JP2006091504A - Electrooptical device and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な電気光学装置及び電子機器に関する。 The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus suitable for use in displaying various types of information.
従来より、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置、及びフィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置が知られている。また、電気光学装置の一例として、外光を利用した反射型表示と、バックライト等の照明光を利用した透過型表示とのいずれをも視認可能とした半透過反射型の液晶表示装置が知られている。そのような半透過反射型の液晶表示装置は、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の三色を重ねて形成される遮光層、カラーフィルタ及び走査線を有するカラーフィルタ基板と、フォトスペーサ、データ線、スイッチング素子及び画素電極を有する素子基板との間に液晶が封入されて構成される。 Conventionally, various electro-optical devices such as a liquid crystal display device, an organic electroluminescence display device, a plasma display device, and a field emission display device are known. In addition, as an example of an electro-optical device, a transflective liquid crystal display device that can visually recognize both a reflective display using external light and a transmissive display using illumination light such as a backlight is known. It has been. Such a transflective liquid crystal display device is, for example, a color filter having a light shielding layer, a color filter, and a scanning line formed by overlapping three colors of R (red), G (green), and B (blue). A liquid crystal is sealed between the substrate and an element substrate having a photo spacer, a data line, a switching element, and a pixel electrode.
また、かかる液晶表示装置では、カラーフィルタ基板上において各画素電極を区画する位置に遮光層が形成されている一方、素子基板上において遮光層に対応する位置に柱状の形状をなすフォトスペーサがフォトリソグラフィー法にて形成されている。このような液晶表示装置では、フォトスペーサにより液晶層の厚さ(即ち、セルギャップの厚さ)が一定に保持されている。 In such a liquid crystal display device, a light shielding layer is formed on the color filter substrate at a position where each pixel electrode is partitioned, while a photo spacer having a columnar shape is formed on the element substrate at a position corresponding to the light shielding layer. It is formed by a lithography method. In such a liquid crystal display device, the thickness of the liquid crystal layer (that is, the thickness of the cell gap) is kept constant by the photo spacer.
しかしながら、かかる液晶表示装置では、一般的にフォトスペーサの幅よりも遮光層の幅の方が小さく形成されるため、セルギャップの厚さが不安定な状態になる虞があった。 However, in such a liquid crystal display device, since the width of the light shielding layer is generally smaller than the width of the photo spacer, the cell gap thickness may become unstable.
なお、この種の液晶装置として、例えば、シール材形成領域に均一な分布にてスペーサを固定配置して形成することにより、液晶層の厚みを均一にして表示特性の向上を図った液晶装置が知られている(例えば、特許文献1を参照)。 In addition, as this type of liquid crystal device, for example, a liquid crystal device in which spacers are fixedly arranged in a uniform distribution in a sealing material forming region so as to improve the display characteristics by making the thickness of the liquid crystal layer uniform. It is known (see, for example, Patent Document 1).
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、対向基板上のフォトスペーサに対応する部分を所定の大きさに且つ平坦に形成することにより、セルギャップを所定厚さに保持して、高品位な表示画像を得ることが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above points, and a cell gap is maintained at a predetermined thickness by forming a portion corresponding to a photo spacer on a counter substrate in a predetermined size and flatness. It is an object of the present invention to provide an electro-optical device and an electronic apparatus that can obtain a high-quality display image.
本発明の1つの観点では、フォトスペーサを有する第1の基板と第2の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第1の基板と前記第2の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置は、前記フォトスペーサの少なくとも一部が、相隣接するサブ画素の間の領域と重なる位置に形成されていると共に、前記第2の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、前記平坦面に接触する前記第2の基板の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きい。 In one aspect of the present invention, a first substrate having a photo spacer and a second substrate are bonded to each other through the photo spacer, and the electro-optic material is interposed between the first substrate and the second substrate. The at least part of the photo spacer is formed at a position overlapping with a region between adjacent subpixels, and the photo spacer of the photo spacer facing the second substrate is formed. The surface is a flat surface, and the opposing surface of the second substrate that contacts the flat surface has flatness and is larger than the area of the flat surface.
上記の電気光学装置は、第1の基板と第2の基板とがフォトスペーサを介して貼り合わされ、その両基板間に電気光学物質が封入されてなる。第1の基板は、フォトスペーサ及び画素電極により構成されるサブ画素を有している。フォトスペーサは、フォトリソグラフィー技術などにより形成される。この電気光学装置において、フォトスペーサの少なくとも一部は、表示に寄与しない相隣接するサブ画素の間の領域と重なる位置に形成されている。また、第2の基板に対向するフォトスペーサの面は平坦面になっている。また、フォトスペーサの平坦面と接触する、第2の基板上の対向面は、平坦性を有しており、尚且つ、その平坦面より面積(領域)が大きくなっている。よって、電気光学層の厚さ、即ちセルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。 In the above electro-optical device, a first substrate and a second substrate are bonded together via a photo spacer, and an electro-optical material is sealed between the two substrates. The first substrate has subpixels each including a photo spacer and a pixel electrode. The photo spacer is formed by a photolithography technique or the like. In this electro-optical device, at least a part of the photo spacer is formed at a position overlapping with a region between adjacent sub-pixels that do not contribute to display. Further, the surface of the photospacer facing the second substrate is a flat surface. In addition, the facing surface on the second substrate that is in contact with the flat surface of the photo spacer has flatness, and has an area (region) larger than that of the flat surface. Therefore, the thickness of the electro-optic layer, that is, the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness.
上記の電気光学装置の1つの態様では、前記第2の基板の対向面は、前記サブ画素の開口(透過型表示が行われる透過領域)を規定する遮光層上に存在しており、前記遮光層は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きくなっている。 In one aspect of the electro-optical device, the opposing surface of the second substrate exists on a light shielding layer that defines an opening (a transmissive region in which transmissive display is performed) of the sub-pixel. The layer has flatness and is larger than the area of the flat surface.
この態様によれば、フォトスペーサの平坦面と接触する第2の基板上の対向面、即ち遮光層の上面は、平坦性を有しており、尚且つ、その平坦面より面積(領域)が大きくなっている。ここで、遮光層は、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色を重ねて形成(以下、「重ね遮光層」とも呼ぶ)することができる。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。 According to this aspect, the opposing surface on the second substrate that is in contact with the flat surface of the photospacer, that is, the upper surface of the light shielding layer has flatness, and the area (region) is larger than that of the flat surface. It is getting bigger. Here, the light shielding layer can be formed by, for example, overlapping each color of R (red), G (green), and B (blue) (hereinafter also referred to as “overlapping light shielding layer”). Therefore, the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness.
好適な例では、前記遮光層上には配向膜が設けられており、当該配向膜は前記遮光層の形状を反映して平坦化されている。これにより、フォトスペーサの平坦面は、平坦性を有する配向膜を介して遮光層と接触することになる。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。また、好適な例では、前記フォトスペーサ上には配向膜が設けられており、当該配向膜は前記フォトスペーサの形状を反映して平坦化されている。これにより、フォトスペーサの平坦面は、その平坦面上に形成された配向膜を介して、平坦性を有する第2基板の対向面(例えば、遮光層の上面、又は、遮光層上に形成され且つ平坦性を有する配向膜)と接触することになる。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。 In a preferred example, an alignment film is provided on the light shielding layer, and the alignment film is flattened reflecting the shape of the light shielding layer. As a result, the flat surface of the photospacer comes into contact with the light shielding layer through the alignment film having flatness. Therefore, the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness. In a preferred example, an alignment film is provided on the photo spacer, and the alignment film is flattened reflecting the shape of the photo spacer. Thereby, the flat surface of the photo spacer is formed on the opposing surface of the second substrate having flatness (for example, the upper surface of the light shielding layer or the light shielding layer via the alignment film formed on the flat surface. And an alignment film having flatness). Therefore, the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness.
また、好適な例では、前記第2の基板は行及び列方向に配置された複数の着色層を備えることができ、前記遮光層は、少なくとも列方向に相隣接する各着色層の間に形成することができる。 In a preferred example, the second substrate may include a plurality of colored layers arranged in the row and column directions, and the light shielding layer is formed at least between the colored layers adjacent to each other in the column direction. can do.
上記の電気光学装置の他の態様では、前記第1の基板はスイッチング素子を備え、前記フォトスペーサは前記スイッチング素子の上に設けられている。 In another aspect of the electro-optical device, the first substrate includes a switching element, and the photospacer is provided on the switching element.
この態様によれば、第1の基板はTFD素子等のスイッチング素子を備えており、フォトスペーサは、当該スイッチング素子の上に形成されている。このため、万が一、ユーザが、そのスイッチング素子付近に対応する液晶パネル面に外力を付与したとしても、スイッチング素子はそのフォトスペーサにより保護され、スイッチング素子が破損するのを防止できる。また、そのような位置にフォトスペーサを配置することにより、フォトスペーサが絶縁物として機能し、スイッチング素子と第2の基板上の電極等との間で短絡が生じるのを防止できる。特に、フォトスペーサを電気光学装置内のすべてのスイッチング素子に対応する位置に配置することにより、上記のような不具合が生じるのを確実に防止できる。なお、フォトスペーサはレベリング性があるのでスイッチング素子の上に形成しても、フォトスペーサの平坦面の平坦性を確保することができる。 According to this aspect, the first substrate includes a switching element such as a TFD element, and the photospacer is formed on the switching element. For this reason, even if the user applies an external force to the liquid crystal panel surface corresponding to the vicinity of the switching element, the switching element is protected by the photo spacer, and the switching element can be prevented from being damaged. Further, by disposing the photo spacer at such a position, the photo spacer functions as an insulator, and a short circuit can be prevented from occurring between the switching element and the electrode on the second substrate. In particular, by arranging the photo spacers at positions corresponding to all the switching elements in the electro-optical device, it is possible to reliably prevent the above-described problems from occurring. Note that since the photo spacer has leveling properties, even if it is formed on the switching element, the flatness of the flat surface of the photo spacer can be ensured.
上記の電気光学装置の他の態様では、前記フォトスペーサの前記平坦面は略円形又は略正多角形の平面形状をなすと共に、前記第2の基板の対向面は略正方形の平面形状をなし、前記平坦面の直径又は各対角線の長さは略14μmであると共に、前記第2の基板の対向面の縦及び横方向の長さは各々14μm以上であり、前記平坦面及び前記第2の基板の対向面の中心点は一致している。 In another aspect of the electro-optical device, the flat surface of the photo spacer has a substantially circular or substantially regular polygonal planar shape, and the opposing surface of the second substrate has a substantially square planar shape, The diameter of the flat surface or the length of each diagonal line is approximately 14 μm, and the lengths of the opposing surfaces of the second substrate in the vertical and horizontal directions are each 14 μm or more, and the flat surface and the second substrate The center points of the opposing surfaces of the two coincide.
