６５０ｎｍの半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例１４の場合よりも若干多くの時間を要した以外は、実施例１４とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例２４）
電子受容性化合物として、オクタデシルマロン酸を用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、実施例１４とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例２５）
電子受容性化合物として、２−オクタデシルグルタル酸を用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、実施例１４とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例２６）
電子受容性化合物として、ｐ−（オクタデシルチオ）フェノールを用いた以外は、実施例１４と同様にして、光メモリ素子を作製した。実施例１４と同様に、初期化工程、記録工程、再生工程及び消去工程を実施したところ、記録工程における発光波長６５０ｎｍの半導体レーザー照射部のＰＣ１の消色に、実施例１４の場合の２倍程度の時間を要した以外は、実施例１４とほぼ同様の結果が得られた。 The recording, reproducing and erasing processes described above can be repeated many times, and the behavior in each process in that case is as described above.
(Example 19)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 14 except that α-hydroxytetradecanoic acid was used as the electron-accepting compound. As in Example 14, the initialization process, the recording process, the reproducing process, and the erasing process were carried out. As a result, the PC1 of the semiconductor laser irradiation part having an emission wavelength of 650 nm in the recording process was slightly discolored from the case of Example 14. The result was almost the same as that of Example 14 except that a lot of time was required.
(Example 20)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 14 except that 2-fluorooctadecanoic acid was used as the electron accepting compound. As in Example 14, the initialization process, the recording process, the reproducing process, and the erasing process were carried out. As a result, the PC1 in the semiconductor laser irradiation part having an emission wavelength of 650 nm in the recording process was twice as much as in the case of Example 14. A result almost the same as that of Example 14 was obtained except that a weak time was required.
(Example 21)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 14 except that 2-oxooctadecanoic acid was used as the electron accepting compound. As in Example 14, the initialization process, the recording process, the reproducing process, and the erasing process were carried out. As a result, the PC1 in the semiconductor laser irradiation part having an emission wavelength of 650 nm in the recording process was twice as much as in the case of Example 14. A result almost the same as that of Example 14 was obtained except that a weak time was required.
(Example 22)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 14 except that 2- (octadecylthio) succinic acid was used as the electron-accepting compound. Similar to Example 14, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed, and almost the same results as in Example 14 were obtained.
(Example 23)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 14 except that octadecyl succinic acid was used as the electron accepting compound. As in Example 14, the initialization process, the recording process, the reproducing process, and the erasing process were carried out. As a result, the PC1 of the semiconductor laser irradiation part having an emission wavelength of 650 nm in the recording process was slightly discolored from the case of Example 14. The result was almost the same as that of Example 14 except that a lot of time was required.
(Example 24)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 14 except that octadecylmalonic acid was used as the electron accepting compound. Similar to Example 14, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed, and almost the same results as in Example 14 were obtained.
(Example 25)
An optical memory device was produced in the same manner as in Example 14 except that 2-octadecylglutaric acid was used as the electron accepting compound. Similar to Example 14, the initialization process, the recording process, the reproduction process, and the erasing process were performed, and almost the same results as in Example 14 were obtained.
(Example 26)
An optical memory device was fabricated in the same manner as in Example 14 except that p- (octadecylthio) phenol was used as the electron accepting compound. As in Example 14, the initialization process, the recording process, the reproducing process, and the erasing process were carried out. As a result, the PC1 in the semiconductor laser irradiation part having an emission wavelength of 650 nm in the recording process was twice as much as in the case of Example 14. A result almost similar to that of Example 14 was obtained except that a certain amount of time was required.

一般的な光メモリ素子の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the general optical memory element. 電子受容性化合物の酸性基部位とフォトクロミック化合物の芳香環部位との状態を示す図である。It is a figure which shows the state of the acidic group site | part of an electron-accepting compound, and the aromatic ring site | part of a photochromic compound. 電子受容性化合物の酸性基部位とフォトクロミック化合物の芳香環部位との状態を示す他の図である。It is another figure which shows the state of the acidic group site | part of an electron-accepting compound, and the aromatic ring site | part of a photochromic compound. 本発明の光メモリ素子の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the optical memory element of this invention. 本発明の光メモリ素子の構成を示した他の図である。It is another figure which showed the structure of the optical memory element of this invention. 本発明の光メモリ素子の構成を示した他の図である。It is another figure which showed the structure of the optical memory element of this invention. 本発明の光メモリ素子の構成を示した他の図である。It is another figure which showed the structure of the optical memory element of this invention. 本発明の光メモリ素子の構成を示した他の図である。It is another figure which showed the structure of the optical memory element of this invention. 本発明の光メモリ素子の構成を示した他の図である。It is another figure which showed the structure of the optical memory element of this invention.

