JP2006082077A - Method for producing film and method for producing element substrate - Google Patents

Method for producing film and method for producing element substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2006082077A
JP2006082077A JP2005258857A JP2005258857A JP2006082077A JP 2006082077 A JP2006082077 A JP 2006082077A JP 2005258857 A JP2005258857 A JP 2005258857A JP 2005258857 A JP2005258857 A JP 2005258857A JP 2006082077 A JP2006082077 A JP 2006082077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
phase separation
separation structure
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005258857A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Miyazawa
貴士 宮澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2005258857A priority Critical patent/JP2006082077A/en
Publication of JP2006082077A publication Critical patent/JP2006082077A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an element substrate provided with a film which can be formed by a production method dispensing with a vacuum process causing an increase in the production cost and which has a reflecting function and to provide a method for producing the element substrate. <P>SOLUTION: An original substrate 8 is vacuum-sucked onto a stage 101. A liquid material L2 containing a plurality of substances incompatible with one another is supplied to a dispenser head 104 from a liquid keeping part 107 through a supply pipe 106. The liquid material L2 is furthermore applied onto the substrate 8 as dots 103 from a plurality of nozzles 105 arranged in the dispenser head 104. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板上に積層された構造体からなる光学的な素子において、素子の厚み方向に進む光を、所望の一方向にのみ進むように反射させる層として、相分離構造を有する膜を予め基板上に備えた素子基板及びその製造方法、電子装置及びその製造方法、光学装置及びその製造方法、並びに、電子機器に係る。本発明に係る素子基板は、ＥＬ素子（Electroluminescence Device）などの光学素子を載置する基板として好適に用いられる。   According to the present invention, in an optical element composed of a structure laminated on a substrate, a film having a phase separation structure is used as a layer for reflecting light traveling in the thickness direction of the element so as to travel only in a desired direction. The present invention relates to an element substrate provided on a substrate in advance and a manufacturing method thereof, an electronic device and a manufacturing method thereof, an optical device and a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus. The element substrate according to the present invention is suitably used as a substrate on which an optical element such as an EL element (Electroluminescence Device) is placed.

近年、実用化が図られたレーザー用途の半導体素子や反射型の液晶素子、ＥＬ素子などに代表される光学的な反射機構を備えた素子では、素子内を進行する光を効率よく反射させるために、各種の単層膜や積層膜からなる構造体が使われている。また、高い反射率を有する膜を素子内の適所に設けることで、各素子の光学的な能力はより一層向上することが、例えば以下に示す公報などにて広く知られている。   In recent years, elements that have an optical reflection mechanism typified by laser-use semiconductor elements, reflective liquid crystal elements, EL elements, and the like that have been put to practical use in order to efficiently reflect light traveling in the elements. In addition, structures composed of various single-layer films and laminated films are used. Further, it is widely known, for example, in the following publications, that the optical ability of each element is further improved by providing a film having a high reflectance at an appropriate position in the element.

（１）レーザー用途の半導体素子としては、面発光型半導体レーザを構成する一例が特願２００２−１５７２４１号に紹介されている。半導体素子として少なくとも所望の機能を発揮するために必要な層は「機能層」と呼ばれ、例えば上記した面発光レーザの機能を発揮する場合、少なくとも上部ミラーと下部ミラー、これらのミラー層で挟まれる半導体層構造をさす。ここで、上部・下部ミラーは、半導体層構造にて発生したレーザ光の反射鏡となって共振器を構成する。
このような反射機能をもつ上部・下部ミラーは、例えば組成の異なる２種類のＡｌxＧａ1-xＡｓ層を、交互に２０対から３０対程度、積層してなる分布反射型（Distributed Bragg Refflector:DBR）ミラー（ＤＢＲミラー）であり、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等を用いた真空プロセスで形成される。 (1) As a semiconductor element for laser applications, an example of forming a surface emitting semiconductor laser is introduced in Japanese Patent Application No. 2002-157241. A layer necessary to exhibit at least a desired function as a semiconductor element is referred to as a “functional layer”. For example, when the above-described surface emitting laser function is to be performed, at least an upper mirror and a lower mirror are sandwiched between these mirror layers. A semiconductor layer structure. Here, the upper and lower mirrors serve as reflectors for the laser light generated in the semiconductor layer structure and constitute a resonator.
The upper and lower mirrors having such a reflection function are, for example, a distributed reflection type (Distributed Bragg Refflector) in which two types of Al x Ga 1-x As layers having different compositions are alternately laminated by about 20 to 30 pairs. : DBR) mirror (DBR mirror), which is formed by a vacuum process using a molecular beam epitaxy method (MBE method) or the like.

（２）反射型の液晶素子としては、特開平１０−１１５７０４号公報において反射型カラーフィルタに適用した例が挙げられる。同公報に記載された反射膜は、基板上に、高屈折率材料からなる薄膜と低屈折率材料からなる薄膜とが交互に積層形成された多層干渉膜という形態からなる。具体的には、実施の形態において例えばＥＢ（Electron Beam）蒸着法を用いて二酸化珪素（ＳｉＯ２：屈折率１．４６１）と二酸化チタン（ＴｉＯ２ ：屈折率２．４９５）とを交互に積層した多層干渉膜が紹介されている。 (2) Examples of the reflective liquid crystal element include an example applied to a reflective color filter in JP-A-10-115704. The reflective film described in the publication has a form of a multilayer interference film in which thin films made of a high refractive index material and thin films made of a low refractive index material are alternately laminated on a substrate. Specifically, in the embodiment, silicon dioxide (SiO 2 : refractive index 1.461) and titanium dioxide (TiO 2 : refractive index 2.495) are alternately stacked by using, for example, EB (Electron Beam) vapor deposition. Multi-layer interference films have been introduced.

（３）ＥＬ素子で利用される反射膜ついては、例えば特開２００１−５２８６１号に詳細な説明がある。ＥＬ素子の基本構造は、基板の上に、第１電極、発光に寄与する層（発光層）、第２電極がこの順で形成された構成からなる。この発光層から発した光を放出させる方向は、第１電極と基板を通過させる場合（バックエミッション：ＢＥと略称する）と第２電極を通過させる場合（トップエミッション：ＴＥと略称する）の２通りある。 (3) The reflective film used in the EL element is described in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-52861. The basic structure of the EL element has a configuration in which a first electrode, a layer contributing to light emission (light emitting layer), and a second electrode are formed in this order on a substrate. The direction in which light emitted from the light emitting layer is emitted is 2 when passing through the first electrode and the substrate (abbreviated as BE) and when passing through the second electrode (abbreviated as top emission: TE). There are streets.

ＢＥの場合は、基板と第１電極には透明な材料が選択され、発光効率を高めるため、第２電極を反射電極とするか、又は、第２電極上に反射膜を有する構成が好ましい。逆に、ＴＥの場合は、第２電極には透明な材料が選択され、発光効率を高めるため、第１電極を反射電極とするか、又は、第１電極と基板との間に反射膜を有する構成が好ましい。これらの透明電極、反射電極および反射膜としては、以下に示す材料が列挙されている。   In the case of BE, a transparent material is selected for the substrate and the first electrode, and in order to increase the light emission efficiency, a configuration in which the second electrode is a reflective electrode or a reflective film is provided on the second electrode is preferable. Conversely, in the case of TE, a transparent material is selected for the second electrode, and in order to increase luminous efficiency, the first electrode is used as a reflective electrode, or a reflective film is provided between the first electrode and the substrate. The structure which has is preferable. The following materials are listed as the transparent electrode, the reflective electrode, and the reflective film.

透明電極：ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明材料。
反射電極：アルミニウム、カルシウム等の金属、マグネシウム−銀、リチウム−アルミニウム等の合金、マグネシウム／銀のような金属同士の積層膜、フッ化リチウム／アルミニウムのような絶縁体と金属との積層膜等。
反射膜：公知の金属膜。
また同公報の実施例１には、素子構成がＢＥの場合であり、反射電極をなす第２電極としてＡｌ電極が蒸着法で設けられた例が開示されている。
特開平１０−１１５７０４号公報 特開２００１−５２８６１号公報 Transparent electrode: Transparent material such as CuI, ITO, SnO 2 , ZnO.
Reflective electrode: metals such as aluminum and calcium, alloys such as magnesium-silver and lithium-aluminum, laminated films of metals such as magnesium / silver, laminated films of insulator and metal such as lithium fluoride / aluminum, etc. .
Reflective film: a known metal film.
Further, Example 1 of the same publication discloses an example in which the element configuration is BE, and an Al electrode is provided by a vapor deposition method as a second electrode forming a reflective electrode.
JP-A-10-115704 JP 2001-52861 A

上記（１）〜（３）で述べたように、従来、光学的な反射機構を備えた素子で用いられていた反射層は、これを形成するために真空プロセスを用いた作製法が必須であった。この作製法は、装置自体が高価であると共に、その運転コストも高く、さらにはその装置の設置にも広い空間を要するので、反射膜の製造コストを下げるのには限界があった。
また、反射層が素子にとって最適な反射条件を満たすためには、単層膜では不十分な場合が多いので、積層膜からなる構造体が多用されるが、これは反射層の製造プロセスの複雑化をもたらし、ひいては素子の高価格化を招いていた。 As described in (1) to (3) above, a reflective layer conventionally used in an element having an optical reflection mechanism requires a manufacturing method using a vacuum process in order to form the reflective layer. there were. In this manufacturing method, the device itself is expensive, its operating cost is high, and further, a large space is required for installation of the device, so that there is a limit in reducing the manufacturing cost of the reflection film.
In addition, in order for the reflective layer to satisfy the optimal reflection conditions for the element, a single layer film is often insufficient, so a structure composed of a laminated film is often used, but this is a complicated process for manufacturing the reflective layer. As a result, the cost of the device has been increased.

本発明は上記した問題を解決するため、製造コストの上昇に繋がる真空プロセスを必要としない製造法で形成し得る、反射機能を有する膜を備えた素子基板及びその製造方法を提供することを一つの目的とする。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides an element substrate including a film having a reflective function, which can be formed by a manufacturing method that does not require a vacuum process that leads to an increase in manufacturing cost, and a manufacturing method thereof. One purpose.

本発明に係る膜製造方法は、互いに非相溶性の複数の物質を含む混合物を液状体吐出法により基体に吐出し、相分離構造を有する膜を形成することを特徴とする。
上記の膜製造方法において、前記混合物として、前記複数の物質の種類または量比が異なるように調整された複数の混合物を用いることが好ましい。
上記の膜製造方法において、前記相分離構造をミクロ相分離構造であることが好ましい。
上記の膜製造方法において、前記液状体吐出法はインクジェット法であってもよい。
上記の膜製造方法において、前記混合物は、ブロックコポリマーを含むことが好ましい。
上記の膜製造方法において、前記膜は反射機能を備えていることが好ましい。
上記の膜製造方法において、前記相分離構造の格子間隔は１００ｎｍ以上であることが好ましい。 The film manufacturing method according to the present invention is characterized by forming a film having a phase separation structure by discharging a mixture containing a plurality of incompatible substances to a substrate by a liquid discharge method.
In the above-described film manufacturing method, it is preferable to use a plurality of mixtures adjusted so that types or quantitative ratios of the plurality of substances are different.
In the membrane manufacturing method, the phase separation structure is preferably a micro phase separation structure.
In the above-described film manufacturing method, the liquid discharge method may be an ink jet method.
In the film manufacturing method, the mixture preferably contains a block copolymer.
In the film manufacturing method, the film preferably has a reflection function.
In the above-described film manufacturing method, the lattice spacing of the phase separation structure is preferably 100 nm or more.

本発明に係る他の膜製造方法は、互いに非相溶性の物質を含む第１の混合物を液状体吐出法により基体に向けて吐出することにより第１の膜を形成し、互いに非相溶性の物質を含む第２の混合物を前記液状体吐出法により基体に向けて吐出することにより第２の膜を形成することを特徴とする。
上記膜製造方法において、前記第１の膜の反射特性と前記第２の膜の反射特性とは異なることが好ましい。
上記の膜製造方法において、前記第１の混合物に含まれる前記複数の物質の量比と前記第２の混合物に含まれる前記複数の物質の量比とは、異なっていることが好ましい。
上記の膜製造方法において、前記第１の膜及び前記第２の膜はそれぞれ異なる所定の位置に配置されてもよい。
上記の膜製造方法は、素子基板の製造方法に適用することが可能である。 Another film manufacturing method according to the present invention forms a first film by discharging a first mixture containing mutually incompatible substances toward a substrate by a liquid discharge method, and is incompatible with each other. The second film containing the substance is discharged toward the substrate by the liquid discharge method to form the second film.
In the film manufacturing method, it is preferable that the reflection characteristic of the first film and the reflection characteristic of the second film are different.
In the above-described film manufacturing method, it is preferable that an amount ratio of the plurality of substances contained in the first mixture is different from an amount ratio of the plurality of substances contained in the second mixture.
In the film manufacturing method, the first film and the second film may be disposed at different predetermined positions.
The film manufacturing method described above can be applied to a method for manufacturing an element substrate.

本発明に係る素子基板の製造方法は、基板上にスイッチング素子を形成する第１の工程と、前記スイッチング素子の上方に第１の絶縁膜を形成する第２の工程であって、前記スイッチング素子を覆うように第２の絶縁膜を形成した後に前記第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の上方に第１の電極を形成する第３の工程と、を含み、前記第２の絶縁膜の形成は、互いに非相溶性の複数の物質を含む混合物を塗布することにより行い、前記混合物は、ブロックコポリマーを含むことを特徴とする。
上記の素子基板の製造方法において、前記混合物として、前記複数の物質の種類または量比が異なるように調製された複数の混合物を用い、前記複数の混合物の各々を液状体吐出法により所定の位置に配置することが好ましい。
上記の素子基板の製造方法において、前記第２の工程の後に、前記混合物に含まれる溶媒を除去するための乾燥工程及び熱処理する工程のうち少なくとも１つを具備していることが好ましい。 An element substrate manufacturing method according to the present invention includes a first step of forming a switching element on a substrate and a second step of forming a first insulating film above the switching element, wherein the switching element Forming a first insulating film after forming a second insulating film so as to cover, and a third step of forming a first electrode above the first insulating film, The second insulating film is formed by applying a mixture containing a plurality of incompatible materials, and the mixture contains a block copolymer.
In the above-described element substrate manufacturing method, a plurality of mixtures prepared such that the types or quantity ratios of the plurality of substances are different are used as the mixture, and each of the plurality of mixtures is formed at a predetermined position by a liquid discharge method. It is preferable to arrange in.
In the element substrate manufacturing method, it is preferable that after the second step, at least one of a drying step and a heat treatment step for removing the solvent contained in the mixture is provided.

本発明は上記課題を解決するために、基板と、前記基板の上方に載置された電子素子と、前記基板又は前記電子素子の少なくとも一部を覆うように前記電子素子の上方に配設された相分離構造を有する膜と、を具備したことを特徴とする第一の素子基板を提供する。   In order to solve the above-described problems, the present invention is disposed above the electronic element so as to cover the substrate, the electronic element placed above the substrate, and at least a part of the substrate or the electronic element. And a film having a phase separation structure. A first element substrate is provided.

また本発明は、基板と、前記基板の上方に載置された電子素子と、前記電子素子の下方に配設された相分離構造を有する膜と、を具備したことを特徴とする第二の素子基板を提供する。
上記構成からなる２種類の素子基板すなわち第一あるいは第二の素子基板であれば、その上に発光素子を載置する際に必要となる機能を予め備えることができる。例えば発光素子の駆動用として使われる電子素子や、発光素子が発した光を反射する能力をもつ相分離構造を有する膜を、予め基板上に形成してなる構造の素子基板を提供することが可能となる。 The present invention also includes a substrate, an electronic element placed above the substrate, and a film having a phase separation structure disposed below the electronic element. An element substrate is provided.
The two types of element substrates having the above-described configuration, that is, the first or second element substrate, can be provided in advance with functions necessary for mounting the light emitting element thereon. For example, it is possible to provide an element substrate having a structure in which an electronic element used for driving a light emitting element or a film having a phase separation structure capable of reflecting light emitted from the light emitting element is formed on the substrate in advance. It becomes possible.