この態様によれば、フォトスペーサの平坦面を略円形又は略正多角形の平面形状に形成することができる。また、第2の基板の対向面を略正方形の平面形状に形成することができる。そして、平坦面の直径又は各対角線の長さを略14μmに、尚且つ第2の基板の対向面の縦及び横方向の長さを各々最低14μm、より好ましくは20μmに設定して、その平坦面及び第2の基板の対向面の中心点が各々一致するように設定することができる。これにより、第2の基板の対向面の面積(領域)は、フォトスペーサの平坦面の面積(領域)より大きくなる。例えば、好適な例として、平坦面の各対角線の長さを各々14μmに、かつ、第2の基板の対向面の縦及び横方向の長さを各々20μmに設定した場合には、第2の基板の対向面の領域を、フォトスペーサの平坦面の各対角線方向に3μm程度広げることができる。従って、第1の基板と第2の基板との貼り合せ時に3μm以下の範囲内で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサの平坦面と第2の基板上の対向面とを必ず接触させることができ、セルギャップを所定厚さに安定的に保持できる。 According to this aspect, the flat surface of the photo spacer can be formed into a substantially circular or substantially regular planar shape. Further, the opposing surface of the second substrate can be formed in a substantially square planar shape. Then, the flat surface diameter or the length of each diagonal line is set to about 14 μm, and the length of the opposing surface of the second substrate in the vertical and horizontal directions is set to at least 14 μm, more preferably 20 μm. The center points of the surface and the opposing surface of the second substrate can be set to coincide with each other. Thereby, the area (region) of the opposing surface of the second substrate is larger than the area (region) of the flat surface of the photo spacer. For example, as a preferable example, when the length of each diagonal line of the flat surface is set to 14 μm and the length of the opposing surface of the second substrate in the vertical and horizontal directions is set to 20 μm, the second The area of the opposing surface of the substrate can be expanded by about 3 μm in each diagonal direction of the flat surface of the photo spacer. Therefore, even when a misalignment occurs within a range of 3 μm or less when the first substrate and the second substrate are bonded, the flat surface of the photo spacer and the opposing surface on the second substrate must be brought into contact with each other. And the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness.
上記の電気光学装置の他の態様では、前記第1の基板は前記サブ画素内に透過領域及び反射領域を備え、前記第1の基板において列方向に相隣接する前記サブ画素の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、少なくとも前記切り換え部分及び前記反射領域に対応する前記第2の基板上にはオーバーコート層が形成されて前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成され、前記第2の基板の対向面は、前記切り換え部分近傍の位置に且つ平坦性を有する前記オーバーコート層上の位置に対応している。 In another aspect of the electro-optical device, the first substrate includes a transmission region and a reflection region in the sub-pixel, and the sub-pixels adjacent to each other in the column direction on the first substrate There is a switching portion where the transmission region and the reflection region are switched, and an overcoat layer is formed on at least the second substrate corresponding to the switching portion and the reflection region, so that the transmission region and the reflection region are formed. A multi-gap structure in which the thickness of the electro-optic material layer is different, and the opposing surface of the second substrate corresponds to a position in the vicinity of the switching portion and a position on the overcoat layer having flatness. ing.
この態様によれば、第1の基板は、サブ画素内に透過領域及び反射領域を備えている。よって、透過型表示及び反射型表示を行うことができる。また、第1の基板において列方向に相隣接するサブ画素の間には、表示に寄与しない部分、即ち透過領域と反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在しており、少なくとも切り換え部分及び反射領域に対応する第2の基板上にはオーバーコート層が形成されている。このように反射表示領域に対応する第2の基板上にオーバーコート層が形成されることにより、この電気光学装置では、透過領域に対応する電気光学物質層と反射領域に対応する電気光学物質層の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。また、第2の基板の対向面は、切り換え部分近傍の位置に且つ平坦性を有するオーバーコート層上の位置に対応している。このため、平坦性を有し且つオーバーコート層上の位置に対応する第2の基板の対向面は、フォトスペーサの平坦面の面積(領域)より大きくなっている。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持できる。 According to this aspect, the first substrate includes the transmissive region and the reflective region in the sub-pixel. Therefore, transmissive display and reflective display can be performed. Further, between the sub-pixels adjacent to each other in the column direction on the first substrate, there is a portion that does not contribute to display, that is, a switching portion where the transmission region and the reflection region are switched, and at least the switching portion and the reflection region An overcoat layer is formed on the second substrate corresponding to the above. Thus, by forming the overcoat layer on the second substrate corresponding to the reflective display region, in this electro-optical device, the electro-optical material layer corresponding to the transmissive region and the electro-optical material layer corresponding to the reflective region The layer thicknesses are set to different sizes, and so-called multi-gap structures are formed. The opposing surface of the second substrate corresponds to a position near the switching portion and a position on the flat overcoat layer. For this reason, the opposing surface of the second substrate having flatness and corresponding to the position on the overcoat layer is larger than the area (region) of the flat surface of the photo spacer. Therefore, the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness.
好適な例では、前記フォトスペーサは前記サブ画素の角部に設けることができる。また、前記透過領域と前記反射領域の前記切り換え部分は、表示に寄与しない、列方向に相隣接する前記サブ画素の縁近傍に位置させることができる。また、前記第2の基板の対向面は、前記切り換え部分より所定の方向、例えば画素電極の外側方向に突出して形成することができる。これにより、開口率を低下させることなく、セルギャップを均一に保持することができる。 In a preferred example, the photo spacer can be provided at a corner of the sub-pixel. Further, the switching portion between the transmissive region and the reflective region can be positioned in the vicinity of the edge of the sub-pixel adjacent to each other in the column direction, which does not contribute to display. Further, the facing surface of the second substrate can be formed so as to protrude from the switching portion in a predetermined direction, for example, the outer side of the pixel electrode. As a result, the cell gap can be kept uniform without reducing the aperture ratio.
上記の電気光学装置の他の態様では、前記フォトスペーサの前記平坦面及び前記第2の基板の対向面は、前記スイッチング素子と重なり合う位置に形成されており、前記第2の基板の対向面の端部から前記フォトスペーサの外側端部までの距離は3μm以上に設定されている。 In another aspect of the electro-optical device, the flat surface of the photo spacer and the facing surface of the second substrate are formed at positions overlapping the switching element, and the surface of the facing surface of the second substrate is The distance from the end to the outer end of the photospacer is set to 3 μm or more.
この態様によれば、フォトスペーサの平坦面及び第2の基板の対向面は、スイッチング素子と重なり合う位置に形成されている。これにより、ユーザがスイッチング素子付近に対応する液晶パネル面に外力を付与したとしても、スイッチング素子はそのフォトスペーサにより保護され、スイッチング素子の破損等を防止することができる。また、この態様では、第2の基板の対向面の端部からフォトスペーサの外側端部までの距離が3μm以上に設定されているので、第1の基板と第2の基板との貼り合せ時に3μm以下の範囲内で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサの平坦面と第2の基板の対向面とを必ず接触させることができ、セルギャップを所定厚さに安定的に保持できる。 According to this aspect, the flat surface of the photospacer and the facing surface of the second substrate are formed at positions that overlap the switching element. Thus, even if the user applies an external force to the liquid crystal panel surface corresponding to the vicinity of the switching element, the switching element is protected by the photo spacer, and damage to the switching element can be prevented. Further, in this aspect, since the distance from the end portion of the opposing surface of the second substrate to the outer end portion of the photo spacer is set to 3 μm or more, at the time of bonding the first substrate and the second substrate Even when a misalignment occurs within a range of 3 μm or less, the flat surface of the photo spacer and the opposing surface of the second substrate can be brought into contact with each other, and the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness.
本発明の他の観点では、サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第1の基板と、フォトスペーサを有する第2の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第1の基板と前記第2の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置において、前記第1の基板は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された導電膜と、前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、前記導電膜及び前記散乱層上に形成された反射層と、前記反射層上に形成されたオーバーコート層と、前記オーバーコート層及び前記反射層の一部上に形成された画素電極と、を備え、前記オーバーコート層により、前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成され、列方向に相隣接する前記画素電極の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、前記フォトスペーサは、前記切り換え部分を含む位置に形成されていると共に、前記第1の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、前記平坦面に接触する前記オーバーコート層の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きい。 In another aspect of the present invention, a first substrate having a transmissive region and a reflective region in a subpixel and a second substrate having a photospacer are bonded to each other through the photospacer, In the electro-optical device in which an electro-optical material is sealed between the second substrate and the second substrate, the first substrate covers the switching element, the conductive film connected to the switching element, and the switching element. A scattering layer formed on the conductive layer, a reflective layer formed on the scattering layer, an overcoat layer formed on the reflective layer, and a part of the overcoat layer and the reflective layer. And a multi-gap structure in which the thickness of the electro-optic material layer is different between the transmission region and the reflection region by the overcoat layer, and adjacent to each other in the column direction. Between the pixel electrodes, there is a switching portion where the transmission region and the reflection region are switched, and the photo spacer is formed at a position including the switching portion, and is formed on the first substrate. The surfaces of the photo spacers facing each other are flat surfaces, and the facing surface of the overcoat layer that contacts the flat surfaces has flatness and is larger than the area of the flat surface.
上記の電気光学装置は、サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第1の基板と第2の基板とがフォトスペーサを介して貼り合わされ、その両基板間に電気光学物質が封入されてなる。この電気光学装置は、サブ画素内に透過型表示を行う透過領域と反射型表示を行う反射領域とを有しており、いわゆる半透過反射型の電気光学装置を構成している。第2の基板は、フォトスペーサを備えている。一方、第1の基板は、TFD素子等のスイッチング素子のほか、導電膜、散乱層、反射層、オーバーコート層及び画素電極を備えて構成される。導電膜はスイッチング素子と電気的に接続されている。散乱層は、スイッチング素子を覆うように形成されている。散乱層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する材料が好ましい。反射層は導電膜及び散乱層の上に形成されている。オーバーコート層は、散乱層上に形成されている。このオーバーコート層等により、この電気光学装置では、透過領域に対応する電気光学物質層と、反射領域に対応する電気光学物質層の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。尚、オーバーコート層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する材料が好ましい。画素電極は、オーバーコート層及び反射層の一部上に形成されている。 In the above electro-optical device, a first substrate having a transmissive region and a reflective region in a sub-pixel and a second substrate are bonded together via a photo spacer, and an electro-optical material is sealed between the two substrates. . This electro-optical device has a transmissive region for performing transmissive display and a reflective region for performing reflective display in a sub-pixel, and constitutes a so-called transflective electro-optical device. The second substrate includes a photo spacer. On the other hand, the first substrate includes a conductive element, a scattering layer, a reflective layer, an overcoat layer, and a pixel electrode in addition to a switching element such as a TFD element. The conductive film is electrically connected to the switching element. The scattering layer is formed so as to cover the switching element. As the material of the scattering layer, an insulating material such as an acrylic resin is preferable. The reflective layer is formed on the conductive film and the scattering layer. The overcoat layer is formed on the scattering layer. Due to the overcoat layer and the like, in this electro-optical device, the thicknesses of the electro-optical material layer corresponding to the transmissive region and the electro-optical material layer corresponding to the reflective region are set to different sizes. It has a structure. In addition, as a material of an overcoat layer, the material which has insulation, such as an acrylic resin, for example is preferable. The pixel electrode is formed on part of the overcoat layer and the reflective layer.
また、列方向に相隣接する画素電極の間には、表示に寄与しない、透過領域と反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在しており、フォトリソグラフィー技術などにより形成されるフォトスペーサは、その切り換え部分を含む位置に形成されている。 In addition, there is a switching portion between the pixel electrodes adjacent to each other in the column direction that does not contribute to display and switches between a transmissive region and a reflective region. A photo spacer formed by photolithography technology or the like It is formed at a position including the switching portion.
このような構成を有する電気光学装置では、第1の基板と第2の基板とを貼り合せた状態において、第1の基板に対向するフォトスペーサの面は平坦面となっており、その平坦面に接触するオーバーコート層の対向面は、平坦性を有し且つ当該平坦面の面積より大きくなっている。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。 In the electro-optical device having such a configuration, in the state where the first substrate and the second substrate are bonded, the surface of the photo spacer facing the first substrate is a flat surface, and the flat surface The opposing surface of the overcoat layer in contact with the surface has flatness and is larger than the area of the flat surface. Therefore, the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness.