Claims (26)

少なくともフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物を含むマイクロカプセルを含有する記録層を支持基板上に形成したメモリ素子であって、
前記電子受容性化合物は、ルイス酸化合物であり、ルイス酸部位を除く長鎖構造部位の炭素数が１２以上であることを特徴とするメモリ素子。 A memory element in which a recording layer containing microcapsules containing at least a photochromic compound and an electron accepting compound is formed on a support substrate,
The memory element according to claim 1, wherein the electron-accepting compound is a Lewis acid compound, and a long chain structure portion excluding the Lewis acid portion has 12 or more carbon atoms. 前記フォトクロミック化合物は、フルギド系化合物であることを特徴とする請求項１に記載のメモリ素子。   The memory device according to claim 1, wherein the photochromic compound is a fulgide compound. 前記フルギド系化合物は、一般式
Figure 2006091824
 （ただし、Ｒ０１及びＲ０２は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わす）
で表される構造を有することを特徴とする請求項２に記載のメモリ素子。 The fulgide compound has the general formula
Figure 2006091824
 (However, R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom or an aliphatic group.)
The memory device according to claim 2, wherein the memory device has a structure represented by: 前記フォトクロミック化合物は、ジアリールエテン系化合物であることを特徴とする請求項１に記載のメモリ素子。   The memory device according to claim 1, wherein the photochromic compound is a diarylethene compound. 前記ジアリールエテン系化合物は、一般式
Figure 2006091824
 （ただし、Ｒ０３及びＲ０４は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わす）
で表される構造を有することを特徴とする請求項４に記載のメモリ素子。 The diarylethene compound has the general formula
Figure 2006091824
 (However, R 03 and R 04 each independently represents a hydrogen atom or an aliphatic group.)
The memory device according to claim 4, wherein the memory device has a structure represented by: 前記ルイス酸化合物は、ホスホン酸化合物、脂肪族カルボン酸化合物及びフェノール化合物からなる群から選択された少なくとも一種であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のメモリ素子。   The memory device according to claim 1, wherein the Lewis acid compound is at least one selected from the group consisting of a phosphonic acid compound, an aliphatic carboxylic acid compound, and a phenol compound. 前記ホスホン酸化合物は、一般式
Ｒ１−ＰＯ（ＯＨ）２
（ただし、Ｒ１は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わす）
で表されるホスホン酸化合物であることを特徴とする請求項６に記載のメモリ素子。 The phosphonic acid compound has the general formula R 1 —PO (OH) 2.
(Wherein R 1 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms)
The memory element according to claim 6, which is a phosphonic acid compound represented by the formula: 前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式
Ｒ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＯＯＨ
（ただし、Ｒ２は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わす）
で表わされるα−ヒドロキシ脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする請求項６又は７に記載のメモリ素子。 The aliphatic carboxylic acid compound has the general formula R 2 —CH (OH) —COOH.
(Wherein R 2 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms)
The memory element according to claim 6, wherein the memory element is an α-hydroxy aliphatic carboxylic acid compound represented by the formula: 前記脂肪族カルボン酸化合物は、炭素数１２以上の長鎖構造を持つカルボン酸化合物であって、
その少なくともα位又はβ位の炭素にハロゲン基を持つ脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする請求項６又は７に記載のメモリ素子。 The aliphatic carboxylic acid compound is a carboxylic acid compound having a long chain structure having 12 or more carbon atoms,
8. The memory element according to claim 6, wherein the memory element is an aliphatic carboxylic acid compound having a halogen group in at least the α-position or β-position carbon. 前記脂肪族カルボン酸化合物は、炭素数１２以上の長鎖構造を持つカルボン酸化合物であって、
その少なくともα位、β位又はγ位の炭素がオキソ基となっている脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする請求項６又は７に記載のメモリ素子。 The aliphatic carboxylic acid compound is a carboxylic acid compound having a long chain structure having 12 or more carbon atoms,
8. The memory element according to claim 6, wherein the memory element is an aliphatic carboxylic acid compound in which at least the α-position, β-position or γ-position carbon is an oxo group. 前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式
Figure 2006091824
 （ただし、Ｒ３は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、Ｘは、オキシ基又はチオ基を表わし、Ｘがオキシ基の場合、ｎは１であり、Ｘがチオ基の場合、ｎは１又は２である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする請求項６又は７に記載のメモリ素子。 The aliphatic carboxylic acid compound has the general formula
Figure 2006091824
 (Wherein R 3 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms, X represents an oxy group or a thio group, n represents 1 when X is an oxy group, and n represents a case where X is a thio group. Is 1 or 2)
The memory element according to claim 6, wherein the memory element is an aliphatic carboxylic acid compound represented by the formula: 前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式
Figure 2006091824
 （ただし、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わし、このうち少なくとも１つは、炭素数１２以上の長鎖構造である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする請求項６又は７に記載のメモリ素子。 The aliphatic carboxylic acid compound has the general formula
Figure 2006091824
 (However, R 4 , R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic group, and at least one of them is a long chain structure having 12 or more carbon atoms.)