また、第一あるいは第二の素子基板を選択することにより、発光素子の下に重ねて配置されるものの順番を変更できる。つまり、第一の素子基板上に発光素子を設けた場合は、相分離構造を有する膜が電子素子より発光素子の近傍に配置される。一方、第二の素子基板上に発光素子を設けた場合は、電子素子が相分離構造より発光素子の近傍に配置される。後述するように、本発明に係る相分離構造を有する膜はこの膜を構成する物質相の組合せを適宜選択することにより、反射機能に加えて絶縁機能も兼ね備えることが可能なので、電子素子と発光素子との間において好ましい位置に設けることによって絶縁膜としての役割も兼ねることができる。その結果、従来に比べて必要とする層数を減少させることができるので、素子基板の製造コストの低下を図ることが可能となる。   Further, by selecting the first or second element substrate, it is possible to change the order in which the elements are arranged under the light emitting element. That is, when the light emitting element is provided over the first element substrate, the film having the phase separation structure is arranged near the light emitting element rather than the electronic element. On the other hand, when the light emitting element is provided on the second element substrate, the electronic element is arranged in the vicinity of the light emitting element by the phase separation structure. As will be described later, a film having a phase separation structure according to the present invention can have an insulating function in addition to a reflecting function by appropriately selecting a combination of material phases constituting the film, so that it emits light from an electronic device. By providing it at a preferred position with respect to the element, it can also serve as an insulating film. As a result, the required number of layers can be reduced as compared with the prior art, so that the manufacturing cost of the element substrate can be reduced.

この相分離構造を有する膜は、例えば互いに非相溶性である複数の物質相から構成されていることを特徴としている。例えば２つの物質（ここでは仮に第１の物質、第２の物質と呼ぶ）から構成された物質相の場合は、たとえ見かけ上単層膜の形態であっても第１の物質と第２の物質をなす材料を各々適宜に選択することにより、この膜は反射機能を有することが可能となる。したがって、この相分離構造を有する膜を備えるにより、反射層を備えた素子基板の提供が可能となる。また、互いに非相溶性である物質を適宜選択することによって、上記反射機能の特性制御、例えば極大あるいは最大の反射率を有する波長域や半値幅などの制御が可能となる。さらに、互いに非相溶性である物質を適宜選択することによって、上記反射機能に加えて、電気的な絶縁機能も兼ね備えることもできる。   A film having this phase separation structure is characterized by being composed of, for example, a plurality of substance phases that are incompatible with each other. For example, in the case of a substance phase composed of two substances (here, called a first substance and a second substance), even if it is in the form of a single-layer film, the first substance and the second substance This film can have a reflecting function by appropriately selecting materials constituting the substance. Therefore, by providing a film having this phase separation structure, it is possible to provide an element substrate provided with a reflective layer. In addition, by appropriately selecting materials that are incompatible with each other, it is possible to control the characteristics of the reflection function, for example, control of the wavelength range or the half-value width having the maximum or maximum reflectance. Further, by appropriately selecting substances that are incompatible with each other, in addition to the reflection function, an electrical insulation function can be provided.

このような反射機能に加えて、電気的な絶縁機能も兼ね備えた相分離構造を有する膜を備えた構成からなる素子基板であれば、この相分離構造を有する膜は、基板と素子との間に配置され、基板と素子との絶縁膜として機能するとともに、素子に対しては反射膜として作用することができる。
この構成によれば、例えば従来は素子と絶縁部材との間に導電機能に加え反射機能も併せ持つ材料で作製された電極が必要であったが、素子の上下に位置する電極としては透明電極が同時に使えることとなり、素子は上下同じ材料に挟まれた構造となるので素子が電極から受ける応力のバランスがとれるので、内部歪みの発生が抑えられる。 In the case of an element substrate having a configuration having a film having a phase separation structure that also has an electrical insulating function in addition to such a reflection function, the film having the phase separation structure is provided between the substrate and the element. And functions as an insulating film between the substrate and the element and can act as a reflective film for the element.
According to this configuration, for example, conventionally, an electrode made of a material having a reflection function in addition to a conductive function is required between the element and the insulating member. However, transparent electrodes are used as electrodes located above and below the element. Since the elements can be used at the same time and the element is sandwiched between the same materials, the stress applied to the elements from the electrodes can be balanced, and the occurrence of internal strain can be suppressed.

上記素子基板を構成する電子素子とは、トランジスタやダイオード等のスイッチング機能を備えた素子であり、例えばこの素子基板上に載置された発光素子を駆動あるいは制御させる機能を発揮するものである。具体的には、レーザー用途の半導体素子や、発光ダイオード、反射型の液晶素子、ＥＬ素子等における駆動素子や制御素子などが挙げられる。   The electronic element constituting the element substrate is an element having a switching function such as a transistor or a diode, and exhibits, for example, a function of driving or controlling a light emitting element placed on the element substrate. Specific examples include semiconductor elements for lasers, light-emitting diodes, reflective liquid crystal elements, drive elements and control elements in EL elements, and the like.

この相分離構造を有する膜は、その作製に高価な真空プロセスを必要せず、例えば大気圧下で塗布法によって容易に形成できるので、極めて安価な素子基板の提供が可能となる。
従来、このような素子基板の片面を実現するためには、作製するために真空プロセスを要する膜を用いる必要があり、高コスト化が避けられなかった。また、最適な反射機能を有する層とするためには複数の膜を重ねてなる積層構造とする必要もあり、これは更なるコストの増大を招いていた。このような問題を本発明に係る素子基板は解消することができる。 A film having this phase separation structure does not require an expensive vacuum process for its production, and can be easily formed by, for example, a coating method under atmospheric pressure, so that an extremely inexpensive element substrate can be provided.
Conventionally, in order to realize such a single side of an element substrate, it is necessary to use a film that requires a vacuum process in order to produce it, and it is inevitable that the cost is increased. Further, in order to obtain a layer having an optimal reflection function, it is necessary to form a laminated structure in which a plurality of films are stacked, which further increases the cost. Such a problem can be solved by the element substrate according to the present invention.

本発明に係る素子基板を構成する相分離構造を有する膜は、前記電子素子に対応する部分に分割されて配置されていることを特徴としている。
この構成によれば、例えば基板上に複数の電子素子が存在し、これらの電子素子が異なる波長の光を発する発光素子の各々を駆動するような場合、相分離構造を有する膜がそれぞれの電子素子に対応する部分に分割されて配置されているので、各々の相分離構造を有する膜は各発光素子が発する光の波長に適する反射特性をもつように設けることが可能となる。 The film having a phase separation structure constituting the element substrate according to the present invention is characterized by being divided and arranged in a portion corresponding to the electronic element.
According to this configuration, for example, when there are a plurality of electronic elements on the substrate, and these electronic elements drive each of the light emitting elements that emit light of different wavelengths, the film having the phase separation structure has each electron. Since the film is divided into portions corresponding to the elements, each film having a phase separation structure can be provided so as to have a reflection characteristic suitable for the wavelength of light emitted by each light emitting element.

換言すると、上記構成ならば、各々の相分離構造を有する膜は、個々の発光素子の発光特性に合わせた反射能力を有する膜として設けることができる。例えば、赤、緑、青と異なる発光色をもつ発光素子が基板の一方の面に２次元状に配置される場合、個々の発光素子が発する光の波長に合わせて反射能力を変えた膜を相分離構造を有する膜として、個々の発光素子に対してそれぞれ電子素子が設けられた領域に対応する部分のみに配置することで、最も効率的な反射が実現できる素子基板の提供が可能となる。   In other words, with the above structure, each film having a phase separation structure can be provided as a film having a reflection capability in accordance with the light emission characteristics of each light emitting element. For example, when light-emitting elements having emission colors different from red, green, and blue are two-dimensionally arranged on one surface of a substrate, a film whose reflection ability is changed according to the wavelength of light emitted by each light-emitting element is formed. As a film having a phase separation structure, it is possible to provide an element substrate that can realize the most efficient reflection by disposing only the portion corresponding to the region where the electronic element is provided for each light emitting element. .

上記相分離構造を有する膜は、素子が載置された基板の一方の面に、個々の電子素子に対応する部分に分割されて配置されてもよい。この構成によれば、基板に載置された個々の電子素子が離間して設けられていても、個々の電子素子間の距離に応じて、所望の位置に適切な範囲を覆うように相分離構造を有する膜を設けることが可能となる。   The film having the phase separation structure may be divided into portions corresponding to the individual electronic elements and disposed on one surface of the substrate on which the element is placed. According to this configuration, even if individual electronic elements placed on the substrate are provided apart from each other, phase separation is performed so as to cover an appropriate range at a desired position according to the distance between the individual electronic elements. A film having a structure can be provided.

また、本発明に係る素子基板を構成する相分離構造を有する膜は、前記基板と接触しないように設けられていることを特徴としている。
この構成によれば、少なくとも基板の一方の面上に設けられる他の膜や構造体を相分離構造を有する膜より先に作製した後、これらの他の膜や構造体の上を被覆するような位置に配置された発光素子が発した光を反射する膜として相分離構造を有する膜を形成できる。このように、他の膜や構造体を作製した後に形成できる相分離構造を有する膜であれば、他の膜や構造体を通過してきた光の特性に合わせた反射能力を確実に備えた膜を相分離構造を有する膜として常に形成できるので、反射機能の安定性に優れた素子基板が得られる。 In addition, the film having a phase separation structure constituting the element substrate according to the present invention is provided so as not to contact the substrate.
According to this configuration, after the other film or structure provided on at least one surface of the substrate is produced before the film having the phase separation structure, the other film or structure is covered. A film having a phase separation structure can be formed as a film that reflects light emitted from light emitting elements arranged at various positions. As described above, a film having a phase separation structure that can be formed after another film or structure is manufactured is a film that reliably has a reflection ability that matches the characteristics of light that has passed through the other film or structure. Can always be formed as a film having a phase separation structure, so that an element substrate having excellent reflection function stability can be obtained.

このように相分離構造を有する膜を基板と接触しないように設ける構成としては、発光素子が発する光を基板側に反射する場合と基板とは反対側に反射する場合の２通りが挙げられる。発光素子が発する光を基板側に反射する場合は、基板の表面上に設けられた発光素子の上方に相分離構造を有する膜が配置される。これに対して、発光素子が発する光を基板とは反対側に反射する場合は、基板の表面上に設けられた発光素子の下方に相分離構造を有する膜が配置されるが、その配置可能な構成としては、基板の表面上で発光素子との間に設ける構成と、基板の裏面の上方に設ける構成の２通りがある。   As the structure in which the film having the phase separation structure is provided so as not to come into contact with the substrate, there are two ways of reflecting the light emitted from the light emitting element to the substrate side and reflecting the light to the opposite side of the substrate. In the case where light emitted from the light-emitting element is reflected toward the substrate, a film having a phase separation structure is disposed above the light-emitting element provided on the surface of the substrate. On the other hand, when the light emitted from the light emitting element is reflected to the opposite side of the substrate, a film having a phase separation structure is disposed below the light emitting element provided on the surface of the substrate. There are two types of configurations: a configuration provided between the front surface of the substrate and the light emitting element and a configuration provided above the back surface of the substrate.

特に、相分離構造を有する膜を基板と接触しないように設ける構成において、この膜が素子および基板より外側に配置され、この膜の内側にある素子に対しては反射膜として作用すると共に、この膜の外側に対しては絶縁部材として機能する場合には、外部からの静電破壊に対する耐性が高まる。例えば、この膜の外側を機械加工し、平坦化を施すことにより、素子を外部から封止する部材を兼務させることも可能となる。   In particular, in a configuration in which a film having a phase separation structure is provided so as not to come into contact with the substrate, this film is disposed outside the element and the substrate, and acts as a reflective film for the elements inside the film, In the case of functioning as an insulating member for the outside of the film, resistance to electrostatic breakdown from the outside increases. For example, the outside of the film is machined and planarized, so that a member for sealing the element from the outside can also be used.

例えば、上述した電子素子と相分離構造を有する膜を具備してなる素子基板を用い、この素子基板上に少なくとも光学素子として有機ＥＬ素子を設けてなる電子装置は、内部歪みの発生が抑制されたこと、あるいは外部からの静電破壊に対する耐性が改善したことにより、素子の電気的、光学的あるいは機械的な不具合の発生が解消されるので、従来より高い長期信頼性を備えることが可能となる。   For example, in an electronic device in which an element substrate including a film having a phase separation structure with the electronic element described above is used and an organic EL element is provided as at least an optical element on the element substrate, generation of internal strain is suppressed. Or improved resistance to external electrostatic breakdown eliminates the occurrence of electrical, optical, or mechanical malfunctions of the device, enabling higher long-term reliability than before. Become.

さらに本発明は、基板と、前記基板上に配設された、複数のスイッチング素子を含む電子素子層、及び、前記電子素子層の上方に該電子素子層の少なくとも一部を覆うように配設された相分離構造を有する絶縁膜と、を具備したことを特徴とする第三の素子基板を提供する。   Furthermore, the present invention provides a substrate, an electronic element layer including a plurality of switching elements disposed on the substrate, and disposed above the electronic element layer so as to cover at least a part of the electronic element layer. And an insulating film having a phase separation structure. A third element substrate is provided.

この第三の素子基板によれば、素子基板上すなわち相分離構造を有する絶縁膜上に例えば光学素子を後で設けた場合に、相分離構造を有する絶縁膜は複数のスイッチング素子を含む電子素子層と光学素子との間を電気的に絶縁できる。その際、相分離構造を有する絶縁膜を電子素子層の少なくとも一部を覆うように配設することによって、例えば電子素子層を構成する特定のスイッチング素子のみ光学素子の所定な箇所と電気的な導通も同時に兼ね備えることの可能となる。   According to the third element substrate, when an optical element is provided later on the element substrate, that is, on the insulating film having the phase separation structure, the insulating film having the phase separation structure is an electronic element including a plurality of switching elements. It is possible to electrically insulate between the layer and the optical element. At that time, by disposing an insulating film having a phase separation structure so as to cover at least a part of the electronic element layer, for example, only a specific switching element constituting the electronic element layer is electrically connected to a predetermined portion of the optical element. It is possible to combine conduction at the same time.

このような相分離構造を有する絶縁膜は、相分離構造を、互いに非相溶性である複数の物質相から構成し、電気的な絶縁特性を有する物質相あるいは物質相の組合せを適宜選択することにより得られる。その際、前述したように、反射機能も合わせ持つような物質相を選択しても構わない。
相分離構造を有する絶縁膜は、互いに非相溶性である物質を適宜選択することによって、上記電気的な絶縁機能に加えて、反射機能も兼ね備えることも可能なので、この場合は、第一の膜は見かけ上単層構造であってもこの両機能を同時に満たすことができる。ゆえに、この場合は、従来の絶縁膜と反射膜とを積層した構造体では存在した界面に起因する問題、すなわち電気的、光学的あるいは機械的な不具合の発生を回避できる素子基板の提供にも寄与する。 For an insulating film having such a phase separation structure, the phase separation structure is composed of a plurality of material phases that are incompatible with each other, and a material phase or a combination of material phases having electrical insulation characteristics is appropriately selected. Is obtained. At this time, as described above, a material phase having a reflection function may be selected.
The insulating film having a phase separation structure can also have a reflection function in addition to the electrical insulation function by appropriately selecting substances that are incompatible with each other. In this case, in this case, the first film Can satisfy both of these functions at the same time even if it has an apparent single layer structure. Therefore, in this case, it is also possible to provide an element substrate that can avoid the problems caused by the interface existing in the structure in which the conventional insulating film and reflective film are laminated, that is, the occurrence of electrical, optical, or mechanical problems. Contribute.