好適な例では、前記フォトスペーサは前記サブ画素の角部に設けることができる。また、前記透過領域と前記反射領域の前記切り換え部分は、表示に寄与しない、列方向に相隣接する前記サブ画素の縁近傍に位置させることができる。また、前記オーバーコート層の対向面は、前記切り換え部分より所定の方向、例えば画素電極の外側方向に突出して形成することができる。これにより、開口率を低下させることなく、セルギャップを均一に保持することができる。 In a preferred example, the photo spacer can be provided at a corner of the sub-pixel. Further, the switching portion between the transmissive region and the reflective region can be positioned in the vicinity of the edge of the sub-pixel adjacent to each other in the column direction, which does not contribute to display. Further, the opposing surface of the overcoat layer can be formed so as to protrude from the switching portion in a predetermined direction, for example, the outer side of the pixel electrode. As a result, the cell gap can be kept uniform without reducing the aperture ratio.
本発明の他の観点では、サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第1の基板と、フォトスペーサを有する第2の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第1の基板と前記第2の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置において、前記第1の基板は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された導電膜と、前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、前記導電膜と接続され且つ少なくとも前記散乱層上に形成された画素電極と、を備え、前記散乱層により、前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成され、列方向に相隣接する前記画素電極の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、前記フォトスペーサは、前記切り換え部分を含む位置に形成されていると共に、前記第1の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、前記平坦面に接触する前記散乱層の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きい。 In another aspect of the present invention, a first substrate having a transmissive region and a reflective region in a subpixel and a second substrate having a photospacer are bonded to each other through the photospacer, In the electro-optical device in which an electro-optical material is sealed between the second substrate and the second substrate, the first substrate covers the switching element, the conductive film connected to the switching element, and the switching element. And a pixel electrode connected to the conductive film and formed on at least the scattering layer, wherein the scattering layer causes the electro-optical material layer to be separated between the transmission region and the reflection region. A multi-gap structure having a different thickness is configured, and a switching portion where the transmission region and the reflection region are switched exists between the pixel electrodes adjacent to each other in the column direction, The pacer is formed at a position including the switching portion, the surface of the photospacer facing the first substrate is a flat surface, and the facing surface of the scattering layer in contact with the flat surface is flat. And larger than the area of the flat surface.
上記の電気光学装置は、サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第1の基板と第2の基板とがフォトスペーサを介して貼り合わされ、その両基板間に電気光学物質が封入されてなる。この電気光学装置は、サブ画素内に透過型表示を行う透過領域と反射型表示を行う反射領域とを有しており、いわゆる半透過反射型の電気光学装置を構成している。第2の基板は、フォトスペーサを備えている。一方、第1の基板は、TFD素子等のスイッチング素子のほか、導電膜、散乱層、及び画素電極を備えて構成される。導電膜はスイッチング素子と電気的に接続されている。散乱層は、スイッチング素子を覆うように形成されている。 In the above electro-optical device, a first substrate having a transmissive region and a reflective region in a sub-pixel and a second substrate are bonded together via a photo spacer, and an electro-optical material is sealed between the two substrates. . This electro-optical device has a transmissive region for performing transmissive display and a reflective region for performing reflective display in a sub-pixel, and constitutes a so-called transflective electro-optical device. The second substrate includes a photo spacer. On the other hand, the first substrate includes a conductive element, a scattering layer, and a pixel electrode in addition to a switching element such as a TFD element. The conductive film is electrically connected to the switching element. The scattering layer is formed so as to cover the switching element.
この散乱層により、この電気光学装置では、透過領域に対応する電気光学物質層と、反射領域に対応する電気光学物質層の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。画素電極は、散乱層上などに形成されている。また、画素電極は導電膜と接続されており、それはスイッチング素子と電気的に接続されている。 With this scattering layer, in this electro-optical device, the electro-optical material layer corresponding to the transmission region and the electro-optical material layer corresponding to the reflection region are set to different sizes, and so-called multi-gap structure is formed. There is no. The pixel electrode is formed on the scattering layer. Further, the pixel electrode is connected to the conductive film, which is electrically connected to the switching element.
また、列方向に相隣接する画素電極の間には、表示に寄与しない、透過領域と反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在しており、フォトリソグラフィー技術などにより形成されるフォトスペーサは、その切り換え部分を含む位置に形成されている。 In addition, there is a switching portion between the pixel electrodes adjacent to each other in the column direction that does not contribute to display and switches between a transmissive region and a reflective region. A photo spacer formed by photolithography technology or the like It is formed at a position including the switching portion.
このような構成を有する電気光学装置では、第1の基板と第2の基板とを貼り合せた状態において、第1の基板に対向するフォトスペーサの面は平坦面であり、その平坦面に接触する散乱層の対向面は、平坦性を有し且つ当該平坦面の面積より大きくなっている。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。 In the electro-optical device having such a configuration, in the state where the first substrate and the second substrate are bonded, the surface of the photo spacer facing the first substrate is a flat surface, and is in contact with the flat surface. The opposing surface of the scattering layer that has the flatness is larger than the area of the flat surface. Therefore, the cell gap can be stably maintained at a predetermined thickness.
好適な例では、前記フォトスペーサは前記サブ画素の角部に設けることができる。また、前記透過領域と前記反射領域の前記切り換え部分は、表示に寄与しない、列方向に相隣接する前記サブ画素の縁近傍に位置させることができる。また、前記散乱層の対向面は、前記切り換え部分より所定の方向、例えば画素電極の外側方向に突出して形成することができる。これにより、開口率を低下させることなく、セルギャップを均一に保持することができる。 In a preferred example, the photo spacer can be provided at a corner of the sub-pixel. Further, the switching portion between the transmissive region and the reflective region can be positioned in the vicinity of the edge of the sub-pixel adjacent to each other in the column direction, which does not contribute to display. The opposing surface of the scattering layer may be formed so as to protrude from the switching portion in a predetermined direction, for example, the outer side of the pixel electrode. As a result, the cell gap can be kept uniform without reducing the aperture ratio.
また、上記の電気光学装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。 In addition, an electronic apparatus including the electro-optical device as a display unit can be configured.
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の各実施形態は、本発明を電気光学装置の一例としての液晶表示装置に適用したものである。各実施形態は、一方の基板にフォトスペーサを形成すると共に、対向基板に重ね遮光層、オーバーコート層又は樹脂散乱層を形成して、パネル構成時にフォトスペーサに対向する重ね遮光層、オーバーコート層又は樹脂散乱層の対向面を、所定の大きさ及び平坦性を有するように形成して、セルギャップを所定厚さに保持する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, the present invention is applied to a liquid crystal display device as an example of an electro-optical device. In each embodiment, a photo spacer is formed on one substrate and a light shielding layer, an overcoat layer, or a resin scattering layer is formed on a counter substrate, and the light shielding layer and the overcoat layer are opposed to the photo spacer when the panel is configured. Alternatively, the opposing surface of the resin scattering layer is formed to have a predetermined size and flatness, and the cell gap is maintained at a predetermined thickness.
[第1実施形態]
第1実施形態は、フォトスペーサに対向する重ね遮光層の線幅を大きく(太く)且つ平坦性を有するように形成して、その部分を、対応するフォトスペーサの平坦面の面積(領域)より大きくすることにより、セルギャップを所定厚さに保持する。
[First embodiment]
In the first embodiment, the line width of the overlapped light-shielding layer facing the photo spacer is formed to be large (thick) and flat, and the portion is determined from the area (region) of the flat surface of the corresponding photo spacer. By increasing the thickness, the cell gap is maintained at a predetermined thickness.
(液晶表示装置100の構成)
まず、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る液晶表示装置100の概略構成を模式的に示す平面図である。図1では、主として、液晶表示装置100の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置100は、TFD素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、本発明の液晶表示装置100は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域(透過型表示を行う領域)の液晶層の厚さよりも小さく設定され、反射型表示及び透過型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置でもある。
