JP2006073975A - 薄膜トランジスタの製造方法及びその構造 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 5
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 18
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- -1 dimethylsiloxane Chemical class 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】直接パターン形成の深さが制御出来、また、エッチング或いは他の工程が必要ない感光印圧プロセスを提供する。
【解決手段】圧印技術で型板上に金属又は金属酸化物より予定のパターンに光を通さない突起が形成され、基板上に感光材を塗布し、該透明型板よりこの基板を圧印加工するとき、紫外線で感光材を硬化させ、型板と基板を分離した後、化学溶液でこの基板上の硬化されない感光材を除去することで、光を通さない突起を有する透明型板より感光材を圧印し硬化成形させ、必要の薄膜トランジスタが形成できる薄膜トランジスタの製造方法。
【選択図】図７Ａ
【解決手段】圧印技術で型板上に金属又は金属酸化物より予定のパターンに光を通さない突起が形成され、基板上に感光材を塗布し、該透明型板よりこの基板を圧印加工するとき、紫外線で感光材を硬化させ、型板と基板を分離した後、化学溶液でこの基板上の硬化されない感光材を除去することで、光を通さない突起を有する透明型板より感光材を圧印し硬化成形させ、必要の薄膜トランジスタが形成できる薄膜トランジスタの製造方法。
【選択図】図７Ａ
Description
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関わるもので、特に半導体製造プロセスを代わることできる薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
一般的に、従来の薄膜トランジスタの製造方法は、半導体製造プロセスの技術よりなされ、薄膜や黄色光やエッチングなどの技術を含み、製造時間が掛かり過ぎ、かつ、製造設備の費用が高いなどの問題があるため望ましくない。
従来の半導体プロセスでは、先に化学蒸着法（ＣＶＤ）より半導体と絶縁体薄膜を積層し、物理蒸着法（ＰＶＤ）より導体薄膜を積層しなければならなく、そして、さらに黄色光工程とエッチング工程よりパターンが定義されており、上記のような積層装置およびエッチング装置はともに高価なものである。
図１Ａ〜図１Ｄに示すように、第１の先行技術は、従来の感光圧印製造プロセスであり、透明型板１ａに光透過性のある突起が設けられ、その透明型板１ａをガラス基板２ａに近接させるとき、その間隔内に感光材３ａを注入し、紫外線より露光、硬化定形された後、ドライエッチング或はウェットエッチングを行い一部余分の感光材３ａを除去することより、薄膜トランジスタが作成されるが、従来の感光圧印で作成される該突起は、光透過性があるため、感光材３ａが全て露光、成形され、別途で利用されるエッチング工程は、一部の要はない感光材３ａを除去する以外、さらにフォトレジストとしてパターン成形の深さまでに達する意義がある。
図２は、米国特許ＵＳ６，５１８，１８９号に掲示されるナノインプリント法を示すフローチャートであり、図２に示すように、第２の先行技術は、不透明型板１ｂに突起が設けられ、その不透明型板１ｂが熱塑性高分子材３ｂを塗布した基板２ｂに圧印されており、熱塑性高分子材の独特性質の理由で、加熱（３００℃以上）と加圧より分子を溶融させ一体に硬化する必要があるため、熱塑性高分子材が必要ある工程条件は十分に注意して条件に合わせてその圧印設備を使用しなければならなく、また、熱塑性高分子材は冷却成形に経った後も、さらにエッチング工程を行い必要のパターンを残留させなければならない。
図３は、米国特許ＵＳ５，９００，１６０号に掲示されるマイクロコンタクトプリンティングを示すフローチャートであり、図３に示すように、第３の先行技術は、渦輪式金型１ｃが回転ローリングの方式で、微粒子分子層３ｃのある基板２ｃに圧印加工するが、このような方式はアラインメントの安定性や正確性が欠けており、また、金型材はジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）より作成され、摩耗変形しやすく、さらにパターン圧印の正確性に影響することになる。
図４は、米国特許ＵＳ６，０６０，１２１号に掲示されるマイクロコンタクトプリンティングを示すフローチャートであり、図４に示すように、第４の先行技術は、表面に圧印材３ｄが塗布され突起のある型板１ｄを用い、基板２ｄに薄膜４ｄが圧印されるが、このような方法で成形される材料は薄すぎて、パターン厚さを増加させる為、その上に他の工程で他の材質が形成しなければならない。
図５Ａ〜図５Ｄは、米国特許ＵＳ６，３８０，１０１号に掲示されるマイクロコンタクトプリンティングを示すフローチャートであり、図５Ａ〜図５Ｄに示すように、第５の先行技術は、表面に圧印材３ｅが塗布され突起のある型板１ｅを用い、基板２ｅに薄膜４ｅが圧印されるが、このような方法は、第１の先行技術の従来の感光圧印製造プロセスに似ており、圧印材３ｅも同じフォトレジストとして後続のエッチング工程に用いる。
図６Ａ〜図６Ｄは、米国特許ＵＳ６，４１３，５８７号に掲示されるマイクロコンタクトプリンティングを示すフローチャートであり、図６Ａ〜図６Ｄに示すように、第６の先行技術は、表面に圧印材３ｆが塗布され突起のある型板１ｆを用い、基板２ｆに薄膜４ｆが圧印されるが、このような方法は、第４の先行技術のマイクロコンタクトプリンティングに似ており、圧印材が薄すぎて、パターン厚さを増加させる為、その上に他の材質が形成しなければならない。
また、第３〜第６の先行技術が掲示されたコンタクトプリンティングは、先ず、ともに高分子材のプリント鋳込み型を作成しなければならなく、このプリント鋳込み型は十分な変形が可能かつ圧印の後に基板と分離しやすくなるが、柔軟性物は弾性特性があるため、金型上のパターンはプレスの影響を受けプリントのときに欠陥が発生し、圧印の正確性まで影響する。また、高分子材自身の化学特性のため、金型は非極性有機溶剤（例えば、トルエン、ヘキサン）と反応しやすく体積を膨張させることになるので、製造環境を制御しなければならなくなる。