なお、本発明に係る相分離構造を有する膜は、互いに非相溶性である物質から構成されていることを特徴としている。
この構成によれば、相分離構造を有する膜は、互いに非相溶性である、少なくとも２つの物質（ここでは、第１の物質、第２の物質と呼ぶ）を含む液状材料を基板上に塗布することによって容易に形成できる。例えば、基板の一方の面を全てこの膜で被覆された状態とする場合は、スピンコート法やディップコート法に代表される一般的な全ての塗布法を用いることができる。
しかしながら、この膜を所望の領域のみ、すなわち、素子が載置された領域に対応する部分のみに配置する場合、特に膜を設ける領域が小さくかつ局所的あるいは分散して存在している場合には、微小領域へ均一な塗布膜を形成する能力に優れたインクジェット法が好適である。 The membrane having a phase separation structure according to the present invention is characterized by being composed of substances that are incompatible with each other.
According to this configuration, the film having the phase separation structure is coated on the substrate with a liquid material containing at least two substances (herein referred to as the first substance and the second substance) that are incompatible with each other. Can be easily formed. For example, when the entire surface of one side of the substrate is covered with this film, all general coating methods represented by spin coating and dip coating can be used.
However, when this film is disposed only in a desired region, that is, only in a portion corresponding to the region where the element is placed, particularly when the region where the film is provided is small and locally or dispersed. An ink jet method excellent in the ability to form a uniform coating film in a minute region is preferable.

なお、上記構成において、第１の物質と第２の物質とを含む液状材料とは、第１の物質をなすブロックコポリマーに、このブロックコポリマーを構成する各ブロック鎖（ポリマー鎖とも呼ぶ）の一方と相溶性のあるホモポリマーを第２の物質として混合して生成された液体材料Ｌ１を、ブロックコポリマーの系の「秩序−無秩序転移温度（ＴＯＤＴ ）以上の温度に加熱して溶融するか、または第一の物質と第二の物質の共通溶媒に溶解することにより、完全に混合した無秩序混合状態をなす液体材料Ｌ２を意味する。 Note that in the above structure, the liquid material containing the first substance and the second substance is a block copolymer forming the first substance and one of the block chains (also referred to as polymer chains) constituting the block copolymer. The liquid material L1 produced by mixing a homopolymer compatible with the second substance as a second substance is heated to a temperature equal to or higher than the “order-disorder transition temperature (T ODT )” of the block copolymer system, Or the liquid material L2 which makes the disorderly mixed state mixed completely by melt | dissolving in the common solvent of a 1st substance and a 2nd substance is meant.

本発明に係る第一の素子基板の製造方法は、基板上に電子素子を形成する素子製造工程と、前記電子素子の少なくとも一部を覆うように互いに非相溶性の複数の物質を含む混合物を、塗布することにより相分離構造を有する膜を形成する膜製造工程と、を具備したことを特徴としている。
予め素子製造工程において電子素子を基板上に形成し、この電子素子の少なくとも一部を覆うように相分離構造を有する膜を、塗布法によって作製する膜製造工程を備えてさえいれば、この膜が形成される位置が基板のいかなる箇所であっても、所望の反射機能を有する反射膜を、適宜、所定の位置に最適な領域を覆うように形成することができる。塗布法としては、例えばディッピング法やスピンコート法などが挙げられる。 A first element substrate manufacturing method according to the present invention includes an element manufacturing process for forming an electronic element on a substrate, and a mixture containing a plurality of incompatible substances so as to cover at least a part of the electronic element. And a film manufacturing process for forming a film having a phase separation structure by coating.
As long as an electronic device is formed on a substrate in advance in the device manufacturing process and a film having a phase separation structure so as to cover at least a part of the electronic device is prepared by a coating method, this film is required. A reflective film having a desired reflection function can be appropriately formed so as to cover an optimum region at a predetermined position, regardless of where the substrate is formed. Examples of the coating method include a dipping method and a spin coating method.

また、この素子基板の製造方法は、塗布工程により所望の膜を形成できるので、従来の真空プロセスを必要とした作製法とは異なり、大気中において膜の形成が可能であり、高価な真空プロセス対応の設備を不要とするので、膜作製コストの大幅な低減を図れる。   In addition, since this element substrate manufacturing method can form a desired film by a coating process, unlike a conventional manufacturing method that requires a vacuum process, the film can be formed in the atmosphere, and an expensive vacuum process. Since no corresponding equipment is required, the film production cost can be greatly reduced.

本発明に係る第二の素子基板の製造方法は、基板上に電子素子を形成する素子製造工程と、前記電子素子の少なくとも一部を覆うように互いに非相溶性の複数の物質を含む混合物を、液状体吐出法を用いて塗布することにより相分離構造を有する膜を形成する膜製造工程と、を具備したことを特徴としている。
この第二の素子基板の製造方法であれば、液状体吐出法を用いて塗布することにより、複数の物質を塗り分けることが可能となる。 A second element substrate manufacturing method according to the present invention includes an element manufacturing process for forming an electronic element on a substrate, and a mixture containing a plurality of incompatible substances so as to cover at least a part of the electronic element. And a film manufacturing process for forming a film having a phase separation structure by coating using a liquid material discharge method.
In the second element substrate manufacturing method, a plurality of substances can be applied separately by applying using the liquid material discharge method.

前述したように、２つ以上の物質として、互いに非相溶性である第１の物質と第２の物質を用い、液状体吐出法の一つであるインクジェット法でこの２種類の物質を微細なノズル孔を通して吐出する場合、例えば基板に到達した一方の物質からなる微小領域の隣には他の物質からなる微小領域が配置されるように、ノズル孔を通して第１の物質と第２の物質とを各々吐出したり、あるいはノズル孔を備えたインクジェットヘッドの位置を制御することによって、得られた膜が第１の物質と第２の物質とを塗り分けて構成されるように形成することができる。特に、間欠的に塗り分けて膜を形成する塗布工程を用いると、第１の物質と第２の物質の吐出量を高精度に制御できるので、膜厚の均一化も図れる。   As described above, a first material and a second material that are incompatible with each other are used as two or more materials, and these two types of materials are finely divided by an ink jet method which is one of liquid material ejection methods. When discharging through the nozzle hole, for example, the first substance and the second substance are arranged through the nozzle hole so that the minute area made of the other material is arranged next to the minute area made of the one material reaching the substrate. Or the position of an inkjet head having nozzle holes is controlled so that the obtained film is formed by coating the first substance and the second substance separately. it can. In particular, when a coating process in which a film is formed by intermittently coating is used, the discharge amounts of the first substance and the second substance can be controlled with high accuracy, so that the film thickness can be made uniform.

また、インクジェット法によれば、高価な真空プロセスを用いる必要がなく、さらには他の塗布法、例えばスピンコート法やディップコート法に比べて材料の使用効率を向上できる。ゆえに、素子基板の製造コストを抑制することも可能となる。
前述した第一または第二の素子基板の製造方法における混合物として、複数の物質の種類または量比が異なるように調製された複数の混合物を用いることにより、複数の物質、例えば第１の物質と第２の物質とを塗り分けて形成することが可能となる。 Further, according to the ink jet method, it is not necessary to use an expensive vacuum process, and further, the use efficiency of the material can be improved as compared with other coating methods such as a spin coating method and a dip coating method. Therefore, the manufacturing cost of the element substrate can be suppressed.
By using a plurality of mixtures prepared such that the types or quantity ratios of a plurality of substances are different as the mixture in the first or second element substrate manufacturing method described above, a plurality of substances, for example, a first substance and The second substance can be formed separately.

特に、第二の素子基板の製造方法における混合物として、複数の物質の種類または量比が異なるように調製された複数の混合物を用い、この複数の混合物の各々を液状体吐出法により所定の位置に配置することにより、局所的な塗り分けも可能となるので、微細な電子素子のパターンや配置に対応させて、相分離構造を有する膜を形成することができる。   In particular, as the mixture in the second element substrate manufacturing method, a plurality of mixtures prepared so that the types or quantity ratios of a plurality of substances are different are used, and each of the plurality of mixtures is placed at a predetermined position by a liquid material discharge method. Since it is possible to separately coat them by arranging them in a film, a film having a phase separation structure can be formed corresponding to the pattern and arrangement of fine electronic elements.

また、本発明に係る第一または第二の素子基板の製造方法は、膜製造工程の後に、溶媒を除去するための乾燥工程を設けてもよい。
溶媒を除去するための乾燥工程は、前述した塗布工程で形成した膜から溶媒を蒸発させて取り除くことにより、膜に規則正しい秩序構造を形成させ、例えば格子間隔が１００ｎｍ以上である各ポリマー相（ブロック鎖相とも呼ぶ）からなるミクロ相分離構造の膜が得られる。なお、この乾燥工程は、膜からの溶媒除去の効率を上げるため減圧雰囲気で行っても構わない。 Moreover, the manufacturing method of the 1st or 2nd element substrate which concerns on this invention may provide the drying process for removing a solvent after a film | membrane manufacturing process.
In the drying process for removing the solvent, the solvent is evaporated and removed from the film formed in the above-described coating process, thereby forming a regular ordered structure in the film. For example, each polymer phase having a lattice spacing of 100 nm or more (block A membrane having a microphase separation structure consisting of a chain phase) is obtained. This drying step may be performed in a reduced pressure atmosphere in order to increase the efficiency of removing the solvent from the film.

さらに、本発明に係る第一または第二の素子基板の製造方法は、前述した膜製造工程の後に、熱処理する工程を具備してもよい。
膜製造工程により形成された膜に対し、第一の物質と第二の物質からなる液体材料Ｌ２ のＴＯＤＴ より低い温度に熱処理する冷却工程を施すことによって、膜に規則正しい秩序構造を形成させ、例えば格子間隔が１００ｎｍ以上である各ポリマー相（ブロック鎖相とも呼ぶ）からなるミクロ相分離構造の膜が得られる。特に、この冷却工程を乾燥工程により溶媒除去が行われた膜に対して行うことにより、この作用・効果がより一層得られるので好ましい。 Furthermore, the manufacturing method of the 1st or 2nd element substrate which concerns on this invention may comprise the process of heat-processing after the film | membrane manufacturing process mentioned above.
To film formed by film manufacturing process, by performing the cooling process of heat treatment first substance and a second temperature lower than the T ODT of the liquid material L 2 formed of a material, to form a regular ordered structure in the membrane For example, a film having a microphase separation structure composed of polymer phases (also referred to as block chain phases) having a lattice spacing of 100 nm or more can be obtained. In particular, it is preferable to perform this cooling step on the film from which the solvent has been removed by the drying step, since this action / effect can be further obtained.

本発明に係る電子装置は、上述した構成からなる素子基板と、光学素子と、を具備したことを特徴としている。
上述した構成からなる素子基板であれば、予め素子基板の内部に反射機能や絶縁機能を有する膜を備えているので、光学素子を素子基板上に設ける際に新たにこのような機能を有する膜を作製する必要が無い。つまり、上述した構成からなる素子基板を用いた場合には、光学素子のみを作製するプロセスに特化した製造ラインを構築するだけで、所望の電子装置が得られる。したがって、電子装置をより安価に提供することが可能となる。 An electronic device according to the present invention includes an element substrate having the above-described configuration and an optical element.
In the case of the element substrate having the above-described configuration, since a film having a reflection function and an insulation function is provided in advance in the element substrate, a film having such a function is newly provided when an optical element is provided on the element substrate. There is no need to make. That is, when the element substrate having the above-described configuration is used, a desired electronic device can be obtained simply by constructing a production line specialized for a process for producing only an optical element. Therefore, the electronic device can be provided at a lower cost.

本発明に係る電子装置の製造方法は、基板上に電子素子を形成する素子製造工程と、前記電子素子の少なくとも一部を覆うように、互いに非相溶性の複数の物質を含む混合物を塗布することにより相分離構造を有する膜を形成する膜製造工程と、を具備したことを特徴としている。
この構成からなる電子装置の製造方法であれば、前述したように、電子素子の少なくとも一部を覆うように、互いに非相溶性の複数の物質を含む混合物を塗布することにより相分離構造を有する膜を形成する膜製造工程では、従来必要とした真空プロセスが不要なので、電子装置の製造コストを抑制することが可能となる。
この真空プロセスが不要となる作用・効果は、大気圧下にて膜を製造する塗布法を用いて相分離構造を有する膜を形成することで得られるものであるから、上記電子装置の製造方法に限定されるものではない。 In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention, an element manufacturing process for forming an electronic element on a substrate and a mixture containing a plurality of incompatible substances are applied so as to cover at least a part of the electronic element. And a film manufacturing process for forming a film having a phase separation structure.
If it is the manufacturing method of the electronic device which consists of this structure, as mentioned above, it has a phase-separation structure by apply | coating the mixture containing a mutually incompatible several substance so that at least one part of an electronic element may be covered. The film manufacturing process for forming a film does not require a conventionally required vacuum process, so that the manufacturing cost of the electronic device can be reduced.
The operation and effect that eliminates the need for the vacuum process are obtained by forming a film having a phase separation structure using a coating method for manufacturing a film under atmospheric pressure. It is not limited to.

本発明に係る光学装置の製造方法は、基板上にスイッチング素子層を含む電子素子層を形成する素子製造工程と、前記電子素子層の上方に非相溶性の複数の物質を含む混合物を、液状体吐出法を用いて塗布することにより相分離構造を有する膜を形成する膜製造工程と、を具備したことを特徴としている。
この構成からなる光学装置の製造方法であれば、前述したように、電子素子層の上方に非相溶性の複数の物質を含む混合物を、液状体吐出法を用いて塗布することにより相分離構造を有する膜を形成する膜製造工程では、従来必要とした真空プロセスが不要なので、光学装置の製造コストを抑制することが可能となる。 The method for manufacturing an optical device according to the present invention includes: a device manufacturing process for forming an electronic device layer including a switching device layer on a substrate; and a mixture containing a plurality of incompatible substances above the electronic device layer. And a film manufacturing process for forming a film having a phase separation structure by coating using a body discharge method.
If it is the manufacturing method of the optical apparatus which consists of this structure, as mentioned above, a phase-separation structure is obtained by applying a mixture containing a plurality of incompatible substances above the electronic element layer using a liquid discharge method. In the film manufacturing process for forming a film having, a conventionally required vacuum process is unnecessary, so that the manufacturing cost of the optical device can be suppressed.

本発明に係る電子機器は、少なくとも上述した電子装置または上述した光学装置を備えたことを特徴としている。
上記構成の電子機器であれば、従来より製造コストを抑えた電子装置または光学装置を搭載しているので、従来より安価な製品の提供ができる。 An electronic apparatus according to the present invention includes at least the above-described electronic device or the above-described optical device.
Since the electronic device having the above configuration is equipped with an electronic device or an optical device with a lower manufacturing cost than before, it can provide a product that is less expensive than the conventional one.

（素子基板）
以下では、本発明に係る素子基板について図１から図７に基づき詳細に説明する。
図１と図２は、本発明に係る素子基板を示す模式的な断面図であり、当該素子基板は、基板１と、基板１の上方に載置された電子素子２と、基板１又は電子素子２の少なくとも一部を覆うように電子素子２の上方に配設された相分離構造を有する膜３と、を具備している。
特に、図１は、相分離構造を有する膜３が基板１と電子素子２を全て覆うように配された例を示している。これに対し、図２は、相分離構造を有する膜３が基板１又は電子素子２の少なくとも一部を覆うように配された例を示している。
(Element board)
Hereinafter, the element substrate according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
1 and 2 are schematic sectional views showing an element substrate according to the present invention. The element substrate includes a substrate 1, an electronic element 2 placed above the substrate 1, and a substrate 1 or an electron. And a film 3 having a phase separation structure disposed above the electronic element 2 so as to cover at least a part of the element 2.
In particular, FIG. 1 shows an example in which a film 3 having a phase separation structure is arranged so as to cover all of the substrate 1 and the electronic element 2. On the other hand, FIG. 2 shows an example in which the film 3 having a phase separation structure is arranged so as to cover at least a part of the substrate 1 or the electronic element 2.

図３と図４は、本発明に係る他の素子基板を示す模式的な断面図であり、当該素子基板は、基板１と、基板１の上方に載置された電子素子２と、電子素子２の下方に配設された相分離構造を有する膜３と、を具備している。
3 and 4 are schematic cross-sectional views showing another element substrate according to the present invention. The element substrate includes a substrate 1, an electronic element 2 placed above the substrate 1, and an electronic element. 2 and a membrane 3 having a phase separation structure disposed below 2.