(Configuration of the liquid crystal display device 100)
First, the configuration of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing a schematic configuration of the liquid
図2は、図1の液晶表示装置100において、1つの横列をなす複数の画素電極の反射表示領域を通る切断線A−A’に沿った概略断面図である。図3は、図1の液晶表示装置100において、1つの横列をなす複数の画素電極の透過表示領域を通る切断線B−B’に沿った概略断面図を示す。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along a cutting line A-A ′ passing through the reflective display region of a plurality of pixel electrodes in one row in the liquid
まず、図2を参照して、画素電極10の反射表示領域を通る切断線A−A’に沿った液晶表示装置100の断面構成について説明し、続いて、図3を参照して、画素電極10の透過表示領域を通る切断線B−B’に沿った液晶表示装置100の断面構成について説明する。そして、その後、液晶表示装置100の電極及び配線の構成について説明する。
First, a cross-sectional configuration of the liquid
図2において、液晶表示装置100は、素子基板91と、その素子基板91に対向して配置されるカラーフィルタ基板92とが枠状のシール部材3を介して貼り合わされ、内部に液晶が封入されて液晶層4が形成されてなる。この枠状のシール部材3には、複数の金粒子などの導通部材7が混入されている。
In FIG. 2, the liquid
下側基板2の内面上には反射層5が形成されている。反射層5は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜により形成することができる。反射層5の内面上であって且つ画素電極10と対向する位置には、サブ画素領域SG毎にR、G、Bの三色のいずれかからなる着色層6R、6G、及び6Bが形成されている。着色層6R、6G及び6Bによりカラーフィルタが構成される。画素Gは、R、G、Bのサブ画素から構成されるカラー1画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層6」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層6R」などと記す。
A
また、各サブ画素領域SGの間には、隣接するサブ画素領域SGを隔て、一方のサブ画素から他方のサブ画素への光の混入を防止するため、重ね遮光層40が形成されている。重ね遮光層40は、R、G、Bの各色を重ね合わされて形成される。本実施形態では、重ね遮光層40は、青色の着色層6Bを最下層とし、その上に緑色の着色層6G、更にその上に赤色の着色層6Rが順に重ね合わされることにより形成されている。なお、この構成に限らず、本発明では、着色層6R、6G、6Bを積層する順番は適宜変更が可能である。重ね遮光層40に入射された光は、各着色層6R、6G、6Bで吸収されて遮光される。
In addition, an overlapping
着色層6及び遮光層BMの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層18が形成されている。このオーバーコート層18は、液晶表示装置100の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層6等を保護する機能を有する。オーバーコート層18の内面上には、ストライプ状のITO(Indium-Tin Oxide)などの透明電極(走査電極)8が形成されている。この透明電極8の一端はシール部材3内に延在しており、そのシール部材3内の導通部材7と電気的に接続されている。透明電極8の内面上には、配向膜(図示略)が形成されている。
An
一方、上側基板1の内面上には、適宜の間隔を置いてデータ線32が、サブ画素領域SG毎に画素電極10が夫々形成されている。上側基板1、画素電極10及びデータ線32の内面上には、配向膜(図示略)が形成されている。
On the other hand, on the inner surface of the
また、上側基板1の内面上の左右周縁部には走査線31が形成されている。走査線31の一端部はシール部材3内まで延在しており、その走査線31はシール部材3内の導通部材7と電気的に接続されている。上側基板1の走査線31と、下側基板2の透明電極8、即ち下側基板の走査線とは、シール部材3内に混入された導通部材7を介して上下導通している。
Further, scanning
下側基板2の外面上には、位相差板(1/4波長板)11及び偏光板12が配置されており、上側基板1の外面上には、位相差板(1/4波長板)13及び偏光板14が配置されている。また、偏光板12の下側には、バックライト15が配置されている。バックライト15は、例えば、LED(Light Emitting Diode)等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源などが好適である。
A retardation plate (¼ wavelength plate) 11 and a
さて、第1実施形態の液晶表示装置100において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置100に入射した外光は、図2に示す経路Rに沿って進行する。つまり、液晶表示装置100に入射した外光は、反射層5によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、画素電極10及び着色層6等が形成されている領域を通過して、その着色層6の下側にある反射層5により反射され、再度着色層6及び画素電極10等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
When the reflective display is performed in the liquid
次に、図3を参照して、画素電極10の透過表示領域を通る直線B−B’に沿った液晶表示装置100の断面構成について説明する。
Next, a cross-sectional configuration of the liquid
図3において、下側基板2の内面上には反射層5が形成されている。反射層5には、サブ画素領域SG毎に略矩形状の開口20が形成されている。開口20は、カラーフィルタ基板92の内面上に縦横にマトリクス状に配列されたサブ画素領域SG毎に、当該サブ画素領域SGの全面積を基準として所定割合の面積を有するように形成されている。この開口20により、透過表示領域が規定される。また、下側基板2の内面上には、サブ画素領域SG毎にR、G、Bの三色のいずれかからなる着色層6R、6G、及び6Bが形成されている。各サブ画素領域SGの間に対応する反射層5の内面上には重ね遮光層40が形成されている。着色層6及び重ね遮光層40の内面上には透明電極8が形成されている。なお、下側基板2に形成されるその他の構成要素は図2と同様であり、その説明を省略する。
In FIG. 3, a
一方、上側基板1の内面上であって且つ重ね遮光層40に対向する位置には、データ線32が形成されている。また、上側基板1の内面上には、サブ画素領域SG毎に画素電極10及びTFD素子21が夫々形成されている。画素電極10は、TFD素子21を介してデータ線32に接続されている。上側基板1、画素電極10、TFD素子21及びデータ線32の内面上には、配向膜(図示略)が形成されている。なお、上側基板1に形成されるその他の構成要素は図2と同様であり、その説明を省略する。
On the other hand,
さて、第1実施形態の液晶表示装置100において透過型表示がなされる場合、バックライト15から出射した照明光は、図3に示す経路Tに沿って進行し、着色層6及び画素電極10等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層6を透過することにより、所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
Now, when transmissive display is performed in the liquid
次に、図1、図4及び図5を参照して、素子基板91及びカラーフィルタ基板92の電極及び配線の構成について説明する。図4は、素子基板91を正面方向(即ち、図2及び図3における下方)から観察したときの素子基板91の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図5は、カラーフィルタ基板92を正面方向(即ち、図2及び図3における上方)から観察したときのカラーフィルタ基板92の電極の構成を平面図として示す。また、図4及び図5において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
Next, with reference to FIG. 1, FIG. 4, and FIG. 5, the configuration of the electrodes and wirings of the
図1において、素子基板91の画素電極10と、カラーフィルタ基板92の透明電極8との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素領域SGを構成する。そして、このサブ画素領域SGが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域V(2点鎖線により囲まれる領域)である。この有効表示領域Vに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図1及び図4において、液晶表示装置100の外周と、有効表示領域Vとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域38である。
In FIG. 1, a region where the
(電極及び配線構成)
先ず、図4を参照して、素子基板91の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板91は、TFD素子21、画素電極10、複数の走査線31、複数のデータ線32、XドライバIC33(走査線駆動回路)、YドライバIC110(データ線駆動回路)、及び複数の外部接続用端子35を備えている。
(Electrode and wiring configuration)
First, with reference to FIG. 4, the structure of the electrode of the
素子基板91の張り出し領域36上には、XドライバIC33及びYドライバIC110が例えばACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電膜)を介して、それぞれ実装されている。なお、図4において、素子基板91の張り出し領域36側の辺91aから反対側の辺91cへ向かう方向をY方向とし、辺91dから辺91bへ向かう方向をX方向とする。
On the projecting
張り出し領域36上には、複数の外部接続用端子35が形成されている。XドライバIC33及びYドライバIC110の各入力端子(図示略)は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子35にそれぞれ接続されている。外部接続用端子35は、ACFや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置100へ信号や電力が供給される。
A plurality of
YドライバIC110の出力端子(図示略)は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線32に接続されている。一方、各XドライバIC33の出力端子(図示略)は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線31に接続されている。これにより、各XドライバIC33は複数の走査線31に走査信号を、YドライバIC110は複数のデータ線32にデータ信号をそれぞれ出力する。
The output terminals (not shown) of the
複数のデータ線32は、紙面縦方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域36から有効表示領域VにかけてX方向に形成されている。各データ線32は一定の間隔を隔てて形成されている。また、各データ線32は、適宜の間隔をおいて複数のTFD素子21に接続されており、各TFD素子21は、対応する各画素電極10に接続されている。
The plurality of
複数の走査線31は、本線部分31aと、その本線部分31aに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分31bとにより構成されている。各本線部分31aは、額縁領域38内を張り出し領域36からY方向に形成されている。また、各本線部分31aは、各データ線32に対して略平行で、且つ、一定の間隔を隔てて形成されている。各折れ曲がり部分31bは、額縁領域38内において、左右に位置するシール部材3内までX方向に延在している。そして、その折れ曲がり部分31bの終端部は、シール部材3内で導通部材7に接続されている。
The plurality of
次に、カラーフィルタ基板92の電極の構成について説明する。図5に示すように、カラーフィルタ基板92は、X方向にストライプ状の透明電極(走査電極)8が形成されている。各透明電極8の左端部或いは右端部は、図1及び図5に示すように、シール部材3内まで延在しており、且つ、シール部材3内の導通部材7に接続されている。
Next, the configuration of the electrodes of the
以上に述べた、カラーフィルタ基板92と素子基板91とをシール部材3を介して貼り合わせた状態が図1に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板92の各透明電極8は、素子基板91の各データ線32に対して直交しており、且つ、横列をなす複数の画素電極10と平面的に重なり合っている。このように、透明電極8と画素電極10とが重なり合う領域がサブ画素領域SGを構成する。
FIG. 1 shows a state where the
また、カラーフィルタ基板92の透明電極8(即ち、カラーフィルタ基板92側の走査線)と、素子基板91の走査線31とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その透明電極8と走査線31とは、シール部材3内の導通部材7を介して上下導通している。つまり、透明電極8たるカラーフィルタ基板92の各走査線と、素子基板91の各走査線31との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、カラーフィルタ基板92の透明電極8は、素子基板91の走査線31を介して、紙面左右に夫々位置する各XドライバIC33に電気的に接続されている。
Further, the
(セルギャップの均一化方法)
次に、図6乃至図8を参照して、本発明の第1実施形態に係るセルギャップの均一化方法について説明する。
(Method for uniform cell gap)
Next, with reference to FIGS. 6 to 8, a method for equalizing a cell gap according to the first embodiment of the present invention will be described.
図6は、素子基板91とカラーフィルタ基板92とを貼り合せた状態の部分平面図を示している。また、図6は、図2及び図3の断面図における下方から観察したときの複数画素のレイアウト、及び対応するカラーフィルタ基板の主要な要素のレイアウトを夫々示している。
FIG. 6 is a partial plan view showing a state in which the
なお、図6において、各データ線32の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板92側の透明電極8(破線にて囲まれる領域)と対向する領域は、サブ画素領域SG(一点鎖線にて囲まれる矩形状の領域)である。サブ画素領域SGは、反射表示領域E1、及び透過表示領域E2により構成される。反射表示領域E1は、反射型表示を行う領域であり、X方向の長さ略W21とY方向の長さ略W20を有する領域である。透過表示領域E2は、透過型表示を行う領域であり、X方向の長さW22とY方向の長さW20を有する領域である。また、図6において、Y方向に相隣接する画素電極10の間には、透過表示領域E2と反射表示領域E1とが切り換る切り換え領域E50が形成されている。換言すれば、透過表示領域E2と反射表示領域E1の境界部分(切り換え領域E50)は、画素電極10の縁近傍に存在している。図7は、図6の平面図における切断線X1−X2に沿った断面図である。また、図7は、1つのサブ画素領域SG付近の断面図であり、特にフォトスペーサ27、重ね遮光層40及びTFD素子21の各位置関係を説明する断面図である。また、図7では、便宜上、重ね遮光層40の層構造を模式的に示す。
In FIG. 6, a region between the data lines 32 and facing the transparent electrode 8 (region surrounded by a broken line) on the