ここで、本発明者は、上記の欠点を鑑みて、熱心な研究により、やっと合理な設計且つ前記の欠点を有効に改善できた本発明を提案した。
本発明の主な目的は、簡単な工程で半導体製造プロセスに代わり、作成効率向上並びにコストを下げることができる薄膜トランジスタの製造方法及びその構造を提供する。
本発明のもう一つの目的は、直接パターン成形の深さが制御出でき、また、エッチング或は他の工程が必要ない薄膜トランジスタの製造方法及びその構造を提供する。
上記の目的を達成する為に、本発明は、ガラス基板を配置する工程と、このガラス基板上にネガ感光材を塗布する工程と、透明型板を配置し所定のパターンに光を通さない突起を設ける工程と、この透明型板をガラス基板に加圧する工程と、紫外線（ＵＶ）でこのネガ感光材を露光、硬化成形する工程と、この透明型板とガラス基板を分離した後、化学溶液で洗浄し光を通さない突起の遮蔽によって硬化成形されないネガ感光材を除去する工程とを含み、光を通さない突起を有する透明型板よりネガ感光材を圧印し硬化成形されることで、必要の薄膜トランジスタが形成できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
上記の目的を達成する為に、本発明は、所定のパターンに硬化成形されるネガ感光材層を有するガラス基板と、所定のパターンに布設される光を通さない突起を有する透明型板とを備え、このネガ感光材は紫外線で露光し硬化成形され、光を通さない突起の遮蔽によって硬化成形されないネガ感光材は、化学溶液で洗浄され、光を通さない突起を有する透明型板よりネガ感光材を圧印し硬化成形されることで、必要の薄膜トランジスタが形成できる薄膜トランジスタの作成構造を提供する。
上記の目的を達成する為に、本発明は、所定のパターンに硬化成形されるネガ感光材層を有するガラス基板と、所定のパターンに布設される光を通さない突起を有する透明型板とを備え、この光を通さない突起とこの透明型板との間に付着層があり、この付着層の熱膨張係数はこの光を通さない突起とこの透明型板との間に介入され、また、このネガ感光材は紫外線で露光し硬化成形され、光を通さない突起の遮蔽によって硬化成形されないネガ感光材は、化学溶液で洗浄され、光を通さない突起を有する透明型板よりネガ感光材を圧印し硬化成形されることで、必要の薄膜トランジスタが形成できる薄膜トランジスタの作成構造を提供する。
本発明の特徴及び技術内容を更に理解させるため、以下の本発明に係わる詳細な説明及び添付図面を参考にできるが、添付図面は参考及び説明用だけに提供され、本発明に制限するものではない。
本発明は、透明型板に光を通さない突起が設けられ、さらにネガ感光材が塗布された基板上に圧印され、この光を通さない突起が、一部の感光材をマスキングでき、紫外線の照射より硬化されることを避けられ、さらに化学溶液で硬化成形されないネガ感光材を洗浄し除去され、エッチング又は他の工程が別途で利用されることなく、直接基板上のパターン定義が完成でき、かつ直接パターンの深さが定義できる。本発明は、性質が異なる感光材を用い薄膜トランジスタの各層構造に適応でき、例えば、活性層やオーミックコンタクト層などの半導体材を半導体層とし、ゲート電極やソース・ドレイン電極やコンタクトパッドやキャパシタンス電極やサーキットラインなどの導電材を導線又は電極層とし、並びに、絶縁層や誘電体層やパッシベーション層などの絶縁材で分離に用いることができる。それは明らかに半導体製造プロセスの複雑な工程より簡単かつ快速の製造フローがあり、半導体設備のコストも節約できる。
図７Ａ〜図７Ｃは、薄膜トランジスタの製造方法を実施することを示す図であり、図７Ａに示すように、先ず、ガラス基板２を配置し、このガラス基板２上にネガ感光材３がスピンコーティング、また透明型板１を配置し所定のパターンに光を通さない突起１１を設けることを含む。図７Ｂに示すように、この透明型板１をガラス基板２に水平に圧し、ネガ感光材３に均一の圧力を与え、この透明型板１を所定の深さまでにネガ感光材３に圧下されることが制御でき、かつネガ感光材３は透明型板１とガラス基板２との間に流れ充填でき、さらに紫外線（ＵＶ）４でこのネガ感光材３を露光、硬化成形させ、その時、光を通さない突起１１がその直下のネガ感光材３をマスキング出来、紫外線４の照射より硬化されことを避けられる。図７Ｃに示すように、この透明型板１とガラス基板２を分離した後、特定の化学溶液で洗浄し光を通さない突起１１の遮蔽によって硬化成形されないネガ感光材３を除去し、ガラス基板２上のパターン化する工程が完成する。光を通さない突起１１を有する透明型板１よりネガ感光材３を圧印し硬化成形されることで、性質が異なる感光材（例えば、半導体材や導電材或は絶縁材）を用い薄膜トランジスタの各層構造に適応でき、必要の薄膜トランジスタが形成できる。
この透明型板１は、例えば、ガラス或は石英である透光材より作成され、また作成された光を通さない突起１１は、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）である金属などの光を通さない材料で作成され、光を通さない突起１１の作成高度は、プロセスが要求する高度よりやや低い。
この透明型板１の作成は、半導体製造プロセスで清浄し、物理蒸着法（ＰＶＤ）より付着層５（例えば、金属酸化物）をめっきした後、さらに、光を通さない突起１１（例えば、金属薄膜）がめっきされており、図８に示すように、付着層５は、この光を通さない突起１１とこの透明型板１との間に設けられ、この熱膨張係数は、この光を通さない突起１１とこの透明型板１との間に介入され、また、付着層５は、この光を通さない突起１１の金属材が形成する金属酸化物材より作成される。好ましい態様は、クロムを用いるとき、先ず厚さが５００Å以下である酸化クロム層をめっきし、さらにクロムの実際の厚さを後ろの圧印が予期するパターンの高さより略低くするようにクロムをめっきし、その差は後続の圧力及び材料接着度に関わり、好ましい差は約１０％以内である。金属薄膜をめっきした後に、さらに黄色光やエッチング（プラズマエッチングやウェットエッチング、Ｅ−ｂｅａｍフォトエッチング或はレーザー描きなど）の工程でパターンを定義し、さらに透明な材料（例えば、テフロン（登録商標））を均一に塗布し、テフロン（登録商標）は圧印材に対しデウェッティング（ｄｅ−Ｗｅｔｔｉｎｇ）効果があるため、その層をデウェッティング層６に称する。