但し、相分離構造を有する膜３を、基板１の電子素子２が載置された領域に対応する部分に設ける場合には、図３に示した配置に限定されるものではない。すなわち、本発明に係る相分離構造を有する膜３を設ける作用・効果は、基板１および／又は素子２の少なくとも一部を覆うように配設されさえすれば、少なくとも得ることができる。例えば、電子素子２が複数存在した場合には、その内の少なくとも１つの素子に対応させて設けて、相分離構造を有する膜３を設けてもよい。あるいは、電子素子２の一部の領域に対応させて相分離構造を有する膜３を配置しても構わない。この様に相分離構造を有する膜３を配置した場合には、基板１に対して相分離構造を有する膜３は少なくとも一部を覆うように配設される形態をなすことは言うまでもない。   However, when the film 3 having the phase separation structure is provided in a portion corresponding to the region where the electronic element 2 of the substrate 1 is placed, the arrangement is not limited to that shown in FIG. That is, the operation and effect of providing the film 3 having the phase separation structure according to the present invention can be obtained at least as long as it is disposed so as to cover at least a part of the substrate 1 and / or the element 2. For example, when a plurality of electronic elements 2 exist, the film 3 having a phase separation structure may be provided corresponding to at least one of the elements. Or you may arrange | position the film | membrane 3 which has a phase-separation structure corresponding to the one part area | region of the electronic element 2. FIG. In the case where the film 3 having the phase separation structure is arranged in this way, it goes without saying that the film 3 having the phase separation structure is disposed on the substrate 1 so as to cover at least a part thereof.

例えば、図３の具体的な事例としては、素子基板上に設ける光学素子が有機ＥＬ素子である場合が挙げられる。図３の場合、相分離構造を有する膜３は、複数個の電子素子２と基板１との間に、個々の電子素子２を個別に覆うように設けられている。この構成からなる素子基板上に光学素子が配される。したがって、相分離構造を有する膜３は、各々の光学素子が発する個々の光の波長に対して、最も有効な反射機能をもつ反射膜として利用される。複数個の光学素子が、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の各色を発する各発光素子を備えている場合には、各発光素子の発する光の波長域に合わせた反射機能をもつ反射膜として、相分離構造を有する膜３は光学素子ごとに設けられる。各々の電子素子２としては、それぞれの光学素子を駆動する素子が用いられる。   For example, a specific example of FIG. 3 includes a case where the optical element provided on the element substrate is an organic EL element. In the case of FIG. 3, the film 3 having a phase separation structure is provided between the plurality of electronic elements 2 and the substrate 1 so as to individually cover the individual electronic elements 2. An optical element is arranged on the element substrate having this configuration. Therefore, the film 3 having the phase separation structure is used as a reflective film having the most effective reflection function with respect to the wavelength of each light emitted from each optical element. When a plurality of optical elements are provided with light emitting elements that emit red (R), green (G), and blue (B) colors, the reflection is made in accordance with the wavelength range of the light emitted by each light emitting element. As a reflective film having a function, the film 3 having a phase separation structure is provided for each optical element. As each electronic element 2, an element for driving each optical element is used.

図４と図５は、上述した素子基板の変形例を示す模式的な断面図であり、素子基板を構成する相分離構造を有する膜３が、基板１と接触しないように設けられている。
特に、図４は、相分離構造を有する膜３が電子素子２が載置された基板１の面とは反対側の面上に配され、基板１と相分離構造を有する膜３との間に素子以外の層または構造体４が設けられた例を示す。図４では構造体４を設けた場合を例示したが、図４の構成において構造体４を省略しても構わないことは言うまでもない。図５は、相分離構造を有する膜３が電子素子２が載置された基板１の面と同じ側の面上に配され、基板１及び電子素子２と相分離構造を有する膜３との間に素子以外の層または構造体５が設けられた例を示す。 4 and 5 are schematic cross-sectional views showing modifications of the element substrate described above, and the film 3 having a phase separation structure constituting the element substrate is provided so as not to contact the substrate 1.
In particular, FIG. 4 shows that the film 3 having a phase separation structure is arranged on the surface opposite to the surface of the substrate 1 on which the electronic element 2 is placed, and between the substrate 1 and the film 3 having the phase separation structure. Shows an example in which a layer or structure 4 other than the element is provided. Although the case where the structure 4 is provided is illustrated in FIG. 4, it goes without saying that the structure 4 may be omitted in the configuration of FIG. FIG. 5 shows that the film 3 having a phase separation structure is arranged on the same side as the surface of the substrate 1 on which the electronic element 2 is placed, and the substrate 1 and the electronic element 2 and the film 3 having the phase separation structure are An example in which a layer or structure 5 other than an element is provided in between is shown.

図６は、本発明に係る他の素子基板を示す模式的な断面図であり、当該素子基板は、基板１と、基板１上に配設された、複数のスイッチング素子を含む電子素子層２’、及び、電子素子層２’の上方に電子素子層２’の少なくとも一部を覆うように配設された相分離構造を有する絶縁膜６と、を具備している。
図６において、電子素子層２’とは電子素子に加えてその他の構造物も含めてなる層であり、その他の構造物としては例えば電子素子を制御する部位や駆動する部位が挙げられる。 FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another element substrate according to the present invention. The element substrate includes a substrate 1 and an electronic element layer 2 including a plurality of switching elements disposed on the substrate 1. And an insulating film 6 having a phase separation structure disposed so as to cover at least part of the electronic element layer 2 ′ above the electronic element layer 2 ′.
In FIG. 6, the electronic element layer 2 ′ is a layer including other structures in addition to the electronic elements. Examples of the other structures include a part for controlling and driving the electronic element.

当該素子基板では、相分離構造を有する膜が電気的な絶縁特性を備えた絶縁膜６であり、この相分離構造を有する絶縁膜６が電子素子層２’の少なくとも一部を覆うように設けられた点が特徴である。図６では基板１および電子素子層２’の全てを覆うように相分離構造を有する絶縁膜６を設けた例を示したが、各々の電子素子層２’を選択的にあるいは電子素子層２’を部分的に覆うように相分離構造を有する絶縁膜６を配してもよいことは言うまでもない。   In the element substrate, the film having the phase separation structure is the insulating film 6 having electrical insulation characteristics, and the insulating film 6 having the phase separation structure is provided so as to cover at least a part of the electronic element layer 2 ′. The point is the characteristic. FIG. 6 shows an example in which an insulating film 6 having a phase separation structure is provided so as to cover all of the substrate 1 and the electronic element layer 2 ′. However, each electronic element layer 2 ′ is selectively or electronic element layer 2. Needless to say, the insulating film 6 having a phase separation structure may be disposed so as to partially cover the portion '.

図１２は、相分離構造を有する膜３の概略を示す拡大斜視図であり、この相分離構造を有する膜３が物質相Ｍ１と物質相Ｍ２とから構成されている状態を表している。
各物質相Ｍ１、Ｍ２は、互いに非相溶性を有する物質から構成されており、それぞれ高分子構造体（ポリマー）が好適に用いられる。 FIG. 12 is an enlarged perspective view showing an outline of the film 3 having a phase separation structure, and shows a state in which the film 3 having the phase separation structure is composed of a substance phase M1 and a substance phase M2.
Each of the material phases M1 and M2 is made of a material that is incompatible with each other, and a polymer structure (polymer) is preferably used for each.

例えば、この相分離構造は、第１の繰り返し単位（第１のブロック）と第２の繰り返し単位（第２のブロック）とを含む前記ブロックコポリマーの当該第１もしくは当該第２の繰り返し単位のいずれか一方の繰り返し単位からなるホモポリマー（高分子構造体）を混合することにより得ることができ、ブロックコポリマーの種類や、ホモポリマーの量等を適宜選択することにより、相分離構造の各相の大きさまたは間隔を、設定することができる。言い換えれば、所望の発色に応じてブロックコポリマーの種類や、ホモポリマーの量等を選択すればよい。   For example, the phase-separated structure includes either the first or second repeating unit of the block copolymer including a first repeating unit (first block) and a second repeating unit (second block). It can be obtained by mixing a homopolymer (polymer structure) composed of one of these repeating units. By appropriately selecting the type of block copolymer, the amount of homopolymer, etc., each phase of the phase separation structure can be obtained. The size or spacing can be set. In other words, the type of block copolymer, the amount of homopolymer, etc. may be selected according to the desired color development.

本実施形態の素子基板において、相分離構造を有する膜３を得るのに好適なブロックコポリマーとしては、例えば、ポリスチレンとポリイソプレンからなるブロックコポリマーや、ポリ（２−ビニルピリジン）とポリイソプレンからなるブロックコポリマーなどがある。さらに、ポリメチルメタクレート（ＰＭＭＡ）とポリイソプレン又はポリブタジエンからなるブロックコポリマーなどが挙げられる。中でも、使用する溶媒に対して高い溶解性を備えたブロックコポリマー及びホモポリマーが望ましい。   In the element substrate of the present embodiment, as a block copolymer suitable for obtaining the film 3 having a phase separation structure, for example, a block copolymer composed of polystyrene and polyisoprene, or a poly (2-vinylpyridine) and polyisoprene is used. There are block copolymers. Furthermore, a block copolymer composed of polymethyl methacrylate (PMMA) and polyisoprene or polybutadiene is exemplified. Among these, block copolymers and homopolymers having high solubility in the solvent to be used are desirable.

また、ブロックコポリマー、あるいはグラフトコポリマーの具体例としては、芳香環含有ポリマー鎖として、例えば、ビニルナフタレン、スチレン、又は、これらの誘導体から選択される少なくとも１種のモノマーが重合したポリマー鎖などがあり、アクリル系ポリマー鎖としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメチルメタクリレート、ポリｔ−ブチルメタクリレートなどアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、又は、これらの誘導体から選択される少なくとも１種のモノマーが重合したポリマー鎖が用いられる。ポリエーテル鎖としては、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシドなどのポリアルキレンオキシド鎖が良い。ポリシラン鎖としては、ポリジブチルシランなどのジアルキルポリシラン誘導体などが良い。   Specific examples of the block copolymer or graft copolymer include an aromatic ring-containing polymer chain such as a polymer chain obtained by polymerizing at least one monomer selected from vinyl naphthalene, styrene, or derivatives thereof. As the acrylic polymer chain, for example, at least one monomer selected from acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, or derivatives thereof such as polyacrylic acid, polymethyl methacrylate, and poly-t-butyl methacrylate is polymerized. Polymer chains are used. The polyether chain is preferably a polyalkylene oxide chain such as polyethylene oxide or polypropylene oxide. The polysilane chain is preferably a dialkyl polysilane derivative such as polydibutylsilane.

さらに、前記ブロックコポリマー、あるいは前記グラフトコポリマーにおけるブロック鎖の組み合わせの具体例としては、以下に示すものが挙げられる。
例えば、ポリスチレン鎖＋ポリメチルメタクリレート鎖、ポリスチレン鎖＋ポリアクリル酸鎖、ポリスチレン鎖＋ポリエチレンオキシド鎖、ポリスチレン鎖＋ポリプロピレンオキシド鎖、ポリスチレン鎖＋ポリフェニルメチルシラン鎖、ポリスチレン鎖＋ポリジブチルシラン鎖、ポリビニルナフタレン鎖＋ポリメチルメタクリレート鎖、ポリビニルナフタレン鎖十ポリアクリル酸鎖、ポリビニルナフタレン鎖＋ポリエチレンオキシド鎖、ポリビニルナフタレン鎖＋ポリプロピレンオキシド鎖、ポリビニルナフタレン鎖＋ポリフェニルメチルシラン鎖、ポリビニルナフタレン鎖＋ポリジブチルシラン鎖などである。 Furthermore, the following are mentioned as a specific example of the combination of the block chain in the said block copolymer or the said graft copolymer.
For example, polystyrene chain + polymethyl methacrylate chain, polystyrene chain + polyacrylic acid chain, polystyrene chain + polyethylene oxide chain, polystyrene chain + polypropylene oxide chain, polystyrene chain + polyphenylmethylsilane chain, polystyrene chain + polydibutylsilane chain, polyvinyl Naphthalene chain + polymethyl methacrylate chain, polyvinyl naphthalene chain + polyacrylic acid chain, polyvinyl naphthalene chain + polyethylene oxide chain, polyvinyl naphthalene chain + polypropylene oxide chain, polyvinyl naphthalene chain + polyphenylmethylsilane chain, polyvinyl naphthalene chain + polydibutylsilane Such as a chain.

相分離構造を有する膜３を備えた素子基板は、例えば、次のような方法で形成される。
まず、ブロックコポリマーに、該ブロックコポリマーを構成する各ブロック鎖（ポリマー鎖）の一方と相溶性のあるホモポリマーを混合する。混合して生成された液状材料Ｌ１をブロックコポリマーの系の「秩序−無秩序転移温度（ＴＯＤＴ）」以上の温度に加熱して溶融するか、又は共通溶媒に溶解することにより、完全に混合した無秩序混合状態の液状材料Ｌ２を形成する。 The element substrate including the film 3 having the phase separation structure is formed by the following method, for example.
First, a homopolymer compatible with one of each block chain (polymer chain) constituting the block copolymer is mixed with the block copolymer. The liquid material L1 produced by mixing is heated to a temperature equal to or higher than the “order-disorder transition temperature (T ODT )” of the block copolymer system, or completely mixed by dissolving in a common solvent. The disordered mixed liquid material L2 is formed.

加熱後の液状材料Ｌ２の温度をＴＯＤＴ 以下に低下させるか、又は溶媒を蒸発させることにより、規則正しい秩序構造を形成させ、格子間隔が１００ｎｍ以上である各ポリマー相（ブロック鎖相）からなるミクロ相分離構造を形成させる。
上記の方法によれば、混入するホモポリマーの量を調整することにより格子間隔を制御し、同一のブロックコポリマーを用いて相分離構造体が主に反射する光の波長域を変化させることが可能となる。加えて、ブロックコポリマーの分子量を増加させることにより相分離構造体の反射する波長域のコントロール幅を広げることも可能となる。 By reducing the temperature of the heated liquid material L2 to T ODT or lower, or evaporating the solvent, a regular ordered structure is formed, and a micro phase comprising each polymer phase (block chain phase) having a lattice spacing of 100 nm or more. A phase separation structure is formed.
According to the above method, it is possible to control the lattice spacing by adjusting the amount of homopolymer mixed in, and to change the wavelength range of light mainly reflected by the phase separation structure using the same block copolymer It becomes. In addition, by increasing the molecular weight of the block copolymer, the control range of the wavelength region reflected by the phase separation structure can be increased.

本発明の素子基板を構成する相分離構造を有する膜３は、上述した性質を利用するものであり、例えば、図１〜図７に示すような構成に適用される。
なお、上述したように、本発明の素子基板における電子素子２とは、トランジスタやダイオード等のスイッチング機能を備えた素子であり、素子から外部に向けて光が発せられて機能を発揮するものである。このような素子としては、例えばレーザー用途の半導体素子や、発光ダイオード、反射型の液晶素子、ＥＬ素子等が挙げられる。 The film 3 having a phase separation structure that constitutes the element substrate of the present invention utilizes the above-described properties, and is applied to, for example, the configurations shown in FIGS.
As described above, the electronic element 2 in the element substrate of the present invention is an element having a switching function such as a transistor or a diode, and exhibits a function by emitting light from the element toward the outside. is there. Examples of such elements include semiconductor elements for laser applications, light emitting diodes, reflective liquid crystal elements, EL elements, and the like.

図１において、電子素子２としては、例えば、スイッチング機能を備えた素子の一つであるトランジスタを用いることができる。図１の場合、相分離構造を有する膜３は、複数個の電子素子２と基板１を全て覆うように設けられる。このような構成の素子基板は、最表面をなす相分離構造を有する膜３の上に例えば複数個の光学素子が載置されて用いられる、その際、相分離構造を有する膜３は、個々の光学素子が発する全ての光の波長に対して、有効な反射機能をもつ反射膜として利用される。複数個の電子素子２としては、例えば個々の光学素子を駆動する機能素子が挙げられる。   In FIG. 1, as the electronic element 2, for example, a transistor which is one of elements having a switching function can be used. In the case of FIG. 1, the film 3 having a phase separation structure is provided so as to cover all the plurality of electronic elements 2 and the substrate 1. The element substrate having such a configuration is used by, for example, mounting a plurality of optical elements on the film 3 having the phase separation structure forming the outermost surface. It is used as a reflection film having an effective reflection function for all wavelengths of light emitted by the optical element. Examples of the plurality of electronic elements 2 include functional elements that drive individual optical elements.