まず、図6を参照して、素子基板91及びカラーフィルタ基板92の平面構成について概略的に説明し、続いて、図7を参照して、1つのサブ画素領域SG付近の断面構成について説明する。
First, the planar configuration of the
素子基板91の主要な平面構成は次の通りである。図6において、上側基板1上には、データ線32、TFD素子21及び画素電極10が形成されている。各データ線32は、Y方向に延在し且つ適宜の間隔を置いて形成されている。TFD素子21は、サブ画素領域SG内に且つ透過表示領域E2の下側の位置に形成されており、データ線32に接続されている。画素電極10は、サブ画素領域SGより若干小さな形状を有し、サブ画素領域SG内に形成されている。画素電極10は、TFD素子21に接続されている。このため、画素電極10は、TFD素子21を介してデータ線32に電気的に接続されている。また、データ線32及びTFD素子21の上には、フォトリソグラフィー等の方法にて形成され、略正多角形の平面形状をなす、柱状のフォトスペーサ27が形成されている。
The main planar configuration of the
なお、フォトスペーサ27は、レベリング性があるので上記のようにTFD素子21及びデータ線32の上に形成されても平坦性を確保することができる。即ち、フォトスペーサ27をTFD素子21及びデータ線32の上に形成したとしても、そのフォトスペーサ27の内面は平坦性を確保することができる。また、フォトスペーサ27の少なくとも一部は、Y方向に相隣接する画素電極10の間の領域(切り換え領域E50を含む)に重なり合っている。
Since the
一方、カラーフィルタ基板92の主要な平面構成は次の通りである。図6において、下側基板2の内面上には、反射層5(図示略)が形成されており、それは略矩形状の開口20を有する。着色層6は、画素電極10と略同一の大きさを有し、サブ画素領域SG内、具体的には反射表示領域E1に対応する反射層5及び透過表示領域E2に対応する下側基板2の内面上に形成されている。重ね遮光層40(破線にて囲まれた領域)は、略団子状の領域を複数有し、各着色層6を区画する位置に且つ反射層5の内面上に形成されており、サブ画素の開口を規定している。重ね遮光層40は、特に、フォトスペーサ27に対応する位置周辺においてY方向の線幅が大きく(太く)形成されており、平面視した状態で略正方形の領域E3を有している。反射表示領域E1に対応する着色層6等の内面上には、オーバーコート層18が形成されている。オーバーコート層18の内面上であって、且つ、X方向に列をなす複数のサブ画素領域SGに重なる位置には、ストライプ状の透明電極8が形成されている。
On the other hand, the main planar configuration of the
以上の構成を有する、素子基板91とカラーフィルタ基板92とが貼り合わされた状態が図6に示されている。
FIG. 6 shows a state in which the
次に、図7を参照して、1つのサブ画素領域SGに対応する素子基板91及びカラーフィルタ基板92の断面構成、及びフォトスペーサ27、重ね遮光層40及びTFD素子21の各位置関係について説明する。
Next, with reference to FIG. 7, cross-sectional configurations of the
まず、1つのサブ画素領域SG付近のカラーフィルタ基板92の断面構成について説明する。反射表示領域E1を含む下側基板2上の内面上には反射層5が形成されている。反射層5は、サブ画素領域SG内の反射表示領域E1に隣接する位置に開口20を有し、その位置に透過表示領域E2が形成されている。着色層6は、サブ画素領域SG内における反射層5及び下側基板2の内面上などに形成されており、その着色層6は透過表示領域E2と反射表示領域E1とで膜厚が夫々異なるように形成されている。即ち、透過表示領域E2に形成された着色層6の膜厚は、反射表示領域E1に形成された着色層6の膜厚よりも大きく設定されている。反射表示領域E1に対応する着色層6の内面上にはオーバーコート層18が形成されており、そのオーバーコート層18の周縁部はテーパー状に形成されている。透過表示領域E2に対応する着色層6の内面上、及びオーバーコート層18の内面上には透明電極8が形成されている。1つのサブ画素領域SGの反射表示領域E1と、それに隣接する他のサブ画素領域SGの透過表示領域E2の間には重ね遮光層40が所定厚さにて形成されている。重ね遮光層40の上面40aは平坦性を有している。なお、その他の構成要素は上記において説明したので説明を省略する。
First, a cross-sectional configuration of the
次に、1つのサブ画素領域SG付近の素子基板91の断面構成について説明する。
Next, a cross-sectional configuration of the
透過表示領域E2及び反射表示領域E1に対応する、上側基板1の内面上には画素電極10が形成されている。重ね遮光層40に対向する上側基板1の内面上にはTFD素子21が形成されている。TFD素子21に対応する位置には、フォトスペーサ27が形成されており、フォトスペーサ27の内面27a(以下、「平坦面27a」とも呼ぶ)は、重ね遮光層40の上面40aに接触している。フォトスペーサ27は上記したようにレベリング性があるのでTFD素子21上に形成されても、フォトスペーサ27の内面27aは平坦性を確保することができる。なお、その他の構成要素は上記において説明したので説明を省略する。
A
以上の構成を有する、カラーフィルタ基板92と素子基板91とはシール部材3(図示略、図2及び図3を参照)を介して貼り合せられ、それらの間に液晶層4が封入されている。このとき、フォトスペーサ27の平坦面27aと重ね遮光層40の上面40aとは接触しており、それらの要素によりセルギャップが所定厚さに保持されている。具体的には、反射表示領域E1に対応する液晶層4の厚さはD1に、透過表示領域E2に対応する液晶層4の厚さはD2(>D1)に夫々設定されている。この点について、図6及び図8を参照して、更に詳述する。図8は、図6における切断線X3−X4に沿った部分断面図であり、特にフォトスペーサ27の平坦面27aの中心点Oを通る断面図である。 まず、図6の平面図において、素子基板91とカラーフィルタ基板92とが適正に(組みずれなしに)貼り合わされた状態において、フォトスペーサ27の平坦面27a及びフォトスペーサ27に対応する重ね遮光層40の上面40a(略正方形の平面形状を有する領域E3)の各中心点は一致する。また、フォトスペーサ27の平坦面27aにおける、X方向の対角線の長さ(点P1−点P2間の長さ)及びY方向の対角線の長さ(点P3−点P4間の長さ)は夫々W1に設定されている。好適な例では、上記「W1」を約14μmに設定することができる。
The
一方、領域E3に対応する重ね遮光層40の上面40aのX方向及びY方向の長さは、フォトスペーサ27の各対角線と同一の長さに設定にしてもよいが、本例では素子基板91とカラーフィルタ基板92との貼り合せ時の組みずれ(パネル構成時の位置ずれ)分の距離D5(=3μm)を確保して、夫々W2(>W1)に設定している。即ち、「W2」は最低14μm、より好ましくは、約20μmに設定することができる。これにより、重ね遮光層40の上面40aに対応する領域E3は、フォトスペーサ27の平坦面27aの面積(領域)より大きくなる。即ち、前者は、後者に対して、フォトスペーサ27の平坦面27aの点P1から紙面下方向に距離D5、その点P2から紙面上方向に距離D5、その点P3から紙面左方向に距離D5、及び、その点P4から紙面右方向に距離D5だけ大きくなるように形成されている。
On the other hand, the length in the X direction and the Y direction of the
よって、万が一、素子基板91とカラーフィルタ基板92との貼り合せ時に、3μm以下の範囲で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサ27の平坦面27aを、必ず重ね遮光層40の上面40aに接触させることができる。また、フォトスペーサ27の平坦面27a及び領域E3に対応する重ね遮光層40の上面40aは共に平坦性を有している。よって、セルギャップを上記の所定厚さに安定的に保持することができる。
Therefore, even if a misalignment occurs within a range of 3 μm or less when the
次に、図8において、下側基板2の内面上には反射層5が形成されていると共に、反射層5の内面上には重ね遮光層40が夫々形成されている。上記したように、重ね遮光層40の上面40aは平坦性を有している。
Next, in FIG. 8, the
一方、上側基板1の内面上には、データ線32が形成されている。データ線32上であって且つオーバーコート層18の近傍に対応する位置には、フォトスペーサ27が形成されている。重ね遮光層40の上面40aに対向するフォトスペーサ27aの平坦面27aは、上記したように平坦性を有している。素子基板91とカラーフィルタ基板92とが貼り合わされた状態では、フォトスペーサ27の平坦面27aと、領域E3に対応する重ね遮光層40の上面40aとは接触している。以上の断面構成により、セルギャップを上記のように所定厚さに保持することができる。
On the other hand,
また、本実施形態では、フォトスペーサ27をTFD素子21に対応する位置に形成することとしている。このため、万が一、ユーザが、そのTFD素子21付近に対応する液晶パネル面に外力を付与したとしても、TFD素子21はそのフォトスペーサ27により保護され、TFD素子21が破損するのを防止できる。また、そのような位置にフォトスペーサ27を配置することにより、フォトスペーサ27が絶縁物として機能し、TFD素子21と透明電極8等との間で短絡が生じるのを防止できる。特に、フォトスペーサ27を液晶表示装置100内のすべてのTFD素子21に対応する位置に配置することにより、上記のような不具合が生じるのを確実に防止できる。
In the present embodiment, the
なお、上記の第1実施形態では、フォトスペーサ27と対向する遮光層を重ね遮光層40として構成しているが、その代わりに黒色遮光層として構成してもよい。
In the first embodiment, the light shielding layer facing the
また、第1実施形態では、フォトスペーサ27の平坦面27aと重ね遮光層40の上面40aとを直接接触させるように構成している。しかし、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27aと、重ね遮光層40の上面40aとを夫々配向膜を介して間接的に接触させるように構成しても構わない。即ち、素子基板91においてフォトスペーサ27の内面上などに配向膜を形成する一方、カラーフィルタ基板92において重ね遮光層40の内面上などに配向膜を形成する。これにより、フォトスペーサ27の平坦面27a上に形成された配向膜は、当該平坦面27aの形状を反映して平坦化されると共に、重ね遮光層40の上面40aに形成された配向膜は、当該上面40aの形状を反映して平坦化される。このように本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27a上に形成された配向膜と、重ね遮光層40の上面40aに形成された配向膜とを接触させて、フォトスペーサ27の平坦面27aと、重ね遮光層40の上面40aとを間接的に接触させるように構成しても構わない。
In the first embodiment, the
[第2実施形態]
第2実施形態は、フォトスペーサに対応するオーバーコート層18の上面を所定の大きさに且つ平坦性を有するように形成して、その部分を、対応するフォトスペーサの平坦面の面積(領域)より大きくすることにより、セルギャップを所定厚さに保持する。
[Second Embodiment]
In the second embodiment, the upper surface of the
第2実施形態に係る液晶表示装置を第1実施形態に係る液晶表示装置100と比較すると、次の点が構成上相違している。第1実施形態では、カラーフィルタ基板92側において重ね遮光層40の内面上にオーバーコート層18を形成していないが、第2実施形態では、カラーフィルタ基板94側においてオーバーコート層18のテーパー状の一辺側を重ね遮光層40の内面上に形成する。なお、第2実施形態の液晶表示装置は、第1実施形態と同様に反射表示領域E1にオーバーコート層18を形成することで、透過表示領域E2に対応する液晶層4と、反射表示領域E1に対応する液晶層4の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。
When the liquid crystal display device according to the second embodiment is compared with the liquid
図9乃至図11を参照して、第2実施形態について説明する。図9は、図6に対応する部分平面図である。また、図9において、Y方向に相隣接する画素電極10の間には、透過表示領域E2と反射表示領域E1とが切り換る切り換え領域E50が存在している。換言すれば、透過表示領域E2と反射表示領域E1の境界部分(切り換え領域E50)は、Y方向に相隣接する画素電極10の縁近傍に存在している。図10は、図7に対応する部分断面図であると共に、図9における切断線X5−X6に沿った部分断面図である。図11は、図8に対応する部分断面図であると共に、図9における切断線X7−X8に沿った部分断面図である。なお、以下では、本発明の第2実施形態に関連する主要な要素について説明をすると共に、第1実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
The second embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 11. FIG. 9 is a partial plan view corresponding to FIG. In FIG. 9, a switching area E50 where the transmissive display area E2 and the reflective display area E1 are switched exists between the
図9において、オーバーコート層18はカラーフィルタ基板94側に形成されており、図示の太い破線にて囲まれる領域がオーバーコート層18の領域となっている。この太い破線にて囲まれるオーバーコート層18の領域の内面上は平坦性が確保されていると共に、その領域外周辺のオーバーコート層18(図示略)はテーパー状に形成されている。図示のように、オーバーコート層18は、反射表示領域E1に対応する着色層6の内面上などに形成されている。特に、TFD素子21に対応する位置に形成されるオーバーコート層18は、紙面上方向に領域が大きくなるように形成、即ち切り換え部分E50より紙面上方向に突出するように形成されている。この点について、図10の断面図を参照して説明する。
In FIG. 9, the
まず、1つのサブ画素領域SG付近のカラーフィルタ基板94の断面構成について説明する。図10において、反射表示領域E1を含む下側基板2上の内面上には反射層5が形成されている。反射層5は、サブ画素領域SG内の反射表示領域E1に隣接する位置に開口20を有し、開口20により透過表示領域E2が規定されている。着色層6はサブ画素領域SG内に形成されている。反射層5の内面上には、着色層6及び重ね遮光層40が形成されている。反射表示領域E1に対応する着色層6及び重ね遮光層40の内面上には、オーバーコート層18が所定厚さにて形成され、マルチギャップが形成されている。オーバーコート層18の周縁部近傍はテーパー状に形成されている。特に、オーバーコート層18の一辺側の周縁部18xは重ね遮光層40の一部内面上に形成されており、これにより光抜けの防止が図られている。サブ画素領域SG内には透明電極8が形成されている。
First, a cross-sectional configuration of the
次に、1つのサブ画素領域SG付近の素子基板96の断面構成について説明する。
Next, a cross-sectional configuration of the
透過表示領域E2及び反射表示領域E1に対応する、上側基板1の内面上には画素電極10が形成されている。重ね遮光層40に対応する上側基板1の内面上には、TFD素子21が形成されている。TFD素子21に対応する位置にはフォトスペーサ27が形成されており、かかるフォトスペーサ27の平坦面27aは、平坦性を有するオーバーコート層18の上面18aと接触している。
A
以上の構成を有する、カラーフィルタ基板94と素子基板96とはシール部材3(図示略)を介して貼り合せられ、それらの間に液晶層4が封入されている。このとき、フォトスペーサ27の平坦面27aとオーバーコート層18の上面18aとは接触しており、それらの要素によりセルギャップが所定厚さに保持されている。即ち、反射表示領域E1に対応する液晶層4の膜厚はD1に、透過表示領域E2に対応する液晶層4の膜厚はD2(>D1)に夫々設定されている。
The
この点について、図9及び図11を参照して、更に詳述する。図11は、図9における切断線X7−X8に沿った部分断面図であり、図9におけるフォトスペーサ27の中心点Oを通る部分断面図である。また、図11は、フォトスペーサ27の平坦面27aと、対向するオーバーコート層18の上面18aの大きさなどの関係について説明する図である。
This point will be described in more detail with reference to FIGS. FIG. 11 is a partial cross-sectional view taken along the cutting line X7-X8 in FIG. 9, and is a partial cross-sectional view passing through the center point O of the
まず、図9の平面図において、フォトスペーサ27は、画素電極10の角部近傍に形成されている。また、フォトスペーサ27のX方向における対角線の長さ(点P1−点P2間の長さ)及びY方向における対角線の長さ(点P3−点P4間の長さ)は夫々W1に設定されている点は第1実施形態と同様である。