The memory element according to claim 6, wherein the memory element is an aliphatic carboxylic acid compound represented by the formula: 前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式
Figure 2006091824
 （ただし、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に水素原子又は脂肪族基を表わし、このうち少なくとも１つは、炭素数１２以上の長鎖構造である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする請求項６又は７に記載のメモリ素子。 The aliphatic carboxylic acid compound has the general formula
Figure 2006091824
 (However, R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic group, and at least one of them is a long chain structure having 12 or more carbon atoms.)
The memory element according to claim 6, wherein the memory element is an aliphatic carboxylic acid compound represented by the formula: 前記脂肪族カルボン酸化合物は、一般式
Figure 2006091824
 （ただし、Ｒ９は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、ｎは０又は１であり、ｎが０の場合、ｍは２又は３であり、ｎが１の場合、ｍは１又は２である）
で表わされる脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴とする請求項６又は７に記載のメモリ素子。 The aliphatic carboxylic acid compound has the general formula
Figure 2006091824
 (However, R 9 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms, n is 0 or 1, when n is 0, m is 2 or 3, and when n is 1, m is 1 or 2)
The memory element according to claim 6, wherein the memory element is an aliphatic carboxylic acid compound represented by the formula: 前記フェノール化合物は、一般式
Figure 2006091824
 （ただし、Ｙは、チオ基、オキシ基、−ＣＯＮＨ−又は−ＣＯＯ−を表わし、Ｒ１０は、炭素数１２以上の長鎖構造を表わし、ｌは１、２又は３である）
で表わされるフェノール化合物であることを特徴とする請求項６乃至１４のいずれか一項に記載のメモリ素子。 The phenolic compound has the general formula
Figure 2006091824
 (Y represents a thio group, an oxy group, —CONH— or —COO—, R 10 represents a long chain structure having 12 or more carbon atoms, and l is 1, 2 or 3)
The memory element according to claim 6, wherein the phenolic compound is represented by the formula: 前記支持基板の上又は前記記録層と前記支持基板との間に反射層を設けたことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のメモリ素子。   The memory element according to claim 1, wherein a reflective layer is provided on the support substrate or between the recording layer and the support substrate. 前記記録層よりも表面の近くに設けられた前記反射層の界面及び前記表面の少なくとも一方に第一の保護層を設けたことを特徴とする請求項１６に記載のメモリ素子。   The memory element according to claim 16, wherein a first protective layer is provided on at least one of an interface of the reflective layer provided nearer to the surface than the recording layer and the surface. 前記記録層は、少なくとも前記マイクロカプセルとバインダー材からなることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一項に記載のメモリ素子。   The memory element according to claim 1, wherein the recording layer includes at least the microcapsule and a binder material. 前記記録層は、前記マイクロカプセル中に赤外吸収剤を含むことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載のメモリ素子。   The memory element according to claim 1, wherein the recording layer includes an infrared absorber in the microcapsule. 前記記録層は、少なくとも前記マイクロカプセルとバインダー材と赤外吸収剤からなることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一項に記載のメモリ素子。   The memory element according to claim 1, wherein the recording layer includes at least the microcapsule, a binder material, and an infrared absorber. 前記支持基板上に赤外吸収剤を含む発熱層を有することを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一項に記載のメモリ素子。   The memory element according to claim 1, further comprising a heat generating layer containing an infrared absorber on the support substrate. 前記記録層よりも表面の近くに設けられた前記発熱層の界面に第二の保護層を設けたことを特徴とする請求項２１に記載のメモリ素子。   The memory element according to claim 21, wherein a second protective layer is provided at an interface of the heat generating layer provided closer to the surface than the recording layer. メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法において、
請求項１乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、全面に紫外光を照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を発色させる初期化工程、
前記記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、
前記所定の領域に前記紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させる消去工程を施すことを特徴とする画像処理方法。 In an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element,
An initialization step for irradiating at least the entire surface with ultraviolet light and causing the photochromic compound contained in the recording layer to develop color for the memory element according to any one of claims 1 to 22,
A part or the entire surface of the recording layer is temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and a predetermined region is irradiated with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound. The recording step of temporarily heating the region including the heating part to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound
An image processing method comprising performing an erasing step of irradiating the predetermined region with the ultraviolet light to cause the photochromic compound to develop color. メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法において、
請求項１乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、記録層全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を全面に照射して前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物を消色させる初期化工程、
所定の領域に紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させた後、前記紫外光照射部分を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、