図１に対して、図２の素子基板は、相分離構造を有する膜３が基板１又は電子素子２の少なくとも一部を覆うように配された点が異なっている。
この相違点により、図２の素子基板であれば、素子基板上に例えば複数個の光学素子が載置されて用いる場合に、個々の光学素子に対応させた導通部、絶縁部、光路部などを構造や材質などを適宜変更して設けることが可能となるので、多種多様な仕様からなる光学素子を同時に載置することが可能な素子基板を提供できる。 The element substrate of FIG. 2 is different from FIG. 1 in that a film 3 having a phase separation structure is arranged so as to cover at least a part of the substrate 1 or the electronic element 2.
Due to this difference, in the case of the element substrate of FIG. 2, for example, when a plurality of optical elements are mounted on the element substrate, a conduction portion, an insulating portion, an optical path portion, etc. corresponding to each optical element are used. Therefore, it is possible to provide an element substrate on which optical elements having various specifications can be placed simultaneously.

図３においても、電子素子２としては、例えば、スイッチング機能を備えた素子の一つであるトランジスタを用いることができる。図３の場合、相分離構造を有する膜３は、複数個の電子素子２と基板１との間に、全ての電子素子２を覆うように設けられる。このような構成の素子基板は、最表面をなす相分離構造を有する膜３の上に例えば複数個の光学素子が載置されて用いられる、その際、相分離構造を有する膜３は、個々の光学素子が発する全ての光の波長に対して、有効な反射機能をもつ反射膜として利用される。複数個の電子素子２としては、例えば個々の光学素子を駆動する機能素子が挙げられる。 Also in FIG. 3, as the electronic element 2, for example, a transistor that is one of elements having a switching function can be used. In the case of FIG. 3, the film 3 having a phase separation structure is provided between the plurality of electronic elements 2 and the substrate 1 so as to cover all the electronic elements 2. The element substrate having such a configuration is used by, for example, mounting a plurality of optical elements on the film 3 having the phase separation structure forming the outermost surface. It is used as a reflection film having an effective reflection function for all wavelengths of light emitted by the optical element. Examples of the plurality of electronic elements 2 include functional elements that drive individual optical elements.

図２に対して、図３の素子基板は、相分離構造を有する膜３が個々の電子素子２と基板１との間にのみ配された点が異なっている。
この相違点により、図３の素子基板であれば、電子素子２上に例えば各々光学素子が載置されて用いる場合に、個々の光学素子に対応させた反射特性を有する反射膜として相分離構造を有する膜３を形成することが可能となる。 2 differs from the element substrate of FIG. 3 in that the film 3 having a phase separation structure is arranged only between the individual electronic elements 2 and the substrate 1.
Due to this difference, in the case of the element substrate of FIG. 3, for example, when each optical element is mounted on the electronic element 2, the phase separation structure is formed as a reflection film having reflection characteristics corresponding to each optical element. It is possible to form the film 3 having

上述した相分離構造を有する膜３は反射膜としての機能を備えているので、図４や図５に示す素子基板のように、基板１および電子素子２と相分離構造を有する膜３との間に、素子以外の層または構造体４または５を備えていても同様な反射機能を発揮できる素子基板の提供が可能である。
また、図６に示すように、図１の電子素子２の代わりに電子素子層２’を設けた構成の素子基板とした場合でも、相分離構造を有する膜６は図１と同様な反射機能を発揮できることは言うまでもない。 Since the film 3 having the phase separation structure described above has a function as a reflection film, the substrate 1 and the electronic element 2 and the film 3 having the phase separation structure, as in the element substrate shown in FIGS. It is possible to provide an element substrate capable of exhibiting a similar reflecting function even if a layer or structure 4 or 5 other than the element is provided therebetween.
Further, as shown in FIG. 6, even when an element substrate having an electronic element layer 2 ′ instead of the electronic element 2 of FIG. 1 is used, the film 6 having a phase separation structure has the same reflection function as that of FIG. It goes without saying that

図７は、本発明に係る電子装置を示す模式的な断面図であり、電子装置が上述した構成を有する素子基板と光学素子とを具備したことを特徴としている。
図７において、素子基板は基板１、電子素子２および相分離構造を有する膜３から構成されており、その上に光学素子７が載置されて状態を表している。
この構成によれば、素子基板は予めその素子基板内に電子素子２を備えているので、例えば電子素子２として光学素子７の駆動機能を備えたものを用いれば、この素子基板上に光学素子７を載置するだけで、光学素子７の機能を発揮させることが可能となる。 FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an electronic device according to the present invention. The electronic device includes an element substrate and an optical element having the above-described configuration.
In FIG. 7, the element substrate is composed of a substrate 1, an electronic element 2, and a film 3 having a phase separation structure, and an optical element 7 is placed thereon to represent a state.
According to this configuration, since the element substrate includes the electronic element 2 in the element substrate in advance, for example, if an electronic element 2 having a driving function of the optical element 7 is used, the optical element is provided on the element substrate. The function of the optical element 7 can be exhibited only by placing 7.

また、図６に示すように、相分離構造を有する膜３を、その膜を構成する物質を適宜選択することにより絶縁機能も兼ね備えることができるので絶縁膜として用いても構わない。
したがって、図７のように、例えば上述した有機ＥＬ素子からなる光学素子７とその動作に用いられる駆動回路をなす電子素子２とを積層して配置する場合の層間絶縁膜を兼ねることもできる。 Further, as shown in FIG. 6, the film 3 having a phase separation structure can be used as an insulating film because it can also have an insulating function by appropriately selecting a substance constituting the film.
Therefore, as shown in FIG. 7, for example, the optical element 7 composed of the above-described organic EL element and the electronic element 2 constituting the driving circuit used for the operation can also be used as an interlayer insulating film.

相分離構造を有する膜３は、混入したホモポリマーも含めて、各ブロック鎖相（ポリマー相）の体積分率により、例えば、「球」、「シリンダー」、「ラメラ」、「共連続」等の相分離構造によって得られるが、光の反射機能の観点からは、いかなる構造であってもよい。例えば、いずれかのポリマー相の体積分率φが０．３３程度のときは共連続構造が得られ、また、０．１８＜φ＜０．３２を目安としてシリンダー構造が得られる。   The membrane 3 having a phase separation structure includes, for example, “sphere”, “cylinder”, “lamella”, “co-continuous”, etc. depending on the volume fraction of each block chain phase (polymer phase) including the mixed homopolymer. However, any structure may be used from the viewpoint of the light reflection function. For example, when the volume fraction φ of any polymer phase is about 0.33, a co-continuous structure is obtained, and a cylinder structure is obtained with 0.18 <φ <0.32 as a guide.

上述したように、本発明に係る素子基板は、層間絶縁層をなす絶縁材料として機能すると共に、素子が発する光の反射層をなす反射材料としても機能する相分離構造を備えることができる。ゆえに、従来の層間絶縁膜をこの相分離構造を有する膜３に置き換えるだけで、絶縁機能に加えて反射機能も併せ持つ膜を、単層構造という最も単純な層構成で満たすことができる。   As described above, the element substrate according to the present invention can include a phase separation structure that functions as an insulating material that forms an interlayer insulating layer and also functions as a reflecting material that forms a reflecting layer of light emitted from the element. Therefore, by simply replacing the conventional interlayer insulating film with the film 3 having this phase separation structure, a film having a reflection function in addition to an insulating function can be filled with the simplest layer structure of a single layer structure.

これに対して、図４および図５に示す素子基板は、相分離構造を有する膜３を基板１と電子素子２の外側に設けた場合である。
図４の素子基板では、相分離構造を有する膜３は、基板１の他方の面すなわち素子２が配設された面とは反対の面に、この基板１と接触しない状態で、この基板１の全面に配置されている。一方、図５の素子基板では、相分離構造を有する膜３（第四の膜）は、基板１の一方の面すなわち素子２が配設された面と同じ面に、この基板１と接触しない状態で、この基板１の全面に配置されている。ここで、４や５は、電子素子２以外の他の膜や構造体である。 On the other hand, the element substrate shown in FIGS. 4 and 5 is a case where the film 3 having a phase separation structure is provided outside the substrate 1 and the electronic element 2.
In the element substrate of FIG. 4, the film 3 having the phase separation structure is not in contact with the substrate 1 on the other surface of the substrate 1, that is, the surface opposite to the surface on which the element 2 is disposed. It is arranged on the entire surface. On the other hand, in the element substrate of FIG. 5, the film 3 (fourth film) having the phase separation structure is not in contact with the substrate 1 on the same surface as one surface of the substrate 1, that is, the surface on which the element 2 is disposed. In this state, it is disposed on the entire surface of the substrate 1. Here, 4 and 5 are films and structures other than the electronic element 2.

つまり、図４と図５の素子基板における相分離構造を有する膜３は、他の膜や構造体４、５を通過してきた、電子素子２が発した光の反射膜として機能する。さらに、図４および図５における相分離構造を有する膜３は、その膜を構成する物質を適宜選択することにより絶縁機能も兼ね備えることができるので、この場合には特に、基板１や素子２を静電気や外力などから保護する絶縁膜としても機能することも期待できる。   That is, the film 3 having the phase separation structure in the element substrate of FIGS. 4 and 5 functions as a reflection film for light emitted from the electronic element 2 that has passed through other films and structures 4 and 5. Furthermore, the film 3 having the phase separation structure in FIGS. 4 and 5 can also have an insulating function by appropriately selecting the material constituting the film. In this case, in particular, the substrate 1 and the element 2 are provided. It can also be expected to function as an insulating film that protects against static electricity and external forces.

（素子基板の製造方法）
次に、本発明に係る素子基板の製造方法の一例として、図１に示す構成の素子基板において基板１上に相分離構造を有する膜３（第一の膜）を形成する方法について述べる。
相分離構造を有する膜３を作製する装置としては、例えばスピンコート法やディップコート法、インクジェット法などの塗布法にて成膜する装置であれば、何れの装置であっても構わない。
以下では、相分離構造を有する膜３を作製する装置として図１３から図１５に示す液状材料を塗布する装置を用い、相分離構造を有する膜３を、ガラス部材（＃７０５９、コーティングワークス社製、屈折率１．５３）からなる透明基板８の上に製造する方法について詳細に説明する。 (Method for manufacturing element substrate)
Next, as an example of a method for manufacturing an element substrate according to the present invention, a method for forming a film 3 (first film) having a phase separation structure on the substrate 1 in the element substrate having the configuration shown in FIG. 1 will be described.
As an apparatus for producing the film 3 having a phase separation structure, any apparatus may be used as long as it is an apparatus that forms a film by a coating method such as a spin coating method, a dip coating method, and an ink jet method.
Hereinafter, the apparatus for applying the liquid material shown in FIGS. 13 to 15 is used as an apparatus for producing the film 3 having the phase separation structure, and the film 3 having the phase separation structure is formed by the glass member (# 7059, manufactured by Coating Works). The method of manufacturing on the transparent substrate 8 having a refractive index of 1.53) will be described in detail.

図１３において、ステージ１０１上に基板８は真空吸着された状態とした。液状材料Ｌ２は、液体保管部１０７から供給管１０６を通してディスペンサヘッド１０４に供給される。液状材料Ｌ２は、さらに、ディスペンサヘッド１０４に設けられた複数のノズル１０５から、基板８上に非常に多くのドット１０３として塗布される。   In FIG. 13, the substrate 8 is vacuum-sucked on the stage 101. The liquid material L2 is supplied from the liquid storage unit 107 to the dispenser head 104 through the supply pipe 106. Further, the liquid material L2 is applied as a very large number of dots 103 on the substrate 8 from a plurality of nozzles 105 provided in the dispenser head 104.

図１４は、ディスペンサヘッド１０４から液体材料Ｌ２が放出される吐出口をなすノズル１０５の詳細断面図である。
図７に示したディスペンサヘッド１０４は、材料吐出方式プリンタのヘッドと同様な構造であり、ピエゾ素子の振動で液状材料Ｌ２を吐出できるようになっている。液状材料Ｌ２は、入り口部１１１から供給口１１２を介してキャビティ部１１３に溜まる。振動板１１５に密着しているピエゾ素子１１４の伸縮により該振動板１１５が動き、キャビティ１１３の体積が減少または増加する。液状材料Ｌ２は、キャビティ１１３の体積が減少するときノズル口１１６から吐出され、キャビティ１１３の体積が増加するとき、液状材料Ｌ２は、供給口１１２からキャビティ１１３に供給される。 FIG. 14 is a detailed cross-sectional view of the nozzle 105 serving as a discharge port through which the liquid material L2 is discharged from the dispenser head 104.
The dispenser head 104 shown in FIG. 7 has the same structure as the head of a material discharge type printer, and can discharge the liquid material L2 by the vibration of the piezo element. The liquid material L2 accumulates in the cavity portion 113 from the inlet portion 111 through the supply port 112. The expansion and contraction of the piezo element 114 that is in close contact with the diaphragm 115 causes the diaphragm 115 to move, and the volume of the cavity 113 decreases or increases. The liquid material L2 is discharged from the nozzle port 116 when the volume of the cavity 113 decreases, and the liquid material L2 is supplied to the cavity 113 from the supply port 112 when the volume of the cavity 113 increases.

ノズル口１１６は、例えば、図１５に示すように２次元的に複数個配列されているので、図１５に示したように、基板８又はディスペンサ１０４が相対的に移動することによって、基板上の所望の位置に液状材料がドット状に塗布される。
図１５に示すように、例えば、ノズル口１１６の配列ピッチは、横方向ピッチＰ１が数１００μｍ、縦方向ピッチＰ２が数ｍｍとしたディスペンサ１０４が好適に用いられる。ノズル口１１６の口径は数１０μｍ〜数１００μｍである。一回の吐出量は数１０〜数１００ｎｇで、吐出される液状材料の液滴の大きさは、直径数１０〜数１００μｍである。 For example, since a plurality of nozzle openings 116 are two-dimensionally arranged as shown in FIG. 15, the substrate 8 or the dispenser 104 moves relatively as shown in FIG. A liquid material is applied in a dot shape at a desired position.
As shown in FIG. 15, for example, a dispenser 104 in which the nozzle pitch 116 is arranged with a horizontal pitch P1 of several hundred μm and a vertical pitch P2 of several mm is preferably used. The diameter of the nozzle port 116 is several tens of μm to several hundreds of μm. The discharge amount at one time is several tens to several hundreds ng, and the size of the liquid material droplets to be discharged is several tens to several hundreds μm in diameter.

ドット状に塗布される液状材料Ｌ２は、ノズル１０５から吐出された直後は数１００μｍの略円形であり、塗布膜の膜厚は、ノズル口１１６の口径及びドット１０３のピッチによって制御できる。
なお、ノズル口１１６の口径は更に小さくすることができるので、例えば１０〜２０μｍ幅の線状のパターンに塗布することも可能であり、フォトリソグラフィー工程が不要な直接描画も可能となる。 The liquid material L2 applied in the form of dots is a substantially circular shape of several hundred μm immediately after being ejected from the nozzle 105, and the film thickness of the coating film can be controlled by the diameter of the nozzle openings 116 and the pitch of the dots 103.
Since the diameter of the nozzle opening 116 can be further reduced, it can be applied to a linear pattern having a width of 10 to 20 μm, for example, and direct drawing that does not require a photolithography process is also possible.

上述した液状材料Ｌ２の塗布法は、材料吐出式いわゆるインクジェット式と呼ばれる液体塗布法である。この塗布法は、従来の真空プロセスを利用するＣＶＤ装置等の成膜装置を用いた膜の製造法と比較して、装置構成が著しく簡易であり、装置価格も格段に安価となる。液状材料Ｌ２の塗布法で使用する装置は大気圧雰囲気にて膜を製造できるので、減圧雰囲気で成膜が行われるＣＶＤ装置等の成膜装置に比較してスループットが高く、メンテナンスが簡単なことから、装置の可動率を向上させることができる。   The above-described coating method of the liquid material L2 is a liquid coating method called a material discharge type so-called ink jet type. This coating method has a remarkably simple apparatus configuration and a much lower apparatus price than a conventional film manufacturing method using a film forming apparatus such as a CVD apparatus utilizing a vacuum process. Since the apparatus used in the coating method of the liquid material L2 can produce a film in an atmospheric pressure atmosphere, the throughput is higher and the maintenance is easier than a film forming apparatus such as a CVD apparatus that forms a film in a reduced pressure atmosphere. Therefore, the movable rate of the apparatus can be improved.