First, in the plan view of FIG. 9, the
オーバーコート層18は、一般に横方向に列をなす複数の反射表示領域E1に対応する位置に形成されるのであるが、第2実施形態では、特に、切り換え領域E50より紙面上方向に突出するように形成している。具体的には、フォトスペーサ27に対応する位置近傍において、オーバーコート層18は、フォトスペーサ27の点P2から紙面上方向に距離D5、その点P3から紙面左方向に距離D5、その点P4から紙面右方向に距離D5となるように形成されている。
The
これにより、その付近のオーバーコート層18の上面18aの領域は、フォトスペーサ27の平坦面27aの面積(領域)より大きくなる。ここで、フォトスペーサ27の平坦面27aの点P1を基準とすると、点P1からオーバーコート層18の上辺18tまでの距離W3は、フォトスペーサ27のX方向の対角線(点P1−点P2の間の対角線)の長さと、点P2からオーバーコート層18の上辺18tまでの距離D5を加算した値になっている。好適な例では、上記の「W1」を略14μmに設定した場合、距離D5を3μm以上、即ち「W3」を17μm以上に且つ「W2」を20μm以上に設定することができる。
Thereby, the region of the
よって、万が一、素子基板96とカラーフィルタ基板94との貼り合せ時に、3μm以下の範囲で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサ27の平坦面27aを、必ずオーバーコート層18の上面18aに接触させることができる。また、フォトスペーサ27の平坦面27a及びそれに対応するオーバーコート層18の上面18aは共に平坦性を有している。よって、セルギャップを上記の所定厚さに安定的に保持することができる。
Therefore, even if a misalignment occurs in the range of 3 μm or less when the
次に、図11を参照して、フォトスペーサ27の中心点Oを通る部分の断面構成において、特に、断面視したときのフォトスペーサ27の平坦面27aとその付近のオーバーコート層18の上面18aの領域の大きさの関係について説明する。
Next, referring to FIG. 11, in the cross-sectional configuration of the portion passing through the center point O of the
図11において、下側基板2の内面上には反射層5が形成されていると共に、反射層5の内面上には重ね遮光層40が形成されている。重ね遮光層40の一部内面上には、オーバーコート層18が形成されている。オーバーコート層18の上面18aは平坦性を有すると共に、その一辺側の周縁部18xはテーパー状に形成されている。オーバーコート層18の上面18aには透明電極8が形成されている。一方、素子基板96の構成は図8と同様である。素子基板96とカラーフィルタ基板94とが貼り合わされた状態では、フォトスペーサ27の平坦面27aと、平坦性を有するオーバーコート層18の上面18aとは接触している。
In FIG. 11, a
図示のように、フォトスペーサ27の幅(図6におけるX方向の対角線の長さに相当)はW1に設定されている。また、かかる付近の平坦性を有するオーバーコート層18の上面18aは、フォトスペーサ27の点P2を通る直線L5から紙面右方向に距離D5だけ長めに形成されている。換言すれば、かかる付近の平坦性を有するオーバーコート層18の上面18aは、フォトスペーサ27の点P1を通る直線L6から紙面右方向に、フォトスペーサ27の幅W1とその距離D5を加えた値、即ちW3だけ長く形成されている。このため、素子基板96とカラーフィルタ基板94とを貼り合せた状態において、フォトスペーサ27の平坦面27aとオーバーコート層18の上面18aとは必ず接触することになる。また、フォトスペーサ27の平坦面27a及びオーバーコート層18の上面18aは共に平坦性を有している。よって、セルギャップを上記のように所定厚さに保持することができる。
As shown in the drawing, the width of the photo spacer 27 (corresponding to the length of the diagonal line in the X direction in FIG. 6) is set to W1. Further, the
また、フォトスペーサ27をTFD素子21に対応する位置に形成することとしているので、第1実施形態と同様にTFD素子21の破損、及びTFD素子21と透明電極8などとの短絡を防止できる。
Further, since the
なお、第2実施形態では、フォトスペーサ27の平坦面27aとオーバーコート層18の上面18aとを直接接触させるように構成している。しかし、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27aと、オーバーコート層18の上面18aとを夫々配向膜を介して間接的に接触させるように構成しても構わない。即ち、素子基板96においてフォトスペーサ27の内面上などに配向膜を形成する一方、カラーフィルタ基板94においてオーバーコート層18の内面上などに配向膜を形成する。これにより、フォトスペーサ27の平坦面27a上に形成された配向膜は、当該平坦面27aの形状を反映して平坦化されると共に、オーバーコート層18の上面18aに形成された配向膜は、当該上面18aの形状を反映して平坦化される。このように本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27a上に形成された配向膜と、オーバーコート層18の上面18aに形成された配向膜とを接触させて、フォトスペーサ27の平坦面27aと、オーバーコート層18の上面18aとを間接的に接触させるように構成しても構わない。
In the second embodiment, the
[第3実施形態]
第3実施形態に係る液晶表示装置では、素子基板側にオーバーコート層が形成されると共に、カラーフィルタ基板側にフォトスペーサが形成される。この点は、第1及び第2実施形態と構成上大きく相違している。但し、第3実施形態は、フォトスペーサに対応するオーバーコート層の上面を所定の大きさに且つ平坦性を有するように形成して、その部分を、対応するフォトスペーサの平坦面の面積(領域)より大きくすることにより、セルギャップを所定厚さに保持する点は第2実施形態と同様である。なお、第3実施形態の液晶表示装置は、第1及び第2実施形態と同様に反射表示領域E11にオーバーコート層18等を形成することで、透過表示領域E12に対応する液晶層4と、反射表示領域E11に対応する液晶層4の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。
[Third embodiment]
In the liquid crystal display device according to the third embodiment, an overcoat layer is formed on the element substrate side, and a photo spacer is formed on the color filter substrate side. This point is greatly different in configuration from the first and second embodiments. However, in the third embodiment, the upper surface of the overcoat layer corresponding to the photo spacer is formed to have a predetermined size and flatness, and the portion is defined as the area (region) of the flat surface of the corresponding photo spacer. This is the same as in the second embodiment in that the cell gap is kept at a predetermined thickness by making it larger. In the liquid crystal display device of the third embodiment, the
図12及び図13を参照して、第3実施形態について説明する。なお、以下では、第1及び第2実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図12は、素子基板を正面方向から観察したときの1画素分のレイアウトを示す部分平面図である。なお、図12では、本発明に関連する必要最小限の要素のみを図示し、その他の要素は便宜上省略している。図12において、各データ線32の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板の透明電極8(二点鎖線にて囲まれる領域)と対向する領域は、サブ画素領域SG(一点鎖線にて囲まれる領域)である。サブ画素領域SGは、反射表示領域E11、及び透過表示領域E12により構成される。反射表示領域E11は、反射型表示を行う領域であり、X方向の長さW11とY方向の長さW12を有する矩形状の領域である。反射表示領域E11は、透過表示領域E12側に、X方向の長さW14とY方向の長さW12を有する矩形状の第1コンタクト領域E13と、第1コンタクト領域E13の一端側からX方向に長さW16とY方向に長さW12を有するマルチギャップテーパー領域E15とを有する。マルチギャップテーパー領域E15とは、樹脂散乱層25及びオーバーコート層26がテーパー状に形成される領域である。透過表示領域E12は、透過型表示を行う領域であり、X方向の長さW13とY方向の長さW12を有する領域である。また、図12において、Y方向に相隣接する画素電極10の間には、上記第1及び第2実施形態と同様に切り換え領域E50が存在している。換言すれば、透過表示領域E12と反射表示領域E11の境界部分(切り換え領域E50)は、Y方向に相隣接する画素電極10の縁近傍に存在している。
A third embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13. In the following, elements similar to those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. FIG. 12 is a partial plan view showing a layout for one pixel when the element substrate is observed from the front direction. In FIG. 12, only the minimum necessary elements related to the present invention are shown, and other elements are omitted for convenience. In FIG. 12, the region between the data lines 32 and the region facing the transparent electrode 8 (region surrounded by a two-dot chain line) of the color filter substrate is a sub-pixel region SG (one-dot chain line). (Enclosed area). The sub-pixel area SG includes a reflective display area E11 and a transmissive display area E12. The reflective display area E11 is an area for performing reflective display, and is a rectangular area having a length W11 in the X direction and a length W12 in the Y direction. The reflective display region E11 has a rectangular first contact region E13 having a length W14 in the X direction and a length W12 in the Y direction on the transmissive display region E12 side, and from one end side of the first contact region E13 in the X direction. A multi-gap tapered region E15 having a length W16 and a length W12 in the Y direction. The multi-gap taper region E15 is a region where the
(液晶表示装置の構成)
図12において、下側基板51上には、Y方向に直線状のデータ線32が適宜の間隔をおいて形成されている。下側基板51上の反射表示領域E11内には、TFD素子21が形成されている。データ線32とTFD素子21は電気的に接続されている。下側基板51、データ線32、及びTFD素子21等の上には各種の要素が形成されるが、ここで理解を容易にするため、図13の断面図を参照して、その積層構造について説明する。図13は、図12における切断線X9−X10に沿った断面図であり、具体的には1つのサブ画素領域SGをX方向にて切断したときの液晶表示装置の切断面図である。
(Configuration of liquid crystal display device)
In FIG. 12, on the
下側基板51の内面上には、TFD素子21、その構成要素であるコンタクト部337、及び樹脂散乱層25が形成されている。
On the inner surface of the
具体的には、TFD素子21は、反射表示領域E11に対応する下側基板51の内面上に形成されている。コンタクト部337は、第2コンタクト領域E14に対応する下側基板51の内面上に形成されている。第2コンタクト領域E14は、図12の平面図では、反射表示領域E11の上側に位置し、X方向の長さW15とY方向の長さW12を有する矩形状の領域である。図13に示すように第2コンタクト領域E14は、カラーフィルタ基板98側に形成された遮光層BMと対向しており、かかる第2コンタクト領域E14は遮光層BMに遮光され表示に寄与しない領域となっている。
Specifically, the
樹脂散乱層25は、コンタクト部337を除く下側基板51の内面上、並びにTFD素子21及びデータ線32(図示略)の内面上に形成されている。このため、コンタクト部337の上面には、樹脂散乱層25が矩形状にくり抜かれた開口25aが形成されている。また、反射表示領域E11に対応する樹脂散乱層25の表面上には微細な凹凸が形成されている。なお、反射表示領域E11に対応する液晶層4を所定厚さD11に、透過表示領域E12に対応する液晶層4を所定厚さD12に夫々保つため、樹脂散乱層25は、約1.2〜1.3μm程度の厚さに形成するのが好ましい。
The
反射層5は、反射表示領域E11に対応する樹脂散乱層25の内面上、及び第2コンタクト領域E14内におけるコンタクト部337の一部の内面上に形成されている。反射層5の表面上には、樹脂散乱層25の微細な凹凸が反映されている。このため、反射型表示を行う際には、外光がその凹凸形状により適度に散乱した状態で反射されるため反射光が均一化される。
The
オーバーコート層26は、第1コンタクト領域E13を除く反射表示領域E11に対応する反射層5の内面上、第2コンタクト領域E14内の反射層5の内面上、第2コンタクト領域E14内のコンタクト部337の一部内面上、及び第2コンタクト領域E14近傍の樹脂散乱層25の内面上に形成されている。マルチギャップテーパー領域E15、及び第2コンタクト領域E14近傍に夫々位置するオーバーコート層26の周縁部はテーパー状に形成されている。このように、オーバーコート層26は反射層5のエッジを被覆しているので、反射層5のエッジが剥離するなどの不具合が生じるのを防止できる。なお、第1コンタクト領域E13に対応する反射層5の内面上は、画素電極10と接続する領域となるためオーバーコート層26は形成されていない。
The
画素電極10は、サブ画素領域SG内に形成されている。具体的には、画素電極10は、透過表示領域E12に対応する樹脂散乱層25の内面上、第1コンタクト領域E13に対応する反射層5の内面上、及び第1コンタクト領域E13を除く反射表示領域E11に対応するオーバーコート層26の内面上に形成されている。
The
以上の構成において、画素電極10は、第1コンタクト領域E13にて反射層5の一端側に接続されていると共に、当該反射層5の他端側は第2コンタクト領域E14にてTFD素子21の構成要素であるコンタクト部337に接続されている。これにより、画素電極10は、反射層5を介してデータ線32及びTFD素子21に電気的に接続されている。
In the above configuration, the
次に、素子基板95における1つのサブ画素領域SGと、それに対向するカラーフィルタ基板98の構成及びその要素との位置関係等について説明する。
Next, the configuration of one sub-pixel region SG on the
上側基板52の内面上には、着色層6及び遮光層BMが形成されている。具体的には、着色層6は、画素電極10に対向する位置に形成されている。遮光層BMは、画素電極10の周囲、換言すればサブ画素領域SG外と対向する位置に形成されている。このため、第2コンタクト領域E14は遮光層BMにより遮光されている(図12の平面図も参照)。着色層6及び遮光層BMの内面上にはオーバーコート層18が形成されていると共に、オーバーコート層18の内面上には透明電極8が形成されている。反射表示領域E11に対応する透明電極8の内面上には、フォトスペーサ27が形成されている。フォトスペーサ27は、図12に示すように、画素電極10の角部に形成されている。