透明型板に加圧する前に、感光素子で透明型板１とガラス基板２にアラインメントする、この感光素子は、電荷結合素子ＣＣＤ或は相補性金属酸化膜半導体ＣＭＯＳことができる。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法及びその構造は、以下の有利点がある。
１．本発明は、半導体製造プロセスの複雑な工程より簡単かつ快速の製造フローがあり、半導体設備のコストも節約できる。
２．本発明は、直接パターン成形の深さが制御でき、また他の工程が必要なくコストが下げられる。
３．本発明は、全て又は部分的な半導体製造プロセスに代わり薄膜トランジスタの各層構造を作成でき、必要に応じて作成しコストを下げる。
４．本発明は、長持ちできる金属突起を設け圧印することで、変形し難いため、パターン圧印の正確性や安定性はともに従来の技術より高い。
１．本発明は、半導体製造プロセスの複雑な工程より簡単かつ快速の製造フローがあり、半導体設備のコストも節約できる。
２．本発明は、直接パターン成形の深さが制御でき、また他の工程が必要なくコストが下げられる。
３．本発明は、全て又は部分的な半導体製造プロセスに代わり薄膜トランジスタの各層構造を作成でき、必要に応じて作成しコストを下げる。
４．本発明は、長持ちできる金属突起を設け圧印することで、変形し難いため、パターン圧印の正確性や安定性はともに従来の技術より高い。
１透明型板
２ガラス基板
３ネガ感光材
４紫外線（ＵＶ）
５付着層
６デウェッティング層
１１光を通さない突起
２ガラス基板
３ネガ感光材
４紫外線（ＵＶ）
５付着層
６デウェッティング層
１１光を通さない突起
Claims (27)
- ガラス基板を配置する工程と、
このガラス基板上にネガ感光材を塗布する工程と、
透明型板を配置し所定のパターンに光を通さない突起を設ける工程と、
この透明型板をガラス基板に加圧する工程と、
紫外線（ＵＶ）でこのネガ感光材を露光、硬化成形する工程と、
この透明型板とガラス基板を分離した後、化学溶液で洗浄し光を通さない突起の遮蔽によって硬化成形されないネガ感光材を除去する工程とを含み、
光を通さない突起を有する透明型板よりネガ感光材を圧印し硬化成形されることで、必要の薄膜トランジスタが形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - スピンコーティングよりネガ感光材を作成することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記透明型板は所定の深さまでにネガ感光材を加圧することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ネガ感光材は、半導体材や導電材或は絶縁材を用い、必要の薄膜トランジスタが形成できることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記透明型板はガラス或は石英であり、前記光を通さない突起は金属材であることを特徴とする
請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記付着層は光を通さない突起と透明型板との間に位置され、この付着層の熱膨張係数はこの光を通さない突起とこの透明型板との間に介入されることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記付着層は金属材よりなる金属酸化物で作成されることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記金属材はクロム(Ｃｒ）、モリブデン(Ｍｏ)或はタングステン(Ｗ)などの遷移金属元素であり、前記金属酸化物材はクロム(Ｃｒ）、モリブデン(Ｍｏ)或はタングステン(Ｗ）などの遷移金属元素よりなる酸化物であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記金属材には、前記ネガ感光材透に対しデウェッティング性を有するデウェッティング層がめっきされることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記デウェッティング層はテフロン（登録商標）であることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記透明型板に加圧する前に、感光素子で前記透明型板とガラス基板にアラインメントすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記感光素子は、電荷結合素子ＣＣＤ或は相補性金属酸化膜半導体ＣＭＯＳであることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 所定のパターンに硬化成形されるネガ感光材層を有するガラス基板と、
所定のパターンに布設される光を通さない突起を有する透明型板とを備え、
このネガ感光材は紫外線で露光し硬化成形され、光を通さない突起の遮蔽によって硬化成形されないネガ感光材は、化学溶液で洗浄され、