なお、上記では、本発明に係る相分離構造を有する膜３の作製法として、インクジェット法を用いた場合を説明した。しかしながら、相分離構造を有する膜３の製造方法は塗布法であればインクジェット法に限定されるものではなく、例えばスピンコート法などの汎用法を用いても構わない。ただし、従来のスピンコート法では液状材料Ｌ２の使用効率は数％以下であるのに対し、上述したインクジェット法では５０％以上とすることができる。   In the above description, the case where the inkjet method is used as the method for manufacturing the film 3 having the phase separation structure according to the present invention has been described. However, the manufacturing method of the film 3 having a phase separation structure is not limited to the inkjet method as long as it is a coating method, and a general-purpose method such as a spin coating method may be used. However, the use efficiency of the liquid material L2 is several percent or less in the conventional spin coating method, whereas it can be 50% or more in the above-described inkjet method.

なお、上記の材料吐出方式は、相分離構造を有する層３が形成できる他に、有機ＥＬ素子を構成する陽極や陰極として用いられるＩＴＯ膜からなる透明電極の形成や、さらには有機ＥＬ素子を構成する発光層の形成にも適用できるので、有機ＥＬ装置などの電子装置のコスト低減に非常に大きな効果をもたらす。   In addition to the formation of the layer 3 having the phase separation structure, the material discharge method described above forms a transparent electrode made of an ITO film used as an anode and a cathode constituting the organic EL element, and further provides an organic EL element. Since the present invention can also be applied to the formation of the light emitting layer to be configured, it has a great effect on the cost reduction of an electronic device such as an organic EL device.

（光学装置およびその製造方法）
本発明に係る光学装置としては、図８〜図１１に示すものが挙げられる。
図８と図９に示した光学装置は、基板１、基板１の上方に載置された光学素子７と、光学素子７に対して光の取り出し方向とは反対側に相分離構造を有する反射膜８と、を具備してなる。図９は、反射膜８が基板１と光学素子７との間に配される場合であり、図９は反射膜８が基板１と光学素子７の上方に配される場合である。 (Optical device and manufacturing method thereof)
Examples of the optical device according to the present invention include those shown in FIGS.
The optical device shown in FIGS. 8 and 9 includes a substrate 1, an optical element 7 placed above the substrate 1, and a reflection having a phase separation structure on the side opposite to the light extraction direction with respect to the optical element 7. And a film 8. FIG. 9 shows a case where the reflective film 8 is disposed between the substrate 1 and the optical element 7, and FIG. 9 shows a case where the reflective film 8 is disposed above the substrate 1 and the optical element 7.

図１０の光学装置は、基板１と、基板１の上方に配置された複数のスイッチング素子を含む電子素子層２’と、電子素子層２’の上方に配置された相分離構造を有する反射膜８と、反射膜８の上方に配置された光学素子層７’と、を具備してなる。
図１１の光学装置は、基板１と、基板１の上方に配置された複数のスイッチング素子を含む電子素子層２’と、電子素子層２’の上方に配置された光学素子層７’と、光学素子層７’の上方に配置された相分離構造を有する反射膜８と、を具備してなる。 10 includes a substrate 1, an electronic element layer 2 ′ including a plurality of switching elements disposed above the substrate 1, and a reflective film having a phase separation structure disposed above the electronic element layer 2 ′. 8 and an optical element layer 7 ′ disposed above the reflective film 8.
The optical device of FIG. 11 includes a substrate 1, an electronic element layer 2 ′ including a plurality of switching elements disposed above the substrate 1, an optical element layer 7 ′ disposed above the electronic element layer 2 ′, And a reflective film 8 having a phase separation structure disposed above the optical element layer 7 ′.

以下では、光学装置の具体的な事例として、光学素子７として有機ＥＬ素子を設けた光学装置の場合を図１６に基づき詳細に説明する。
図１６は、電子装置における表示領域の断面構造を拡大した概略図であり、この図面には３つの画素領域Ａが図示されている。この電子装置２０は、基体２１上に、ＴＦＴなどの回路や２つの層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂなどが設けられた回路素子部１４と、画素電極１１１、機能層１１０および陰極１２などが設けられた発光素子部１１と、封止樹脂１３１および封止基板１３２が設けられた封止部１３とが順次積層された構成からなる。
図１６の電子装置２０では、基体２０が図１の基板１に相当し、本発明に係る相分離構造を有する層は第二層間絶縁膜１４４ｂとして用いられる。 Hereinafter, as a specific example of the optical apparatus, an optical apparatus provided with an organic EL element as the optical element 7 will be described in detail with reference to FIG.
FIG. 16 is an enlarged schematic view of the cross-sectional structure of the display area in the electronic device. In this drawing, three pixel areas A are shown. The electronic device 20 includes a circuit element unit 14 provided with a circuit such as a TFT and two interlayer insulating films 144a and 144b, a pixel electrode 111, a functional layer 110, a cathode 12, and the like on a base 21. The light emitting element unit 11 and the sealing unit 13 provided with the sealing resin 131 and the sealing substrate 132 are sequentially stacked.
In the electronic device 20 of FIG. 16, the base 20 corresponds to the substrate 1 of FIG. 1, and the layer having the phase separation structure according to the present invention is used as the second interlayer insulating film 144b.

この電子装置２０では、機能層１１０から陰極１２側に発した光が、封止部１３を透過して封止部１３の上方（観測者側）に出射されると共に、機能層１１０から基体２側に発した光が第二層間絶縁膜１４４ｂにより反射されて、封止部１３を透過して封止部１３の上方（観測者側）に出射されるようになっている。
本発明の電子装置２０においては、第二層間絶縁膜１４４ｂが相分離構造を有する層からなるので、第二層間絶縁膜１４４ｂは絶縁機能に加えて反射機能も備えることができる。 In the electronic device 20, light emitted from the functional layer 110 toward the cathode 12 is transmitted through the sealing portion 13 and emitted above the sealing portion 13 (observer side), and from the functional layer 110 to the base 2. The light emitted to the side is reflected by the second interlayer insulating film 144b, passes through the sealing portion 13, and is emitted above the sealing portion 13 (observer side).
In the electronic device 20 of the present invention, since the second interlayer insulating film 144b is made of a layer having a phase separation structure, the second interlayer insulating film 144b can have a reflecting function in addition to the insulating function.

これによって、発光素子部１１を構成する画素電極１１１と陰極１２の両方に、同じ材質の透明な導電材料を用いることが可能となるので、画素電極１１１と陰極１２に挟まれた機能層１１０は上下層の界面において同程度の内部応力を受けることになる。換言すれば、機能層１１０は上下層から受ける内部応力がほぼ等しくなるので、機能層１１０の中に生じる歪みを最小限に抑えることを意味する。この歪みの抑制は、機能層１１０から発せられる光の強度を、長期にわたって安定にする作用をもたらす。   This makes it possible to use the same transparent conductive material for both the pixel electrode 111 and the cathode 12 constituting the light emitting element portion 11, so that the functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the cathode 12 The same internal stress is received at the interface between the upper and lower layers. In other words, since the internal stress received from the upper and lower layers of the functional layer 110 is substantially equal, it means that the strain generated in the functional layer 110 is minimized. This suppression of the distortion has an effect of stabilizing the intensity of light emitted from the functional layer 110 over a long period of time.

第二層間絶縁膜１４４ｂをなす相分離構造を有する層としては、図１から図４を構成する相分離構造を有する層３において説明した各種材料が利用できる。したがって、相分離構造を有する層からなる第二層間絶縁膜１４４ｂの製造方法としては、この各種材料から選択された第１の物質と第２の物質とを含む液状材料Ｌ２を用い、インクジェット法で形成する製造法が好ましい。   As the layer having the phase separation structure forming the second interlayer insulating film 144b, various materials described in the layer 3 having the phase separation structure constituting FIGS. 1 to 4 can be used. Therefore, as a method of manufacturing the second interlayer insulating film 144b made of a layer having a phase separation structure, a liquid material L2 containing a first substance and a second substance selected from these various materials is used, and an inkjet method is used. The production method to be formed is preferred.

なお、上述したように、１４４ｂとしては、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）に対応して相分離構造の膜を変える場合はインクジェット法が好適であるが、Ｒ，Ｇ，Ｂに対して共通の相分離構造の膜を設ける場合は、その作製法はインクジェット法に限定されるものではない。例えば、白色の相分離構造の膜であれば、全ての色を反射することが可能であり、このような場合は特にインクジェット法を用いる必要はない。   As described above, as 144b, the ink-jet method is suitable when changing the film of the phase separation structure corresponding to R (red), G (green), and B (blue), but R, G, When a film having a common phase separation structure is provided for B, the manufacturing method is not limited to the ink jet method. For example, if the film has a white phase separation structure, all colors can be reflected. In such a case, it is not necessary to use the inkjet method.

ここで、第１の物質と第２の物質とを含む液状材料Ｌ２とは、第１の物質をなすブロックコポリマーに、このブロックコポリマーを構成する各ブロック鎖（ポリマー鎖とも呼ぶ）の一方と相溶性のあるホモポリマーを第２の物質として混合して生成された液体材料Ｌ１を、ブロックコポリマーの系の「秩序−無秩序転移温度（ＴＯＤＴ ）以上の温度に加熱して溶融するか、または第一の物質と第二の物質の共通溶媒に溶解することにより、完全に混合した無秩序混合状態をなす液体材料Ｌ２を指す。 Here, the liquid material L2 containing the first substance and the second substance refers to the block copolymer forming the first substance and one of the block chains (also referred to as polymer chains) constituting the block copolymer. The liquid material L1 produced by mixing a soluble homopolymer as the second substance is heated to a temperature equal to or higher than the “order-disorder transition temperature (T ODT )” of the block copolymer system, or melted. It refers to the liquid material L2 that forms a completely mixed disordered state by being dissolved in the common solvent of the first substance and the second substance.

本発明に係る素子基板の製造方法は、一方の面に素子を載置するために使われる基板を用い、この基板において少なくとも素子を覆う位置に、互いに非相溶性である第１の物質と第２の物質とから構成される相分離構造を有する膜を形成する塗布工程を具備したことを特徴としている。
前述した液体材料Ｌ２を用い、互いに非相溶性である第１の物質と第２の物質とから構成される相分離構造を有する膜を、基板において少なくとも素子を覆う位置に形成する塗布工程を具備してさえいれば、この膜が形成される位置が基板のいかなる箇所であっても、所望の絶縁機能と反射機能とを兼ね備えた反射膜を、適宜、所望の位置に最適な領域を覆うように形成できる。 The element substrate manufacturing method according to the present invention uses a substrate used for mounting an element on one surface, and the first substance and the first substance that are incompatible with each other at least at a position covering the element on the substrate. And a coating process for forming a film having a phase separation structure composed of two substances.
A coating step of forming a film having a phase separation structure composed of a first substance and a second substance, which are incompatible with each other, at a position covering at least the element on the substrate, using the liquid material L2 described above; As long as the film is formed at any location on the substrate, a reflective film having a desired insulating function and a reflective function is appropriately covered so as to cover the optimum region at the desired position. Can be formed.

また、この素子基板の製造方法は、塗布工程により所望の膜を形成できるので、従来の真空プロセスを必要とした作製法とは異なり、大気中において膜の形成が可能であり、高価な真空プロセス対応の設備を不要とするので、膜作製コストの大幅な低減を図れる。
特に、この塗布工程において、インクジェット法で前述した第１の物質と第２の物質とを塗り分けて、上記の絶縁機能と反射機能とを兼ね備えた反射膜をなす膜を形成する方法を採用すれば、次に述べる理由から大幅な製造コストの低減が期待できる。 In addition, since this element substrate manufacturing method can form a desired film by a coating process, unlike a conventional manufacturing method that requires a vacuum process, the film can be formed in the atmosphere, and an expensive vacuum process. Since no corresponding equipment is required, the film production cost can be greatly reduced.
In particular, in this coating step, a method of forming a reflective film having both the insulating function and the reflecting function by separately coating the first substance and the second substance described above by the inkjet method may be employed. For example, a significant reduction in manufacturing cost can be expected for the following reasons.

第一の理由としては、液体材料Ｌ２を用いた材料吐出法（インクジェット法）であれば、従来の真空プロセスが必須である高価なＣＶＤ装置などの成膜装置を用いる必要がないので、製造装置や製造工程の簡素化が図れると共に、製造ラインを安価にできる点が挙げられる。   The first reason is that the material discharge method (inkjet method) using the liquid material L2 does not require the use of a film forming apparatus such as an expensive CVD apparatus in which a conventional vacuum process is essential. In addition, the manufacturing process can be simplified and the production line can be made inexpensive.

第二の理由としては、従来の塗布法であるスピンコート法においても液体材料Ｌ２を用いれば、本発明に係る互いに非相溶性である第１の物質と第２の物質とから構成される相分離構造を有する膜を形成することはできるが、このスピンコート法では液体材料Ｌ２の使用効率は数％以下に留まるのに対して、本発明に係るインクジェット法によればこの使用効率を５０％以上とすることができる点が挙げられる。   The second reason is that the phase composed of the first substance and the second substance which are incompatible with each other according to the present invention can be obtained by using the liquid material L2 even in the spin coating method which is a conventional coating method. Although a film having a separation structure can be formed, the use efficiency of the liquid material L2 is less than a few percent in this spin coating method, whereas the use efficiency is reduced by 50% according to the ink jet method according to the present invention. The point which can be mentioned above is mentioned.

第三の理由としては、この相分離構造を有する膜の製造工程の前後に、透明な電極材料としてＩＴＯ膜が形成される工程がある場合には、このＩＴＯ膜の成膜にもインクジェット法が利用できることから、大気中における連続した製造工程を採用可能となり、これはさらなる製造コストの削減をもたらすので好ましい点が挙げられる。   Third, if there is a process in which an ITO film is formed as a transparent electrode material before and after the manufacturing process of the film having this phase separation structure, the inkjet method is also used for forming the ITO film. Since it can be used, it is possible to adopt a continuous manufacturing process in the atmosphere, which is preferable because it further reduces the manufacturing cost.

また、上記の塗布工程は、インクジェット法で前述した第１の物質と第２の物質とを塗り分けて、上記の絶縁機能と反射機能とを兼ね備えた反射膜をなす膜を形成することを特徴としているので、例えば基板に到達した一方の物質からなる微小領域の隣には他の物質からなる微小領域が配置されるように、ノズル孔を通して第１の物質と第２の物質とを各々吐出したり、あるいはノズル孔を備えたインクジェットヘッドの位置を制御することによって、得られた膜が第１の物質と第２の物質とを塗り分けて構成されるように形成することができる。その際、間欠的に塗り分けて膜を形成する塗布工程を用いると、第１の物質と第２の物質の吐出量を高精度に制御できるので、膜厚の均一化も図れるので望ましい。   In the coating step, the first substance and the second substance described above are separately applied by an ink jet method to form a film that forms a reflective film having both the insulating function and the reflecting function. Therefore, for example, the first substance and the second substance are discharged through the nozzle holes so that the minute area made of the other material is arranged next to the minute area made of the one material reaching the substrate. Alternatively, by controlling the position of the ink jet head provided with the nozzle holes, the obtained film can be formed so that the first substance and the second substance are separately applied. At that time, it is desirable to use a coating process in which a film is formed by intermittently coating, because the discharge amount of the first substance and the second substance can be controlled with high accuracy, and the film thickness can be made uniform.

さらに、インクジェット法で前述した第１の物質と第２の物質とを塗り分けて、上記の絶縁機能と反射機能とを兼ね備えた反射膜をなす膜を形成できれば、互いに非相溶性である第１の物質と第２の物質とから構成される相分離構造を有する膜を、基板上の所望の位置に容易に形成できるので好ましい。   Furthermore, if the first substance and the second substance described above are separately applied by the ink jet method to form a reflection film having both the insulating function and the reflection function, the first substances that are incompatible with each other can be formed. A film having a phase separation structure composed of the above substance and the second substance can be easily formed at a desired position on the substrate, which is preferable.