A
そして、素子基板95とカラーフィルタ基板98とがシール部材3(図示略)を介して貼り合わされた状態では、そのフォトスペーサ27によりセルギャップが所定厚さに保持されている。換言すれば、第3実施形態の液晶表示装置では、特に素子基板95において樹脂散乱層25及びオーバーコート層26の各層厚によりマルチギャップが構成されているため、反射表示領域E11では、液晶層4が所定厚さD11に保持されていると共に、透過表示領域E12では、液晶層4が所定厚さD12(>D11)に保持されている。
In a state where the
以上の構成を有する、1つのサブ画素領域SGにおいては、透過表示領域E12においてバックライト15からの照明光が経路Tに沿って進行して透過型表示がなされると共に、反射表示領域E11において外光が経路Rに沿って進行して反射型表示がなされる。
In one sub-pixel region SG having the above-described configuration, illumination light from the
(セルギャップの均一化方法)
次に、第3実施形態に係るセルギャップの均一化方法について説明する。第3実施形態では、図13の断面図に示すように、TFD素子21及びフォトスペーサ27に対応する位置付近のオーバーコート層26の上面26aを、平坦性を有するように形成し且つ矢印Y1方向にその領域を広げる。具体的には、このフォトスペーサ27が形成される適正位置を基準にすると、かかる付近のオーバーコート層26は、第2実施形態と同様に、フォトスペーサ27の平坦面27aの点P2から図12の紙面縦方向に距離D5、その点P3から紙面左方向に距離D5、及びその点P4から紙面右方向に距離D5だけ大きく形成する。これにより、第2実施形態と同様に、その付近のオーバーコート層26の上面26aは、フォトスペーサ27の平坦面27aの面積(領域)より大きくなる。
(Method for uniform cell gap)
Next, a method for equalizing the cell gap according to the third embodiment will be described. In the third embodiment, as shown in the cross-sectional view of FIG. 13, the
よって、万が一、素子基板95とカラーフィルタ基板98との貼り合せ時に、3μm以下の範囲で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサ27の平坦面27aを、必ずオーバーコート層26の上面26aに接触させることができる。また、フォトスペーサ27の平坦面27a及びそれに対応するオーバーコート層26の上面26aは共に平坦性を有している。よって、セルギャップを上記の所定厚さに安定的に保持することができる。
Therefore, even if a misalignment occurs in the range of 3 μm or less when the
また、フォトスペーサ27をTFD素子21に対応する位置に形成することとしているので、第1及び第2実施形態と同様にTFD素子21の破損などを防止できる。
In addition, since the
なお、第3実施形態では、フォトスペーサ27の平坦面27aとオーバーコート層26の上面26aとを直接接触させるように構成している。しかし、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27aと、オーバーコート層26の上面26aとを夫々配向膜を介して間接的に接触させるように構成しても構わない。即ち、素子基板95においてオーバーコート層26の内面上などに配向膜を形成する一方、カラーフィルタ基板98においてフォトスペーサ27の内面上などに配向膜を形成する。これにより、フォトスペーサ27の平坦面27a上に形成された配向膜は、当該平坦面27aの形状を反映して平坦化されると共に、オーバーコート層26の上面26aに形成された配向膜は、当該上面26aの形状を反映して平坦化される。このように本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27a上に形成された配向膜と、オーバーコート層26の上面26aに形成された配向膜とを接触させて、フォトスペーサ27の平坦面27aと、オーバーコート層26の上面26aとを間接的に接触させるように構成しても構わない。
In the third embodiment, the
[第4実施形態]
第4実施形態に係る液晶表示装置は、第3実施形態の液晶表示装置と略同様の構成であるが、素子基板の構成が若干相違している。即ち、第4実施形態の素子基板では、樹脂散乱層の内面上にオーバーコート層を形成せずにマルチギャップを形成する点、及び、反射層としての機能を兼ねる画素電極を採用している点が主に第3実施形態の素子基板の構成と相違している。このため、第4実施形態では、フォトスペーサに対応する樹脂散乱層の上面を所定の大きさに且つ平坦性を有するように形成して、その部分を、フォトスペーサの平坦面の面積(領域)より大きくすることにより、セルギャップを所定厚さに保持する。なお、第4実施形態の液晶表示装置は、反射表示領域E11に樹脂散乱層25を形成することで、透過表示領域E12に対応する液晶層4と、反射表示領域E11に対応する液晶層4の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。
[Fourth embodiment]
The liquid crystal display device according to the fourth embodiment has substantially the same configuration as the liquid crystal display device of the third embodiment, but the configuration of the element substrate is slightly different. That is, in the element substrate of the fourth embodiment, a multi-gap is formed without forming an overcoat layer on the inner surface of the resin scattering layer, and a pixel electrode that also functions as a reflective layer is employed. However, this is mainly different from the configuration of the element substrate of the third embodiment. For this reason, in the fourth embodiment, the upper surface of the resin scattering layer corresponding to the photo spacer is formed to have a predetermined size and flatness, and the portion is defined as the area (region) of the flat surface of the photo spacer. By making it larger, the cell gap is maintained at a predetermined thickness. In the liquid crystal display device of the fourth embodiment, the
図14を参照して、第4実施形態について説明する。なお、以下では、第1、第2及び第3実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図14は、図13に対応する部分断面図である。 The fourth embodiment will be described with reference to FIG. In the following, the same elements as those in the first, second, and third embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. FIG. 14 is a partial cross-sectional view corresponding to FIG.
(液晶表示装置の構成)
下側基板51の内面上には、TFD素子21、その構成要素であるコンタクト部337、及び樹脂散乱層25が形成されている。
(Configuration of liquid crystal display device)
On the inner surface of the
具体的には、TFD素子21は、反射表示領域E11に対応する下側基板51の内面上に形成されている。コンタクト部337は、カラーフィルタ基板98の遮光層BMに対向する位置であって、且つ下側基板51の内面上に形成されている。このため、コンタクト部337の形成された領域は遮光層BMに遮光され表示に寄与しない領域となっている。
Specifically, the
樹脂散乱層25は、下側基板51の内面上、及びコンタクト部337の一部内面上、並びにTFD素子21及びデータ線32(図示略)の内面上に形成されている。特に、第4実施形態の樹脂散乱層25は膜厚が大きくなるように形成されており、これにより、反射表示領域E11に対応する液晶層4の厚さと、透過表示領域E12に対応する液晶層4の厚さとが夫々異なる、マルチギャップが形成されている。また、反射表示領域E11の一部に対応する樹脂散乱層25の表面上には微細な凹凸が形成されている。
The
画素電極10は、アルミニウムなどの材料にて形成され反射層としての機能を有する反射電極10aと、それに電気的に接続されたITOなどの透明電極10bとを有する。反射電極10aは、反射表示領域E11に対応する樹脂散乱層25の内面上に形成されていると共に、透明電極10bは、透過表示領域E12に対応する下側基板51の内面上に形成されている。なお、画素電極10は、コンタクト部337に電気的に接続されているが、図14ではその接続部分の図示を省略している。これにより、画素電極10は、データ線32及びTFD素子21に電気的に接続されている。なお、画素電極10の内面上には、図示しない配向膜が形成される。一方、カラーフィルタ基板98は、第3実施形態と同様の構成であるため説明を省略する。
The
そして、素子基板97とカラーフィルタ基板98とがシール部材3(図示略)を介して貼り合わされた状態では、そのフォトスペーサ27によりセルギャップが所定厚さに保持されている。換言すれば、第4実施形態の液晶表示装置では、特に素子基板97において樹脂散乱層25の層厚によりマルチギャップが構成されているため、反射表示領域E11では、液晶層4が所定厚さD13に保持されていると共に、透過表示領域E12では、液晶層4が所定厚さD14(>D13)に保持されている。
In a state where the
以上の構成を有する、1つのサブ画素領域SGにおいては、透過表示領域E12においてバックライト15からの照明光が経路Tに沿って進行して透過型表示がなされると共に、反射表示領域E11の画素電極10aにおいて外光が経路Rに沿って進行して反射型表示がなされる。
In one sub-pixel region SG having the above-described configuration, illumination light from the
(セルギャップの均一化方法)
次に、第4実施形態に係るセルギャップの均一化方法については、第3実施形態と略同様である。即ち、第3実施形態では、図12の平面図においてTFD素子21に対応する位置付近のオーバーコート層26の領域を、フォトスペーサ27の平坦面27aより大きくなるように且つ平坦性を有するように形成したが、第4実施形態では、そのオーバーコート層26を樹脂散乱層25に置き換えて適用(即ち、図12のオーバーコート層26の破線領域を樹脂散乱層25に置き換えて適用)し、TFD素子21に対応する位置付近の樹脂散乱層25の領域をフォトスペーサ27の平坦面27aより大きくなるように且つ平坦性を有するように形成する。これにより、第3実施形態と同様に、TFD素子21に対応する位置付近の樹脂散乱層25の平坦性を有する上面25bは、フォトスペーサ27の平坦面27aの面積(領域)より大きくなる。
(Method for uniform cell gap)
Next, the cell gap equalization method according to the fourth embodiment is substantially the same as that of the third embodiment. That is, in the third embodiment, the region of the
よって、万が一、素子基板97とカラーフィルタ基板98との貼り合せ時に、3μm以下の範囲で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサ27の平坦面27aを、必ず樹脂散乱層25の平坦性を有する上面25bに接触させることができる。よって、セルギャップを上記の所定厚さに安定的に保持することができる。
Therefore, even if a misalignment occurs in the range of 3 μm or less when the
なお、上記の第4実施形態では、樹脂散乱層25上に形成された反射電極10aが反射層としての役割と画素電極としての役割を合わせ持っているが、これに代えて、樹脂散乱層25上に形成された反射層と、透明な画素電極とを別個に形成する構成としてもよい。
In the fourth embodiment, the
なお、第4実施形態では、フォトスペーサ27の平坦面27aと樹脂散乱層25の上面25bとを直接接触させるように構成している。しかし、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27aと、樹脂散乱層25の上面25bとを夫々配向膜を介して間接的に接触させるように構成しても構わない。即ち、素子基板97において樹脂散乱層25の内面上などに配向膜を形成する一方、カラーフィルタ基板98においてフォトスペーサ27の内面上などに配向膜を形成する。これにより、フォトスペーサ27の平坦面27a上に形成された配向膜は、当該平坦面27aの形状を反映して平坦化されると共に、樹脂散乱層25の上面25bに形成された配向膜は、当該上面25bの形状を反映して平坦化される。このように本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27a上に形成された配向膜と、樹脂散乱層25の上面25bに形成された配向膜とを接触させて、フォトスペーサ27の平坦面27aと、樹脂散乱層25の上面25bとを間接的に接触させるように構成しても構わない。
In the fourth embodiment, the
[変形例]
上記の実施形態では、アクティブ素子としてTFD(薄膜トランジスタ)素子21を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。即ち、本発明は、TFD素子21の代わりに、アクティブ素子の他の例としてのアモルファスTFTを用いることも可能である。図15に、アモルファスTFTの断面図を示す。
[Modification]
In the above embodiment, the example using the TFD (thin film transistor)
図15において、TFT450は、図示しないゲート線から分岐したゲート電極402の上に、それを覆うようにゲート絶縁膜403が設けられている。ゲート絶縁膜403の上には、ゲート電極402に重なるようにa−Si層405が設けられている。a−Si層405の上には、2つに分断されたn+−a−Si層406a、406bが設けられている。さらに、n+−a−Si層406aの上には図示しないソース線から分岐したソース電極408が設けられ、n+−a−Si層406bの上にはドレイン電極409が設けられている。ドレイン電極409の上には、遮光層28が部分的に重なるように設けられている。
In FIG. 15, a
本発明は、図15に示すように、アクティブ素子として、上記のようなアモルファスTFTのドレイン電極409と画素電極10又はコンタクト部337との接続部分にも適用することができる。これにより、TFT450は、画素電極10及びデータ線32に電気的に接続される。
As shown in FIG. 15, the present invention can also be applied to a connection portion between the
また、上記の実施形態では、フォトスペーサ27の平坦面27aを略正多角形となるように形成していたが、これに代えて、本発明では、フォトスペーサ27の平坦面27aを略円形となるように形成しても構わない。
In the above embodiment, the
また、上記の各実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置に本発明を適用することとした。しかし、これに限らず、本発明は、例えば、STN等のパッシブマトリクス駆動方式の液晶表示装置にも適用することが可能である。 In each of the above embodiments, the present invention is applied to an active matrix drive type liquid crystal display device. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to, for example, a passive matrix driving type liquid crystal display device such as STN.