光を通さない突起を有する透明型板よりネガ感光材を圧印し硬化成形されることで、必要の薄膜トランジスタが形成できることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。 - 前記ネガ感光材は、半導体材や導電材或は絶縁材であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記透明型板はガラス或は石英であり、前記光を通さない突起は金属材であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記付着層は光を通さない突起と透明型板との間に設けられ、この付着層の熱膨張係数はこの光を通さない突起とこの透明型板との間に介入されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記付着層は金属材よりなる金属酸化物で作成されることを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記金属材はクロム（Ｃｒ）、モリブデン(Ｍｏ）或はタングステン(Ｗ）などの遷移金属元素であり、前記金属酸化物材はクロム（Ｃｒ）、モリブデン(Ｍｏ)或はタングステン(Ｗ)などの遷移金属元素よりなる酸化物であることを特徴とする請求項１７に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記金属材には、前記ネガ感光材透に対しデウェッティング性を有するデウェッティング層がめっきされることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記デウェッティング層はテフロン（登録商標）であることを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 所定のパターンに硬化成形されるネガ感光材層を有するガラス基板と、
所定のパターンに布設される光を通さない突起を有する透明型板とを備え、
この光を通さない突起とこの透明型板との間に付着層があり、この付着層の熱膨張係数はこの光を通さない突起とこの透明型板との間に介入され、
また、このネガ感光材は紫外線で露光し硬化成形され、光を通さない突起の遮蔽によって硬化成形されないネガ感光材は、化学溶液で洗浄され、光を通さない突起を有する透明型板よりネガ感光材を圧印し硬化成形されることで、必要の薄膜トランジスタが形成できることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。 - 前記ネガ感光材は、半導体材や導電材或は絶縁材であることを特徴とする請求項２１に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記透明型板はガラス或は石英であり、前記光を通さない突起は金属材であることを特徴とする請求項２１に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記付着層は金属材よりなる金属酸化物で作成されることを特徴とする請求項２３に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記金属材はクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）或はタングステン（Ｗ）などの遷移金属元素であり、前記金属酸化物材はクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）或はタングステン（Ｗ）などの遷移金属元素よりなる酸化物であることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記金属材には、前記ネガ感光材透に対しデウェッティング（ｄｅ−Ｗｅｔｔｉｎｇ）性を有するデウェッティング層がめっきされることを特徴とする請求項２１に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
- 前記デウェッティング層はテフロン（登録商標）であることを特徴とする請求項２６に記載の薄膜トランジスタの製造方法の薄膜トランジスタ作成構造。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW093126251A TWI264823B (en) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | Thin film transistor manufacture method and structure therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006073975A true JP2006073975A (ja) | 2006-03-16 |
| JP4083725B2 JP4083725B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=35943696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004293433A Expired - Fee Related JP4083725B2 (ja) | 2004-08-31 | 2004-10-06 | 薄膜トランジスタの製造方法及びその製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060046203A1 (ja) |
| JP (1) | JP4083725B2 (ja) |
| TW (1) | TWI264823B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081360A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Risotetsuku Japan Kk | 光インプリント用の光照射ユニット |
| JP2009166486A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-30 | Asahi Kasei Corp | 光吸収性を有するモールド、該モールドを利用する感光性樹脂のパターン形成方法、及び印刷版の製造方法 |
| JP2010231127A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Dainippon Printing Co Ltd | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4281773B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2009-06-17 | ヤマハ株式会社 | 微細成形モールド及び微細成形モールドの再生方法 |