上述した素子基板の製造方法は、前記塗布工程の後に、溶媒を除去するための乾燥工程を具備したことを特徴としている。
この溶媒を除去するための乾燥工程は、前述した塗布工程で形成した膜から溶媒を蒸発させて取り除くことによって、膜に規則正しい秩序構造を形成させ、例えば格子間隔が１００ｎｍ以上である各ポリマー相（ブロック鎖相とも呼ぶ）からなるミクロ相分離構造の膜を形成することに寄与する。この乾燥工程は、減圧雰囲気で行うことによって、上記した膜からの溶媒除去の効率をさらに上げることもできる。 The element substrate manufacturing method described above includes a drying step for removing the solvent after the coating step.
In the drying step for removing the solvent, the solvent is evaporated and removed from the film formed in the coating step described above, thereby forming a regular ordered structure in the film. For example, each polymer phase having a lattice spacing of 100 nm or more ( This contributes to the formation of a film having a microphase separation structure composed of a block chain phase. By performing this drying step in a reduced-pressure atmosphere, the efficiency of removing the solvent from the film can be further increased.

また、本発明に係る素子基板の製造方法は、前述した塗布工程又は乾燥工程の後に、熱処理する冷却工程を具備したことを特徴としている。
この冷却工程は、上記の塗布工程で形成された膜に対し、第一の物質と第二の物質からなる液体材料Ｌ２ のＴＯＤＴ より低い温度に熱処理する冷却工程を意味する。この冷却工程は、膜に規則正しい秩序構造を形成させ、例えば格子間隔が１００ｎｍ以上である各ポリマー相（ブロック鎖相とも呼ぶ）からなるミクロ相分離構造の膜を形成できる。特に、乾燥工程により予め溶媒除去が行われた膜に対してこの冷却工程を行うことにより、この作用・効果をさらに高めることが可能となる。 The element substrate manufacturing method according to the present invention is characterized in that a cooling step of heat treatment is provided after the above-described coating step or drying step.
This cooling process means a cooling process in which the film formed in the coating process is heat-treated at a temperature lower than the TOD of the liquid material L 2 made of the first substance and the second substance. In this cooling step, a regular ordered structure is formed on the film, and for example, a film having a microphase separation structure composed of polymer phases (also called block chain phases) having a lattice interval of 100 nm or more can be formed. In particular, by performing this cooling step on the film from which the solvent has been removed in advance by the drying step, this action and effect can be further enhanced.

画素電極１１１および陰極１２としては、透明な導電材料を用いることにより発光する光を通過させることができる。この透明な導電材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄが挙げられるが、中でも第二層間絶縁膜１４４ｂと同じ製造法であるインクジェット法を用いて形成可能なＩＴＯが望ましい。   As the pixel electrode 111 and the cathode 12, light that is emitted can be transmitted by using a transparent conductive material. Examples of the transparent conductive material include ITO, Pt, Ir, Ni, and Pd. Among these, ITO that can be formed using an inkjet method that is the same manufacturing method as the second interlayer insulating film 144b is preferable.

回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２１ｃが形成され、この下地保護膜２１ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。   In the circuit element portion 14, a base protective film 21c made of a silicon oxide film is formed on the substrate 2, and an island-shaped semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed on the base protective film 21c. In the semiconductor film 141, a source region 141a and a drain region 141b are formed by high concentration P ion implantation. A portion where P is not introduced is a channel region 141c.

更に回路素子部１４には、下地保護膜２１ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。   Further, a transparent gate insulating film 142 covering the base protective film 21c and the semiconductor film 141 is formed in the circuit element portion 14, and a gate electrode 143 made of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like is formed on the gate insulating film 142. (Scanning line 101) is formed, and transparent first interlayer insulating film 144a and second interlayer insulating film 144b are formed on gate electrode 143 and gate insulating film 142. The gate electrode 143 is provided at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141.

また、第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース領域１４１ａとドレイン領域１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。 Contact holes 145 and 146 are formed through the first interlayer insulating film 144a and the second interlayer insulating film 144b and connected to the source region 141a and the drain region 141b of the semiconductor film 141, respectively.
On the second interlayer insulating film 144b, a transparent pixel electrode 111 made of ITO or the like is formed by patterning into a predetermined shape, and one contact hole 145 is connected to the pixel electrode 111.

また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。
このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
なお、回路素子部１４には、保持容量cap及びスイッチング用の薄膜トランジスタも形成されているが、図１６ではこれらの図示を省略している。 The other contact hole 146 is connected to the power supply line 103.
In this way, the driving thin film transistor 123 connected to each pixel electrode 111 is formed in the circuit element unit 14.
The circuit element unit 14 is also formed with a storage capacitor cap and a switching thin film transistor, but these are not shown in FIG.

発光素子部１１は、図９に示すように、複数の画素電極１１１の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に設けられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。そして、これらの画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成される。
ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。 As shown in FIG. 9, the light emitting element unit 11 is provided between each of the pixel electrodes 111 and the functional layer 110 and partitions the functional layers 110. The bank unit 112 and the cathode 12 formed on the functional layer 110 are mainly configured. The pixel electrode 111, the functional layer 110, and the cathode 12 constitute a light emitting element.
Here, the pixel electrode 111 is made of, for example, ITO, and is formed by patterning into a substantially rectangular shape in plan view.

バンク部１１２は、図１６に示すように、基体２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク層とも呼ぶ）と基体２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂ（第２バンク層とも呼ぶ）とが積層されて構成される。   As shown in FIG. 16, the bank 112 includes an inorganic bank layer 112a (also referred to as a first bank layer) positioned on the base 2 side and an organic bank layer 112b (also referred to as a second bank layer) positioned away from the base 2. And are configured.

無機物バンク層、有機物バンク層（１１２ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。   The inorganic bank layer and the organic bank layer (112 a, 112 b) are formed so as to ride on the peripheral edge of the pixel electrode 111. In plan view, the periphery of the pixel electrode 111 and the inorganic bank layer 112a are arranged so as to overlap in plan view. The same applies to the organic bank layer 112b, and the organic bank layer 112b is disposed so as to overlap a part of the pixel electrode 111 in a planar manner. The inorganic bank layer 112a is further formed on the center side of the pixel electrode 111 than the organic bank layer 112b. In this manner, each first stacked portion 112e of the inorganic bank layer 112a is formed inside the pixel electrode 111, so that a lower opening 112c corresponding to the formation position of the pixel electrode 111 is provided.

また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
そしてバンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成されている。 An upper opening 112d is formed in the organic bank layer 112b. The upper opening 112d is provided so as to correspond to the formation position of the pixel electrode 111 and the lower opening 112c. As shown in FIG. 3, the upper opening 112d is wider than the lower opening 112c and narrower than the pixel electrode 111. In some cases, the upper position of the upper opening 112d and the end of the pixel electrode 111 are substantially the same position. In this case, as shown in FIG. 3, the cross section of the upper opening 112d of the organic bank layer 112b is inclined.
In the bank portion 112, an opening 112g penetrating the inorganic bank layer 112a and the organic bank layer 112b is formed by communicating the lower opening 112c and the upper opening 112d.

無機物バンク層１１２ａとしては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2 等の無機材料が好適に用いられる。
この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層１１０ａより薄くなり、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層１１０ａ上に積層する後述の発光層１１０ｂの平坦性を確保できなくなるので好ましくない。 As the inorganic bank layer 112a, for example, an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2 is preferably used.
The film thickness of the inorganic bank layer 112a is preferably in the range of 50 to 200 nm, particularly 150 nm. If the film thickness is less than 50 nm, the inorganic bank layer 112a is thinner than the hole injection / transport layer 110a described later, and the flatness of the hole injection / transport layer 110a cannot be ensured. On the other hand, if the film thickness exceeds 200 nm, a step due to the lower opening 112c becomes large, and flatness of a light emitting layer 110b to be described later stacked on the hole injection / transport layer 110a cannot be secured.

有機物バンク層１１２ｂとしては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性と耐溶媒性のある材料が好適に用いられる。
この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。 As the organic bank layer 112b, a material having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin is preferably used.
The thickness of the organic bank layer 112b is preferably in the range of 0.1 to 3.5 μm, and particularly preferably about 2 μm. If the thickness is less than 0.1 μm, the organic bank layer 112b becomes thinner than the total thickness of the hole injection / transport layer and the light emitting layer, which will be described later, and the light emitting layer may overflow from the upper opening 112d. On the other hand, if the thickness exceeds 3.5 μm, the step due to the upper opening 112d becomes large, and step coverage of the cathode 12 formed on the organic bank layer 112b cannot be secured. Further, if the thickness of the organic bank layer 112b is 2 μm or more, it is more preferable in that the insulation with the driving thin film transistor 123 can be improved.

機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、必要に応じて、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層を更に形成しても構わない。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層１１０ｂで再結合し、発光が生じる。 The functional layer 110 includes a hole injection / transport layer 110a stacked on the pixel electrode 111 and a light emitting layer 110b formed adjacent to the hole injection / transport layer 110a. If necessary, another functional layer having a function such as an electron injecting and transporting layer may be further formed adjacent to the light emitting layer 110b.
The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the light emitting layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. By providing such a hole injecting / transporting layer 110a between the pixel electrode 111 and the light emitting layer 110b, device characteristics such as light emitting efficiency and life of the light emitting layer 110b are improved. In the light emitting layer 110b, holes injected from the hole injection / transport layer 110a and electrons injected from the cathode 12 are recombined in the light emitting layer 110b, and light emission occurs.

発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。   The light emitting layer 110b has three types, a red light emitting layer 110b1 that emits red (R), a green light emitting layer 110b2 that emits green (G), and a blue light emitting layer 110b3 that emits blue (B). The light emitting layers 110b1 to 110b3 are arranged in stripes.

陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、対向して設けられた画素電極１１１と対をなして機能層１１０に電流を流す役割を担う。この陰極１２としては、画素電極と同様な、透明な導電材料が使用できる。例えば、陰極１２を構成する材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、ＡｇもしくはＰｄが挙げられる。中でもインクジェット法を用いて形成可能なＩＴＯが望ましい。
さらに、陰極１２上には、封止樹脂１３１と封止基板１３２からなる封止部１３が設けられる。封止部１３は表示素子部１０の酸化防止あるいは外力による破壊の防御などを目的として、陰極１２の全面に形成される。 The cathode 12 is formed on the entire surface of the light emitting element portion 11, and plays a role of passing a current through the functional layer 110 in a pair with the pixel electrode 111 provided to face the cathode 12. As the cathode 12, a transparent conductive material similar to the pixel electrode can be used. For example, the material constituting the cathode 12 includes ITO, Pt, Ir, Ni, Mg, Ag, or Pd. Among these, ITO that can be formed using an inkjet method is desirable.
Further, a sealing portion 13 including a sealing resin 131 and a sealing substrate 132 is provided on the cathode 12. The sealing portion 13 is formed on the entire surface of the cathode 12 for the purpose of preventing the display element portion 10 from being oxidized or preventing damage caused by an external force.

本発明に係る電子装置２０は、上述した構成物からなっている。
上述した電子装置２０では、図１の場合として、図１６の第二層間絶縁膜１４４ｂに本発明に係る相分離構造を有する膜を適用した例、すなわち、本発明に係る相分離構造を有する膜が基体２１の全面を覆うように、かつ、複数の発光素子の下部に位置するように配置された例、について詳細に説明した。 The electronic device 20 according to the present invention is composed of the above-described components.
In the electronic device 20 described above, in the case of FIG. 1, an example in which the film having the phase separation structure according to the present invention is applied to the second interlayer insulating film 144b of FIG. 16, that is, the film having the phase separation structure according to the present invention. An example in which is disposed so as to cover the entire surface of the base 21 and to be positioned below the plurality of light emitting elements has been described in detail.

これに対して、図２に示すように、素子が載置された領域に対応する部分のみに、本発明に係る相分離構造を有する膜を設けても同様の作用が得られることは言うまでもない。すなわち、図１６に置き換えて説明すれと、例えば、第二層間絶縁膜１４４ｂが画素電極１１１と接する部分にのみ、本発明に係る相分離構造を有する膜を設けても構わない。   On the other hand, as shown in FIG. 2, it goes without saying that the same effect can be obtained even if the film having the phase separation structure according to the present invention is provided only in the portion corresponding to the region where the element is placed. . That is, as described with reference to FIG. 16, for example, a film having the phase separation structure according to the present invention may be provided only in a portion where the second interlayer insulating film 144b is in contact with the pixel electrode 111.

また、本発明に係る相分離構造を有する膜を、図１６における基体２１の外側（図面では下側）に設けることによって、その反射機能を利用してもよい。この配置は、図３に示した構成に相当する。
さらには、電子装置２０の機能層１１０から発した光の進行方向が、上述した方向とは逆方向である場合にも、本発明に係る相分離構造を有する膜を設けることができる。 Further, by providing a film having a phase separation structure according to the present invention on the outer side (lower side in the drawing) of the substrate 21 in FIG. 16, the reflection function may be utilized. This arrangement corresponds to the configuration shown in FIG.
Furthermore, even when the traveling direction of light emitted from the functional layer 110 of the electronic device 20 is opposite to the above-described direction, the film having the phase separation structure according to the present invention can be provided.

すなわち、電子装置２０において、機能層１１０から基体２１側に発した光が、回路素子部１４および基体２１を透過して基体２１の下方（観測者側）に出射されると共に、機能層１１０から基体２の反対側に発した光が陰極１２を通過して封止部１３により反射されて、回路素子部１４および基体２１を透過して基体２１の下方（観測者側）に出射される場合である。   That is, in the electronic device 20, light emitted from the functional layer 110 to the base 21 side is transmitted through the circuit element unit 14 and the base 21 and emitted below the base 21 (observer side). When light emitted to the opposite side of the substrate 2 passes through the cathode 12 and is reflected by the sealing portion 13, passes through the circuit element portion 14 and the substrate 21, and is emitted below the substrate 21 (observer side). It is.

機能層１１０から発した光の進行方向が、このように基体２１の下方（観測者側）に出射される場合には、例えば、封止部１３を構成する封止樹脂１３１に代えて、本発明に係る相分離構造を有する膜を設けることが可能である。また、封止樹脂１３１からなる封止層に加えて相分離構造を有する膜を設けてもよい。この配置は、図４に示した構成に相当する。   When the traveling direction of the light emitted from the functional layer 110 is emitted below the base 21 (observer side), for example, instead of the sealing resin 131 constituting the sealing portion 13, It is possible to provide a membrane having a phase separation structure according to the invention. In addition to the sealing layer made of the sealing resin 131, a film having a phase separation structure may be provided. This arrangement corresponds to the configuration shown in FIG.

（電子機器）
本発明に係る電子機器は、上述した電子装置または上述した光学装置を備えたことを特徴としている。以下では、この構成からなる電子機器の具体例について、図１８から図２０の各図面を参照して説明する。
図１８は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１８において、１０００は携帯電話本体を示し、１００１は上記の電子装置を用いた表示部を示している。 (Electronics)
An electronic apparatus according to the present invention includes the electronic device described above or the optical device described above. Hereinafter, specific examples of the electronic apparatus having this configuration will be described with reference to FIGS. 18 to 20.
FIG. 18 is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 18, reference numeral 1000 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the electronic device.

図１９は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１９において、１１００は時計本体を示し、１１０１は上記の電子装置を用いた表示部を示している。
図２０は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２０において、１２００は情報処理装置、１２０２はキーボードなどの入力部、１２０４は情報処理装置本体、１２０６は上記の電子装置を用いた表示部を示している。 FIG. 19 is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. In FIG. 19, reference numeral 1100 denotes a watch body, and reference numeral 1101 denotes a display unit using the electronic device.
FIG. 20 is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 20, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, 1202 denotes an input unit such as a keyboard, 1204 denotes an information processing apparatus body, and 1206 denotes a display unit using the above-described electronic device.