[電子機器]
次に、本発明の第1実施形態による液晶表示装置100を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。なお、第2乃至第4実施形態の液晶表示装置も当該電子機器の表示装置として適用可能である。
[Electronics]
Next, an embodiment when the liquid
図16は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置100と、これを制御する制御手段410とを有する。ここでは、液晶表示装置100を、パネル構造体403と、半導体ICなどで構成される駆動回路402とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段410は、表示情報出力源411と、表示情報処理回路412と、電源回路413と、タイミングジェネレータ414と、を有する。
FIG. 16 is a schematic configuration diagram showing the overall configuration of the present embodiment. The electronic apparatus shown here includes the liquid
表示情報出力源411は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ414によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路412に供給するように構成されている。
The display
表示情報処理回路412は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号CLKとともに駆動回路402へ供給する。駆動回路402は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路413は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
The display
次に、本発明に係る液晶表示装置100を適用可能な電子機器の具体例について図17を参照して説明する。
Next, specific examples of electronic devices to which the liquid
まず、本発明に係る液晶表示装置100を、可搬型のパーソナルコンピュータ(いわゆるノート型パソコン)の表示部に適用した例について説明する。図17(a)は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ710は、キーボード711を備えた本体部712と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部713とを備えている。
First, an example in which the liquid
続いて、本発明に係る液晶表示装置100を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図17(b)は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機720は、複数の操作ボタン721のほか、受話口722、送話口723とともに、本発明に係る液晶表示装置100を適用した表示部724を備える。
Next, an example in which the liquid
なお、本発明に係る液晶表示装置100を適用可能な電子機器としては、図17(a)に示したパーソナルコンピュータや図17(b)に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
Electronic devices to which the liquid
また、本発明は、液晶表示装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等)などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。 Further, the present invention is not limited to a liquid crystal display device, but also an electroluminescence device, an organic electroluminescence device, a plasma display device, an electrophoretic display device, and a device using an electron-emitting device (Field Emission Display and Surface-Conduction Electron-Emitter Display). The present invention can be similarly applied to various electro-optical devices such as the above.
1 下側基板、 2 上側基板、 3 シール部材、 5 反射層、 6 着色層、 7 導通部材、 8 走査電極、 10 画素電極、 21 TFD素子、 25 樹脂散乱層、 17、18、26 オーバーコート層、 27 フォトスペーサ、 31 走査線、 32 データ線、 40 重ね遮光層、 92、94、96 カラーフィルタ基板、 91、95、97 素子基板、 100 液晶表示装置
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記フォトスペーサの少なくとも一部は、相隣接するサブ画素の間の領域と重なる位置に形成されていると共に、前記第2の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、
前記平坦面に接触する前記第2の基板の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きいことを特徴とする電気光学装置。 A first substrate having a photo spacer and a second substrate are bonded together via the photo spacer, and an electro-optic material is formed by encapsulating an electro-optical material between the first substrate and the second substrate. A device,
At least a part of the photo spacer is formed at a position overlapping with a region between adjacent sub-pixels, and the surface of the photo spacer facing the second substrate is a flat surface,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein an opposing surface of the second substrate that contacts the flat surface has flatness and is larger than an area of the flat surface.
前記遮光層は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きいことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 The opposing surface of the second substrate is present on a light shielding layer that defines an opening of the sub-pixel,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the light shielding layer has flatness and is larger than an area of the flat surface.
当該配向膜は前記遮光層の形状を反映して平坦化されていることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 An alignment film is provided on the light shielding layer,
The electro-optical device according to claim 2, wherein the alignment film is planarized to reflect the shape of the light shielding layer.
当該配向膜は前記フォトスペーサの形状を反映して平坦化されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の電気光学装置。 An alignment film is provided on the photo spacer,
The electro-optical device according to claim 2, wherein the alignment film is planarized to reflect the shape of the photospacer.
前記遮光層は、少なくとも列方向に相隣接する各着色層の間に形成されていることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 The second substrate includes a plurality of colored layers arranged in row and column directions,
5. The electro-optical device according to claim 2, wherein the light shielding layer is formed at least between the colored layers adjacent to each other in the column direction.
前記フォトスペーサは前記スイッチング素子の上に設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置。 The first substrate comprises a switching element;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the photo spacer is provided on the switching element.
前記平坦面の直径又は各対角線の長さは略14μmであると共に、前記第2の基板の対向面の縦及び横方向の長さは各々14μm以上であり、
前記平坦面及び前記第2の基板の対向面の中心点は一致していることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置。 The flat surface of the photospacer has a substantially circular or substantially regular polygonal planar shape, and the opposing surface of the second substrate has a substantially square planar shape,
The diameter of the flat surface or the length of each diagonal line is approximately 14 μm, and the lengths in the vertical and horizontal directions of the opposing surface of the second substrate are each 14 μm or more,
The electro-optical device according to claim 1, wherein center points of the flat surface and the opposing surface of the second substrate coincide with each other.
前記第1の基板において列方向に相隣接する前記サブ画素の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、
少なくとも前記切り換え部分及び前記反射領域に対応する前記第2の基板上にはオーバーコート層が形成されて前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成され、
前記第2の基板の対向面は、前記切り換え部分近傍の位置に且つ平坦性を有する前記オーバーコート層上の位置に対応していることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 The first substrate includes a transmission region and a reflection region in the sub-pixel,
Between the sub-pixels adjacent to each other in the column direction on the first substrate, there is a switching portion where the transmission region and the reflection region are switched,
An overcoat layer is formed on the second substrate corresponding to at least the switching portion and the reflective region, thereby forming a multi-gap structure in which the thickness of the electro-optic material layer is different between the transmissive region and the reflective region. ,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the facing surface of the second substrate corresponds to a position in the vicinity of the switching portion and a position on the overcoat layer having flatness.
前記第2の基板の対向面の端部から前記フォトスペーサの外側端部までの距離は3μm以上に設定されていることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。 The flat surface of the photospacer and the facing surface of the second substrate are formed at a position overlapping the switching element,
9. The electro-optical device according to claim 8, wherein a distance from an end portion of the opposing surface of the second substrate to an outer end portion of the photospacer is set to 3 μm or more.
前記第1の基板は、
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された導電膜と、
前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、
前記導電膜及び前記散乱層上に形成された反射層と、
前記反射層上に形成されたオーバーコート層と、
前記オーバーコート層及び前記反射層の一部上に形成された画素電極と、を備え、
前記オーバーコート層により、前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成されており、
列方向に相隣接する前記画素電極の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、
前記フォトスペーサは、前記切り換え部分を含む位置に形成されていると共に、前記第1の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、
前記平坦面に接触する前記オーバーコート層の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きいことを特徴とする電気光学装置。 A first substrate having a transmissive region and a reflective region in a subpixel and a second substrate having a photospacer are bonded to each other through the photospacer, and between the first substrate and the second substrate. An electro-optical device in which an electro-optical material is sealed,
The first substrate is
A switching element;
A conductive film connected to the switching element;
A scattering layer formed to cover the switching element;
A reflective layer formed on the conductive film and the scattering layer;
An overcoat layer formed on the reflective layer;
A pixel electrode formed on a part of the overcoat layer and the reflective layer,
The overcoat layer constitutes a multi-gap structure in which the thickness of the electro-optic material layer is different between the transmission region and the reflection region,
Between the pixel electrodes adjacent to each other in the column direction, there is a switching portion where the transmission region and the reflection region are switched,
The photo spacer is formed at a position including the switching portion, and the surface of the photo spacer facing the first substrate is a flat surface.
An electro-optical device, wherein an opposing surface of the overcoat layer that contacts the flat surface has flatness and is larger than an area of the flat surface.
前記第1の基板は、
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された導電膜と、
前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、
前記導電膜と接続され且つ少なくとも前記散乱層上に形成された画素電極と、を備え、
前記散乱層により、前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成されており、
列方向に相隣接する前記画素電極の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、
前記フォトスペーサは、前記切り換え部分を含む位置に形成されていると共に、前記第1の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、
前記平坦面に接触する前記散乱層の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きいことを特徴とする電気光学装置。 A first substrate having a transmissive region and a reflective region in a subpixel and a second substrate having a photospacer are bonded to each other through the photospacer, and between the first substrate and the second substrate. An electro-optical device in which an electro-optical material is sealed,
The first substrate is
A switching element;
A conductive film connected to the switching element;
A scattering layer formed to cover the switching element;
A pixel electrode connected to the conductive film and formed on at least the scattering layer,
The scattering layer forms a multi-gap structure in which the thickness of the electro-optic material layer is different between the transmission region and the reflection region,
Between the pixel electrodes adjacent to each other in the column direction, there is a switching portion where the transmission region and the reflection region are switched,
The photo spacer is formed at a position including the switching portion, and the surface of the photo spacer facing the first substrate is a flat surface.
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein an opposing surface of the scattering layer in contact with the flat surface has flatness and is larger than an area of the flat surface.
前記透過領域と前記反射領域の前記切り換え部分は、列方向に相隣接する前記サブ画素の縁近傍に位置していることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか一項に記載の電気光学装置。 The photo spacer is provided at a corner of the sub-pixel,
The electro-optic according to any one of claims 8 to 11, wherein the switching portion between the transmission region and the reflection region is located in the vicinity of an edge of the sub-pixel adjacent to each other in the column direction. apparatus.
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1 as a display unit.
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