JP2006086192A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザ素子が配設される基板(1)のヒートシンク側に、レーザ素子と対応してエッチング領域(10)を設け、このエッチング領域をヒートシンクの溝領域(14)と結合させて、冷却液路(19)を形成する。基板を冷却液で直接冷却することにより、冷却効率を改善する。特に、このエッチング領域のエッチング表面は凹凸面であり、冷却液の乱流が生じやすく、また冷却液との接触面積が広くなり、冷却効率を改善することができる。
【選択図】 図1
Description
図1は、この発明の実施の形態1に従う発光装置(以下、単にレーザ装置と称す)の断面構造を概略的に示す図である。図1において、レーザ装置は、基板1の主表面に形成される多層膜反射鏡2と、この多層膜反射鏡2表面上に互いに離間して配置されるN型クラッド層3と、N型クラッド層3上に形成される発光層4と、発光層4上に形成されるP型クラッド層5と、P型クラッド層5上に形成されるP型電極6と、このP型電極6上に形成される多層膜反射鏡7を含む。
図8は、この発明の実施の形態2に従うレーザ装置の要部の構成を概略的に示す図である。この図8に示すレーザ装置は、図1に示すレーザ装置と以下の点でその構成が異なる。すなわち、ヒートシンク12において、このヒートシンク12自体を冷却するための冷却水路50が設けられる。この図8に示すレーザ装置の他の構成は、図1に示すレーザ装置の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図9は、この発明の実施の形態3に従うレーザ装置の要部の構成を概略的に示す図である。この図9に示すレーザ装置においては、冷却水路55が、半導体レーザ素子LDと整列して配置されるように形成される。この冷却水路55は、ヒートシンク12表面に形成される溝領域64と、基板1の裏面に形成されるエッチング領域60を含む。この図9に示すレーザ装置の他の構成は、図1に示すレーザ装置の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図10は、この発明の実施の形態4に従うレーザ装置の要部の断面構造を概略的に示す図である。ヒートシンクには、冷却液を導入する冷却液導入路75と、各半導体レーザ素子LDに対応して形成される冷却液噴射口76と、この噴射口76から噴射された冷却液を排出する冷却液排出路77とが形成される。断面構造においては、ヒートシンクに形成される溝領域82は、冷却液排出路77と連通し、このヒートシンクの溝領域82に対応して、基板1には、エッチング領域60が形成される。ヒートシンクの冷却水路74は、溝領域82とエッチング領域60とで形成される。冷却水路74に対応して冷却液噴射口76が形成される。この冷却水路74は、半導体レーザ素子と整列して形成され、冷却液噴射口76からの噴射冷却液により基板領域を冷却する。
図12は、図12は、この発明の実施の形態5に従うレーザ装置の冷却構造を概略的に示す図である。図12においては、レーザ装置のヒートシンク100と、このヒートシンク100に形成される冷却水路102を示す。このヒートシンク100に形成される冷却水路102の構成としては、実施の形態1から3のいずれの構成が用いられてもよい。このヒートシンク本体には、冷却液導入口104と冷却液搬出口106が設けられる。このヒートシンク100へは、冷却液が、チラー(冷却機)110から供給される。このチラー110は、冷却液搬出口112と冷却液搬入口114を含む。このチラー110の冷却液送出口112は、たとえばチューブなどの連結管120およびフィルタ115を介してヒートシンク100の冷却液導入口104に結合される。このヒートシンク100の冷却液排出口106は、たとえばチューブなどの連結管122を介してチラー110の冷却液搬入口114に結合される。
Claims (11)
- 第1主表面に発光素子部が形成される基板、および
前記基板の前記第1主表面と対向する第2主表面に対向して配置される冷却部材を備え、前記冷却部材は、前記基板を直接冷却液で冷却するように前記冷却液と前記基板とが接触するように前記発光素子部と対応して形成される冷却液路を備える、発光装置。 - 前記基板の前記冷却液路と対応する部分は、少なくともその表面が凹凸形状を有するようにエッチング処理される、請求項1記載の発光装置。
- 前記基板は、前記冷却液路と対応する部分に形成され前記冷却液が流入する溝部を有する、請求項1記載の発光装置。
- 前記冷却部材は、前記冷却液を搬送する流路が形成されるヒートシンクを備え、
前記ヒートシンクは、前記基板と対向する表面に、前記基板表面に形成される電極との接合を形成するための金または金合金層が形成される、請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。 - 前記基板の前記冷却液路と対応する部分および前記冷却液路の少なくとも一部に形成される腐食保護層をさらに備える、請求項1から4のいずれかに記載の発光装置。
- 前記保護層は、金またはシリコン酸化膜で形成される、請求項5記載の発光装置。
- 前記冷却部材は、前記基板領域と接触する部分に形成される冷却液路と連通しかつその断面積が前記冷却液路よりも小さな冷却液導入路を備える、請求項1から6のいずれかに記載の発光装置。
- 前記冷却部材は、前記基板と接触する部分に形成されて、前記冷却液を前記基板に対して噴射する噴流部を備える、請求項1から7のいずれかに記載の発光装置。
- 前記基板は、窒化ガリウム、窒化アルミニウムおよび炭化シリコンのいずれかを主要構成要素として含む、請求項1から8のいずれかに記載の発光装置。
- 前記冷却液路は、前記発光素子部直下部に形成される、請求項1から9のいずれかに記載の発光装置。
- 前記冷却液路は、前記発光素子部の直下部と異なる領域に形成される、請求項1から9のいずれかに記載の発光装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010182958A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014107502A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Citizen Holdings Co Ltd | 発光装置 |
CN107667316A (zh) * | 2015-05-27 | 2018-02-06 | 兰达实验室(2012)有限公司 | 成像装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001291924A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2002084029A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-22 | Canon Inc | ヒートパイプを備えた半導体光素子 |
JP2003188326A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 冷却装置付電気機器 |
JP2005303078A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
2004
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001291924A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2002084029A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-22 | Canon Inc | ヒートパイプを備えた半導体光素子 |
JP2003188326A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 冷却装置付電気機器 |
JP2005303078A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010182958A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014107502A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Citizen Holdings Co Ltd | 発光装置 |
CN107667316A (zh) * | 2015-05-27 | 2018-02-06 | 兰达实验室(2012)有限公司 | 成像装置 |
KR20180013951A (ko) * | 2015-05-27 | 2018-02-07 | 란다 랩스 (2012) 리미티드 | 이미징 장치 |
JP2018518392A (ja) * | 2015-05-27 | 2018-07-12 | ランダ ラブズ (2012) リミテッド | 画像化装置 |
JP2018520905A (ja) * | 2015-05-27 | 2018-08-02 | ランダ ラブズ (2012) リミテッド | 画像化装置 |
CN107667316B (zh) * | 2015-05-27 | 2020-12-25 | 兰达实验室(2012)有限公司 | 成像装置 |
JP2021092796A (ja) * | 2015-05-27 | 2021-06-17 | ランダ ラブズ (2012) リミテッド | 画像化装置 |
KR102309733B1 (ko) | 2015-05-27 | 2021-10-07 | 란다 랩스 (2012) 리미티드 | 이미징 장치 |
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