図１８から図２０に示す電子機器は、上記実施形態の電子装置を備えているので、表示部における輝度が長期にわたって安定であることから、長期信頼性の高い電子機器の提供が可能となる。また、これらの電子機器が、上述した素子基板を用いた電子装置を搭載することにより、電子機器はその製造コストを下げることが可能となる。   Since the electronic devices shown in FIGS. 18 to 20 include the electronic device of the above embodiment, since the luminance in the display portion is stable for a long time, it is possible to provide an electronic device with high long-term reliability. In addition, when these electronic devices are equipped with the above-described electronic device using the element substrate, the manufacturing cost of the electronic devices can be reduced.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
〔発明の効果〕 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention, and the specific materials and layers mentioned in the embodiment can be added. The configuration is merely an example, and can be changed as appropriate.
〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明に係る素子基板は、従来の膜形成法では必須であった真空プロセスを必要としない塗布法で容易に形成できる相分離構造を有する膜を備え、この膜が反射層として機能し得るので、従来より製造コストを抑えた素子基板の提供が可能となる。   As described above, the element substrate according to the present invention includes a film having a phase separation structure that can be easily formed by a coating method that does not require a vacuum process, which is indispensable in the conventional film forming method, and this film is reflective. Since it can function as a layer, it is possible to provide an element substrate with a lower manufacturing cost than before.

また、相分離構造を有する膜をなす物質を適宜選択すれば、この膜は反射機能に加えて絶縁機能も併せ持つことができるので、この膜は最も単純な単層という膜構成でも、基板上において絶縁膜と反射膜の２つ役割を兼務できる。ゆえに、素子構成の単純化が図れ、長期信頼性の高い素子基板の提供ができる。   In addition, if the material forming the film having a phase separation structure is appropriately selected, this film can have an insulating function in addition to the reflecting function. Therefore, this film has the simplest single-layer film structure on the substrate. The two functions of an insulating film and a reflective film can be combined. Therefore, the element configuration can be simplified, and an element substrate with high long-term reliability can be provided.

本発明に係る素子基板の製造方法であれば、この相分離構造を有する膜を形成するために、従来の高価な真空プロセスを用いた成膜装置を必要せず、大気中にて容易に作製でき塗布法が採用できるので、素子基板を安価に作製できる。特に、塗布法の中でもインクジェット法を利用することにより、この膜の形成に使われる材料の使用効率をさらに向上できる。   The element substrate manufacturing method according to the present invention does not require a conventional film forming apparatus using an expensive vacuum process in order to form a film having this phase separation structure, and can be easily manufactured in the atmosphere. Since the coating method can be adopted, the element substrate can be manufactured at low cost. In particular, the use efficiency of the material used for forming this film can be further improved by using the inkjet method among the coating methods.

本発明に係る電子装置であれば、上記効果を備えた相分離構造を有する膜が含まれてなる素子基板と、光学素子とを備えているので、安価で長期信頼性の優れた電子装置が提供できる。   The electronic device according to the present invention includes an element substrate including a film having a phase separation structure having the above-described effects and an optical element. Therefore, an electronic device that is inexpensive and excellent in long-term reliability is provided. Can be provided.

本発明に係る光学装置であれば、上記効果を備えた相分離構造を有する膜が反射膜として含まれているので、安価で長期信頼性の優れた光学装置が提供できる。例えば、相分離構造を有する膜を反射膜あるいは絶縁膜として設けた有機ＥＬ素子であれば、内部歪みの発生が抑制されたこと、あるいは外部からの静電破壊に対する耐性が改善したことにより、素子の電気的、光学的あるいは機械的な不具合の発生が解消されるので、従来より高い長期信頼性を備えることが可能となる。   With the optical device according to the present invention, since a film having a phase separation structure having the above-described effects is included as a reflective film, an optical device that is inexpensive and excellent in long-term reliability can be provided. For example, in the case of an organic EL element in which a film having a phase separation structure is provided as a reflective film or an insulating film, the occurrence of internal distortion is suppressed or resistance to external electrostatic breakdown is improved. This eliminates the occurrence of electrical, optical, or mechanical problems, and can provide higher long-term reliability than before.

本発明に係る電子装置や光学装置の製造方法は、少なくとも非相溶性の複数の物質を含む混合物を塗布することにより相分離構造を有する膜を形成する膜製造工程を備えているので、この膜製造工程では反射膜として機能する相分離構造を有する膜が高価な真空プロセスを用いることなく安価な塗布法で製造できるので、電子装置や光学装置の製造コストが抑制できる。したがって、本発明の電子装置や光学装置の製造方法は、従来より安価な電子装置や光学装置の提供に寄与する。   The method for manufacturing an electronic device or an optical device according to the present invention includes a film manufacturing process for forming a film having a phase separation structure by applying a mixture containing at least a plurality of incompatible substances. In the manufacturing process, a film having a phase separation structure that functions as a reflective film can be manufactured by an inexpensive coating method without using an expensive vacuum process, so that the manufacturing cost of an electronic device or an optical device can be suppressed. Therefore, the method for manufacturing an electronic device or an optical device according to the present invention contributes to the provision of an electronic device or an optical device that is cheaper than before.

本発明に係る電子機器は、上記の電子装置または光学装置を備えたことにより、長期信頼性の向上した電子装置を使用しているので、電子機器自体の長寿命化が図れる。また、安価な電子装置を搭載し得るので、電子機器の低コスト化も促進できる。   Since the electronic apparatus according to the present invention includes the electronic apparatus or the optical apparatus described above, an electronic apparatus with improved long-term reliability is used, so that the life of the electronic apparatus itself can be extended. Moreover, since an inexpensive electronic device can be mounted, cost reduction of the electronic device can be promoted.

本発明の実施形態に係る素子基板の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows an example of the element substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る素子基板の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the element substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る素子基板の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the element substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る素子基板の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the element substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る素子基板の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the element substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る素子基板の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the element substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る素子基板の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the element substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る電子装置の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows an example of the electronic device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る光学装置の一例を示す模式的な断面図である。It is a typical sectional view showing an example of an optical device concerning an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る光学装置の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the optical apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る光学装置の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the optical apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る光学装置の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the optical apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る相分離構造を有する膜の概略を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view showing the outline of the membrane which has the phase separation structure concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る相分離構造を有する膜を形成する液体塗布装置を示す構成図である。It is a lineblock diagram showing a liquid application device which forms a film which has a phase separation structure concerning an embodiment of the present invention. 図１４に示す液体塗布装置の部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the liquid application apparatus shown in FIG. 図１４に示す液体塗布装置の他の部分拡大図である。FIG. 15 is another partial enlarged view of the liquid coating apparatus shown in FIG. 14. 本発明の実施形態に係る光学装置における表示領域の断面構造を拡大した概略図である。It is the schematic which expanded the cross-section of the display area in the optical apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本実施形態の電子装置または光学装置を備えた電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device provided with the electronic device or optical device of this embodiment. 本実施形態の電子装置または光学装置を備えた電子機器の他の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another example of the electronic device provided with the electronic device or optical device of this embodiment. 本実施形態の電子装置または光学装置を備えた電子機器の他の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another example of the electronic device provided with the electronic device or optical device of this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

Ｍ１、Ｍ２ 物質相
Ｌ１、Ｌ２ 液体材料
１、８ 基板
２ 電子素子
２’ 電子素子層
３ 相分離構造を有する膜
４，５ 他の膜あるいは構造体
６ 絶縁膜
７ 光学素子
７’ 光学素子層
８ 反射膜
１０ 表示素子部
１１ 発光素子部
１２ 陰極
１３ 封止部
１４ 回路素子部
２０ 電子装置
２１ 基体
１０４ ディスペンサヘッド
１０５ ノズル
１４４ａ、１４４ｂ 層間絶縁膜
１０００ 携帯電話本体
１００１、１１０１、１２０６ 電子装置を用いた表示部
１１００ 時計本体
１２００ 情報処理装置
１２０２ 入力部
１２０４ 情報処理装置本体
M1, M2 Material phase L1, L2 Liquid material 1, 8 Substrate 2 Electronic element 2 'Electronic element layer 3 Film having phase separation structure 4, 5 Other film or structure 6 Insulating film 7 Optical element 7' Optical element layer 8 Reflective film 10 Display element portion 11 Light emitting element portion 12 Cathode 13 Sealing portion 14 Circuit element portion 20 Electronic device 21 Base 104 Dispenser head 105 Nozzle 144a, 144b Interlayer insulating film 1000 Mobile phone body 1001, 1101, 1206 Using electronic device Display unit 1100 Clock body 1200 Information processing device 1202 Input unit 1204 Information processing device body

Claims (15)

互いに非相溶性の複数の物質を含む混合物を液状体吐出法により基体に吐出し、相分離構造を有する膜を形成すること、
を特徴とする膜製造方法。 Discharging a mixture containing a plurality of mutually incompatible substances onto a substrate by a liquid discharge method to form a film having a phase separation structure;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項１に記載の膜製造方法において、
前記混合物として、前記複数の物質の種類または量比が異なるように調整された複数の混合物を用いること、
を特徴とする膜製造方法。 The film manufacturing method according to claim 1,
As the mixture, a plurality of mixtures adjusted so that types or quantitative ratios of the plurality of substances are different from each other,
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項１又は２に記載の膜製造方法において、
前記相分離構造をミクロ相分離構造であること、
を特徴とする膜製造方法。 In the film manufacturing method according to claim 1 or 2,
The phase separation structure is a micro phase separation structure;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項１乃至３のいずれかに記載の膜製造方法において、
前記液状体吐出法はインクジェット法であること、
を特徴とする膜製造方法。 In the film manufacturing method according to any one of claims 1 to 3,
The liquid discharge method is an inkjet method;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項１乃至４のいずれかに記載の膜製造方法において、
前記混合物は、ブロックコポリマーを含むこと、
を特徴とする膜製造方法。 In the film manufacturing method according to any one of claims 1 to 4,
The mixture comprises a block copolymer;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項１乃至５のいずれかに記載の膜製造方法において、
前記膜は反射機能を備えていること、
を特徴とする膜製造方法。 In the film manufacturing method according to any one of claims 1 to 5,
The film has a reflective function;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項１乃至６のいずれかに記載の膜製造方法において、
前記相分離構造の格子間隔は１００ｎｍ以上であること、
を特徴とする膜製造方法。 In the film manufacturing method according to any one of claims 1 to 6,
The lattice spacing of the phase separation structure is 100 nm or more;
A film manufacturing method characterized by the above. 互いに非相溶性の物質を含む第１の混合物を液状体吐出法により基体に向けて吐出することにより第１の膜を形成し、
互いに非相溶性の物質を含む第２の混合物を前記液状体吐出法により基体に向けて吐出することにより第２の膜を形成すること、
を特徴とする膜製造方法。 Forming a first film by discharging a first mixture containing mutually incompatible substances toward a substrate by a liquid discharge method;
Forming a second film by discharging a second mixture containing mutually incompatible substances toward the substrate by the liquid discharge method;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項８に記載の膜製造方法において、
前記第１の膜の反射特性と前記第２の膜の反射特性とは異なること、
を特徴とする膜製造方法。 In the film manufacturing method of Claim 8,
The reflection characteristic of the first film is different from the reflection characteristic of the second film;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項８又は９に記載の膜製造方法において、
前記第１の混合物に含まれる前記複数の物質の量比と前記第２の混合物に含まれる前記複数の物質の量比とは、異なっていること、
を特徴とする膜製造方法。 In the film manufacturing method according to claim 8 or 9,
The quantitative ratio of the plurality of substances contained in the first mixture is different from the quantitative ratio of the plurality of substances contained in the second mixture;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項８乃至１１のいずれかに記載の膜製造方法において、
前記第１の膜及び前記第２の膜はそれぞれ異なる所定の位置に配置されること、
を特徴とする膜製造方法。 The film manufacturing method according to any one of claims 8 to 11,
The first film and the second film are disposed at different predetermined positions;
A film manufacturing method characterized by the above. 請求項１乃至１１のいずれかに記載の膜製造方法を用いた素子基板の製造方法。   An element substrate manufacturing method using the film manufacturing method according to claim 1. 基板上にスイッチング素子を形成する第１の工程と、
前記スイッチング素子の上方に第１の絶縁膜を形成する第２の工程であって、前記スイッチング素子を覆うように第２の絶縁膜を形成した後に前記第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上方に第１の電極を形成する第３の工程と、を含み、
前記第２の絶縁膜の形成は、互いに非相溶性の複数の物質を含む混合物を塗布することにより行い、
前記混合物は、ブロックコポリマーを含むこと、
を特徴とする素子基板の製造方法。 A first step of forming a switching element on a substrate;
A second step of forming a first insulating film above the switching element, the step of forming the first insulating film after forming the second insulating film so as to cover the switching element;
Forming a first electrode above the first insulating film, and
The second insulating film is formed by applying a mixture containing a plurality of incompatible substances,
The mixture comprises a block copolymer;
A method for manufacturing an element substrate. 前記混合物として、前記複数の物質の種類または量比が異なるように調製された複数の混合物を用い、前記複数の混合物の各々を液状体吐出法により所定の位置に配置することを特徴とする請求項１３に記載の素子基板の製造方法。   A plurality of mixtures prepared so that types or quantitative ratios of the plurality of substances are different as the mixture, and each of the plurality of mixtures is disposed at a predetermined position by a liquid material discharge method. Item 14. A method for manufacturing an element substrate according to Item 13. 前記第２の工程の後に、前記混合物に含まれる溶媒を除去するための乾燥工程及び熱処理する工程のうち少なくとも１つを具備したことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の素子基板の製造方法。   15. The device substrate according to claim 13, further comprising at least one of a drying step for removing a solvent contained in the mixture and a heat treatment step after the second step. Method.
JP2005258857A 2005-09-07 2005-09-07 Method for producing film and method for producing element substrate Pending JP2006082077A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005258857A JP2006082077A (en) 2005-09-07 2005-09-07 Method for producing film and method for producing element substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005258857A JP2006082077A (en) 2005-09-07 2005-09-07 Method for producing film and method for producing element substrate

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002242476A Division JP3750640B2 (en) 2002-08-22 2002-08-22 Element substrate, electronic device, optical device, and electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006082077A true JP2006082077A (en) 2006-03-30

Family

ID=36161001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005258857A Pending JP2006082077A (en) 2005-09-07 2005-09-07 Method for producing film and method for producing element substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006082077A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4216008B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND VIDEO CAMERA, DIGITAL CAMERA, GOGGLE TYPE DISPLAY, CAR NAVIGATION, PERSONAL COMPUTER, DVD PLAYER, ELECTRONIC GAME EQUIPMENT, OR PORTABLE INFORMATION TERMINAL HAVING THE LIGHT EMITTING DEVICE
US9412804B2 (en) Light emitting device and manufacturing method of the same
KR100684243B1 (en) Display device and method of manufacturing the same
JP4742639B2 (en) Light emitting device
JP3750640B2 (en) Element substrate, electronic device, optical device, and electronic device
JP3515955B2 (en) Display device
TWI261480B (en) Display device, manufacturing method for display device, and electronic apparatus
KR100856624B1 (en) Manufacturing equipment of display device and manufacturing method of display device
US8786177B2 (en) Single-photon type organic electroluminescent element
JP4543798B2 (en) Organic EL device and electronic device
EP1333497A2 (en) Circuit substrate, electro-optical device and electronic appliances
KR20140033415A (en) Materials and methods for oled microcavities and buffer layers
JP2007311236A (en) Device, film forming method, and manufacturing method of device
JP2007311237A (en) Device, membrane forming method, and manufacturing method of device
JP2007311235A (en) Device, film forming method, and manufacturing method of device
JP2004006327A (en) Light emitting device and its fabrication method
JP2006154169A (en) Method for manufacturing electro-optical element and electro-optical device
JP2009158881A (en) Organic el device, and manufacturing method of the same
JP7013218B2 (en) Organic EL element, manufacturing method of organic EL element, organic EL device
KR20090124948A (en) Deposition method and method of manufacturing light-emitting device
JP2006082077A (en) Method for producing film and method for producing element substrate
JP2007311238A (en) Method of manufacturing light-emitting device
JP2013084553A (en) Organic el element and manufacturing method of the same
JP4492368B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
JP2010205528A (en) Manufacturing method of organic electroluminescent device

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080318

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080512

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080925

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081028