前記記録層の一部又は全面を前記電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を前記所定の領域に照射して消色させた後、少なくとも前記加熱部を含む領域を電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する消去工程を施すことを特徴とする画像処理方法。 In an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element,
23. The photochromic compound contained in the recording layer by temporarily heating at least the entire surface of the recording layer to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound with respect to the memory element according to any one of claims 1 to 22. An initialization step of erasing the photochromic compound contained in the recording layer by irradiating the entire surface with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of
A recording step of irradiating a predetermined region with ultraviolet light to develop the photochromic compound and then temporarily heating the region including the ultraviolet light irradiated portion to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound,
A part or the whole of the recording layer is temporarily heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, and visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound is applied to the predetermined region. An image processing method characterized by performing an erasing step of temporarily heating at least a region including the heating portion to a temperature lower than a melting temperature of the electron-accepting compound after irradiating and decoloring. メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法において、
請求項１９乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、全面に紫外光を照射して記録層に含有されるフォトクロミック化合物を発色させる初期化工程、
赤外光を照射して前記記録層の一部又は全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を所定の領域に照射して消色させた後、前記赤外光を照射して前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、
前記所定の領域に前記紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させる消去工程を施すことを特徴とする画像処理方法。 In an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element,
An initialization process for irradiating at least the entire surface with ultraviolet light to develop a photochromic compound contained in the recording layer with respect to the memory element according to any one of claims 19 to 22.
Visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound by irradiating infrared light and temporarily heating a part or the whole surface of the recording layer to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound. A recording step of irradiating a predetermined region and decoloring, and then irradiating the infrared light to temporarily heat the region including the heating part to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound,
An image processing method comprising performing an erasing step of irradiating the predetermined region with the ultraviolet light to cause the photochromic compound to develop color. メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法において、
請求項１９乃至２２のいずれか一項に記載のメモリ素子に対し、少なくとも、赤外光を照射して記録層全面を電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を全面に照射して前記記録層に含有されるフォトクロミック化合物を消色させる初期化工程、
所定の領域に紫外光を照射して前記フォトクロミック化合物を発色させた後、前記赤外光を照射して前記紫外光照射部分を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する記録工程、
前記赤外光を照射して前記記録層の一部又は全面を前記電子受容性化合物の溶融温度以上の温度に一時的に加熱し、前記発色したフォトクロミック化合物の吸収帯に対応した波長域を含む可視光を前記所定の領域に照射して消色させた後、前記赤外光を照射して少なくとも前記加熱部を含む領域を前記電子受容性化合物の溶融温度未満の温度に一時的に加熱する消去工程を施すことを特徴とする画像処理方法。 In an image processing method for initializing, recording and erasing a memory element,
The memory device according to any one of claims 19 to 22, wherein at least the entire surface of the recording layer is irradiated with infrared light to be temporarily heated to a temperature equal to or higher than a melting temperature of the electron-accepting compound, and the recording is performed. An initialization step of erasing the photochromic compound contained in the recording layer by irradiating the entire surface with visible light including a wavelength region corresponding to the absorption band of the photochromic compound contained in the layer;
After irradiating a predetermined region with ultraviolet light to develop the color of the photochromic compound, the infrared light is irradiated to temporarily irradiate the region including the ultraviolet light irradiated portion to a temperature below the melting temperature of the electron-accepting compound. Recording process of heating to
Irradiating the infrared light to temporarily heat a part or the entire surface of the recording layer to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the electron-accepting compound, including a wavelength region corresponding to the absorption band of the colored photochromic compound After irradiating the predetermined region with visible light and decolorizing, the infrared light is irradiated to temporarily heat the region including at least the heating portion to a temperature lower than the melting temperature of the electron-accepting compound. An image processing method characterized by performing an erasing step.
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