| CN111354508B (zh) * | 2016-07-15 | 2022-08-19 | 昇印光电（昆山）股份有限公司 | 一种柔性电极薄膜及应用 |
| CN109031881A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-18 | 李文平 | 掩膜模具及其制备三维结构的方法 |
| CN113851577B (zh) * | 2021-09-23 | 2024-02-20 | 业成光电（深圳）有限公司 | 压电传感器的制作方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900160A (en) * | 1993-10-04 | 1999-05-04 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of etching articles via microcontact printing |
| US6518189B1 (en) * | 1995-11-15 | 2003-02-11 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for high density nanostructures |
| US6060121A (en) * | 1996-03-15 | 2000-05-09 | President And Fellows Of Harvard College | Microcontact printing of catalytic colloids |
| US6413587B1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-07-02 | International Business Machines Corporation | Method for forming polymer brush pattern on a substrate surface |
| US6380101B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-04-30 | International Business Machines Corporation | Method of forming patterned indium zinc oxide and indium tin oxide films via microcontact printing and uses thereof |
| US7101644B2 (en) * | 2000-06-23 | 2006-09-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Hologram transfer foil |
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| US6501525B2 (en) * | 2000-12-08 | 2002-12-31 | Industrial Technology Research Institute | Method for interconnecting a flat panel display having a non-transparent substrate and devices formed |
| US7037639B2 (en) * | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
| JP2004241397A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
-
2004
- 2004-08-31 TW TW093126251A patent/TWI264823B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-06 JP JP2004293433A patent/JP4083725B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-24 US US10/995,479 patent/US20060046203A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009081360A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Risotetsuku Japan Kk | 光インプリント用の光照射ユニット |
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| JP2010231127A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Dainippon Printing Co Ltd | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200608575A (en) | 2006-03-01 |
| TWI264823B (en) | 2006-10-21 |
| US20060046203A1 (en) | 2006-03-02 |
| JP4083725B2 (ja) | 2008-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070326 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070710 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4083725 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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